DE69306342T2 - Signal integration circuit - Google Patents
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Signalintegrationsschaltkreis, der für eine gewichtete Integration von Signalen effektiv ist.The present invention relates to a signal integration circuit effective for weighted integration of signals.
Herkömmlich ist eine Vorrichtung notwendig geworden, die eine Vielzahl von Eingängen besitzt, um Signale zu integrieren, und ist auch eine Vorrichtung notwendig geworden mit einer Vielzahl von Eingängen und einem unterschiedlichen Typ von Vorrichtungen oder Programmbibliotheken entsprechend einer Anzahl von Eingängen. Allgemein ist ein Multiplikationsschaltkreis für eine gegebene Gewichtung und ein Integrieren jedes Signals notwendig geworden. Um dies zu realisieren, ist die Struktur des Schaltkreises komplex geworden.Conventionally, a device having a plurality of inputs has become necessary for integrating signals, and a device having a plurality of inputs and a different type of devices or program libraries corresponding to a number of inputs has also become necessary. Generally, a multiplication circuit for giving a given weight and integrating each signal has become necessary. To realize this, the structure of the circuit has become complex.
Die vorliegende Erfindung löst die vorstehenden, herkömmlichen Probleme und ihr liegt eine Aufgabe zugrunde, einen Signalintegrationsschaltkreis zum Integrieren eines gewichteten Signals durch einen einfachen Schaltkreis zu schaffen.The present invention solves the above conventional problems and has an object to provide a signal integration circuit for integrating a weighted signal by a simple circuit.
Ein Signalintegrationsschaltkreis gemäß der vorliegenden Erfindung steuert den Schwellwert eines MOSFET durch eine Spannung, die durch Vorgeben einer elektrischen Ladung zu einer parallelen Kapazität integriert ist, und erzeugt ein Ausgangspulssignal durch Eliminieren eines referenzmäßigen Sägezahnsignals mit dem Schwellwert. Jede Kapazität wird durch Verbinden der Energieversorgungsquelle, die die vorbestimmte Spannung besitzt, mit der Kapazität synchron zu dem Eingangspulssignal geladen.A signal integration circuit according to the present invention controls the threshold value of a MOSFET by a voltage integrated by giving an electric charge to a parallel capacitance, and generates an output pulse signal by eliminating a reference sawtooth signal with the threshold value. Each capacitance is controlled by connecting the power source that supplies the predetermined voltage, with the capacitance charged synchronously with the input pulse signal.
Figur 1 stellt einen Schaltkreis dar, der den Signalintegrationsschaltkreis gemäß der vorliegenden Erfindung verkörpert.Figure 1 illustrates a circuit embodying the signal integration circuit according to the present invention.
Figur 2 stellt einen Schaltkreis eines Eingangsmoduls der Ausführungsform der Figur 1 dar.Figure 2 shows a circuit of an input module of the embodiment of Figure 1.
Figur 3 (a) stellt eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen dem Eingangspulssignal und dem Eingangsmodulausgang dar.Figure 3 (a) is a graphical representation of the relationship between the input pulse signal and the input module output.
Figur 3 (b) stellt eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der referenzmäßigen Sägezahnwellenform und der Schwellwertspannung dar.Figure 3 (b) is a graphical representation of the relationship between the reference sawtooth waveform and the threshold voltage.
Figur 3 (c) stellt eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der referenzmäßigen Sägezahnwellenform und dem Ausgangspulssignal dar.Figure 3 (c) is a graphical representation of the relationship between the reference sawtooth waveform and the output pulse signal.
Nachfolgend wird eine Ausführungsform des Signalintegrationsschaltkreises gemäß der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.Hereinafter, an embodiment of the signal integration circuit according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
In Figur 1 verbindet der Signalintegrationsschaltkreis eine Vielzahl von Eingangsmodulen WS&sub1;, WS&sub2;, ..., Wsn mit einem MOSFET ("T&sub1;" nachfolgend) über parallele Kapazitäten C&sub1;, C&sub2;, ..., Cn. Das Drain von T&sub1; ist mit einer Eingangsenergieversorgung Vcc verbunden. Die Source von T&sub1; ist über eine Kapazität Cg1 geerdet. Eine Spannung D&sub0; wird in der Source von T&sub1; gemäß der Spannung des Gate bzw. Gatters erzeugt.In Figure 1, the signal integration circuit connects a plurality of input modules WS₁, WS₂, ..., Wsn to a MOSFET ("T₁" hereinafter) via parallel capacitances C₁, C₂, ..., Cn. The drain of T₁ is connected to an input power supply Vcc. The source of T₁ is grounded via a capacitance Cg1. A voltage D₀ is generated in the source of T₁ according to the voltage of the gate.
