Verfahren zur Herstellung doppelseitiger Mosaikschirme Es ist vorteilhaft
und bekannt, bei speichernden Bildfängerröhren mit Kathodenstrahlabtastung bzw.
bei Bildwandler-Bildzerlegern und elektronischen Speichereinrichtungen den Mosaikschirm
doppelseitig ,auszuführen, um die Photoelektronen bzw. Bildsekundärelektronen von
den vom abtastenden Elektronenstrahl am Bildsendeschirm ausgelösten Strahlsekundärelektronen
räumlich zu trennen. Die Herstellung solcher doppelseitiger Bildsendeschirme ist
bekanntlich mit großen Schwierigkeiten verbunden. Es müssen nämlich in eine Signalelektrode
S (Abb. i) die photo-bzw. sekundärelektrisch wirksamen Mosaikelemente M in einer
der gewünschten Auflösung des Bildes entsprechenden Anzahl isoliert von ersterer
eingebaut werden. Alle bisher gemachten Vorschläge verwenden hierfür mehr oder weniger
schwierige und zeitraubende mechanische Arbeitsgänge.Method of making double-sided mosaic screens It is advantageous
and known, in storing image capture tubes with cathode ray scanning or
the mosaic screen in the case of image converter-image decomposers and electronic storage devices
double-sided, to carry out the photoelectrons or image secondary electrons from
the beam secondary electrons released by the scanning electron beam on the screen
spatially separate. The manufacture of such double-sided video screens is
known to be associated with great difficulties. It has to be in a signal electrode
S (Fig. I) the photo or. secondary electrical effective mosaic elements M in one
the number corresponding to the desired resolution of the image isolated from the former
to be built in. All the suggestions made so far use more or less for this
difficult and time-consuming mechanical operations.
Erfindungsgemäß wird nun zur Herstellung doppelseitiger Mosaikschirme
folgendermaßen vorgegangen: Als Signalelektrode S (Abb. 2) dient auch hierbei, wie
üblich, ein metallisches Netz oder eine gelachte Folie. Diese wird nun gemäß der
Erfindung vollkommen in eine Schicht eings festen Halbleiters H eingehüllt. Der
Halbleiter besteht entweder aus einem ganz oder überwiegend ionisch leitenden Material,
wie z. B. Silberjodid, oder aus einem überwiegend elektronisch leitenden Material,
bei dem durch sekundäre, z. B. chemische Vorgänge, ein Ionentransport stattfindet,
wie z. B. beim Silbersulfid. Das Einhüllen des metallischen Netzträgers geschieht
zweckmäßig durch Umpressen mit dem gepulverten Halbleiter. Auch ein Aufschmelzen
kommt bei Halbleitern, die beim Erreichen ihres Schmelzpunktes noch keine Zersetzung
erfahren, in Betracht. Das Netz kann dabei z. B. in den geschmolzenen Halbleiter
getaucht werden, so daß es nach dem Herausziehen mit einer auch die Maschen ausfüllenden
Haut des Halbleiters überzogen ist. Der Halbleiter kann aber auch durch chemische
Reaktion erst auf dem Netz bergestellt
werden, z. B. kann ein Silberüberzug
in Joddampf in Silberjodid umgewandelt werden. Die Erzeugung der erforderlichen
beiden Seiten des Bildsendeschirmes verbindenden Mosaikelemente erfolgt durch Elektrolyse,
indem das überzogene Netz zwischen Metallelektroden A und K, bei Verwendung von
AgJ, z. B. Silberelektroden, gelegt wird, die einer elektrischen Spannung ausgesetzt
sind. Die Wanderung der Metallionen im festen Halbleiter geht dann nicht so vor
sich, daß sich eine Schicht des Metalls an der Kathode ansetzt. Es bilden sich vielmehr
eine Unzahl von der Anode zur Kathode gehender Metallfäden F aus, die gegenseitig
voneinander isoliert sind. Man erkennt das Wachsen dbr Fäden am Ansteigen des Stromes
im Stromkreis der Elektrolyse oder durch Verfärbungen des Halbleiters. Als Halbleiter
sind naturgemäß nur solche zu verwenden, bei denen die Metallbrücken nach Aufhören
der Elektrolyse erhalten bleiben, wie z. B. im Silberjodid. Nach Wegnahme der Metallelektroden
werden auf die Flächen des Bildsendeschirmes die zur Verwendung im Bildfänger oder
Bildspeicher notwendigen und bekannten wirksamen Oberflächenschichten für Photo-
oder Sekundäremission aufgebracht. Die Elektrolyse kann auch vor der Herstellung
des Bildsendeschirmes am fein-oder grobkristallinen Halbleitermaterial vorgenommen
werden, so daß sich nach dem Aufbringen auf die Signalelektrode Metallbrücken zwischen
beiden Seiten des Schirmes in statischer Verteilung ausbilden. Es können auch für
die einzelnen Mosaikelemente einheitliche Kristalle verwendet werden, die z. B.
