DE4412837A1 - Prodn. of methyl-chloro-silane esp. di:methyl-di:chloro-silane - Google Patents

Prodn. of methyl-chloro-silane esp. di:methyl-di:chloro-silane

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DE4412837A1 DE19944412837 DE4412837A DE4412837A1 DE 4412837 A1 DE4412837 A1 DE 4412837A1 DE 19944412837 DE19944412837 DE 19944412837 DE 4412837 A DE4412837 A DE 4412837A DE 4412837 A1 DE4412837 A1 DE 4412837A1
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Abstract

The prodn. of methylchlorosilanes (I) comprises reacting chloromethane with Si in the presence of Cu, Zn and V together with Sn, Sb or P.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Me­ thylchlorsilanen durch Umsetzung von Chlormethan mit Sili­ cium in Gegenwart von Kupfer, Zink und Vanadium und einem Metall, das ausgewählt wird aus Zinn, Antimon und Phosphor.The invention relates to a method for producing Me thylchlorosilanes by reacting chloromethane with sili cium in the presence of copper, zinc and vanadium and one Metal that is selected from tin, antimony and phosphorus.

Bei der Herstellung von Methylchlorsilanen aus Silicium und Chlormethan nach dem Rochow-Verfahren in Gegenwart eines Kupferkatalysators und gegebenenfalls Promotorsubstanzen (Direktsyntheseprozeß) entsteht ein Gemisch der Methylchlor­ silane und in geringerer Menge anderer Nebenprodukte. Bei­ spielsweise ist in US-Re. 33,452 ein Direktsyntheseverfahren mit einer Katalysatorkombination aus den Elementen oder den Verbindungen von Kupfer, Zink und Zinn beschrieben.In the production of methylchlorosilanes from silicon and Chloromethane according to the Rochow method in the presence of a Copper catalyst and optionally promoter substances (Direct synthesis process) a mixture of methyl chlorine is formed silanes and in a smaller amount of other by-products. At for example, in US Re. 33,452 a direct synthesis process with a catalyst combination of the elements or Compounds of copper, zinc and tin are described.

Der Rohstoff Silicium wird in elektrisch beheizten Öfen durch Reduktion von Siliciumdioxid mit Reduktionsmitteln, wie Kohle, Petrolkoks und Holzspänen hergestellt. Durch Ver­ unreinigungen der eingesetzten Stoffe enthält Silicium immer Fremdelemente. Teilweise sind diese Fremdelemente, wie Alu­ minium, Eisen, Calcium erwünscht. Deren Konzentration wird dann gezielt eingestellt. Teilweise sind diese Fremdelemen­ te, wie Titan, Blei, Chrom und Nickel unerwünscht. Deren Konzentration wird dann niedrig gehalten. The raw material silicon is used in electrically heated furnaces by reducing silicon dioxide with reducing agents, such as coal, petroleum coke and wood chips. By ver Silicon always contains impurities in the materials used Foreign elements. Some of these are foreign elements, such as aluminum minium, iron, calcium desirable. Their concentration will then targeted. Some of these are foreign elements such as titanium, lead, chrome and nickel are undesirable. Their Concentration is then kept low.  

In H.M. Rong, Silicon for the Direct Process to Methylchlo­ rosilanes, Ph. D. Thesis, The Technical University of Nor­ way, Trondheim, 1992 ist Vanadium als Fremdelement in Sili­ cium in einer Konzentration bis 500 ppm beschrieben. Lubose­ vich et al., Journal Applied Chemistry USSR, 49 (1976) 2158- 2168, beschreibt, daß Vanadium in intermetallischen Phasen komplexer Natur in Silicium vorliegt, welche aus den Elemen­ ten Eisen, Titan, Silicium, Mangan, Vanadium und Phosphor bestehen. Diese intermetallische Phase verhält sich inert, somit sollte von Vanadium keine Wirkung auf den Direktsyn­ theseprozeß ausgehen. A. Tuset, H.M. Rong und A.G. Forwald in Proc. Conf. Silicon for Chemical Industry, 1992, 11-23, beschreiben, daß Vanadium in einer intermetallischen Phase bestehend aus Eisen, Silicium, Titan, Aluminium, Mangan und Vanadium vorliegt und daß diese Phase mit Chlormethan unter den Bedingungen der Direktsynthese nicht reagiert.In H.M. Rong, Silicon for the Direct Process to Methylchlo rosilanes, Ph. D. Thesis, The Technical University of Nor way, Trondheim, 1992 is vanadium as a foreign element in Sili cium described in a concentration up to 500 ppm. Lubose vich et al., Journal Applied Chemistry USSR, 49 (1976) 2158- 2168, describes vanadium in intermetallic phases complex nature in silicon, which from the elements iron, titanium, silicon, manganese, vanadium and phosphorus consist. This intermetallic phase is inert, thus vanadium should have no effect on direct syn run out of thesis process. A. Tuset, H.M. Rong and A.G. Forwald in proc. Conf. Silicon for Chemical Industry, 1992, 11-23, describe that vanadium is in an intermetallic phase consisting of iron, silicon, titanium, aluminum, manganese and Vanadium is present and that this phase with chloromethane under the conditions of direct synthesis does not respond.

