DE69311423T2

DE69311423T2 - Spannungsgeneratorschaltungen und Verfahren

Info

Publication number: DE69311423T2
Application number: DE69311423T
Authority: DE
Inventors: James R Hellums; Henry Tin-Hang Yung
Original assignee: Texas Instruments Inc
Current assignee: Texas Instruments Inc
Priority date: 1992-04-01
Filing date: 1993-03-30
Publication date: 1997-10-02
Anticipated expiration: 2013-03-31
Also published as: EP0564225A3; EP0564225B1; US5302888A; DE69311423D1; JPH0689118A; EP0564225A2

Description

TECHNISCHES GEBIET DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf elektronische Schaltungen und insbesondere auf Spannungsgeneratorschaltungen und Verfahren zur Spannungserzeugung.

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Integrierte Schaltungssysteme mit einer einzigen Versorgungsspannungsleitung, die analoge Bauelemente umfassen und die außerdem nur eine einzige Versorgungsspannung und einen einzigen Masseanschluß verwenden, erfordern typischerweise die Erzeugung einer chipinternen mittleren Versorgungsspannung für eine analoge Massereferenz (AGND). Ein gegenwärtig verfügbares Verfahren zum Erzeugen der mittleren Versorgungsspannung bei Aufrechterhalten einer niedrigen AC-Impedanz besteht darin, einen großen Widerstand aufweisende Polysiliciumwiderstände als Spannungsteiler zu verwenden, um die halbe Versorgungsspannung einzustellen, und dann einen Operationsverstärker zu verwenden, der als Spannungsfolger aufgebaut ist (das heißt eine Verstärkung von 1 aufweist), um die AGND-Versorgung zu puffern. Bei dem Ansatz mit einem Puffer mit einfacher Verstärkung müssen jedoch starke Kompromisse zwischen Schaltungsstabilität, Bandbreite und Ausgangsspannungsänderungsgeschwindigkeit gemacht werden. Bei Gleichstrom entspricht die Ausgangsimpedanz eines Operationsverstärkers mit Rückkopplung seiner Ausgangsimpedanz ohne Rückkopplung ( 1 KΩ für ein CMOS-Bauelement) geteilt durch die Schleifenverstärkung, die typischerweise in der Größenordnung von 1 Ω liegt. Bei der Frequenz der Verstärkung mit Verstärkungsfaktor 1 und darüber nähert sich die Ausgangsimpedanz des Operationsverstärkers jedoch der Wechselstrom-Impedanz ohne Rückkopplung, die typischerweise zwischen 1 und 10 KΩ für ein CMOS-Bauelement liegen kann. Als Folge davon wird der die mittlere Spannung erzeugende Generator langsam auf Frequenzen antworten, die jenseits seiner Bandbreite bei einfacher Verstärkung liegen, so daß die Hochgeschwindigkeitstaktkopplung und das Hochfrequenzrauschen zu einem Problem werden.
Da die CMOS-Schaltungen ihrer Art nach in erster Linie kapazitiv sind, wird mit dem AGND(analoge Masse)-Ausgangsschaltungspunkt des Operationsverstärkers eine große Kapazität verbunden sein, und daher muß der Operationsverstärker für die Stabilität der Verstärkung mit Verstärkungsfaktor 1 intern kompensiert werden, was seine Nachführungsfähigkeit vermindert. Um die Nachführung zu beschleunigen, ist wiederum mehr Strom erforderlich, und das bedeutet höheren Energieverbrauch. Schließlich muß, da der AGND-Spannungsgenerator eine kapazitive Last ansteuern muß, damit die Bandbreite relativ konstant bleibt, das Verhältnis der Steilheit gm der Operationsverstärkereingangsstufe zu dem Wert des Kompensationskondensators Cc konstant bleiben, selbst wenn größere Kompensationskondensatoren erforderlich sind. Daher muß die Steilheit gm auch wachsen, wenn größere Werte für den Kompensationskondensator erforderlich sind. Jede dieser Entwurfsveränderungen verursacht ein Zunehmen der Größe des die mittlere Spannung erzeugenden Generators und des erforderlichen Versorgungsstroms.
