HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION
1. Gebiet der Erfindung1. Field of the invention
Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf Hochfrequenzsignal-Schaltschaltungen
und ins Besondere auf eine Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung, die
mit dem Zuführ-Ende
eines Fernsehgerät-Tuners
verbunden ist, die dazwischen hin und her geschaltet werden kann,
wenn ein starkes elektrisches Feld zugeführt wird und wenn ein schwaches elektrisches
Feld zugeführt
wird, und die einen reduzierten Hochfrequenzsignalübertragungsverlust
und eine reduzierte Anzahl von notwendigen Bauteilen hat.The
The present invention relates to high frequency signal switching circuits
and in particular to a high frequency signal switching circuit, the
with the feed end
a TV tuner
is connected, which can be switched back and forth in between,
when a strong electric field is supplied and when a weak electric
Field supplied
which reduces radio frequency signal loss
and has a reduced number of necessary components.
2. Beschreibung der in
Verbindung stehenden Technik2. Description of in
Related technology
Es
ist eine Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung bekannt, die mit dem
Zuführ-Ende eines Fernsehgerät-Tuners
verbunden ist, um sowohl einen Zustand eines starken elektrischen
Felds als auch einen Zustand eines schwachen elektrischen Felds
zu bewältigen.
Die Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung hat einen ersten Hochfrequenzsignalpfad,
in dem ein Hochfrequenzsignal durch eine Hochfrequenzverstärkerstufe übertragen
wird, und einen zweiten Hochfrequenzsignalpfad, in dem ein Hochfrequenzsignal
die Hochfrequenzverstärkerstufe
umgeht. In einem Zustand eines schwachen elektrischen Felds wird
ein Hochfrequenzsignal durch den ersten Hochfrequenzsignalpfad übertragen
und von der Hochfrequenzverstärkerstufe
derart verstärkt,
dass das Hochfrequenzsignal einen vorherbestimmten Pegel hat, wenn
es dem Fernsehgerät-Tuner
zugeführt wird.
Im Zustand eines starken elektrischen Felds wird ein Hochfrequenzsignal
durch den zweiten Hochfrequenzsignalpfad übertragen, um die Hochfrequenzverstärkerstufe
zu umgehen, so dass das Hochfrequenzsignal den vorherbestimmten
Pegel nicht übersteigt,
wenn es dem Fernsehgerät-Tuner zugeführt wird.It
a high frequency signal switching circuit is known with the
Feed end of a TV tuner
connected to both a state of a strong electric
Felds as well as a state of a weak electric field
to manage something.
The high-frequency signal switching circuit has a first high-frequency signal path,
in which a high frequency signal is transmitted through a high frequency amplifier stage
and a second high frequency signal path in which a high frequency signal
the high-frequency amplifier stage
bypasses. In a state of weak electric field is
transmit a high frequency signal through the first high frequency signal path
and from the high frequency amplifier stage
so intensified,
that the high frequency signal has a predetermined level when
it's the TV tuner
is supplied.
In the state of a strong electric field, a high frequency signal becomes
transmitted through the second high frequency signal path to the high frequency amplifier stage
to get around so that the high frequency signal is the predetermined one
Does not exceed level,
when it is fed to the TV tuner.
3 ist
ein Schaltungsdiagramm einer herkömmlichen Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung. Ein
Tuner in einem Fernsehgerät
ist auch in der Figur gezeigt. 3 Fig. 10 is a circuit diagram of a conventional high frequency signal switching circuit. A tuner in a TV is also shown in the figure.
Wie
in 3 gezeigt, wird die Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 30 von
einem ersten Hochfrequenzsignalpfad 31, einem zweiten Hochfrequenzsignalpfad 32,
einer Eingangskopplungsschaltung 33, einem Hochfrequenzsignal-Zuführanschluss 34,
einem Hochfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 35, einem Banddekodierer
(Schaltspannungsbereitstellabschnitt) 36 und einem Energieversorgungsanschluss 37 gebildet.As in 3 is shown, the high-frequency signal switching circuit 30 from a first high frequency signal path 31 a second high frequency signal path 32 an input coupling circuit 33 a high-frequency signal supply terminal 34 a high frequency signal output terminal 35 a band decoder (switching voltage providing section) 36 and a power supply terminal 37 educated.
Der
erste Hochfrequenzsignalpfad 31 wird von einem Verstärkungs-Feldeffekttransistor
(FET) 311 , einer ersten Diode 312 , einer zweiten Diode 313 , Vorspannungseinstellwiderständen 314 und 315 ,
einem Source-Widerstand 316 , einem Überbrückungskondensator 317 , einer Lastinduktivität 318 , einem Lastwiderstand 319 , Überbrückungskondensatoren 3110 und 3113 ,
Gleichstromsperrkondensatoren 3111 und 3116 und Vorspannungseinstellwiderständen 3112 , 3114 und 3115 gebildet. Der zweite Hochfrequenzsignalpfad 32 wird
von einem Signalübertragungs-Feldeffekttransistor
(FET) 321 , einer dritten Diode 322 , Gleichstromsperrkondensatoren 323 und 326 und
Vorspannungseinstellwiderständen 324 und 325 gebildet.
Die Eingangskopplungsschaltung 33 wird von den Induktivitäten 331 und 333 und
den Kondensatoren 332 , 334 und 335 gebildet.The first high frequency signal path 31 is powered by a gain field effect transistor (FET) 31 1 , a first diode 31 2 , a second diode 31 3 , Bias voltage setting resistors 31 4 and 31 5 , a source resistor 31 6 , a bypass capacitor 31 7 , a load inductance 31 8 , a load resistor 31 9 , Bypass capacitors 31 10 and 31 13 , DC blocking capacitors 31 11 and 31 16 and bias voltage setting resistors 31 12 . 31 14 and 31 15 educated. The second high frequency signal path 32 is transmitted by a signal transmission field effect transistor (FET) 32 1 , a third diode 32 2 , DC blocking capacitors 32 3 and 32 6 and bias voltage setting resistors 32 4 and 32 5 educated. The input coupling circuit 33 is from the inductors 33 1 and 33 3 and the capacitors 33 2 . 33 4 and 33 5 educated.
In
dem ersten Hochfrequenzsignalpfad 31 ist das Gate des Verstärkungs-Feldeffekttransistors 31, mit
der Anode der ersten Diode 312 und
mit einem Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 315 verbunden, die Source davon ist mit
einem Ende des Source-Widerstands 316 und
mit einem Ende des Überbrückungskondensators 317 verbunden und das Drain davon ist
mit einem Ende der Lastinduktivität 318 und
mit einem Ende des Gleichstromsperrkondensators 3111 verbunden.
Die Kathode der ersten Diode 312 ist
mit einem Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 314 und mit einem Ende des Kondensators 335 in der Eingangskopplungsschaltung 33 verbunden.
Die Anode der zweiten Diode 313 ist
mit einem Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 31 14 verbunden die Kathode davon ist mit
einem Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 3115 und mit
einem Ende des Gleichstromsperrkondensators 3116 verbunden.
Das andere Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 314 ist masseverbunden und das andere
Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 315 ist
mit einem Ausgabe-Ende des Banddekodierers 36 verbunden.
Das andere Ende des Source- Widerstands 316 und das andere Ende des Überbrückungskondensators 317 sind masseverbunden. Das andere Ende
der Lastinduktivität 318 ist mit einem Ende des Lastwiderstands 319 verbunden. Das andere Ende des Lastwiderstands 319 ist mit einem Ende des Überbrückungskondensators 3110 und mit dem Energieversorgungsanschluss 37 verbunden.
Das andere Ende des Überbrückungskondensators 3110 ist masseverbunden und das andere Ende
des Gleichstromsperrkondensators 3111 ist
mit dem anderen Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 3112 und mit dem anderen Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 3114 verbunden. Das andere Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 3112 ist mit einem Ende des Überbrückungskondensators 3113 und mit dem Ausgabe-Ende des Banddekodierers 36 verbunden.