Im Direktsyntheseprozeß wird eine hohe Selektivität an Dime­ thyldichlorsilan angestrebt. Die Selektivität wird ausge­ drückt als Anteil des Dimethyldichlorsilans in der Masse der Methylchlorsilane.In the direct synthesis process there is a high selectivity of dime thyldichlorosilane aimed. The selectivity is exerted expresses as a proportion of the dimethyldichlorosilane in the mass of Methylchlorosilanes.

Aufgabe der Erfindung war es, ein Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen durch Umsetzung von Chlormethan mit Silicium bereitzustellen, wobei bei dieses Verfahren eine hohe Selektivität an Dimethyldichlorsilan aufweisen soll.The object of the invention was to provide a method for producing of methylchlorosilanes by reacting chloromethane with Provide silicon, with this method a should have high selectivity of dimethyldichlorosilane.

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Me­ thylchlorsilanen durch Umsetzung von Chlormethan mit Sili­ cium in Gegenwart von Kupfer, Zink und Vanadium und einer Komponente, die ausgewählt wird aus Zinn, Antimon und Phos­ phor. The invention relates to a method for producing Me thylchlorosilanes by reacting chloromethane with sili cium in the presence of copper, zinc and vanadium and one Component that is selected from tin, antimony and phos phor.  

Kupfer, Zink, Zinn, Antimon, Phosphor und Vanadium können in elementarer Form oder in Form ihrer Verbindungen eingesetzt werden. Die vorstehenden Elemente oder Verbindungen können mit dem Silicium vermischt werden, sie können auch Bestand­ teil des Siliciums sein.Copper, zinc, tin, antimony, phosphorus and vanadium can be found in elementary form or in the form of their compounds become. The above elements or compounds can can be mixed with the silicon, they can also last be part of the silicon.

Vorzugsweise werden im erfindungsgemäßen Verfahren 10 bis 500 ppm, vorzugsweise 100 bis 400 ppm und insbesondere 200 bis 300 ppm Vanadium, jeweils bezogen auf das Gewicht an Si­ licium eingesetzt.In the method according to the invention, 10 to 500 ppm, preferably 100 to 400 ppm and in particular 200 up to 300 ppm vanadium, each based on the weight of Si used licium.

Im erfindungsgemäßen Verfahren werden vorzugsweise 0,5 bis 10 Gew. -%, insbesondere 0,7 bis 7 Gew.-% Kupfer, bezogen auf eingesetztes Silicium verwendet, besonders bevorzugt sind 1 bis 5 Gew.-%.In the process according to the invention, 0.5 to 10% by weight, in particular 0.7 to 7% by weight, of copper, based on silicon used, 1 are particularly preferred up to 5% by weight.

Im erfindungsgemäßen Verfahren werden vorzugsweise insgesamt 30 bis 3000 Gew.-ppm, insbesondere 100 bis 2000 Gew.-ppm Zinn, Antimon und Phosphor, bezogen auf Kupfer eingesetzt. Es kann nur ein Element, das ausgewählt wird aus Zinn, Anti­ mon und Phosphor oder deren Verbindungen, es können auch zwei oder alle drei Elemente oder Verbindungen eingesetzt werden.In the process according to the invention, preferably total 30 to 3000 ppm by weight, in particular 100 to 2000 ppm by weight Tin, antimony and phosphorus, based on copper. There can only be one item that is selected from tin, anti mon and phosphorus or their compounds, it can also two or all three elements or connections are used become.

Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird in einer bevorzugten Ausführungsform Silicium in einer Korngröße von kleiner 700 µm und größer 20 µm, besonders bevorzugt in einer Korngröße von kleiner 250 µm und größer 70 µm eingesetzt.In the method according to the invention, one is preferred Embodiment silicon with a grain size of less than 700 µm and larger than 20 µm, particularly preferably in a grain size smaller than 250 µm and larger than 70 µm.

Das eingesetzte Silicium und die Elemente Kupfer, Zink, Zinn, Antimon, Phosphor und Vanadium und deren Verbindungen können noch als Fremdelemente beispielsweise Alkalimetalle, Erdalkalimetalle, Aluminium, Eisen, Titan, Blei, Chrom und Nickel enthalten. Deren Anwesenheit kann erwünscht oder un­ erwünscht sein. Beispielsweise kann das Silicium 0,1 bis 0,25 Gew.-% Aluminium, 0,01 bis 0,1 Gew.-% Calcium und 0,15 bis 0,4 Gew.-% Eisen enthalten. Die Konzentration der uner­ wünschten Fremdelemente wird möglichst niedrig gehalten. Im Direktsyntheseprozeß wird auch eine hohe Raum-Zeit-Lei­ stung der Reaktoren angestrebt, die von der Aktivität der Reaktionsmischung, bestehend aus Silicium, Kupferkatalysator und Promotoren abhängt. Eine aussagekräftige Größe für die Angabe der Raum-Zeit-Leistung in Bezug auf Methylchlorsila­ ne ist die auf die Oberfläche des Siliciums bezogene Produk­ tionsrate PR2The silicon used and the elements copper, zinc, Tin, antimony, phosphorus and vanadium and their compounds can also be foreign elements such as alkali metals, Alkaline earth metals, aluminum, iron, titanium, lead, chrome and Contain nickel. Their presence can be desirable or un  be desired. For example, the silicon can be 0.1 to 0.25% by weight aluminum, 0.01 to 0.1% by weight calcium and 0.15 contain up to 0.4 wt .-% iron. The concentration of the un desired foreign elements are kept as low as possible. In the direct synthesis process there is also a high space-time lei of the reactors aimed at by the activity of the Reaction mixture consisting of silicon, copper catalyst and promoters depends. A meaningful size for that Specification of the space-time performance in relation to methylchlorosila ne is the product related to the surface of the silicon tion rate PR2

Der Bezug auf die Oberfläche wird vorgenommen, weil die Re­ aktionen an der Oberfläche des Siliciums ablaufen.The reference to the surface is made because the Re actions take place on the surface of the silicon.

Hohe Produktionsraten an Methylchlorsilanen zusätzlich zu hoher Selektivität an Dimethyldichlorsilan werden erreicht, wenn das eingesetzte Silicium Vanadium als Bestandteil ent­ hält.High production rates of methylchlorosilanes in addition to high selectivity of dimethyldichlorosilane are achieved, if the silicon used contains vanadium as a constituent holds.

Das Vanadium kann bei der Reduktion von Siliciumdioxid mit Reduktionsmitteln aus vanadiumhaltigen Rohstoffen stammen oder dem Silicium einlegiert worden sein.The vanadium can be used in the reduction of silicon dioxide Reducing agents come from raw materials containing vanadium or have been alloyed with the silicon.

Das Verfahren wird bevorzugt in einem Wirbelschichtreaktor, vorzugsweise im Temperaturbereich von 250 bis 400°C, insbe­ sondere bei 250 bis 360°C durchgeführt. Weil dies den ge­ ringsten Aufwand erfordert, wird das Verfahren meist beim Druck der umgebenen Atmosphäre (also bei etwa 0,1 MPa) bis 0,5 MPa durchgeführt, es können aber auch höhere Drücke an­ gewandt werden. The process is preferably carried out in a fluidized bed reactor, preferably in the temperature range from 250 to 400 ° C, esp performed especially at 250 to 360 ° C. Because this is the ge requires the least effort, the procedure is usually at Pressure of the surrounding atmosphere (i.e. around 0.1 MPa) to 0.5 MPa, but higher pressures can also be applied be turned.  

Das Verfahren kann mit reinem Methylchlorid oder Methylchlo­ rid/Inertgas-Mischungen durchgeführt werden, als Inertgas können beispielsweise Stickstoff oder Argon eingesetzt wer­ den. Die Menge des Gasstromes wird in der bevorzugten Aus­ führungsform so gewählt, daß im Reaktor eine Wirbelschicht gebildet wird.The process can be done with pure methyl chloride or methyl chloro rid / inert gas mixtures are carried out as an inert gas For example, nitrogen or argon can be used the. The amount of gas flow is preferred in the leadership form chosen so that a fluidized bed in the reactor is formed.

