DE69730395T2 - Microelectronic spring contact element - Google Patents

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DE69730395T2
DE69730395T2 DE69730395T DE69730395T DE69730395T2 DE 69730395 T2 DE69730395 T2 DE 69730395T2 DE 69730395 T DE69730395 T DE 69730395T DE 69730395 T DE69730395 T DE 69730395T DE 69730395 T2 DE69730395 T2 DE 69730395T2
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spring contact
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Y. Igor KHANDROS
N. Benjamin ELDRIDGE
L. Gaetan MATHIEU
V. David PEDERSEN
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    • H01L2924/01078Platinum [Pt]

Description

TECHNISCHES GEBIET DER ERFINDUNGTECHNICAL FIELD OF THE INVENTION

Die vorliegende Erfindung betrifft elastische (Feder-)Kontakt-(Verbindungs-)Elemente (Strukturen), die sich zum Herbeiführen von Druck- und/oder nachgiebigen Verbindungen zwischen elektronischen Bauteilen eignen, und insbesondere Mikrominiatur-Federkontaktelemente.The The present invention relates to elastic (spring) contact (connection) elements (Structures) that are responsible for inducing pressure and / or yielding Compounds between electronic components are suitable, and in particular Microminiature spring contact elements.

RÜCKVERWEISUNG AUF VERWANDTE ANMELDUNGENCROSS REFERENCE RELATED APPLICATIONS

Diese Patentanmeldung ist eine Teilfortführung der im gemeinsamen Besitz stehenden, gleichzeitig anhängigen US-Patentanmeldung Nr. 60/030 697, eingereicht am 13. Nov. 96.These Patent application is a continuation of the joint ownership standing, concurrent US Patent Application No. 60/030697, filed on Nov. 13, 96.

Diese Patentanmeldung ist auch eine Teilfortführung der im gemeinsamen Besitz stehenden, gleichzeitig anhängigen US-Patentanmeldung Nr. 08/452 255 (nachstehend "HAUPTAKTE"), eingereicht am 26. Mai 95, und ihres Gegenstücks, der PCT-Patentanmeldung Nummer PCT/US95/14909, eingereicht am 13. Nov. 95, die beide Teilfortführungen der im gemeinsamen Besitz stehenden, gleichzeitig anhängigen US-Patentanmeldung Nr. 08/340 144, eingereicht am 15. Nov. 94, und ihres Gegenstücks, der PCT-Patentanmeldung Nummer PCT/US94/13373, eingereicht am 16. Nov. 94, sind, die beide Teilfortführungen der im gemeinsamen Besitz stehenden, gleichzeitig anhängigen US-Patentanmeldung Nr. 08/152 812, eingereicht am 16. Nov. 93 (nun USP 5 476 211, 19. Dez. 95), sind.These Patent application is also a continuation of the joint ownership standing, concurrent US Patent Application No. 08 / 452,255 (hereinafter "MAIN ACTS"), filed on May 26, 95, and its counterpart, the PCT patent application Number PCT / US95 / 14909, filed Nov. 13, 1995, both of which are continuation subsections Commonly owned co-pending US patent application no. 08 / 340,144, filed Nov. 15, 1994, and its counterpart, the PCT Patent Application Number PCT / US94 / 13373 filed Nov. 16 94, are both partial continuations the co-owned, co-pending US patent application No. 08 / 152,812, filed Nov. 16, 1993 (now USP 5,476,211, 19. Dec. 95).

Diese Patentanmeldung ist auch eine Teilfortführung der folgenden im gemeinsamen Besitz stehenden, gleichzeitig anhängigen US-Patentanmeldung Nrn.:
08/554 902, eingereicht am 09. Nov. 95 (PCT/US95/14844, 13. Nov. 95);
08/558 332, eingereicht am 15. Nov. 95 (PCT/US95/14885, 15. Nov. 95);
60/012 027, eingereicht am 21. Feb. 96 (PCT/US96/08117, 24. Mai 96);
60/005 189, eingereicht am 17. Mai 96 (PCT/US96/08107, 24. Mai 96);
60/024 555, eingereicht am 26. Aug. 96;
08/784 862, eingereicht am 15. Jan. 97;
08/802 054, eingereicht am 18. Feb. 97; und
08/819 464, eingereicht am 17. März 97,
die alle (anders als die vorläufigen Patentanmeldungen) Teilfortführungen der vorstehend erwähnten HAUPTAKTE sind.
This patent application is also a sub-continuation of the following commonly owned, copending US patent application Ser.
08 / 554,902, filed 09 Nov. 95 (PCT / US95 / 14844, Nov. 13, 1995);
08 / 558,332, filed Nov. 15, 1995 (PCT / US95 / 14885, Nov. 15, 1995);
60/012 027 filed Feb. 21, 96 (PCT / US96 / 08117, May 24, 96);
60/005 189, filed May 17, 96 (PCT / US96 / 08107, May 24, 96);
60/024 555, filed 26 Aug. 96;
08 / 784,862, filed Jan. 15, 1997;
08 / 802,054 filed Feb. 18, 1997; and
08 / 819,464, filed Mar. 17, 97,
all of which (other than the provisional patent applications) are part continuations of the above-mentioned MAIN ACTS.

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND THE INVENTION

Die im gemeinsamen Besitz stehende US-Patentanmeldung Nr. 08/152 812, eingereicht am 16. Nov. 93 (nun USP 4 576 211, herausgegeben am 19. Dez. 95) und ihr Gegenstück, die im gemeinsamen Besitz stehenden, gleichzeitig anhängigen "Ausscheidungs"-US-Patentanmeldungen Nrn. 08/457 479, eingereicht am 01. Juni 95 (Status: anhängig), und 08/570 230, eingereicht am 11. Dez. 95 (Status: anhängig), alle von KHANDROS, offenbaren Verfahren zur Herstellung von elastischen Verbindungselementen für Mikroelektronikanwendungen, die das Montieren eines Endes eines biegsamen, länglichen Kernelements (z. B. Draht- "Schaft" oder "Gerüst") an einem Anschluss an einem elektronischen Bauteil, das Beschichten des biegsamen Kernelements und der benachbarten Oberfläche des Anschlusses mit einem "Mantel" aus einem oder mehreren Materialien mit einer vorbestimmten Kombination von Dicken, einer Dehngrenze und einem Elastizitätsmodul, um vorbestimmte Kraft-Auslenkungs-Kennlinien der resultierenden Federkontakte sicherzustellen, beinhalten. Beispielhafte Materialien für das Kernelement umfassen Gold. Beispielhafte Materialien für die Beschichtung umfassen Nickel und seine Legierungen. Das resultierende Federkontaktelement wird geeigneterweise verwendet, um Druck- oder demontierbare Verbindungen zwischen zwei oder mehr elektronischen Bauteilen, einschließlich Halbleiterbauelementen, zu bewirken.The Commonly Owned US Patent Application No. 08 / 152,812, filed Nov. 16, 1993 (now USP 4 576 211, issued to Dec. 19, 1995) and her counterpart, the co-owned, co-pending "divorce" US patent applications Nos 08/457 479, filed on Jun. 1, 95 (status: pending), and 08/570 230, filed on Dec. 11, 1995 (status: pending), all from KHANDROS, disclose method of making elastic Connecting elements for Microelectronic applications involving the mounting of one end of a flexible, elongated Core element (eg wire "shank" or "framework") on a connection on an electronic component, the coating of the flexible core element and the adjacent surface the connection with a "coat" of one or more Materials with a predetermined combination of thicknesses, one Yield point and a modulus of elasticity, by predetermined force-deflection characteristics of the resulting To ensure spring contacts include. Exemplary materials for the Core element include gold. Exemplary materials for the coating include nickel and its alloys. The resulting spring contact element is suitably used to print or dismountable compounds between two or more electronic components, including semiconductor devices, to effect.

Die im gemeinsamen Besitz stehende, gleichzeitig anhängige US-Patentanmeldung Nr. 08/340 144, eingereicht am 15. Nov. 94, und ihre entsprechende PCT-Patentanmeldung Nr. PCT/US94/13373, eingereicht am 16. Nov. 94 (WO95/14314, veröffentlicht am 26. Mai 95), beide von KHANDROS und MATHIEU, offenbaren eine Anzahl von Anwendungen für das vorstehend erwähnte Federkontaktelement, und offenbaren auch Verfahren zur Herstellung von Kontaktstellen an den Enden der Federkontaktelemente. In deren 14 werden beispielsweise eine Vielzahl von negativen Vorsprüngen oder Löchern, die in Form von umgekehrten Pyramiden, die in Scheitelpunkten enden, vorliegen können, in der Oberfläche einer Opferschicht (Substrat) ausgebildet. Diese Löcher werden dann mit einer Kontaktstruktur gefüllt, die Schichten aus Material wie z. B. Gold oder Rhodium und Nickel aufweist. Ein biegsames, längliches Element wird an der resultierenden Kontaktstruktur montiert und kann auf die vorstehend beschriebene Weise überzogen werden. In einem Endschritt wird das Opfersubstrat entfernt. Der resultierende Federkontakt weist eine Kontaktstelle mit gesteuerter Geometrie (z. B. spitzen Punkten) an seinem freien Ende auf.Commonly owned co-pending U.S. Patent Application Serial No. 08 / 340,144, filed Nov. 15, 1994, and its corresponding PCT Patent Application No. PCT / US94 / 13373, filed Nov. 16, 1994 (WO95 / 003). 14314, published May 26, 1995) both by KHANDROS and MATHIEU disclose a number of applications for the aforementioned spring contact element, and also disclose methods of making contact pads at the ends of the spring contact elements. In whose 14 For example, a plurality of negative protrusions or holes, which may be in the form of inverted pyramids that terminate at vertices, are formed in the surface of a sacrificial layer (substrate). These holes are then filled with a contact structure, the layers of material such. Gold or rhodium and nickel. A flexible, elongated member is mounted on the resulting contact structure and may be coated in the manner described above. In a final step, the sacrificial substrate is removed. The resulting spring contact has a contact point of controlled geometry (eg sharp points) at its free end.

Die im gemeinsamen Besitz stehende, gleichzeitig anhängige US-Patentanmeldung Nr. 08/452 255, eingereicht am 26. Mai 95, und ihre entsprechende PCT-Patentanmeldung Nr.The Commonly owned co-pending US patent application no. 08 / 452,255, filed May 26, 1995, and its corresponding PCT patent application No.