Das andere Ende des Überbrückungskondensators 3113 ist masseverbunden und das andere
Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 3115 ist
masseverbunden. Das andere Ende des Gleichstromsperrkondensators 3116 ist mit dem Hochfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 35 verbunden.In the first high frequency signal path 31 is the gate of the gain field effect transistor 31 , with the anode of the first diode 31 2 and with one end of the bias voltage setting resistor 31 5 the source of which is connected to one end of the source resistor 31 6 and with one end of the bypass capacitor 31 7 and the drain thereof is connected to one end of the load inductance 31 8 and with one end of the DC blocking capacitor 31 11 connected. The cathode of the first diode 31 2 is at one end of the bias voltage setting resistor 31 4 and with one end of the capacitor 33 5 in the input coupling circuit 33 connected. The anode of the second diode 31 3 is at one end of the bias voltage setting resistor 31 14 the cathode thereof is connected to one end of the bias voltage setting resistor 31 15 and with one end of the DC blocking capacitor 31 16 connected. The other end of the bias voltage setting resistor 31 4 is grounded and the other end of the bias voltage setting resistor 31 5 is with an output end of the tape decoder 36 connected. The other end of the source resistor 31 6 and the other end of the bypass capacitor 31 7 are grounded. The other end of the load inductance 31 8 is at one end of the load resistance 31 9 connected. The other end of the load resistance 31 9 is with one end of the bypass capacitor 31 10 and with the power supply connection 37 connected. The other end of the bypass capacitor 31 10 is grounded and the other end of the DC blocking capacitor 31 11 is at the other end of the bias voltage setting resistor 31 12 and with the other end of the bias voltage setting resistor 31 14 connected. The other end of the bias voltage setting resistor 31 12 is with one end of the bypass capacitor 31 13 and with the output end of the band decoder 36 connected. The other end of the bypass capacitor 31 13 is grounded and the other end of the bias voltage adjuster stands 31 15 is grounded. The other end of the DC blocking capacitor 31 16 is with the high frequency signal output port 35 connected.
In
dem zweiten Hochfrequenzsignalpfad 32 ist das Gate des
Signalübertragungs-Feldeffekttransistors 321 mit der Anode der dritten Diode 322 und mit einem Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 324 verbunden, ist die Source davon mit
einem Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 325 und
mit einem Ende des Gleichstromsperrkondensators 326 verbunden
und ist das Drain davon mit einem Ende des Gleichstromsperrkondensators 323 verbunden. Die Kathode der dritten
Diode 322 ist masseverbunden und
das andere Ende des Gleichstromsperrkondensators 323 ist
mit der Kathode der ersten Diode 312 verbunden.
Das andere Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 324 und das andere Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 325 sind mit dem Ausgabe-Ende des Banddekodierers 36 verbunden.
Das andere Ende des Gleichstromsperrkondensators 326 ist
mit der Kathode der zweiten Diode 313 verbunden.
In der Eingangskopplungsschaltung 33 ist ein Ende der Induktivität 33,
mit einem Ende des Kondensators 332 und
mit dem Hochfrequenzsignal-Zuführanschluss 34 verbunden
und ist das andere Ende davon masseverbunden. Das andere Ende des
Kondensators 332 ist mit einem
Ende der Induktivität 333 und mit dem anderen Ende des Kondensators 335 verbunden, das andere Ende der Induktivität 333 ist mit einem Ende des Kondensators 334 verbunden und das andere Ende des
Kondensators 334 ist masseverbunden.
Das Zuführ-Ende
des Banddekodierers 36 ist mit dem Energie versorgungsanschluss 37 verbunden
und der Energieversorgungsanschluss 37 ist mit einem Energieversorgungsanschluss 47 eines
Fernsehgerät-Tuners 40 verbunden.In the second high frequency signal path 32 is the gate of the signal transmission field effect transistor 32 1 with the anode of the third diode 32 2 and with one end of the bias voltage setting resistor 32 4 The source thereof is connected to one end of the bias voltage setting resistor 32 5 and with one end of the DC blocking capacitor 32 6 and is the drain thereof with one end of the DC blocking capacitor 32 3 connected. The cathode of the third diode 32 2 is grounded and the other end of the DC blocking capacitor 32 3 is with the cathode of the first diode 31 2 connected. The other end of the bias voltage setting resistor 32 4 and the other end of the bias voltage setting resistor 32 5 are at the output end of the tape decoder 36 connected. The other end of the DC blocking capacitor 32 6 is with the cathode of the second diode 31 3 connected. In the input coupling circuit 33 is an end to the inductance 33 , with one end of the capacitor 33 2 and with the high-frequency signal supply terminal 34 connected and the other end of it is grounded. The other end of the capacitor 33 2 is with one end of the inductance 33 3 and with the other end of the capacitor 33 5 connected, the other end of the inductance 33 3 is with one end of the capacitor 33 4 connected and the other end of the capacitor 33 4 is grounded. The feed end of the tape decoder 36 is connected to the power supply connection 37 connected and the power supply connection 37 is with a power supply connection 47 a TV tuner 40 connected.
Wie
in 3 gezeigt, wird der Fernsehgerät-Tuner 40 von einem
VHF-Antennenschaltungsabschnitt (VHFANT) 41v, einem UHF-Antennenschaltungsabschnitt
(UHFANT) 41u, einem VHF-Hochfrequenzverstärkerabschnitt
(VHFRFAMP) 42v, einem UHF-Hochfrequenzverstärkerabschnitt
(UHFRFAMP) 42u, einem VHF-Hochfrequenzschaltungsabschnitt (VHFRF) 43v,
einem UHF-Hochfrequenzschaltungsabschnitt (UHFRF) 43u,
einer VHF-Mischstufe (VHFMIX) 44v, einem UHF-Mischabschnitt
(UHFMIX) 44u, einem Zwischenfrequenzsignal-Verstärkungsabschnitt
(IFAMP) 45, einem Zwischenfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 46 und
dem Energieversorgungsanschluss 47 gebildet.As in 3 shown is the TV tuner 40 from a VHF antenna circuit section (VHFANT) 41v , a UHF antenna circuit section (UHFANT) 41u , a VHF high frequency amplifier section (VHFRFAMP) 42v , a UHF high frequency amplifier section (UHFRFAMP) 42u , a VHF high frequency circuit section (VHFRF) 43v , a UHF high frequency circuit section (UHFRF) 43u , a VHF Mixing Stage (VHFMIX) 44v , a UHF mixing section (UHFMIX) 44u an intermediate frequency signal amplifying section (IFAMP) 45 , an intermediate frequency signal output terminal 46 and the power supply connection 47 educated.
In
diesem Fall ist das Zuführ-Ende
des VHF-Antennenschaltungsabschnitts 41v mit dem Hochfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 35 der Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 30 verbunden und
das Ausgangsende davon ist mit dem Zuführ-Ende des VHF-Hochfrequenzverstärkerabschnitts 42v verbunden.
Das Zuführ-Ende des UHF-Antennenschaltungsabschnitts 41u ist
mit dem Hochfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 35 verbunden
und das Ausgabe-Ende davon ist mit dem Zuführ-Ende des UHF-Hochfrequenzverstärkerabschnitt 42u verbunden.
Das Ausgabe-Ende des VHF-Hochfrequenzverstärkerabschnitts 42v ist
mit dem Zuführ-Ende des VHF-Hochfrequenzschaltungsabschnitts 43v verbunden
und das Ausgabe-Ende des UHF-Hochfrequenzverstärkerabschnitts 42u ist
mit dem Zuführ-Ende des UHF-Hochfrequenzschaltungsabschnitts 43u verbunden.
Das Ausgabe-Ende
des VHF-Hochfrequenzschaltungsabschnitts 43v ist mit dem
Zuführ-Ende
der VHF-Mischstufe 44v verbunden und das Ausgabe-Ende des
UHF-Hochfrequenzschaltungsabschnitts 43u ist mit dem Zuführ-Ende der
UHF-Mischstufe 44u verbunden. Das Ausgabe-Ende der VHF-Mischstufe 44v ist
mit dem Zuführ-Ende des Zwischenfrequenzverstärkerabschnitts 45 verbunden
und das Ausgabe-Ende
der UHF-Mischstufe 44u ist mit dem Zuführ-Ende des Zwischenfrequenzverstärkerabschnitts 45 verbunden.
Das Ausgabe-Ende des Zwischenfrequenzverstärkerabschnitts 45 ist
mit dem Zwischenfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 46 verbunden.In this case, the feeding end of the VHF antenna circuit section is 41v with the high frequency signal output port 35 the high-frequency signal switching circuit 30 and the output end thereof is connected to the feeding end of the VHF high frequency amplifier section 42v connected. The feeding end of the UHF antenna circuit section 41u is with the high frequency signal output port 35 and the output end thereof is connected to the feeding end of the UHF high frequency amplifier section 42u connected. The output end of the VHF high frequency amplifier section 42v is at the feeding end of the VHF high frequency circuit section 43v connected and the output end of the UHF high-frequency amplifier section 42u is at the feed end of the UHF high frequency circuit section 43u connected. The output end of the VHF high frequency circuit section 43v is at the feed end of the VHF mixing stage 44v connected and the output end of the UHF high-frequency circuit section 43u is with the feed end of the UHF mixer 44u connected. The output end of the VHF mixer 44v is at the feeding end of the intermediate frequency amplifier section 45 connected and the output end of the UHF mixer 44u is at the feeding end of the intermediate frequency amplifier section 45 connected. The output end of the intermediate frequency amplifier section 45 is with the intermediate frequency signal output port 46 connected.
Die
Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 30 mit der oben genannten
Struktur arbeitet folgendermaßen.The high-frequency signal switching circuit 30 with the above structure works as follows.
Wenn
der mit der Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 30 verbundene
Fernsehgerät-Tuner 40 in
einem Bereich mit einem schwachen elektrischen Feld, nämlich in
einem Bereich, in dem die Feldintensität der empfangenen Signale niedrig ist,
verwendet wird, ist der Banddekodierer 36 in der Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 30 so
geschaltet, dass er eine Spannung VB, wie
z.B. 5 V, ausgibt, die einer Energieversorgungsspannung von seinem Ausgabe-Ende
gleicht. Dann wird die von dem Banddekodierer 36 ausgegebene
Spannung VB durch den Vorspannungseinstellwiderstand 315 an das Gate des Verstärkungs-Feldeffekttransistors 311 geschickt, um den Verstärkungs-Feldeffekttransistor 311 in einen Betriebszustand zu setzen.
Zur gleichen Zeit fließt
von der Spannung VB bewirkter Strom durch
den Vorspannungseinstellwiderstand 315 ,
die erste Diode 312 und den Vorspannungseinstellwiderstand 314 zur Masse, um die erste Diode 312 einzuschalten. Von der Spannung VB bewirkter Strom fließt auch durch die Vorspannungseinstellwiderstände 31 12 und 31 14 ,
die zweite Diode 313 und den Vorspannungseinstellwiderstand 31 15 zur Masse, um die zweite Diode 313 einzuschalten. Von der Spannung VB bewirkter Strom fließt auch durch den Vorspannungseinstellwiderstand 324 und die dritte Diode 322 , um die Gate-Spannung des Signalübertragungs-Feldeffekttransistors 321 niedriger zu machen als dessen Source-Spannung,
um den Signalübertragungs-Feldeffekttransistor 321 auszuschalten.When using the high frequency signal switching circuit 30 connected TV tuner 40 is used in a region with a weak electric field, namely in a region where the field intensity of the received signals is low, is the band decoder 36 in the high-frequency signal switching circuit 30 is switched so that it outputs a voltage V B , such as 5 V, which is equal to a power supply voltage from its output end. Then that is from the tape decoder 36 output voltage V B by the Vorspannungseinstellwiderstand 31 5 to the gate of the amplifying field effect transistor 31 1 sent to the gain field effect transistor 31 1 to put into an operating state. At the same time, current caused by the voltage V B flows through the bias setting resistor 31 5 , the first diode 31 2 and the bias voltage setting resistor 31 4 to ground to the first diode 31 2 turn. Current caused by the voltage V B also flows through the bias voltage setting resistors 31 12 and 31 14 , the second diode 31 3 and the bias voltage setting resistor 31 15 to the ground, to the second diode 31 3 turn. Current caused by the voltage V B also flows through the bias voltage setting resistor 32 4 and the third diode 32 2 to the gate voltage of the signal transmission field effect transistor 32 1 lower as its source voltage to the signal transmission field effect transistor 32 1 off.
Deshalb
ist, während
der erste Hochfrequenzsignalpfad 31 aktiv ist, der zweite
Hochfrequenzsignalpfad 32 inaktiv. Ein dem Hochfrequenzsignal-Zuführanschluss 34 zugeführtes Niedrigpegel-Hochfrequenzsignal
wird durch die erste Diode 312 ,
die an ist, an den Verstärkungs-Feldeffekttransistor 311 geschickt, wird von dem Verstärkungs-Feldeffekttransistor 311 auf einen vorherbestimmten Pegel verstärkt und
wird dann durch die zweite Diode 313 ,
die an ist, an den Hochfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 35 geschickt.
Zu diesem Zeitpunkt wird, da der Signalübertragungs-Feldeffekttransistor 321 aus ist, das Hochfrequenzsignal nicht
durch den Signalübertragungs-Feldeffekttransistor 321 an den Hochfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 35 geschickt.Therefore, while the first high frequency signal path 31 is active, the second high frequency signal path 32 inactive. A high-frequency signal supply terminal 34 supplied low level high frequency signal is through the first diode 31 2 to the gain field effect transistor 31 1 is sent from the gain field effect transistor 31 1 amplified to a predetermined level and then through the second diode 31 3 to the high frequency signal output port 35 cleverly. At this time, since the signal transmission field effect transistor 32 1 is off, the high frequency signal is not through the signal transmission field effect transistor 32 1 to the high frequency signal output port 35 cleverly.
Wenn
der mit der Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 30 verbundene
Fernsehgerät-Tuner 40 in
einem Bereich eines starken elektrischen Felds, nämlich in
einem Bereich, in dem die Feldintensität der empfangenen Signale hoch
ist, verwendet wird, ist der Banddekodierer 36 in der Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 30 so
geschaltet, dass er eine Spannung VE, wie
z.B. 0 V, ausgibt, die einer Massespannung von seinem Ausgabe-Ende
gleicht. Dann kann die von dem Banddekodierer 36 ausgegebene
Massespannung VE, auch wenn sie durch den
Vorspannungseinstellwiderstand 315 an das
Gate des Verstärkungs-Feldeffekttransistors 311 geschickt wird, den Verstärkungs-Feldeffekttransistor 311 nicht in einen Betriebszustand versetzen.
Der Verstärkungs-Feldeffekttransistor 311 ist in einem Nicht-Betriebszustand.
Aufgrund der Massespannung VE fließt zur gleichen
Zeit kein Strom durch den Vorspannungseinstellwiderstand 315 , die erste Diode 312 und
den Vorspannungseinstellwiderstand 314 zur Masse,
so dass die erste Diode 312 ausgeschaltet
ist. Auf die gleiche Weise fließt
durch die Massespannung VE kein Strom durch
die Vorspannungseinstellwiderstände 31 12 und 31 14 ,
die zweite Diode 313 und den Vorspannungseinstellwiderstand 31 15 in die Masse, so dass die zweite
Diode 313 auch ausgeschaltet ist.
Aufgrund der Massespannung VE fließt kein Strom
durch den Vorspannungseinstellwiderstand 324 und
die dritte Diode 322 , so dass der
Spannungsunterschied zwischen dem Gate und der Source des Signalübertragungs-Feldeffekttransistors 321 null wird, um den Signalübertragungs-Feldeffekttransistor 321 einzuschalten.When using the high frequency signal switching circuit 30 connected TV tuner 40 is used in a region of a strong electric field, namely, in a region where the field intensity of the received signals is high, is the band decoder 36 in the high-frequency signal switching circuit 30 is switched so that it outputs a voltage V E , such as 0 V, which is equal to a ground voltage of its output end. Then that can be done by the tape decoder 36 output ground voltage V E , even if it is caused by the Vorspannungseinstellwiderstand 31 5 to the gate of the amplifying field effect transistor 31 1 is sent, the gain field effect transistor 31 1 do not put into an operating condition. The gain field effect transistor 31 1 is in a non-operational state. Due to the ground voltage V E , no current flows through the bias voltage setting resistor at the same time 31 5 , the first diode 31 2 and the bias voltage setting resistor 31 4 to the ground, leaving the first diode 31 2 is off. In the same way, no current flows through the bias voltage setting resistances by the ground voltage V E 31 12 and 31 14 , the second diode 31 3 and the bias voltage setting resistor 31 15 into the mass, leaving the second diode 31 3 also turned off. Due to the ground voltage V E , no current flows through the bias voltage setting resistor 32 4 and the third diode 32 2 such that the voltage difference between the gate and the source of the signal transmission field effect transistor 32 1 becomes zero to the signal transmission field effect transistor 32 1 turn.
