DE749395C - Modulation arrangement - Google Patents

Modulation arrangement

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DE749395C
DE749395C DEI59900D DEI0059900D DE749395C DE 749395 C DE749395 C DE 749395C DE I59900 D DEI59900 D DE I59900D DE I0059900 D DEI0059900 D DE I0059900D DE 749395 C DE749395 C DE 749395C
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C1/00Amplitude modulation
    • H03C1/16Amplitude modulation by means of discharge device having at least three electrodes
    • H03C1/18Amplitude modulation by means of discharge device having at least three electrodes carrier applied to control grid
    • H03C1/20Amplitude modulation by means of discharge device having at least three electrodes carrier applied to control grid modulating signal applied to anode

Description

Modulationsanordnung Bei drahtlosen Sendern, bei denen Anodenmodulation in der letzten oder einer anderen Hochleistungshochfrequenzverstärkerstufe erfolgt, muß die vorhergehende Verstärkerstufe der Moduiationsstufe eine Spannung liefern, die ausreicht, den modulierten Verstärker entsprechend. den Spitzen der vollen Modulation voll zu erregen. Die Spannung, welche für die Spitzen der vollen Modulation erforderlich ist, ist beträchtlich größer als diejenige, die zur Erregung der Modulationsstufe in Perioden, bei denen keine Modulation oder nur geringe Modulation erfolgt, notwendig ist.Modulation arrangement For wireless transmitters that use anode modulation takes place in the last or another high-performance high-frequency amplifier stage, the preceding amplifier stage of the modulation stage must supply a voltage, which is sufficient to match the modulated amplifier. the peaks of full modulation fully aroused. The voltage required for the peaks of full modulation is is considerably larger than that used to excite the modulation stage in periods when there is no modulation or only slight modulation is.

Es war bisher üblich, die hohe Spannung zur Erfüllung der Bedingungen der vollen Modulation kontinuierlich zuzuführen, auch wenn keine Modulationsspannung vorhanden war. Infolgedessen trat eine Leistungsverschwendung auf, und die Anordnung ergab einen hohen Gitterstromverbrauch in der modulierten Verstärkerstufe.Up until now it was common for the high voltage to meet the conditions to supply full modulation continuously, even if there is no modulation voltage was present. As a result, there was a waste of power and the arrangement resulted in a high grid power consumption in the modulated amplifier stage.

Gemäß der vorliegenden Erfindung erhält die der anodenmodulierten Hochleistungsstufe zugeführte Erregungsspannung für jeden Wert der Modulationsspannung die kleinstmögliche Größe, die mit dem Arbeiten ,der Verstärkerstufe als linearer Modulator vereinbar ist. Die Ausgangsspannung der vorhergehenden Verstärkerstufe wird auf den Wert herabgesetzt, der notwendig ist, um die Modulationsstufe für den unmodulierten Zustand zu erregen, und die besondere Treiberspannung, die für die Modulationsspitzen erforderlich ist, wird durch gleichzeitige Modulation der Treiberstufe mit der Endstufe erreicht.According to the present invention, the anode-modulated Excitation voltage supplied to the high power stage for each value of the modulation voltage the smallest possible size that works with, the amplifier stage as a linear Modulator is compatible. The output voltage of the previous amplifier stage is reduced to the value necessary to set the modulation level for the to excite the unmodulated state, and the special drive voltage required for the Modulation peaks is required by simultaneous modulation of the driver stage reached with the output stage.

Doppelmodulation an Anode und Gitter ist an sich bekannt. Bei den bekannten Anordnungen handelte es sich aber um eine Gittermodulation, bei der dementsprechende Verzerrungen durch den Gitterstrom vermieden werden müssen. Die Gitterspannung durfte also nicht positiv werden, und es war keine so hohe Ausgangsleistung erzielbar. Erfindungsgemäß aber handelt es sich um eine Anodenmodulation, bei der die Gitterspannung aber nicht, wie sonst bei der Anodenmodulation üblich, nur eine unmodulierte hochfrequente Treiberspannung ist, sondern sie wird jeweils so weit gesteuert, claß die Röhre jederzeit im Sättigungszustand arbeitet. Dadurch können hohe Ausgangsleistungen erzielt werden, ohne daß eine Verzerrung wegen des Gitterstromes zu befürchten ist und ohne daß das Gitter dauernd so hoch belastet ist. daß es heiß wird.Double modulation at the anode and grid is known per se. Both known arrangements, however, it was a grid modulation, in the case of the corresponding Distortions from the grid current must be avoided. The grid tension was allowed so it did not become positive, and it was not possible to achieve such a high output power. According to the invention, however, it is an anode modulation in which the grid voltage but not, as is usual with anode modulation, only an unmodulated high-frequency Is driving voltage, but it is controlled so far that the tube always in a state of saturation is working. This enables high output powers can be achieved without fear of distortion due to the grid current and without the grid constantly being so heavily loaded. that it will be hot.

