DE60207546T2 - ANTENNA INTERFACE UNIT - Google Patents

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Abstract

A ferro-electric tunable duplexer is provided, integrated with one or more of the following parts: a power amplifier, an isolator, a diplexer, a low noise amplifier and an antenna matching circuit. More specifically, in addition to adding F-E tunability, one or more of the above components is integrated with the duplexer on one substrate. The components are integrated on one substrate either by placing each component, with the appropriate matching circuit directly on the substrate, or by direct fabrication of the component and matching circuit into or onto the substrate.

Description

HINTERGRUNDBACKGROUND

Drahtlose Kommunikationsvorrichtungen, wie zum Beispiel, aber nicht beschränkt auf drahtlose Telefone, verwenden viele elektronische Bauelemente, um Signale über die Luft zu senden und zu empfangen. Ein Transceiver ist der Teil eines drahtlosen Telefons, der tatsächlich Signale sendet und empfängt. Das Vorderteil eines Transceivers ist der Teil eines Transceivers, der der Luftschnittstelle in dem Signalweg am nächsten liegt. Das Vorderteil weist eine Antenne und verschiedene Bauelemente nahe der Antenne in dem Signalweg auf. Verschiedene der in dem Vorderteil des Transceivers erforderlichen Bauelemente sind Leistungsverstärker (PA's), Entkoppler, rauscharme Verstärker (LNA's) und Multiplexer. Alle diese Komponenten werden typischerweise als gehäuste Bausteine hergestellt. In dem Fall eines PA oder eines LNA weist dieses Gehäuse typischerweise den aktiven Baustein und interne Eingangs- und Ausgangs-Anpassungsschaltungen auf, um die Eingangs- und Ausgangswiderstände auf einen Industriestandard 50 Ohm zu bringen.wireless Communication devices such as, but not limited to Wireless phones, many electronic components use Signals over to send and receive the air. A transceiver is the part a wireless phone that actually sends and receives signals. The The front of a transceiver is the part of a transceiver that the air interface is closest to the signal path. The front part has an antenna and various components near the antenna in the signal path. Various of those in the front of the transceiver Required components include power amplifiers (PAs), decouplers, low-noise amplifiers (LNAs) and multiplexers. All of these components are typically packaged building blocks produced. In the case of a PA or an LNA, this housing typically the active device and internal input and output matching circuits on to the input and output resistors to an industry standard To bring 50 ohms.

In einer gängigen Ausführungsform weist der gehäuste PA einen auf einer Keramik oder einem anderen Substrat platzierten Hochleistungs-FET (zum Beispiel GaAs) auf. Andere aktive Bausteine können verwendet werden, wie zum Beispiel bipolare Flächentransistoren (BJT's) und Transistoren mit hoher Elektronenmobilität (HEMT's). Die Anpassungsschaltungen können auf dem Keramiksubstrat gestaltet sein, oder sie können unter Verwendung konzentrierter Oberflächenmontage (SMT)-Bauelemente hergestellt sein. Der FET ist mit dem Gehäusesubstrat, eventuell mit einem metallischen Kühlkörper verbunden, und dann typischerweise mit seinem Eingangs-, Ausgangs- und Vorspannungs-Pad unter Verwendung von Bonddrähten verbunden.In a common one embodiment rejects the housed PA placed on a ceramic or other substrate High performance FET (eg GaAs). Other active components can used such as bipolar junction transistors (BJTs) and transistors with high electron mobility (HEMT). The matching circuits can be designed on the ceramic substrate, or they can under Use of concentrated surface mounting (SMT) devices be prepared. The FET is connected to the case substrate, possibly with connected to a metallic heat sink, and then typically with its input, output and bias pad using bonding wires connected.

Abhängig von den Erfordernissen können auch mehrstufige PA-Bausteine verwendet werden. Das bedeutet, dass ein PA-Baustein mehr als einen verstärkenden Transistor aufweisen kann. Das kann aus einer Anzahl von Gründen erforderlich sein. Ein möglicher Grund ist, die erforderliche Verstärkung zu erzeugen. In dem Fall eines mehrstufigen PA-Bausteins können auch Zwischen-Impedanzanpassungsschaltungen verwendet werden, um zwischen dem Ausgang einer Stufe und dem Eingang der folgenden Stufe anzupassen.Depending on the requirements can also Multi-stage PA devices are used. That means a PA module more as a reinforcing Transistor may have. This may be necessary for a number of reasons be. A possible The reason is to generate the required gain. In that case a multi-stage PA device may also include intermediate impedance matching circuits used to switch between the output of a stage and the input to adapt to the next level.

Die Eingangs-, Ausgangs- und Biasleitung zu dem FET sind zu dem Keramiksubstrat heruntergeleitet. Nach dem Durchlaufen der Anpassungsschaltungen werden die Eingangs- und Ausgangsleitungen von dem Substrat weg herunter zu der unterliegenden Leiterplatte (in den meisten Fällen aus FR-4 hergestellt) durch Anschlüsse an dem PA-Gehäuse geleitet. Ein weiteres Drahtbonden kann erforderlich sein, um die Gehäuse-Pads mit der Eingangs-, Ausgangs- und Biasleitung zu verbinden.The Input, output and bias lines to the FET are to the ceramic substrate passed down. After passing through the matching circuits The input and output lines will be away from the substrate down to the underlying circuit board (in most cases from FR-4 manufactured) by connections on the PA housing directed. Further wire bonding may be required to complete the Housing pads with the input, Connecting output and bias line.

Das Gehäuse weist ferner irgendeine Art von Verpackung (typischerweise Polymer) auf, die ganz oder teilweise den FET und das die Anpassungsschaltungen haltende Keramiksubstrat umhüllt. Die Eingangs-, Ausgangs- und Bias-Zuleitungen findet man am Rand der Verpackung.The casing also has some kind of packaging (typically polymer) all or part of the FET and the matching circuits wrapped ceramic substrate wrapped. The input, output and bias leads are found on the edge the packaging.

Entkoppler, Duplexer, Diplexer und rauscharme Verstärker (LNA's) werden in weithin gleicher Weise behandelt. Als gehäuste Bausteine haben sie alle ihre separaten Substrate mit ihren separaten Anpassungsschaltungen, die ihre Eingangs- und Ausgangsimpedanzen auf 50 Ohm bringen.decoupler Duplexers, diplexers and low-noise amplifiers (LNA's) are in much the same way treated. As housed They all have their separate substrates with their separate building blocks Matching circuits that control their input and output impedances bring to 50 ohms.

Meist kann eine RF-Messeinrichtung nur Teile bei einer Impedanz von etwa 50 Ohm prüfen. Hersteller und Entwickler möchten typischerweise in der Lage sein, jedes Teil separat zu prüfen. Historisch war es die einzige Möglichkeit, dies zu tun, wenn jedes Teil eine Eingangs- und eine Ausgangsimpedanz von etwa 50 Ohm hatte. Aus diesem Grund wurden Teile wie zum Beispiel PA's und LNA's typischerweise mit Impedanzen gleich etwa 50 Ohm hergestellt. Dies erforderte die Verwendung von aufwendigen Eingangs- und Ausgangs-Anpassungsschaltungen für viele dieser Teile.Most of time For example, an RF meter may only have parts at an impedance of about Check 50 ohms. Manufacturers and developers want typically be able to test each part separately. Historic was it's the only way to do this if each part has an input and an output impedance of had about 50 ohms. Because of this, parts such as PA's and LNA's typically with Impedances equal to about 50 ohms produced. This required the use of expensive input and output matching circuits for many these parts.

Ein Duplexer ist eines der grundlegenden Bauelemente in einem Vorderende des Transceivers. Der Duplexer hat drei Anschlüsse (ein Anschluss ist ein Eingang oder ein Ausgang). Ein Anschluss ist mit einer Antenne gekoppelt. Ein zweiter Anschluss ist mit dem Sendesignalweg des Transceivers gekoppelt. Der Duplexer koppelt den Sendeweg mit der Antenne, so dass das Sendesignal über die Antenne gesendet werden kann.One Duplexer is one of the basic components in a front end of the transceiver. The duplexer has three ports (one port is one Input or an output). A connector is coupled to an antenna. A second connection is with the transmit signal path of the transceiver coupled. The duplexer couples the transmission path with the antenna, so that the transmission signal over the antenna can be sent.

Ein dritter Anschluss ist mit dem Empfangsweg des Transceivers gekoppelt. Die Antenne koppelt die Antenne mit dem Empfangsweg, so dass das empfangene Signal durch den Empfangsweg des Transceivers empfangen werden kann.One third port is coupled to the receive path of the transceiver. The antenna couples the antenna to the receive path, allowing the received Signal can be received by the receive path of the transceiver.

Es ist eine wichtige Funktion des Duplexers, das Sendesignal von dem Empfangsweg des Transceivers zu entkoppeln. Das Sendesignal ist typischerweise viel stärker als das Empfangssignal. Etwas von dem Sendesignal gelangt inhärent in den Empfangsweg. Aber dieses Sendesignal, das in den Empfangsweg gelangt, muss sehr reduziert (oder gedämpft) sein. Anderenfalls wird das Sendesignal, das in den Empfangsweg gelangt, das Empfangssignal verdrängen oder überdecken. Dann wird das drahtlose Telefon nicht in der Lage sein, das Empfangssignal für den Benutzer zu identifizieren und zu dekodieren.It is an important function of the duplexer to decouple the transmit signal from the receive path of the transceiver. The transmit signal is typically much stronger than the receive signal. Some of the transmission signal inherently enters the reception path. But this transmission signal, which enters the reception path, must be very reduced (or attenuated). Otherwise, the transmission signal entering the reception path will displace or cover the reception signal. Then, the wireless telephone will not be able to identify and decode the received signal to the user ren.

Eine Antennenschnittstelle ist in US 5,973,568 (Motorola Inc.), 26. Oktober 1999 (26.10.1999) beschrieben. Die Antennenschnittstelle weist einen Multiplexer, einen Leistungsverstärker und eine Leistungsverstärker-Anpassungsschaltung auf, die zwischen dem Multiplexer und dem Leistungsverstärker gekoppelt ist.An antenna interface is in US 5,973,568 (Motorola Inc.), October 26, 1999 (Oct. 26, 1999). The antenna interface comprises a multiplexer, a power amplifier, and a power amplifier matching circuit coupled between the multiplexer and the power amplifier.

Eine weitere Antennenschnittstelle ist in US 5,652,599 (Qualcomm, Incorporated), 29. Juli 1997 (29.07.1997) offenbart. Die Antennenschnittstelle weist einen ersten Multiplexer, einen Diplexer und eine Anpassungsschaltung auf, die zwischen dem Diplexer und dem Multiplexer gekoppelt ist.Another antenna interface is in US 5,652,599 (Qualcomm, Incorporated), July 29, 1997 (29.07.1997). The antenna interface comprises a first multiplexer, a diplexer and a matching circuit coupled between the diplexer and the multiplexer.

Abstimmbare Filter mit ferroelektrischen Kondensatoren sind in EP 843374A (Sharp Kabushii Kaisha), 9. April 2003 (09.04.2003) und in WO 00/35042 (Paratek Microwave, Inc.), 15. Juni 2000 (15.06.2000) beschrieben.Tunable filters with ferroelectric capacitors are in EP 843374A (Sharp Kabushii Kaisha), April 9, 2003 (Apr. 9, 2003) and WO 00/35042 (Paratek Microwave, Inc.), June 15, 2000 (Jun. 15, 2000).

Die erforderliche Dämpfung des Sendesignals, das in den Empfangsweg gelangt, wird mit einigem Aufwand erreicht. Der Duplexer dämpft auch das Sendesignal, das zu der Antenne zur Sendung geht. Diese Dämpfung in dem zu der Antenne gehenden Sendesignal ist als Verlust bekannt. Es wäre vorteilhaft, den Sendewegverlust in dem Duplexer zu reduzieren.The required damping of the transmission signal, which enters the reception path, is with some Effort reached. The duplexer attenuates also the transmission signal going to the antenna for transmission. These damping in the transmission signal going to the antenna is known as a loss. It would be advantageous to reduce the transmission path loss in the duplexer.