längliche Form haben und beispielsweise durch Schütteln in die Maschen des Netzes
verteilt werden können. Auch der ganze Bildsendeschirm kann als Einkristall ausgebildet
sein, in dem das Netz eingebettet ist. Als besonders zweckmäßig hat sich erwiesen,
die Signalelektrode selbst zu isolieren, d. h. z. B. emaillierte Drähte bzw. Folien
zu verwenden, um bei der Elektrolyse ein Hineinwachsen der Metallfäden in die Signalelektrode
zu vermeiden, was eine Verminderung des Wirkungsgrades bzw. der Kontrastschärfe
des Bildfängers bzw. Speichers zur Folge hätte.According to the invention is now for the production of double-sided mosaic screens
proceed as follows: The signal electrode S (Fig. 2) is also used here, as
common, a metallic net or a laughed foil. This is now according to the
Invention completely encased in a layer of solid semiconductor H. Of the
Semiconductor consists either of a completely or predominantly ionically conductive material,
such as B. silver iodide, or made of a predominantly electronically conductive material,
in which by secondary, z. B. chemical processes, ion transport takes place,
such as B. with silver sulfide. The metallic mesh support is wrapped
expediently by pressing around with the powdered semiconductor. Melting down too
occurs in semiconductors that do not decompose when they reach their melting point
experienced, into consideration. The network can, for. B. in the molten semiconductor
be dipped, so that after pulling it out, it also fills the mesh with a
Skin of the semiconductor is coated. The semiconductor can, however, also by chemical
Reaction only posted on the network
be e.g. B. can be a silver plating
converted into silver iodide in iodine vapor. The generation of the required
the mosaic elements connecting both sides of the screen is carried out by electrolysis,
placing the coated mesh between metal electrodes A and K, when using
AgJ, e.g. B. silver electrodes, which are exposed to an electrical voltage
are. The migration of the metal ions in the solid semiconductor then does not proceed in this way
that a layer of the metal attaches itself to the cathode. Rather, they are formed
a myriad of metal threads F going from the anode to the cathode and mutually
are isolated from each other. The growth of the threads can be recognized by the increase in the current
in the electrolysis circuit or due to discoloration of the semiconductor. As a semiconductor
Of course, only those with which the metal bridges have ceased to be used are to be used
the electrolysis are preserved, such. B. in silver iodide. After removing the metal electrodes
are on the surfaces of the screen for use in the image catcher or
Image storage necessary and known effective surface layers for photo
or secondary emission applied. Electrolysis can also take place before manufacture
of the screen on the finely or coarsely crystalline semiconductor material
so that after application to the signal electrode there are metal bridges between
form both sides of the screen in a static distribution. It can also be used for
the individual mosaic elements uniform crystals are used, the z. B.
have elongated shape and for example by shaking in the mesh of the net
can be distributed. The entire screen can also be designed as a single crystal
in which the network is embedded. It has proven to be particularly useful
isolate the signal electrode itself, d. H. z. B. enamelled wires or foils
to be used to prevent the metal threads from growing into the signal electrode during electrolysis
to avoid what a reduction of the efficiency or the contrast sharpness
the image catcher or memory would result.