DE4405784A1 - Verfahren zum Verlöten von Bauelementen mit einem Träger und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents
Verfahren zum Verlöten von Bauelementen mit einem Träger und Anordnung zur Durchführung des VerfahrensInfo
- Publication number
- DE4405784A1 DE4405784A1 DE4405784A DE4405784A DE4405784A1 DE 4405784 A1 DE4405784 A1 DE 4405784A1 DE 4405784 A DE4405784 A DE 4405784A DE 4405784 A DE4405784 A DE 4405784A DE 4405784 A1 DE4405784 A1 DE 4405784A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- temperature
- carrier
- solder
- component
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
- B23K1/0016—Brazing of electronic components
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/012—Soldering with the use of hot gas
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3494—Heating methods for reflowing of solder
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/18—Sheet panels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/111—Preheating, e.g. before soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1121—Cooling, e.g. specific areas of a PCB being cooled during reflow soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/15—Position of the PCB during processing
- H05K2203/1581—Treating the backside of the PCB, e.g. for heating during soldering or providing a liquid coating on the backside
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verlöten von Bau
elementen mit einem Träger gemäß Oberbegriff des Patentan
spruchs 1 sowie eine Anordnung zur Durchführung des Ver
fahrens gemäß Oberbegriff des Patentanspruchs 8.
Solche Verfahren und Anordnungen finden beispielsweise in
der Elektronik zum Verbinden verschiedener Bauteile Anwen
dung.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu
schaffen, mittels dem Bauteile schonend miteinander ver
bunden werden können, und eine Anordnung, mit der dieses
Verfahren möglichst einfach umgesetzt werden kann.
Die erfindungsgemäße Lösung der Aufgabe bezüglich des zu
schaffenden Verfahrens ist durch die kennzeichnenden Merk
male des Patentanspruchs 1 wiedergegeben. Die Unteransprü
che 2 bis 7 enthalten vorteilhafte Aus- und Weiterbildun
gen des erfindungsgemäßen Verfahrens. Der erfindungsgemäße
Lösungsgedanke der Aufgabe bezüglich der zu schaffenden
Anordnung ist durch die kennzeichnenden Merkmale des Pa
tentanspruchs 8 wiedergegeben. Die Ansprüche 9 bis 10 ent
halten vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen der erfin
dungsgemäßen Anordnung.
Die erfindungsgemäße Lösung der Aufgabe bezüglich des zu
schaffenden Verfahrens besteht aus folgenden Verfahrens
schritten.
In einer ersten Phase wird (werden) ein Träger (ein Träger
und das Lot) auf eine erste Temperatur ϑ₁ unterhalb der
Schmelztemperatur ϑlot des Lots aufgewärmt. Anschließend
werden das Lot, die Trägerfläche im Nahbereich des Lots
und das (die jeweiligen) Bauelement(e) kurzfristig in ei
ner zweiten Phase auf eine zweite Temperatur ϑ₂ aufge
heizt, bei der das Lot schmilzt und eine Verbindung zwi
schen dem (jeweiligen) Bauelement und Träger hergestellt
wird. Anschließend wird in einer dritten Phase die Verbin
dungsstelle auf die erste Temperatur ϑ₁ oder eine noch
niedrigere Temperatur abgekühlt.
Die Lösung der Aufgabe bezüglich der zu schaffenden Anord
nung zur Durchführung des Verfahrens besteht darin, daß
mindestens zwei voneinander unabhängig einstellbare Heiz
anlagen sowie vorzugsweise eine Kühlvorrichtung zur stu
fenlosen Erzeugung von Temperatur-Zeit-Profilen für das
Verlöten von dem (den) Bauelement(en) mit dem Träger vor
gesehen sind.
Aufgrund dieses Verfahrens und der zugehörigen Anordnung
ist es möglich, thermisch wenig belastbare Bauelemente mit
thermisch unempfindlichen Trägermaterialien zu verbinden.
Im folgenden wird die Erfindung exemplarisch anhand der
Fig. 1 bis 3 näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen Ausschnitt einer vorteilhaften Aus
führungsform der erfindungsgemäßen Anord
nung;
Fig. 2a und 2b Ablaufdiagramme zur Veranschaulichung einer
bevorzugten Ausführungsform des erfindungs
gemäßen Verfahrens;
Fig. 3 das Temperatur-Zeit-Profil eines mittels des
erfindungsgemäßen Verfahrens behandelten
Bauteiles.
