DE69628481T2 - Device for reducing signal interference for a liquid crystal display - Google Patents

Device for reducing signal interference for a liquid crystal display Download PDF

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein Treiberschaltungen für Wiedergabegeräte und insbesondere ein System zur Zuführung von Helligkeitssignalen zu Pixeln einer in einer Matrix angeordneten Wiedergabeeinheit wie zum Beispiel einer Flüssigkristallwiedergabe (LCD = liquid crystal display).The present invention relates to general driver circuits for Playback devices and in particular a system for supplying brightness signals to pixels of a display unit arranged in a matrix such as for example a liquid crystal display (LCD = liquid crystal display).

Wiedergabeeinheiten wie Flüssigkristallwiedergaben bestehen aus einer Matrix von Pixeln, die horizontal in Reihen und vertikal in Spalten angeordnet sind. Die wiederzugebenden Videoinformationen werden als Helligkeits (Grauskala)-Signale Datenleitungen zugeführt, die einzeln jeder Spalte von Pixeln zugeordnet sind. Die Reihen von Pixeln werden sequentiell durch Signale abgetastet, die in Reihenauswahlleitungen gebildet werden. Die Kapazität des Pixels für die aktivierte Reihenauswahlleitung wird über die entsprechenden Datenleitungen entsprechend dem Wert des den einzelnen Spalten zugeführten Helligkeitssignals auf verschiedene Helligkeitswerte geladen.Display units such as liquid crystal displays consist of a matrix of pixels arranged horizontally in rows and are arranged vertically in columns. The video information to be played back data lines are supplied as brightness (gray scale) signals are individually assigned to each column of pixels. The series of Pixels are sampled sequentially by signals that are in row select lines be formed. The capacity of the pixel for the activated row selection line is via the corresponding data lines corresponding to the value of the brightness signal supplied to the individual columns loaded to different brightness values.

Amorphes Silizium war die bevorzugte Technologie für die Herstellung von Flüssigkristallanzeigen, weil dieses Material bei niedrigen Temperaturen hergestellt werden kann. Eine niedrige Herstellungstemperatur ist wichtig, weil sie die Anwendung von üblichen, leicht verfügbaren und kostengünstigen Substratmaterialien ermöglicht. Jedoch kann die Anwendung von Dünnfilmtransistoren aus amorphem Silizium (a-Si TFTs) in peripheren integrierten Pixeltreibern wegen der niedrigeren Mobilität, der Drift der Schwellwertspannung und der Verfügbarkeit von verbesserten Metalloxidhalbleiter (N-MOS)-Transistoren nur vom N-Typ Herstellungsschwierigkeiten bereiten.Amorphous silicon was the preferred Technology for the production of liquid crystal displays, because this material is made at low temperatures can. A low manufacturing temperature is important because of it the application of usual, readily available and inexpensive substrate materials allows. However, the use of thin film transistors made of amorphous silicon (a-Si TFTs) in peripheral integrated pixel drivers because of the lower mobility, the drift of the threshold voltage and the availability of improved metal oxide semiconductors Only make N-type (N-MOS) transistors difficult to manufacture.

In einer aktiven Matrixwiedergabe enthält jedes Pixelelement eine Schalteinheit, die das Videosignal dem Pixel zuführt. Im allgemeinen ist die Schalteinheit ein TFT, der die Helligkeitsinformation von der Festkörperschaltung empfängt. Da sowohl die TFTs als auch die Schaltung aus Festkörpereinheiten bestehen, ist es vorzuziehen, die TFTs und die Treiberschaltung gleichzeitig unter Anwendung einer Technologie mit amorphem Silizium oder Polysilizium herzustellen. Die US 5 170 155 auf den Namen von Plus et al., mit dem Titel "System for Applying Brightness Signals To A Display Device And Comparator Therefore" beschreibt ein Beispiel einer Datenleitung oder von Spaltentreibern einer LCD.In an active matrix display, each pixel element contains a switching unit that supplies the video signal to the pixel. In general, the switching unit is a TFT that receives the brightness information from the solid state circuit. Since both the TFTs and the circuit consist of solid state units, it is preferable to fabricate the TFTs and the driver circuit at the same time using amorphous silicon or polysilicon technology. The US 5 170 155 in the name of Plus et al., entitled "System for Applying Brightness Signals To A Display Device And Comparator Therefore" describes an example of a data line or column drivers of an LCD.

Wegen der parasitären Kopplung zwischen den Spaltendatenleitungen und den Reihenauswahlleitungen ist die in den Datenleitungen gebildete Datenrampenspannung kapazitiv mit jeder der Reihenauswahlleitungen gekoppelt und erzeugt darin ein parasitäres Störsignal. Es ist erwünscht, zu verhindern, dass ein derartiges parasitäres Signal in den Reihenauswahlleitungen entsteht, um eine falsche Auswahl einer Reihe zu verhindern. Eine mögliche Lösung wurde in der EP-A-0 570 001 vorgeschlagen.Because of the parasitic coupling between the column data lines and the row select lines is that formed in the data lines Data ramp voltage capacitive with each of the row select lines coupled and generates a parasitic interference signal. It is desirable to prevent such a parasitic signal in the row select lines is created to prevent wrong selection of a row. A was possible solution in EP-A-0 570 001.

Eine Zeilenauswahl-Treiberschaltung wird in erwünschter Weise direkt auf demselben Substrat und gleichzeitig mit der Herstellung der Flüssigkristallzellen hergestellt. Ein Beispiel eines bekannten Abtast- oder Schieberegisters, das die Reihenauswahlleitungen steuert, ist beschrieben in der US 5 222 082 , das mit einer Flüssigkristallwiedergabeeinheit integriert sein kann. Ein Ausgangsbereich des Registers ist als Gegentaktverstärker ausgebildet, der durch TFT's gebildet sein kann. Wenn eine bestimmte Reihe vorgewählt wird, wird ein sogenannter Pulldown (Herunterzieh)-TFT des Gegentaktverstärkers eingeschaltet, um eine geeignete Impedanz an eine Klemme eines Reihenzeilenleiters der nicht-gewählten Reihe anzulegen. Dadurch wird das oben genannte parasitäre Signal kurzgeschlossen oder daran gehindert, eine nennenswerte Größe an dem Reihenzeilenleiter zu entwickeln.A row select driver circuit is desirably fabricated directly on the same substrate and simultaneously with the manufacture of the liquid crystal cells. An example of a known scan or shift register that controls the row select lines is described in US Pat US 5 222 082 , which can be integrated with a liquid crystal display unit. An output area of the register is designed as a push-pull amplifier, which can be formed by TFTs. When a particular row is preselected, a so-called pull-down TFT of the push-pull amplifier is turned on to apply an appropriate impedance to a terminal of a row row conductor of the row not selected. This short-circuits the parasitic signal mentioned above or prevents it from developing a significant size on the row row conductor.

Jeder Reihenzeilenleiter wird während des größten Teils eines Aktualisierungszyklus oder einer Vollbildzeit nicht gewählt. Daher sind die Pulldown-TFT's während der meisten Zeit leitend und unterliegen einer Überbeanspruchung.Each row row conductor is for the most part an update cycle or a frame time is not selected. Therefore are the pulldown TFT's while most of the time conductive and subject to overuse.