PCT/US95/14909, eingereicht am 13. Nov. 95 (WO96/17278, veröffentlicht am 06. Juni 96), beide von ELDRIDGE, GRUBE, KHANDROS und MRTHIEU, offenbaren zusätzliche Verfahren und Metallurgien zur Herstellung von Kontaktspitzenstrukturen auf Opfersubstraten sowie Verfahren zur Überführung einer Vielzahl von an diesen montierten Federkontaktelementen zusammen zu Anschlüssen eines elektronischen Bauteils (siehe z. B. 11A11F und 12A12C darin).PCT / US95 / 14909, filed Nov. 13, 1995 (WO96 / 17278, published June 6, 1996), both of ELDRIDGE, GRUBE, KHANDROS, and MRTHIEU, disclose additional methods and metallurgies for making contact tip structures on sacrificial substrates, and methods of Transferring a plurality of spring contact elements mounted thereon together to terminals of an electronic component (see eg. 11A - 11F and 12A - 12C in this).

Die im gemeinsamen Besitz stehende, gleichzeitig anhängige vorläufige US-Patentanmeldung Nr. 60/005 189, eingereicht am 17. Mai 96, und ihre entsprechende PCT-Patentanmeldung Nr. PCT/US96/08107, eingereicht am 24. Mai 96 (WO96/37332, veröffentlicht am 28. Nov. 96), beide von ELDRIDGE, KHANDROS und MATHIEU, offenbart Verfahren, wobei eine Vielzahl von Kontaktspitzenstrukturen (siehe z. B. #620 in 6B darin) mit einer entsprechenden Vielzahl von länglichen Kontaktelementen (siehe z. B. #632 von 6D darin), die bereits an einem elektronischen Bauteil (#630) montiert sind, verbunden werden. Diese Patentanmeldung offenbart beispielsweise in den 7A7E darin auch Verfahren zur Herstellung von "länglichen" Kontaktspitzenstrukturen in Form von Auslegern. Die Auslegerspitzenstrukturen können zwischen einem Ende derselben und einem entgegengesetzten Ende derselben verjüngt sein. Die Auslegerspitzenstrukturen dieser Patentanmeldung eignen sich zur Montage an bereits existierenden (d. h. vorher hergestellten) erhabenen Verbindungselementen (siehe z. B. #730 in 7F), die sich von entsprechenden Anschlüssen eines elektronischen Bauteils (siehe z. B. #734 in 7F) erstrecken (z. B. freistehen).Commonly owned co-pending US Provisional Patent Application No. 60 / 005,189, filed May 17, 96, and its corresponding PCT Patent Application No. PCT / US96 / 08107, filed May 24, 96 (WO96 / 37332 , published 28 Nov. 96), both to ELDRIDGE, KHANDROS and MATHIEU, discloses methods wherein a plurality of contact tip structures (see, eg, # 620 in 6B therein) with a corresponding plurality of elongated contact elements (see, for example, # 632 of 6D therein) already mounted on an electronic component (# 630). This patent application discloses, for example in the 7A - 7E This also includes methods of making "elongate" contact tip structures in the form of cantilevers. The cantilever tip structures may be tapered between one end thereof and an opposite end thereof. The cantilever tip structures of this patent application are suitable for mounting on existing (ie, previously made) raised connectors (see, eg, # 730 in FIG 7F ) extending from corresponding terminals of an electronic component (see, eg, # 734 in 7F ) (eg, free standing).

Die im gemeinsamen Besitz stehende, gleichzeitig anhängige vorläufige US-Patentanmeldung Nr. 60/024 555, eingereicht am 26. Aug. 96, von ELDRIDGE, KHANDROS und MATHIEU, offenbart beispielsweise in deren 2A2C ein Verfahren, wobei eine Vielzahl von länglichen Spitzenstrukturen mit verschiedenen Längen zueinander so angeordnet werden können, dass ihre äußeren Enden in einem größeren Rastermaß angeordnet werden als ihre inneren Enden. Die inneren "Kontakt"-Enden können zueinander kollinear sein, um Verbindungen mit elektronischen Bauteilen mit Anschlüssen, die entlang einer Linie wie z. B. einer Mittellinie des Bauteils angeordnet sind, zu bewirken.Commonly owned co-pending US Provisional Patent Application No. 60 / 024,555, filed Aug. 26, 1996, by ELDRIDGE, KHANDROS, and MATHIEU, discloses, for example, in U.S. Pat 2A - 2C a method wherein a plurality of elongated tip structures of different lengths to each other can be arranged so that their outer ends are arranged at a greater pitch than their inner ends. The inner "contact" ends may be collinear with one another to provide connections to electronic components having terminals along a line such as a line. B. a center line of the component are arranged to effect.

Die vorliegende Erfindung wendet sich der Herstellung von Verbindungen mit modernen Mikroelektronikbauelementen zu, deren Anschlüsse (Bondkontaktstellen) in einem feinen Rastermaß angeordnet sind, und eignet sich besonders gut dafür. Wie hierin verwendet, bezieht sich der Begriff "feines Rastermaß" auf Mikroelektronikbauelemente, deren Anschlüsse in einem Abstand von weniger als 127 μm (5 mils) wie z. B. 63,5 μm (2,5 mils) oder 65 μm angeordnet sind. Wie aus der Beschreibung, die folgt, ersichtlich ist, wird dies vorzugsweise erreicht, indem die engen Toleranzen genutzt werden, die unter Verwendung von vielmehr lithographischen als mechanischen Verfahren zur Herstellung der Kontaktelemente leicht realisiert werden können.The The present invention is directed to the preparation of compounds with modern microelectronic components to whose connections (bond pads) arranged in a fine pitch are, and is particularly good for it. As used herein the term "fine Pitch "on microelectronic devices, their connections at a distance of less than 127 microns (5 mils) such as. B. 63.5 μm (2.5 mils) or 65 μm are arranged. As can be seen from the description that follows is, this is preferably achieved by the tight tolerances which are using rather lithographic as a mechanical method for producing the contact elements easily can be realized.

WO 95/14314 A1 offenbart elastische Kontaktstrukturen und Verfahren zur Herstellung derselben. Die Kontaktstruktur umfasst einen länglichen Teil, ein Basisende, das an einem ersten elektronischen Bauteil montierbar ist, und ein Kontaktende zum Kontaktieren einer Kontaktstelle eines zweiten elektronischen Bauteils. Das Kontaktende ist vertikal und seitlich vom Basisende verschoben, wobei der längliche Teil gebogen ist. Diese Struktur stellt eine hohe Elastizität in der vertikalen Richtung bereit, während eine Verformung vermieden wird, wenn die vertikale Kraft nach dem Druckkontaktieren aufgehoben wird.WHERE 95/14314 A1 discloses elastic contact structures and methods for producing the same. The contact structure comprises an elongated one Part, a base end attached to a first electronic component mountable, and a contact end for contacting a contact point a second electronic component. The contact end is vertical and laterally shifted from the base end, the elongated Part is bent. This structure provides a high elasticity in the vertical direction ready while a deformation is avoided when the vertical force after the Pressure contact is canceled.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY THE INVENTION

Eine Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung eines Verfahrens zur Herstellung von Federkontaktelementen unter Verwendung von Prozessen, die sich von Natur aus für die Welt feinen Rastermaßes und enger Toleranz der Mikroelektronik gut eignen, sowie die Bereitstellung eines mikroelektronischen Federkontaktelements und eines Halbleiterbauelements mit einer Vielzahl von Federkontaktelementen, die sich von Natur aus für Verbindungen mit feinem Rastermaß zwischen Anschlüssen, die vertikal und seitlich voneinander verschoben sind, gut eignen.A The object of the invention is to provide a method for Production of spring contact elements using processes, by nature for the world of fine grid and close tolerance of microelectronics are well suited, as well as providing a microelectronic spring contact element and a semiconductor device with a variety of spring contact elements that are inherently for connections with fine pitch between connections, which are vertically and laterally displaced from each other, are well suited.

Die Erfindung ist in den Ansprüchen 1, 7, 13 bzw. 16 definiert.The Invention is in the claims 1, 7, 13 and 16, respectively.

Spezielle Ausführungsbeispiele sind in den abhängigen Ansprüchen dargelegt.Specific embodiments are in the dependent claims explained.

Gemäß der Erfindung wird ein Federkontaktelement auf einem elektronischen Bauteil wie z. B. einem aktiven Halbleiterbauelement durch photolithographisches Festlegen von einer oder mehreren Öffnungen in einer entsprechenden oder mehreren entsprechenden Maskierungsschichten, Abscheiden einer leitenden Metallmasse in der (den) dreidimensionalen Öffnung(en), dann Entfernen der Maskierungsschicht(en), was zu einem Federkontaktelement führt, das ein Basis-(proximales)Ende, das benachbart zu einer Oberfläche des Bauteils liegt, und ein Kontakt-(distales)Ende (auch "Spitzenende" oder "freies Ende"), das sowohl horizontal als auch vertikal vom Basisende beabstandet ist, aufweist, hergestellt. Eine Vielzahl von Federkontaktelementen können auf diese Weise mit photolithographischen (äußerst feinen) Toleranzen auf dem Bauteil hergestellt werden.According to the invention is a spring contact element on an electronic component such as z. B. an active semiconductor device by photolithographic Set one or more openings in a corresponding one or a plurality of corresponding masking layers, depositing one conductive metal mass in the three-dimensional opening (s), then removing the masking layer (s) resulting in a spring contact element leads, a base (proximal) end adjacent to a surface of the component lies, and a contact (distal) end (also "top-end" or "free-end"), both horizontally as well is also vertically spaced from the base end, manufactured. A variety of spring contact elements can in this way with photolithographic (extremely fine) Tolerances are produced on the component.

Die Federkontaktelemente dieser Erfindung sind zur Herstellung von entweder vorübergehenden oder dauerhaften elektrischen Verbindungen mit Anschlüssen eines anderen elektronischen Bauteils wie z. B. einer Leiterplatte (PCB) geeignet.The Spring contact elements of this invention are suitable for the manufacture of either temporary or permanent electrical connections with connections of a other electronic component such. B. a printed circuit board (PCB) suitable.