Methylchlorid oder Methylchlorid/Inertgas-Gemische werden bei einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens kontinuierlich durch die Kontaktmasse geleitet, wodurch sich eine Wirbelschicht aufbaut. Nicht umgesetztes Methylchlorid und gegebenenfalls Inertgas und die gebildeten gasförmigen Methylchlorsilane verlassen den Reaktor.Methyl chloride or methyl chloride / inert gas mixtures in a preferred embodiment of the invention Process continuously passed through the contact mass, which creates a fluidized bed. Not implemented Methyl chloride and optionally inert gas and the formed gaseous methylchlorosilanes leave the reactor.

Das Verfahren kann kontinuierlich oder diskontinuierlich durchgeführt werden. Kontinuierlich bedeutet, daß die Mengen an abreagiertem Silicium und mit dem Reaktionsstaub ausgetra­ gene Katalysatoren kontinuierlich nachdosiert werden.The process can be continuous or discontinuous be performed. Continuous means that the quantities on reacted silicon and with the reaction dust gene catalysts are continuously replenished.

Beim kontinuierlichen Betrieb eines Reaktors fällt nach län­ gerer Produktionsphase die Selektivität des Direktsynthese­ prozesses in Bezug auf Dimethyldichlorsilan ab. Deshalb muß die Produktion nach einer bestimmten Zeit beendet werden.Continuous operation of a reactor falls short selectivity of the direct synthesis process related to dimethyldichlorosilane. Therefore must the production is stopped after a certain time.

Die Selektivität des Direktsyntheseprozesses kann über län­ gere Zeit aufrechterhalten werden, wenn Vanadium zu dem Zeitpunkt, an dem die Selektivität abfällt, dem Reaktionsge­ misch zudosiert wird. Besonders wirksam kann die Selektivi­ tät aufrechterhalten werden, wenn die Reaktionsmischung vor dem Zudosieren sehr wenig, beispielsweise unter 50 Gew.-ppm Vanadium, bezogen auf Silicium enthält. Vorzugsweise werden dem Reaktionsgemisch 10 bis 500 ppm, vorzugsweise 100 bis 400 ppm und insbesondere 200 bis 300 ppm Vanadium, jeweils bezogen auf das Gewicht an Silicium zudosiert. The selectivity of the direct synthesis process can be longer be maintained in the future when vanadium is added to the Time at which the selectivity drops, the reaction gene is metered in. The selective can be particularly effective be maintained when the reaction mixture before adding very little, for example below 50 ppm by weight Contains vanadium, based on silicon. Preferably be the reaction mixture 10 to 500 ppm, preferably 100 to 400 ppm and especially 200 to 300 ppm vanadium, each based on the weight of silicon metered.  

In den nachfolgenden Beispielen sind, falls jeweils nicht anders angegeben,In the examples below, if not each otherwise stated

  • a) alle Mengenangaben auf das Gewicht bezogen;a) all quantities based on weight;
  • b) alle Drücke 0,10 MPa (abs.);b) all pressures 0.10 MPa (abs.);
  • c) alle Temperaturen 20°Cc) all temperatures 20 ° C
BeispieleExamples Beispiel 1example 1

Einfluß Vanadiumgehalt bei Standardsilicium calciumarm. In das Silicium wurde Vanadium einlegiert. Danach erstarrte das Silicium langsam.Influence of vanadium content in standard silicon low in calcium. In the silicon was alloyed with vanadium. Then it froze Silicon slowly.