Deshalb
ist, während
der erste Hochfrequenzsignalpfad 31 inaktiv ist, der zweite
Hochfrequenzsignalpfad 32 aktiv. Ein dem Hochfrequenzsignal-Zuführanschluss 34 zugeführtes Hochpegel-Hochfrequenzsignal
wird durch den Signalübertragungs-Feldeffekttransistor 321 , der an ist, an den Hochfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 35 geschickt.
Zu diesem Zeitpunkt wird, da die erste Diode 312 und
die zweite Diode 313 beide aus
sind und der Verstärkungs-Feldeffekttransistor 311 inaktiv ist, das Hochfrequenzsignal
nicht durch den Verstärkungs-Feldeffekttransistor 311 an den Hochfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 35 geschickt.Therefore, while the first high frequency signal path 31 is inactive, the second high frequency signal path 32 active. A high-frequency signal supply terminal 34 supplied high level high frequency signal is through the signal transmission field effect transistor 32 1 , which is on, to the high frequency signal output port 35 cleverly. At this time, since the first diode 31 2 and the second diode 31 3 both are off and the gain field effect transistor 31 1 is inactive, the high frequency signal is not through the gain field effect transistor 31 1 to the high frequency signal output port 35 cleverly.
Dann
wird das an den Hochfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 35 geschickte
Signal an den Fernsehgerät-Tuner
geschickt. Wenn das Hochfrequenzsignal ein empfangenes VHF-Bandfernsehsignal
ist, werden Signalkomponenten in unnötigen Signalfrequenzbändern von
dem VHF-Antennenschaltungsabschnitt 41v von dem empfangenen
Fernsehsignal entfernt, wird das resultierende Signal von dem VHF-Hochfrequenz-Verstärkerabschnitt 42v auf einen
vorherbestimmten Pegel verstärkt,
werden wieder Signalkomponenten in unnötigen Signalfrequenzbändern von
dem VHF-Hochfrequenzschaltungsabschnitt 43v von dem verstärkten Signal
entfernt, wird das resultierende Signal von der VHF-Mischstufe 44v in
ein Zwischenfrequenzsignal gewandelt, wird das erhaltene Zwischenfrequenzsignal
von dem Zwischenfrequenzverstärkerabschnitt 45 auf
einen vorherbestimmten Pegel verstärkt und wird das verstärkte Signal
an den Zwischenfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 46 geschickt.
Wenn das Hochfrequenzsignal ein empfangenes UHF-Bandfernsehsignal
ist, werden Signalkomponenten in unnötigen Signalfrequenzbändern von
dem UHF-Antennenschaltungsabschnitt 41u von dem empfangenen
Fernsehsignal entfernt, wird das resultierende Signal von dem UHF-Hochfrequenz-Verstärkerabschnitt 42u auf
einen vorherbestimmten Pegel verstärkt, werden wieder Signalkomponenten
in unnötigen
Signalfrequenzbändern
von dem UHF-Hochfrequenzschaltungsabschnitt 43u von dem
verstärkten Signal
entfernt, wird das resultierende Signal von der UHF-Mischstufe 44u in
ein Zwischenfrequenzsignal gewandelt, wird das erhaltene Zwischenfrequenzsignal
von dem Zwischenfrequenzverstärkerabschnitt 45 auf
einen vorherbestimmten Pegel verstärkt und wird das verstärkte Signal
an den Zwischenfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 46 geschickt.Then that becomes the high frequency signal output port 35 sent sent signal to the TV tuner. When the high frequency signal is a received VHF band television signal, signal components in unnecessary signal frequency bands become from the VHF antenna circuit section 41v removed from the received television signal, the resulting signal from the VHF radio frequency amplifier section 42v amplified to a predetermined level, again signal components in unnecessary signal frequency bands from the VHF high frequency circuit section 43v removed from the amplified signal, the resulting signal from the VHF mixer 44v converted into an intermediate frequency signal, the obtained intermediate frequency signal from the intermediate frequency amplifier section 45 amplified to a predetermined level and the amplified signal is applied to the intermediate frequency signal output terminal 46 cleverly. When the high frequency signal is a received UHF band television signal, signal components in unnecessary signal frequency bands become from the UHF antenna circuit section 41u removed from the received television signal, the resulting signal from the UHF radio frequency amplifier section 42u amplified to a predetermined level, again signal components in unnecessary signal frequency bands from the UHF high-frequency circuit section 43u removed from the amplified signal, the resulting signal from the UHF mixer 44u converted into an intermediate frequency signal, the obtained intermediate frequency signal from the intermediate frequency amplifier section 45 amplified to a predetermined level and the amplified signal is applied to the intermediate frequency signal output terminal 46 cleverly.
In
der bekannten Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 30 wird,
wenn der erste Hochfrequenzsignalpfad 31 inaktiv wird und
zur selben Zeit der zweite Hochfrequenzsignalpfad 32 aktiv
wird, ein Hochfrequenzsignal im zweiten Hochfrequenzsignalpfad 32 durch
den Signalübertragungs-Feldeffekttransistor 321 übertragen,
der an ist. Deshalb tritt bedingt durch den Signalübertragungs-Feldeffekttransistor 321 ein Signalübertragungsverlust, zum Beispiel
von etwa 3 dB bis 4 dB, auf. Außerdem
werden, da relativ teure Schaltungskomponenten, wie z.B. der Hochfrequenz-Feldeffekttransistor 321 , erforderlich sind, um den zweiten
Hochfrequenzsignalpfad 32 zu bilden, die Herstellungskosten
der Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 30 hoch.In the known high frequency signal switching circuit 30 when the first high frequency signal path 31 becomes inactive and at the same time the second high frequency signal path 32 becomes active, a high frequency signal in the second high frequency signal path 32 by the signal transmission field effect transistor 32 1 render that is on. Therefore, due to the signal transmission field effect transistor 32 1 a signal transmission loss, for example, from about 3 dB to 4 dB. In addition, since relatively expensive circuit components, such as the high-frequency field effect transistor 32 1 are required to the second high frequency signal path 32 to form the manufacturing cost of high frequency signal switching circuit 30 high.
In
der bekannten Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 30 ist,
wenn der erste Hochfrequenzsignalpfad 31 inaktiv ist, eine
Aus-Vorspannung, die die erste Diode 312 und
die zweite Diode 313 ausschaltet,
relativ flach. Deshalb kann, wenn ein Hochpegel-Hochfrequenzsignal
geschickt wird, ein Teil des Hochpegel-Hochfrequenzsignals in die
erste Diode 312 und die zweite
Diode 313 fließen und, das Hochfrequenzsignal,
das durch den zweiten Hochfrequenzsignalpfad 32 übertragen
wird, verzerrt werden. Aus EP-A-0 874 452 ist eine Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung mit
einer Diode als einem Schaltelement in dem zweiten Signalpfad bekannt.In the known high frequency signal switching circuit 30 is when the first high frequency signal path 31 is inactive, an off-bias, which is the first diode 31 2 and the second diode 31 3 turns off, relatively flat. Therefore, when a high-level high-frequency signal is sent, part of the high-level high-frequency signal can be input to the first diode 31 2 and the second diode 31 3 and, the high frequency signal passing through the second high frequency signal path 32 is distorted. From EP-A-0 874 452 a high frequency signal switching circuit is known having a diode as a switching element in the second signal path.
ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNGSUMMARY
THE INVENTION
Die
vorliegende Erfindung wurde unter Berücksichtigung eines solchen
technischen Hintergrunds gemacht. Dementsprechend ist es eine Aufgabe
der vorliegenden Erfindung, eine Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung
zu schaffen, die einen Signalübertragungsverlust
in einem Zustand eines schwachen elektrischen Felds und relativ
teure Schaltungskomponenten reduziert und die den Aus-Vorspannungswert
einer Diode tief macht, um eine Verzerrung in einem Hochfrequenzsignal
zu unterdrücken.The
The present invention has been made in consideration of such
technical background. Accordingly, it is a task
of the present invention, a high frequency signal switching circuit
to create a signal transmission loss
in a state of weak electric field and relative
expensive circuit components and reduces the off-bias value
makes a diode low to distort a high frequency signal
to suppress.