Außerdem muss der Duplexer typischerweise groß sein, um die Empfangspfaddämpfung des Sendesignals zu erreichen. Die Konsumenten fordern ständig immer kleinere drahtlose Telefone mit immer mehr Funktionen und einer besseren Leistung. Somit wäre es vorteilhaft, die Größe des Duplexers zu reduzieren, während die Sendesignaldämpfung in dem Empfangsweg aufrechterhalten oder verbessert wird und während gleichzeitig der Sendesignalverlust zu der Antenne aufrechterhalten oder verbessert wird.In addition, must the duplexer will typically be big, to receive path attenuation to reach the transmission signal. Consumers are always demanding smaller wireless phones with more and more features and one better performance. Thus would be It is beneficial to the size of the duplexer while reducing the transmission signal attenuation is maintained or improved in the receive path and while at the same time the transmission signal loss to the antenna is maintained or improved becomes.

ÜbersichtOverview

Ein signifikanter Teil der Kosten, der Größe und des Energieverbrauchs von drahtlosen Kommunikationseinrichtungen entfallen auf Transceiver. Ein signifikanter Teil der Kosten, der Größe und des Energieverbrauchs des Transceivers entfallen auf das Vorderende einschließlich Antennen, Duplexer, Diplexer, Entkoppler, PA's, LNA's und ihre Anpassungsschaltungen. Es wäre vorteilhaft, die Kosten, die Größe und den Energieverbrauch dieser Teile individuell und gemeinsam zu reduzieren.One Significant part of the cost, size and energy consumption Wireless communication devices rely on transceivers. A significant part of the costs, the size and the energy consumption of the transceiver accounts for the front end including antennas, Duplexers, diplexers, decouplers, PAs, LNAs and their matching circuits. It would be beneficial the cost, the size and the To reduce energy consumption of these parts individually and collectively.

In Kürze sieht die vorliegende Erfindung einen ferroelektrischen, abstimmbaren, mit einem oder mehreren der anderen Teile integrierten Duplexer vor. Diese Kombination wird hierin als eine Antennenschnittstelleneinheit bezeichnet. Insbesondere, zusätzlich zu dem Hinzufügen der ferroelektrischen Abstimmbarkeit, integriert die vorliegende Erfindung eines oder mehrere der obigen Bauelemente auf einem Substrat. Die Bauelemente sind an einem Substrat entweder durch Platzieren jedes Bauelements mit der geeigneten Anpassungsschaltung direkt auf dem Substrat oder durch direkte Herstellung des Bauelements und der Anpassungsschaltung in oder auf dem Substrat integriert.In See short the present invention provides a ferroelectric, tunable, integrated duplexer with one or more of the other parts. This combination is referred to herein as an antenna interface unit designated. In particular, in addition to add ferroelectric tunability, integrates the present Invention of one or more of the above components on a substrate. The devices are placed on a substrate either by placing each device with the appropriate matching circuit directly on the substrate or by direct fabrication of the device and the matching circuit integrated in or on the substrate.

Zum Beispiel ist in dem Fall des Integrierens des PA, des Entkopplers und des Duplexers der aktive PA-Baustein (d.h. GaAs FET) direkt auf dem gemeinsamen Substrat platziert. Als Teil der Integration von Komponenten können die Anpassungsschaltungen für die Komponenten auf dem gemeinsamen Substrat gestaltet oder platziert werden. Die Anpassungsschaltung für den PA würde auf diesem Substrat gestaltet oder platziert werden. Der Entkoppler, wenn verwendet, könnte direkt auf diesem gemeinsamen Substrat hergestellt oder als ein diskretes Bauelement montiert werden.To the Example is in the case of integrating the PA, the decoupler and the duplexer, the active PA device (i.e., GaAs FET) directly placed on the common substrate. As part of the integration of Components can the matching circuits for designed or placed the components on the common substrate become. The matching circuit for the PA would be designed on this substrate or placed. The decoupler, if used, could be direct fabricated on this common substrate or as a discrete device to be assembled.

Die Anpassungsschaltung zwischen dem Entkoppler und dem Duplexer würde auf dem Substrat gestaltet oder hergestellt werden. Der Anschluss des Entkopplers würde auf diesem Substrat gestaltet sein, mit dem Eisen-Puck, dem Magneten und der über ihm platzierten Abschirmung.The Matching circuit between the decoupler and the duplexer would open be designed or manufactured the substrate. The connection of the Decoupler would be designed on this substrate, with the iron puck, the magnet and the over he placed a shield.

Für Zwecke der Integration kann ein Stripline-Duplexer bevorzugt sein, da er das gemeinsame Substrat als eine Hälfte von jedem Resonator verwenden würde. Außerdem ist seine Länge kürzer als eine entsprechende Mikrostrip-Realisierung. Was immer für eine Art von Duplexer verwendet wird, jegliche Kopplungs- und Abstimmkondensatoren würden auf dem gemeinsamen Substrat gestaltet sein. Es versteht sich, dass die gleiche Art von Integration für die LNA-, die Diplexer- und die Antennen-Anpassungsschaltung ausgeführt werden kann. Wenn ein minimaler Verlust eine Hauptanforderung für einen nach dem PA angeordneten BPF, Duplexer oder Multiplexer ist, dann muss ein verlustarmes Substrat verwendet werden, wie es dem Fachmann gut bekannt ist.For purposes For integration, a stripline duplexer may be preferred as it use the common substrate as one half of each resonator would. Furthermore is his length shorter as a corresponding microstrip implementation. Whatever kind used by duplexers, any coupling and tuning capacitors would go up be designed the common substrate. It is understood that the same kind of integration for the LNA, the diplexer and the the antenna matching circuit can be executed. If a minimum Loss a major requirement for is a BPF, duplexer or multiplexer arranged after the PA, then a low-loss substrate must be used, as is the Professional is well known.

Die Topologie der Anpassungsschaltungen wären typische Anpassungsschaltungs-Topologien mit zwei Hauptausnahmen: (1) sie wären mit anderen Teilen und Anpassungsschaltungen auf dem gemeinsamen Substrat integriert und (2) sie können ferroelektrische abstimmbare Bauelemente aufweisen, obgleich sie nicht alle ferroelektrische abstimmbare Bauelemente aufweisen müssen. Die PA- und die Entkoppler-Anpassungsschaltung wären typischerweise PI-Anpassungsschaltungen (Parallelkondensator, Serieninduktivität oder Mikrostreifenleitung, Parallelkondensator). Der Entkoppler verwendet typischerweise reaktive Serien- oder Parallelstromkreise. Die Diplexer- und die Duplexer-Anpassungsschaltung wären typischerweise einfach Serieneingangs- und -ausgangskondensatoren. Die Antennen-Anpassungsschaltung wäre eine PI- oder T-Schaltung mit L-C-Stufen, die eine Anpassungsschaltung höherer Ordnung bilden. Vorzugsweise würde der Duplexer wie in US 2002/0163400 (Toncich), 7. November 2002 (07.11.2002) beansprucht sein.The topology of the matching circuits would be typical matching circuit topologies with two main exceptions: (1) they would be integrated with other parts and matching circuits on the common substrate, and (2) they could have ferroelectric tunable devices, although they would not have to have all the ferroelectric tunable devices. The PA and decoupler matching circuits would typically be PI matching circuits (shunt capacitor, series inductor or microstrip line, Parallel capacitor). The decoupler typically uses reactive series or parallel circuits. The diplexer and duplexer matching circuits would typically be simply serial input and output capacitors. The antenna matching circuit would be a PI or T circuit with LC stages forming a higher order matching circuit. Preferably, the duplexer would be as claimed in US 2002/0163400 (Toncich), November 7, 2002 (07.11.2002).

Kurze Beschreibung der ZeichnungenShort description of drawings

1 ist ein Blockdiagramm einer Seitenansicht einer Antennenschnittstelleneinheit. 1 Fig. 10 is a block diagram of a side view of an antenna interface unit.

2 ist eine schematische Darstellung einer Leistungsverstärker-Anpassungsschaltung. 2 is a schematic representation of a power amplifier matching circuit.

3 ist eine schematische Darstellung einer erweiterten Leistungsverstärker-Anpassungsschaltung. 3 is a schematic representation of an extended power amplifier matching circuit.

4A ist eine schematische Darstellung einer Mehrband-Leistungsverstärker-Anpassungsschaltung. 4A is a schematic representation of a multi-band power amplifier matching circuit.

4B ist eine schematische Darstellung einer anderen Mehrband-Leistungsverstärker-Anpassungsschaltung. 4B FIG. 12 is a schematic diagram of another multi-band power amplifier matching circuit. FIG.

5 ist eine schematische Darstellung eines Entkopplers und seiner drei Anpassungsschaltungen. 5 is a schematic representation of a decoupler and its three matching circuits.

6A ist eine schematische Darstellung einer LNA-Anpassungsschaltung. 6A is a schematic representation of an LNA matching circuit.

6B ist ein Schaubild des Frequenzgangs eines LNA-Rauschfaktors. 6B is a graph of the frequency response of an LNA noise factor.

7 ist eine schematische Darstellung einer Antennen-Anpassungsschaltung. 7 is a schematic representation of an antenna matching circuit.

8 ist ein Blockdiagramm einer Antennenschnittstelleneinheit. 8th Fig. 10 is a block diagram of an antenna interface unit.

9 ist ein Blockdiagramm einer Antennenschnittstelleneinheit. 9 Fig. 10 is a block diagram of an antenna interface unit.

10 ist ein Blockdiagramm einer Antennenschnittstelleneinheit. 10 Fig. 10 is a block diagram of an antenna interface unit.

11 ist ein Blockdiagramm einer Antennenschnittstelleneinheit. 11 Fig. 10 is a block diagram of an antenna interface unit.

12 ist ein Blockdiagramm einer Antennenschnittstelleneinheit. 12 Fig. 10 is a block diagram of an antenna interface unit.

13 ist ein Blockdiagramm einer Antennenschnittstelleneinheit. 13 Fig. 10 is a block diagram of an antenna interface unit.

Ausführliche Beschreibung der bevorzugten AusführungsformenDetailed description of the preferred embodiments

Es ist nun unter Bezugnahme auf 1 eine integrierte Antennenschnittstelleneinheit (AIU) 12 gezeigt. Obwohl ein Duplexer gezeigt ist, wie er in einem mobilen CDMA-Gerät üblich ist, könnte ebenso ein Multiplexer verwendet werden. Obwohl die Beschreibung, die folgt, durchweg einen Duplexer beschreibt, versteht es sich, dass der Duplexer durch einen Multiplexer oder ein BPF ersetzt werden könnte. Eine PA-Einheit 20, eine Entkopplereinheit 24 und ein Duplexer 28 sind alle an einem gemeinsamen Substrat 16 befestigt, wodurch das Erfordernis nach einzelnen Substraten für jede dieser Komponenten eliminiert wird.It is now referring to 1 an integrated antenna interface unit (AIU) 12 shown. Although a duplexer is shown, as is common in a CDMA mobile device, a multiplexer could also be used. Although the description that follows consistently describes a duplexer, it will be understood that the duplexer could be replaced by a multiplexer or a BPF. A PA unit 20 , a decoupler unit 24 and a duplexer 28 are all on a common substrate 16 attached, eliminating the need for individual substrates for each of these components.

Das Substrat besteht vorzugsweise aus einem sorgfältig ausgewählten Material. Die Substratparameter, die typischerweise kritisch sind, sind die Dielektrizitätskonstante, der Verlusttangens, die thermischen Eigenschaften, die Kosten und die Leichtigkeit der Verarbeitung. Typischerweise sollte eine Dielektrizitätskonstante kleiner als etwa 40 sein, und der Verlusttangens sollte kleiner als etwa 0,001 in dem interessierenden Frequenzbereich sein. Ein verlustarmes Substrat kann teurer als ein verlustreicheres Substrat sein. Ein Entwickler muss oft die Frage der Kosten und der Leistungsparameter, wie zum Beispiel des Verlustes, abwägen. Außerdem muss auch der Metallverlust minimiert werden. Es muss ein Substrat gewählt werden, das ein verlustarmes Metall aufnehmen kann.The Substrate is preferably made of a carefully selected material. The substrate parameters, which are typically critical, are the dielectric constant, loss tangents, thermal properties, costs and the ease of processing. Typically, a dielectric constant should be less than about 40, and the loss tangent should be smaller be about 0.001 in the frequency range of interest. One low-loss substrate can be more expensive than a more lossy substrate be. A developer often has to answer the question of cost and performance parameters, such as the loss, weigh. In addition, the metal loss must also be minimized. It must be chosen a substrate that has a low loss Metal can absorb.

Vorteile der Integration von Komponenten mit einem Multiplexer umfassen: (1) Reduzierung des mit der integrierten Einrichtung verbundenen Gesamtverlustes verglichen mit demjenigen, der sich aus der Verwendung diskreter Teile ergibt, was es somit leichter macht, Anforderungen zu erfüllen; (2) Reduzierung der Anschlussfläche der Tx-Kette in dem Teilsystem; (3) Reduzierung der Gesamtteilezahl, insbesondere soweit ein Hersteller einer drahtlosen Kommunikationseinrichtung betroffen ist; (4) Reduzierung von Kosten infolge einer reduzierten Gehäuse- und Teilezahl, (5) Integration von ferroelektrischen einstellbaren Bauelementen mit niedrigeren zusätzlichen Verlusten und Beanspruchen von weniger Platz, als wenn sie als einzelne, konzentrierte Bauelemente eingebracht würden.advantages integrating components with a multiplexer include: (1) Reduction of the associated with the integrated device Overall loss compared to the one resulting from the use discrete parts, which makes it easier to requirements to fulfill; (2) Reduction of the pad the Tx chain in the subsystem; (3) Reduction of the total number of parts, in particular as far as a manufacturer of a wireless communication device is concerned; (4) Reduction of costs due to a reduced Casing- and part number, (5) integration of ferroelectric adjustable Components with lower additional Losses and demands of less space than when, as a single, concentrated components would be introduced.

Eine auf dem Substrat 16 angeordnete PA-zu-Entkoppler-Anpassungsschaltung 41 koppelt die PA-Einheit an die Entkopplereinheit 24. Eine auf dem Substrat 16 angeordnete Entkoppler-zu-Duplexer-Anpassungsschaltung 44 koppelt den Entkoppler an den Duplexer.One on the substrate 16 arranged PA-to-decoupler matching circuit 41 couples the PA unit to the decoupler unit 24 , One on the substrate 16 arranged decoupler-to-duplexer matching circuit 44 couples the decoupler to the duplexer.

Vorzugsweise wird ein Entkoppler verwendet, er ist aber optional. Wenn kein Entkoppler verwendet wird, versteht es sich, dass der Entkoppler entfernt wird und die PA-zu-Entkoppler-Anpassungsschaltung und die Entkoppler-zu-Duplexer-Anpassungsschaltung durch eine PA-zu-Duplexer-Anpassungsschaltung ersetzt werden. Es gibt zwei Hauptgründe, dass es ein Entwickler vorziehen wird, einen Entkoppler in einer Ausführung, wie hier offenbart, zu verwenden. Die Gründe sind: (1) der dem Entkoppler vorangehenden Einrichtung (in diesem Fall der PA) eine gewisse Lastimpedanz zur Verfügung zu stellen; und (2) zu verhindern, dass sich unerwünschte Signale zurück in die dem Entkoppler vorangehende Einrichtung (in diesem Fall den PA) fortpflanzen. Unerwünschte, sich zurück zu dem PA fortpflanzende Signale können bewirken, dass sich ein inakzeptables Mischen oder eine inakzeptable Verzerrung oder beides bildet, was den Gesamtentwurf inakzeptabel machen kann.Preferably a decoupler is used, but it is optional. If no decoupler it is understood that the decoupler is removed and the PA-to-decoupler matching circuit and the decoupler-to-duplexer matching circuit through a PA-to-Duplexer matching circuit be replaced. There are two main reasons that there is a developer prefer a decoupler in an embodiment as disclosed herein, to use. The reasons are: (1) the device preceding the decoupler (in this Case of the PA) to provide a certain load impedance; and (2) too prevent unwanted Signals back in the device preceding the decoupler (in this case the PA). unwanted, back to the PA propagating signals can cause a unacceptable mixing or unacceptable distortion or both forms what can make the overall design unacceptable.

Wie im Stand der Technik gut bekannt ist, gibt es viele Fälle, in denen der Entkoppler eliminiert werden kann. Das ist so, wenn: (1) dem PA eine akzeptable Last unter Betriebsbedingungen angeboten werden kann; oder (2) der Entkoppler durch einen geeigneten Koppler oder eine passive Hybrideinrichtung ersetzt werden kann, die den Effekt einer Rückleistungsfortpflanzung auf dem gewünschten Signalweg reduziert. Passive Koppler oder passive Hybridkoppler können leichter durch direkte Herstellung auf dem Substrat implementiert werden, wie in dieser Anmeldung dargestellt.As Well known in the art, there are many cases in where the decoupler can be eliminated. That's what happens when: (1) the PA is offered an acceptable load under operating conditions can; or (2) the decoupler through a suitable coupler or a passive hybrid device can be substituted that has the effect a return performance propagation on the desired Signal path reduced. Passive couplers or passive hybrid couplers can more easily implemented by direct fabrication on the substrate as shown in this application.

Diese spezielle Konfiguration der AIU 12 ist nur zwecks eines Beispiels und einer Illustration gezeigt und ausführlich beschrieben. Die AIU 12 muss nicht einen PA 20 oder einen Entkoppler 24 aufweisen. Wie allgemeiner mit Bezug auf die 813 beschrieben werden wird, hat die AIU immer einen abstimmbaren Multiplexer und irgendeine andere Komponente auf einem gemeinsamen Substrat. Außerdem gibt es viele mögliche Komponenten, die mit dem Multiplexer integriert werden können, um die RIU zu bilden. Der PA und der Entkoppler sind nur zwei Beispiele.This special configuration of the AIU 12 is shown and described in detail for the purposes of example and illustration only. The AIU 12 does not have a PA 20 or a decoupler 24 exhibit. As more general with respect to the 8th - 13 will be described, the AIU always has a tunable multiplexer and any other component on a common substrate. In addition, there are many possible components that can be integrated with the multiplexer to form the RIU. The PA and the decoupler are just two examples.

Der PA kann auch mehrere aktive Einrichtungen aufweisen. Das wird ein Kaskaden-PA genannt. Die Erörterung wird bezüglich einer aktiven Einrichtung durchgeführt, der Fachmann wird jedoch verstehen, dass diese Erörterung auf Kaskaden-PA's angewendet werden könnte.Of the PA can also have multiple active devices. That will be Called cascade PA. The discussion is re an active device is performed, but the person skilled in the art will understand that this discussion on cascade PA's could be applied.

Da die Anpassungsschaltungen und die Komponenten auf einem gemeinsamen Substrat 16 liegen, müssen die Impedanzanpassungen nicht auf dem Industriestandard 50 Ohm liegen. Stattdessen kann die Impedanzanpassung von der Ausgangs-Eigenimpedanz Zo einer Komponente auf die Eingangs-Eigenimpedanz Zi der nächsten Komponente vorgenommen werden.Because the matching circuits and the components are on a common substrate 16 impedance matching does not have to be on the industry standard 50 ohms. Instead, the impedance matching may be made from the output self-impedance Z o of one component to the input eigenimpedance Z i of the next component.

Wenn beispielsweise, wieder mit Bezug auf 1, die PA-Einheit 20 eine Ausgangsimpedanz von etwa 2,5 Ohm und die Entkopplereinheit 24 eine Eingangsimpedanz von etwa 12,5 Ohm hat, wird die PA-zu-Entkoppler-Anpassungsschaltung 41 die Impedanz von 2,5 Ohm an der PA-Einheit 20 an 12,5 Ohm an der Entkopplereinheit 24 anpassen. Dies steht im Gegensatz zum Stand der Technik. Im Stand der Technik würde die PA-Einheit typischerweise ihr eigenes Substrat haben, und die Entkopplereinheit würde typischerweise ihr eigenes Substrat haben. Die PA-Einheit würde ihre eigene Anpassungsschaltung haben, die von dem Ausgang des PA (zum Beispiel 2,5 Ohm) hoch auf 50 Ohm anpassen würde. Die Entkopplereinheit würde ihre eigene Anpassungsschaltung haben, die von 50 Ohm herunter an den Entkoppler (zum Beispiel 12,5 Ohm) anpassen würde. Es würde bei dieser Aufwärtsanpassung von 2,5 Ohm auf 50 Ohm und von 50 Ohm zurück herunter auf 12,5 Ohm einen zusätzlichen Verlust in dem Signal geben.For example, again with respect to 1 , the PA unit 20 an output impedance of about 2.5 ohms and the decoupler unit 24 has an input impedance of about 12.5 ohms, becomes the PA-to-decoupler matching circuit 41 the impedance of 2.5 ohms on the PA unit 20 to 12.5 ohms on the decoupler unit 24 to adjust. This is in contrast to the prior art. In the prior art, the PA unit would typically have its own substrate and the decoupler unit would typically have its own substrate. The PA unit would have its own matching circuit which would adjust from the output of the PA (for example, 2.5 ohms) high to 50 ohms. The decoupler unit would have its own matching circuit which would adapt from 50 ohms down to the decoupler (for example, 12.5 ohms). There would be an additional loss in the signal at this upward adjustment from 2.5 ohms to 50 ohms and from 50 ohms back down to 12.5 ohms.

Ein weiterer Vorteil beim Anpassen von der Ausgangs-Eigenimpedanz einer Einrichtung auf die Eingangs-Eigenimpedanz einer anderen Einrichtung ist, dass oft eine einfachere Topologie in dem Anpassungsnetzwerk verwendet werden kann, wenn Zo und Zi im Wert enger liegen als sie es beispielsweise nach dem Industriestandard 50 Ohm tun. Ein einfacheres Anpassungsnetzwerk führt zu einer kleineren zusätzlichen Variation infolge einer Komponentenvariation, als es ein komplexeres Netzwerk tut. In dem Grenzfall, wo zum Beispiel Zo = Zi ist, wird kein Anpassungsnetzwerk zwischen benachbarten Einrichtungen in dem Signalweg benötigt. Im Stand der Technik ist jede Einrichtung typischerweise an den Industriestandard 50 Ohm angepasst.Another advantage in matching the device's output impedance to the input self-impedance of another device is that often a simpler topology can be used in the matching network if Z o and Z i are closer in value than they are after, for example Industry standard 50 ohms do. A simpler matching network results in smaller additional variation due to component variation than does a more complex network. In the limiting case where, for example, Z o = Z i , no matching network between adjacent devices in the signal path is needed. In the prior art, each device is typically adapted to the industry standard 50 ohms.

Wieder Bezug nehmend auf 1 ist der Duplexer 28 ein verlustarmer abstimmbarer Duplexer, wie in US 2002/0163400 (Toncich), 7. November 2002 (07.11.2002) beschrieben. Ferroelektrische Bauelemente wie zum Beispiel ferroelektrische Kondensatoren werden verwendet, um den Duplexer abzustimmen.Again referring to 1 is the duplexer 28 a low-loss tunable duplexer as described in US 2002/0163400 (Toncich), Nov. 7, 2002 (Nov. 7, 2002). Ferroelectric devices such as ferroelectric capacitors are used to tune the duplexer.

Die integrierte Antennenschnittstelleneinheit hat einen signifikant kleineren Verlust in dem Sendeweg als nichtintegrierte Übertragungsketten. Das Integrieren von Komponenten, zum Beispiel des PA, eliminiert verlustbehaftete Zusatzeinrichtungen, die in US 2002/0175878 (Kyocera Wireless Corp.), 28. November 2002 (28.11.2002) beschrieben sind. Insbesondere wird eine elektrische Verbindung zwischen dem PA-Substrat und dem gemeinsamen Substrat eliminiert. Im Stand der Technik ist der PA typischerweise auf seinem eigenen Substrat hergestellt. Wenn eine Kommunikationseinrichtung gebaut wird, die den PA einbezieht, muss eine elektrische Verbindung zwischen dem PA-Substrat und dem gemeinsamen Substrat hergestellt werden. Ob das durch SMD-Technik (SMT), Handlöten, Drahtbonden oder irgendein anderes Befestigungsverfahren erreicht wird, Befestigungsverluste werden hinzugefügt. Durch Befestigen des PA direkt auf dem gemeinsamen Substrat werden diese Verluste vermieden.The integrated antenna interface unit has a significantly smaller loss in the transmission path than non-integrated transmission chains. Integrating components, such as the PA, eliminates lossy ancillary equipment described in US 2002/0175878 (Kyocera Wireless Corp.), November 28, 2002 (Nov. 28, 2002). In particular, an electrical connection between the PA substrate and the common substrate is eliminated. In the prior art, the PA is typically made on its own substrate. When building a communication device that incorporates the PA, an electrical connection must be made between the PA substrate and the common substrate. Whether this is achieved through SMD (SMT), hand soldering, wire bonding or any other attachment method, attachment losses are added. By attaching the PA directly to the common substrate, these losses are avoided.