In einem Laborwirbelschichtreaktor (Durchmesser 25 mm) mit Heizwicklung, Gasverteilungsfritte, Destillationsbrücke mit Solekühlung und Vorlagekolben wurden 120 g Siliciumkörnung mit unterschiedlichem Vanadiumgehalt der Korngröße 70-240 µm bekannter spezifischer Oberfläche vermischt mit 6 g Kupfer(II)oxid, 1 g Zinkoxid und 1300 ppm Zinn bezogen auf Kupfer(II)oxid unter 40 l/h Stickstoff auf 340°C aufgeheizt. Anschließend wurden 40 l/h Chlormethan eingeleitet und auf 395°C aufgeheizt. Nach Beginn der Bildung von Methylchlorsi­ lanen wurde die Temperatur auf 360°C reduziert und 50 ml Me­ thylchlorsilane aufgefangen. Anschließend wurden weitere 30 ml Methylchlorsilane aufgefangen. Die Zeit zur Bildung die­ ser 30 ml Methylchlorsilane wird als Produktionsphase be­ zeichnet, die Produktionsrate PR2 errechnet sich nach vorstehender Formel. Der Gehalt an Dime­ thyldichlorsilan (M2) in den 30 ml Methylchlorsilanen aus der Produktionsphase wurde mittels GC-Analyse in Gewichts­ prozent ermittelt.In a laboratory fluidized bed reactor (diameter 25 mm) with Heating winding, gas distribution frit, distillation bridge with Brine cooling and plunger were 120 g silicon grit with different vanadium content of the grain size 70-240 µm known specific surface mixed with 6 g Copper (II) oxide, 1 g zinc oxide and 1300 ppm tin based on Copper (II) oxide heated to 340 ° C under 40 l / h nitrogen. Then 40 l / h of chloromethane were introduced and up 395 ° C heated. After the start of the formation of methylchlorosi The temperature was reduced to 360 ° C and 50 ml of Me thylchlorosilane caught. Then another 30 ml of methylchlorosilanes collected. The time for education 30 ml of methylchlorosilane is used as the production phase records, the production rate PR2  is calculated according to the above formula. The content of dime thyldichlorosilane (M2) in the 30 ml of methylchlorosilanes the production phase was by means of GC analysis in weight percent determined.

Tabelle 1 Table 1

Beispiele 1a-1e Examples 1a-1e

Die Direktsynthese verläuft mit hoher Selektivität und Akti­ vität.The direct synthesis proceeds with high selectivity and acti vity.

Beispiel 2Example 2

Einfluß Vanadiumgehalt wassergranuliertes Silicium calcium­ reich. In das Silicium wurde Vanadium einlegiert. Danach wurde das flüssige Silicium durch Eingießen in Wasser granu­ liert.Influence of vanadium content in water-granulated silicon calcium rich. Vanadium was alloyed into the silicon. After that the liquid silicon became granular by pouring it into water liert.

Analog Beispiel 1 wurden verschiedene wassergranulierte Si­ liciumtypen mit unterschiedlichen Vanadiumgehalten getestet.Analogously to Example 1, various water-granulated Si Licium types tested with different vanadium contents.

Die Direktsynthese verläuft mit hoher Selektivität und Akti­ vität.The direct synthesis proceeds with high selectivity and acti vity.

Beispiel 3Example 3 Einfluß Zugabe VanadiumInfluence of adding vanadium

Analog Beispiel 1 wurde ein Silicium mit 0.2% Aluminium, 0.026% Calcium und 10 ppm Vanadium getestet, wobei der Reak­ tionsmischung unterschiedliche Mengen Vanadium zugesetzt wurden.Analogously to Example 1, silicon with 0.2% aluminum, 0.026% calcium and 10 ppm vanadium tested, the Reak tion mixture different amounts of vanadium added were.

Die Reaktion verläuft mit hoher Selektivität. Die Aktivität der Reaktionsmischung ist deutlich geringer als bei den Bei­ spielen 1 und 2.The reaction proceeds with high selectivity. The activity the reaction mixture is significantly lower than in the case of the play 1 and 2.

Beispiel 4Example 4 Einfluß Vanadiumzugabe im kontinuierlichen VersuchInfluence of vanadium addition in a continuous experiment