Die Erfindung soll an Hand des in der Abbildung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert werden.The invention is based on the embodiment shown in the figure are explained in more detail.

Die Abbildung zeigt das Schaltsch(-wa eines Senders, bei dein Anodenmodulation in der letzten Stufe erfolgt. Es sind lediglich die Teile und Verbindungen dargestellt, die zum Verständnis der Erfindung erforderlich sind.The illustration shows the switch (-wa of a transmitter, with anode modulation takes place in the last stage. Only the parts and connections are shown necessary to understand the invention.

Der Sender enthält die hintereinandergesch alteten Hochfrequenzverstärkerstufen T'". T-4 und I'5 mit einem Eingangskreis HF, der von einem nichtgezeichneten Trägerwellengenerator gespeist wird, und einem Ausgangskreis. welcher ein Antennensystem A, E speist. D. r Sender enthält ferner \ iederfrequenzverstärkerstufen TT, und T,@, die Tiber einen Eingangskreis:YF an einer Signalspannungsquelle liegen. Die zweite \'iederfrequenzstufe T'2 stellt einen -'%-Iodtilator dar und liefert ilirc Ausgangsspannung in zwei Teilen über die Sekundärwicklung S, und .S,, eines Transformators. Die Wicklung S, ist einerseits mit der 1lochspannungsquelle HS und andererseits über eine Hochfrequenzdrossel D, mit der Anode der Endstufe des Hochfrequenzverstärkers verbunden, so daß in der üblichen Meise in dieser Stufe Anodeninadulation erfolgt. Die Wicklung S. ist einerseits gleichfalls mit der Hochspannungsquelle H,1 verbunden, ihre andere Seite liegt jedoch Tiber die Drossel D. an der Anode der vorletzten Stufe T-4, so daß auch in dieser Stufe Anodenmodulation erfolgt.The transmitter contains the series-connected high-frequency amplifier stages T '". T-4 and I'5 with an input circuit HF which is fed by a carrier wave generator (not shown) and an output circuit which feeds an antenna system A, E. D. The transmitter also contains \ Low-frequency amplifier stages TT, and T, @, which are connected to a signal voltage source via an input circuit: YF. The second low-frequency stage T'2 represents an iodine fan and supplies the circ output voltage in two parts via the secondary winding S and S. The winding S is connected on the one hand to the 1-hole voltage source HS and on the other hand via a high-frequency choke D to the anode of the output stage of the high-frequency amplifier, so that anode inadulation occurs in this stage in the usual way connected to the high-voltage source H, 1, but its other side lies across the choke D. at the anode of the penultimate St. ufe T-4, so that anode modulation also takes place in this stage.

Die Ausgangsspannung der Stufe T%,, wird so moduliert, daß die von dieser Stufe dein Gitter der Endröhre zugeführte Treiberspannung bei den 1lodulationsspitzen gerade ausreicht, um die Endröhre bei maximaler Anodenspannung, d.li. der Summe aus der konstanten Spannung von der Quelle HS und der höchsten -NIodulationsspannung, zur Sättigung zu erregen. Für niedrigere Werte der 1rlodulationsspannting sinkt die Treiber-Spannung der Ausgangsstufe automatisch ab. Sie ist jedoch in jedem Augenblick ausreichend, um die Röhre für den in diesem Moment vorhandenen Wert der Anodenspannung zur Sättigung zu erregen.The output voltage of the stage T% ,, is modulated so that that of At this stage your grid of the output tube is fed to the drive voltage at the modulation peaks just enough to power the end tube at maximum anode voltage, i.e. the sum from the constant voltage from the source HS and the highest -NIodulation voltage, to excite saturation. The modulation voltage decreases for lower values the driver voltage of the output stage automatically. However, it is in every moment sufficient to power the tube for the value of the anode voltage present at that moment to excite saturation.