Die
vorhergehende Aufgabe wird von der vorliegenden Erfindung wie durch
den unabhängigen Anspruch
definiert gelöst.The
The foregoing object is achieved by the present invention as by
the independent claim
defined solved.
Mit
einer solchen Konfiguration ist es leicht eine Durchlassvorspannung
festzulegen, die die erste Diode und die zweite Diode einschaltet,
und eine Sperrvorspannung, die die erste Diode und die zweite Diode
ausschaltet. Außerdem
ist es auch leicht eine Sperrvorspannung festzulegen, die die dritte
Diode ausschaltet, und eine Durchlassvorspannung, die die dritte
Diode einschaltet.With
In such a configuration, it is easy to have a forward bias
determine which turns on the first diode and the second diode,
and a reverse bias voltage that is the first diode and the second diode
off. Furthermore
it is also easy to set a reverse bias, which is the third
Diode turns off, and a forward bias, which is the third
Turns on the diode.
KURZE BESCHRIEBUNG
DER ZEICHNUNGENSHORT DESCRIPTION
THE DRAWINGS
1 ist
ein Schaltungsdiagramm einer Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung
gemäß einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, die zusammen mit einem Fernsehgerät-Tuner
gezeigt ist. 1 Fig. 12 is a circuit diagram of a high-frequency signal switching circuit according to an embodiment of the present invention shown together with a TV tuner.
2A und 2B zeigen
Ersatzschaltbilddiagramme, die einen Hauptteil der in 1 gezeigten
Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung zeigen, der in Betrieb ist. 2A and 2 B show equivalent circuit diagrams, which show a major part of in 1 show high-frequency signal switching circuit which is in operation.
3 ist
ein Schaltungsdiagramm einer bekannten Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung,
die zusammen mit einem Fernsehgerät-Tuner gezeigt ist. 3 Fig. 12 is a circuit diagram of a prior art high frequency signal switching circuit shown together with a TV tuner.
BESCHREIBUNG
DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMDESCRIPTION
THE PREFERRED EMBODIMENT
Eine
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung wird untenstehend mit Bezug auf die Zeichnungen
beschrieben.A
embodiment
The present invention will be described below with reference to the drawings
described.
1 ist
ein Schaltungsdiagramm einer Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung
gemäß einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Ein Tuner in einem Fernsehgerät wird auch
in der Figur gezeigt. 1 FIG. 10 is a circuit diagram of a high-frequency signal switching circuit according to an embodiment of the present invention. FIG. A tuner in a TV is also shown in the figure.
Wie
in 1 gezeigt, wird die Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 1 von
einem ersten Hochfrequenzsignalpfad 2, einem zweiten Hochfrequenzsignalpfad 3,
einer Eingangskopplungsschaltung 4, einem Hochfrequenzsignal-Zuführanschluss 5,
einem Hochfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 6, einem Energieversorgungsanschluss 7 und
einem Banddekodierer (Schaltspannungsbereitstellabschnitt) 8 gebildet.As in 1 is shown, the high-frequency signal switching circuit 1 from a first high frequency signal path 2 a second high frequency signal path 3 an input coupling circuit 4 a high-frequency signal supply terminal 5 a high frequency signal output terminal 6 , a power supply connection 7 and a band decoder (switching voltage providing section) 8th educated.
Der
erste Hochfrequenzsignalpfad 2 wird von einem Verstärkungs-Feldeffekttransistor
(FET) 21 , einer ersten Diode 22 , einer zweiten Diode 23 , Vorspannungseinstellwiderständen 24 , 25 ,
und 26 , einem Source-Widerstand 27 , einem Überbrückungskondensator 28 , einer Lastinduktivität 29 , einem Lastwiderstand 210 , Überbrückungskondensatoren 211 und 215 ,
Gleichstromsperrkondensatoren 2 12 und 217 und Vorspannungseinstellwiderständen 2 13 , 214 und 216 gebildet. Der zweite Hochfrequenzsignalpfad 3 wird von
einer dritten Diode 31 gebildet.
Die Eingangskopplungsschaltung 4 wird von den Lastinduktivitäten 41 und 43 und
den Kondensatoren 42 , 44 und 45 gebildet.
In diesem Fall bildet eine Schaltung, die den Verstärkungs-Feldeffekttransistor 21 umfasst, eine lineare Hochfrequenz-Verstärkerstufe.The first high frequency signal path 2 is powered by a gain field effect transistor (FET) 2 1 , a first diode 2 2 , a second diode 2 3 , Bias voltage setting resistors 2 4 . 2 5 , and 2 6 , a source resistor 2 7 , a bypass capacitor 2 8 , a load inductance 2 9 , a load resistor 2 10 , Bypass capacitors 2 11 and 2 15 , DC blocking capacitors 2 12 and 2 17 and bias voltage setting resistors 2 13 . 2 14 and 2 16 educated. The second high frequency signal path 3 is from a third diode 3 1 educated. The input coupling circuit 4 is from the load inductors 4 1 and 4 3 and the capacitors 4 2 . 4 4 and 4 5 educated. In this case, a circuit forming the gain field effect transistor 2 1 comprises a linear high-frequency amplifier stage.
In
dem ersten Hochfrequenzsignalpfad 2 ist das Gate des Verstärkungs-Feldeffekttransistors 21 mit der Anode der ersten Diode 22 und mit einem Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 25 verbunden, ist dessen Source mit einem
Ende des Source-Widerstands 27 und
mit einem Ende des Überbrückungskon densators 28 verbunden und ist dessen Drain mit
einem Ende der Lastinduktivität 29 und mit einem Ende des Gleichstromsperrkondensator 2 12 verbunden. Die Kathode der ersten
Diode 22 ist mit einem Ende des
Vorspannungseinstellwiderstands 24 und
mit einem Ende des Kondensators 45 in
der Eingangskopplungsschaltung 4 verbunden. Die Anode der
zweiten Diode 23 ist mit einem
Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 2 14 verbunden
und die Kathode davon ist mit einem Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 2 16 und mit einem Ende des Gleichstromsperrkondensators 217 verbunden. Das andere Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 24 ist masseverbunden, und das andere
Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 25 ist
mit einem Ausgabe-Ende des Banddekodierers 8 verbunden. Das
andere Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 26 ist
mit dem Energieversorgungsanschluss 7 verbunden. Das andere
Ende des Source-Widerstands 27 und
das andere Ende des Überbrückungskondensators 28 sind masseverbunden. Das andere Ende
der Lastinduktivität 29 ist mit einem Ende des Lastwiderstands 210 verbunden. Das andere Ende des Lastwiderstands 210 ist mit einem Ende des Überbrückungskondensators 211 und mit dem Energieversorgungsanschluss 7 verbunden.
Das andere Ende des Überbrückungskondensators 211 ist masseverbunden und das andere
Ende des Gleichstromsperrkondensators 212 ist
mit einem Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 213 und mit dem anderen Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 214 verbunden. Das andere Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 213 ist mit einem Ende des Überbrückungskondensators 215 und mit dem Ausgabe-Ende des Banddekodierers 8 verbunden.
Das andere Ende des Überbrückungskondensators 215 ist masseverbunden, und das andere
Ende des Vorspannungseinstellwiderstands 216 ist
masseverbunden. Das andere Ende des Gleichstromsperrkondensators 217 ist mit dem Hochfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 6 verbunden.In the first high frequency signal path 2 is the gate of the gain field effect transistor 2 1 with the anode of the first diode 2 2 and with one end of the bias voltage setting resistor 2 5 connected, its source is connected to one end of the source resistor 2 7 and with one end of the bypass capacitor 2 8 and its drain is connected to one end of the load inductance 2 9 and with one end of the DC blocking capacitor 2 12 connected. The cathode of the first diode 2 2 is at one end of the bias voltage setting resistor 2 4 and with one end of the capacitor 4 5 in the input coupling circuit 4 connected. The anode of the second diode 2 3 is at one end of the bias voltage setting resistor 2 14 and the cathode thereof is connected to one end of the bias voltage setting resistor 2 16 and with one end of the DC blocking capacitor 2 17 connected. The other end of the bias voltage setting resistor 2 4 is grounded, and the other end of the Vorspannungseinstellwiderstands 2 5 is with an output end of the tape decoder 8th connected. The other end of the bias voltage setting resistor 2 6 is with the power supply connection 7 connected. The other end of the source resistor 2 7 and the other end of the bypass capacitor 2 8 are grounded. The other end of the load inductance 2 9 is at one end of the load resistance 2 10 connected. The other end of the load resistance 2 10 is with one end of the bypass capacitor 2 11 and with the power supply connection 7 connected. The other end of the bypass capacitor 2 11 is grounded and the other end of the DC blocking capacitor 2 12 is at one end of the bias voltage setting resistor 2 13 and with the other end of the bias voltage setting resistor 2 14 connected. The other end of the bias voltage setting resistor 2 13 is with one end of the bypass capacitor 2 15 and with the output end of the band decoder 8th connected. The other end of the bypass capacitor 2 15 is grounded, and the other end of the bias voltage setting resistor 2 16 is grounded. The other end of the DC blocking capacitor 2 17 is with the high frequency signal output port 6 connected.