Die Anordnung der Fig. 1 ist zum Verlöten von Bauelementen
mit einem Träger vorgesehen. Die Figur veranschaulicht da
bei, zeitlich gesehen, die Ausgangssituation vor dem ei
gentlichen Lötvorgang.
Hierbei ist in einer Haltevorrichtung 1 ein Bauelement 2
fixiert. Bei diesem Bauelement 2 handelt es sich bei
spielsweise um eine ungehäuste Diode oder ein anderes
thermisch schwach belastbares Bauelement.
Zur Verbindung dieses Bauelementes 2 auf einem Träger 23,
bei dem es sich z. B. um eine Mikrostreifenleitungsschal
tung oder Streifenleitungen oder Messingplatten oder ver
goldete Platten oder Fixierungspunkte von besonderen Lei
terplatten für Hybridschaltungen handelt, wird dieser Trä
ger 23 auf eine Heizplatte 3 aus z. B. Graphit gelegt oder
mit ihr andersartig verbunden. Durch Beheizung dieser
Heizplatte, die durch eine regelbare Spannungs- oder
Stromquelle 31 angesteuert wird, erfolgt eine Erwärmung
des Trägers 23 auf eine erste Temperatur ϑ₁, wodurch eine
zu kontaktierende Oberfläche 21 sich ebenso erwärmt. Bei
dieser zu kontaktierenden Oberfläche 21 kann es sich z. B.
um die Oberfläche einer vergoldeten Platte handeln.
In einer ersten Phase (auch erste Zeitphase genannt) des
Lötvorganges wird der Träger 23 bzw. wird der mit Lot
teilweise oder vollständig beschichtete Träger durch ste
tigen oder sprunghaften Temperaturanstieg auf die erste
Temperatur ϑ₁ unterhalb der Schmelztemperatur ϑLot des
Lots aufgewärmt. Anschließend wird das Lot und das Bauele
ment 2 bzw. das mit Lot beschichtete Bauelement kurzfri
stig in einer zweiten Phase (auch zweite Zeitphase ge
nannt) auf eine zweite Temperatur ϑ₂ aufgeheizt, bei der
das Lot schmilzt. Dadurch wird die Verbindung zwischen dem
Bauelement 2 und dem Träger 23 hergestellt. Anschließend
wird in einer dritten Phase (auch dritte Zeitphase ge
nannt) das Bauelement 2 und das Lot auf die erste Tempera
tur ϑ₁ oder eine noch niedrigere Temperatur abgekühlt.
Anstelle eines Bauelementes können auch mehrere Bauele
mente mittels obigem Verfahren gleichzeitig oder zeitlich
versetzt mit dem Träger verlötet werden. Erfolgt eine
zeitlich versetzte Verlötung von Bauelementen, so wird die
Temperatur des Trägers bis unterhalb der Schmelztemperatur
des Lotes abgesenkt und lokal Träger und Bauelement mit
erhitztem inertem oder reduzierendem Gas auf die genannten
Temperaturwerte gebracht.
Mithin ist eine schonende Behandlung z. B. von Halbleitern
beim Kontaktieren mit metallischen Trägern durch geringe
Wärmebelastung und flußmittelfreies Löten möglich.
Ferner ist mit dieser Anordnung sowohl ein oxydationsfrei
es eutektisches als auch ein oxydationsfreies nicht-eutek
tisches Löten bei geringer Wärmebelastung beider zu verlö
tender Teile möglich, wobei die sehr unterschiedlichen
Wärmekapazitäten usw. der zu verlötenden Teile beachtet
werden sollten. Besonders von Vorteil ist, daß je nach den
unterschiedlichen Eigenschaften der zu verlötenden Teile
jeweils ein ihren Bedürfnissen angepaßtes spezielles Heiz
system verwendet wird, wodurch die zu verlötenden Teile so
schonend wie möglich behandelt werden können.
Als Beispiel sei hier die Kontaktierung eines Gunn-Chips
(Durchmesser z. B. ca. 300 µm) auf einem metallischen Trä
ger (z. B. ca. 600 mm²) dargestellt. Der Metallträger
weist im Gegensatz zum Gunn-Chip eine sehr viel größere
Wärmekapazität und Wärmeleitfähigkeit auf. Hier muß also
eine Heizung mit großer Leistung zum Einsatz kommen.
Die Anordnung weist (beispielhaft) zwei voneinander unab
hängig wirkende und einstellbare Heizanlagen sowie eine
Kühlvorrichtung zur stufenlosen Erzeugung von Temperatur-
Zeit-Profilen für das Verlöten von dem (den) Bauele
ment(en) 2 mit dem Träger 23 auf. Je nach Anwendung können
aber auch mehr als zwei unabhängig voneinander einstell
bare Heizanlagen eingesetzt werden.
Zur Steuerung und/oder Regelung und/oder Einstellung der
Heizanlage kann vorteilhafterweise ein Computer oder Mi
krorechner oder ein Rechenwerk (nicht gezeigt) verwendet
werden.
Als besonders vorteilhaft hat sich die Verwendung eines
Graphitofen großer Heizleistung zur Erwärmung des Trägers,
eines Heißgasofen mittlerer Leistung zur kurzfristigen Er
wärmung der Bauelemente bzw. des Lots sowie ein Rechner
zur Steuerung des Ganzen während des Lötprozesses erwie
sen.
Anhand der Fig. 2a, 2b und 3 wird im folgenden der Pro
zeßablauf einer besonders vorteilhaften Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Verfahrens erklärt, wobei in den
Fig. 2a und 3 Ablaufdiagramme zur Veranschaulichung des
Verfahrens dargestellt sind. In Fig. 2b sind die Wärmebe
lastungen des Trägers (Teil 1 in Fig. 2b) und des Bauele
mentes (Teil 2 in Fig. 2b) als Funktion der Zeit in Form
von schraffierten Rechtecken dargestellt.
Wie anhand von Fig. 2b zu erkennen ist, wird Teil 1 ab dem
Zeitpunkt t=0 bis zum Zeitpunkt t = t₅ erwärmt (erhitzt).
Weiterhin erkennt man, daß Teil 2 ab einem Zeitpunkt
t = t₁ bis zum Zeitpunkt t = t₅ erwärmt wird. Im Intervall
t₅ < t t₆ werden die Teile 1 und 2 nicht weiter erwärmt.
Hierbei hat das im Vergleich zum Träger (Teil 1 in Fig.
2b) kleinere Bauelement (Teil 2 in Fig. 2b) ab der Auf
heizphase (t₁) thermische Verbindung zum Träger. In der
Zeitspanne zwischen t₁ und t₂ wird lokal begrenzt mit
Heißgas oder durch eine andersartige Wärmequelle das Lot
aufgeschmolzen. Ist das Lot geschmolzen und ist die Ver
bindung hergestellt, wird das Heißgas oder die andersar
tige Wärmequelle abgeschaltet. Teil 2, also das Bauele
ment, kühlt sich sofort auf ϑ₁ ab, da der Träger (Teil 1)
in der kurzen Zeit ja nicht insgesamt auf ϑ₂ erwärmt (er
hitzt) wurde. Die Abkühlphase beider Teile kann nun z. B.
durch verstärkte Gasspülung eingeleitet werden. Je nach
Art der miteinander zu verlötenden Teile ist es günstig,
entsprechend angepaßte Temperatur-Zeit-Profile zu fahren.
Fig. 2a zeigt dabei ein Temperatur-Zeit-Profil, welches
beispielsweise den oben beschriebenen Prozeßablauf gra
fisch darstellt. Insgesamt gesehen hat dabei dieses Tempe
ratur-Zeit-Profil einen in Teilen linearen Verlauf. Auf
grund seiner Beschaffenheit folgt der Temperatur-Zeit-Ver
lauf des Teiles 1 diesem Temperatur-Zeit-Profil wie in
Fig. 3 dargestellt. Zu erkennen ist dort, daß, bedingt
durch die Temperaturkontakte des Teiles 1, die Unstetig
keitstellen im Temperatur-Zeit-Profil nach Fig. 2a in Fig.
3 verschliffen sind. In etwa deckungsgleich zu dem Tempe
ratur-Zeit-Profil nach Fig. 3 verläuft jenes nicht ge
zeigte des Teiles 2, in dessen Abkühlphase. Der Unter
schied zwischen beiden Temperatur-Zeit-Profilen besteht
darin, daß im Zeitintervall 0 < t < t₂ dieses Teil 2 nicht
erwärmt ist, d. h. zu diesem Zeitpunkt hat es eine kon
stante Temperatur, für die gilt ϑ « ϑ₁.
Günstig ist es, wenn die Heizanlage z. B. aus zwei unab
hängig voneinander einstellbaren und wirkenden Heizsy
stemen, sowie einer Kühleinrichtung zur stufenlosen Erzeu
gung von beliebigen Temperatur-Zeit-Profilen für das Ver
binden von Teilen zwecks minimaler Temperaturbelastungen
der zu verbindenen Teile besteht.
Dadurch ist eine individuelle Berücksichtigung der Eigen
schaften der zu verlötenden Teile durch unterschiedliche
Heizsysteme möglich. Die Steuerung und Regelung der Anlage
erfolgt vorteilhafterweise durch einen Rechner, welcher es
ermöglicht, reproduzierbare Ergebnisse zu liefern. Ferner
ist hierdurch nicht nur eine Steuerung und/oder Regelung
der Heizsysteme, sondern auch eine definierte Abkühlung
durch die Verwendung spezieller Kühlsysteme (z. B. Pel
tier-Elemente unter dem Graphit) möglich.
Vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfah
rens weisen folgende Merkmale auf.
Die erste Temperatur ϑ₁ des Trägers ist kleiner als die
Schmelztemperatur ϑLot des Lotes. Die Erwärmung des Bau
teiles 2 auf die zweite Temperatur ϑ₂ erfolgt vorzugsweise
durch ein Gas, dessen Temperatur ϑ unterhalb der maximalen
Belastungstemperatur ϑtot des Bauelementes 2 sowie ober
halb der ersten Temperatur ϑ₁ des Trägers liegt. Vorteil
hafterweise sollte die erste Temperatur ϑ₁ im Bereich zwi
schen 100°C und 400°C, vorzugsweise zwischen 200°C und
300°C, insbesondere bei in etwa 250°C liegen und die
zweite Temperatur ϑ₂ des Gases bzw. des Bauteils etwa 10%
bis 30%, insbesondere etwa 20% über dem Wert der ersten
Temperatur ϑ₁ des Trägers liegen, wenn z. B. eine unge
kapselte Diode (Bauelement 2) mit einem Messingträger oder
einer Mikrostreifenleitung zu verbinden ist. Wie bereits
oben ausgeführt ist der Träger 23 zur Erwärmung auf eine
von einem Strom durchflossene Graphitplatte 3 gelegt oder
auf ihr fixiert.
Der Heizstrom stammt von einer regelbaren, vorzugsweise
einer computerregelbaren Spannungs- oder Stromquelle 31.
Nach der Verbindung des Trägers 23 mit dem Bauelement 2
kühlen diese ab oder werden abgekühlt. Der Träger und/oder
das Bauelement werden dabei z. B. durch Zuführung eines
kühlenden Gases oder durch Abkühlung des das Bauelement 2
haltenden Stempels 1 oder durch Erniedrigung des Heizstro
mes oder ohne zusätzliche Maßnahmen abgekühlt.
Sind mehrere Bauelemente auf obige Art und Weise zu verlö
ten, so erfolgt eine impulsweise Temperaturabsenkung auf
eine Temperatur ϑ₀ und anschließend eine vollständige Tem
peraturabsenkung unter die erste Temperatur ϑ₁ des Trä
gers. Für die Temperatur ϑ₀ gilt dabei folgender Zusammen
hang: ϑ₁ ϑ₀ < ϑ₂.
Von Vorteil ist, wenn der Graphitofen eine gegenüber einem
aufzuheizenden Objekt, hier gegenüber dem Träger mit den
Bauteilen, kleinere thermische Zeitkonstante aufweist.
Claims (10)
1. Verfahren zum Verlöten von Bauelementen mit einem Trä
ger mittels eines Lotes, gekennzeichnet durch folgende
Verfahrensschritte:
- - in einer ersten Phase wird (werden) der Träger (23) (der Träger (23) und das Lot) auf eine erste Temperatur ϑ₁ unterhalb der Schmelztemperatur ϑlot des Lots gebracht;
- - anschließend werden das Lot, die Trägeroberfläche im Nahbereich des Lotes und das (die jeweiligen) Bauelement(e) kurzfristig in einer zweiten Phase auf eine zweite Temperatur aufgeheizt, bei der das Lot schmilzt und eine Verbindung zwischen dem (je weiligen) Bauelement (2) und dem Träger (23) her gestellt wird;
- - anschließend wird in einer dritten Phase die Ver bindungsstelle auf die erste Temperatur ϑ₁ oder eine noch niedrigere Temperatur abgekühlt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Träger (23) vor dem eigentlichen Verbindungsvorgang
durch stetigen oder sprunghaften Temperaturanstieg auf die
erste Temperatur ϑ₁ gebracht wird.
3. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste Temperatur ϑ₁ kleiner als
die Schmelztemperatur ϑLot des Lotes ist und daß die zwei
te Temperatur ϑ₂ zur Erwärmung des Bauelementes (2) unter
halb der maximalen Belastungstemperatur ϑtot des Bauele
mentes (2) sowie oberhalb der ersten Temperatur ϑ₁ liegt.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die erste Temperatur ϑ₁ im Bereich zwischen 100°C und
400°C, vorzugsweise zwischen 200°C und 300°C, insbeson
dere bei in etwa 250°C liegt und die zweite Temperatur ϑ₂
etwa 10% bis 30%, insbesondere etwa 20% über dem Wert
der ersten Temperatur ϑ₁ liegt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß der Träger (23) zur Erwärmung auf eine
von einem Strom durchflossene Graphitplatte (3) gelegt
oder auf ihr fixiert ist.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
der Strom von einer regelbaren, vorzugsweise einer compu
terregelbaren Spannungs- oder Stromquelle (31) herrührt.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
die Verbindungsstelle(n) durch Zuführung eines kühlenden
Gases oder durch Abkühlung einer das (die) Bauelement(e)
(2) haltenden Haltevorrichtung (1) oder durch Erniedrigung
des Stromes oder ohne zusätzliche Maßnahmen abkühlt (ab
kühlen).
8. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens, dadurch ge
kennzeichnet, daß mindestens zwei voneinander unabhangig
wirkende und einstellbare Heizanlagen sowie vorzugsweise
eine Kühlvorrichtung zur stufenlosen Erzeugung von Tempe
ratur-Zeit-Profilen für das Verlöten von dem (den) Bauele
ment(en) (2) mit dem Träger (23) vorgesehen sind.
9. Anordnung nach Patentanspruch 8, dadurch gekennzeich
net, daß die eine oder beide Heizanlage(n) jeweils aus ei
nem Graphitofen und einem Heißgasofen besteht (bestehen).
10. Anordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß der Graphitofen gegenüber dem (den) Bauelement(en) (2)
eine kleinere thermische Zeitkonstante aufweist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4405784A DE4405784A1 (de) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | Verfahren zum Verlöten von Bauelementen mit einem Träger und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4405784A DE4405784A1 (de) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | Verfahren zum Verlöten von Bauelementen mit einem Träger und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4405784A1 true DE4405784A1 (de) | 1995-08-24 |
Family
ID=6510974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4405784A Ceased DE4405784A1 (de) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | Verfahren zum Verlöten von Bauelementen mit einem Träger und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4405784A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0804990A1 (de) * | 1996-04-30 | 1997-11-05 | Pressac Limited | Verfahren zum Montieren von Schaltungsteilen auf ein biegsames Substrat |
WO1999018762A1 (en) * | 1997-10-06 | 1999-04-15 | Ford Motor Company | Method for connecting surface mount components to a substrate |
DE19925652C2 (de) * | 1998-06-04 | 2002-04-25 | Hitachi Ltd | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Lötverbindungen zwieschen Elektronischen Bauteilen und einer Leiterplatte |
DE102005054521A1 (de) * | 2005-11-14 | 2007-05-24 | Ersa Gmbh | Lötvorrichtung mit rechnerbasiertem Sensorsystem |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3720912A1 (de) * | 1986-07-03 | 1988-01-07 | Licentia Gmbh | Verfahren und anordnung zum reflow-loeten und reflow-entloeten von leiterplatten |
-
1994
- 1994-02-23 DE DE4405784A patent/DE4405784A1/de not_active Ceased
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3720912A1 (de) * | 1986-07-03 | 1988-01-07 | Licentia Gmbh | Verfahren und anordnung zum reflow-loeten und reflow-entloeten von leiterplatten |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
"Weichlöten in der Elektronik", Wassink, 2. Aufl. Leuze Verlag Saulgau/Württ., S. 568 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0804990A1 (de) * | 1996-04-30 | 1997-11-05 | Pressac Limited | Verfahren zum Montieren von Schaltungsteilen auf ein biegsames Substrat |
US5898992A (en) * | 1996-04-30 | 1999-05-04 | Pressac Limited | Method of mounting circuit components on a flexible substrate |
WO1999018762A1 (en) * | 1997-10-06 | 1999-04-15 | Ford Motor Company | Method for connecting surface mount components to a substrate |
DE19925652C2 (de) * | 1998-06-04 | 2002-04-25 | Hitachi Ltd | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Lötverbindungen zwieschen Elektronischen Bauteilen und einer Leiterplatte |
DE102005054521A1 (de) * | 2005-11-14 | 2007-05-24 | Ersa Gmbh | Lötvorrichtung mit rechnerbasiertem Sensorsystem |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0030233A1 (de) | Anordnung zum kontaktieren der leiterbahnen von leiterplatten mit kontaktstiften. | |
DE10350699B3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Aufschmelzlöten mit Volumenstromsteuerung | |
DE4405784A1 (de) | Verfahren zum Verlöten von Bauelementen mit einem Träger und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE19527867A1 (de) | Metall-Substrat für elektrische und/oder elektronische Schaltkreise | |
WO2013083295A1 (de) | Lötverfahren und entsprechende löteinrichtung | |
EP0756442B1 (de) | Verfahren zum Löten von Bauelementen auf einer Trägerfolie | |
EP1275462B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Verlöten von elektrischen Bauteilen auf einer Kunststofffolie | |
DE102006034600A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Lötverbindung | |
EP0642298B1 (de) | Verfahren zum Löten von oberflächenmontierbaren elektronischen Bauelementen auf Leiterplatten | |
EP0569423B1 (de) | Verfahren zum löten von lötgut, wie leiterplatten bzw. baugruppen in der elektronik oder metallen in der mechanischen fertigung | |
DE3137570A1 (de) | Verfahren zum direkten verbinden von kupferteilen mit oxidkeramiksubstraten | |
DE19741192C5 (de) | Reflowlötverfahren | |
DE19645095A1 (de) | Beheizung | |
EP0593986B1 (de) | Verfahren zum Verlöten eines Halbleiterkörpers mit einem Trägerelement | |
DE2238569C3 (de) | Verfahren zum Löten einer Halbleiterplatte | |
EP3718136B1 (de) | Halbleiterbaugruppe und verfahren zur herstellung der halbleiterbaugruppe | |
DE10064487B4 (de) | Verfahren zum Löten von Bauteilen | |
DE3313456C2 (de) | Impuls-Lötverfahren | |
DE4221564A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Lötverbindung zwischen Chips und flächigen Kupferteilen | |
DE102016110040A1 (de) | Fertigungslinie zum Löten | |
DE10014308B4 (de) | Vorrichtung zum gleichzeitigen Herstellen von mindestens vier Bondverbindungen und Verfahren dazu | |
DE3342279C1 (de) | Lötverfahren und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE10125476A1 (de) | Thermische Sicherung für ein Halbleiterschaltelement sowie Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE102015210024A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Verbinden eines elektrischen Leiters mit einer Leiterplatte | |
DE3716814A1 (de) | Vorrichtung zur temperaturkompensation von halbleiterschaltern zur drehzahlstabilisierung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |