DE7246607U

DE7246607U - Scannable and light emitting diode array

Info

Publication number: DE7246607U
Application number: DE7246607U
Authority: DE
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1971-12-20
Publication date: 1973-04-19

Description

Abtastbares und lichtemittierendes DiodenfeldScannable and light emitting diode array

Die, Erfindung betrifft ein abtastbares und lichtemittierendes Diodenfeld mit in Matrixform angeordneten Dioden in einem integralen Aufbau für eine alphanumerische bzw. graphische Anzeige, wobei die Dioden in einer Vielzahl von Reihen und Spalten- angeordnet sind.The invention relates to a scannable and light-emitting diode array with diodes arranged in a matrix form an integral structure for an alphanumeric or graphic display, the diodes in a plurality of Rows and columns are arranged.

Bei visuellen Anzeigen, z.B. für alphanumerische Anzeigen, gibt es mehrere Möglichkeiten der Feldgestaltung unter Verwendung lichtemittierender Einrichtungen, wie z.B. hell leuchtende Lampen, Gasentladungslampen, elektroluminiszierende Felder und lichtemittierende Diodenfelder.For visual displays, e.g. for alphanumeric displays, there are several options for field design under Use of light-emitting devices, such as brightly shining lamps, gas discharge lamps, electroluminescent fields and light-emitting diode fields.

Fs/ba Derartige Fs / ba such

MO47P/G-91O/11 ^MO47P / G-91O / 11 ^

Derartige Felder können in vielfacher Weise Verwendung finden, wie z.B. für Computeranzeigen, Prozessüberwachungs-Such fields can be used in many ways such as for computer displays, process monitoring

instrumente an Armaturenbrettern von Flugzeugen und 'instruments on dashboards of aircraft and '

Kraftfahrzeugen und auch für Uhren und Messgeräte. Da die J meisten, jedoch nicht alle diese Anwendungsfälle auf Halbleiterelektronik beruhen,, ist es wünschenswert, dass das Anzeigefeld mit Spannungen und Strömen verträglich ist, j welche normalerweise in Halbleiterschaltkreisen auftreten,Motor vehicles and also for clocks and measuring devices. Since the J most, but not all of these applications are based on semiconductor electronics ,, it is desirable that the display panel with voltages and currents compatible, which normally j in semiconductor circuits occur,

und dass die Änzeigefelder auch mit den höhen Arbeitsge= schwindigkeiten derartiger Schaltungen verträglich sind. Eine Hauptschwierigkeit bei den gegenwärtig am meisten verwendeten sichtbaren Anzeigefeldern besteht darin, dass '. diese aus Gasentladungslampen aufgebauten Felder mitand that the display fields are also compatible with the high working speeds of such circuits. A major difficulty with the most widely used visual display panels today is that '. these fields made up of gas discharge lamps with

Glühkathoden eine sehr hohe Spannung benötigen, um die Glühentladung auszulösen. Derartige Anzeigen benötigen , Grensschichthalbleiter mit sehr hohen charakteristischenHot cathodes require a very high voltage to trigger the glow discharge. Need such ads , Boundary layer semiconductors with very high characteristic

! Sperrspannungen. Lichtemittierende Diodenfelder sind daher! Reverse voltages. Light emitting diode arrays are therefore

*¹ ' für eine sichtbare Anzeige sehr wünschenswert, da sie mit der Elektronik der Halbleiterschaltkreise völlig verträglich sind.* ¹ 'very desirable for a visible display as they are completely compatible with the electronics of the semiconductor circuits.

Es wurden schon Versuche angestellt, um alphanumerische Anzeigen aus lichtemittierenden Dioden in diskreten Feldern, Hybridfeldern oder individuell adressierbaren Diodenfeldern vorzusehen. Bei derartigen Feldern wurden jedoch lichtemittierende Dioden bisher kaum in grösseremAttempts have already been made to convert light-emitting diodes into discrete alphanumeric displays Fields, hybrid fields or individually addressable diode fields to be provided. Such fields were however, light-emitting diodes have so far hardly been larger

it' >-^v * "it '> - ^v * "

Umfang verwendet, da sie sehr teuer und unzuverlässig, sowie schlecht mit herkömmlichen Standardsystemen verträglich sind.Scope used because they are very expensive and unreliable, as well as poorly compatible with conventional standard systems.

|j Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde einThe invention is therefore based on the object

lichtemittierendes abtastbares Diodenfeld zu schaffen, mit dem eine alphanumerische Anzeige und auch graphische Anzeigen möglich sind. Dabei soll das Diodenfeld alsTo create a light-emitting, scannable diode array with which an alphanumeric display and also a graphic one Ads are possible. The diode field should be used as a

- 2 - integrale - 2 - integral

MO47P|G-91O/H " -f MO47P | G-91O / H " -f

integrale Struktur verhältnismässig wirtschaftlich herzustellen nnd mit herkömmlichen Standardsystemen verträglich sein. D,⁴;ese Aufgabe wird erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass die Matrix der Dioden, die mit einer ersten Elektrode einer Adressenleitung für eine Reihe und mit einer zweiten Elektrode einer Adressenleitung für eine Spalte zugeordnet sind, mit einer Platte eines dielektrischen Materials verbunden sind.integral structure can be produced relatively economically and compatible with conventional standard systems. D, ⁴ ; it object is achieved according to the invention in that the matrix of diodes, which are associated with a first electrode of an address line for a row and with a second electrode of an address line for a column, are connected to a plate of dielectric material.

Nach einer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Platte des dielektrischen Materials transparent und am Gehäuse für die Matrix der lichtemittierenden Dioden befestigt ist.According to one embodiment of the invention it is provided that the plate of the dielectric material is transparent and attached to the housing for the matrix of light emitting diodes.

Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, dass die Adressenleitungen für die Reihe zwischen den lichtemittierenden Dioden und der dielektrischen Platte angeordnet sind» und dass die Adressenleitungen für die Spalten auf dem Bereich der Dioden angebracht sind, der der dielektrischen Platte gegenüber liegt.Another embodiment of the invention is that the address lines for the row between the light emitting diodes and the dielectric plate are arranged »and that the address lines for the Columns are provided on the area of the diodes which is opposite to the dielectric plate.

Für den Aufbau des Diodenfeldes ist ferner .vorgesehen, dass die zwischen der dielektrischen Platte und den Dioden angeordneten Adressenleitungen für die Reihe mit öffnungen versehen sind, durch welche das von dem PN-Obergang erzeugte Licht durch die Adressenleitung für die Reihe hindurchtreten kann.For the construction of the diode field is also provided, that the address lines arranged between the dielectric plate and the diodes for the row are provided with openings through which the light generated by the PN junction passes through the address line can step through for the row.

- 3 - - · Die- 3 - - · The

Die Merkmale und Vorteile der Erfih'd'ühg ergeben s'icK^!*auch aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispieles in Vorbindung mit den sowohl einzeln als auch in jeder beliebigen Kombination die Erfindung kennzeichnenden Ansprüchen und der Zeichnung. Es zeigen:The features and advantages of the Erfih'd'ühg result in s'icK ^! * also from the following description of an exemplary embodiment in preliminary connection with the claims characterizing the invention both individually and in any combination and the drawing. Show it:

Fig. 1 eine schematischo Draufsicht auf ein integriertes lichtemittierendes Diodenfeld gomUss der Erfindung;Fig. 1 is a schematic plan view of an integrated light emitting diode array gomUss of the invention;

Fig. 2 und 3 Schnitte entlang den Linien 2-2 und 3-3 gemässFIGS. 2 and 3 show sections along the lines 2-2 and 3-3

Fig. 4 bis 9 Schnitte in schematischer Ansicht durch denFig. 4 to 9 sections in a schematic view through the

Halbleiteraufbau des Diodenfeldes während einzelner Verfahrensschritte bei der Herstellung.Semiconductor structure of the diode array during individual process steps in production.

Obwohl das vorstehende Ausführungsbeispiel anhand eines monolithischen lichtemittierenden Diodenfeldes aus Galliumarsenidphosphid beschrieben wird, ist es selbstverständlich, dass auch für optimale Lichtemission Galliumarsenid oder Galliumphosphid verwendet werden kann. Das transparente Substrat für das Diodenfeld kann aus einem geeigneten Material mit ausreichender Transparenz für die Wellenlänge des zu emittierenden Lichtes bestehen.Although the above exemplary embodiment is based on a monolithic light-emitting diode array made of gallium arsenide phosphide is described, it goes without saying that gallium arsenide or even for optimal light emission Gallium phosphide can be used. The transparent substrate for the diode array can be made of a suitable material with sufficient transparency for the wavelength of the light to be emitted.

Da einer der abhängigen Werte für die Strombegrenzung einer lichtemittierenden Diode und damit der Intensität des abgegebenen Lichtes der Wärme- bzw. Leistungsverbrauch des Substrats ist, mit welchem die Diode verbunden ist, ist es j vorzugsweise zweckmässig, ein glasiges Material mit hoherSince one of the dependent values for the current limitation of a light-emitting diode and thus the intensity of the emitted Light is the heat or power consumption of the substrate to which the diode is connected, it is j preferably expedient, a glassy material with high

thermischer Leitfähigkeit zu verwenden.thermal conductivity to use.

Gemäss Fig. 1 umfasst das lichtemittierende Diodenfeld eine Vielzahl von lichtemittierenden Dioden 18, die integral auf einem Träger 19 als orthogonale Matrix aus Reihen undAccording to FIG. 1, the light-emitting diode array comprises a plurality of light-emitting diodes 18, which are integrally on a carrier 19 as an orthogonal matrix of rows and

- 4 - Spalten - 4 - columns

MO47?yG-91O/llMO47? YG-91O / ll

Spalten aufgebaut sind. Die dargestellte Matrix umfasstColumns are built up. The matrix shown includes

fünf lichtemittierende Dioden in jeder Reihe und sechs \ five light emitting diodes in each row and six \

lichtemittierende Dioden in jeder Spalte, sodass insgesamt Ilight emitting diodes in each column, so that a total of I

fünfunddreissig lichtemittierende Dioden 21 im Feld vorge- \ thirty-five light-emitting diodes 21 superiors in the \

sehen sind. Die Kontaktanschlüsse Bl bis B7 stehen in · Verbindung mit den Anoden der lichtemittierenden Dioden
jeder Reihe, wogegen die Kontaktanschlüsse Cl bis C5 an
die Kathoden der lichtemittierenden Dioden jeder Spalte
angeschlossen sind. Somit kann durch ein geeignetesare seen. The contact connections B1 to B7 are connected to the anodes of the light-emitting diodes
each row, whereas the contact connections Cl to C5
the cathodes of the light emitting diodes of each column
are connected. Thus, by a suitable

Abtasten oder Ausblenden jede lichtemittierende Diode '_K Sampling or blanking each light emitting diode ' _K

indi.vidaell adressiert werden, us eins Anzeige in Form |be addressed indi.vidaell, us one display in the form |

einer alphanumerischen Wiedergabe oder einer grapnischen ?an alphanumeric representation or a graphical one?

Darstellung zu bewirken. In der Darstellung ist die fEffect representation. In the illustration, the f

Anzeige der Ziffer 4 durch die lichtemittierenden Dioden L The number 4 is displayed by the light-emitting diode L.

mit Hilfe einer doppelten Kreislinie angedeutet. Jede ι indicated with the help of a double circular line. Every ι

Spalte wird durch einen bestimmten Taktimpuls der logischen I Column is determined by a certain clock pulse of the logical I.

Schaltung adressiert, sodass die für die Anzeige vorgesehenen % Circuit addressed so that the % intended for the display

lichtemittierenden Dioden durch Adressierung der entsprechenden |light emitting diodes by addressing the corresponding |

Anoden der zugeordneten Reihen zum Leuchten gebracht werden. \ Anodes of the assigned rows are made to glow. \

Die Oberschneidung der Stromwege mit den Kontaktanschlüssen \ Cl bis C5 und den Kontaktanschlüssen Bl bis B7 w3,rd anschliessend näher erläutert.The overlap of the current paths with the contact connections \ Cl to C5 and the contact connections B1 to B7 w3, explained in more detail below.

Der integral mit dem Diodenfeld verbundene Träger umfasst
eine transparente Frontplatte 20, auf dessen Rückseite
die Kathoden der lichteraittierenden Dioden 21 bis 25 der
Spalten mit Hilfe einer transparenten Klebeschicht 26 befestigt sind. Die Anoden 27 der einzelnen Dioden sind in
einem regulären Abstand über die Spalten-Dioden 21 bis 25
gemäss Fig. 2 verteilt. Die Anoden der den Kontaktanschlüssen
Bl bis B7 zugeordneten Dioden sind durch eine Metallisationsschicht 28 miteinander verbunden, welche quer zu den Spalten
zwischen den Spalten und der transparenten Frontplatte 20
verlaufen. Jede der Spalten 21 bis 25 ist an einen entsprechenden
Kontaktanschluss Cl bis C5 mittels einer Leitung 29 ange-The carrier integrally connected to the diode array comprises
a transparent front panel 20 on the rear side thereof
the cathodes of the light emitting diodes 21 to 25 of the
Columns are attached with the aid of a transparent adhesive layer 26. The anodes 27 of the individual diodes are in
a regular distance across the column diodes 21 to 25
distributed according to FIG. The anodes of the contact terminals
B1 to B7 associated diodes are connected to one another by a metallization layer 28 which extends across the columns
between the gaps and the transparent faceplate 20
get lost. Each of the columns 21 to 25 is connected to a corresponding one
Contact connection Cl to C5 connected by means of a line 29