In einem Wirbelschichtreaktor (Durchmesser 100 mm) mit auto­ matischer Dosierung der Reaktionsmischung, Druckregelung, Temperaturregelung, Kondensation der Methylchlorsilane in Produktvorlagebehälter und Druckdifferenzmessung als Maß für die Wirbelschichthöhe wurden 6000 g einer Mischung aus 5880 g Silicium mit 0.21% Aluminium, 0.2% Calcium und 10 ppm Va­ nadium, 90 g Kupfer(II)oxid dotiert mit 1300 ppm Zinn und 30 g Zinkoxid vorgelegt und bei 1.5 bar Druck auf 290°C aufge­ heizt. Der Versuch wurde so geführt, daß verbrauchte Reak­ tionsmasse, geregelt über den Abfall der Druckdifferenz im Reaktor, kontinuierlich nachgeschleust wurde, somit also die Reaktorfüllung konstant blieb. Eine Ausschleusung von Fest­ stoffen wurde bewußt vermieden, um Anreicherungseffekte von Verunreinigungen deutlich werden zu lassen. So wurde ein Versuchslauf (L2 ohne Vanadiumzugabe als Vergleich) über 98 h durchgeführt, alle 4 h wurde die gebildeten Methylchlosi­ lane auf den Gehalt an Dimethyldichlorsilan mittels GC-Ana­ lyse untersucht. In diesem Versuchslauf wurden durchschnitt­ lich 0.64 kg/h Methylchlorsilane gebildet. Ein weiterer Ver­ suchslauf (L1 mit Vanadiumzugabe) wurde analog dem ersten durchgeführt, wobei ab Betriebsstunde 60 eine Reaktionsmi­ schung mit 360 ppm zugesetztem Vanadium der Korngröße 40 µm nachgeschleust wurde. Hier wurden durchschnittliche 0.62 kg/h Methylchlorsilane gebildet. Den Verlauf des Gehalts an Dimethyldichlorsilan (M2) im Rohprodukt der beiden Versuche über die Versuchsdauer zeigt nachfolgende Tabelle.In a fluidized bed reactor (diameter 100 mm) with auto dosing of the reaction mixture, pressure control, Temperature control, condensation of the methylchlorosilanes in Product reservoir and pressure difference measurement as a measure of the fluidized bed height was 6000 g of a mixture of 5880 g silicon with 0.21% aluminum, 0.2% calcium and 10 ppm Va nadium, 90 g copper (II) oxide doped with 1300 ppm tin and 30 g of zinc oxide and placed at 1.5 bar pressure at 290 ° C. heats. The experiment was conducted so that Reak consumed tion mass, regulated by the drop in the pressure difference in the Reactor, was continuously re-introduced, thus the Reactor filling remained constant. A discharge of feast was deliberately avoided in order to increase the effects of To make impurities clear. So was one Trial run (L2 without vanadium added for comparison) over 98 h, the methylchlosi formed was formed every 4 h lane on the content of dimethyldichlorosilane using GC-Ana lysis examined. In this trial run, averages were Lich formed 0.64 kg / h methylchlorosilanes. Another ver search run (L1 with vanadium addition) was analogous to the first carried out, with a reaction mi from operating hour 60 with 360 ppm added vanadium with a grain size of 40 µm was re-launched. Here an average of 0.62 kg / h of methylchlorosilanes. The course of the salary Dimethyldichlorosilane (M2) in the crude product of the two experiments The table below shows the duration of the experiment.

Eine befriedigende Selektivität im Versuchslauf L1 wird über die 60. Betriebsstunde hinaus aufrechterhalten und steigt sogar bis zur 90. Betriebsstunde wieder an.A satisfactory selectivity in the test run L1 is about maintain the 60th hour of operation and increase even up to the 90th hour of operation.

Beispiel 5Example 5 Vergleichsbeispiel; Einfluß Vanadiumzugabe ohne ZinnzugabeComparative example; Influence of vanadium addition without tin addition

Beispiel 5 wurde analog Beispiel 1 unter Weglassung der Zinndotierung des Kupfer(II)oxids durchgeführt.Example 5 was analogous to Example 1 with the omission of Tin doping of the copper (II) oxide was carried out.

Claims (4)

1. Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen durch Umsetzung von Chlormethan mit Silicium in Gegenwart von Kupfer, Zink und Vanadium und einer Komponente, die ausgewählt wird aus Zinn, Antimon und Phosphor.1. Process for the preparation of methylchlorosilanes by Reaction of chloromethane with silicon in the presence of Copper, zinc and vanadium and a component that is selected from tin, antimony and phosphorus. 2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei 10 bis 500 ppm Vanadi­ um, bezogen auf das Gewicht an Silicium eingesetzt wer­ den.2. The method of claim 1, wherein 10 to 500 ppm Vanadi um, based on the weight of silicon used the. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das eingesetzte Silicium Vanadium als Bestandteil enthält.3. The method according to claim 1 or 2, wherein the used Contains silicon vanadium as an ingredient. 4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei Vanadium zu dem Zeitpunkt, an dem die Selektivität in Bezug auf Di­ methyldichlorsilan abfällt, dem Reaktionsgemisch zudo­ siert wird.4. The method of claim 1, 2 or 3, wherein vanadium the time when the selectivity with respect to Di methyldichlorosilane drops, zudo the reaction mixture is settled.
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