Nun ist mit Bezug auf 2 eine PA-Anpassungsschaltung 48 gezeigt. Ein PA 50 hat einen Eingang 52 und einen Ausgang 54. In einer bevorzugten Ausführungsform ist der Ausgang 54 an einen ersten Kondensator 56 gekoppelt. Der erste Kondensator 56 ist auch an Masse gekoppelt. Der Ausgang 54 ist auch an ein induktives Element 58 gekoppelt. Das induktive Element 58 kann ein konzentriertes Induktivitätselement, eine Mikrostreifenleitung oder irgendein anderes, in der Technik bekanntes induktives Element sein. Das induktive Element 58 ist auch an einen zweiten Kondensator 60 gekoppelt. Die Verbindung zwischen dem induktiven Element 58 und dem zweiten Kondensator 60 bildet den Ausgang 65 der PA-Anpassungsschaltung 48. Der Ausgang 54 des PA 50 ist auch an eine Biasschaltung gekoppelt. Die Biasschaltung weist typischerweise eine Induktivität 68, einen dritten Kondensator 71 und eine Spannungsquelle 74 auf.Now, with respect to 2 a PA matching circuit 48 shown. A PA 50 has an entrance 52 and an exit 54 , In a preferred embodiment, the output is 54 to a first capacitor 56 coupled. The first capacitor 56 is also coupled to ground. The exit 54 is also an inductive element 58 coupled. The inductive element 58 may be a concentrated inductance element, a microstrip line, or any other inductive element known in the art. The inductive element 58 is also connected to a second capacitor 60 coupled. The connection between the inductive element 58 and the second capacitor 60 makes the exit 65 the PA matching circuit 48 , The exit 54 of the PA 50 is also coupled to a bias circuit. The bias circuit typically has an inductance 68 , a third capacitor 71 and a voltage source 74 on.

Eine weitere beispielhafte Anpassungsschaltungs-Topologie ist in 3 gezeigt. Die Anpassungsschaltung 72 ist gleich der in 2 gezeigten Anpassungsschaltung 48, außer dass die Anpassungsschaltung 72 in 3 ein zusätzliches induktives Element 75 und einen zusätzlichen Kondensator 76 aufweist.Another exemplary matching circuit topology is in 3 shown. The matching circuit 72 is the same in 2 shown matching circuit 48 except that the matching circuit 72 in 3 an additional inductive element 75 and an additional capacitor 76 having.

Auch befindet sich der Ausgang 78 dieser Anpassungsschaltung 72 an der Verbindung des induktiven Elements 75 und des Kondensators 76. Irgendwelche oder alle der induktiven und kapazitiven Bauelemente können abstimmbar sein.Also is the exit 78 this matching circuit 72 at the connection of the inductive element 75 and the capacitor 76 , Any or all of the inductive and capacitive components may be tunable.

Es wird von dem Fachmann verstanden werden, dass unterschiedliche Anpassungsschaltungs-Topologien verwendet werden können, um die PA-Anpassungsschaltung zu implementieren. Im allgemeinen wird eine komplexere Anpassungsschaltung eine größere Steuerung in der Anpassung auf Kosten eines erhöhten Einfügungsverlustes (I.L.) infolge der endlichen Komponente Q sowie höherer Kosten und eines erhöhten Platinenplatzes erlauben.It will be understood by those skilled in the art that different matching circuit topologies can be used to implement the PA matching circuit. In general a more complex matching circuit will have greater control in the adaptation at the expense of an increased insertion loss (I.L.) due to the finite component Q and higher costs and one increased Allow board space.

Wieder mit Bezug auf 1 ist der PA direkt auf dem Substrat 16 platziert, und die mit Bezug auf 2 beschriebene Anpassungsschaltung ist direkt auf dem Substrat 16 hergestellt. Die Kondensatoren können direkt auf dem Substrat 16 als Interdigitalkondensatoren, Spaltkondensatoren oder Overlay-Kondensatoren hergestellt werden, wie es in der Technik gut bekannt ist. Durch Herstellen der PA-Einheit 20, der PA-zu-Entkoppler-Anpassungsschaltung 41 und der Entkopplereinheit 24 direkt auf dem selben Substrat 16 werden zusätzlich zu den vorher beschriebenen Verlusten, die aus dem Anpassen der Impedanzen hoch auf und zurück herunter von 50 Ohm resultieren, Befestigungsverluste vermieden. Im Stand der Technik müssen die separaten Substrate für die PA-Einheit und die Entkopplereinheit elektrisch und mechanisch an einem gemeinsamen Substrat oder einer gemeinsamen Platine befestigt werden. Es gibt Verluste, die mit der Befestigung dieser zusätzlichen Substrate verbunden sind. Schließlich gibt es einen zusätzlichen Verlust in der elektrischen Leitung, die die separaten Substrate auf dem gemeinsamen Substrat oder der gemeinsamen Platine verbindet. Durch Kombinieren des PA und des Entkopplers auf einem gemeinsamen Substrat werden diese Verluste eliminiert oder signifikant reduziert.Again with respect to 1 the PA is directly on the substrate 16 placed, and with respect to 2 described matching circuit is directly on the substrate 16 produced. The capacitors can be directly on the substrate 16 as interdigitated capacitors, split capacitors, or overlay capacitors, as is well known in the art. By making the PA unit 20 , the PA-to-decoupler matching circuit 41 and the decoupler unit 24 directly on the same substrate 16 In addition to the previously described losses resulting from matching the impedances up and down 50 ohms, mounting losses are avoided. In the prior art, the separate substrates for the PA unit and the decoupler unit must be electrically and mechanically attached to a common substrate or board. There are losses associated with the attachment of these additional substrates. Finally, there is an additional loss in the electrical line connecting the separate substrates on the common substrate or common board. By combining the PA and the decoupler on a common substrate, these losses are eliminated or significantly reduced.

Wieder mit Bezug auf 2 können die Kondensatoren 56 und 60 unter Verwendung verlustarmer abstimmbarer ferroelektrischer Materialien und Verfahren abstimmbar sein, wie in US 2002/0163400 (Tonich), 7. November 2002 (07.11.2002) und US 2002/0175878 (Kyocera Wireless Corp.), 28. November 2002 (28.11.2002) beschrieben. Dies würde den Verlust durch Bereitstellen einer optimalen Impedanzanpassung sogar weiter reduzieren. Die in den 2 und 3 gezeigten Anpassungsschaltungen werden verwendet, um ein Einzelband, wie zum Beispiel das PCS-Band, oder das Zellularband abzustimmen. Gegenwärtig können diese Anpassungsschaltungen eine Abstimmbarkeit von wenigstens 15% erreichen.Again with respect to 2 can the capacitors 56 and 60 be tunable using low loss tunable ferroelectric materials and methods as described in US 2002/0163400 (Tonich), Nov. 7, 2002 (Nov. 7, 2002), and US 2002/0175878 (Kyocera Wireless Corp.), Nov. 28, 2002 (Nov. 28, 2002) ). This would even further reduce the loss by providing optimal impedance matching. The in the 2 and 3 Matching circuits shown are used to tune a single band, such as the PCS band, or the cellular band. At present, these matching circuits can achieve a tunability of at least 15%.

Dies ermöglicht eine Abstimmung sogar über mehrere internationale PCS-Bänder, wie zum Beispiel vom Indien-PCS-Band zu dem U.S.-PCS-Band. Um über eine größere Frequenz abzustimmen, zum Beispiel von dem U.S.-PCS-Band bei etwa 1900 MHz zu dem U.S.-Zellularband bei etwa 800 MHz, muss die PA-zu-Entkoppler-Anpassungsschaltung eine größere Abstimmbarkeit aufweisen.This allows one vote even over several international PCS tapes, like the India PCS band to the U.S. PCS. To over a larger frequency for example, from the U.S. PCS band at about 1900 MHz The U.S. Cellular Band at about 800 MHz requires the PA-to-decoupler matching circuit a greater tunability exhibit.

Zum Abstimmen eines PA über mehr als ein PCS-Band benötigt auch die Eingangs-Anpassungsschaltung eine Abstimmung. Ob eine Abstimmung der Eingangs-Anpassungsschaltung notwendig ist oder nicht, kann auf einer Basis des fallweisen Vorgehens bestimmt werden. In diesem Fall wird die gleiche Technik verwendet, wie sie für die Ausgangs-Anpassungsschaltung verwendet wird.To the Tuning a PA over more than a PCS band needed also the input matching circuit a vote. Whether a vote of Input matching circuit is necessary or not, can open be determined on a case by case basis. In this Case, the same technique is used as for the output matching circuit is used.

Eine erhöhte Abstimmbarkeit wird durch Hinzufügen mikroelektromechanischer Schalter (MEMS) zu der Anpassungsschaltung erzielt. Nun ist mit Bezug auf 4A eine Multiband-PA-Anpassungschaltung 31 gezeigt. Die Anpassungsschaltung 31 ist gleich der von 2, außer dass verschiedene zusätzliche Bauelemente mit der Fähigkeit, diese Bauelemente mit MEMS der Schaltung 31 zuzuschalten und von der Schaltung wegzuschalten, hinzugefügt wurden. Der Ausgang 35 eines PA 33 ist, wie in 2, an einen ersten Kondensator 37 und an ein erstes induktives Element 39 gekoppelt. Das erste induktive Element 39 ist an einen zweiten Kondensator 43 gekoppelt. Hier aber ist der Ausgang 35 des PA 33 auch an einen ersten MEMS 45 zum selektiven Koppeln an einen dritten Kondensator 47 gekoppelt. Das erste induktive Element 39 und der zweite Kondensator 43 sind auch an einen zweiten MEMS 80 zum selektiven Koppeln an einen vierten Kondensator 83 gekoppelt. Diese Schalter 45 und 80 und die Kondensatoren 47 und 83 verändern die Kapazität der Anpassungsschaltung 31.Increased tunability is achieved by adding microelectromechanical switches (MEMS) to the matching circuit. Now, with respect to 4A a multiband PA matching circuit 31 shown. The matching circuit 31 is equal to that of 2 except that various additional components with the ability to connect these devices with MEMS the circuit 31 to switch on and off of the circuit have been added. The exit 35 a PA 33 is how in 2 to a first capacitor 37 and to a first inductive element 39 coupled. The first inductive element 39 is to a second capacitor 43 coupled. Here is the exit 35 of the PA 33 also to a first MEMS 45 for selectively coupling to a third capacitor 47 coupled. The first inductive element 39 and the second capacitor 43 are also connected to a second MEMS 80 for selectively coupling to a fourth capacitor 83 coupled. These switches 45 and 80 and the capacitors 47 and 83 change the capacity of the matching circuit 31 ,

Außerdem ist das erste induktive Element 39 an jeweils einem Ende an MEMS 86 und 89 zum selektiven Koppeln an ein zweites induktives Element 92 gekoppelt. Diese Schalter 86 und 89 und das induktive Element 92 ändern die Induktivität der Anpassungsschaltung 31. Auf diese Weise kann die Anpassungsschaltung 31 verwendet werden, um den PA 33 zur Verwendung entweder in dem Zellular- oder dem PCS-Band anzupassen. Es versteht sich, dass die hier beschriebenen Verfahren und Einrichtungen verwendet werden könnten, um in anderen Bändern als dem Zellular- und dem PCS-Band eine Anpassung vorzunehmen. Das Zellularband und das PCS-Band sind als Beispiele gewählt. Es versteht sich auch, dass andere Anpassungsschaltungs-Topologien gewählt werden können.In addition, the first inductive element 39 at one end to MEMS 86 and 89 for selectively coupling to a second inductive element 92 coupled. These switches 86 and 89 and the inductive element 92 change the inductance of the matching circuit 31 , In this way, the matching circuit 31 used to the PA 33 for use in either the cellular or PCS band. It should be understood that the methods and apparatus described herein could be used to adapt in bands other than the cellular and PCS bands. The cellular band and the PCS band are selected as examples. It is also understood that other matching circuit topologies can be chosen.

Wieder mit Bezug auf 4A ist eine Multiband-PA-Anpassungsschaltung 31 gezeigt, die ähnlich der mit Bezug auf 2 beschriebenen Einzelband-PA-Anpassungsschaltung ist. Wie dargestellt, hat die Multiband-PA-Anpassungsschaltung 93 einen Vorteil dahingehend, dass sie infolge der Hinzufügung von MEMS-Schaltern 86, 89, 45 und 80 und der sich anschließenden Bauelemente über einen weiteren Bereich von Frequenzen abstimmbar ist. Die abstimmbaren Kondensatoren 37 und 43 und das abstimmbare reaktive Element 39 können verwendet werden, um über ein bestimmtes Frequenzband eine Feinabstimmung vorzunehmen. Das bestimmte Band wird durch die MEMS-Schalter 86, 89, 45 und 80 gewählt.Again with respect to 4A is a multi-band PA matching circuit 31 shown similar with respect to 2 described single band PA matching circuit. As shown, the multiband PA matching circuit has 93 an advantage in that they are due to the addition of MEMS switches 86 . 89 . 45 and 80 and the adjoining components are tunable over a wider range of frequencies. The tunable capacitors 37 and 43 and the tunable reactive element 39 can be used to fine-tune over a particular frequency band. The particular band is through the MEMS switch 86 . 89 . 45 and 80 selected.

Zusätzlich zu den MEMS-Schaltern 86, 89, 45 und 80 weist die Multiband-PA-Anpassungsschaltung 93 zusätzliche Kondensatoren 47 und 83 und ein zusätzliches reaktives Element 92 auf. Der Kondensator 83 ist in Reihe mit dem Kondensator 43 und in Reihe mit dem MEMS-Schalter 80 geschaltet. Wenn es gewünscht wird, in ein anderes Band, wie zum Beispiel ein anderes PCS-Band zu schalten, wird der MEMS-Schalter 80 betätigt, der den Kondensator 83 an den Kondensator 43 und das reaktive Element 39 zum Ändern der Impedanz der Abstimmungsschaltung 93 koppelt. In der gleichen Weise kann der MEMS-Schalter 45 betätigt werden, um den Kondensator 47 an den Kondensator 37 und das reaktive Element 39 zum Ändern der Impedanz der Anpassungsschaltung 93 zu koppeln. Ferner können in gleicher Weise die MEMS-Schalter 86 und 89 betätigt werden, um das reaktive Element 92 parallel zu dem reaktiven Element 39 zum Ändern der Impedanz der Anpassungsschaltung 93 zu koppeln.In addition to the MEMS switches 86 . 89 . 45 and 80 indicates the multiband PA matching circuit 93 additional capacitors 47 and 83 and an additional reactive element 92 on. The capacitor 83 is in series with the capacitor 43 and in series with the MEMS switch 80 connected. When it is desired to switch to another band, such as another PCS band, the MEMS switch becomes 80 operated, the capacitor 83 to the capacitor 43 and the reactive element 39 for changing the impedance of the voting circuit 93 coupled. In the same way, the MEMS switch 45 be pressed to the capacitor 47 to the capacitor 37 and the reactive element 39 for changing the impedance of the matching circuit 93 to pair. Furthermore, the MEMS switches can likewise be used 86 and 89 be pressed to the reactive element 92 parallel to the reactive element 39 for changing the impedance of the matching circuit 93 to pair.

Eine alternative Konfiguration von reaktiven Komponenten 92 und 39 und MEMS-Schaltern 86 und 89 ist in 4B gezeigt. In 4B sind die MEMS-Schalter 86 und 89 so an die reaktiven Elemente 92 und 39 gekoppelt, dass nur eins der reaktiven Elemente 92 und 39 an die Kondensatoren 37 und 43 gekoppelt ist. Das reaktive Element 39 kann von der Schaltung weggeschaltet werden, so dass es an beiden Enden abgetrennt ist, wohingegen in 4A das reaktive Element 39 immer an den Kondensatoren 37 und 43 an die Schaltung gekoppelt ist. Nur das reaktive Element 92 wird der Schaltung zugeschaltet und von der Schaltung weggeschaltet. Es ist zu beachten, dass sowohl in 4A als auch in 4B jedes der Elemente 92, 39, 47, 37, 83 und 43 abstimmbar sein kann, es können jedoch lediglich eines oder alle von ihnen abstimmbar sein.An alternative configuration of reactive components 92 and 39 and MEMS switches 86 and 89 is in 4B shown. In 4B are the MEMS switches 86 and 89 so to the reactive elements 92 and 39 coupled that only one of the reactive elements 92 and 39 to the capacitors 37 and 43 is coupled. The reactive element 39 can be disconnected from the circuit so that it is separated at both ends, whereas in 4A the reactive element 39 always on the capacitors 37 and 43 is coupled to the circuit. Only the reactive element 92 is connected to the circuit and disconnected from the circuit. It should be noted that both in 4A as well as in 4B each of the elements 92 . 39 . 47 . 37 . 83 and 43 can be tunable, but only one or all of them can be tuned.

Für Anwendungen bei mobilen Geräten sollten die hier beschriebenen MEMS-Schalter den niedrigsten praktischen Verlust, zum Beispiel einen DC-Widerstand kleiner als etwa 0,01 Ohm haben. Die Schaltgeschwindigkeit ist nicht kritisch, solange sie weniger als etwa 1,0 ms beträgt. Offensichtlich können andere Anwendungen andere kritische Spezifikationen an den MEMS-Schaltern erfordern.For applications on mobile devices The MEMS switches described here should be the lowest practical Loss, for example, a DC resistance less than about 0.01 Ohm have. The switching speed is not critical as long as they are less than about 1.0 ms. Obviously you can other applications have other critical specifications on the MEMS switches require.

Nun wird mit Bezug auf 5 eine Entkoppler-Anpassungsschaltung beschrieben. Ein Eingangsanschluss 97 ist an einen PA (nicht gezeigt), an ein erstes Impedanzelement 99 und an ein zweites Impedanzelement 101 gekoppelt. Das erste Impedanzelement 99 und das zweite Impedanzelement 101 bilden eine Eingangs-Anpassungsschaltung für den Entkoppler 95. Das zweite Impedanzelement 101 ist an Masse gekoppelt, und das erste Impedanzelement 99 ist an den Entkoppler 95 zum Übertragen eines Signals von einem PA (nicht gezeigt) zu dem Entkoppler 95 gekoppelt. Sowohl das erste als auch das zweite Impedanzelement können ferroelektrische einstellbare Bauelemente sein, wie in US 2002/0175878 (Kyocera Wireless Corp.), 28. November 2002 (28.11.2002) beschrieben.Now, with respect to 5 a decoupler matching circuit is described. An input connection 97 is connected to a PA (not shown), to a first impedance element 99 and to a second impedance element 101 coupled. The first impedance element 99 and the second impedance element 101 form an input matching circuit for the decoupler 95 , The second impedance element 101 is coupled to ground, and the first impedance element 99 is at the decoupler 95 for transmitting a signal from a PA (not shown) to the decoupler 95 coupled. Both the first and second impedance elements may be ferroelectric adjustable devices as described in US 2002/0175878 (Kyocera Wireless Corp.), November 28, 2002 (Nov. 28, 2002).

Ein Ausgang des Entkopplers 95 ist an ein drittes Impedanzelement 103 gekoppelt, welches an ein viertes Impedanzelement 105 gekoppelt ist. Das dritte Impedanzelement 103 und das vierte Impedanzelement 105 bilden zusammen eine Ausgangs-Anpassungsschaltung und einen Ausgangsanschluss 107 für den Entkoppler 95. Der Ausgangsanschluss 107 ist an einen Duplexer (nicht gezeigt) gekoppelt. Sowohl das dritte als auch das vierte Impedanzelement können ferroelektrische einstellbare Bauelemente sein, wie in US 2002/0175878 (Kyocera Wireless Corp.), 28. November 2002 (28.11.2002) beschrieben.An output of the decoupler 95 is connected to a third impedance element 103 coupled to a fourth impedance element 105 is coupled. The third impedance element 103 and the fourth Impedan zelement 105 together form an output matching circuit and an output terminal 107 for the decoupler 95 , The output terminal 107 is coupled to a duplexer (not shown). Both the third and fourth impedance elements may be ferroelectric adjustable devices as described in US 2002/0175878 (Kyocera Wireless Corp.), November 28, 2002 (Nov. 28, 2002).

Ein Entkoppleranschluss 104 ist an ein Impedanzelement 109 gekoppelt. Das Impedanzelement 109 ist an ein weiteres Impedanzelement 115 und an einen Widerstand 118 gekoppelt. Die Impedanzelemente 109 und 115 und der Widerstand 118 umfassen zusammen eine Entkoppler-Anpassungsschaltung.A decoupler connection 104 is to an impedance element 109 coupled. The impedance element 109 is to another impedance element 115 and a resistance 118 coupled. The impedance elements 109 and 115 and the resistance 118 together comprise a decoupler matching circuit.

Es wird vom Fachmann verstanden werden, dass die mit Bezug auf 5 beschriebene Eingangs-, Ausgangs- und Entkoppler-Anpassungsschaltung unter Verwendung von "L"-Anpassungsabschnitten nur erläuternd sind. Es könnten andere Topologien für diese Anpassungsschaltungen verwendet werden, wie zum Beispiel parallele LC-Schaltungen, "T"- oder PI-Netzwerke, wie in US 2002/0175878 (Kyocera Wireless Corp.), 28. November 2002 (28.11.2002) beschrieben.It will be understood by those skilled in the art that with reference to 5 described input, output and decoupler matching circuit using "L" adjustment sections are only illustrative. Other topologies could be used for these matching circuits, such as parallel LC circuits, "T" or PI networks, as described in US 2002/0175878 (Kyocera Wireless Corp.), November 28, 2002 (Nov. 28, 2002) ,

Vorteilhafterweise ist jedes der Impedanzelemente 99, 101, 103, 105, 109 und 115 direkt auf dem gemeinsamen, mit Bezug auf 1 beschriebenen Substrat gebildet. Das reduziert die mit dem Befestigen von separaten Einheiten an dem Substrat verbundenen Verluste, reduziert die Kosten und eliminiert das Erfordernis, Komponenten an den 50 Ohm-Industriestandard anzupassen.Advantageously, each of the impedance elements 99 . 101 . 103 . 105 . 109 and 115 directly on the common, with respect to 1 formed substrate. This reduces the losses associated with attaching separate units to the substrate, reduces cost, and eliminates the need to match components to the 50 ohm industry standard.

Hinsichtlich des PA beträgt seine charakteristische Ausgangsimpedanz für mobile CDMA-Geräte typischerweise etwa 2–4 Ohm nahe des von ihm geforderten maximalen Ausgangsleistungspegels. Die charakteristische Impedanz des Entkopplers beträgt typischerweise etwa 8–12 Ohm. Es können Filter mit Eingangs- und Ausgangsimpedanzen entworfen werden, die einen weiten Bereich von Werten annehmen können. Da Duplexer und Diplexer hauptsächlich aus Filtern bestehen, können sie entworfen werden, damit sie einen weiten Bereich von Eingangs- und Ausgangsimpedanzen berücksichtigen. Somit können sie entworfen werden, damit sie zu egal welcher Impedanz passen, die basierend auf dem Rest der Schaltung geeignet ist.Regarding of the PA its characteristic output impedance for CDMA mobile devices typically about 2-4 Ohm near the required maximum output power level. The characteristic impedance of the decoupler is typically about 8-12 ohms. It can Filters are designed with input and output impedances that can assume a wide range of values. Because duplexer and diplexer mainly can consist of filters they are designed to cover a wide range of input and take into account output impedances. Consequently can they are designed to fit any impedance, which is suitable based on the rest of the circuit.

Nun wird mit Bezug auf 6A eine bevorzugte LNA-Anpassungsschaltung 117 beschrieben. Ein Eingangsanschluss 118 ist an eine erste Induktivität 121 und an einen Kondensator 124 gekoppelt. Der Kondensator ist an eine zweite Induktivität 127 gekoppelt. Die zweite Induktivität 127 ist an eine dritte Induktivität 130 und an einen LNA 133 gekoppelt.Now, with respect to 6A a preferred LNA matching circuit 117 described. An input connection 118 is at a first inductance 121 and to a capacitor 124 coupled. The capacitor is connected to a second inductance 127 coupled. The second inductance 127 is to a third inductance 130 and to an LNA 133 coupled.