Das referenzmäßige Sägezahnsignal "RP" wird zu dem Gate des T&sub1; über eine Kapazität "Cr" eingegeben. Die Spannung des Gates von T&sub1; ist dieselbe wie die Summation der elektrischen Ladungen von C&sub1; bis Cn und Cr. Hier wird die Schwellwertspannung dahingehend angenommen, daß sie 0V ist, und RP ist die Sägezahnwellenform in minus mit 0V des maximalen Werts, wie dies in Figur 3 (b) angegeben ist. Wenn die Spannung des Gates durch die Kapazitäten von C&sub1; bis Cn ansteigt, wird der Effekt erzeugt, der derselbe ist wie derjenige, wenn der Schwellwert für RP niedriger wird. Er ist in Figur 3 (b) mit unterbrochener Linie Vt dargestellt. T&sub1; wird in dem Teil über Vi leitend. Der Ausgang von T&sub1; ist das Ausgangspulssignal D&sub0; in Figur 3 (c).The reference sawtooth signal "RP" is input to the gate of T₁ through a capacitance "Cr". The voltage of the gate of T₁ is the same as the summation of the electric charges from C₁ to Cn and Cr. Here, the threshold voltage is assumed to be 0V, and RP is the sawtooth waveform in minus 0V of the maximum value as shown in Figure 3 (b). When the voltage of the gate increases through the capacitances from C₁ to Cn, the effect is produced which is the same as that when the threshold value for RP becomes lower. It is shown in Figure 3 (b) with a broken line Vt. T₁ becomes conductive in the part above Vi. The output of T₁ is the output pulse signal D₀ in Figure 3 (c).
Wie in Figur 2 dargestellt ist, wird in dem Eingangsmodul WSi ein Eingangspulssignal Di zu dem Drain des MOSFET ("T&sub2;" nachfolgend) eingegeben und die Source von T&sub2; ist ein Ausgangsanschluß der Kapazität Ci. Die Source von T&sub2; wird über die Kapazität Cg2 und den Widerstand R&sub2; dazu geerdet. Unter einer Aufladungs- und Entladungselektrizität zu der vorbestimmten Zeit wird eine Spannung V entsprechend zu Di erzeugt. Figur 3 (a) stellt ein Beispiel der Beziehung zwischen Di und Vi dar.As shown in Figure 2, in the input module WSi, an input pulse signal Di is input to the drain of the MOSFET ("T2" hereinafter), and the source of T2 is an output terminal of the capacitance Ci. The source of T2 is grounded thereto via the capacitance Cg2 and the resistance R2. Under charging and discharging electricity at the predetermined time, a voltage V corresponding to Di is generated. Figure 3 (a) shows an example of the relationship between Di and Vi.
Die Kapazität Cg3 ist mit dem Gate von T&sub2; zum Einstellen einer Gatespannung verbunden, mit der der MOSFET ("T&sub3;" nachfolgend) für eine Aufladungselektrizität verbunden ist. Ein Gewichtungseinstellpulssignal Wi wird zu dem Gate von T&sub3; ein gegeben. Cg3 wird durch die Energieversorgung Vcc aufgeladen, während sich der Impuls auf einem hohen Niveau befindet, wobei demzufolge die Spannung des Gates von T&sub2; eingestellt wird. Die Spannung des Gates ist äquivalent zu der Gewichtung. Die Geschwindigkeit zur Aufladung von Cg2 wird höher, da die Spannung zwischen der Source und dem Drain von T&sub2; entsprechend zu der Spannung des Gates ansteigt, wobei demzufolge der maximale Wert von Vi ansteigt. Wenn die Drain-Spannung von T&sub2; OV ist, wird die Elektrizität von der Source zu dem Drain entladen. Wenn die Konstante geeignet ist, ist R&sub2; nicht notwendig.The capacitance Cg3 is connected to the gate of T₂ for setting a gate voltage to which the MOSFET ("T₃" hereinafter) is connected for charging electricity. A weight setting pulse signal Wi is input to the gate of T₃. Cg3 is charged by the power supply Vcc while the pulse is at a high level, thus setting the voltage of the gate of T₂. The voltage of the gate is equivalent to the weight. The speed of charging Cg2 becomes higher because the voltage between the source and drain of T₂ increases in accordance with the voltage of the gate, thus increasing the maximum value of Vi. When the drain voltage of T₂ is OV, the electricity is discharged from the source to the drain. If the constant is appropriate, R₂ is not necessary.
Die vorstehende Beschreibung stellt dar, daß der Signalintegrationsschaltkreis die Spannung des Schwellwerts von T&sub1; entsprechend zu dem Tastverhältnis des Gewichtungseingangspulssignals Di ändert und steuert das Tastverhältnis des Ausgangspulssignals durch diese. Deshalb ist es möglich, das Ergebnis eines gewichteten Pulseingangs auszugeben.The above description shows that the signal integration circuit changes the voltage of the threshold value of T₁ according to the duty ratio of the weighted input pulse signal Di and controls the duty ratio of the output pulse signal by this. Therefore, it is possible to output the result of a weighted pulse input.
Wie erwähnt ist, steuert der Signalintegrationsschaltkreis gemäß der vorliegenden Erfindung den Schwellwert des MOSFET durch eine Spannung, die durch eine gegebene, elektrische Ladung zu einer parallelen Kapazität integriert ist, erzeugt ein Ausgangspulssignal durch Eliminieren einer referenzmäßigen Sägezahnwellenform mit dem Schwellwert. Jede Kapazität wird durch Verbinden der Energieversorgungsquelle aufgeladen, die die vorbestimmte Spannung zu der Kapazität synchron zu dem Eingangspulssignal aufweist. Deshalb ist es möglich, die Integration eines gewichteten Signals durch einen ziemlich einfachen Schaltkreis zu realisieren.As mentioned, the signal integration circuit according to the present invention controls the threshold value of the MOSFET by a voltage integrated by a given electric charge to a parallel capacitance, generates an output pulse signal by eliminating a reference sawtooth waveform with the threshold. Each capacitance is charged by connecting the power source having the predetermined voltage to the capacitance in synchronization with the input pulse signal. Therefore, it is possible to realize the integration of a weighted signal by a fairly simple circuit.
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