Zur Herstellung von vorübergehenden Verbindungen wird das Bauteil, auf dem die Federkontaktelemente hergestellt sind, mit einem anderen elektronischen Bauteil so zusammengebracht, dass die Spitzendenden der Federkontaktelemente mit Anschlüssen des anderen elektronischen Bauteils in Druckkontakt stehen. Die Federkontaktelemente reagieren elastisch, um den Kontaktdruck und elektrische Verbindungen zwischen den zwei Bauteilen aufrechtzuerhalten.to Production of temporary Connections becomes the component on which the spring contact elements are made with another electronic component, that the tip ends of the spring contact elements are connected to terminals of the other electronic component in pressure contact. The spring contact elements react elastically to the contact pressure and electrical connections between the two components.

Zur Herstellung von dauerhaften Verbindungen wird das Bauteil, auf dem die Federkontaktelemente hergestellt sind, mit einem anderen elektronischen Bauteil zusammengebracht und die Spitzenenden der Federkontaktelemente werden wie z. B. durch Weichlöten oder Hartlöten oder mit einem leitenden Klebstoff mit Anschlüssen des anderen elektronischen Bauteils verbunden. Die Federkontaktelemente sind nachgiebig und tragen der differentiellen Wärmeausdehnung zwischen den zwei elektronischen Bauteilen Rechnung.to Making permanent connections will be the component on which the spring contact elements are made with another electronic Component brought together and the tip ends of the spring contact elements be like B. by soldering or brazing or with a conductive adhesive with terminals of the other electronic Connected component. The spring contact elements are yielding and wear the differential thermal expansion between the two electronic components invoice.

Das Federkontaktelement wird geeigneterweise aus mindestens einer Schicht eines Metallmaterials ausgebildet, das wegen seiner Fähigkeit zu bewirken, dass die resultierende Kontaktstruktur bei der Verwendung als Feder fungiert (d. h. eine elastische Verformung aufweist), wenn Kraft auf ihr Kontakt-(freies)Ende aufgebracht wird, ausgewählt wird.The Spring contact element is suitably made of at least one layer formed of a metal material, because of its ability to cause the resulting contact structure in use acting as a spring (i.e., having elastic deformation), when force is applied to its contact (free) end is selected.

Die Federkontaktelemente der vorliegenden Erfindung können direkt auf der Oberfläche eines Halbleiterbauelements oder auf den Oberflächen einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen, die sich auf einem Halbleiterwafer befinden, hergestellt werden. Auf diese Weise kann eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen, die sich auf einem Halbleiterwafer befinden, zum Voraltern und/oder Prüfen, bevor sie vom Halbleiterwafer vereinzelt werden, "bereit gemacht" werden.The Spring contact elements of the present invention can be used directly on the surface a semiconductor device or on the surfaces of a plurality of semiconductor devices, which are located on a semiconductor wafer can be produced. In this way, a plurality of semiconductor devices, the are on a semiconductor wafer, for pre-aging and / or Check, before they are separated from the semiconductor wafer, be "prepared".

Weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden angesichts von deren folgender Beschreibung ersichtlich.Further Objects, features and advantages of the invention are given from the following description.

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENSUMMARY THE DRAWINGS

Es wird im einzelnen auf bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung Bezug genommen, von welchen Beispiele in den zugehörigen Zeichnungen dargestellt sind. Die Zeichnungen sollen erläuternd, nicht begrenzend sein. Obwohl die Erfindung im Zusammenhang mit diesen bevorzugten Ausführungsbeispielen beschrieben wird, sollte es selbstverständlich sein, dass dies nicht den Gedanken und Schutzbereich der Erfindung auf diese speziellen Ausführungsbeispiele begrenzen soll. Bestimmte Elemente in ausgewählten der Zeichnungen sind der Darstellungsdeutlichkeit halber nicht maßstäblich dargestellt. Häufig wird auf ähnliche Elemente in den gesamten Zeichnungen durch ähnliche Bezugsziffern Bezug genommen. Das Element 199 kann beispielsweise in vielerlei Hinsicht zum Element 299 in einer anderen Figur ähnlich sein. Auf ähnliche Elemente wird auch häufig mit ähnlichen Ziffern in einer einzigen Zeichnung Bezug genommen. Eine Vielzahl von Elementen 199 kann beispielsweise als 199a, 199b, 199c usw. bezeichnet werden.Reference will be made in detail to preferred embodiments of the invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. The drawings are intended to be illustrative, not limiting. While the invention will be described in conjunction with these preferred embodiments, it should be understood that this is not intended to limit the spirit and scope of the invention to these specific embodiments. Certain elements in selected of the drawings are not drawn to scale for the sake of clarity of presentation. Often, similar elements throughout the drawings are referred to by like reference numerals. The element 199 For example, in many ways it can become an element 299 to be similar in another figure. Similar elements are also frequently referred to with similar numbers in a single drawing. A variety of elements 199 can, for example, as 199a . 199b . 199c etc. are designated.

1A ist eine Seitenquerschnittsansicht eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines Federkontaktelements. 1A is a side cross-sectional view of a method according to the invention for producing a spring contact element.

1B ist eine Seitenquerschnittsansicht des erfindungsgemäßen Federkontaktelements von 1A. 1B is a side cross-sectional view of the spring contact element of the invention 1A ,

1C ist eine perspektivische Ansicht des erfindungsgemäßen Federkontaktelements von 1B. 1C is a perspective view of the spring contact element of the invention 1B ,

2A ist eine schematische Darstellung einer Systemanwendung für erfindungsgemäße Federkontaktelemente auf Halbleiterbauelementen. 2A is a schematic representation of a system application for spring contact elements according to the invention on semiconductor devices.

2B ist eine schematische Draufsicht auf einen Teil des Systems von 2A. 2 B is a schematic plan view of a part of the system of 2A ,

3A ist eine Seitenquerschnittsansicht eines alternativen Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Federkontaktelements. 3A is a side cross-sectional view of an alternative embodiment of a spring contact element according to the invention.

3B ist eine Draufsicht auf das erfindungsgemäße Federkontaktelement von 3A. 3B is a plan view of the spring contact element of the invention 3A ,

3C ist eine Seitenquerschnittsansicht eines alternativen Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Federkontaktelements. 3C is a side cross-sectional view of an alternative embodiment of a spring contact element according to the invention.

4A4B sind Seitenquerschnittsansichten, die Verfahren darstellen, die auf die Vereinheitlichung einer effektiven Länge einer Vielzahl von erfindungsgemäßen Federkontaktelementen anwendbar sind. 4A - 4B 15 are side cross-sectional views illustrating methods applicable to standardizing an effective length of a plurality of spring contact elements according to the present invention.

5 ist eine perspektivische Ansicht eines alternativen Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Federkontaktelements. 5 is a perspective view of an alternative embodiment of a spring contact element according to the invention.

6A ist eine Seitenquerschnittsansicht eines ersten Schritts in einem Verfahren zum Erzielen einer gesteuerten Impedanz in einem erfindungsgemäßen Federkontaktelement. 6A FIG. 12 is a side cross-sectional view of a first step in a method of achieving controlled impedance in a spring contact element of the invention. FIG.

6B ist eine Seitenquerschnittsansicht eines nächsten Schritts in dem Verfahren zum Erzielen einer gesteuerten Impedanz in einem erfindungsgemäßen Federkontaktelement. 6B Fig. 12 is a side cross-sectional view of a next step in the method of achieving a controlled impedance in a spring contact element according to the invention.

6C ist eine Querschnitts-Stirnansicht des erfindungsgemäßen Federkontaktelements mit gesteuerter Impedanz von 6B. 6C FIG. 12 is a cross-sectional end view of the controlled impedance spring contact element of the present invention. FIG 6B ,

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNGDETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

Die im gemeinsamen Besitz stehende, gleichzeitig anhängige vorläufige US-Patentanmeldung Nr. 60/030 697, eingereicht am 13. Nov. 96, offenbart beispielsweise in deren 4A4C ein Verfahren zur Herstellung von freistehenden, elastischen (Feder-)Kontaktelementen auf einem elektronischen Bauteil. Im Allgemeinen werden eine Anzahl von Isolationsschichten, in denen Öffnungen ausgebildet sind, auf eine Schicht aus leitendem Material ausgerichtet und "geimpft". Eine Masse aus leitendem Material kann dann in der (den) geimpften Öffnung(en) wie z. B. durch Elektroplattieren (oder CVD, Sputtern, stromloses Plattieren usw.) ausgebildet (oder abgeschieden) werden. Nachdem die Isolationsschichten entfernt sind, können die Massen als freistehende, elastische Kontaktstrukturen fungieren, die sich nicht nur vertikal oberhalb der Oberfläche des Bauteils, sondern auch seitlich von der Stelle, an der sie montiert sind, erstrecken. Auf diese Weise werden die Kontaktstrukturen leicht so konstruiert, dass sie sowohl in der Z-Achse als auch in der x-y-Ebene (parallel zur Oberfläche des Bauteils) nachgiebig sind. Dies wird nachstehend mit Bezug auf die 1A1C genauer beschrieben.Commonly owned co-pending US Provisional Patent Application No. 60 / 030,697, filed Nov. 13, 1996, discloses, for example, in U.S. Patent No. 5,309,247 4A - 4C a method for producing free-standing, elastic (spring) contact elements on an electronic component. In general, a number of insulating layers in which openings are formed are aligned and "seeded" onto a layer of conductive material. A mass of conductive material may then be placed in the seeded opening (s), such as a syringe. B. by electroplating (or CVD, sputtering, electroless plating, etc.) are formed (or deposited). After the insulation layers are removed, the masses may function as free-standing, resilient contact structures that extend not only vertically above the surface of the component but also laterally from the location where they are mounted. In this way, the contact structures are easily designed to be compliant both in the Z-axis and in the xy-plane (parallel to the surface of the device). This will be described below with reference to FIGS 1A - 1C described in more detail.

1A stellt ein beispielhaftes Verfahren 100 zur Herstellung von einem einer Vielzahl von freistehenden, elastischen (Feder-)Kontaktelementen auf einem Substrat 102 dar, welches ein aktives elektronisches Bauteil, einschließlich Halbleiterbauelementen, einschließlich Halbleiterbauelementen, die sich auf einem Halbleiterwafer (nicht dargestellt) befinden, sein kann. 1A represents an exemplary method 100 for producing one of a plurality of freestanding, resilient (spring) contact elements on a substrate 102 which may be an active electronic device, including semiconductor devices, including semiconductor devices located on a semiconductor wafer (not shown).