Die Anpassungsschaltungen werden verwendet, um die Impedanz zwischen den verschiedenen Teilen anzupassen, um einen Leistungsverlust in dem Signal zu vermeiden oder zu reduzieren, das von einem Teil zu dem anderen läuft. Für LNA-Anwendungen gibt es einen weiteren Zweck. Für LNA-Anwendungen werden impedanzumformende Netzwerke oder Schaltungen primär verwendet, um eine optimale Rauschimpedanzanpassung zwischen der Eingangssignalquelle und der für den LNA gewählten Einrichtung aufrechtzuerhalten. In fest abgestimmten Schaltungen wird die optimale Rauschimpedanzanpassung bei einer Frequenz erreicht und ist sowohl von der Temperatur als auch von Bauelementeschwankungen abhängig. Bei dem hier beschriebenen Ansatz einer abstimmbaren Schaltung kann die optimale Rauschimpedanzanpassung einstellbar gemacht werden, um viele Bänder oder einen weiteren Frequenzbereich abzudecken, als es in dem fest abgestimmten Fall möglich ist. Ein zusätzlicher Vorteil bei der Verwendung abstimmbarer Bauelemente ist die Fähigkeit, Temperaturschwankungen zu kompensieren.The Matching circuits are used to control the impedance between to adapt to the different parts to a loss of performance in the Signal to avoid or reduce that from one part to the other other is running. For LNA applications there it's another purpose. For LNA applications impedance transforming networks or circuits are primarily used for optimal noise impedance matching between the input signal source and the for elected the LNA Upkeep facility. In firmly tuned circuits the optimum noise impedance matching is achieved at one frequency and is both temperature and component variations dependent. In the approach of a tunable circuit described here can the optimal noise impedance matching can be made adjustable, around many bands or to cover a wider frequency range than it is fixed in the coordinated case possible is. An additional one Advantage of using tunable components is the ability to Compensate for temperature fluctuations.

Die Einführung von ferroelektrischen oder anderen abstimmbaren Bauelementen ermöglicht eine erhöhte Flexibilität beim Entwurf von LNA's. Bei dem herkömmlichen Entwurf unter Verwendung von festen Bauelementen, musste man gewöhnlich einen optimalen Rauschfaktor und eine maximale Verstärkung gegeneinander abwägen. Mit abstimmbaren Bauelementen kann man Fälle berücksichtigen, in denen die Eingangs- Anpassungsschaltung von dem minimalen Rauschfaktor und der maximalen Verstärkung wie gewünscht abweichen kann.The introduction of ferroelectric or other tunable devices allows a increased flexibility in the design of LNA's. In the conventional Design using solid components, one usually needed an optimal one Balance noise factor and maximum gain against each other. With tunable devices can be considered cases in which the input matching circuit from the minimum noise factor and the maximum gain like required may differ.

Ein abstimmbarer optimaler Rauschfaktor wird nun mit Bezug auf 6B beschrieben. 6B ist ein Schaubild, das den Rauschfaktor 120 in Abhängigkeit von der Frequenz 122 zeigt. Typischerweise, so zum Beispiel in einer drahtlosen CDMA-Kommunikationseinrichtung, gibt es eine für einen gegebenen Entwurf eines LNA spezifizierten maximalen Rauschfaktor 126. Der spezifizierte maximale Rauschfaktor ist als eine horizontale Strichlinie 126 gezeigt. Eine Kurve, die einen typischen Frequenzgang 128 des Rauschfaktors zeigt, ist als die durchgehende Kurve gezeigt. Typischerweise werden der LNA und seine Anpassungsschaltungen so gestaltet, dass der Frequenzgang 128 des Rauschfaktors unterhalb des maximalen Rauschfaktors 126 bei einer Betriebsfrequenz f0 130 liegt. Eine abstimmbare LNA-Anpassungsschaltung erlaubt es, dass der Frequenzgang 128 des LNA-Rauschfaktors über die Frequenz abgestimmt wird. Der abgestimmte Frequenzgang 132 und 134 des Rauschfaktors ist durch zwei gestrichelte Kurven einer Form dargestellt, die gleich der des typischen Frequenzgangs 128 des Rauschfaktors ist. Durch Abstimmung des Frequenzgangs des Rauschfaktors bei 132 und 134 kann realisiert werden, dass der Frequenzgang des Rauschfaktors unterhalb des maximalen Rauschfaktors 126 bei alternativen Betriebsfrequenzen f1 138 und f2 140 liegt. Es versteht sich, dass f1 138 und f2 140 nur als repräsentative Frequenzen gewählt sind. Der Frequenzgang des Rauschfaktors kann über einen weiten Bereich von Frequenzen abgestimmt werden. Außerdem wird von einem Fachmann verstanden werden, dass MEMS-Schalter der LNA-Anpassungsschaltung hinzugefügt werden können, um den Bereich der Abstimmbarkeit des Frequenzgangs des Rauschfaktors weiter zu vergrößern.A tunable optimal noise factor will now be discussed with reference to FIG 6B described. 6B is a graph showing the noise factor 120 depending on the frequency 122 shows. Typically, such as in a CDMA wireless communication device, there is a maximum noise factor specified for a given design of LNA 126 , The specified maximum noise figure is as a horizontal dash line 126 shown. A curve that has a typical frequency response 128 of the noise factor is shown as the solid curve. Typically, the LNA and its matching circuits are designed so that the frequency response 128 the noise factor below the maximum noise factor 126 at an operating frequency f 0 130 lies. A tunable LNA matching circuit allows the frequency response 128 of the LNA noise factor is tuned over the frequency. The tuned frequency response 132 and 134 The noise factor is represented by two dashed curves of a shape equal to that of the typical frequency response 128 of Noise factor is. By tuning the frequency response of the noise factor at 132 and 134 can be realized that the frequency response of the noise factor below the maximum noise factor 126 at alternative operating frequencies f 1 138 and f 2 140 lies. It is understood that f 1 138 and f 2 140 are chosen only as representative frequencies. The frequency response of the noise factor can be tuned over a wide range of frequencies. In addition, it will be understood by those skilled in the art that MEMS switches may be added to the LNA matching circuit to further increase the range of tunability of the frequency response of the noise factor.

Nun wird unter Bezugnahme auf 7 eine bevorzugte Antennen-Anpassungsschaltung basierend auf einem mobilen CDMA-Gerät beschrieben. Eine Antenne 136 ist an eine erste Induktivität 139 und an eine zweite Induktivität 142 gekoppelt. Die erste Induktivität 139 hat vorzugsweise eine Induktivität gleich etwa 8,2 nH. Die zweite Induktivität 142 hat vorzugsweise eine Induktivität gleich etwa 3,9 nH.Now, referring to 7 describes a preferred antenna matching circuit based on a CDMA mobile device. An antenna 136 is at a first inductance 139 and to a second inductance 142 coupled. The first inductance 139 preferably has an inductance equal to about 8.2 nH. The second inductance 142 preferably has an inductance equal to about 3.9 nH.

Die zweite Induktivität 142 ist an einen ersten Kondensator 145 und einen zweiten Kondensator 148 gekoppelt. Der erste Kondensator 145 hat vorzugsweise eine Kapazität gleich etwa 0,5 pF. Der zweite Kondensator 148 hat vorzugsweise eine Kapazität gleich etwa 2,7 pF. Es versteht sich, dass andere Bauelementewerte und Anpassungsschaltungs-Topologien verwendet werden können.The second inductance 142 is to a first capacitor 145 and a second capacitor 148 coupled. The first capacitor 145 preferably has a capacity equal to about 0.5 pF. The second capacitor 148 preferably has a capacity equal to about 2.7 pF. It is understood that other device values and matching circuit topologies may be used.

Eine Seite des zweiten Kondensators bildet einen Eingangs- und Ausgangsanschluss 149 für die Antennen-Anpassungsschaltung zum Koppeln an einen Duplexer (nicht gezeigt), einen Diplexer (nicht gezeigt), einen Multiplexer (nicht gezeigt) oder eine andere Art von Filter (nicht gezeigt).One side of the second capacitor forms an input and output terminal 149 for the antenna matching circuit for coupling to a duplexer (not shown), a diplexer (not shown), a multiplexer (not shown), or another type of filter (not shown).

Die Antennen-Anpassungsschaltung wird typischerweise eine PI- oder T-Schaltung mit einer L-C-Stufe sein, die ihr eine Anpassung höherer Ordnung ermöglicht. Dies gestattet mehr Toleranz für eine Impedanzschwankung. Typischerweise wird die Antenne in einem System an 50 Ohm angepasst sein. Es mag jedoch eine ideale Impedanz für eine gegebene Antenne geben, die von 50 Ohm abweicht, obgleich 50 Ohm für Testeinrichtungen üblich ist.The Antenna matching circuitry typically becomes a PI or T circuit with an L-C level, which gives it a higher order adjustment allows. This allows more tolerance for one Impedance variation. Typically, the antenna is in a system be adapted to 50 ohms. However, it may be an ideal impedance for a given one Antenna that deviates from 50 ohms, although 50 ohms is common for test equipment.

Zum Beispiel kann eine üblicherweise verwendete Antenne für drahtlose Kommunikationseinrichtungen eine Eingangsimpedanz von 30 Ohm haben. Wie vorher erwähnt, kann der PA eine Ausgangsimpedanz von etwa 2 Ohm haben. Der Entkoppler kann eine Ausgangsimpedanz von etwa 12,5 Ohm haben. Der Diplexer- und der Duplexerfilter lassen sich leicht an einen weiten Bereich von Impedanzen anpassen.To the Example may be one usually used antenna for wireless communication devices have an input impedance of Have 30 ohms. Like already mentioned before, For example, the PA can have an output impedance of about 2 ohms. The decoupler can have an output impedance of about 12.5 ohms. The diplexer and The duplexer filter can be easily attached to a wide range of Adjust impedances.

So beträgt die PA-zu-Entkoppler-Anpassung von etwa 2 Ohm an dem PA auf etwa 12.5 Ohm an dem Entkoppler. Die Entkoppler-zu-Duplexer-Anpassung beträgt von etwa 12,5 Ohm auf etwa 12,5 Ohm. Der Duplexer liegt bei etwa 12,5 Ohm. So beträgt die Duplexer-zu-Diplexer-Anpassung etwa 12,5 Ohm auf etwa 12,5 Ohm. Die Eingänge und Ausgänge des Diplexers und des Duplexers liegen bei etwa der selben Impedanz, zum Beispiel etwa 12,5 Ohm. Die Diplexer-zu-Antenne-Anpassungsschaltung kann eine Anpassung von etwa 12,5 Ohm an dem Diplexer auf etwa 30 Ohm an der Antenne sein. Jede dieser Anpassungsschaltungen zuzüglich des Diplexers und des Duplexers können ferroelektrisch abstimmbar sein.So is the PA to decoupler adjustment of about 2 ohms at the PA to about 12.5 ohms at the decoupler. The decoupler-to-duplexer adaptation is of about 12.5 ohms to about 12.5 ohms. The duplexer is about 12.5 ohms. So is the duplexer-to-diplexer adaptation is about 12.5 ohms to about 12.5 ohms. The inputs and outputs of the diplexer and the duplexer are at about the same impedance, for example, about 12.5 ohms. The diplexer-to-antenna matching circuit may be an adjustment of about 12.5 ohms on the diplexer to about 30 Ohm to be at the antenna. Each of these matching circuits plus the Diplexers and the duplexer can be ferroelectrically tunable.

Wie oben mit Bezug auf 1 erwähnt, versteht es sich, dass ein gemeinsames Substrat viele unterschiedliche Kombinationen der oben erwähnten Teile aufweisen kann. In einer wie in 8 gezeigten Ausführungsform weist ein gemeinsames Substrat 152 einen Duplexer 154, einen Entkoppler 156, einen PA 157 und die erforderlichen Anpassungsschaltungen (nicht gezeigt) auf. In einer anderen, wie in 9 gezeigten Ausführungsform weist ein gemeinsames Substrat 160 eine Antennen-Anpassungsschaltung 163, einen Diplexer 166 und einen Duplexer 169 auf. In noch einer anderen, wie in 10 gezeigten Ausführungsform weist ein gemeinsames Substrat 172 eine Antennen-Anpassungsschaltung 175, einen Diplexer 178 und zwei Duplexer 181 und 184 auf. In noch einer anderen, wie in 11 gezeigten Ausführungsform weist ein gemeinsames Substrat 186 eine Antennen-Anpassungsschaltung 188, einen Diplexer 190, zwei Duplexer 192 und 194, zwei Entkoppler 194 und 196, zwei PA's 198 und 200 und zwei LNA's 202 und 204 auf. In einer weiteren, wie in 12 gezeigten Ausführungsform weist ein gemeinsames Substrat 206 alles oben mit Bezug auf 11 erwähnte auf, außer die Antennen-Anpassungsschaltung 188. In einer weiteren, wie in 13 gezeigten Ausführungsform weist ein gemeinsames Substrat alles oben mit Bezug auf 10 erwähnte auf, außer die Antennen-Anpassungsschaltung 175.As above with respect to 1 It should be understood that a common substrate may have many different combinations of the above-mentioned parts. In a like in 8th embodiment shown has a common substrate 152 a duplexer 154 , a decoupler 156 , a PA 157 and the necessary matching circuits (not shown). In another, like in 9 embodiment shown has a common substrate 160 an antenna matching circuit 163 , a diplexer 166 and a duplexer 169 on. In yet another, as in 10 embodiment shown has a common substrate 172 an antenna matching circuit 175 , a diplexer 178 and two duplexers 181 and 184 on. In yet another, as in 11 embodiment shown has a common substrate 186 an antenna matching circuit 188 , a diplexer 190 , two duplexers 192 and 194 , two decouplers 194 and 196 , two PA's 198 and 200 and two LNA's 202 and 204 on. In another, as in 12 embodiment shown has a common substrate 206 everything above with regard to 11 mentioned, except the antenna matching circuit 188 , In another, as in 13 In the embodiment shown, a common substrate has all of the above with reference to FIG 10 mentioned, except the antenna matching circuit 175 ,

Die Integration eines PA-Moduls, eines Entkopplers und eines Duplexers für eine CDMA-Tx-Kette beseitigt das Erfordernis, dass jede selbständige Einrichtung am Eingang und am Ausgang an 50 Ohm angepasst ist. Durch Ermöglichen einer mehr abgestuften Impedanzanpassung (von etwa 2 Ohm auf etwa 30 Ohm in dem gegebenen Beispiel) kann man anpassungsinduzierte Verluste reduzieren. Außerdem sind die ferroelektrischen abstimmbaren Bauelemente für eine gegebene Leistung einer niedrigeren Hochfrequenzspannung ausgesetzt.The Integration of a PA module, a decoupler and a duplexer for one CDMA Tx chain eliminates the requirement that any self-contained device adjusted to 50 ohms at the input and output. By enabling a more gradual impedance matching (from about 2 ohms to about 30 ohms in the given example) can be adaptation-induced Reduce losses. Furthermore are the ferroelectric tunable components for a given Power is exposed to a lower RF voltage.