In dieser Anordnung ist also die .\us- 'i gangsstufe T'@ jederzeit für die gerade vor- j handene Anodenspannung zur Sättigung er- regt, und sie verhält sich infolgedessen ähn- lich wie ein gewähnl.ich modulierter Ver- stärker. cla ihre Ausgangsspannung linear gegenüber (lein Verhältnis der NTiederfre- duenzspannung des Marlulators zur konstan- ten Spannung von der Quelle HS moduliert wird. Die mittlere Gittererregung und daher auch der mittlere Leistungsverlust im Gitter- kreis ist trotzdem viel geringer, als wenn die vorletzt, Stufe T'., nicht moduliert wäre, son- dern auf eine konstante Ausgangsleistung eingeregelt wäre, die ausreicht, tun die Aus- gangsstufe k(,ntinuierlich für Maximalmodu- lation zur Sättigung zu erregen. unabhängig davon, ob gerade maximale Modulation er- fi-irderlich ist oder nicht. Die Mo@dtilation in der vorletzten Stufe trägt dazu bei, der 11odulationsstufe eine Trägerwelle zuzuführen, die für jede .lmpli- tude dir @l<@#iulationss;@annunr einen \Vert besitzt, welcher als der kleinstmögliche für richtiges Arbeiten der letzten als linearer Verstärker ausreicht. In- folgedessen i.t der .\Ioduiatiorisgra-d im Aus- immer der gleiche, als ob eine un- modulierte Trägerwelle sehr hoher Amplitude dein Gitter der _@tisgangsstufe zugeführt würde. In this arrangement, the. \ Us- 'i gear stage T' @ is always for the just before j existing anode voltage for saturation stimulates, and as a result it behaves in a similar like a usually modulated stronger. cla their output voltage is linear compared to (l ratio of low fre- the double tension of the Marlulator for constant th voltage from the source HS modulated will. The mean lattice excitation and therefore also the mean power loss in the grid circle is still much smaller than when the penultimate, level T '., would not be modulated, but change to a constant output power would be regulated that is sufficient, do the gear stage k (, ncontinuous for maximum modulus lation to excite saturation. independent whether maximum modulation is being fi-irrelevant or not. The mo @ dtilation in the penultimate stage contributes to the modulation level To feed carrier wave, which for each .lmpli- do dir @l <@ # iulationss; @annunr a \ Vert owns which as the smallest possible for correct working the last as a linear amplifier is sufficient. In- consequently it is the. \ Ioduiatiorisgra-d in the always the same as if an un- modulated carrier wave of very high amplitude your grid of the _ @ tisgangsstufe supplied would.

Claims (1)

PATENTANSPRÜCHE: i. 1lodulationsanordnung für drahtlose Sender mit .-@nnrIennioclnlatiOp in einer "1'rägerfr,@lttenzsttife, dadurch gekenn- zeichnet, daß die dem Gitter dieser Stufe zugeführte Trägerfre(luenzspannung g.@stetiert wirrt, daß sie ausreicht. um die Riihrl# für jeden Augenblicks«-ert der =Xnodensl)annting zur Sättigung zu er- regen. Modulationsanordnung nach :Xn- spruch i. dadurch gekennzeichnet, dali der llodulatinnsfreduenzverstärkur. zwei par- allel geschaltete .\usgangskrei:e besitzt, die mit den Anoden einer Trägerfrequenz- verstärlcerstufe und der vorhergehenden Stufe verbunden sind.
Zur Abgrenzung des .onineldungsgegen- standes vorn Stand der Technik sind ini 1#.r- teilungsverfahren folgende Druckschriften in Betracht gezogen worden: deutsche Patentschrift ..... .N r. 381 j t t ; 1-I. Barkhau:en. Lehrbuch der Elektro- nenröhren, .Band "Verstärker«, i().33. S. i;o bis i;d. Zeile S.
PATENT CLAIMS: i. 1 modulation arrangement for wireless Sender with .- @ nnrIennioclnlatiOp in one "1'rägerfr, @ lttenzsttife, thus identified draws that the the lattice of this stage supplied carrier frequency (luence voltage g. @ constantly confuses that it is sufficient. to the Riihrl # for every moment «-ert der = Xnodensl) annting to saturation rain. Modulation arrangement according to: Xn- saying i. characterized by the dali llodulation reduction enhancement. two par- allelically switched. \ output circuit: e possesses, with the anodes of a carrier frequency amplifier stage and the previous one Stage are connected.
To delimit the .onin message counter- state of the art are ini 1 # .r- the following publications in Considered: German patent specification ..... .N r. 381 jtt; 1-I. Barkhau: en. Textbook of electrical nenröhren, .band "amplifier", i (). 33. S. i; o to i; d. Line S.
DEI59900D 1936-12-15 1937-12-11 Modulation arrangement Expired DE749395C (en)

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GB749395X 1936-12-15

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE381511C (en) * 1921-07-31 1923-09-21 Bell Telephone Mfg Company Sa Circuit arrangement for modulating high-frequency oscillations

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE381511C (en) * 1921-07-31 1923-09-21 Bell Telephone Mfg Company Sa Circuit arrangement for modulating high-frequency oscillations

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