DE8109323U1 - Systemträger - Google Patents

Systemträger

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DE8109323U1
DE8109323U1 DE8109323U DE8109323DU DE8109323U1 DE 8109323 U1 DE8109323 U1 DE 8109323U1 DE 8109323 U DE8109323 U DE 8109323U DE 8109323D U DE8109323D U DE 8109323DU DE 8109323 U1 DE8109323 U1 DE 8109323U1
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aluminum
approx
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Description

• f · ·
ϊ λ.
i-% ? SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT " Unser Zeichen
f. ' Berlin und München . VPA 81 P 7 5 2 6 DE
j 5 Systemträger
I ' ■
I Die Neuerung betrifft Systemträger beschichtet mit
1 Galvano-Aluminium.
i 10 Es ist bekannt, Systemträger aus Messing oder Kupfer-
1 Eisen-Legierungen galvanisch zu versilbern oder zu vergolden. Solche Edelmetallbeschichtungen sind teuer. Bei
I r: Silberoberflächen sind ferner die Anlaufverfärbungen
- -' von Nachteil. Es ist ferner bekannt, die Systemträger
I 15 mit Aluminium zu bedampfen. Nur im letzteren Fall ist
I durch Ultraschallschweißen eine Befestigung und Kontaktie-
' rung bei elektronischen Bauelementen möglich.
\ Ferner ist bekannt, elektrisch leitfähige Werkstücke
. 20 mit einer schützenden Haut von reinem Aluminium zu über-
'; ziehen. (Elektrotechnik 51, H. 24, Seiten 36 und 37). Es
s ist auch bereits auf Metallen und leitfähigen Materialien
\ eine haftfeste galvanische Abscheidung eines besonders
; reinen Aluminiums "Galvano-Aluminium" genannt, möglich*
? 25 (Bull.ASE 63 (1972) 11, Seiten 596 und 597). In der
|. O DE-OS 2 732 687 sind lösbare elektrische Kontakte be-
"■ schrieben, wobei die Oberfläche der Kontaktteile mit Galvano-Aluminium beschichtet ist.
I '
30 Das Aufdampfaluminium hat jedoch den gravierenden Nachteil in dickeren Schichten ^5 um nicht mehr haftfest abgeschieden werden zu können. Gerada solche Schichtdicken eignen sich aber gut für die Ultraschallthermokompression. Dünnere Aufdampfaluminimtschichten sind m 35 für eine Ultraschallschweißung dieser Art weniger ge-
2 Ga / 26*3.1-981
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geeignetj Die Struktur Von öäivanö^ÄiUminiüm-Sesähieh0 tühgeii bekanntet Art erwies siöh für Viele Köhtäktieifüngeri ürid Fixierungen als nidht hinifeieherid geeignet4
Aufgabe der Neuerung sind ifiit Ultraschall leicht anfegbäfe Besähiöhtüngeri bei Systemtirägerri/ insbesondere solchen der Hälbleiteiftechniki Die Schichten sollen ins« besondere für die Ültfaschällthermökömpfession geeignet sein»
Diese Aufgabe Wird dadurch gelöst/ daß gemäß der Neuerung in der Galvano-Aluminiüm-Besdhichturig die Aluminiümkristalie senkrecht zur Oberfläche des Trägers ausgerichtet sind und bei einer Schichtdicke von ca* 5 μπι eine Oberflächenrauhigkeit zwischen 2. Una 5 μπι aufweisen* Die senkrecht aus der Oberfläche austretenden Aluminium-Kristalle sind pyramidenförmig mit nach oben gerichteter Spitze* Die erfindungsgemäßen. Beschichtungen zeichnen sich durch besonders gute Verzahnung mit dem zu böndenden Bauelement aus. Auch sind die ausgezeichneten Köntakteigen^ schäften und die Korrosionsfestigkeit hervorzuheben.
