DE69834120D1 - Blockdekodierter wortleitungstreiber mit positiver und negativer spannungsbetriebsart unter verwendung von mos-transistoren mit vier anschlüssen - Google Patents

Blockdekodierter wortleitungstreiber mit positiver und negativer spannungsbetriebsart unter verwendung von mos-transistoren mit vier anschlüssen

Info

Publication number
DE69834120D1
DE69834120D1 DE69834120T DE69834120T DE69834120D1 DE 69834120 D1 DE69834120 D1 DE 69834120D1 DE 69834120 T DE69834120 T DE 69834120T DE 69834120 T DE69834120 T DE 69834120T DE 69834120 D1 DE69834120 D1 DE 69834120D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wording
connections
positive
negative voltage
line driver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69834120T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69834120T2 (de
Inventor
Tzeng-Huei Shiau
Yu-Shen Lin
Ray-Lin Wan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Macronix International Co Ltd
Original Assignee
Macronix International Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=22267251&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE69834120(D1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Macronix International Co Ltd filed Critical Macronix International Co Ltd
Publication of DE69834120D1 publication Critical patent/DE69834120D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69834120T2 publication Critical patent/DE69834120T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/08—Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
DE69834120T 1998-06-04 1998-06-04 Blockdekodierter wortleitungstreiber mit positiver und negativer spannungsbetriebsart unter verwendung von mos-transistoren mit vier anschlüssen Expired - Lifetime DE69834120T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US1998/011675 WO1999063543A1 (en) 1998-06-04 1998-06-04 Block decoded wordline driver with positive and negative voltage modes using four terminal mos transistors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69834120D1 true DE69834120D1 (de) 2006-05-18
DE69834120T2 DE69834120T2 (de) 2006-10-12

Family

ID=22267251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69834120T Expired - Lifetime DE69834120T2 (de) 1998-06-04 1998-06-04 Blockdekodierter wortleitungstreiber mit positiver und negativer spannungsbetriebsart unter verwendung von mos-transistoren mit vier anschlüssen

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP1002320B1 (de)
JP (1) JP2002517879A (de)
DE (1) DE69834120T2 (de)
WO (1) WO1999063543A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022245383A1 (en) * 2021-05-18 2022-11-24 Silicon Storage Technology, Inc. Non-volatile memory cell array formed in a p-well in a deep n-well in a p-substrate

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5265052A (en) * 1989-07-20 1993-11-23 Texas Instruments Incorporated Wordline driver circuit for EEPROM memory cell
US5243559A (en) * 1990-12-12 1993-09-07 Nippon Steel Corporation Semiconductor memory device
JP2835215B2 (ja) * 1991-07-25 1998-12-14 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
JP3647869B2 (ja) * 1995-01-26 2005-05-18 マクロニクス インターナショナル カンパニイ リミテッド プラス及びマイナス電圧モードを有するデコードされたワードラインドライバ
WO1998010471A1 (en) * 1996-09-05 1998-03-12 Macronix International Co., Ltd. Triple well floating gate memory and operating method with isolated channel program, preprogram and erase processes

Also Published As

Publication number Publication date
EP1002320A4 (de) 2003-05-07
EP1002320B1 (de) 2006-04-05
DE69834120T2 (de) 2006-10-12
EP1002320A1 (de) 2000-05-24
JP2002517879A (ja) 2002-06-18
WO1999063543A1 (en) 1999-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69900276D1 (de) Elastomerzusammensetzung auf Basis von EPDM und ausschliesslich daraus bestehender Hochleistungskeilriemen
DE69838633D1 (de) Konstantstrom-CMOS-Ausgangstreiberschaltung mit Dual-Gate-Transistoren
DE69618285D1 (de) Quasi-vertikaler DMOS in MOS- oder BICMOS-Verfahren mit hohem Wirkungsgrad
DE69833635D1 (de) Verstärkungsanordnung mit Spannungsverstärkung und reduziertem Leistungsverbrauch
DE69835794D1 (de) Halbleiterschaltung und steuerungsverfahren dazu
KR960702944A (ko) 저 전압형 트랜지스터를 사용하는 고 전압 전하 펌프(high voltage charge pump using low voltage type transistors)
DE69737731D1 (de) Integrierte Schaltung mit adaptivem Eingangs/Ausgangstor
DE69909584D1 (de) Schraube mit Vertiefung und Schraubenziehereinsatz hierfür
DK0924168T3 (da) Fremgangsmåde til reduktion af slam i et aerobt spildevandsrensningsanlæg
DE69906402D1 (de) Fensterheberantriebsvorrichtung und Steuervorrichtung dafür
EP0634795A3 (de) Integrierte Anordnung mit MOS-Transistoren, die positive und negative Spannungsschwingungen erlauben.
DE69615423D1 (de) Feldeffekttransistor mit kammartiger Elektrodenstruktur
DE68903243D1 (de) Spannungs-stromumsetzer mit mos-transistoren.
DE59808412D1 (de) Feststoff-Zusammensetzung auf Basis von Tonmineralien und deren Verwendung
DE69313816D1 (de) EEPROM-Zelle und peripherer MOS-Transistor
DE69930135D1 (de) Pseudomorphe transistoren mit hoher elektronenbeweglichkeit
ATE249717T1 (de) Elektronisches vorschaltgerät
DE69119346D1 (de) Gateansteuerung im Strom-modus für Leistungs-MOS-Transistoren
DE69936899D1 (de) Isolierter Feldeffekttransistor mit elektrischer Feldplatte
DE69726118D1 (de) Energiesparender passtransistorlogikschaltkreis und volladdierer damit
DE69823769D1 (de) Niederspannungs-Abtast- und Halteschaltungen
DE69834120D1 (de) Blockdekodierter wortleitungstreiber mit positiver und negativer spannungsbetriebsart unter verwendung von mos-transistoren mit vier anschlüssen
DE69700965D1 (de) Pegelumsetzungsschaltung mit MOSFET-Transistoren verwendender Differenzschaltung
DE69940533D1 (de) Leistungsverstärker mit sanfter Umschaltung und Mehrpegel-Schaltzellen
DE69326771D1 (de) Ausgangstufe mit Transistoren von unterschiedlichem Typ

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition