DE506729C - Process for the production of a coherent, electrically conductive metal layer on electrically conductive crystals, e.g. for dry rectifier - Google Patents

Process for the production of a coherent, electrically conductive metal layer on electrically conductive crystals, e.g. for dry rectifier

Info

Publication number
DE506729C
DE506729C DEH114426D DEH0114426D DE506729C DE 506729 C DE506729 C DE 506729C DE H114426 D DEH114426 D DE H114426D DE H0114426 D DEH0114426 D DE H0114426D DE 506729 C DE506729 C DE 506729C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrically conductive
crystals
coherent
metal layer
production
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEH114426D
Other languages
German (de)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hanovia Chemical and Manufacturing Co
Original Assignee
Hanovia Chemical and Manufacturing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hanovia Chemical and Manufacturing Co filed Critical Hanovia Chemical and Manufacturing Co
Priority to DEH114426D priority Critical patent/DE506729C/en
Application granted granted Critical
Publication of DE506729C publication Critical patent/DE506729C/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/16Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide
    • H01L21/161Preparation of the foundation plate, preliminary treatment oxidation of the foundation plate, reduction treatment
    • H01L21/167Application of a non-genetic conductive layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Description

Verfahren zur Herstellung einer zusammenhängenden, elektrisch gut leitenden Metallschicht auf elektrisch leitenden Kristallen, z. B. für Trockengleichrichter Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung von einem oder mehreren Kristallen, beispielsweise auch von zu einer ganzen Schicht vereinigten Kristallen von kristallinischem Kupferoxydul mit einer rein metallenen Oberfläche, wie man sie z. B. bei Trockengleichrichtern verwendet.Method of making a cohesive, electrically well conductive metal layer on electrically conductive crystals, e.g. B. for dry rectifiers The invention relates to a method for producing an electrically conductive Connection of one or more crystals, for example also from one to one whole layer combined crystals of crystalline copper oxide with one purely metal surface, as you can z. B. used in dry rectifiers.

Elektrisch leitende Kontakte mit Kupfero_tydulkristallen herzustellen, sind bereits verschiedene Methoden bekannt, unter denen besonders das dichte Aufpressen von Blei auf diese Kristalle gebräuchlich ist. Auch andere Metalle hat man mit mehr oder weniger Erfolg in verschiedenartigen Arbeitsmethoden mit Kristallen zu vereinigen versucht; aber die vorliegende Erfindung bringt ein neuartiges Verfahren zur sicheren Herstellung eines guten elektrischen Kontaktes von solchen Kristallen mit Reinmetallflächen.Establish electrically conductive contacts with copper oxide crystals, various methods are already known, among which in particular tight pressing of lead on these crystals is common. You also have other metals with more or less to combine success in various working methods with crystals tries; but the present invention brings a novel method to secure Establishing a good electrical contact between such crystals and pure metal surfaces.

Jedes Kontakte herstellende Ver fahren muß gewisse Bedingungen erfüllen: Zunächst muß der Kontakt nur geringen elektrischen Widerstand in der L1ber gangsstelle zwischen dem Leiter und dem Kristall bieten. Zweitens darf der Kontakt und der Widerstand bzw. der Stromübergang durch die gewöhnlichen Anderungen der normalen Temperatur keine Beeinflussung erleiden. Drittens muß die Kontaktverbindung dauerhaft sein, so daß auch im Verlauf der Zeit oder durch längere Dauerbenutzung sie sich nicht ändert. Viertens muß die Verbindung derartig sein, daß der elektrische Leiter an irgendwelche weiteren Kontakt machenden Mittel angeschlossen werden kann Gegen die Kristalle gepreßte Bleifolie z. B. vermag wohl einen guten Kontakt mit den Kristallen herzustellen, sie ist aber in sich selbst ein schlechter Leiter und erfordert außerdem besondere Vorsichtsmaßregeln beim Anschließen eines Stromleiters an die Folie. Fünftens sollte bei Kontaktherstellung mit einer Fläche von Kristallen auch das Kontakt herstellende Verbindungsmittel ein in sich zusammenhängendes Ganzes bilden und nicht erst weiterer zusätzlicher Metallstreifen bedürfen, um Kontakt mit einer ganzen Anzahl kleinerer Stücke herzustellen.Every contact-making process must meet certain conditions: First of all, the contact must only have a low electrical resistance in the L1ber transition point bid between the conductor and the crystal. Second, there should be contact and resistance or the current transfer through the usual changes in normal temperature suffer no interference. Third, the contact connection must be permanent, so that even in the course of time or through prolonged continuous use they do not change changes. Fourth, the connection must be such that the electrical conductor is connected any further contact-making means can be connected against the Crystals pressed lead foil z. B. can make good contact with the crystals but it is in itself a bad conductor and also requires special precautions when connecting a conductor to the foil. Fifth When making contact with a surface of crystals, the making contact should also be Connecting means form a coherent whole and not just additional ones require additional metal strips to make contact with a number of smaller ones Making pieces.

Alle diese Erfordernisse eines befriedigenden Kontakt bildenden Verfahrens sind im Erfindungsgegenstand erfüllt. Der Kontakt mit den Kristallen wird durch eine in sich zusammenhängende Schicht von Metall gebildet, die fest anhaftet an den Kristallen oder der Kristallschicht. Diese Verbindungsschicht ist ein guter Stromleiter und kann in genügender Stärke hergestellt werden, so daß ein stromleitendes Verbindungsstück an dieselbe leicht angeschlossen werden kann. Für die verschiedenen Metallarten ist die Methode zur Herstellung der gewünschten metallenen Verbindungsschicht entsprechend verschieden.All of these requirements for a satisfactory contact forming process are fulfilled in the subject matter of the invention. Contact with the crystals is through a cohesive layer of metal is formed that adheres firmly to it the crystals or the crystal layer. This tie layer is a good one Conductor and can be manufactured in sufficient strength, so that a current-conducting Connector can be easily connected to the same. For the different Metal types is the method for the production of the desired metal Connection layer correspondingly different.

Im folgenden wird die vorliegende Erfindung genauer und vollständig beschrieben. Auf einer kristallinischen Oxyd- oder Oxyduloberfläche kann man eine Schicht von metallischem Silber genau so als Niederschlag aufbringen, wie dies bei der Herstellung von Spiegeln mit Silberrücken gemacht wird: Die gereinigte Oxydoberfläche wird in eine richtig zubereitete Silbersalzlösung eingetaucht und eine geeignete Menge einer speziellen reduzierenden Lösung zugefügt. Dann wird das metallische Silber aus der Lösung auf die Oxydoberfläche niedergeschlagen, so daß es eine glatte, fest zusammenhängende Schicht auf dem Oxyd bildet. Mit dieser chemischen Spezialindustrie vertraute Fachleute wissen, daß dies die gewöhnliche Methode ist, um in der Fabrikation von Spiegeln Silber auf Glas niederzuschlagen. Die Zusammensetzung der Lösung genau anzugeben, erscheint nicht nötig, da diese seit vielen Jahren in den verschiedenen Industrien in Gebrauch und allgemein bekannt ist.In the following, the present invention will become more specific and complete described. On a crystalline oxide or oxide surface one can see a Apply a layer of metallic silver as a precipitate, as in the production of mirrors with silverback is made: The cleaned oxide surface is immersed in a properly prepared silver salt solution and a suitable one Amount of a special reducing solution added. Then the metallic Silver is deposited from the solution onto the oxide surface, so that it has a smooth, forms a firmly coherent layer on the oxide. With this special chemical industry trusted professionals know that this is the common method in fabrication to cast silver on glass from mirrors. The composition of the solution exactly does not seem necessary, as this has been in the various for many years Industries in use and well known.

Claims (1)

PATENTANSPRUCFI: Verfahren zur Herstellung einer zuzusammenhängenden, :elektrisch gut leitenden Metallschicht auf elektrisch leitenden Kristallen, speziell auf Schichten von kr istallinischetn Kupferoxydul zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen diesen Kristallen und einer weiteren Metallschicht, z. B. bei Trockengleichrichtern, dadurch gekennzeichnet, d'aß man das Kupferoxydul in eine Lösung des Metalls eintaucht, aus dem die gewünschte Oberflächenschicht bestehen soll, und auf chemischem Wege das Metall aus der Lösung ausfällt und auf das Oxydul niederschlägt.PATENT CLAIM: Process for the production of a coherent, : Electrically good conductive metal layer on electrically conductive crystals, especially on layers of crystalline copper oxide to produce an electrical Connection between these crystals and another metal layer, e.g. B. at Dry rectifiers, characterized in that the copper oxide is in a Solution of the metal from which the desired surface layer is made should, and by chemical means the metal precipitates out of the solution and on the Oxydul precipitates.
DEH114426D 1927-12-17 1927-12-18 Process for the production of a coherent, electrically conductive metal layer on electrically conductive crystals, e.g. for dry rectifier Expired DE506729C (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEH114426D DE506729C (en) 1927-12-17 1927-12-18 Process for the production of a coherent, electrically conductive metal layer on electrically conductive crystals, e.g. for dry rectifier

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEH0114426 1927-12-17
DEH114426D DE506729C (en) 1927-12-17 1927-12-18 Process for the production of a coherent, electrically conductive metal layer on electrically conductive crystals, e.g. for dry rectifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE506729C true DE506729C (en) 1930-09-08

Family

ID=25980880

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEH114426D Expired DE506729C (en) 1927-12-17 1927-12-18 Process for the production of a coherent, electrically conductive metal layer on electrically conductive crystals, e.g. for dry rectifier

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE506729C (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112015005914B4 (en) connection port pair
DE112016004807B4 (en) CONNECTION PAIR
DE2509912C3 (en) Electronic thin film circuit
DE506729C (en) Process for the production of a coherent, electrically conductive metal layer on electrically conductive crystals, e.g. for dry rectifier
DE1047317B (en) Semiconducting electrode system
DE568094C (en) An electrical contact arrangement consisting of a contact and a mating contact which is operationally moved opposite it
DE1789062A1 (en) Process for the production of metal contacts for the installation of semiconductor components in housings
DE506570C (en) Process for the production of a coherent electrically conductive metal layer on crystals
DE519160C (en) Process for the production of a coherent, electrically conductive metal layer on crystals, especially on layers of crystalline copper oxide for dry rectifiers
DE1052580B (en) Method of manufacturing an electric discharge tube
DE1621258B2 (en) CONTACT PIECE MADE FROM A CONDUCTIVE CARRIER MADE FROM A BASE METAL AND A THREE-LAYER COMPOSITE CONTACT BODY AND THEIR MANUFACTURING METHOD
DE898468C (en) Process for the production of electrical resistors
DE501228C (en) Process for the production of rectifier elements for dry rectifiers with a selenium layer
AT313979B (en) Coating for resistance welding of the housing of semiconductor components
AT115038B (en) Device for supporting electrical conductors in the interior of discharge vessels.
DE1912958U (en) THERMOELECTRIC BATTERY.
DE528600C (en) Process for the production of electrical fuses for very low currents, in which a thin metal layer is deposited on a soluble electrode and the electrode is then removed from the deposit
DE863965C (en) Process for the production of AC rectifiers according to the dry surface contact system
AT117611B (en) Negative electrode for electric zinc collectors.
AT101299B (en) Method of soldering using pre-solder and main solder.
DE1764723B1 (en) Process for the production of a Peltier cooling block
DE663278C (en) Process for the production of enamels
DE1621258C3 (en) Contact stack made of a conductive carrier made of a base metal and a three-layer composite contact body and its manufacturing process
AT111961B (en) Method of depositing hafnium and zirconium on a glowing body.
DE675527C (en) Process for the production of strong galvanic copper coatings on iron