Das Substrat 102 weist eine Vielzahl (eine von vielen gezeigt) von Flächen 112 auf seiner Oberfläche auf, in denen die Federkontaktelemente hergestellt werden. Im Fall, dass das Substrat 102 ein elektronisches Bauteil (wie z. B. ein Halbleiterbauelement) ist, wären diese Flächen 112 Anschlüsse (wie z. B. Bondkontaktstellen) des elektronischen Bauteils.The substrate 102 has a plurality (one of many shown) of surfaces 112 on its surface in which the spring contact elements are made. In the case of the substrate 102 an electronic component (such as a semiconductor device) would be those surfaces 112 Connections (such as bond pads) of the electronic component.

Im Allgemeinen beinhaltet das Verfahren 100 das Aufbringen einer Anzahl (drei gezeigt) von strukturierten Maskierungsschichten 104, 106 und 108 mit Öffnungen auf die Oberfläche des Substrats. Die Schichten werden so strukturiert, dass sie Öffnungen (wie gezeigt) aufweisen, die auf die Flächen 112 ausgerichtet sind, und die Öffnungen werden so bemessen und geformt, dass sich eine Öffnung in einer Schicht (z. B. 108, 106) weiter von der Fläche 112 erstreckt als eine Öffnung in einer darunterliegenden Schicht (z. B. jeweils 106, 104). Mit anderen Worten, die erste Schicht 104 weist eine Öffnung auf, die direkt über der Fläche 112 liegt. Ein Teil der Öffnung in der zweiten Schicht 106 ist über zumindest einem Teil der Öffnung in der ersten Schicht 104 ausgerichtet und umgekehrt erstreckt sich ein Teil der ersten Schicht 104 unter einem Teil der Öffnung in der zweiten Schicht 106. Ebenso ist ein Teil der Öffnung in der dritten Schicht 108 über zumindest einem Teil der Öffnung in der zweiten Schicht 106 ausgerichtet und umgekehrt erstreckt sich ein Teil der zweiten Schicht 106 unter einem Teil der Öffnung in der dritten Schicht 108. Der untere Teil einer bestimmten Gesamtöffnung liegt direkt über der ausgewählten Fläche 112 und ihr oberer Teil ist angehoben und von ihrem unteren Teil seitlich versetzt. Wie nachstehend genauer erörtert wird, wird ein leitendes Metallmaterial in die Öffnungen abgeschieden und die Maskierungsschichten werden entfernt, was zu einer freistehenden Kontaktstruktur führt, die direkt auf dem Substrat hergestellt wurde, wobei ihr Basisende am Substrat 102 in der Fläche 112 befestigt ist und ihr freies Ende sich sowohl oberhalb der Oberfläche des Substrats als auch seitlich von der Fläche 112 verschoben erstreckt.In general, the procedure involves 100 applying a number (three shown) of patterned masking layers 104 . 106 and 108 with openings on the surface of the substrate. The layers are patterned to have openings (as shown) on the surfaces 112 and the openings are sized and shaped so that an opening in a layer (e.g. 108 . 106 ) further from the surface 112 extends as an opening in an underlying layer (e.g., respectively 106 . 104 ). In other words, the first layer 104 has an opening that is directly above the surface 112 lies. Part of the opening in the second layer 106 is over at least part of the opening in the first layer 104 aligned and vice versa, a part of the first layer extends 104 under a part of the opening in the second layer 106 , Likewise, part of the opening is in the third layer 108 over at least part of the opening in the second layer 106 aligned and vice versa, a part of the second layer extends 106 under a part of the opening in the third layer 108 , The lower part of a certain total opening is directly above the selected area 112 and its upper part is raised and laterally offset from its lower part. As will be discussed in more detail below, a conductive metal material is deposited into the openings and the masking layers are removed resulting in a free-standing contact structure fabricated directly on the substrate with its base end attached to the substrate 102 in the area 112 is attached and its free end is located both above the surface of the substrate and laterally from the surface 112 shifted extends.

Falls erforderlich, wie z. B, zum Elektroplattieren, kann eine sehr dünne (z. B. 450 μm) "Keim"-Schicht aus leitendem Material 114 wie z. B. Titan/Wolfram (TiW) in die Öffnungen abgeschieden werden. Dann kann eine Masse aus leitendem Metallmaterial (z. B. Nickel) 120 durch Elektroplattieren in die Öffnungen abgeschieden werden.If necessary, such. B, for electroplating, may have a very thin (eg 450 μm) "seed" layer of conductive material 114 such as As titanium / tungsten (TiW) are deposited in the openings. Then a mass of conductive metal material (eg nickel) 120 be deposited by electroplating in the openings.

Die 1B und 1C stellen ein resultierendes Federkontaktelement 120 dar, dessen Basisende 122 zur Fläche 112 benachbart liegt und dessen freies Ende (Spitze) 124 in der z-Achse über der Oberfläche des Substrats 102 angehoben sowie in der x-Achse und y-Achse vom Basisende 122 seitlich versetzt ist.The 1B and 1C provide a resultant spring contact element 120 whose base end 122 to the surface 112 is adjacent and whose free end (top) 124 in the z-axis above the surface of the substrate 102 raised as well as in the x-axis and y-axis from the base end 122 laterally offset.

Wie am besten in 1C zu sehen, reagiert das Kontaktelement 120 auf Druck, der in der z-Achse an seinem Spitzenende 124 aufgebracht wird, wie durch den Pfeil 124 angegeben, wie er sich aus der Herstellung einer vorübergehenden elektrischen Druckverbindung mit einem Anschluss (nicht dargestellt) eines anderen elektronischen Bauteils (nicht dargestellt) ergeben würde. Die Nachgiebigkeit in der z-Achse stellt sicher, dass die Kontaktkraft (Druck) aufrechterhalten wird, und trägt auch Nicht-Planaritäten (falls vorhanden) zwischen den Anschlüssen (nicht dargestellt) auf dem anderen elektronischen Bauteil (nicht dargestellt) Rechnung. Solche vorübergehenden elektrischen Verbindungen sind zur Herstellung von vorübergehenden Verbindungen mit dem elektronischen Bauteil 102 nützlich, wie z. B. zum Durchführen einer Voralterung und/oder Prüfung des Bauteils 102.How best in 1C to see, the contact element reacts 120 on pressure, in the z-axis at its tip end 124 is applied as indicated by the arrow 124 as it would result from the production of a temporary electrical pressure connection with a terminal (not shown) of another electronic component (not shown). The compliance in the z-axis ensures that the contact force (pressure) is maintained and also accommodates non-planarity (if any) between the terminals (not shown) on the other electronic component (not shown). Such temporary electrical connections are for making temporary connections to the electronic component 102 useful, such as B. for performing a burn-in and / or testing of the component 102 ,

Das Spitzenende 124 kann sich auch frei nachgiebig in der x- und y-Richtung bewegen, wie durch die Pfeile 136 bzw. 134 angegeben. Dies wäre im Zusammenhang mit der Verbindung (durch Weichlöten oder Hartlöten oder mit einem leitenden Klebstoff) des Spitzenendes 124 mit einem Anschluss (nicht dargestellt) eines anderen elektronischen Bauteils (nicht dargestellt), das einen anderen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist als das Substrat (Bauteil) 102, wichtig. Solche dauerhaften elektrischen Verbindungen sind für Montagen von elektronischen Bauteilen, wie z. B. eine Vielzahl von Speicherchips (von denen jeder durch das Substrat 102 dargestellt ist), an einem anderen elektronischen Bauteil wie z. B. einem Verbindungssubstrat, wie z. B. einer Leiterplatte ("PCB"; nicht dargestellt), nützlich.The top end 124 can also move freely in the x and y direction, as shown by the arrows 136 respectively. 134 specified. This would be related to the connection (by soldering or brazing or with a conductive adhesive) of the tip end 124 with a connection (not shown) of another electronic component (not shown), which has a different thermal expansion coefficient than the substrate (component) 102 , important. Such permanent electrical connections are for assemblies of electronic components, such. B. a plurality of memory chips (each of which through the substrate 102 is shown), on another electronic component such. B. a compound substrate, such as. A printed circuit board ("PCB", not shown).

Durch geeignete Wahl des Materials und der Geometrie können diese hergestellten Massen 120 als freistehende, elastische Kontaktstrukturen fungieren, die mit sehr genauen Abmessungen und sehr genauen Abständen voneinander hergestellt wurden. Zehntausende solcher Federkontaktelemente (120) werden beispielsweise leicht genau an einer entsprechenden Anzahl von Anschlüssen auf Halbleiterbauelementen, die sich auf einem Halbleiterwafer (nicht dargestellt) befinden, hergestellt.By suitable choice of the material and the geometry of these masses produced 120 act as free-standing, resilient contact structures made with very precise dimensions and very close distances from each other. Tens of thousands of such spring contact elements ( 120 ) are easily produced, for example, precisely at a corresponding number of terminals on semiconductor devices located on a semiconductor wafer (not shown).

Auf diese Weise wurde ein Verfahren zur Herstellung von Federkontaktelementen (120) direkt auf einem Substrat (102) wie z. B. einem elektronischen Bauteil, wie z. B. einem Halbleiterbauelement, das sich auf einem Halbleiterwafer befinden kann, durch Aufbringen mindestens einer Schicht aus Maskierungsmaterial (104, 106, 108) auf eine Oberfläche des Substrats (102) und Strukturieren der Maskierungsschicht, so dass sie Öffnungen aufweist, die sich von Flächen (112) auf dem Substrat zu Positionen erstrecken, die oberhalb der Oberfläche des Substrats beabstandet sind und die auch seitlich und/oder quer von den Flächen (112) versetzt sind; durch wahlweises Impfen (114) der Öffnungen; durch Abscheiden mindestens einer Schicht aus leitendem Metallmaterial in die Öffnungen; und durch Entfernen des Maskierungsmaterials, so dass das verbleibende leitende Metallmaterial freistehende Kontaktelemente bildet, die sich von der Oberfläche des Substrats erstrecken, wobei jedes Kontaktelement ein Basisende aufweist, das an einer der Flächen des Substrats befestigt ist, und ein Spitzenende zur Herstellung einer elektrischen Verbindung mit einem Anschluss eines elektronischen Bauteils aufweist, dargestellt.In this way, a method for the production of spring contact elements ( 120 ) directly on a substrate ( 102 ) such. B. an electronic component such. B. a semiconductor device, which may be located on a semiconductor wafer, by applying at least one layer of masking material ( 104 . 106 . 108 ) on a surface of the substrate ( 102 ) and patterning the masking layer so that it has openings extending from surfaces ( 112 ) extend on the substrate to positions which are spaced above the surface of the substrate and which also laterally and / or transversely of the surfaces ( 112 ) are offset; by selective inoculation ( 114 ) of the openings; depositing at least one layer of conductive metal material into the openings; and removing the masking material so that the remaining conductive metal material forms free-standing contact elements extending from the surface of the substrate, each contact element having a base end attached to one of the surfaces of the substrate and a tip end for establishing an electrical connection having a connection of an electronic component shown.

