DE7703675U1 - Vorrichtung zum schutz einer halbleiter- messmembran vor ueberlastung - Google Patents
Vorrichtung zum schutz einer halbleiter- messmembran vor ueberlastungInfo
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und München | |||||||
SIEMENS | Unser· | Zeichen: | |||||
Berlin * |
VPA 77 | 6 3504 | |||||
Vorrichtung zum Schutz einer Halbleiter-Meßmembran vor Überlastung
Die Neuerung bezieht sich auf eine Vorrichtung sum Überlastungs
schutz einer mit einem ringförmigen verdickten Rand und einem
zylindrischen Mittelteil von gleicher Höhe wie der Rand versehenen
Halbleiter-Meßmembran für Druckaufnehtner.
Ein Druckaufnehmer mit einer Meßmembran dieser Art ist bereits
bekannt (DT-OS 25 49 001). in der eigentlichen Membran sind dort
Dehnungsmeßstreifen angeordnet, die die proportionale Auslenkung der Meßmembran in bekannter Weise in ein elektrisches Signal umsetzen.
Bei Differenzdruck-Meßaufnehaiera» die mit. hohen statischen Drükken
beaufschlagt werden, kann es bei Wegfall einer, der Meßdrücke, beispielsweise durch Leitungsbruch, zu einer Überlastung in der
Größenordnung von 102 des maximalen Wirkdruckes kommen. Um das
Meßsystem in solchen Fällen vor Überlastung zu schützen, müssen Maßnahmen getroffen werden, die Membran in geeigneter Weise abzustützen.
Eine Lösung dieser Aufgabe bei einer Membran der eingangs genannten
Art ist dadurch gekennzeichnet, daß die Membran zwischen zwei Halbleiterscheiben befestigt ist, dia auf ihren, gegen die Membran
gerichteten Stirnflächen mit Vertiefungen vergehen sind, deren Durchmesser etwa dem Membrandurchmesser und deren Tiefe etwa
dem doppelten maximalen Meßhub entspricht.
Sp 4 Sei, 4. 2. 1977
7703675 3Q.QJ.7l
C * t ·
\ V .: . S .' 77 G 35 0 4 BRD
Die Halbleiterscheiben sind vorzugsweise aus dem gleichen Ma
terial wie die Meßmembran, ζ. B. aus monokristallinem Silizium,
in relativ einfacher Weise herzustellen und mit der Membran zu einer kompakten Einheit zu verbinden.
Zur Erläuterung der Neuerung dient ein in der Figur im Schnitt dargestelltes Ausführungsbeispiel.
Die Meßmembran 1 aus monokristallinem Silizium ist ein um die Achse A-A rotaticnssymmet-rischer Körper mit Membranteil 2 geringer
Dicke, in denen dehnungsempfindliche Widerstände 4 in bekannter Weise angeordnet sind und einem ringförmigen verdickten
Rand 3, der nach einer Seite hochgezogen ist. Der Mittelteil 5 der Meßmembran 1 ist als zylindrische Verdickung von gleicher
Höhe wie der Rand 3 ausgeführt. Es entsteht so ein auf einer Seite planes, auf der anderen Seite mit einer ringförmigen Vertiefung
versehenes Element.
Die Meßmembran 1 ist zwischen zwei Halbleiterscheiben 6 und 61 befestigt,
die etwa den gleichen Außendurchmesser wie die Meßmembran 1 aufweisen und die auf den gegen die Membran 1 gerichteten
Stirnflächen mit Vertiefungen 7, 71 versehen sind, deren Durchmesser
etwa dem Durchmesser der Meßmembran 1 innerhalb des Randes und deren Tiefe etwa dem doppelten maximalen Meßhub der Meßmem—
bran 1 entspricht. Die Halbleiterscheiben 6 und 61, die bevorzugt
aus dem gleichen Material wie die Meßmembran bestehen, sind beispielsweise durch Klebung oder durch Legierung mit der Meßmembran
1 verbunden.
Bei Auftreten eines Druckes der größer als der doppelte maximale
Meßdruck ist, legt sich entweder die Stirnfläche des zylindrischen Mittelteils 5 an die Bodenfläche der Vertiefung 7 oder der
mittlere Teil der planen. Fläche der Meßmembran 1 gegen die Bodenfläche
der Vertiefung 71 an, wodurch eine -weitere Überlastung und
überaehnung der Membran vermieden -wird.
1 Schutzanspruch
1 Figur
Claims (1)
- «*»s«»sa3 J : Ή 6 35 04SchutzanspruchVorrichtung zum Schutz einer einen ringförmigen verdickten Rand und einem zylindrischen Mittelteil von gleicher Höhe wie der
radiale Rand versehenen Halbleiter-Meßmembran in Ituckaufnehmer vor Überlastung, dadurch gekennzeichnet, daß die Meßmembran (1) zwischen zwei Halbleiterscheiben (6, 61) befestigt ist, die auf ihren gegen die Heßmembran (1) gerichteten Stirnflächen mit Ver tiefungen (7, 71) versehen sind, deren Durchmesser etwa dem Dur messer der Meßmembran (1) und deren Tiefe etwa dem doppelten
maximalen Heßhub entspricht·
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE7703675U DE7703675U1 (de) | 1977-02-08 | 1977-02-08 | Vorrichtung zum schutz einer halbleiter- messmembran vor ueberlastung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE7703675U DE7703675U1 (de) | 1977-02-08 | 1977-02-08 | Vorrichtung zum schutz einer halbleiter- messmembran vor ueberlastung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE7703675U1 true DE7703675U1 (de) | 1977-06-30 |
Family
ID=6675247
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE7703675U Expired DE7703675U1 (de) | 1977-02-08 | 1977-02-08 | Vorrichtung zum schutz einer halbleiter- messmembran vor ueberlastung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE7703675U1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0167941A2 (de) * | 1984-07-09 | 1986-01-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Differenzdruck-Messzelle |
EP0400165A1 (de) * | 1989-05-30 | 1990-12-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Drucksensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
-
1977
- 1977-02-08 DE DE7703675U patent/DE7703675U1/de not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0167941A2 (de) * | 1984-07-09 | 1986-01-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Differenzdruck-Messzelle |
EP0167941A3 (de) * | 1984-07-09 | 1988-10-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Differenzdruck-Messzelle |
EP0400165A1 (de) * | 1989-05-30 | 1990-12-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Drucksensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
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