In
dem zweiten Hochfrequenzsignalpfad 3 ist die Anode der
dritten Diode 31 mit der Kathode der ersten Diode 22 verbunden und ist die Kathode davon mit
der Kathode der zweiten Diode 23 verbunden.
In der Eingangskopplungsschaltung 4 ist ein Ende der Induktivität 41 mit einem Ende des Kondensators 42 und mit dem Hochfrequenzsignal-Zuführanschluss 5 verbunden
und ist das andere Ende davon masseverbunden. Das andere Ende des
Kondensators 42 ist mit einem Ende
der Induktivität 43 und mit dem anderen Ende des Kondensators 45 verbunden, das andere Ende der Induktivität 43 ist mit einem Ende des Kondensators 44 ver bunden und das andere Ende des
Kondensators 44 ist masseverbunden.
Der Energieversorgungsanschluss 7 ist mit einem Energieversorgungsanschluss 16 eines
Fernsehgerät-Tuners 9 verbunden
und das Zuführ-Ende
des Banddekodierers 8 ist mit dem Energieversorgungsanschluss 7 verbunden.In the second high frequency signal path 3 is the anode of the third diode 31 with the cathode of the first diode 2 2 and the cathode thereof is connected to the cathode of the second diode 2 3 connected. In the input coupling circuit 4 is an end to the inductance 4 1 with one end of the capacitor 4 2 and with the high-frequency signal supply terminal 5 connected and the other end of it is grounded. The other end of the capacitor 4 2 is with one end of the inductance 4 3 and with the other end of the capacitor 4 5 connected, the other end of the inductance 4 3 is with one end of the capacitor 4 4 ver connected and the other end of the capacitor 4 4 is grounded. The power supply connection 7 is with a power supply connection 16 a TV tuner 9 connected and the feed end of the tape decoder 8th is with the power supply connection 7 connected.
Wie
in 1 gezeigt, hat der Fernsehgerät-Tuner 9 die gleiche
Struktur wie der in 3 gezeigte Fernsehgerät-Tuner 40 und
wird von einem VHF-Antennenschaltungsabschnitt (VHFANT) 10v, einem
UHF-Antennenschaltungsabschnitt (UHFANT) 10u, einem VHF-Hochfrequenzverstärkerabschnitt
(VHFRFAMP) 11v, einem UHF-Hochfrequenzverstärkerabschnitt
(UHFRFAMP) 11u, einem VHF-Hochfrequenzschaltungsabschnitt (VHFRF) 12v,
einem UHF-Hochfrequenzschaltungsabschnitt (UHFRF) 12u,
einer VHF-Mischstufe (VHFMIX) 13v, einem UHF-Mischabschnitt
(UHFMIX) 13u, einem Zwischenfrequenzverstärkungsabschnitt
(IFAMP) 14, einem Zwischenfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 15 und
dem Energieversorgungsanschluss 16 gebildet.As in 1 shown has the TV tuner 9 the same structure as the one in 3 shown TV tuner 40 and is powered by a VHF antenna circuit section (VHFANT) 10v , a UHF antenna circuit section (UHFANT) 10u , a VHF high frequency amplifier section (VHFRFAMP) 11v , a UHF high frequency amplifier section (UHFRFAMP) 11u , a VHF high frequency circuit section (VHFRF) 12v , a UHF high frequency circuit section (UHFRF) 12u , a VHF Mixing Stage (VHFMIX) 13v , a UHF mixing section (UHFMIX) 13u an intermediate frequency amplifying section (IFAMP) 14 , an intermediate frequency signal output terminal 15 and the power supply connection 16 educated.
In
diesem Fall ist das Zuführ-Ende
des VHF-Antennenschaltungsabschnitts 10v mit dem Hochfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 6 verbunden
und ist das Ausgabe-Ende davon mit dem Zuführ-Ende des VHF-Hochfrequenzverstärkerabschnitts 11v verbunden.
Das Zuführ-Ende
des UHF-Antennenschaltungsabschnitts 10u ist mit dem Hochfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 6 verbunden
und das Ausgabe-Ende davon ist mit dem Zuführ-Ende des UHF-Hochfrequenzverstärkerabschnitts 11u verbunden.
Das Ausgabe-Ende des VHF-Hochfrequenzverstärkerabschnitts 11v ist
mit dem Zuführ-Ende
des VHF-Hochfrequenzschaltungsabschnitts 12v verbunden
und das Ausgabe-Ende des UHF-Hochfrequenzverstärkerabschnitt 11u mit
dem Zuführ-Ende
des UHF-Hochfrequenzschaltungsabschnitt 12u verbunden.
Das Ausgabe-Ende des VHF-Hochfrequenzschaltungsabschnitts 12v ist
mit dem Zuführ-Ende
der VHF-Mischstufe 13v verbunden und das Ausgabe-Ende des UHF-Hochfrequenzschaltungsabschnitts 12u ist
mit dem Zuführ-Ende
der UHF-Mischstufe 13u verbunden. Das Ausgabe-Ende der
VHF-Mischstufe 13v ist mit dem Zuführ-Ende des Zwischenfrequenzverstärkerabschnitts 14 verbunden
und das Ausgabe-Ende der UHF-Mischstufe 13u ist mit dem
Zuführ-Ende
des Zwischenfrequenzverstärkerabschnitts 14 verbunden.
Das Ausgabe-Ende des Zwischenfrequenzverstärkerabschnitts 14 ist
mit dem Zwischenfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 15 verbunden.In this case, the feeding end of the VHF antenna circuit section is 10v with the high frequency signal output port 6 and the output end thereof is connected to the supply end of the VHF high frequency amplifier section 11v connected. The feeding end of the UHF antenna circuit section 10u is with the high frequency signal output port 6 and the output end thereof is connected to the feeding end of the UHF high frequency amplifier section 11u connected. The output end of the VHF high frequency amplifier section 11v is at the feeding end of the VHF high frequency circuit section 12v connected and the output end of the UHF high-frequency amplifier section 11u to the feed end of the UHF high frequency circuit section 12u connected. The output end of the VHF high frequency circuit section 12v is at the feed end of the VHF mixing stage 13v connected and the output end of the UHF high-frequency circuit section 12u is with the feed end of the UHF mixer 13u connected. The output end of the VHF mixer 13v is at the feeding end of the intermediate frequency amplifier section 14 connected and the output end of the UHF mixer 13u is at the feeding end of the intermediate frequency amplifier section 14 connected. The output end of the intermediate frequency amplifier section 14 is with the intermediate frequency signal output port 15 connected.
2A und 2B sind
Ersatzschaltbilddiagramme eines Hauptabschnitts der in 1 gezeigten
Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 1, der in Betrieb ist. 2A zeigt
einen Zustand, in dem der erste Hochfrequenzsignalpfad 2 in
Betrieb ist und der zweite Hochfrequenzsignalpfad 3 nicht
in Betrieb ist. 2B zeigt einen Zustand, in dem
der erste Hochfrequenzsignalpfad 2 nicht in Betrieb ist
und der zweite Hochfrequenzsignalpfad 3 in Betrieb ist. 2A and 2 B are equivalent circuit diagrams of a major section of the in 1 shown high-frequency signal switching circuit 1 who is in operation. 2A shows a state in which the first high-frequency signal path 2 is in operation and the second high frequency signal path 3 not in operation. 2 B shows a state in which the first high-frequency signal path 2 is not in operation and the second high frequency signal path 3 is in operation.