Daher ist der Bedarf an einem verbesserten, eine mittlere Versorgungsspannung erzeugenden Generator entstanden, der gute Stabilität, Bandbreite und Ausgangsspannungsänderungsgeschwindigkeit bei gleichzeitig relativ geringer Größe und minimalem Versorgungsstrom aufweist.
In der EP-A 0 195 525 und der EP-A 0 321 226 sind Schaltungen zum Liefern einer mittleren Versorgungsspannung dargestellt.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Gemäß der Erfindung umfaßt eine Spannungsgeneratorschaltung einen Differenzverstärker mit einem positiven Signaleingang, einem negativen Signaleingang und einem ersten sowie einem zweiten Ausgang; eine Spannungsteilerschaltung, die zwischen einer ersten und einer zweiten Versorgungsspannung angeschlossen ist und eine vorgewählte Spannung an den positiven Eingang des Differenzverstärkers liefert; einen ersten und einen zweiten Transistor mit jeweils einem Strompfad und einem Steueranschluß, wobei der Strompfad des ersten Transistors und der Strompfad des zweiten Transistors an einem Schaltungspunkt angeschlossen sind und außerdem in Serie zwischen dem ersten und dem zweiten Ausgang des Verstärkers geschaltet sind, wobei der Steueranschluß des ersten Transistors mit dem ersten Ausgang des Verstärkers verbunden ist und der Steueranschluß des zweiten Tansistors mit dem zweiten Ausgang verbunden ist, wobei der Schaltungspunkt mit dem negativen Eingang des Differenzverstärkers verbunden ist; und einen dritten und einen vierten Transistor mit Strompfaden, die zwischen den Versorgungsspannungen in Serie geschaltet sind, wobei ein die Strompfade des dritten und des vierten Transistors verbindender Schaltungspunkt einen Ausgang der Spannungsgeneratorschaltung bildet, und der dritte Transistor einen mit dem ersten Ausgang des Verstärkers verbundenen Steueranschluß aufweist und mit dem ersten Transistor als Stromspiegel gepaart ist, und wobei der vierte Transistor einen mit dem zweiten Ausgang des Verstärkers verbundenen Steueranschluß aufweist und mit dem zweiten Transistor als Stromspiegel gepaart ist.
Die vorliegende Erfindung liefert einen verbesserten eine mittlere Spannung liefernden Generator mit guter Stabilität, Bandbreite, Ausgangsspannungsänderungsgeschwindigkeit und niedriger Ausgangsimpedanz, während er gleichzeitig relativ klein ist und einen minimalen Versorgungsstrom erfordert.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Zum noch besseren Verstehen der dargestellten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung und ihrer Vorteile wird nun auf die folgende Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, in denen:
Fig. 1 ein elektrischer Schaltplan einer Spannungsgeneratorschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung ist.

GENAUE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG

In der Fig. 1 ist eine eine mittlere Spannung (analoge Masse) erzeugende Schaltung dargestellt, die mit 10 bezeichnet ist. Bei der bevorzugten Ausführungsform ist der Generator 10 als Teil einer integrierten Schaltung hergestellt, die analoge Bauelemente enthält, die eine Massereferenz benötigen. Bei der gezeigten Ausführungsform arbeitet die Schaltung 10 zwischen einer Leitung für die hohe Versorgungsspannung (VDD), die typischerweise 5 Volt beträgt, und einer Leitung für die niedrige Versorgungsspannung (VSS), die typischerweise die Masse darstellt. Es ist jedoch wichtig zu erkennen, daß die Schaltung 10 ebenso zwischen Versorgungsleitungen mit anderen Spannungen verwendet werden könnte, z. B. + 10 Volt und - 0 Volt, wobei der Betrieb der Schaltung im wesentlichen der gleiche wäre. Ein P-Kanal-Feldeffekttransistor 12, ein Widerstand 14 und ein N- Kanal-Feldeffekttransistor 16 bilden die Stromquelle für einen Differenzverstärker, der aus den Feldeffekttransistoren 18, 20, 22, 24, 26, 28, 30, 32, 34 und 36 besteht. Der Widerstand 14 kann aus einer Polysiliciumschicht mit einem hohen Schichtwiderstand bestehen oder aus einer diffundierten Zone auf dem Chip gebildet sein. Der Transistor 36 ist das Endstromelement, das den in dem Transistor 12 fließenden Strom in das Differenzpaar spiegelt, das durch den P-Kanal-Transistor 18 und den P- Kanal-Transistor 20 gebildet wird. Die N-Kanal-Transistoren 22 und 24 liefern die Lastelemente für das Differenzpaar der Transistoren 18 und 20. Die N-Kanal-Transistoren 26 und 28 sind Transistorverstärker in Source-Schaltung, die verwendet werden, um die Spannungsverstärkung am Ausgang des aus den Transistoren 18 und 20 gebildeten Differenzpaars zu erhöhen. Die P-Kanal- Transistoren 30 und 32 bilden einen Stromspiegel mit Verstärkungsfaktor 1, der verwendet wird, um die Spannung-verstärkung des Transistors 26 zu den Gate-Anschlüssen der Transistoren 38 und 40 zu übertragen. Der Transistor 28 steuert direkt die Gate-Anschlüsse der P-Kanal-Transistoren 42 und 44 an. Der N- Kanal-Transistor 34 ist ein Kaskoden-Bauelement, das verwendet wird, um den Ausgangswiderstand des Transistors 26 zu erhöhen, wodurch Kanallängen-Modulationseffekte beseitigt werden.
Der positive Eingang zum Differenzverstärker (der Gate- Anschluß des Transistors 20) ist auf die mittlere Versorgungsspannung durch gleich große (angepaßte) als Diode geschaltete P-Kanal-Transistoren 46 und 48 eingestellt. Da bei der Herstellung einer bestimmten integrierten Schaltung Eigenschaften wie die Gate-Oxiddicke und die Gate-Kapazität pro Fläche im wesentlichen für alle Transistoren auf dem Chip gleich sind, besteht das Problem der Anpassung in erster Linie darin, die Breiten/Längen-Verhältnisse der Transistorkanäle anzupassen. Der negative Eingang des Differenzverstärkers (der Gate-Anschluß des Transistors 18) ist die gemeinsame Verbindung zwischen den Source-Anschlüssen der Transistoren 38 und 42, die beide als Diode geschaltet sind. Die Gate-Anschlüsse und Drain-Anschlüsse der Transistoren 38 und 42 werden durch die Ausgänge (die Drain-Anschlüsse der Transistoren 28 und 32) des Differenzverstärkers angesteuert, wobei die negative Rückkopplung der Schaltungsverbindung zu dem Gate-Anschluß des Transistors 18 die gemeinsamen Source-Anschlüsse der Transistoren 38 und 42 auf die mittlere Versorgungsspannung bringt. Der Ausgang wird dann auf die mittlere Versorgungsspannung gebracht, indem der Transistor 38 an den Transistor 40 und der Transistor 42 an den Transistor 44 angepaßt wird. Die gemeinsamen Source-Bereiche der Transistoren 40 und 44 liefern einen Ausgang mit niedriger Impedanz für die Schaltungsanordnung 10. Bei der dargestellten Ausführungsform sind die Transistoren 38 und 42 mit einem Verhältnis von 1:10 an die Transistoren 40 und 44 angepaßt. Bei dieser Ausführungsform spiegelt der Transistor 40 den Stromfluß durch den Transistor 38 mit einer Stromverstärkung von 10 und der Transistor 44 spiegelt den Stromfluß durch den Transistor 42 mit einer Stromverstärkung von 10. Bei alternativen Ausführungsformen können die Stromverstärkungen durch Veränderung der Anpassung zwischen den Transistoren 38 und 42 und den Transistoren 40 und 44 eingestellt werden. Um die Anpassung weiter zu verbessern, können die Transistoren 40 und 44 als Gruppe paralleler Transistoren hergestellt werden, wobei jeder im wesentlichen die gleiche Größe (d. h. im wesentlichen das gleiche Verhältnis der Kanalbreite zur Kanallänge) im Verhältnis zu den Transistoren 38 und 42 aufweist. Bei der dargestellten Ausführungsform weist der Transistor 38 zum Beispiel ein Breite/Länge-Verhältnis von 100/1 auf, und daher wird der Transistor 40 vorzugsweise in Form von 10 100/1-Transistoren hergestellt, um das Äquivalent eines 1000/1-Transistors zu erreichen.
Die einzigen Abweichungen (Fehler) der am Ausgang verfügbaren mittleren Versorgungsspannung stammen von einer Fehlanpassung der Impedanz der Transistoren 40 und 42 resultierend aus Differenzen der Steilheit und des Ausgangsleitwerts. Die Abweichung des Schaltungsausgangssignals von einer Spannung, die genau der Hälfte der Versorgungsspannung entspricht, ist kein schwerwiegendes Problem, wenn die Abweichung in der Größenordnung von einigen zehn Millivolt bleibt, da die Ausgangsspannung für die analoge Masse für alle Schaltungen, die sich darauf beziehen, verwendet werden wird. Wenn jedoch die Abweichung am Ausgang der Schaltung die Größenordnung von Hunderten von Millivolt oder mehr erreicht, kann der dynamische Bereich für niedrige Verzerrung bei maximalen Signalpegeln vermindert werden. Die Ausgangstransistoren 40 und 44 werden bevorzugt nicht in eine Rückkopplungsschleife eingeschlossen, so daß sie bei ihrer eigenen Übergangsfrequenz fT arbeiten. Die Transistoren 40 und 44 sind so entworfen, daß sie bei einer sehr hohen Frequenz arbeiten, und sie besitzen eine gute Übergangsausregelreaktion. Die kleine Signalausgangsimpedanz des Generators 10 ist die parallele Kombination der Source-Impedanzen der Transistoren 40 und 44:
RS40RS44/RS40 +RS44
wobei RS40 1/gm40 und RS44 1/gm44.
Der Ausgangswiderstand R0 ist bevorzugt so ausgelegt, daß er in der Größenordnung von einigen zehn Ohm liegt und bei Frequenzen, die sehr dicht an dem fT der Bauelemente sind, konstant ist.
Da darüber hinaus der Ausgang des Generators 10 offen ist, kann ein sehr großer Kondensator, z. B. der Kondensator 50 in der Fig. 1, ohne Stabilitätsprobleme daran angeschlossen werden. Der Kondensator 46 kann z. B. ein nicht auf dem Chip angebrachter Kondensator in der Größenordnung von einem Mikrofarad sein und er kann z. B. verwendet werden, um die Ausgangsimpedanz auf ungefähr 1 Ω bei ungefähr 160 Khz und noch weiter zu vermindern. Da die integrierte Schaltung, auf der der Generator 10 vorzugsweise verwendet wird, dem Generator 10 lediglich eine kapazitive Last bieten kann, wird ein großer, nicht auf dem Chip angebrachter Kondensator, wie der Kondensator 50, als Ladungsreservoir dienen, um Störimpulse aufgrund von Hochfrequenzeffekten wegzuspeichern. Außerdem ist zu erkennen, daß dann, wenn die Schaltung 10 als Teil einer integrierten Schaltung verwendet wird und der Kondensator 46 nicht auf dem Chip angeordnet ist, zusätzlich ein (nicht dargestellter) Widerstand in Reihe mit dem Schaltungsausgang geschaltet werden kann, um das Q eines offenen LC-Schwingkreises zu reduzieren, der sich aus dem Kondensator 50 und dem Leiterrahmeninduktor ergibt.
Der eine mittlere Spannung erzeugende Generator 10 wird durch ein Signal
über den N-Kanal-Transistor 52 gespeist. Um Energie zu sparen, geht der Ausgang der Schaltungsanordnung 10 in einen Hochimpedanzzustand und die P-Kanal-Transistoren 54 und 56 klemmen den Ausgang in die Nähe der mittleren Versorgungsspannung, indem sie Leckstrom liefern, um den Kondensator 50 im aufgeladenen Zustand zu halten.
Es ist wichtig zu erkennen, daß die P-Wannen-CMOS-N-Kanalund -P-Kanal-Bauelemente miteinander vertauscht werden können, wie es in diesem Fachgebiet bekannt ist, ohne von den hierin dargestellten Erfindungsgedanken der vorliegenden Erfindung abzuweichen.