- S - schlossen- S - closed

schlossen, wogegen die Metallisationsstreifen der einzelnen Reihen mit den Kontaktanschlüssen Bl bis B7 über Leitungen 30 verbunden sind. Das gesamte Diodenfeld 19 ist von einem geeigneten Gehäuse 31 umschlossen, das eine Vielzahl von Kontalctleitern 32 für die Spalten und Kontaktieitern 33 für die Reihen hat. Jeder der Metallisationsstreifen 28 der Reihen hat eine ringförmige Öffnung 34, die mit einer adhäsiven transparenten Klebeschicht 26 gefüllt ist, um das von dem Diodenübergang der lichtemittierenden Dioden erzeugte Licht durch die transparente Frontplatte 20 austreten zu lassen.closed, whereas the metallization strips of each Rows are connected to the contact connections B1 to B7 via lines 30. The entire diode array 19 is one Suitable housing 31 is enclosed, which contains a plurality of contact conductors 32 for the columns and contact conductors 33 for the ranks has. Each of the metallization strips 28 of the rows has an annular opening 34 which is formed with a adhesive transparent adhesive layer 26 is filled around that of the diode junction of the light emitting diodes to allow generated light to exit through the transparent faceplate 20.

Die einzelnen Verfahrensschritte bei der Herstellung des i The individual process steps in the production of the i

lichtemittierenden Diodenfeldes sind in Fig. 4 bis 9 schematisch angedeutet. Bei dem Herstellungsverfahren soll eine relativ gute elektrische Isolation zwischen den individuellen Dioden 18 erzielt werden, wenn diese in adressierbaren und abtastbaren Spalten und Reihen bei einer gebrauchsfertigen Kapselung angeordnet werden. Gemäss Fig- 4 ist ein Substrat 40 aus einem monokTistallinen Halbleitermaterial, vorzugsweise N-leitendem Galliumarsenidphosphid, mit in geeignetem Abstand angeordneten P-leitendenlight-emitting diode array are indicated schematically in FIGS. 4 to 9. In the manufacturing process a relatively good electrical isolation between the individual diodes 18 is to be achieved when these be arranged in addressable and scannable columns and rows in a ready-to-use encapsulation. According to Fig. 4 is a substrate 40 made of a mono-crystalline semiconductor material, preferably N-conductive gallium arsenide phosphide, with appropriately spaced P-conductors

^! Bereichen 41 versehen, wodurch eine Vielzahl von PN-Obergängen 42 entstehen, die die lichtemittierenden Dioden 18 bilden. Diese P-leitenden Bereiche werden durch ein geeignetes fotolithographisches Verfahren festgelegt, wobei die P-leitenden Bereiche vorzugsweise durch Diffusion hergestellt werden, obwohl auch ein geeignetes epitaxialei Verfahren genausogut verwendbar ist. *3ie gesamte Oberfläche des Substrats 40 mit den P-leitenden Bereichen 41 wird orthogonal aufgebaut und anschliessend mit einer geeignete' transparenten dielektrischen Schicht 43 überzogen. Mit Hilfe eines Fotomaskierverfahrens werden in die dielektrische Schicht 43 kreisförmige Öffnungen 44 eingeschnitten, und zwar ^! Areas 41 are provided, as a result of which a multiplicity of PN transitions 42 arise which form the light-emitting diodes 18. These P-type regions are defined by a suitable photolithographic process, the P-type regions preferably being produced by diffusion, although a suitable epitaxial process can equally well be used. The entire surface of the substrate 40 with the P-conductive regions 41 is constructed orthogonally and then coated with a suitable transparent dielectric layer 43. With the aid of a photo masking process, circular openings 44 are cut into the dielectric layer 43, specifically