Die für eine gegebene Leistung reduzierte Hochfrequenzspannung reduziert eine nichtlineare Verzerrung, weil ferroelektrische Schichten typischerweise nichtlinear. sind. Alternativ kann ein ferroelektrisches Bauelement einer erhöhten Leistung unterworfen werden, während ein akzeptables Level einer nichtlinearen Verzerrung aufrechterhalten wird. So ermöglicht das Entwerfen integrierter Komponenten, die bei niedrigeren Eingangs- und Ausgangsimpedanzen arbeiten, dass ferrolektrische Bauelemente in Anwendungen einbezogen werden, bei denen höhere Leistungspegel erforderlich sind, als es mit ferroelektrischen Bauelementen möglich ist, die an den Industriestandard 50 Ohm angepasst sind.The high frequency voltage reduced for a given power reduces nonlinear distortion, because ferroelectric layers typi sometimes nonlinear. are. Alternatively, a ferroelectric device may be subjected to increased power while maintaining an acceptable level of nonlinear distortion. Thus, designing integrated components that operate at lower input and output impedances allows ferromagnetic devices to be included in applications where higher power levels are required than is possible with ferroelectric devices that are matched to the industry standard 50 ohms.

Die Herstellung eines gemeinsamen Substrats reduziert ferner Verluste, die natürlicherweise auftreten, wenn die beteiligten Komponenten gehäust und individuell auf einer Leiterplatte (PWB) montiert werden.The Producing a common substrate also reduces losses, that naturally occur if the components involved are housed and customized on one PCB (PCB) are mounted.

Durch Reduzieren der Verluste der Tx-Kette können die Anforderungen der Tx-Kette leichter erfüllt werden. Das bedeutet, dass die Anforderung für eines oder mehrere der beteiligten Teile gelockert werden kann. Zum Beispiel können die Anforderungen des PA oder eines anderen hochwertigen Teils gelockert werden. Ein hochwertiges Teil ist ein Teil mit einer oder mehreren der folgenden Eigenschaften: hohe Kosten, hohe Leistung, hohes Level der Schwierigkeit beim Einhalten von Eigenschaften wie zum Beispiel Verstärkung, abgegebene Leistung, Stabilität, ACPR, Übertemperatur und Wiederholbarkeit von Einheit zu Einheit.By Reducing the losses of the Tx chain can meet the requirements of Tx chain easier fulfilled become. This means that the request for one or more of the involved Parts can be relaxed. For example, the requirements of the PA or another high quality part. A high quality Part is a part with one or more of the following properties: high cost, high performance, high level of difficulty in sticking of characteristics such as gain, output power, stability, ACPR, overtemperature and repeatability from unit to unit.

Da die Anforderungen beispielsweise des PA gelockert werden können, gibt es viele mögliche Vorteile. Zum Beispiel kann der PA in der Lage sein, die Anforderungen zu erfüllen, während er weniger Leistung verbraucht. Dies führt zu längeren Gesprächszeiten oder längeren Standby-Zeiten oder beidem. In einem anderen Beispiel kann, da die Verluste der Tx-Kette reduziert sind, ein Hersteller drahtloser mobiler Geräte in der Lage sein, die Anforderungen mit einem PA zu erfüllen, der weniger stringente Toleranzen oder Erfordernisse hat. Der Hersteller des mobilen Geräts kann in der Lage sein, einen preiswerteren PA zu wählen, wodurch die Kosten von drahtlosen mobilen Geräten reduziert werden. Diese Vorteile von reduzierten Verlusten der Tx-Kette sind nur als Beispiel angegeben. Es wird vom Fachmann verstanden werden, dass sich aus reduzierten Verlusten der Tx-Kette andere Vorteile ergeben. Es versteht sich ferner, dass diese Vorteile verwendet werden können, um drahtlose Kommunikationseinrichtungen auf andere Arten und Weisen als der hier erwähnten zu verbessern.There For example, the requirements of the PA can be relaxed there are many possible Advantages. For example, the PA may be able to meet the requirements to fulfill, while he consumes less power. This leads to longer talk times or longer Standby times or both. In another example, since the Losses of the Tx chain are reduced, a manufacturer wireless mobile devices to be able to meet the requirements with a PA, the has less stringent tolerances or requirements. The manufacturer of the mobile device may be able to choose a cheaper PA, which means the costs of wireless mobile devices are reduced. These Advantages of reduced Tx chain losses are just an example specified. It will be understood by those skilled in the art reduced losses of the Tx chain give other benefits. It goes without saying Furthermore, these advantages can be used to wireless communication devices to improve other ways than mentioned here.

Claims (16)