Claims

1. Spannungs generatorschaltung mit:

einem Differenzverstärker (18-36) mit einem positiven Signaleingang (20), einem negativen Signaleingang (18) und einem ersten sowie einem zweiten Ausgang (28, 32);

einer Spannungsteilerschaltung (46, 48), die zwischen einer ersten und einer zweiten Versorgungsspannung (VDD, VSS) angeschlossen ist und eine vorgewählte Spannung an den positiven Eingang des Differenzverstärkers liefert;

einem ersten und einem zweiten Transistor (38, 42) mit jeweils einem Strompfad und einem Steueranschluß, wobei der Strompfad des ersten Transistors und der Strompfad des zweiten Transistors an einem Schaltungspunkt angeschlossen sind und außerdem in Serie zwischen dem ersten und dem zweiten Ausgang (28, 32) des Verstärkers geschaltet sind, wobei der Steueranschluß des ersten Transistors (38) mit dem ersten Ausgang (32) des Verstärkers verbunden ist und der Steueranschluß des zweiten Transistors (40) mit dem zweiten Ausgang (28) verbunden ist, wobei der Schaltungspunkt mit dem negativen Eingang (18) des Differenzverstärkers verbunden ist; und

einem dritten und einem vierten. Transistor (40, 44) mit Strompfaden, die zwischen den Versorgungsspannungen (VDD, VSS) in Serie geschaltet sind, wobei ein die Strompfade des dritten und des vierten Transistors verbindender Schaltungspunkt einen Ausgang der Spannungsgeneratorschaltung bildet, wobei der dritte Transistor (40) einen mit dem ersten Ausgang (32) des Verstärkers verbundenen Steueranschluß aufweist und mit dem ersten Transistor (38) als Stromspiegel gepaart ist, und wobei der vierte Transistor (44) einen mit dem zweiten Ausgang (28) des Verstärkers verbundenen Steueranschluß aufweist und mit dem zweiten Transistor (42) als Stromspiegel gepaart ist.

2. Spannungsgeneratorschaltung nach Anspruch 1, bei welcher die Spannungsteilerschaltung einen fünften und einen sechsten Transistor (46, 48) enthält, die Strompfade aufweisen, die zwischen den Versorgungsspannungen (VDD, VSS) in Serie geschaltet sind, wobei der fünfte und der sechste Transistor so gepaart sind, daß sie eine vorgewählte Spannung an einen die Strompfade verbindenden Punkt liefern.

3. Spannungsgeneratorschaltung nach Anspruch 2, bei welcher der fünfte und der sechste Transistor jeweils ein erster und ein zweiter als Diode geschalteter Transistor (46, 48) sind, die ein im wesentlichen gleiches Verhältnis von Kanalbreite zu Kanallänge haben, wobei der Schaltungspunkt einen Drain-Anschluß des fünften Transistors (46) und einen Source-Anschluß des sechsten Transistors (46) verbindet.

4. Spannungsgeneratorschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher der dritte Transistor (40) ein Verhältnis von Kanalbreite zu Kanallänge hat, das n-mal so groß wie das Verhältnis von Kanalbreite zu Kanallänge des ersten Transistors (38) ist, und daß der vierte Transistor (44) ein Verhältnis der Kanalbreite zu Kanallänge hat, das n-mal so groß wie das Verhältnis von Kanallänge zu Kanalbreite des zweiten Transistors (28) ist, wobei n eine positive ganze Zahl ist.

5. Spannungsgeneratorschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei welcher der dritte Transistor (40) n parallele Transistoren umfaßt, die jeweils ein Verhältnis von Kanalbreite zu Kanallänge haben, das im wesentlichen gleich dem Verhältnis von Kanalbreite zu Kanallänge des ersten Transistors (38) ist, und der vierte Transistor (44) n parallele Transistoren umfaßt, die jeweils ein Verhältnis von Kanalbreite zu Kanallänge haben, das im wesentlichen gleich dem Verhältnis von Kanalbreite zu Kanallänge des zweiten Transistors (28) ist.

6. Spannungsgeneratorschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem der Differenzverstärker folgendes enthält:

ein Differenztransistorpaar mit einem ersten und einem zweiten Differenztransistor (18, 20) mit Source-Anschlüssen, die miteinander und mit einer Stromquelle verbunden sind, wobei ein Gate-Anschluß des ersten Differenztransistors (20) den positiven Eingang bildet, während ein Gate-Anschluß des zweiten Differenztransistors (18) den negativen Eingang bildet;

einen ersten Spannungsverstärkertransistor (28) mit einem Gate-Anschluß, der mit einem Drain-Anschluß des ersten Differenztransistors verbunden ist, einem Source-Anschluß, der mit der Leitung für die niedrige Versorgungsspannung (VSS) verbunden ist, und einem Drain-Anschluß, der den zweiten Ausgang des Differenzverstärkers bildet, und

einen zweiten Spannungsverstärkertransistor (26) mit einem Gate-Anschluß, der mit einem Drain-Anschluß des zweiten Differenztransistors (18) verbunden ist, einem Source- Anschluß, der mit der Leitung für die niedrige Versorgungsspannung (VSS) verbunden ist, und einem Drain-Anschluß;

einen ersten Stromspiegeltransistor (30) mit einem Drain-Anschluß und einem Gate-Anschluß, die mit dem Drain- Anschluß des zweiten Spannungsverstärkungstransistors (26) verbundensind, und einem Source-Anschluß, der mit der Leitung für die hohe Versorgungsspannung (VDD) verbunden ist; und

einen zweiten Stromspiegeltransistor (32) mit einem Gate-Anschluß, der mit dem Gate-Anschluß des ersten Stromspiegeltransistors (30) verbunden ist, einem Source- Anschlub, der mit der Leitung (VDD) für die hohe Versorgungsspannung verbunden ist, und einem Drain-Anschluß, der den ersten Ausgang des Differenzverstärkers bildet.