In 2A und 2B sind
eine Hochfrequenzverstärkerstufe 171 , die den Verstärkungs-Feldeffekttransistor 21 umfasst, ein erster von der ersten
Diode 22 gebildeter Schalter 172 , ein zweiter von der zweiten Diode 23 gebildeter Schalter 173 und ein dritter von der dritten Diode 31 gebildeter Schalter 174 gezeigt. Die gleichen Symbole wie
die in 1 verwendeten werden den gleichen Bauteilen zugeordnet
wie den in 1 gezeigten.In 2A and 2 B are a high frequency amplifier stage 17 1 showing the gain field effect transistor 2 1 includes a first one of the first diode 2 2 formed switch 17 2 , a second of the second diode 2 3 formed switch 17 3 and a third from the third diode 31 formed switch 17 4 shown. The same symbols as those in 1 used are assigned to the same components as those in 1 . shown
Der
Betrieb der Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 1 gemäß der vorliegenden
Ausführungsform
wird untenstehend mit Bezug auf 2A und 2B beschrieben.The operation of the high-frequency signal switching circuit 1 According to the present embodiment will be described below with reference to 2A and 2 B described.
In
der vorliegenden Ausführungsform
ist auch, wenn der mit der Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 1 verbundene
Fernsehgerät-Tuner 9 in
einem Bereich eines schwachen elektrischen Feldbereichs, nämlich in
einem Bereich, in dem die Feldintensität von empfangenen Signalen
niedrig ist, verwendet wird, der Banddekodierer 8 in der
Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 1 so geschaltet, dass
er eine Spannung VB, wie z.B. 5 V ausgibt,
die einer Energieversorgungsspannung von seinem Ausgabe-Ende gleicht.
Dann wird die von dem Banddekodierer 8 ausgegebene Spannung
VB durch den Vorspannungseinstellwiderstand 25 an das Gate des Verstärkungs-Feldeffekttransistor 21 geschickt, um den Verstärkungs-Feldeffekttransistor 21 in einem Betriebszustand zu versetzen.
Gleichzeitig fließt
von der Spannung VB bewirkter Strom durch
den Vorspannungseinstellwiderstand 25 ,
die erste Diode 22 und den Vorspannungseinstellwiderstand 24 in die Masse, um die erste Diode 22 einzuschalten. Von der Spannung VB bewirkter Strom fließt auch durch die zwei Vorspannungseinstellwiderstände 213 und 214 , die
zweite Diode 23 und den Vorspannungseinstellwiderstand 216 in die Masse, um die zweite Diode 23 einzuschalten. In diesem Zustand wird,
wenn die Wider stände
der Vorspannungseinstellwiderstände 24 , 25 , 213 , 214 und 216 derart festgelegt sind, dass, wenn die
Energieversorgungsspannung 5V ist, die Anodenspannung der
dritten Diode 31 , nämlich eine Spannung
an einem in 1, 2A und 2B gezeigten
Punkt A 2,5 V ist und die Kathodenspannung der dritten Diode 31 , nämlich
eine Spannung an einem in 1, 2A und 2B gezeigten
Punkt B 4,6 V ist, die Spannung VB durch
den Vorspannungseinstellwiderstand 26 als
eine Sperrvorspannung an die dritte Diode 31 angelegt,
um die dritte Diode 31 auszuschalten.
Der zu diesem Zeitpunkt erhaltene Zustand der Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 1 wird
in 2A gezeigt.In the present embodiment as well, when connected to the high frequency signal switching circuit 1 connected TV tuner 9 is used in a region of a weak electric field region, namely in a region where the field intensity of received signals is low, the band decoder 8th in the high-frequency signal switching circuit 1 is switched so that it outputs a voltage V B , such as 5 V, which is equal to a power supply voltage from its output end. Then that is from the tape decoder 8th output voltage V B by the Vorspannungseinstellwiderstand 2 5 to the gate of the gain field effect transistor 2 1 sent to the gain field effect transistor 2 1 in an operating condition. At the same time, current caused by the voltage V B flows through the bias setting resistor 2 5 , the first diode 2 2 and the bias voltage setting resistor 2 4 into the mass to the first diode 2 2 turn. Current caused by the voltage V B also flows through the two bias voltage setting resistors 2 13 and 2 14 , the second diode 2 3 and the bias voltage setting resistor 2 16 in the mass to the second diode 2 3 turn. In this state, when the opponent states of Vorspannungseinstellwiderstände 2 4 . 2 5 . 2 13 . 2 14 and 2 16 are set so that when the power supply voltage 5V is the anode voltage of the third diode 3 1 , namely a voltage at an in 1 . 2A and 2 B Point A shown is 2.5 V and the cathode voltage of the third diode 3 1 , namely a voltage at an in 1 . 2A and 2 B shown point B is 4.6 V, the voltage V B by the Vorspannungseinstellwiderstand 2 6 as a reverse bias to the third diode 3 1 applied to the third diode 3 1 off. The state of the high frequency signal switching circuit obtained at that time 1 is in 2A shown.
Deshalb
ist, während
der erste Hochfrequenzsignalpfad 2 aktiv ist, der zweite
Hochfrequenzsignalpfad 3 inaktiv. Ein dem Hochfrequenzsignal-Zuführanschluss 5 zugeführtes Niedrigpegel-Hochfrequenzsignal
wird durch die erste Diode 22 ,
die an ist, an den Verstärkungs-Feldeffekttransistor 21 geschickt, der in einem Betriebszustand
ist, wird von dem Verstärkungs-Feldeffekttransistor 21 auf einen vorherbestimmten Pegel verstärkt und
wird dann durch die zweite Diode 23 ,
die an ist, an den Hochfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 6 geschickt. Andererseits
wird, da die dritte Diode 31 aus
ist, das Hochfrequenzsignal nicht durch die dritte Diode 31 an den Hochfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 6 geschickt.Therefore, while the first high frequency signal path 2 is active, the second high frequency signal path 3 inactive. A high-frequency signal supply terminal 5 supplied low level high frequency signal is through the first diode 2 2 to the gain field effect transistor 2 1 sent, which is in an operating state, is from the gain field effect transistor 2 1 amplified to a predetermined level and then through the second diode 2 3 to the high frequency signal output port 6 cleverly. On the other hand, since the third diode 3 1 is off, the high frequency signal is not through the third diode 3 1 to the high frequency signal output port 6 cleverly.
Wenn
der mit der Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 1 verbundene
Fernsehgerät-Tuner 9 in
einem Bereich eines starken elektrischem Felds, nämlich in
einem Bereich, in dem die Feldintensität der empfangenen Signalen
hoch ist, verwendet wird, ist der Banddekodierer 8 in der
Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 1 so geschaltet, dass
er eine Spannung VE, wie z.B. 0V, ausgibt,
die der Massespannung seines Ausgabe-Endes gleicht. Dann kann er,
sogar wenn die von dem Banddekodierer 8 ausgegebene Massespannung
VE durch den Vorspannungseinstellwiderstand 25 an das Gate des Verstärkungs-Feldeffekttransistors 21 geschickt wird, den Verstärkungs-Feldeffekttransistor 21 nicht in einem Betriebszustand versetzen.
Der Verstärkungs-Feldeffekttransistor 21 ist in einem Nicht-Betriebszustand.