Abstimmbare Antennenschnittstelleneinheit, welche aufweist: einen Multiplexer (154) mit einem ferroelektrischen abstimmbaren Bauelement, das einen Kondensator aufweist; ein Substrat, das mechanisch an den Kondensator gekoppelt ist; eine Steuerleitung, die betriebsfähig an das ferroelektrische abstimmbare Bauelement gekoppelt ist; eine Steuerquelle, die elektrisch an die Steuerleitung gekoppelt ist, wobei die Steuerquelle konfiguriert ist, ein Steuersignal auf die Steuerleitung zu senden; wobei das ferroelektrische abstimmbare Bauelement in Antwort auf das Steuersignal eine Resonanzfrequenz des Multiplexers einstellt; einen Leistungsverstärker (157); eine Leistungsverstärker-Ausgangs-Anpassungsschaltung, die zwischen dem Multiplexer (154) und dem Leistungsverstärker (157) gekoppelt ist und ein ferroelektrisches abstimmbares Bauelement aufweist; wobei der Multiplexer (154), der Leistungsverstärker (157) und die Leistungsverstärker-Ausgangs-Anpassungsschaltung auf dem Substrat integriert sind; und wobei die Leistungsverstärker-Ausgangs-Anpassungsschaltung die Ausgangs-Eigenimpedanz des Leistungsverstärkers (157) an die Eingangs-Eigenimpedanz des Multiplexers (154) anpasst, wodurch eine nichtlineare Verzerrung des ferroelektrischen Bauelements der Anpassungsschaltung reduziert wird und ein Betrieb bei höheren Leistungspegeln ermöglicht wird.Tunable antenna interface unit comprising: a multiplexer ( 154 ) with a ferroelectric tunable device having a capacitor; a substrate mechanically coupled to the capacitor; a control line operably coupled to the ferroelectric tunable device; a control source electrically coupled to the control line, the control source configured to send a control signal to the control line; wherein the ferroelectric tunable device adjusts a resonant frequency of the multiplexer in response to the control signal; a power amplifier ( 157 ); a power amplifier output matching circuit connected between the multiplexer ( 154 ) and the power amplifier ( 157 ) and has a ferroelectric tunable device; the multiplexer ( 154 ), the power amplifier ( 157 ) and the power amplifier output matching circuit are integrated on the substrate; and wherein the power amplifier output matching circuit receives the output self-impedance of the power amplifier ( 157 ) to the input intrinsic impedance of the multiplexer ( 154 ), thereby reducing nonlinear distortion of the ferroelectric device of the matching circuit and enabling operation at higher power levels. Abstimmbare Antennenschnittstelleneinheit nach Anspruch 1, wobei die Leistungsverstärker-Ausgangs-Anpassungsschaltung für ein Signal bei etwa 1900 MHz von einer Impedanz von etwa 2,5 Ohm auf eine Impedanz von etwa 10 Ohm anpasst.Tunable antenna interface unit according to claim 1, wherein the power amplifier output matching circuit for a Signal at about 1900 MHz from an impedance of about 2.5 ohms an impedance of about 10 ohms adapts. Abstimmbare Antennenschnittstelleneinheit nach Anspruch 1, ferner aufweisend: einen Entkoppler (156), der zwischen der Leistungsverstärker-Ausgangs-Anpassungsschaltung und dem Multiplexer (154) gekoppelt ist; eine Entkoppler-zu-Multiplexer-Anpassungsschaltung, die zwischen dem Entkoppler (156) und dem Multiplexer (154) gekoppelt ist und ein ferroelektrisches Bauelement aufweist; wobei der Entkoppler (156) und die Entkoppler-zu-Multiplexer-Anpassungsschaltung auf dem einen Substrat integriert sind; und wobei die Entkoppler-zu-Multiplexer-Anpassungsschaltung die Ausgangs-Eigenimpedanz des Entkopplers (156) an die Eingangs-Eigenimpedanz des Multiplexers (154) anpasst, wodurch eine nichtlineare Verzerrung des ferroelektrischen Bauelements der Entkoppler-zu-Multiplexer-Anpassungsschaltung reduziert wird und ein Betrieb bei höheren Leistungspegeln ermöglicht wird.Tunable antenna interface unit according to claim 1, further comprising: a decoupler ( 156 ) connected between the power amplifier output matching circuit and the multiplexer ( 154 ) is coupled; a decoupler-to-multiplexer matching circuit connected between the decoupler ( 156 ) and the multiplexer ( 154 ) and has a ferroelectric device; the decoupler ( 156 ) and the decoupler-to-multiplexer matching circuit are integrated on the one substrate; and wherein the decoupler-to-multiplexer matching circuit determines the output self-impedance of the decoupler ( 156 ) to the input intrinsic impedance of the multiplexer ( 154 ), thereby reducing non-linear distortion of the ferroelectric device of the decoupler-to-multiplexer matching circuit and enabling operation at higher power levels. Abstimmbare Antennenschnittstelleneinheit nach Anspruch 3, wobei die Entkoppler-zu-Multiplexer-Anpassungsschaltung für ein Signal bei etwa 1900 MHz von einer Impedanz von etwa 10 Ohm an dem Entkopplerausgang auf eine Impedanz von etwa 10 Ohm an dem Multiplexereingang anpasst.Tunable antenna interface unit according to claim 3, wherein the decoupler-to-multiplexer matching circuit for a signal at about 1900 MHz from an impedance of about 10 ohms at the decoupler output to an impedance of about 10 ohms at the multiplexer input. Abstimmbare Antennenschnittstelleneinheit, welche aufweist: einen ersten Multiplexer (192) mit einem ferroelektrischen abstimmbaren Bauelement, das einen Kondensator aufweist; ein Substrat, das mechanisch an den Kondensator gekoppelt ist; eine Steuerleitung, die betriebsfähig an das ferroelektrische abstimmbare Bauelement gekoppelt ist; eine Steuerquelle, die elektrisch an die Steuerleitung gekoppelt ist, wobei die Steuerquelle konfiguriert ist, ein Steuersignal auf die Steuerleitung zu senden; wobei das ferroelektrische abstimmbare Bauelement in Antwort auf das Steuersignal eine Resonanzfrequenz des Multiplexers einstellt; einen Diplexer (190); eine Diplexer-zu-erster-Multiplexer-Anpassungsschaltung, die zwischen dem Diplexer (190) und dem ersten Multiplexer (192) gekoppelt ist und ein ferroelektrisches abstimmbares Bauelement aufweist; wobei der erste Multiplexer (192), der Diplexer (190) und die Diplexer-zu-erster-Multiplexer-Anpassungsschaltung auf dem Substrat integriert sind; und wobei die Diplexer-zu-erster-Multiplexer-Anpassungsschaltung die Eigenimpedanz des Diplexers (190) an die Eigenimpedanz des ersten Multiplexers (192) anpasst, wodurch eine nichtlineare Verzerrung des ferroelektrischen Bauelements der Diplexer-zu-erster-Multiplexer-Anpassungsschaltung reduziert wird und ein Betrieb bei höheren Leistungspegeln ermöglicht wird.Tunable antenna interface unit comprising: a first multiplexer ( 192 ) with a ferroelectric tunable device having a capacitor; a substrate mechanically coupled to the capacitor; a control line operably coupled to the ferroelectric tunable device; a control source electrically coupled to the control line, the control source configured to send a control signal to the control line; wherein the ferroelectric tunable device adjusts a resonant frequency of the multiplexer in response to the control signal; a diplexer ( 190 ); a diplexer-to-first multiplexer matching circuit connected between the diplexer ( 190 ) and the first multiplexer ( 192 ) and has a ferroelectric tunable device; the first multiplexer ( 192 ), the diplexer ( 190 ) and the diplexer to first multiplexer matching circuit are integrated on the substrate; and wherein the diplexer-to-first multiplexer matching circuit determines the intrinsic impedance of the diplexer ( 190 ) to the self-impedance of the first multiplexer ( 192 ), thereby reducing non-linear distortion of the ferroelectric device of the diplexer-to-first multiplexer matching circuit and enabling operation at higher power levels. Abstimmbare Antennenschnittstelleneinheit nach Anspruch 5, wobei der Diplexer (190) ein abstimmbares ferroelektrisches Bauelement aufweist.Tunable antenna interface unit according to claim 5, wherein the diplexer ( 190 ) has a tunable ferroelectric device. Abstimmbare Antennenschnittstelleneinheit nach Anspruch 6, die ferner einen zweiten Multiplexer (194) aufweist, der auf dem einen Substrat integriert ist.Tunable antenna interface unit according to claim 6, further comprising a second multiplexer ( 194 ), which is integrated on the one substrate. Abstimmbare Antennenschnittstelleneinheit nach Anspruch 7, wobei der erste Multiplexer (192) konfiguriert ist, Signale in einem PCS-Band in einem Duplexbetrieb zu senden und zu empfangen, und wobei der zweite Multiplexer (194) konfiguriert ist, Signale in einem Zellularband im Duplexbetrieb zu senden und zu empfangen.Tunable antenna interface unit according to claim 7, wherein the first multiplexer ( 192 ) is configured to transmit and receive signals in a PCS band in a duplex mode, and wherein the second multiplexer ( 194 ) is configured to send and receive signals in a cellular band in duplex mode. Abstimmbare Antennenschnittstelleneinheit nach Anspruch 7, ferner aufweisend: einen ersten Leistungsverstärker (198); einen ersten Entkoppler (194); eine erster-Leistungsverstärker-zu-erster-Entkoppler-Anpassungsschaltung, die zwischen dem ersten Leistungsverstärker (198) und dem ersten Entkoppler (194) gekoppelt ist und ein ferroelektrisches abstimmbares Bauelement aufweist; eine erster-Entkoppler-zu-erster-Multiplexer-Anpassungsschaltung, die zwischen dem ersten Entkoppler (194) und dem ersten Multiplexer (192) gekoppelt ist und ein ferroelektrisches abstimmbares Bauelement aufweist; wobei der erste Leistungsverstärker (198), der erste Entkoppler (194), die erster-Leistungsverstärker-zu-erster-Entkoppler-Anpassungsschaltung und die erster-Entkoppler-zu-erster-Multiplexer-Anpassungsschaltung auf dem einen Substrat integriert sind; wobei die erster-Leistungsverstärker-zu-erster-Entkoppler-Anpassungsschaltung die Eigenimpedanz des ersten Leistungsverstärkers (198) an die Eigenimpedanz des ersten Entkopplers (194) anpasst, wodurch eine nichtlineare Verzerrung des ferroelektrischen Bauelements der erster-Leistungsverstärker-zu-erster-Entkoppler-Anpassungsschaltung reduziert wird und ein Betrieb bei höheren Leistungspegeln ermöglicht wird; und wobei die erster-Entkoppler-zu-erster-Multiplexer-Anpassungsschaltung die Eigenimpedanz des ersten Entkopplers (194) an die Eigenimpedanz des ersten Multiplexers (192) anpasst, wodurch eine nichtlineare Verzerrung des ferroelektrischen Bauelements der erster-Entkoppler-zu-erster Multiplexer-Anpassungsschaltung reduziert wird und ein Betrieb bei höheren Leistungspegeln ermöglicht wird.Tunable antenna interface unit according to claim 7, further comprising: a first power amplifier ( 198 ); a first decoupler ( 194 ); a first power amplifier to first decoupler matching circuit connected between the first power amplifier ( 198 ) and the first decoupler ( 194 ) and has a ferroelectric tunable device; a first decoupler to first multiplexer matching circuit connected between the first decoupler ( 194 ) and the first multiplexer ( 192 ) and has a ferroelectric tunable device; the first power amplifier ( 198 ), the first decoupler ( 194 ), the first power amplifier to first decoupler matching circuit and the first decoupler to first multiplexer matching circuit are integrated on the one substrate; wherein the first power amplifier to first decoupler matching circuit determines the self impedance of the first power amplifier ( 198 ) to the self-impedance of the first decoupler ( 194 ), which reduces nonlinear distortion of the ferroelectric device of the first power amplifier to first decoupler matching circuit and enables operation at higher power levels; and wherein the first decoupler-to-first multiplexer matching circuit determines the self-impedance of the first decoupler ( 194 ) to the self-impedance of the first multiplexer ( 192 ), which reduces non-linear distortion of the ferroelectric device of the first decoupler-to-first multiplexer matching circuit and enables operation at higher power levels. Abstimmbare Antennenschnittstelleneinheit nach Anspruch 9, ferner aufweisend: einen zweiten Leistungsverstärker (200); einen zweiten Entkoppler (196); eine zweiter-Leistungsverstärker-zu-zweiter-Entkoppler-Anpassungsschaltung, die zwischen dem zweiten Leistungsverstärker (200) und dem zweiten Entkoppler (196) gekoppelt ist und ein ferroelektrisches abstimmbares Bauelement aufweist; eine zweiter-Entkoppler-zu-zweiter-Multiplexer-Anpassungsschaltung, die zwischen dem zweiten Entkoppler (196) und dem zweiten Multiplexer (194) gekoppelt ist und ein ferroelektrisches abstimmbares Bauelement aufweist; wobei der zweite Leistungsverstärker (200), der zweite Entkoppler (196), die zweiter-Leistungsverstärker-zu-zweiter-Entkoppler-Anpassungsschaltung und die zweiter-Entkoppler-zu-zweiter-Multiplexer-Anpassungsschaltung auf dem einen Substrat integriert sind; wobei die zweiter-Leistungsverstärker-zu-zweiter-Entkoppler-Anpassungsschaltung die Eigenimpedanz des zweiten Leistungsverstärkers (200) an die Eigenimpedanz des zweiten Entkopplers (196) anpasst, wodurch eine nichtlineare Verzerrung des ferroelektrischen Bauelements der zweiter- Leistungsverstärker-zu-zweiter-Entkoppler-Anpassungsschaltung reduziert wird und ein Betrieb bei höheren Leistungspegeln ermöglicht wird; und wobei die zweiter-Entkoppler-zu-zweiter-Multiplexer-Anpassungsschaltung die Eigenimpedanz des zweiten Entkopplers (196) an die Eigenimpedanz des zweiten Multiplexers (194) anpasst, wodurch eine nichtlineare Verzerrung des ferroelektrischen Bauelements der zweiter-Entkoppler-zu-zweiter-Multiplexer-Anpassungsschaltung reduziert wird und ein Betrieb bei höheren Leistungspegeln ermöglicht wird.Tunable antenna interface unit according to claim 9, further comprising: a second power amplifier ( 200 ); a second decoupler ( 196 ); a second power amplifier to second decoupler matching circuit connected between the second power amplifier ( 200 ) and the second decoupler ( 196 ) and has a ferroelectric tunable device; a second decoupler-to-second multiplexer matching circuit connected between the second decoupler ( 196 ) and the second multiplexer ( 194 ) and has a ferroelectric tunable device; wherein the second power amplifier ( 200 ), the second decoupler ( 196 ), the second power amplifier-to-second decoupler matching circuit, and the second decoupler-to-second multiplexer matching circuit are integrated on the one substrate; wherein the second power amplifier-to-second decoupler matching circuit determines the self-impedance of the second power amplifier ( 200 ) to the self-impedance of the second decoupler ( 196 ), which reduces nonlinear distortion of the ferroelectric device of the second power amplifier to second decoupler matching circuit and enables operation at higher power levels; and the second decoupler-to-second multiplexer matching circuit determining the self-impedance of the second decoupler ( 196 ) to the self-impedance of the second multiplexer ( 194 ), which reduces non-linear distortion of the ferroelectric device of the second decoupler-to-second multiplexer matching circuit and enables operation at higher power levels. Abstimmbare Antennenschnittstelleneinheit nach Anspruch 5, ferner aufweisend: eine Antennen-Anpassungsschaltung (175), die an den Diplexer (178) gekoppelt ist und die konfiguriert ist, an eine Antenne gekoppelt zu sein; wobei die Antennen-Anpassungsschaltung (175) auf dem Substrat integriert ist.Tunable antenna interface unit according to claim 5, further comprising: an antenna matching circuit ( 175 ) connected to the diplexer ( 178 ) and configured to be coupled to an antenna; wherein the antenna matching circuit ( 175 ) is integrated on the substrate. Abstimmbare Antennenschnittstelleneinheit nach Anspruch 11, wobei der Diplexer (178) ein abstimmbares ferroelektrisches Bauelement aufweist.Tunable antenna interface unit according to claim 11, wherein the diplexer ( 178 ) has a tunable ferroelectric device. Abstimmbare Antennenschnittstelleneinheit nach Anspruch 11, wobei die Antennen-Anpassungsschaltung ein ferroelektrisches Bauelement aufweist, und wobei die Antennen-Anpassungsschaltung die Eigenimpedanz des Diplexers (178) an die Eigenimpedanz der Antenne anpasst, wodurch eine nichtlineare Verzerrung des ferroelektrischen Bauelements der Antennen-Anpassungsschaltung reduziert wird und ein Betrieb bei höheren Leistungspegeln ermöglicht wird.Tunable antenna interface unit according to claim 11, wherein the antenna matching circuit comprises a ferroelectric device, and wherein the antenna matching circuit, the self-impedance of the diplexer ( 178 ) adapts to the self-impedance of the antenna, thereby reducing nonlinear distortion of the ferroelectric device of the antenna matching circuit and enabling operation at higher power levels. Abstimmbare Antennenschnittstelleneinheit nach Anspruch 13, wobei die Antennen-Anpassungsschaltung von einer Impedanz von etwa 10 Ohm an dem Diplexer auf eine Impedanz von etwa 30 Ohm an der Antenne anpasst.Tunable antenna interface unit according to claim 13, wherein the antenna matching circuit of an impedance of about 10 ohms at the diplexer to an impedance of about 30 ohms the antenna adapts. Abstimmbare Antennenschnittstelleneinheit nach Anspruch 11, die ferner einen zweiten Multiplexer (184) aufweist, der auf dem einen Substrat integriert ist.Tunable antenna interface unit according to claim 11, further comprising a second multiplexer ( 184 ), which is integrated on the one substrate. Abstimmbare Antennenschnittstelleneinheit nach Anspruch 15, wobei der erste Multiplexer (181) konfiguriert ist, Signale in einem PCS-Band im Duplexbetrieb zu senden und zu empfangen, und wobei der zweite Multiplexer (184) konfiguriert ist, Signale in einem Zellularband im Duplexbetrieb zu senden und zu empfangen.Tunable antenna interface unit according to claim 15, wherein the first multiplexer ( 181 ) is configured to send and receive signals in a PCS band in duplex mode, and wherein the second multiplexer ( 184 ) is configured to send and receive signals in a cellular band in duplex mode.
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