Um die Schwellwertspannung-Drift in dem Pulldown-TFT zu verringern, ist es erwünscht, eine nennenswerte Ansteuerung des Pulldown-TFT zu vermeiden. Daher ist es erwünscht, die Größe des Stromes zu verringern, den der Pulldown-TFT zum Leiten benötigt. In vorteilhafter Weise wird durch Verringerung des Störsignals der Strom, den der Pulldown-TFT zum Leiten benötigt, verringert. Daher wird der Pulldown-TFT in der Schaltung weniger kritisch.Around the threshold voltage drift in the pulldown TFT, it is desirable to have a significant drive avoid the pulldown TFT. Therefore, it is desirable the size of the stream the pulldown TFT needs to conduct. In is advantageous by reducing the interference signal the current that the pulldown TFT needs to conduct is reduced. Hence the Pulldown TFT in the circuit less critical.

Eine Videowiedergabevorrichtung mit einem Aspekt der Erfindung liefert ein Videosignal zu den Pixeln, die in mehreren Reihen und in mehreren Spalten in einer Anordnung einer Wiedergabeeinheit angeordnet sind. Die Vorrichtung enthält mehrere Reihenauswahl-Zeilentreiber für die sukzessiv erfolgende Zuführung der Reihenauswahlsignale zu mehreren Reihenauswahlleitungen. Mehrere Datenleitungstreiber liefern das Videosignal zu mehreren Datenleitungen, die den mehreren Spalten zugeordnet sind. Ein Verstärker wird durch Störsignale gesteuert, die in den entsprechenden Leitungen der Anordnung entstehen und einem Eingang des Verstärkers über eine erste zusätzliche, sogenannte Dummy (Blind)-Leitung zugeführt werden, die wenigstens teilweise mit den entsprechenden Leitungen verbunden ist, zur Erzeugung eines verstärkten Ausgangssignals. Das Ausgangs-signal ist eine Anzeige für die Störsignale und wird in einer Gegenkopplung über die zusätzliche Dummyleitung der Anordnung den das Störsignal bildenden Leitungen zugeführt, um die Störsignale nennenswert zu verringern, so dass jede der zusätzlichen Leitungen schräg oder transvers und kapazitiv mit einer der das Störsignal liefernden Leitungen gekoppelt ist.A video player with one aspect of the invention provides a video signal to the pixels, those in multiple rows and multiple columns in an array a playback unit are arranged. The device contains several row selection row drivers for the successive feeding the row select signals to multiple row select lines. Several Data line drivers deliver the video signal to multiple data lines, assigned to the multiple columns. An amplifier becomes by interference signals controlled, which arise in the corresponding lines of the arrangement and an input of the amplifier via a first additional, So-called dummy (blind) line are supplied, at least is partially connected to the corresponding lines for generation one reinforced Output signal. The output signal is an indication of the interference signals and is in negative feedback about the additional Dummy line of the arrangement of the lines forming the interference signal supplied around the interference signals to reduce significantly, so that each of the additional lines oblique or transverse and capacitive with one of the interfering signal supply lines is coupled.

In vorteilhafter Weise können ähnliche Störbeseitigungsanordnungen für andere Wiedergabeeinheiten als LCD-Wiedergabeeinheiten angewendet werden, die Matrices für die Adressierung der Pixel benutzen, wie zum Beispiel eine Plasmaentladungswiedergabe.Advantageously, similar interference removal arrangements can be used for display units other than LCD display units, the matrices for the addressing of the pixels use, such as a plasma discharge display.

1 zeigt ein Blockschaltbild eines Schieberegisters mit mehreren kaskadenförmig angeordneten Stufen, 1 1 shows a block diagram of a shift register with a plurality of stages arranged in a cascade,

2 zeigt ein Schaltbild einer Schieberegisterstufe mit einem Aspekt der Erfindung, die in dem Schieberegister von 1 angewendet werden kann. 2 FIG. 3 shows a circuit diagram of a shift register stage with an aspect of the invention contained in the shift register of FIG 1 can be applied.

3a3d sind Kurvendiagramme und zeigen das relative Timing der Ausgangssignale und der entsprechenden Taktsignale an den jeweiligen Punkten des Schieberegisters von 1 unter Anwendung der in 2 dargestellten Stufen, 3a - 3d are graphs showing the relative timing of the output signals and the corresponding clock signals at the respective points of the shift register of 1 using the in 2 illustrated levels,

4 ist ein Schaltbild einer Kompensationsanordnung für eine Änderung der Schwellwertspannung mit einem Aspekt der Erfindung für die Schaltung von 2, 4 FIG. 10 is a circuit diagram of a compensation arrangement for changing the threshold voltage with an aspect of the invention for the switching of FIG 2 .

5 zeigt eine Kurve zur Erläuterung des Betriebs der Schaltung von 4, 5 shows a curve for explaining the operation of the circuit of FIG 4 .

6 zeigt eine Flüssigkristallwiedergabe mit einer Störunterdrückungsanordnung zur Verringerung eines Stroms in einer Ausgangsstufe des Schieberegisters von 2, und 6 shows a liquid crystal display with a noise suppression arrangement for reducing a current in an output stage of the shift register of 2 , and

7 zeigt einen Verstärker der Schaltung von 6 im Detail. 7 shows an amplifier of the circuit of 6 in detail.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNGDETAILED DESCRIPTION

2 zeigt eine beispielhafte Stufe n eines Schieberegisters 100 von 1. Das Schieberegister 100 von 1 steuert Reihenauswahlleitungen 118 einer Flüssigkristall-Wiedergabematrix, die in 1 nicht dargestellt ist. In dem Schieberegister 100 sind die Stufen n – 1, n, n + 1 und n + 2 in einer Kaskadenanordnung miteinander verbunden. Ein Ausgangssignal einer bestimmten Stufe wird einem Eingang der unmittelbar in der Kette folgenden Stufe zugeführt. Zum Beispiel wird ein Ausgangsimpuls OUTn – 1 der vorangehenden Stufe n – 1 in der Kette des Registers 100 einer Eingangsklemme 12 der Stufe n von 2 zugeführt. Als Beispiel sind nur vier Stufen n – 1, n, n + 1 und n + 2 dargestellt. Jedoch ist die Gesamtzahl der Stufen n in der Kette des Registers 100 wesentlich größer. Das Schieberegister 100 kann als ein sogenanntes "walking one"-Schieberegister bezeichnet werden. Das ist der Fall, weil ein sogenannter WAHR (TRUE)-Status sich während einer Videovollbildzeit über das Register 100 verbreitet. 2 shows an exemplary level n of a shift register 100 of 1 , The shift register 100 of 1 controls row selection lines 118 a liquid crystal display matrix, which in 1 is not shown. In the shift register 100 stages n - 1, n, n + 1 and n + 2 are connected in a cascade arrangement. An output signal of a certain stage is fed to an input of the stage immediately following in the chain. For example, an output pulse OUTn - 1 of the previous stage n - 1 in the chain of the register 100 an input terminal 12 level n of 2 fed. As an example, only four stages n-1, n, n + 1 and n + 2 are shown. However, the total number of levels is n in the chain of the register 100 much larger. The shift register 100 can be called a "walking one" shift register. This is because a so-called TRUE status moves through the register during a video frame time 100 common.

Ein Taktgenerator 101 von 1 erzeugt ein Dreiphasen-Taktsignal (Taktsignale C1, C2 und C3) mit Kurvenformen, die in den 3d, 3c bzw. 3b dargestellt sind. Der Impuls des Signals OUTn – 1 von 3a wird erzeugt, wenn der Impuls des Taktsignals C3 der Stufe n – 1 von 1 zugeführt wird. Gleiche Symbole und Bezugszeichen in den 1, 2 und 3a3d bezeichnen gleiche Teile oder Funktionen.A clock generator 101 of 1 generates a three-phase clock signal (clock signals C1, C2 and C3) with waveforms that are in the 3d . 3c respectively. 3b are shown. The pulse of the signal OUTn - 1 from 3a is generated when the pulse of the clock signal C3 of level n - 1 of 1 is fed. Same symbols and reference symbols in the 1 . 2 and 3a - 3d designate the same parts or functions.

Das Signal OUTn – 1 von 1 entsteht an der Eingangsklemme 12 der Stufe n von 2. Das Signal OUTn – 1 mit dem Wert HIGH oder "1" wird über einen Transistor 18 von 2, der als ein Schalter arbeitet, einer Klemme 18a zur Bildung eines Steuersignals P1 zugeführt. Unmittelbar vor dem Auftreten des Taktsignals C1 wird das Signal P1 an der Klemme 18a unter Anwendung eines sogenannten Bootstrap-Vorgangs durch das Taktsignal C3 auf eine höhere Spannung hochgesetzt, die über einen Kondensator 31 der Klemme 18a zugeführt wird. Das Signal OUTn – 1 der Stufe n – 1, das der Eingangsklemme 12 der Stufe n zugeführt wird, wird außerdem der Gateelektrode eines Transistors 21 zugeführt. Eine Drainelektrode des Transistors 21 wird über eine Klemme 21a mit der Gateelektrode eines Transistors 19 und der Gateelektrode eines sogenannten Pulldown-Transistors 17 zugeführt. Dadurch werden beide Transistoren 19 und 17 nichtleitend gemacht.The signal OUTn - 1 from 1 arises at the input terminal 12 level n of 2 , The signal OUTn - 1 with the value HIGH or "1" is via a transistor 18 of 2 that works as a switch, a clamp 18a fed to form a control signal P1. Immediately before the occurrence of the clock signal C1, the signal P1 is on the terminal 18a boosted to a higher voltage by a clock signal C3 using a so-called bootstrap process, via a capacitor 31 the clamp 18a is fed. The signal OUTn - 1 of level n - 1, that of the input terminal 12 the stage n is also applied to the gate electrode of a transistor 21 fed. A drain electrode of the transistor 21 is over a clamp 21a with the gate electrode of a transistor 19 and the gate electrode of a so-called pulldown transistor 17 fed. This will make both transistors 19 and 17 made non-conductive.

Der Wert HIGH oder "1" des Signals P1 wird vorübergehend in einer nicht dargestellten Kapazität zwischen den Elektroden und in einem Kondensator 30 gespeichert. Das Signal P1, das an dem Gate eines Ausgangstransistors 16 entsteht, bewirkt, dass der Ausgangstransistor 16 leitend wird. Das Taktsignal C1 von 3d wird über den Transistor 16 der Ausgangsklemme 13 zugeführt, wenn die Klemme 18a bei "1" liegt. Parasitäre Kapazitäten CP zwischen den Elektroden neigen zu einem sogenannten "Bootstrap" der Spannung an der Klemme 18a, die eine zusätzliche Ansteuerung für den Transistor 16 bildet. Dadurch wird ein Ausgangsimpulssignal OUTn an der Ausgangsklemme 13 des Registers n gebildet. Während dieses Intervalls wird der Pulldown-Transistor 17 durch die Wirkung des Transistors 21 nichtleitend gemacht und hat dann keine Wirkung auf das Signal OUTn.The value HIGH or "1" of the signal P1 is temporarily in a capacitance, not shown, between the electrodes and in a capacitor 30 saved. The signal P1, which is at the gate of an output transistor 16 arises, causes the output transistor 16 becomes a leader. The clock signal C1 from 3d is about the transistor 16 the output terminal 13 fed when the clamp 18a is "1". Parasitic capacitances CP between the electrodes tend to "bootstrap" the voltage at the terminal 18a which is an additional control for the transistor 16 forms. This will result in an output pulse signal OUTn at the output terminal 13 of the register n is formed. During this interval the pulldown transistor 17 through the action of the transistor 21 made non-conductive and then has no effect on the signal OUTn.

Das Signal OUTn der Stufe n wird einer Eingangsklemme der darauffolgenden Stufe n + 1 von 1 zugeführt. Die Stufe n + 1 arbeitet ähnlich wie die Stufe n, mit Ausnahme der Anwendung des Taktsignals C2 anstelle des Taktsignals C1 in der Stufe n zum Einschalten des entsprechenden Transistors. Wenn das Taktsignal C1 den inaktiven Wert LOW oder "0" annimmt, bleibt der Transistor 16 eingeschaltet, bis das Signal P1 auf "0" geht. Das OUTn der Stufe n geht aufgrund der Entladung über den Transistor 16 auf "0", wenn das Taktsignal C1 "0" ist.The signal OUTn of stage n becomes an input terminal of the subsequent stage n + 1 of 1 fed. Stage n + 1 works similarly to stage n, with the exception of using clock signal C2 instead of clock signal C1 in stage n to turn on the corresponding transistor. If the clock signal C1 assumes the inactive value LOW or "0", the transistor remains 16 switched on until the signal P1 goes to "0". The stage n OUTn goes through the transistor due to the discharge 16 to "0" when the clock signal C1 is "0".

Ein Transistor 25 liegt mit seinem Drain/Source-Leitweg zwischen der Klemme 18a und einer Referenzspannung VSS1, die ausreicht, den Pullup-Transistor 16 auszuschalten, wenn der Transistor 25 leitend ist. Das Gate des Transistors 25 der Stufe n wird einer Ausgangsklemme der darauffolgenden Stufe n + 2 in der Kette von 1 geführt und durch ein Ausgangssignal OUTn + 2 gesteuert.A transistor 25 lies with its drain / source route between the terminal 18a and a reference voltage VSS1 sufficient, the pull-up transistor 16 turn off when the transistor 25 is leading. The gate of the transistor 25 level n becomes an output terminal of the subsequent level n + 2 in the chain of 1 guided and controlled by an output signal OUTn + 2.

Der Impuls des Signals OUTn + 2 erscheint gleichzeitig mit dem Taktsignal C3 von 3b. Der Impuls des Signals OUTn + 2 bewirkt, dass der Transistor 25 von 2 die zuvor genannte Kapazität CP zwischen den Elektroden an der Klemme 18a entlädt. Der Transistor 25 klemmt das Signal an der Klemme 18a auf einen Wert, der verhindert, das der Transistor 16 einen zusätzlichen Impuls des Signals OUTn erzeugt, wenn der unmittelbar folgende Impuls des Taktsignals C1 auftritt.The pulse of the signal OUTn + 2 appears simultaneously with the clock signal C3 from 3b , The pulse of the signal OUTn + 2 causes the transistor 25 of 2 the aforementioned capacitance CP between the electrodes on the terminal 18a discharges. The transistor 25 the signal is stuck at the terminal 18a to a value that prevents the transistor 16 generates an additional pulse of the signal OUTn when the immediately following pulse of the clock signal C1 occurs.