Geeignete zu beschichtende Materialien sind Messing, Tombak, Bronze, Neusilber/ Stahl, Eisennickel- und Ei senkupferlegierungen.
Für die Beschichtung geeignete Vorrichtungen sind beispielsweise in der DE-PS 25 37?.2"56 und in der deutschen Patent'-anmeldung Aktenzeichen P 30 23 827,8 (VPA 80 P 7092), beschrieben.
*"♦
n ' ' e,
- 3 - ' vpÄ 81 JP 7 S 2 e DE
Die NeUeiiUng· * betrifft auch ein Verfahren 2uiri Begdhiehten VOh aystgmtragerrii ÖefflMß der" Neuerung Väifden dies"e in einem äpifötiäöheft und säüerstöf-freien älüminiümöi-gänisöhen giektifölYten der1 allgemeinen Formel
S M[Al2(G2HgJg]X ' ή Mol ärömät* Kohlenwasserstoff, Worin M Na+,' K+ Oder ein qüärtäres Öniumiön mit N als gentiräi^ ätom ist und R Methyl öder1 Äthyl/ X Fluörld öder Chlorid und ή eine Zahl zwischen 2 bis 4 bedeuten kann bei einer Stromdichte Von 2,5 bis 5 A/dm2 und 8Ö bis 95 0G Badtemperätur galvanisch mit Aluminium beschichtetä Als besonders geeignet hat sich ein älumirilümöif^anischer Elektrolyt der Formel
(CH,-) „lf * 3 bis 7 Mol Toluol erwiesen.
Gemäß der Neuerung beschichtete Systemträger sind beispielsweise TO-Böden für Trafisistoren bzw* DIIr-Bänder zur Befestigung von diskreten Halbleitern oder integrierten Schaltkreisen.
Die Neuerung Wird anhand der Zeichnung näher erläutert*
In der Zeichnung zeigt:
FIG 1 TO-Bödenf wobei 1, 2 und 3 die Anschlüsse für den Transistor sind. 3 dient gleichzeitig als Fixierfläche 4, Das Metallgehäuse mit den beiden Durchführungen für die Anschlußdrähte 1 und 2 ist mit 5 bezeichnet. Die Drähte sind in ein Harz 6 eingegossen* Die auf den Anschlüssen 1,2,3 und 5 aufgebrachte Galvano-Aluminium-Schicht ist jeweils mit 7 bezeichnet* . - "
30
FIG 2 zeigt einen Systemträger. Bei diesen dienen die Anschlüsse 11, 12 und 13, die teilweise mit Galvano-Alumihiüm 14 beschichtet sind einerseits zur Fixierung des Halbleiterbauelements 15 und andererseits zu dessen elektrischer Kontaktierung.
• * 1 I »I 1 ItIlItI 'I { ' 'j i*
- 4 ~ VPA 81 P 7 6 2 6 DE
ßie Neuerung . Wird Weiterhin düircii die fölcferiden Äüs^ fühälrigsbeispiele näher eifläuteiit4
Eieläpiel 11,
Bei einer sogenannten TO-Bödenplatte init 3 Ansdhlüßdrähteh/ Wie sie für die Herstellung von Transistoren verwendet werden/ wenden die Stirnseiten der Drahtenden - die züif Ülträschall-'Schweißung dienen - mit ca* 5 μπι Galvano-Äiuminiurt beschichtet.
Hierzu wird der TO-Boden mit seinen Anschlußdrähten so iii öine Metalischiene eingeklemmt j daß die Drahtenden für die Ultraschall-Schweißung ffeibleiben. Danach
werden die zu aluminierenden Kontaktflächen - wie in der Galvanik üblich - in verdünnter Säure schwach gebeizt und-kathodisch entfettet. Nach dem Spülen in
Wasser wird das Teil durch Tauchen in einer Freonentwässerungsanlage entwässert bzw. getrocknet und anschließend in eine Aluminieräppafätür gemäß DE-PS 25 37 gegeben.
Die darauffolgende galvanische Aluminierung ist durch folgende Kenngrößen charakterisiert:
AL-Elektrolyt Elektrolyttemperatur