- 6 - jeweils - 6 - each

jeweils über dem P-leitenden Bereich 41. Die gesamte Oberflache des derart aufgebauten Substrats wird mit einer Metallschicht 45 durch Aufdampfen überzogen. Durch Ätzen werden sodann die Reihenanschlüsse 28 aus der Metallschicht 45 ausgeformt, indem das Metall zwischen den Reihen entfernt wird. Vorzugsweise werden innerhalb der der Adressierung dienenden Metallisationsstreifen 28 der Reihen gleichzeitig mit dem Ätzvorgang kreisförmige öffnungen 46 vorgesehen, durch welche die lichtemission von dem PN-Obergang 42 der Diode 18 erfolgen kann.in each case above the P-conductive area 41. The entire surface the substrate constructed in this way is coated with a metal layer 45 by vapor deposition. Etching then makes the Row terminals 28 are formed from the metal layer 45 by removing the metal between the rows. Preferably are within the addressing-serving metallization strips 28 of the rows simultaneously with the etching process circular openings 46 are provided through which the light emission from the PN junction 42 of the diode 18 can take place.

Auf diese Weise entsteht ein ringförmiger Kontakt 47 zwischen dem jeweiligen Metallisationsstreifen 28 füT die Reihenadressierung und dem P-leitenden Bereich 41, wobei die kreisförmige öffnung 46 das Licht des PN-Ob^)rganges 42 der einzelnen Dioden durch die dielektrische Schicht 43 gemäss den Fig. 5 und 6 austreten lässt.In this way, an annular contact 47 arises between the respective metallization strips 28 for the row addressing and the P-conductive area 41, the circular opening 46 the light of the PN-Ob ^) rganges 42 of the individual diodes can emerge through the dielectric layer 43 according to FIGS. 5 and 6.

Nach der Herstellung der Metallisationsstreifen 28 für die Reihenadressierung wird die transparente Frontplatte 20 mit den metallischen Kontaktanschlüssen Bl bis B7 und , Cl bis C5 am äusseren Umfang mit der Oberfläche des Substrats mittels einer geeigneten transparenten Klebeschicht 26 verbunden. Die transparente Klebeschicht 26 dient auch dem Ausfüllen der öffnungen 46 in den Metallisationsstreifen 28 bzw. der. freien Räume zwischen den Reihenanschlüssen. Da die Matrix der Diode nicht in integraler Form oder einstückig mit der Frontplatte 20 verbunden ist, kann ein Teil des Substrats 40 auf der Rückseite entlang einer Linie L-L abgetragen werden, wenn dadurch der Spannungsabfall der Kat.hodenbereiche der Dioden erniedrigt werden soll. Auf jeden Fall werden jedoch durch ein geeignetes fotographisches Maskierverfahren Gräben 48 über das Substrat verlaufend bis zur dielektrischen Schicht 43 einge- After the production of the metallization strips 28 for the row addressing, the transparent front plate 20 with the metallic contact connections B1 to B7 and C1 to C5 on the outer circumference is connected to the surface of the substrate by means of a suitable transparent adhesive layer 26. The transparent adhesive layer 26 also serves to fill the openings 46 in the metallization strips 28 or in the. free spaces between the series connections. Since the matrix of the diode is not integrally or integrally connected to the front plate 20, part of the substrate 40 on the rear side can be removed along a line LL if the voltage drop in the cathode regions of the diodes is to be reduced as a result. In any case, however, a suitable photographic masking process is used to create trenches 48 running over the substrate as far as the dielectric layer 43.