Der Impuls des Signals OUTn + 2 wird außerdem zum Einschalten eines Transistors 20 dem Gate des Transistors 20 zugeführt. Der Transistor 20 liefert eine Spannung VDD mit einem weiteren erfindungsgemäßen Merkmal zu der Klemme 21a zum Einschalten der Transistoren 17 und 19. Nach dem Impuls des Signals OUTn + 2 wird der Transistor 20 ausgeschaltet. Jedoch speichert ein Kondensator 32, der an das Gate der Transistoren 17 und 19 angeschlossen ist, durch den Betrieb des Transistors 20 eine Ladung. Die gespeicherte Ladung in dem Kondensator 32 hält die Transistoren 17 und 19 bis zum nächsten Abtastzyklus leitend, wenn das Signal an der Klemme 12 bewirkt, dass der Transistor 21 eingeschaltet wird und dadurch die Transistoren 17 und 19 ausgeschaltet werden. Der Kondensator 32 bewirkt außerdem eine Störfilterung für das Signal an der Klemme 12.The pulse of the OUTn + 2 signal also turns on a transistor 20 the gate of the transistor 20 fed. The transistor 20 supplies a voltage VDD to the terminal with a further feature according to the invention 21a to turn on the transistors 17 and 19 , After the pulse of the signal OUTn + 2, the transistor 20 switched off. However, a capacitor stores 32 to the gate of the transistors 17 and 19 is connected by the operation of the transistor 20 a load. The stored charge in the capacitor 32 holds the transistors 17 and 19 conductive until the next sampling cycle if the signal at the terminal 12 causes the transistor 21 is turned on and thereby the transistors 17 and 19 turned off. The condenser 32 also causes interference filtering for the signal at the terminal 12 ,

Solange der Transistor 17 leitend ist, arbeitet er als Pulldown-Transistor zur Bildung einer geeigneten Impedanz an der Klemme 13. Somit nimmt der Transistor 17 einen Strom i17 auf. In vorteilhafter Weise ist die Drain/Source-Impedanz des Transistors 17 ausreichend niedrig, um den hohen Wert "1" auf der Reihenauswahlleitung zu entladen, und zusätzlich sollte sie ausreichend niedrig sein, jegliche parasitären Ströme aufzunehmen, die von den Spaltenleitungen der LCD-Matrix der Reihenauswahlleitung zugeführt werden. Wenn parasitäre Ströme nicht durch den Transistor 17 abgeleitet werden, können sie Spannungen erzeugen, die auf einen großen Wert ansteigen, der ausreichend groß ist, eine falsche Auswahl in der darauffolgende Registerstufe zu bewirken. Somit kann eine falsche Auswahl verhindert werden, vorausgesetzt, dass die Schwellwertspannung des Transistors 17 über die Lebensdauer nicht nennenswert ansteigt. Wenn der Transistor 19 leitend ist, verhindert er in vorteilhafter Weise, dass die Taktsignale C1 und C3 den Transistor 16 einschalten.As long as the transistor 17 is conductive, it works as a pulldown transistor to form a suitable impedance at the terminal 13 , So the transistor takes 17 a current i17. The drain / source impedance of the transistor is advantageous 17 sufficiently low to discharge the high value "1" on the row select line, and in addition, it should be sufficiently low to accommodate any parasitic currents supplied from the column lines of the LCD matrix to the row select line. If parasitic currents are not through the transistor 17 derived, they can generate voltages that increase to a large value that is sufficiently large to cause an incorrect selection in the subsequent register stage. Thus, an incorrect selection can be prevented, provided that the threshold voltage of the transistor 17 does not increase significantly over the service life. If the transistor 19 is conductive, it advantageously prevents the clock signals C1 and C3 from the transistor 16 turn on.

Ein Impuls an jeder Ausgangsklemme des Registers 100 von 1, zum Beispiel der Impuls des Signals OUTn + 2, erscheint nur einmal während eines Vertikalintervalls von ungefähr 16,6 Millisekunden. Daher wird in vorteilhafter Weise keiner der geschalteten Transistoren 18, 16, 20 und 25 der Stufe n von 2 während jedes Vertikalintervalls für mehr als eine Taktperiode für eine Leitung vorgespannt. Andererseits werden die Transistoren 17 und 19 während des größten Teils des Vertikalintervalls für eine ständige Leitung vorgespannt. Es kann erwünscht sein, die den Transistoren 17 und 19 zugeführten Spannungen zu verringern, die bewirken können, dass die Schwellwertspannungen der Transistoren 17 und 19 ansteigen und ihre Fähigkeiten zur Stromaufnahme oder Stromableitung abnehmen.One pulse at each register output terminal 100 of 1 , for example the pulse of the signal OUTn + 2, appears only once during a vertical interval of approximately 16.6 milliseconds. Therefore, advantageously none of the switched transistors 18 . 16 . 20 and 25 level n of 2 biased for more than one clock period for a line during each vertical interval. On the other hand, the transistors 17 and 19 biased for permanent conduction during most of the vertical interval. It may be desirable to use the transistors 17 and 19 reduce supplied voltages that can cause the threshold voltages of the transistors 17 and 19 increase and their abilities to draw or dissipate electricity decrease.

Um die Belastung der Transistoren 17 und 19 zu verringern, wird das Signal P2 an dem Gate des Transistors 17 bei einem Spannungswert ausgebildet, der zu Beginn der Lebensdauer um nicht mehr als zum Beispiel 2 Volt größer ist als die Schwellwertspannung des Transistors 17. Da die Schwellwertspannung VTH des Transistors 17 aufgrund einer Überbeanspruchung ansteigt, ist es erwünscht, einen derartigen Anstieg in der Schwellwertspannung VTH in einer Weise zu kompensieren, die die Fähigkeit zur Stromleitung der Transistoren 17 und 19 über die Lebensdauer im wesentlichen konstant hält.To the load on the transistors 17 and 19 to decrease the signal P2 at the gate of the transistor 17 formed at a voltage value that is not more than, for example, 2 volts greater than the threshold voltage of the transistor at the beginning of the service life 17 , Since the threshold voltage VTH of the transistor 17 due to an overuse, it is desirable to compensate for such an increase in the threshold voltage VTH in a manner that improves the ability to conduct the transistors 17 and 19 keeps essentially constant over the service life.

In vorteilhafter Weise wird die variable Spannung VDD, die die Leitfähigkeit der Transistoren 17 und 19 steuert, in einer Weise erhöht, um die Abweichung der Schwellwertspannung in den Transistoren 17 und 19 während der Lebensdauer anzupassen. Die Änderung in der Spannung VDD verhindert zum Beispiel eine Abnahme in der Leitfähigkeit des Transistors 17, die aus einem Drift in der Schwellwertspannung der Spannung VTH des Transistors 17 resultieren könnte.Advantageously, the variable voltage VDD, which is the conductivity of the transistors 17 and 19 controls, increased in a way to the deviation of the threshold voltage in the transistors 17 and 19 to adapt during the lifespan. The change in voltage VDD prevents, for example, a decrease in the conductivity of the transistor 17 resulting from a drift in the threshold voltage of the voltage VTH of the transistor 17 could result.

4 zeigt eine Schaltung 40 zur Kompensation des Drift der Schwellwertspannung, die die Spannung VDD der 2 und 4 erzeugt. Mit Ausnahme des TFT 199 werden die Schaltungsbauteile der Schaltung 40 getrennt von dem Schieberegister 100 von 1 ausgebildet, so dass alle anderen Transistoren der Schaltung 40 einzelne Kristalltransistoren und keine TFT's sein können. Der TFT 199 wird zusammen mit dem Schieberegister 100 von 1 auf dem Glas der LCD ausgebildet und dient zur Ermittlung jeglichen Schwellwertdrifts in den TFT's. 4 shows a circuit 40 to compensate for the drift of the threshold voltage, which is the voltage VDD 2 and 4 generated. With the exception of the TFT 199 become the circuit components of the circuit 40 separate from the shift register 100 of 1 formed so that all the other transistors of the circuit 40 can be single crystal transistors and not TFT's. The TFT 199 is together with the shift register 100 of 1 formed on the glass of the LCD and is used to determine any threshold drifts in the TFTs.