Na[Al2(C2 ca. 90 0C
3 mol Toluol
Kathoden-Anoden-Abstand ca. 10 cm; Kathodenbewegung
Abscheidungsfrequenz -. Taktzeit mittlere Stromdichte Abscheidungszeit Aussehen der Kristalle
15 cm/sec. ca. 10 Hz ■4 : 1
ca. 2,5 Ä/dm2 ca. 10 min pyramidenförmig
i < n > )!)>!]) Si1Si*
-S- VPA 8i P75Z6DE
Die itiit Aluminium besähichteten Stirnseiten der Di?äht~ erideii läösen äich gut bönd<3:fch«
Beigpi el 2..1
Bei einem Öystem-brägerbäildi bestehend aus Mesaing^ Neüsilbor öder einer Eisenküpfer-Legierüng, wie es zürn Bonden für integrierte Schaltkreise verwendet wird/ sind die Chipaüfiagefiächeri und die Anschlüßfähneri mit ca* 2 Jim Galvano^Alüminiüm zu beschichten* Hierbei wird für die galvanische Aluminierüng eine Banddurchlauf!zelle verwendet, wie sie in Patentanmeldung Aktenzeichen P 30 23 827.8 (VPA 80 P 7092) beschrieben ist.
Nach einer in der Galvanik üblichen Vorbehandlung - Beizen, kathodisches Entfetten - wurde das Band im Geradeausdurchzug zunächst in einer Art Schleusenkammer entwässert und dann aluminiert*
Die charakteristischen kenngrößen sind:
Al-Elektrolyt Elektrolyttemperatur Kathoden-Anoden-Abstand Bandgeschwindigkeit Elektrolytges chwindigke it mittlere Stromdichte Expositionszeit Aussehen der Al-Schicht
(C2H5)61F · 7 moi Toluol
ca. 90 0C 2 cm
2 m/min, ca. 0,5 m/sec. ca. 5 A/dm2 2 min.
'hellglänzende (?) pyramidenförmige Kristalle
Schützänsprüch --·. 2 Figuren
81 P 7 5 2 6 DE
Zusairjtienfassung Systemträger
Die Erfindung betrifft Systemträger, insbesondere für Halbleiter, deren Oberflächen mit einem Galvano-Aluminium, dessen Aluminiumkristalle senkrecht zur Oberfläche des Trägers ausgerichtet sind, beschichtet sind. Die Oberflächenrauhigkeit liegt zwischen 2 und 5 μπι bei ca. 5 μπι Schichtdicke. Zur Abscheidung wird vorzugsweise ein aluminiumorganiscber Elektrolyt der Formel Na[Al9(C9H5)fi]F · 3 bis 7 Mol Toluol verwendet und abgeschieden wird bei einer Stromdichte von 2,5 bis 5 A/dm2 und 80 bis 95 0C Badtemperatur. Die Systemträger finden vorzugsweise als Kontaktier- und Fixierelemente in der Halbleitertechnik Verwendung.
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Claims (1)

  1. MP ··· ·
    ι ι
    - 6 - VPA 81 P 7526 DE
    Schutzanspruch
    Systemträger, insbesondere für Halbleiter beschichtet mit Galvano-Aluminium, dadurch gekennzeichnet , daß in der Galvano-Älurninium-Beschich tung die Aluminiumkristalle senkrecht zur Oberfläche des Trägers ausgerichtet sind und bei einer Schichtdicke von ca. 5 1m eine Oberflächenrauhigkeit zwischen 2 und 5 μπι aufweisen.
    Td 2 Gr / 07.12,83
DE8109323U 1981-03-30 Systemträger Expired DE8109323U1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3112507 1981-03-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE8109323U1 true DE8109323U1 (de) 1984-03-08

Family

ID=1328168

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8109323U Expired DE8109323U1 (de) 1981-03-30 Systemträger

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DE (1) DE8109323U1 (de)

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