MATERIALIENMATERIALS

Die Strukturen (Federkontaktelemente) 120 sind grundsätzlich vorzugsweise vollständig metallisch und können als mehrlagige Strukturen ausgebildet (hergestellt) werden. Geeignete Materialien für die eine oder mehreren Schichten der Kontaktstrukturen umfassen, sind jedoch nicht begrenzt auf:
Nickel und seine Legierungen;
Kupfer, Kobalt, Eisen und ihre Legierungen;
Gold (insbesondere hartes Gold) und Silber, die beide ausgezeichnete Stromführungsfähigkeiten und gute Kontaktwiderstandseigenschaften aufweisen;
Elemente der Platingruppe;
Edelmetalle;
Halbedelmetalle und ihre Legierungen, insbesondere Elemente der Palladiumgruppe und ihre Legierungen; und
Wolfram, Molybdän und andere schwer schmelzende Metalle und ihre Legierungen.
The structures (spring contact elements) 120 are basically preferably completely metallic and can be formed (produced) as multilayer structures. Suitable materials for the one or more layers of contact structures include, but are not limited to:
Nickel and its alloys;
Copper, cobalt, iron and their alloys;
Gold (especially hard gold) and silver, both of which have excellent current carrying capabilities and good contact resistance properties;
Elements of the platinum group;
precious metals;
Semi-precious metals and their alloys, in particular elements of the palladium group and their alloys; and
Tungsten, molybdenum and other refractory metals and their alloys.

In Fällen, in denen eine weichlotartige Oberflächengüte erwünscht ist, können auch Zinn, Blei, Wismut, Indium und ihre Legierungen verwendet werden.In cases in which a Weichlotartige surface finish is desired, can also Tin, lead, bismuth, indium and their alloys are used.

EINE BEISPIELHAFTE ANWENDUNG (VERWENDUNG) FÜR DIE FEDERKONTAKTELEMENTEAN EXAMPLE OF APPLICATION (USE FOR THE SPRING CONTACT ELEMENTS

Wie vorstehend erwähnt, sind die Federkontaktelemente (120) der vorliegenden Erfindung zum Bewirken von vorübergehenden elektrischen Verbindungen mit dem Bauteil (102), auf dem die Federkontaktelemente hergestellt werden, wie z. B. zum Voraltern und/oder Prüfen der Bauteile, nützlich. Die im gemeinsamen Besitz stehende, gleichzeitig anhängige, US-Patentanmeldung Nr. 08/784 862, eingereicht am 15. Jan. 97, offenbart in deren 1A, die hierin als 2A wiedergegeben ist, ein System zum Durchführen von Voralterung und Prüfung auf Waferebene.As mentioned above, the spring contact elements ( 120 ) of the present invention for effecting temporary electrical connections to the component ( 102 ) on which the spring contact elements are made, such. As for pre-aging and / or testing of the components, useful. Commonly owned co-pending US patent application Ser. No. 08 / 784,862, filed Jan. 15, 1997, discloses in US Pat 1A which are referred to herein as 2A a system for performing pre-aging and wafer-level inspection.

2A stellt ein beispielhaftes System 200 zum Durchführen einer Voralterung und Prüfung einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen 200 (200a, 200b, 200c, 200d), die sich auf einem Halbleiterwafer befinden, auf Waferebene dar. Die Federkontaktelemente 210 (vergleiche 120) sind auf jedem der Halbleiterbauelemente hergestellt und sind auf eine stark schematische Weise dargestellt. Jedes Bauelement ist mit vier von vielen derartigen Federkontaktelementen gezeigt, die (schematisch) von seiner Oberfläche vorstehen. Der gesamte Halbleiterwafer ist geeigneterweise an einer wärmegeregelten Trägerplatte 204 montiert. 2A represents an exemplary system 200 for performing burn-in and testing of a plurality of semiconductor devices 200 ( 200a . 200b . 200c . 200d ), which are located on a semiconductor wafer, on the wafer level. The spring contact elements 210 (see 120 ) are fabricated on each of the semiconductor devices and are shown in a highly schematic manner. Each component is shown with four of many such spring contact elements that project (schematically) from its surface. The entire semiconductor wafer is suitably attached to a thermally controlled carrier plate 204 assembled.

Ein Prüfsubstrat umfasst ein Verbindungssubstrat 208 mit einer Vielzahl von aktiven elektronischen Bauelementen 206 (206a, 206b, 206c, 206d), die auf seiner vorderen Oberfläche montiert sind. Diese Bauelemente sind geeigneterweise anwendungsspezifische integrierte Schaltungen (ASICs). Eine wärmegeregelte Trägerplatte 204a kann an der Rückseite des Verbindungssubstrats 208 montiert sein. Die ASICs 206 sind mit dem Verbindungssubstrat 208 auf eine beliebige geeignete Weise wie z. B. durch Bonddrähte (nicht dargestellt) verbunden. Ein Hauptrechner 216 und eine Leistungsversorgung 218 sind mit den ASICs über das Verbindungssubstrat 208 verbunden. Eine geeignete Aufspannvorrichtung 212, 214 ist vorgesehen, so dass der Wafer (202) auf das Verbindungssubstrat (208) ausgerichtet und zu diesem hin bewegt werden kann, bis die Federkontaktelemente 210 Druckverbindungen mit Anschlüssen an den Vorder- (unteren, wie gesehen) Flächen der ASICs (206) bewirken, woraufhin die Halbleiterbauelemente (202) eingeschaltet, vorgealtert und geprüft werden können, einschließlich gleichzeitiger Prüfung aller Bauelemente (202) auf dem Wafer.A test substrate comprises a compound substrate 208 with a variety of active electronic components 206 ( 206a . 206b . 206c . 206d ) mounted on its front surface. These devices are suitably application specific integrated circuits (ASICs). A thermally controlled carrier plate 204a may be at the back of the interconnect substrate 208 be mounted. The ASICs 206 are with the compound substrate 208 in any suitable manner such. B. by bonding wires (not shown). A host 216 and a power supply 218 are with the ASICs over the interconnect substrate 208 connected. A suitable jig 212 . 214 is provided so that the wafer ( 202 ) on the compound substrate ( 208 ) and can be moved towards this until the spring contact elements 210 Pressure connections with connections on the front (bottom, as seen) surfaces of the ASICs ( 206 ), whereupon the semiconductor devices ( 202 ) can be switched on, pre-aged and tested, including simultaneous testing of all components ( 202 ) on the wafer.

2B, die der 1B der im gemeinsamen Besitz stehenden, gleichzeitig anhängigen US-Patentanmeldung Nr. 08/784 862 entspricht, ist eine schematische Darstellung eines einzelnen der Halbleiterbauelemente 202a in Kontakt mit einer entsprechenden einzelnen der ASICs 206a, und stellt schematisch dar, dass die Federkontaktelemente (210) so hergestellt werden können, dass einige von ihnen (210a, 210b) relativ lang sind und andere von ihnen (210c, 210d) relativ kurz sind und so dass einige von ihnen (210a, 210c) sich in einer Richtung von einer mittleren Reihe von Bondkontaktstellen 207 (als Quadrate dargestellt) erstrecken und andere von ihnen (210b, 210d) sich in einer entgegengesetzten Richtung von der mittleren Reihe von Bondkontaktstellen 207 erstrecken, so dass die Spitzenenden (als Kreise dargestellt) der Federkontaktelemente in einem größeren Rastermaß (Abstand voneinander) liegen als ihre Basisenden. 2 B , the the 1B Commonly owned co-pending US Patent Application No. 08 / 784,862 is a schematic representation of a single one of the semiconductor devices 202a in contact with a corresponding individual of the ASICs 206a , and schematically illustrates that the spring contact elements ( 210 ) can be made so that some of them ( 210a . 210b ) are relatively long and others of them ( 210c . 210d ) are relatively short and so that some of them ( 210a . 210c ) in one direction from a middle row of bond pads 207 (shown as squares) and others of them ( 210b . 210d ) in an opposite direction from the middle row of bond pads 207 so that the tip ends (shown as circles) of the spring contact elements are at a greater pitch than their base ends.

BEMESSUNG UND FORMUNG DER FEDERKONTAKTELEMENTESIZING AND FORMATION OF SPRING CONTACT ELEMENTS

Insofern als die Federkontaktelemente der vorliegenden Erfindung geeigneterweise unter Verwendung von Mikrobearbeitungsverfahren wie z. B. Photolithographie und Plattieren ausgebildet werden, werden sowohl die Form als auch die Größe der Federkontaktelemente leicht auf präzise Abmessungen gesteuert.Inasmuch as the spring contact elements of the present invention suitably using micromachining methods such. As photolithography and plating are formed are Both the shape and the size of the spring contact elements are easily controlled to precise dimensions.

Die 3A3C sind schematische Darstellungen von Federkontaktelementen 300 und 350 (vergleiche 120), die gemäß den Verfahren der vorliegenden Erfindung hergestellt sind.The 3A - 3C are schematic representations of spring contact elements 300 and 350 (see 120 ) prepared according to the methods of the present invention.

Das Federkontaktelement 300 der 3A und 3B weist einen Basisendteil 302, einen Kontakt-(Spitzen-)Endteil 304, einen Hauptkörperteil 306 zwischen diesen, und eine Gesamtlänge "L" und eine Gesamthöhe "H" auf. Wie dargestellt, ist der Hauptkörperteil 306 um einen Abstand "d2" in einer Richtung vom Basisendteil 302 versetzt und ist um einen Abstand "d1" in einer anderen Richtung vom Kontaktendteil 304 versetzt. Der Abstand "d2" wäre beispielsweise durch die Dicke einer ersten Maskierungsschicht (vergleiche 104) festgelegt und der Abstand "d1" wäre durch die Dicke einer Endmaskierungsschicht (vergleiche 108) festgelegt. Wie in der schematischen Draufsicht von 3B am besten zu sehen, kann das Kontaktelement 300 verjüngt sein, wobei es mit einer Breitenverjüngung "α" versehen ist, so dass es an seinem Kontaktende 304 schmäler (Breite "w1") ist als an seinem Basisende 302 (Breite "w2").The spring contact element 300 of the 3A and 3B has a base end part 302 , a contact (tip) end part 304 , a main body part 306 between them, and a total length "L" and a total height "H" on. As shown, the main body part is 306 by a distance "d2" in one direction from the base end part 302 is offset by a distance "d1" in a different direction from the contact end part 304 added. The distance "d2" would be, for example, by the thickness of a first masking layer (cf. 104 ) and the distance "d1" would be determined by the thickness of a final masking layer (cf. 108 ). As in the schematic plan view of 3B best to see the contact element 300 it is tapered, being provided with a width taper "α" so that it is at its contact end 304 narrower (width "w1") is as at its base end 302 (Width "w2").

3C ist eine schematische Darstellung eines ähnlichen (zum Kontaktelement 300) Federkontaktelements 350, das einen Basisendteil 352 (vergleiche 302), einen Kontakt-(Spitzen-)Endteil 354 (vergleiche 304) und einen Hauptkörperteil 356 (vergleiche 306) zwischen diesen aufweist. In diesem Beispiel kann das Kontaktelement 350 verjüngt sein, wobei es mit einer Dickenverjüngung "β" versehen ist, so dass es an seinem Kontaktende 304 dünner (Dicke "t2") ist als an seinem Basisende 302 (Dicke "t1"). 3C is a schematic representation of a similar (to the contact element 300 ) Spring contact element 350 that has a base end part 352 (see 302 ), a contact (tip) end part 354 (see 304 ) and a main body part 356 (see 306 ) between them. In this example, the contact element 350 it is tapered, being provided with a thickness taper "β" so that it is at its contact end 304 thinner (thickness "t2") is as at its base end 302 (Thickness "t1").

BEISPIELHAFTE ABMESSUNGENEXEMPLARY DIMENSIONS

Die Federkontaktelemente der vorliegenden Erfindung eignen sich besonders gut zur Herstellung von Verbindungen zwischen Mikroelektronikbauteilen. Unter Verwendung der vorstehend dargelegten Parameter sind geeignete Abmessungen für das Federkontaktelement:The Spring contact elements of the present invention are particularly suitable good for making connections between microelectronic components. Using the parameters set forth above are appropriate Dimensions for the spring contact element:

Figure 00180001
Figure 00180001

ABSTIMMEN DES VERHALTENS DER FEDERKONTAKTELEMENTEVOTING THE BEHAVIOR THE SPRING CONTACT ELEMENTS

Die Möglichkeiten, Federkontaktelemente mit voneinander verschiedenen Längen zu haben, wurde vorstehend erörtert (siehe z. B. 2B). Damit eine Vielzahl von Federkontaktelementen mit verschiedenen Längen, die sich auf einem einzelnen elektronischen Bauteil befinden, alle dieselbe Federkonstante (k) aufweisen, ist es möglich, aber nicht bevorzugt, die Verjüngungswinkel für jedes Kontaktelement auf die mit Bezug auf 3B und 3C erörterte Weise "kundenspezifisch anzupassen". Eine weitere, einfachere Weise zur Vereinheitlichung der Federkonstanten von Federkontaktelementen mit verschiedenen Längen wird mit Bezug auf die 4A und 4B beschrieben.The possibilities of having spring contact elements of mutually different lengths have been discussed above (see e.g. 2 B ). In order for a plurality of different length spring contact elements located on a single electronic component to have the same spring constant (k), it is possible, but not preferred, for the taper angles for each contact element to refer to FIGS 3B and 3C discussed way of "customizing". Another simpler way of standardizing the spring constants of spring contact elements of different lengths will be with reference to FIGS 4A and 4B described.

In beiden Fällen, nämlich, ob das Basisende (302) breiter ist (3B) als das Spitzenende (304) oder das Basisende (352) dicker ist (3C) als das Spitzenende (354), weist das Basisende (302, 352) einen größeren Querschnitt auf als das Spitzenende (304, 354).In both cases, namely, whether the base end ( 302 ) is wider ( 3B ) as the top end ( 304 ) or the base end ( 352 ) is thicker ( 3C ) as the top end ( 354 ), the base end ( 302 . 352 ) has a larger cross section than the tip end ( 304 . 354 ).

4A stellt ein Federkontaktelement 400 dar, das auf einem elektronischen Bauteil 410 hergestellt wurde. Das Federkontaktelement 400 weist ein Basisende 402 (vergleiche (302), ein Kontaktende 404 (vergleiche 304), einen Hauptkörperteil 406 (vergleiche 306) und eine Gesamtlänge (L) zwischen dem Basisende und dem Kontaktende auf. Damit sich das Federkontaktelement 400 so "verhält", als ob es kürzer wäre (z. B. ein Verhalten ähnlich kürzeren Federkontaktelementen auf demselben Bauteil aufweist), sind das Basisende 402 und ein benachbarter Teil des Hauptkörperteils 406 mit einem geeigneten Verkappungsmaterial (z. B. Epoxy) verkappt, um das Federkontaktelement bis zu einem Punkt "P" zu "versteifen", welcher sich in einem Abstand "L1" vom Kontaktende 404 entlang des Körperteils 406 befindet. 4A represents a spring contact element 400 that is on an electronic component 410 was produced. The spring contact element 400 has a base end 402 (compare ( 302 ), a contact end 404 (ver same 304 ), a main body part 406 (see 306 ) and an overall length (L) between the base end and the contact end. So that the spring contact element 400 "behaves" as if it were shorter (eg having a behavior similar to shorter spring contact elements on the same component) are the base end 402 and an adjacent part of the main body part 406 capped with a suitable capping material (e.g., epoxy) to "stiffen" the spring contact element to a point "P" which is a distance "L1" from the contact end 404 along the body part 406 located.

4B stellt ein weiteres Verfahren zum Abstimmen der mechanischen Leistung eines Federkontaktelements 450 (vergleiche 400) dar, das auf einem elektronischen Bauteil 460 (vergleiche 410) hergestellt wurde. Das Federkontaktelement 450 weist ein Basisende 452 (vergleiche 402), ein Kontaktende 454 (vergleiche 404), einen Hauptkörperteil 456 (vergleiche 406) und eine Gesamtlänge (L) zwischen dem Basisende und dem Kontaktende auf. Damit das Federkontaktelement 450 sich so "verhält", als ob es kürzer wäre (z. B. ein Verhalten ähnlich kürzeren Federkontaktelementen auf demselben Bauteil aufweist), "folgt" ein Teil des Hauptkörperteils 456, der zum Basisende 452 benachbart ist, der Oberfläche des Bauteils 460 bis zu einem Punkt "P", an dem es "hochsteigt", so dass es über die Oberfläche des Bauteils angehoben ist. Wie im vorherigen Beispiel (400), befindet sich der Punkt "P" in einem Abstand "L1" vom Kontaktende 454 entlang des Körperteils 456. 4B provides another method for tuning the mechanical performance of a spring contact element 450 (see 400 ), which is on an electronic component 460 (see 410 ) was produced. The spring contact element 450 has a base end 452 (see 402 ), a contact end 454 (see 404 ), a main body part 456 (see 406 ) and an overall length (L) between the base end and the contact end. So that the spring contact element 450 "behaves" as if it were shorter (eg having a behavior similar to shorter spring contact elements on the same component), "follows" a part of the main body part 456 , the base end 452 adjacent to the surface of the component 460 to a point "P" where it "rises" so that it is raised above the surface of the component. As in the previous example ( 400 ), the point "P" is at a distance "L1" from the contact end 454 along the body part 456 ,

Der Teil des Federkontaktelements 450, der entlang der Oberfläche des Bauteils 460 "folgt", ist das "Schwanz"-Ende 462 des Federkontaktelements 450. Außer der Verwendung dieses Verfahrens (4B) zur Vereinheitlichung der Federkonstante, liegt es innerhalb des Schutzbereichs dieser Erfindung, dass die Schwanzenden der Federkontaktelemente, die gemäß der Erfindung ausgebildet werden, sich in einer beliebigen Richtung entlang der Oberfläche des Bauteils (460) erstrecken, um eine "Leitweglenkung" von einem gegebenen Anschluss am Bauteil zu bewirken. Auf diese Weise kann beispielsweise eine periphere Matrix von Bauteilanschlüssen in eine Flächenmatrix von Spitzen (454) überführt werden und umgekehrt. Es liegt auch innerhalb des Schutzbereichs dieser Erfindung, dass die "Schwänze" (462) von zwei oder mehr Federkontaktelementen (450) einander überkreuzen können, um komplexere Leitweglenkschemen zu erleichtern. Es wird auch auf 3D der vorstehend erwähnten PCT/US95/14885 Bezug genommen, die eine Form der Leitweglenkung in Verbindung mit Federkontaktelementen erörtert.The part of the spring contact element 450 running along the surface of the component 460 "follows" is the "tail" end 462 the spring contact element 450 , Except for the use of this method ( 4B ) for standardizing the spring constant, it is within the scope of this invention that the tail ends of the spring contact elements formed according to the invention extend in any direction along the surface of the component ( 460 ) to effect a "routing" of a given port on the component. In this way, for example, a peripheral matrix of component leads into a surface matrix of points ( 454 ) and vice versa. It is also within the scope of this invention that the "tails" ( 462 ) of two or more spring contact elements ( 450 ) can cross each other to facilitate more complex routing schemes. It will also open 3D PCT / US95 / 14885, which discusses a form of routing in conjunction with spring contact elements.

EIN WEITERES AUSFÜHRUNGSBEISPIELANOTHER ONE Embodiment

Wie offensichtlich ist, kann ein großer Grad an Steuerung in der Größe, Form und Orientierung der Federkontaktelemente, die gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt werden, ausgeübt werden.As Obviously, a great deal of control can be in the Size, shape and orientation of the spring contact elements, according to the present Be made invention.

5 stellt ein Federkontaktelement (vergleiche 120) mit einem Basisende 502, einem Kontaktende 504 und einem Körperteil 506 zwischen diesen dar. Bei diesem Beispiel "springt" der Körperteil in der x-y-Ebene (parallel zur Oberfläche des Bauteils, auf dem es hergestellt ist), so dass das Kontaktende 504 an anderen x-, y- und z-Koordinaten liegt als das Basisende 502. Mit anderen Worten, wenn der Körperteil 506 die y-Achse überquert, verschiebt er sich (springt er) in der x-Achse. 5 represents a spring contact element (cf. 120 ) with a base end 502 , a contact end 504 and a body part 506 between them. In this example, the body part "jumps" in the xy plane (parallel to the surface of the component on which it is made) so that the contact end 504 at other x, y, and z coordinates than the base end 502 , In other words, if the body part 506 When crossing the y-axis, it shifts (jumps) in the x-axis.

GESTEUERTE IMPEDANZCONTROLLED IMPEDANCE

Zur Verwendung bei der Sondenprüfung von Halbleiterbauelementen, insbesondere zum Durchführen einer Prüfung mit Geschwindigkeit, ist es vorteilhaft, dass das Federkontaktelement eine gesteuerte Impedanz aufweist.to Use in probe testing of semiconductor devices, in particular for performing a exam With speed, it is advantageous that the spring contact element has a controlled impedance.

Die 6A6C stellen ein Verfahren 600 zum Erzielen einer gesteuerten Impedanz in einem Federkontaktelement gemäß der Erfindung dar.The 6A - 6C illustrate a method 600 for achieving a controlled impedance in a spring contact element according to the invention.

In einem ersten Schritt, der am besten in 6A zu sehen ist, wird ein Federkontaktelement 600 (vergleiche 400) durch sein Basisende 602 (vergleiche 402) an einem Anschluss 612 eines elektronischen Bauteils 610 (vergleiche 410) montiert. Das Kontaktspitzenende 604 (vergleiche 404) ist über die Oberfläche des Bauteils 610 angehoben. Die Federkontaktstruktur weist einen zentralen Körperteil 606 (vergleiche 406) zwischen ihrem Basis- und Spitzenende auf.In a first step, the best in 6A can be seen, is a spring contact element 600 (see 400 ) by its base end 602 (see 402 ) on a connection 612 an electronic component 610 (see 410 ) assembled. The contact tip end 604 (see 404 ) is above the surface of the component 610 raised. The spring contact structure has a central body part 606 (see 406 ) between its base and top ends.

In einem nächsten Schritt, der am besten in 6B zu sehen ist, wird das Spitzenende 604 des Federkontaktelements maskiert (nicht dargestellt) und eine geeignete dünne (z. B. 1–10 μm) Isolationsschicht 620 wie z. B. Parylen wird wie z. B. durch Gasphasenabscheidung auf allem, bis auf das Spitzenende 604 des Federkontaktelements, und der benachbarten Oberfläche des elektronischen Bauteils abgeschieden.In a next step, the best in 6B is seen, the top end 604 the spring contact element is masked (not shown) and a suitable thin (eg 1-10 μm) insulating layer 620 such as B. Parylene is such. B. by vapor deposition on everything, except for the top end 604 the spring contact element, and the adjacent surface of the electronic component deposited.

In einem nächsten Schritt, der am besten in 6B zu sehen ist, wird, während das Spitzenende 604 des Federkontaktelements noch maskiert ist (nicht dargestellt), eine geeignete dünne (z. B. weniger als 0,25 mm) Schicht 622 aus leitendem Material wie z. B. irgendeines des hierin beschriebenen leitenden Metallmaterials wie z. B. durch Sputtern auf allem, bis auf das Spitzenende 604 des Federkontaktelements, und der benachbarten Oberfläche des elektronischen Bauteils abgeschieden. Schließlich wird das Spitzenende 604 von der Maskierung befreit. Dies führt dazu, dass der zentrale Körperteil 606 des Federkontaktelements mit einer leitenden Schicht 622 umhüllt ist, wobei sich eine Isolationsschicht 620 dazwischen befindet.In a next step, the best in 6B is seen while the top end 604 of the spring contact element is still masked (not shown), a suitable thin (eg, less than 0.25 mm) layer 622 made of conductive material such. Example, any of the conductive metal material described herein, such. B. by sputtering on everything, except for the top end 604 the spring contact element, and the adjacent surface of the electronic component deposited. Finally, the top end 604 freed from masking. This causes the central body part 606 the spring contact element with a conductive layer 622 is enveloped, with an insulation layer 620 in between.

Die leitende Schicht 622 wird geeigneterweise mit der Erdung verbunden, damit sie als Masseebene und Steuerung der Impedanz des resultierenden Federkontaktelements fungiert. Wie am besten in 6B zu sehen ist, wird das Bauteil 610 beispielsweise mit einem zweiten Anschluss 614 versehen, der die elektrische Erdung ist. Dieser Anschluss 614 wird geeigneterweise zusammen mit dem Spitzenende 604 des Federkontaktelements vor dem Aufbringen der Isolationsschicht 620 maskiert, so dass die anschließende leitende Schicht 622 sich auch auf diesem abscheidet und mit diesem verbunden wird.The conductive layer 622 is suitably connected to the ground to act as a ground plane and to control the impedance of the resulting spring contact element. How best in 6B can be seen, the component becomes 610 for example with a second connection 614 provided, which is the electrical grounding. This connection 614 will suitably coincide with the top end 604 the spring contact element before the application of the insulating layer 620 masked, leaving the subsequent conductive layer 622 is also deposited on this and is connected to this.

Offensichtlich müssen die Dicken der Schichten 620 und 622 nur ausreichen, damit sie durchgehend sind und die angestrebte gesteuerte Impedanz bereitstellen, und sollten nicht so dick sein, dass sie die mechanische Funktionsweise des Federkontaktelements stören. Die Darstellungen in den 6B und 6C sind nicht maßstäblich gezeichnet.Obviously, the thicknesses of the layers must be 620 and 622 only sufficient to be continuous and provide the desired controlled impedance and should not be so thick as to interfere with the mechanical operation of the spring contact element. The representations in the 6B and 6C are not drawn to scale.

Obwohl die Erfindung im einzelnen in den Zeichnungen und in der vorangehenden Beschreibung dargestellt und beschrieben wurde, soll dasselbe als im Charakter erläuternd und nicht einschränkend betrachtet werden – wobei es selbstverständlich ist, dass nur bevorzugte Ausführungsbeispiele gezeigt und beschrieben wurden. Zweifellos kommen viele weitere "Variationen" an den vorstehend dargelegten "Themen" einem üblichen Fachmann in den Sinn, den die vorliegende Erfindung am nächsten betrifft, und solche Variationen sollen innerhalb des Schutzbereichs der Erfindung, wie hierin offenbart, liegen.Even though the invention in detail in the drawings and in the foregoing Described and described description should be the same as in the character explanatory and not restrictive be considered - where it goes without saying is that only preferred embodiments shown and described. There are undoubtedly many more "variations" on the above presented "topics" a usual Person skilled in the art to which the present invention and such variations are intended to be within the scope of the invention, as disclosed herein.

Die resultierenden Federkontaktelemente können beispielsweise wärmebehandelt werden, um ihre mechanischen Eigenschaften zu verbessern. Irgendwelche Wärme, die mit dem dauerhaften Verbinden (z. B. durch Hartlöten) der Federkontaktelemente mit einem Bauteil verbunden ist, kann auch vorteilhafterweise verwendet werden, um das Material des Federkontaktelements einer "Wärmebehandlung" zu unterziehen.The resulting spring contact elements, for example, heat treated to improve their mechanical properties. any Warmth, with the permanent bonding (eg by brazing) the Spring contact elements connected to a component can also be used advantageously to the material of the spring contact element to undergo a "heat treatment".

Claims (17)

Verfahren zur Herstellung von Federkontaktelementen auf einem Substrat, umfassend: Aufbringen mindestens einer Schicht aus Maskierungsmaterial (104, 106, 108) auf eine Oberfläche eines Substrats (102, 202, 410, 610, 460) und Strukturieren der Maskierungsschicht, so dass sie Öffnungen aufweist, die sich von Flächen (112) auf dem Substrat zu Positionen erstrecken, die oberhalb der Oberfläche des Substrats liegen und die auch seitlich und/oder quer zu den Flächen (112) versetzt sind; Abscheiden mindestens einer Schicht aus einem leitenden Metallmaterial in den Öffnungen; und Entfernen des Maskierungsmaterials (104, 106, 108), so dass das verbleibende leitende Metallmaterial längliche, freistehende Kontaktelemente (120, 210, 300, 400, 500, 600) bildet, die sich von der Oberfläche des Substrats (102, 202, 410, 610, 460) erstrecken, wobei jedes Kontaktelement ein Basisende aufweist, das an einer der Flächen des Substrats befestigt ist, und ein freistehendes Spitzenende zur Herstellung von elektrischen Verbindungen aufweist.A method for producing spring contact elements on a substrate, comprising: applying at least one layer of masking material ( 104 . 106 . 108 ) on a surface of a substrate ( 102 . 202 . 410 . 610 . 460 ) and patterning the masking layer so that it has openings extending from surfaces ( 112 ) extend on the substrate to positions which are above the surface of the substrate and which also laterally and / or transversely to the surfaces ( 112 ) are offset; Depositing at least one layer of a conductive metal material in the openings; and removing the masking material ( 104 . 106 . 108 ), so that the remaining conductive metal material elongated, free-standing contact elements ( 120 . 210 . 300 . 400 . 500 . 600 ) extending from the surface of the substrate ( 102 . 202 . 410 . 610 . 460 ), each contact element having a base end attached to one of the surfaces of the substrate, and having a freestanding tip end for making electrical connections. Verfahren nach Anspruch 1, welches ferner umfasst: vor dem Abscheiden der mindestens einen Schicht aus leitendem Metallmaterial, Impfen (114) der Öffnungen in der mindestens einen Schicht aus Maskierungsmaterial (104, 106, 108).The method of claim 1, further comprising: prior to depositing said at least one layer of conductive metal material, seeding ( 114 ) of the openings in the at least one layer of masking material ( 104 . 106 . 108 ). Verfahren nach Anspruch 1, wobei: das Substrat ein elektronisches Bauteil ist.The method of claim 1, wherein: the substrate is an electronic component. Verfahren nach Anspruch 1, wobei: das Substrat ein Halbleiterbauelement ist.The method of claim 1, wherein: the substrate a semiconductor device. Verfahren nach Anspruch 1, wobei: das Substrat ein Halbleiterwafer ist.The method of claim 1, wherein: the substrate is a semiconductor wafer. Verfahren nach Anspruch 1, welches ferner umfasst: Ausbilden der Öffnungen in der mindestens einen Maskierungsschicht so, dass die Basisenden der resultierenden Federkontaktelemente einen größeren Querschnitt aufweisen als die Spitzenenden der resultierenden Federkontaktelemente.The method of claim 1, further comprising: Forming the openings in the at least one masking layer such that the base ends of the resulting spring contact elements have a larger cross section than the tip ends of the resulting spring contact elements. Mikroelektronisches Federkontaktelement mit: einem länglichen Element mit der Länge "L" mit einem Basisendteil (112, 302, 352, 402, 452, 602), einem Kontaktendteil (124, 302, 404) entgegengesetzt zum Basisendteil und einem zentralen Körperteil (306, 356) benachbart zu jedem des Basis- und des Kontaktendteils; wobei der Kontaktendteil (124, 304, 354, 404, 454, 504, 604) in einer ersten Richtung vom zentralen Teil (306, 356) um einen Abstand "d1" versetzt ist; der Basisendteil in einer zur ersten Richtung entgegengesetzten zweiten Richtung vom zentralen Teil um einen Abstand "d2" versetzt ist; wobei: der Basisendteil sicher an einer Fläche eines ersten elektronischen Bauteils (102, 410, 460, 610) befestigt ist; der Kontaktendteil bei der Verwendung dazu ausgelegt ist, eine Druckverbindung mit einem zweiten elektronischen Bauteil herzustellen; und der Basisendteil (112, 302, 352, 402, 452, 602) und der Kontaktendteil (124, 304, 354, 404, 454, 504, 604) seitlich und vertikal gegeneinander versetzt sind; dadurch gekennzeichnet, dass die seitliche Länge (L) zwischen dem äußeren Ende des Kontaktendteils und dem äußeren Ende des Basisendteils im Bereich von 1524–2540 μm (60–100 mils) liegt; und die Gesamthöhe (H) im Bereich von 101,6–1016 μm (4–40 mils) liegt.A microelectronic spring contact element comprising: an elongate element of length "L" having a base end portion (Fig. 112 . 302 . 352 . 402 . 452 . 602 ), a contact end part ( 124 . 302 . 404 ) opposite to the base end part and a central body part ( 306 . 356 ) adjacent each of the base and contact end portions; wherein the contact end part ( 124 . 304 . 354 . 404 . 454 . 504 . 604 ) in a first direction from the central part ( 306 . 356 ) is offset by a distance "d1"; the base end portion is offset from the central portion by a distance "d2" in a second direction opposite to the first direction; wherein: the base end part securely on a surface of a first electronic component ( 102 . 410 . 460 . 610 ) is attached; the contact end part, in use, is adapted to make a pressure connection with a second electronic part; and the base end part ( 112 . 302 . 352 . 402 . 452 . 602 ) and the contact end part ( 124 . 304 . 354 . 404 . 454 . 504 . 604 ) are laterally and vertically offset from each other; characterized in that the lateral length (L) between the outer end of the contact end portion and the outer end of the base end portion is in the range of 1524-2540 μm (60-100 mils); and the total height (H) is in the range of 101.6-1016 μm (4-40 mils). Mikroelektronisches Federkontaktelement nach Anspruch 7, wobei: das Federkontaktelement am Basisendteil (112, 302, 352, 402, 452, 602) dicker ist als am Kontaktendteil (124, 304, 354, 404, 454, 504, 604).A microelectronic spring contact element according to claim 7, wherein: the spring contact element at the base end portion ( 112 . 302 . 352 . 402 . 452 . 602 ) is thicker than at the contact end part ( 124 . 304 . 354 . 404 . 454 . 504 . 604 ). Mikroelektronisches Federkontaktelement nach Anspruch 7 oder 8, wobei: das Federkontaktelement am Basisendteil breiter ist als am Kontaktendteil.Microelectronic spring contact element according to claim 7 or 8, wherein: the spring contact element at the base end part wider is as at the contact end part. Mikroelektronisches Federkontaktelement nach Anspruch 7, 8 oder 9, wobei: die Gesamthöhe "H" die Summe von "d1", "d2" und einer Dicke am zentralen Körperteil des Elements ist.Microelectronic spring contact element according to claim 7, 8 or 9, wherein: the total height "H" the Sum of "d1", "d2" and a thickness at the central part of the body of the element is. Mikroelektronisches Federkontaktelement nach einem der Ansprüche 7 bis 10, wobei: die Gesamthöhe "H" im Bereich von 127–304,8 μm (5–12 mils) liegt.Microelectronic spring contact element after a the claims 7 to 10, wherein: the total height "H" in the Range of 127-304.8 μm (5-12 mils) lies. Mikroelektronisches Federkontaktelement nach Anspruch 7, wobei das Federkontaktelement eine oder mehrere Schichten aufweist, die aus den Materialien ausgewählt sind, die aus folgendem bestehen: Nickel und seinen Legierungen; Kupfer, Kobalt, Eisen und ihren Legierungen; Gold (insbesondere hartem Gold) und Silber; Elementen der Platingruppe; Edelmetallen; Halbedelmetallen und ihren Legierungen, insbesondere Elementen der Palladiumgruppe und ihren Legierungen; Wolfram, Molybdän und anderen schwer schmelzenden Metallen und ihren Legierungen; und Zinn, Blei, Wismut, Indium und ihren Legierungen.Microelectronic spring contact element according to claim 7, wherein the spring contact element has one or more layers, selected from the materials are, which consist of the following: Nickel and its alloys; Copper, Cobalt, iron and their alloys; Gold (especially hard Gold and silver; Elements of the platinum group; precious metals; semi-precious metals and their alloys, in particular elements of the palladium group and their alloys; Tungsten, molybdenum and other hard-melting Metals and their alloys; and Tin, lead, bismuth, indium and their alloys. Halbleiterbauelement mit einer Vielzahl von Anschlüssen (Bondkontaktstellen) auf einer Oberfläche desselben, welches ferner umfasst: eine Vielzahl von Federkontaktelementen (120, 300, 350, 400, 450) nach einem der Ansprüche 7 bis 12.A semiconductor device having a plurality of terminals (bond pads) on a surface thereof, further comprising: a plurality of spring contact elements ( 120 . 300 . 350 . 400 . 450 ) according to one of claims 7 to 12. Halbleiterbauelement nach Anspruch 13, wobei: jedes Federkontaktelement einen Endteil benachbart zum Basisende aufweist; und die Endteile der Federkontaktelemente eine Leitweglenkung bewirken.A semiconductor device according to claim 13, wherein: each Spring contact element has an end portion adjacent to the base end; and the end portions of the spring contact elements a routing cause. Halbleiterbauelement nach Anspruch 13, wobei die Federkontaktelemente hergestellt werden durch: Aufbringen mindestens einer Schicht aus Maskierungsmaterial auf die Oberfläche des Halbleiterbauelements; Strukturieren der Maskierungsschicht, so dass sie Öffnungen aufweist, die sich von Bondkontaktstellen auf dem Halbleiterbauelement zu Positionen erstrecken, die oberhalb der Oberfläche des Halbleiterbauelements liegen und die auch seitlich und/oder quer zu den Bondkontaktstellen versetzt sind; Abscheiden mindestens einer Schicht aus einem leitenden Metallmaterial in den Öffnungen; und Entfernen des Maskierungsmaterials, so dass das verbleibende leitende Metallmaterial freistehende Federkontaktelemente bildet.The semiconductor device of claim 13, wherein the spring contact elements are fabricated by: applying at least one layer of masking material to the surface of the semiconductor device; Patterning the masking layer to have openings extending from bond pads on the semiconductor device to positions above the surface of the semiconductor device lie and which are also offset laterally and / or transversely to the bonding pads; Depositing at least one layer of a conductive metal material in the openings; and removing the masking material so that the remaining conductive metal material forms freestanding spring contact elements. Halbleiterwafer mit: einer Vielzahl von auf diesem befindlichen Halbleiterbauelementen; einer Vielzahl von Federkontaktelementen nach einem der Ansprüche 7 bis 12, die direkt auf den Halbleiterbauelementen, die sich auf dem Halbleiterwafer befinden, hergestellt sind; wobei die auf dem Halbleiterwafer befindlichen Halbleiterbauelemente zum Voraltern und Prüfen, bevor sie vom Halbleiterwafer vereinzelt werden, bereit sind.Semiconductor wafer with: a variety of on this semiconductor devices located; a variety of spring contact elements according to one of claims 7 to 12, directly on the semiconductor devices located on the semiconductor wafer are made; the ones located on the semiconductor wafer Semiconductor devices for pre-aging and testing before being removed from the semiconductor wafer be isolated, ready. Halbleiterwafer nach Anspruch 16, wobei die Federkontaktelemente hergestellt werden durch: Aufbringen mindestens einer Schicht aus Maskierungsmaterial auf die Oberfläche des Halbleiterwafers; Strukturieren der Maskierungsschicht, so dass sie Öffnungen aufweist, die sich von Bondkontaktstellen auf den Halbleiterbauelementen, die sich auf dem Halbleiterwafer befinden, zu Positionen erstrecken, die oberhalb der Oberfläche des Halbleiterwafers liegen und die auch seitlich und/oder quer zu den Bondkontaktstellen versetzt sind; Abscheiden mindestens einer Schicht aus einem leitenden Metallmaterial in den Öffnungen; und Entfernen des Maskierungsmaterials, so dass das verbleibende leitende Metallmaterial freistehende Federkontaktelemente bildet.A semiconductor wafer according to claim 16, wherein the spring contact elements be made by: Apply at least one layer of masking material on the surface of the semiconductor wafer; Structure the masking layer so that it has openings that are Bond pads on the semiconductor devices, which on the semiconductor wafer, extend to positions that above the surface of the semiconductor wafer and also laterally and / or transversely offset to the bond pads; At least separate a layer of a conductive metal material in the openings; and Remove the masking material, leaving the remaining conductive metal material forms freestanding spring contact elements.
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