In der Schaltung 40 liegt ein MOS-Transistor 41 vom P-Typ in Reihe mit einem Widerstand 42 zur Erzeugung eines vorbestimmten konstanten Steuerstroms in dem Transistor 41. Ein Transistor 43 ist mit dem Transistor 41 in Form eines sogenannten Stromspiegels verbunden. Somit ist der Strom i43 in dem Transistor 43 durch den Transistor 41 stromspiegel-gesteuert. Der Strom i43 wird einer Reihenschaltung eines Transistors 44, eines Transistors 45 und eines TFT 199 vom N-Typ zugeführt. Als Ergebnis des Stroms i43 wird eine Schwellwertspannung-Kompensationsspannung 46 über der Reihenschaltung an der Klemme 46 gebildet.In the circuit 40 there is a MOS transistor 41 P-type in series with a resistor 42 for generating a predetermined constant control current in the transistor 41 , A transistor 43 is with the transistor 41 connected in the form of a so-called current mirror. Thus the current i43 is in the transistor 43 through the transistor 41 current mirror controlled. Current i43 becomes a series connection of a transistor 44 , a transistor 45 and a TFT 199 supplied by the N type. As a result of the current i43 becomes a threshold voltage compensation voltage 46 above the series connection at the terminal 46 educated.

Die Gateelektrode des TFT 199 ist mit seiner Drainelektrode verbunden. Daher ist die Source/Drain-Spannung V199 über dem TFT 199 gleich der Source/Gate-Spannung des TFT 199. Die Gate/Source-Spannung V199 über dem TFT 199 bildet einen ersten Teil der Spannung 46a. Die Spannung V199 ist eine Anzeige für die Schwellwertspannung des Transistors 199. Da der TFT 199 ähnliche Schwellwert-Spannungsänderungseigenschaften wie der Transistor 17 von 2 hat, ist die Spannung V199 ebenfalls eine Anzeige für die Schwellwertspannung VTH des Transistors 17. Für eine leichtere Bemessung ist der TFT 199 ein größerer Transistor. Daher dient eine relativ größerer Wert des Stroms i43 als der, der in dem Transistor 17 fließt, zur Bildung der Spannung V199. Wenn aufgrund einer Überbeanspruchung ein Anstieg in der Schwellwertspannung VTH in dem Transistor 17 von 2 auftritt, erfolgt wegen der Ähnlichkeit der Eigenschaften und der Beanspruchung ein entsprechender Anstieg in der Spannung V199 von 4.The gate electrode of the TFT 199 is connected to its drain electrode. Therefore, the source / drain voltage is V199 across the TFT 199 equal to the source / gate voltage of the TFT 199 , The gate / source voltage V199 across the TFT 199 forms a first part of the tension 46a , Voltage V199 is an indication of the threshold voltage of the transistor 199 , Since the TFT 199 similar threshold voltage change characteristics as the transistor 17 of 2 voltage V199 is also an indication of the threshold voltage VTH of the transistor 17 , The TFT is for easier dimensioning 199 a larger transistor. Therefore, a relatively larger value of current i43 than that in the transistor serves 17 flows to form voltage V199. If due to an overuse an increase in the threshold voltage VTH in the transistor 17 of 2 occurs, because of the similarity of the properties and the stress, there is a corresponding increase in the voltage V199 from 4 ,

Jeder der Transistoren 44 und 45, die in Reihe mit dem TFT 199 liegen, ist mit seinem Gate mit seinem Drain verbunden und enthält eine Substratklemme, die über einen Kondensator 48 mit einem Referenzwert G verbunden ist. Ein Teil der Spannung 46a, die in den Transistoren 44 und 45 entsteht, wird zur Erzeugung der Spannung 46a zu der Spannung V199 addiert. Auf diese Weise wird die Spannung 46a um ungefähr 2 V größer als die Spannung V199. Die Spannung V199 ist im wesentlichen gleich der Schwellwertspannung VTH des Transistors 17 von 2 und steigt an, wenn die Spannung VTH ansteigt.Each of the transistors 44 and 45 that are in series with the TFT 199 lie, is connected with its gate to its drain and contains a substrate clamp, which is connected via a capacitor 48 is connected to a reference value G. Part of the tension 46a that are in the transistors 44 and 45 arises, is used to generate the tension 46a added to voltage V199. This way the tension 46a approximately 2 V greater than voltage V199. The voltage V199 is substantially equal to the threshold voltage VTH of the transistor 17 of 2 and increases as the voltage VTH increases.

Die Spannung 46a wird einem nicht-invertierenden Verstärker mit der Verstärkung eins zur Erzeugung der Spannung VDD zugeführt, die gleich der Spannung 46a ist. Die Spannung VDD wird über den Transistor 20 von 2 zur Änderung des Spannungswertes des Signals P2 des Transistors 17 zugeführt.The voltage 46a is fed to a non-inverting amplifier with gain one to generate the voltage VDD which is equal to the voltage 46a is. The voltage VDD is across the transistor 20 of 2 to change the voltage value of the signal P2 of the transistor 17 fed.

Die oben genannte Spannungsdifferenz von zum Beispiel 2 V, die durch die Transistoren 44 und 45 von 4 erzeugt wird, wird zu Beginn des Servicebetriebs der LCD erreicht. Während der Betriebsstunden steigt die Schwellwertspannung des Transistors 199 an. Es kann erwünscht sein, dass die Spannung 46a um mehr ansteigt als die Spannung V199, um dieselbe Leitfähigkeit in dem Transistor 17 von 2 aufrechtzuerhalten.The above voltage difference of, for example, 2 V through the transistors 44 and 45 of 4 is generated, the LCD is reached at the start of service operation. The threshold voltage of the transistor increases during the operating hours 199 on. It may be desirable that the tension 46a increases by more than voltage V199, by the same conductivity in the transistor 17 of 2 maintain.

In vorteilhafter Weise ist das Substrat bei einem Wert vorgespannt, der kleiner ist als die Sourcespannung jeder der Transistoren 44 und 45, wie oben erläutert. Ein Anstieg in der Spannung V199 erzeugt eine Kanalmodulation in jedem der Transistoren 44 und 45. Die Kanalmodulation entsteht durch die Zunahme der Source/Substrat-Spannung. Daher steigt der Widerstand jeder der Transistoren 44 und 45 mit der Zunahme der Spannung V199 an. Auf diese Weise wird in vorteilhafter Weise die Spannung 46a in einer nichtlinearen Weise erhöht. Die Zunahme in der Spannung 46a ist proportional größer, als wenn die Transistoren 44 und 45 als lineare Widerstände oder als einfache Pegelschieber arbeiten würden. In vorteilhafter Weise kann auf diese Weise die Leitfähigkeit des Transistors 17 relativ konstant gehalten werden, selbst wenn die Schwellwertspannung VTH des Transistors 17 zunimmt.Advantageously, the substrate is biased at a value that is less than the source voltage of each of the transistors 44 and 45 as explained above. A rise in voltage V199 creates channel modulation in each of the transistors 44 and 45 , The channel modulation arises from the increase in the source / substrate voltage. Therefore, the resistance of each of the transistors increases 44 and 45 with the increase in voltage V199. In this way, the voltage is advantageously 46a increased in a non-linear manner. The increase in tension 46a is proportionately larger than if the transistors 44 and 45 would work as linear resistors or as simple level shifters. In this way, the conductivity of the transistor can be advantageously 17 can be kept relatively constant even if the threshold voltage VTH of the transistor 17 increases.

5 zeigt ein Beispiel für die Größe des Stroms i17, den der Transistor 17 aufnehmen kann, damit die Source/Drain-Spannung bei nicht mehr als 50 mV gehalten wird. Wie 5 zeigt, ändert sich der Strom i17 für eine entsprechende Änderung in der Schwellwertspannung VTH von ungefähr 10 V um weniger als 5%. 5 shows an example of the magnitude of the current i17 that the transistor 17 can absorb so that the source / drain voltage is kept at not more than 50 mV. How 5 shows, for a corresponding change in the threshold voltage VTH of approximately 10 V, the current i17 changes by less than 5%.

Um die Belastung des Transistors 17 zu verringern, ist es erwünscht, den Strom i17 gering zu halten, wie zum Beispiel innerhalb des in 5 dargestellten Strombereichs. Ein leitender Strom i17 mit einem höheren Wert als der Bereich von 5 könnte eine höhere Gate/Source-Spannung in dem Transistor 17 erfordern. Eine derartige höhere Gate/Source-Spannung könnte in einer höheren Belastung des Transistors 17 und dadurch in nachteiliger Weise in einer kürzeren Lebensdauer resultieren.To the load on the transistor 17 to decrease, it is desirable to keep current i17 low, such as within the in 5 shown current range. A conductive current i17 with a higher value than the range of 5 could have a higher gate / source voltage in the transistor 17 require. Such a higher gate / source voltage could result in a higher load on the transistor 17 and thereby disadvantageously result in a shorter lifespan.

6 zeigt eine Störunterdrückungsschaltung 200 mit einem Aspekt der Erfindung für eine Flüssigkristallwiedergabe 16'. Gleiche Symbole und Bezugszeichen in den 1, 2 3a3d und 46 bezeichnen gleiche Teile oder Funktionen. Die Schaltung 200 von 6 hält den Strom i17 von 2 bei einem relativ kleinen Wert. Die Anordnung 16' von 6 enthält Spaltendatenleitungen 177 und Reihenauswahlleitungen 118. Die Reihenauswahlleitungen 118 werden durch das Schieberegister 100 von 1 für eine aufeinanderfolgende Auswahl der Reihenleitungen 118 gesteuert. Spaltendatenleitungen 117 können in einer ähnlichen Weise gesteuert werden, wie sie in der US 5 170 155 auf den Namen von Plus et al., mit dem Titel "System for Applying Brightness Signals To A Display Device And Comparator Therefore", beschrieben wird. Die Datenleitungstreiber von Plus et al. arbeiten als getaktete Rampenverstärker. Jede Datenleitung 177 von 6 wird durch einen entsprechenden Transistor 126 gesteuert. Ein bestimmter Transistor 126 eines entsprechenden Datenleitungstreibers liefert eine in einem Datenrampengenerator 234 erzeugte Rampenspannung 128 zu einer entsprechenden Datenleitung 177 der Matrix zur Bildung eines Rampensignals in den Pixeln 16a der gewählten Reihe. Der Transistorschalter 126 wird durch einen nicht dargestellten Komparator gesteuert. Der Transistorschalter 126 wird für die Zuführung der Datenrampenspannung 128 zu der Datenleitung 177 eingeschaltet und in einem steuerbaren Zeitpunkt abgeschaltet, der durch die Größe der in dem nicht dargestellten Videosignal enthaltenen Bildinformationen bestimmt ist. 6 shows a noise suppression circuit 200 with an aspect of the invention for liquid crystal display 16 ' , Same symbols and reference symbols in the 1 . 2 3a - 3d and 4 - 6 designate the same parts or functions. The circuit 200 of 6 keeps the current i17 from 2 at a relatively small value. The order 16 ' of 6 contains column data lines 177 and row selection lines 118 , The row selection lines 118 are through the shift register 100 of 1 for a successive selection of the row lines 118 controlled. Column data lines 117 can be controlled in a similar way as in the US 5 170 155 in the name of Plus et al., entitled "System for Applying Brightness Signals To A Display Device And Comparator Therefore". The data line drivers from Plus et al. work as clocked ramp amplifiers. Any data line 177 of 6 is through an appropriate transistor 126 controlled. A certain transistor 126 a corresponding data line driver supplies one in a data ramp generator 234 generated ramp voltage 128 to a corresponding data line 177 the matrix for forming a ramp signal in the pixels 16a the selected row. The transistor switch 126 is controlled by a comparator, not shown. The transistor switch 126 is used for supplying the data ramp voltage 128 to the data line 177 switched on and switched off at a controllable point in time, which is determined by the size of the image information contained in the video signal, not shown.

Bei der Ausführung eines erfindungsgemäßen Merkmals enthält die Anordnung 16' zusätzlich zu den konventionellen Datenleitungen 177 ein Paar von Spaltenleitungen 177a und 177b, die keine Bildinformationen liefern und hier als sogenannte Blind- oder Dummy-Spaltenleitungen 177a und 177b bezeichnet werden. Die Spaltenleitungen 177a und 177b liegen parallel zu den Datenleitungen 177 jeweils an den beiden Enden der Anordnung 16'. Somit liegen die Datenleitungen 177 zwischen den Dummy-Spaltenleitungen 177a und 177b. Für die Wiedergabe eines typischen Bildinhalts liefert eine nennenswerte Anzahl von Übertragungsgattern 126 gleichzeitig entsprechende Teile der Datenrampenspannung 128 zu den entsprechenden Daten leitungen 177, um in einer bestimmten Datenleitung 177 eine Datenrampenspannung VDATALINE zu bilden.When executing a feature according to the invention, the arrangement contains 16 ' in addition to the conventional data lines 177 a pair of column lines 177a and 177b that do not provide any image information and here as so-called blind or dummy column lines 177a and 177b be designated. The column lines 177a and 177b are parallel to the data lines 177 at both ends of the arrangement 16 ' , The data lines are thus located 177 between the dummy column lines 177a and 177b , A significant number of transmission gates provide for the reproduction of a typical image content 126 corresponding parts of the data ramp voltage 128 to the corresponding data lines 177 , around in a particular data line 177 to form a data ramp voltage VDATALINE.

Eine parasitäre Kopplungskapazität CRC ist jedem Schnittpunkt oder Kreuzungspunkt jeder Reihenauswahlleitung 118 und jeder Datenleitung 177 zugeordnet. Ein Signal ROW-NOISE (Reihenstörung) wird auf den jeweiligen Auswahlleitungen als eine Folge der parasitären Kapazitäten erzeugt, die die den Datenleitungen zugeführten getakteten Rampensignale mit den Reihenauswahlleitungen verbinden.A parasitic coupling capacitance CRC is every intersection or intersection of each row select line 118 and every data line 177 assigned. A ROW-NOISE signal is generated on the respective select lines as a result of the parasitic capacitances that connect the clocked ramp signals supplied to the data lines to the row select lines.

Die Dummy-Spaltenleitung 177a mit ähnlichen Kapazitäten CRD, jedoch wesentlich größer als die Kapazitäten CRC, dient zur Bildung eines Signals NOISE-SENSE (Störabtastung), das die in den Reihenauswahlleitungen 118 gebildeten Signale ROW-NOISE darstellt. Die Signale ROW-NOISE werden über die Kapazitäten CRD einer Leitung 177a zugeführt. Die Kapazitäten CRD sind Zwischenleitungs-Kapazitäten zwischen den Leitungen 118 und der Leitung 177a. Es wird eine Annahme getroffen, dass das Signal ROW-NOISE in den jeweiligen Reihenauswahlleitungen 118, die nicht gewählt worden sind, ähnliche Amplitude und Kurvenform aufweisen.The dummy column line 177a with similar capacities CRD, but much larger than the capacities CRC, is used to form a signal NOISE-SENSE (noise scan), which is the one in the row selection lines 118 formed signals ROW-NOISE. The ROW-NOISE signals are transmitted via the capacities CRD of a line 177a fed. The capacities CRD are intermediate line capacities between the lines 118 and the line 177a , An assumption is made that the signal ROW-NOISE in the respective row selection lines 118 that have not been chosen have similar amplitude and curve shape.

Das Signal NOISE-SENSE wird einer Eingangsklemme 201 eines Störunterdrückungsverstärkers 202 zugeführt. Der Verstärker 202 ist ein invertierender Verstärker mit einer relativ großen Verstärkung, der den Augenblickswert des Signals NOISE-SENSE invertiert und ein Signal NOISE-CANCEL erzeugt. Das Signal NOISE-CANCEL ist ein Wechselspannungssignal, das der Dummy-Spaltenleitung 177b zugeführt wird. Das Signal NOISE-CANCEL wird kapazitiv von der Leitung 177b über Kapazitäten CRD den Reihenauswahlleitungen 118 zugeführt. Da das Signal NOISE-CANCEL gegenphasig ist zu dem Signal NOISE-SENSE, neigt das Signal NOISE-CANCEL dazu, die Signale ROW-NOISE in jeder Reihenauswahlleitung 118 nennenswert zu verringern.The NOISE-SENSE signal becomes an input terminal 201 a noise suppression amplifier 202 fed. The amplifier 202 is an inverting amplifier with a relatively large gain, which inverts the instantaneous value of the NOISE-SENSE signal and generates a NOISE-CANCEL signal. The NOISE-CANCEL signal is an alternating voltage signal that that of the dummy column line 177b is fed. The signal NOISE-CANCEL is capacitive from the line 177b about capacities CRD the row selection lines 118 fed. Since the NOISE-CANCEL signal is in phase opposition to the NOISE-SENSE signal, the NOISE-CANCEL signal tends to have the ROW-NOISE signals in each row select line 118 to reduce significantly.

Es kann erwünscht sein, die parasitäre kapazitive Kopplung zwischen den Reihenauswahlleitungen 118 und den Dummy-Spaltenleitungen 177a und 177b zu vergrößern, wie es schematisch durch die Kapazitäten CRD dargestellt ist, um eine ausreichende Empfindlichkeit und Stabilität zu erreichen. Daher wird die Breitenabmes sung W jeder Leitung 177a und 177b wesentlich größer gewählt als die der Datenleitung 177. Zum Beispiel kann die Gesamtkapazität zwischen den Leitungen 177a und den Reihenauswahlleitungen 118 im Bereich von 2000 pF–3000 pF liegen.It may be desirable to have parasitic capacitive coupling between the row select lines 118 and the dummy column lines 177a and 177b to enlarge, as shown schematically by the capacitors CRD, in order to achieve sufficient sensitivity and stability. Therefore, the width dimension W of each line 177a and 177b chosen much larger than that of the data line 177 , For example, the total capacity between the lines 177a and the row selection lines 118 are in the range from 2000 pF to 3000 pF.

7 zeigt den Verstärker 202 von 6 im Detail. Gleiche Symbole und Bezugszeichen in den 1, 2, 3a3d und 47 bezeichnen gleiche Teile oder Funktionen. Der Verstärker 202 von 7 enthält einen nicht-invertierenden Verstärker 202a mit der Verstärkung eins. Das Signal NOISE-SENSE wird über einen Widerstand R2 und eine Pegelverschiebeanordnung mit einem Kondensator C2 einer nicht-invertierenden Eingangsklemme IN+ des Verstärkers 202a zugeführt. Ein Metalloxyd-Halbleiter (MOS)-Transistor MP vom P-Typ und ein MOS-Transisitor MN vom N-Typ liefern eine Referenzspannung REF von 10 V über den Kondensator C2, wenn ein Impulssignal PRECHG und ein komplementäres Impulssignal PRECHAG-INV an den Gates der Transistoren MP bzw. MN entstehen. Auf diese Weise wird eine Spannung von zum Beispiel 10 V an der Klemme IN+ zu der Augenblicksspannung des Signals NOISE-SIGNAL addiert. Die Transistoren MP und MN werden ein- und ausgeschaltet, um den Kondensator C2 in der Nähe einer Zeit T1 der Kurve der Rampenspannung VDATALINE von 6 vor einem Rampenteil 66 der Spannung VDATALINE zu laden. 7 shows the amplifier 202 of 6 in detail. Same symbols and reference symbols in the 1 . 2 . 3a - 3d and 4 - 7 designate the same parts or functions. The amplifier 202 of 7 contains a non-inverting amplifier 202a with reinforcement one. The signal NOISE-SENSE is connected via a resistor R2 and a level shift arrangement with a capacitor C2 to a non-inverting input terminal IN + of the amplifier 202a fed. A P-type metal oxide semiconductor (MOS) transistor and an N-type MOS transistor MN supply a reference voltage REF of 10 V across the capacitor C2 when a pulse signal PRECHG and a complementary pulse signal PRECHAG-INV at the gates the transistors MP and MN arise. In this way, a voltage of, for example, 10 V at the IN + terminal is added to the instantaneous voltage of the NOISE-SIGNAL signal. The transistors MP and MN are turned on and off to the capacitor C2 in the vicinity of a time T1 of the curve of the ramp voltage VDATALINE of 6 in front of a ramp part 66 the voltage VDATALINE.

Die Spannung REF von 7 wird außerdem einer nicht-invertierenden Eingangsklemme eines invertierenden Verstärkers 202b mit hoher Verstärkung über ein RC Filter aus einem Widerstand Rx und einem Kondensator C4 zugeführt. Ein Ausgangssignal OUT des Verstärkers 202a wird über einen Widerstand R3 einer invertierenden Eingangsklemme des Verstärkers 202b zugeführt. Ein Rückkopplungswiderstand R4 liegt zwischen einer Ausgangsklemme des Verstärkers 202b, wo das Signal NOISE-CANCEL entsteht, und der invertierenden Eingangsklemme des Verstärkers 202b. Die Wechselspannungsverstärkung des Verstärkers 202b mit der Rückkopplung ist ungefähr gleich 2000.The voltage REF of 7 also becomes a non-inverting input terminal of an inverting amplifier 202b supplied with high gain via an RC filter from a resistor Rx and a capacitor C4. An output signal OUT of the amplifier 202a is a resistor R3 an inverting input terminal of the amplifier 202b fed. A feedback resistor R4 is located between an output terminal of the amplifier 202b , where the signal NOISE-CANCEL originates, and the inverting input terminal of the amplifier 202b , The amplifier's AC gain 202b with the feedback is approximately equal to 2000.

Solange die Spannung an der Klemme 201 null ist, wie zur Zeit T1, wenn keine Signalstörung auftritt, erzeugt die Verschiebung des Gleichspannungswertes, die durch die Spannung über dem Kondensator C2 erfolgt, ein Ausgangssignal 202c von dem Verstärker 202a von 10 V. Aufgrund der Spannung von 10 V an der nicht- invertierenden Eingangsklemme des Verstärkers 202b ist die Spannung an der Ausgangsklemme des Verstärkers 202b, wo das Signal NOISE-CANCEL entsteht, gleich 10 V. Somit hat ein Spannungsbereich des Signals NOISE-CANCEL von 7 einen oberen Bereichsgrenzwert in der Nähe einer Betriebsspannung VS von +22 V und einen unteren Bereichsgrenzwert in der Nähe von 0 V. In vorteilhafter Weise ist das Signal NOISE-CANCEL normalerweise etwa in der Mitte zwischen +22 V und 0 V vorgespannt, so dass die Spannungsausschläge des Signals NOISE-CANCEL in entgegengesetzte Richtungen erfolgen können.As long as the voltage at the terminal 201 is zero, as at time T1 when there is no signal interference, the shift in the DC voltage value caused by the voltage across capacitor C2 produces an output signal 202c from the amplifier 202a of 10 V. Due to the voltage of 10 V at the non-inverting input terminal of the amplifier 202b is the voltage at the output terminal of the amplifier 202b , where the signal NOISE-CANCEL originates, is equal to 10 V. Thus, a voltage range of the signal NOISE-CANCEL of 7 an upper range limit in the vicinity of an operating voltage VS of +22 V and a lower range limit in the vicinity of 0 V. Advantageously, the signal NOISE-CANCEL is normally biased approximately in the middle between +22 V and 0 V, so that the Voltage swings of the NOISE-CANCEL signal can occur in opposite directions.

Wie oben erläutert, verringert das Signal NOISE-CANCEL wesentlich die Größe des Signals NOISE-SENSE, wenn sich die Eingangsspannung an der Klemme 201 von 6 ändert. Wenn sich das Signal an der Klemme 201 derart ändert, dass das Signal NOISE-SENSE einer bestimmten Amplitude entsteht, neigt das Signal NOISE-CANCEL des Verstärkers 202b dazu, die Amplitude des Signals NOISE-SENSE nennenswert zu verringern. Wegen der hohen Verstärkung des Verstärkers 202b ist die Störverringerung nennenswert.As explained above, the NOISE-CANCEL signal significantly reduces the size of the NOISE-SENSE signal when the input voltage is at the terminal 201 of 6 changes. If the signal at the terminal 201 changes such that the signal NOISE-SENSE of a certain amplitude arises, the signal NOISE-CANCEL of the amplifier tends 202b to significantly reduce the amplitude of the NOISE-SENSE signal. Because of the high gain of the amplifier 202b the interference reduction is noteworthy.

Bei der Durchführung eines erfindungsgemäßen Merkmals bewirkt die kapazitive Kopplung zwischen der Leitung 177b und den Auswahlleitungen 118, dass das Signal ROW-NOISE in jeder Reihenauswahlleitung 118 in vorteilhafter Weise nennenswert verringert wird. Der Strom i17 in dem Transistor 17 von 2 wird ebenfalls in vorteilhafter Weise verringert. Daher muß der Transistor 17 nicht durch eine große Gate/Source-Spannung gesteuert werden. Der Transistor 17 wird daher nicht nennenswert beansprucht. Das Ergebnis ist, dass der Transistor 17 eine längere Lebensdauer hat, als wenn er beansprucht wäre.When performing a fiction The characteristic feature is the capacitive coupling between the line 177b and the selection lines 118 that the signal ROW-NOISE in each row selection line 118 is significantly reduced in an advantageous manner. The current i17 in the transistor 17 of 2 is also advantageously reduced. Therefore, the transistor 17 cannot be controlled by a large gate / source voltage. The transistor 17 is therefore not significantly claimed. The result is that the transistor 17 has a longer lifespan than if it were used.

Claims (7)

Videowiedergabevorrichtung zur Zuführung eines Videosignals zu Pixeln, die in mehreren Reihen und in mehreren Spalten einer Anordnung einer Wiedergabeeinheit angeordnet sind, mit: mehreren Reihenauswahl-Leitungstreibern (100) zur aufeinanderfolgenden Zuführung von Reihenauswahlsignalen zu mehreren Reihenauswahlleitungen (118), mehreren Datenleitungstreibern zur Zuführung des Videosignals zu mehreren Datenleitungen (177), die den mehreren Spalten zugeordnet sind, gekennzeichnet durch einen durch mit Störsignalen gesteuerten Verstärker (200), die in den Reihenauswahlleitungen (118) der Anordnung entstehen, die über eine erste zusätzliche Dummyleitung (177a) mit einem Eingang des Verstärkers verbunden sind, zum Erzeugen eines mit verstärkten Ausgangssignals, das die Störsignale anzeigt, wobei der Ausgang in einer Gegenkopplung über eine zweite zusätzliche Dummy-Leitung (177b) der Anordnung mit den das Störsignal bildenden Leitungen verbunden ist, zur nennenswerten Verringerung der Störsignale, derart, dass jede der zusätzlichen Leitungen transvers und kapazitiv mit einer bestimmten Leitung (118) der das Störsignal bildenden Leitungen verbunden ist.A video display apparatus for supplying a video signal to pixels arranged in a plurality of rows and in a plurality of columns of an arrangement of a reproduction unit, comprising: a plurality of row selection line drivers ( 100 ) for the sequential supply of row selection signals to several row selection lines ( 118 ), several data line drivers for feeding the video signal to several data lines ( 177 ), which are assigned to the several columns, characterized by an amplifier controlled by interference signals ( 200 ) in the row selection lines ( 118 ) of the arrangement, which are created via a first additional dummy line ( 177a ) are connected to an input of the amplifier for generating an output signal which is amplified and which indicates the interference signals, the output being in negative feedback via a second additional dummy line ( 177b ) the arrangement is connected to the lines forming the interference signal, in order to significantly reduce the interference signals, such that each of the additional lines is transversely and capacitively connected to a specific line ( 118 ) the lines forming the interference signal are connected. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei dann, wenn das Videosignal den mehreren Datenleitungen zugeführt wird, die Störsignale in einer bestimmten Reihenauswahlleitung entstehen, und wobei das Verstärkerausgangssignal kapazitiv über die zweite zusätzliche Leitung den mehreren Reihenauswahlleitungen zugeführt wird.Apparatus according to claim 1, wherein if the Video signal is supplied to the multiple data lines, the interference signals arise in a certain row selection line, and the Amplifier output capacitive about the second additional Line is fed to the multiple row selection lines. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die zweite zusätzliche Leitung kapazitiv mit den mehreren Reihenauswahlleitungen verbunden ist, um das Verstärkerausgangssignal den Reihenauswahlleitungen zuzuführen.The apparatus of claim 1, wherein the second additional Capacitive line connected to the multiple row selection lines is the amplifier output signal to the row selection lines. Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die zweite zusätzliche Leitung die entsprechenden Teile der mehreren Reihenauswahlleitungen überlappt.The apparatus of claim 3, wherein the second additional Line overlaps the corresponding parts of the multiple row selection lines. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste zusätzliche Leitung so angeordnet ist, dass sie die Störsignale erfaßt, wobei die erste zusätzliche Leitung sich transvers zu den Reihenauswahlleitungen erstreckt und die erste zusätzliche Leitung eine Breitenabmessung aufweist, die nennenswert größer ist als die Breitenabmessung einer bestimmten Datenleitung der Datenleitungen, derart, dass eine größere Kapazität zwischen der ersten zusätzlichen Leitung und den Reihenauswahlleitungen gebildet wird.The apparatus of claim 1, wherein the first additional Line is arranged so that it detects the interference signals, wherein the first additional Line extends transversely to the row select lines and the first additional Line has a width dimension that is significantly larger than the width dimension of a specific data line of the data lines, such that a larger capacity between the first additional Line and the row selection lines is formed. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die zweite zusätzliche Leitung mit dem Verstärkerausgangssignal verbunden und kapazitiv mit den mehreren Reihenauswahlleitungen gekoppelt ist, zur kapazitiven Kopplung des Verstärkerausgangssignal mit den mehreren Reihenauswahlleitungen.The apparatus of claim 1, wherein the second additional Line with the amplifier output signal connected and capacitive to the multiple row select lines is coupled, for capacitive coupling of the amplifier output signal with the multiple row selection lines. Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei die zweiten zusätzlichen Leitungen sich transvers zu den Reihenauswahlleitungen erstrecken und eine Breitenabmessung aufweisen, die nennenswert größer ist als die Breitenabmessung einer bestimmten Datenleitung der mehreren Datenleitungen, derart, dass eine Kapazität zwischen der zweiten zusätzlichen Leitung und den Reihenauswahlleitungen erhöht wird.The apparatus of claim 6, wherein the second additional Lines extend transversely to the row select lines and have a width dimension that is appreciably larger than the width dimension of a particular data line among the plurality Data lines, such that a capacity between the second additional Line and the row selection lines is increased.
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