7. Spannungsgeneratorschaltung nach Anspruch 6, bei welcher der Drain-Anschluß des zweiten Spannungsverstärkertransistors (26) mit dem ersten Stromspiegeltransistor (30) über einen Kascode-Transistor (34) verbunden ist, wobei der Kascode-Transistor einen mit dem Drain-Anschluß des zweiten Verstärkertransistors (26) verbundenen Source-Anschluß, einen mit dem Drain-Anschluß des ersten Stromspiegeltransistors (30) verbundenen Drain-Anschluß und einen mit dem Schaltungspunkt verbundenen Gate-Anschluß aufweist.

8. Spannungsgeneratorschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher der Differenzverstgrker einen Stromversorgungseingang (36) enthält, der mit einer Stromquelle verbunden ist, die zwei Transistoren aufweist, deren Strompfade in Serie zwischen die Versorgungsspannungsleitungen geschaltet sind.

9. Spannungsgeneratorschaltung nach Anspruch 8, bei welcher die Strompfade der zwei Transistoren (12, 16), die den Stromversorgungseingang bilden, über einen Widerstand (14) miteinander verbunden sind.

10. Spannungsgeneratorschaltung nach Anspruch 8 oder Anspruch 9, bei welcher die Stromquelle über einen Stromspiegeltransistor (36) mit dem Stromversorgungseingang gekoppelt ist.

11. Spannungsgeneratorschaltung nach einem der Ansprüche 8 bis 10, ferner enthaltend:

eine Stromversorgungssteuervorrichtung (52), die die zwei Transistoren (12, 16) in der Stromquelle selektiv mit einer der Versorgungsspannungsleitungen (VSS) verbindet;

einen ersten Klemmtransistor (54), der die Leitung für die hohe Versorgungsspannung (VDD) verbindet; und

einen zweiten Klemmtransistor (56), der die Leitung für die niedrige Versorgungsspannung (VSS) mit dem Ausgang der Schaltung verbindet, wobei der erste und der zweite Klemmtransistor dem Ausgang einen Leckstrom zuführen.

12. Spannungsgeneratorschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher die ersten, zweiten, dritten und vierten Transistoren (38-44) Feldeffekttransistoren sind.

13. Verfahren zum Erzeugen einer analogen Massespannung, enthaltend die Schritte:

Erzeugen einer in der Mitte zwischen den Versorgungsspannungen liegenden Spannung unter Verwendung einer Spannungsteilerschaltung (46, 48), die zwischen ersten und zweiten Versorgungsspannungsleitungen (VDD, VSS) arbeitet;

Anlegen der in der Mitte zwischen den Versorgungsspannungen liegenden Spannung an einen positiven Eingang (20) eines Differenzverstärkers (18-36);

Erzeugen eines Strompfades zwischen ersten und zweiten Ausgängen (28, 32) des Differenzverstärkers mittels eines Paares als Diode geschalteter Transistoren (38, 42), wobei der Gate- und der Drain-Anschluß eines ersten Transistors (38) des Paares von dem ersten Ausgang (32) des Differenzverstärkers angesteuert wird und der Gate- und Drain-Anschluß eines zweiten Transistors (42) des Paares vom zweiten Ausgang (28) des Differenzverstärkers angesteuert wird, wobei die Source-Anschlüsse des Transistorpaares (38, 42) mit einem negativen Eingang des Differenzverstärkers verbunden sind; und

Erzeugen eines Strompfads zwischen den Versorgungsspannungsleitungen mit Hilfe eines Paares von Ausgangstransistoren (40, 44) in Source-Schaltung, wobei ein erster Transistor (40) der Ausgangstransistoren den Stromfluß im ersten Transistor (38) der als Diode geschalteten Transistoren spiegelt, und ein zweiter Transistor (44) der Ausgangstransistoren den im zweiten Transistor (42) der als Diode geschalteten Transistoren spiegelt, wobei die Stromverstärkung jedes der Ausgangstransistorpaare so gewählt ist, daß er im wesentlichen gleich ist.

14. Verfahren nach Anspruch 13, bei welchem das Erzeugen der in der Mitte zwischen den Versorgungsspannungen liegenden Spannung die Verwendung eines Spannungsteilers aus als Diode geschalteten Transistoren (46, 48) umfaßt.