- 7 - ätzt - 7 - etches

MO4|7P/G~91O/11MO4 | 7P / G ~ 91O / 11

ätzt, um dies Kathoden der Spalten 21 bis 25 durch das Substrat gemeinsam zu verbinden. Wenn die transparente Frontplatte 20 mit den aufraetallisierten Kontaktanschlüssen Bl bis B7 und Cl bis CS mit der Oberfläche des Substrats verbunden ist, werden die elektrischen Kontaktverbindungen zwischen den Metallisationsstreifen 28 und den Kontaktanschlüssen BI bis B7 hergestellt. Wenn es jedoch wünschenswert ist, können die Metallisationsstreifen 28 durch geeignete Ätzschritte freigelegt werden und für die Kontaktgabs Metalleiter 30 Verwendung finden, um den jeweiligen Metallisations3treifen mit dem zugehörigen Anschlusskimtakt zu verbinden. Nach dem Aufteilen des Substrats in eine Vielzahl von Spalten wird eine geeignete Metallisationsschicht 50 auf der Oberfläche der Spalten aufgebracht, um eine elektrische Kontaktverbindung zwischen den Kathoden der Dioden der Spalte und den Kathoden - Kontaktanschlüssen Cl bis C5 gemäss Fig. 9 herzustellen, wodurch die Notwendigkeit separater Anschlussleitungen 29 entfällt und die Kontaktverbindung zu den Kathoden einen niedrigeren Widerstand erhält. Der integrale Trüger 19 mit der Frontplatte und der darauf in Matrixform angeordneten Dioden 21 kann anschliessend. in einem Gehäuse 31 versiegelt werden, wobei die Kontaktanschlüsse Bl bis B7 unl Cl bis C5 mit entsprechendausgerichteten Anschiussstiften 32 und 33 verbunden werden.etches to this cathodes of columns 21 to 25 through the To connect substrate together. If the transparent front plate 20 with the metallized contact connections B1 to B7 and Cl to CS is connected to the surface of the substrate, the electrical contact connections produced between the metallization strips 28 and the contact connections BI to B7. However, if it is desirable is, the metallization strips 28 can be exposed by suitable etching steps and for the contact gabs Metal conductors 30 are used around the respective metallization strip with the associated connection kimtakt connect to. After dividing the substrate into a plurality of columns, a suitable metallization layer 50 is applied to the surface of the columns to an electrical contact connection between the cathodes of the diodes of the column and the cathode contact connections Cl to C5 according to FIG. 9 to produce, eliminating the need There is no separate connection lines 29 and the contact connection to the cathodes has a lower resistance receives. The integral support 19 with the front plate and the diodes 21 arranged thereon in matrix form can afterward. are sealed in a housing 31, the contact connections Bl to B7 and Cl to C5 with correspondingly aligned Connection pins 32 and 33 are connected.

Obwohl die Erfindung nur anhand eines einzigen Ausführungsbeispiels beschrieben wurde, ist es offensichtlich, dass sie in mehrfacher Ausführungsform zu verwirklichen ist, wobei z.B. N-leitende Bereiche in einem P-leitenden Träger eindiffundiert werden und die Kathodin Über den Anoden liegen können. Es ist offensichtlich, dass auch die Formgebung für die öffnungen in der Metallisationsschxcht unerheblich ist, und dass die Metallisationsschicht aufplatviert sein kann, um den Gesarntaufbau zu starken, sodass die Spalten nicht durch Ätzen sondern vielmehr durchmechanische Bearbeitung voneinander getrennt werden können.Although the invention is only based on a single exemplary embodiment has been described, it is obvious that it can be implemented in multiple embodiments, wherein e.g. N-conductive areas diffused in a P-conductive carrier and the cathode can lie over the anodes. It is obvious that the shaping for the openings in the metallization layer are irrelevant, and that the metallization layer can be plated in order to strengthen the overall structure so that the gaps do not exist can be separated from one another by etching but rather by mechanical processing.

- 8 - SchutzansprHche- 8 - Claims to protection

Claims

I t 1 I i k t 1 Protection claims

1. Scannable and light emitting diode array with

diodes arranged in a matrix form in an integral , Structure for an alphanumeric or graphic display,

wherein the diodes are in a plurality of rows and

; Columns are arranged, thereby geksnnseich =

net that the matrix of diodes that started with a first Electrode of an address line for a row and with a second electrode of an address line for associated with a column are connected to a sheet of dielectric material.

2. Diode array according to claim 1, characterized in that the plate of the dielectric Material is transparent and attached to the housing for the matrix of light emitting diodes.

3. Diode array according to claim 1 or Z, characterized in that the address lines for the row between the light-emitting diodes and

α of the dielectric plate arranged sand, and that

the address lines for the columns are attached to the area of the diodes, that of the dielectric Plate is opposite.

4. Diode array according to one or more of claims 1 to 3, characterized in that the diodes made of gallium arsenide, gallium arsenide phosphide

724$607it.4.7S$ 724 607it.4.7S

ft · t

ti »» ■ *

MO4WG-91O / 11 or gallium phosphide are produced.

5. Diode array according to one or more of the claims 1 to 4, characterized in that the rows and columns of the diodes are arranged orthogonally are.

6. Diode array according to one or more of the claims 1 to 5, characterized in that the between the dielectric plate and the Diodes arranged address lines for dia Row are provided with openings through which the light generated by the PN transition through the Address line for the series can pass through.

7. * Diode array according to one or more of claims 1 to 6, characterized in that that the dielectric plate is made of a transparent material and in a housing for the matrix the light emitting diodes is attached "

8. Diode array according to claim 7, characterized in that the housing has a plurality encompassed by electrical connection pins, which are insulated and emerge from the housing to the outside.