Gleichzeitig fließt
durch die Massespannung VE kein Strom durch
den Vorspannungseinstelliderstand 25 ,
die erste Diode 22 und den Vorspannungseinstellwiderstand 24 in die Masse, so dass die erste Diode 22 ausgeschaltet ist. Auf dieselbe Weise
fließt
aufgrund der Massespannung VE kein Strom
durch die zwei Vorspannungseinstellwiderstände 213 und 214 , die zweite Di ode 23 und
den Vorspannungseinstellwiderstand 216 zur
Masse, so dass die zweite Diode 23 auch
ausgeschaltet wird. In diesem Zustand wird von dem Energieversorgungsanschluss 7 durch
den Vorspannungseinstellwiderstand 26 an
die Kathode der zweiten Diode 22 und
an die Anode der dritten Diode 31 eine
Vorspannung angelegt, wird eine Spannung an dem in 1, 2A und 2B gezeigten
Punkt A 1,6 V und wird die Kathodenspannung der dritten Diode 31 , nämlich
eine Spannung an dem in 1, 2A und 2B gezeigten
Punkt B 0,9 V. Eine Durchlassvorspannung wird an die dritte Diode 31 angelegt, um die dritte Diode 31 einzuschalten. Sperrvorspannungen
werden positiv an die erste Diode 22 und
an die zweite Diode 23 angelegt,
da die dritte Diode 31 eingeschaltet
ist und die an die erste Diode 22 angelegte
Sperrvorspannung hoch ist. Der zu diesem Zeitpunkt erhaltene Zustand
der Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 1 wird in 2B gezeigt.When using the high frequency signal switching circuit 1 connected TV tuner 9 is used in a region of a strong electric field, namely in a region where the field intensity of the received signals is high, is the band decoder 8th in the high-frequency signal switching circuit 1 is switched so that it outputs a voltage V E , such as 0V, which is equal to the ground voltage of its output end. Then he can, even if that from the tape decoder 8th output ground voltage V E by the Vorspannungseinstellwiderstand 2 5 to the gate of the amplifying field effect transistor 2 1 is sent, the gain field effect transistor 2 1 do not put in an operating condition. The gain field effect transistor 2 1 is in a non-operational state. At the same time, no current flows through the bias voltage setting resistor by the ground voltage V E 2 5 , the first diode 2 2 and the bias voltage setting resistor 2 4 into the mass, leaving the first diode 2 2 is off. In the same way, due to the ground voltage V E, no current flows through the two bias voltage setting resistors 2 13 and 2 14 , the second di ode 2 3 and the bias voltage setting resistor 2 16 to the ground, leaving the second diode 2 3 also turned off. In this state is from the power supply connection 7 by the Vorspannungseinstellwiderstand 2 6 to the cathode of the second diode 2 2 and to the anode of the third diode 3 1 applied a bias voltage, a voltage at the in 1 . 2A and 2 B point A shown 1.6 V and becomes the cathode voltage of the third diode 3 1 , namely a voltage at the in 1 . 2A and 2 B point B is 0.9 V. A forward bias is applied to the third diode 3 1 applied to the third diode 3 1 turn. Reverse biases will be positive to the first diode 2 2 and to the second diode 2 3 created because the third diode 3 1 is turned on and the to the first diode 2 2 applied reverse bias is high. The state of the high frequency signal switching circuit obtained at that time 1 is in 2 B shown.
Deshalb
ist, während
der erste Hochfrequenzsignalpfad 2 inaktiv ist, der zweite
Hochfrequenzsignalpfad 3 ist aktiv. Ein dem Hochfrequenzsignal-Zuführanschluss 5 zugeführtes Hochpegel-Hochfrequenzsignal
wird durch die dritte Diode 31 ,
die an ist, an den Hochfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 6 geschickt.
Zu diesem Zeitpunkt wird, da die erste Diode 22 und
die zweite Diode 23 beide aus sind
und der Verstärkungs-Feldeffekttransistor 21 inaktiv ist, das Hochfrequenzsignal
nicht durch den Verstärkungs-Feldeffekttransistor 21 an den Hochfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 6 geschickt.
Außerdem
fließt,
da die an die erste Diode 22 angelegt Sperrvorspannung
relativ tief ist, das Hochpegel-Hochfrequenzsignal nicht in die
erste Diode 22 oder in die zweite Diode 23 .
Deshalb wird das durch den zweiten Hochfrequenzsignalpfad 3 geschickt Hochfrequenzsignal
nicht verzerrt.Therefore, while the first high frequency signal path 2 is inactive, the second high frequency signal path 3 is active. A high-frequency signal supply terminal 5 supplied high level high frequency signal is through the third diode 3 1 to the high frequency signal output port 6 cleverly. At this time, since the first diode 2 2 and the second diode 2 3 both are off and the gain field effect transistor 2 1 is inactive, the high frequency signal is not through the gain field effect transistor 2 1 to the high frequency signal output port 6 cleverly. It also flows because of the first diode 2 2 applied reverse bias voltage is relatively low, the high-level high-frequency signal is not in the first diode 22 or in the second diode 2 3 , Therefore, this is done by the second high frequency signal path 3 sent high-frequency signal is not distorted.
Dann
wird das durch die Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 1 geschickte
Hochfrequenzsignal an den mit dem Hochfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 6 verbundenen
Fernsehgerät-Tuner 9 geschickt.
Auch in diesem Fall werden, wenn das Hochfrequenzsignal ein empfangenes
VHF-Bandfernsehsignal ist, Signalkomponenten in unnötigen Signalfrequenzbändern von
dem VHF-Antennenschaltungsabschnitt 10v von dem empfangenen
Fernsehsignal entfernt, wird das resultierende Signal von dem VHF-Hochfrequenzverstärkerabschnitt 11v auf
einen vorherbestimmten Pegel verstärkt, werden wieder Signalkomponenten
in unnötigen
Signalfrequenzbändern
von dem VHF-Hochfrequenzschaltungsabschnitt 12v von dem
verstärkten
Signal entfernt, wird das resultierende Signal durch die VHF-Mischstufe 13v in
ein Zwischenfrequenzsignal umgewandelt, wird das erhaltene Zwischenfrequenzsignal
von dem Zwischenfrequenzverstärkerabschnitt 14 auf
einen vorherbestimmten Pegel verstärkt und wird das verstärkte Signal
an den Zwischenfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 15 geschickt.
Wenn das Hochfrequenzsignal ein empfangenes UHF-Bandfernsehsignal
ist, werden Signalkomponenten in unnötigen Signalfrequenzbändern von
dem UHF-Antennenschaltungsabschnitt 10u von dem empfangenen
Fernsehsignal entfernt, wird das resultierende Signal von dem UHF-Hochfrequenzverstärkerabschnitt 11u auf einen
vorherbestimmten Pegel verstärkt,
werden wieder Signalkomponenten in unnötigen Signalfrequenzbändern von
dem UHF-Hochfrequenzschaltungsabschnitt 12u von dem verstärkten Signal
entfernt, wird das resultierende Signal von der UHF-Mischstufe 13u in
ein Zwischenfrequenzsignal umgewandelt, wird das erhaltene Zwischenfrequenzsignal
von dem Zwischenfrequenzverstärkerabschnitt 14 auf
einen vorherbestimmten Pegel verstärkt und wird das verstärkte Signal
an den Zwischenfrequenzsignal-Ausgabeanschluss 15 geschickt.Then that is due to the Hochfrequenzsig nal switching circuit 1 sent high frequency signal to the with the high frequency signal output port 6 connected TV tuner 9 cleverly. Also in this case, when the high-frequency signal is a received VHF band television signal, signal components in unnecessary signal frequency bands are output from the VHF antenna circuit section 10v removed from the received television signal, the resulting signal from the VHF high frequency amplifier section 11v amplified to a predetermined level, again signal components in unnecessary signal frequency bands from the VHF high frequency circuit section 12v removed from the amplified signal, the resulting signal is passed through the VHF mixer 13v converted into an intermediate frequency signal, the obtained intermediate frequency signal from the intermediate frequency amplifier section 14 amplified to a predetermined level and the amplified signal is applied to the intermediate frequency signal output terminal 15 cleverly. When the high frequency signal is a received UHF band television signal, signal components in unnecessary signal frequency bands become from the UHF antenna circuit section 10u removed from the received television signal, the resulting signal from the UHF high frequency amplifier section 11u amplified to a predetermined level, again signal components in unnecessary signal frequency bands from the UHF high-frequency circuit section 12u removed from the amplified signal, the resulting signal from the UHF mixer 13u converted into an intermediate frequency signal, the obtained intermediate frequency signal from the intermediate frequency amplifier section 14 amplified to a predetermined level and the amplified signal is applied to the intermediate frequency signal output terminal 15 cleverly.
Obwohl
die Spannung von jedem Teil in der Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 1 gemäß der vorliegenden
Ausführungsform
eine geeignete Spannung anzeigt, die bei einer praktischen Ausführungsform
verwendet wird, ist die Hochfrequenzsignal-Schaltschaltung 1 der
vorliegenden Erfindung nicht darauf begrenzt solche Spannungen zu
haben. Es ist unnötig
zu sagen, dass solche Spannungen innerhalb des Anwendungsbereichs
der technischen Inhalte der vorliegenden Erfindung geeignet geändert werden
können.Although the voltage of each part in the high-frequency signal switching circuit 1 According to the present embodiment, indicating an appropriate voltage used in a practical embodiment is the high frequency signal switching circuit 1 the present invention is not limited to having such voltages. Needless to say, such voltages can be appropriately changed within the scope of the technical contents of the present invention.