DE4325712A1 - Method for encapsulating electrical or electronic components or modules, and encapsulation of electrical or electronic components or modules - Google Patents

Method for encapsulating electrical or electronic components or modules, and encapsulation of electrical or electronic components or modules

Info

Publication number
DE4325712A1
DE4325712A1 DE4325712A DE4325712A DE4325712A1 DE 4325712 A1 DE4325712 A1 DE 4325712A1 DE 4325712 A DE4325712 A DE 4325712A DE 4325712 A DE4325712 A DE 4325712A DE 4325712 A1 DE4325712 A1 DE 4325712A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
encapsulation
insulation layer
thermal insulation
metal bushings
liquid crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE4325712A
Other languages
German (de)
Other versions
DE4325712C2 (en
Inventor
Juergen Prof Dr Ing Bednarz
Hans-Friedrich Dr Ing Schmidt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE4325712A priority Critical patent/DE4325712C2/en
Publication of DE4325712A1 publication Critical patent/DE4325712A1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE4325712C2 publication Critical patent/DE4325712C2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/10—Materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2200/00—Chemical nature of materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
    • C09K2200/06—Macromolecular organic compounds, e.g. prepolymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

In order to encapsulate electrical or electronic components or modules with gas-tight, corrosion-protecting metal bushings (M), a plastic thermal insulation layer (I) is first applied on all sides to the subsequent penetration or exit regions of the metal bushings (M), after which the encapsulation, or at least an encapsulation part (Vt) fully enclosing the penetration or exit region of the metal bushings (M), is produced from a thermoplastic by injection moulding. By virtue of the thermal barrier action of the thermal insulation layer (I), the liquid phase of the thermoplastic is maintained for a longer period of time during injection moulding, so that the longer contact time leads to an essential improvement of the surface adhesion and therefore the sealing in the penetration or exit region of the metal bushings (M). <IMAGE>

Description

Es ist bekannt, daß duroplastisch umhüllte elektronische Bauelemente, wie z. B. integrierte Schaltungen oder Baugruppen, wie z. B. Hybridschaltungen, durch innere Spannungen bzw. durch Korrosion zerstört werden. Die inneren Spannungen werden durch Kunststoff- Schwindung, sowie durch unterschiedliche thermische Dehnungen von Bauelement bzw. Baugruppe, Systemträger und Kunststoff erzeugt. Es wird daher eine Umhüllung gefordert, die sowohl die Spannungen und die unterschiedlichen Dehnungen kompensiert, als auch Schutz gegen innere Korrosion bietet. Je nach Bauform werden dabei, z. B. integrierte Schaltkreise vor der duroplastischen Umhüllung kostenintensiv mit einer Schutzschicht ab­ gedeckt, die beispielsweise aus Plasmanitrid, Polyimid und/oder Gel-Tropfen besteht. Dabei bleiben die Bereiche außerhalb des Chips, wie z. B. der Chip-Umfang und die Kontaktstelle zwischen Bonddraht und dem zugeordneten Anschlußbein ungeschützt. Beim Umhüllen von Baugruppen wird eine elastische Zwischenschicht zum Schutz der Bauelemente und der Schaltung angewandt, die beispielsweise aus Silikongel oder einem elastischen Acrylat besteht.It is known that thermoset encased electronic components such. B. integrated Circuits or assemblies, such as. B. hybrid circuits, by internal voltages or be destroyed by corrosion. The internal tensions are Shrinkage, as well as different thermal expansions of the component or Assembly, system carrier and plastic produced. Wrapping is therefore required which compensates both the tensions and the different strains, as well Offers protection against internal corrosion. Depending on the design, z. B. integrated Circuits before the thermosetting encapsulation costly with a protective layer covered, which consists for example of plasma nitride, polyimide and / or gel drops. Here the areas remain outside the chip, e.g. B. the chip size and the contact point between the bond wire and the associated lead unprotected. When wrapping Assemblies become an elastic intermediate layer to protect the components and the Circuit applied, for example, from silicone gel or an elastic acrylate consists.

Es ist auch bereits bekannt, elektrische oder elektronische Bauelemente oder Baugruppen in einem geschlossenen Gehäuse unterzubringen, aus welchem nur die Anschlußbeine heraus­ geführt sind. Diese aus mindestens zwei Gehäuseteilen zusammengefügten Gehäuse bieten einen mechanischen Schutz der Bauelemente oder Baugruppen und insbesondere auch der empfindlichen Verbindung zu den Anschlußbeinen. Andererseits kann jedoch durch die Fü­ gestellen des Gehäuses und im Durchtrittsbereich der Anschlußbeine Feuchtigkeit in das Gehäuse eindringen, d. h. der Schutz gegen innere Korrosion ist unzureichend.It is also already known to use electrical or electronic components or assemblies to accommodate a closed housing, from which only the connecting legs are led. These offer housings assembled from at least two housing parts mechanical protection of the components or assemblies and in particular also the sensitive connection to the connection legs. On the other hand, the Fü place the housing and in the passage area of the connection legs moisture in the Penetrate housing, d. H. protection against internal corrosion is inadequate.

Aus der EP-A-0 383 025 ist ein Verfahren zum Verkapseln von elektrischen oder elektroni­ schen Bauelementen oder Baugruppen bekannt, bei welchem die Bauelemente oder Bau­ gruppen ebenfalls in einem geschlossenen Gehäuse untergebracht werden und zur Steige­ rung der Dichtwirkung und damit zum Schutz gegen innere Korrosion zumindest im Be­ reich der Fügestellen des Gehäuses und im Austrittsbereich der Anschlußbeine an das Ge­ häuse eine Außenkapsel aus einem thermoplastischen Kunststoff durch Spritzgießen ange­ formt wird. Im Durchtrittsbereich der Anschlußbeine durch das Gehäuse kann beispielswei­ se mittels Tampondruck auf die Oberseite und die Unterseite der Anschlußbeine ein Haft­ vermittler aufgebracht werden, wobei als Haftvermittler ein Schmelzkleber, wie z. B. Po­ lyamid verwendet wird. Für das Gehäuse werden ebenfalls thermoplastische Kunststoffe verwendet, so daß sich beim Spritzgießen der Außenkapsel eine Schweißverbindung zwi­ schen den Gehäuseteilen und der Außenkapsel ergibt.EP-A-0 383 025 describes a method for encapsulating electrical or electronic devices known components or assemblies, in which the components or construction groups can also be accommodated in a closed housing and climb tion of the sealing effect and thus to protect against internal corrosion at least in the loading rich of the joints of the housing and in the outlet area of the connecting legs to the Ge housing an outer capsule made of a thermoplastic material by injection molding is formed. In the passage area of the connection legs through the housing, for example se by means of pad printing on the top and bottom of the connecting legs  mediators are applied, with a hot melt adhesive, such as. B. Po lyamide is used. Thermoplastic materials are also used for the housing used, so that a welded joint between the outer capsule between the housing parts and the outer capsule.

Aus der EP-A-0 157 938 ist es auch bekannt, die Bauelemente oder Baugruppen in einem Gehäuse aus duroplastischem Kunststoff unterzubringen und anschließend das gesamte Ge­ häuse in einem Spritzpreßverfahren mit duroplastischem Kunststoff zu umhüllen. Der für die Außenkapsel verwendete duroplastische Kunststoff hat dabei insbesondere den Vorteil, daß er die Metalldurchführungen besonders gut abdichtet. Andererseits hat der duroplastische Kunststoff den Nachteil, daß das Spritzpressen wesentlich länger dauert, als das Spritzgie­ ßen von thermoplastischem Kunststoff und damit für eine Massenfertigung weniger geeignet ist.From EP-A-0 157 938 it is also known to combine the components or assemblies in one Housing plastic housing and then the entire Ge to encapsulate the housing in a transfer molding process with thermosetting plastic. The one for the The outer capsule used thermosetting plastic has the particular advantage that it seals the metal bushings particularly well. On the other hand, the thermoset Plastic has the disadvantage that the injection molding takes much longer than the injection molding thermoplastic and therefore less suitable for mass production is.

Der im Anspruch 1 angegebenen Erfindung und der im Anspruch 12 angegebenen Erfin­ dung liegt das Problem zugrunde, eine einfache und für die Massenfertigung geeignete Ver­ kapselung von elektrischen oder elektronischen Bauelementen oder Baugruppen mit gas­ dichten, korrosionsschützenden Metalldurchführungen zu ermöglichen.The invention specified in claim 1 and the inven specified in claim 12 The problem is based on a simple and suitable for mass production Encapsulation of electrical or electronic components or assemblies with gas to enable tight, corrosion-protecting metal bushings.

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß durch die Verwendung einer thermischen Isolationsschicht aus Kunststoff die flüssige Phase des thermoplastischen Kunststoffs beim Spritzgießen im Durch- oder Austrittsbereich der Metalldurchführungen länger aufrechter­ halten wird und die längere Kontaktzeit zu einer erheblich verbesserten Haftung auf dem Untergrund führt. Durch die Zwischenschaltung der thermischen Isolationsschicht wird eine mittelbare Oberflächenhaftung der thermoplastischen Verkapselung gegenüber den Metall­ durchführungen erzielt, die mit der unmittelbaren Oberflächenhaftung duroplastischer Ver­ kapselungen vergleichbar ist.The invention is based on the knowledge that the use of a thermal Insulation layer made of plastic the liquid phase of the thermoplastic at Injection molding longer upright in the passage or exit area of the metal bushings will hold and the longer contact time leads to a significantly improved liability on the Leads underground. By interposing the thermal insulation layer is a indirect surface adhesion of the thermoplastic encapsulation to the metal achievements achieved with the direct surface adhesion of thermoset Ver encapsulation is comparable.

Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Verkapseln von elektrischen oder elektronischen Bauelementen oder Baugruppen sind in den Ansprüchen 2 bis 11 angegeben.Advantageous refinements of the method according to the invention for encapsulating Electrical or electronic components or assemblies are in claims 2 to 11 specified.

Die Ausgestaltung nach Anspruch 2 gewährleistet mit der angegebenen Mindestschichtstär­ ke der thermischen Isolationsschicht eine thermische Isolationswirkung, die ihrerseits eine Verlängerung der flüssigen Phase des thermoplastischen Kunststoffes und damit eine her­ vorragende Oberflächenhaftung bewirkt. The embodiment according to claim 2 ensures with the specified minimum layer thickness ke the thermal insulation layer a thermal insulation effect, which in turn a Extension of the liquid phase of the thermoplastic and thus one ago excellent surface adhesion.  

Die Weiterbildung nach Anspruch 3 ermöglicht ein besonders einfaches Aufbringen der thermischen Isolationsschicht. Wird dabei gemäß Anspruch 4 zur Bildung der thermischen Isolationsschicht eine Polyimidvorstufe verwendet, so werden sowohl für das Aufbringen der thermischen Isolationsschicht, als auch für die angestrebte Verbesserung der Oberflä­ chenhaftung ideale Bedingungen erreicht.The development according to claim 3 enables a particularly simple application of the thermal insulation layer. Is used according to claim 4 to form the thermal Insulation layer uses a polyimide precursor, both for application the thermal insulation layer, as well as for the desired improvement of the surface ideal conditions.

Die Weiterbildung nach Anspruch 5 ermöglicht eine besonders einfache, allseitige Aufbrin­ gung der thermischen Isolationsschicht im Durch- oder Austrittsbereich der Metalldurchfüh­ rungen.The development according to claim 5 enables a particularly simple, all-round application the thermal insulation layer in the passage or exit area of the metal bushing stanchions.

Die Weiterbildung nach Anspruch 6 ermöglicht mit der fotolithografischen Strukturierung eine weitere einfache und für die Massenfertigung geeignete Methode zum partiellen Auf­ bringen der thermischen Isolationsschicht.The development according to claim 6 enables with the photolithographic structuring another simple method of partial opening suitable for mass production bring the thermal insulation layer.

Gemäß Anspruch 7 kann auch ein thermoplastischer Kunststoff zur Bildung der thermischen Isolationsschicht auf einfache Weise durch Abscheidung aus der Dampfphase auf die Me­ talldurchführungen aufgebracht werden, wobei sich hier gemäß Anspruch 8 die Verwen­ dung von Parylene besonders gut bewahrt hat.According to claim 7 can also be a thermoplastic to form the thermal Isolation layer in a simple way by deposition from the vapor phase on the Me tall bushings are applied, the use here according to claim 8 Parylene has kept it particularly well.

Die Weiterbildung nach Anspruch 9 bietet eine ideale Werkstoffauswahl für die Verkapse­ lung, wobei sich die angegebenen Werkstoffe auch mit den Werkstoffen der thermischen Isolationsschicht besonders gut kombinieren lassen. Dabei wurde mit den im Anspruch 10 angebenen Blends von Flüssigkristallpolymeren mit Polyaryletherketon besonders gute Er­ gebnisse erzielt.The development according to claim 9 offers an ideal choice of materials for the encapsulation lung, where the specified materials also with the materials of the thermal Have the insulation layer combined particularly well. It was with the in claim 10 specified blends of liquid crystal polymers with polyaryl ether ketone particularly good Er results achieved.

Die Ausgestaltung nach Anspruch 11 ermöglicht eine besonders einfache und dichte Ver­ kapselung in Form eines Hohlgehäuses.The embodiment according to claim 11 enables a particularly simple and tight Ver encapsulation in the form of a hollow housing.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Verkapselung von elektrischen oder elektronischen Bauelementen oder Baugruppen, sind in den Ansprüchen 13 bis 18 angege­ ben. Die Vorteile der einzelnen Ausgestaltungen wurden bereits im Zusammenhang mit den entsprechenden Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens erörtert.Advantageous embodiments of the encapsulation of electrical or Electronic components or assemblies are specified in claims 13 to 18 ben. The advantages of the individual configurations have already been mentioned in connection with the corresponding configurations of the method according to the invention are discussed.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im fol­ genden näher beschrieben.Embodiments of the invention are shown in the drawing and are in fol described in more detail.

Es zeigen Show it  

Fig. 1 bis Fig. 4 in stark vereinfachter schematischer Darstellung die wesentlichen Ver­ fahrensstadien bei der Verkapselung eines elektronischen Bauelements in einem Gehäuse, Fig. 1 to Fig. 4 in a highly simplified schematic representation of the essential Ver drive stages of an electronic device in a housing in the encapsulation,

Fig. 5 eine Variante, bei welcher das elektronische Bauelement vollständig in die Verkap­ selung eingebettet ist, sowie Fig. 5 shows a variant in which the electronic component is completely embedded in the encapsulation, and

Fig. 6 und Fig. 7 zwei Stadien beim Aufbringen einer thermischen Isolationsschicht auf die Anschlußbeine des elektronischen Bauelements. Fig. 6 and Fig. 7, two stages in the application of a thermal insulating layer on the connecting legs of the electronic component.

Bei dem anhand der Fig. 1 bis 4 dargestellten ersten Ausführungsbeispiel wird von ei­ nem mit St bezeichneten Systemträger ausgegangen, auf dessen mittig angeordnete Insel In ein elektronisches Bauelement B aufgeklebt ist. Die nicht näher erkennbaren Anschlußflä­ chen dieses Bauelements B sind über feine Bonddrähte Bd mit den inneren Enden von An­ schlußbeinen verbunden, wobei diese Anschlußbeine des Systemträgers St hier allgemein als Metalldurchführungen M bezeichnet sind. Der Systemträger St, der in der Praxis häufig auch als Leadframe bezeichnet wird, besteht beispielsweise aus CuFe3 oder CuNi3.In the first exemplary embodiment shown with reference to FIGS. 1 to 4, it is assumed that a system carrier denoted by St has an electronic component B glued onto its centrally arranged island. The connection surfaces of this component B, which cannot be seen in more detail, are connected by fine bonding wires Bd to the inner ends of connection legs, these connection legs of the system carrier St being generally referred to here as metal bushings M. The system carrier St, which is often referred to in practice as a leadframe, consists for example of CuFe3 or CuNi3.

Gemäß Fig. 2 wird auf die späteren Aus- oder Durchtrittsbereiche der Metalldurchführun­ gen M allseitig eine thermische Isolationsschicht I aus Kunststoff aufgebracht. Das Aufbrin­ gen dieser thermischen Isolationsschicht I ist aus den Fig. 6 und 7 ersichtlich, die Quer­ schnitte durch den Aus- oder Durchtrittsbereich einer Metalldurchführung M zeigen. Dabei wird zunächst gemäß Fig. 6 auf die Ober- und Unterseite der Metalldurchführungen M im späteren Aus- oder Durchtrittsbereich die flüssige oder pastöse Vorstufe eines duroplasti­ schen Kunststoffes aufgedruckt, wobei im geschilderten Ausführungsbeispiel eine Polyimid­ vorstufe mit Hilfe eines Stempels aufgebracht wurde. Der aufgedruckte duroplastische Kunststoff wird anschließend unter Einwirkung von Wärme vorgehärtet, wobei sich dabei durch das Zerfließen des Kunststoffes von selbst die aus Fig. 7 ersichtliche allseitige und beispielsweise 10 µm starke Beschichtung der Metalldurchführungen M im späteren Aus- oder Durchtrittsbereich ergibt. Die Vorhärtung wird beispielsweise 30 Minuten lang bei einer Temperatur von 160°C durchgeführt.According to Fig. 2 of the Metalldurchführun gen M is applied on all sides, a thermal insulation layer I made of plastic to the later removal or passage regions. The Aufbrin gene of this thermal insulation layer I can be seen from FIGS . 6 and 7, the cross sections through the exit or passage area of a metal bushing M show. In this case, first as shown in FIG. 6 is printed on the top and bottom of the metal bushings M in the later removal or the passage region, the liquid or paste-like precursor of a duroplasti rule plastic material, wherein in the described embodiment, a polyimide precursor by means of a stamp has been applied. The printed thermosetting plastic is then pre-hardened under the action of heat, the melting of the plastic automatically resulting in the all-round coating of the metal bushings M, for example 10 μm thick, in the later exit or passage area, as shown in FIG. 7. The pre-curing is carried out, for example, at a temperature of 160 ° C. for 30 minutes.

Nach dem partiellen Aufbringen der thermischen Isolationsschicht I wird das gesamte in Fig. 2 dargestellte Gebilde in eine Spritzgießform eingelegt, in welcher ein den Aus- oder Durchtrittsbereich der Metalldurchführungen M vollständig umschließender Verkapselungs­ teil Vt aus einem thermoplastischen Kunststoff an den Systemträger St angeformt wird. Die­ ser aus Fig. 3 ersichtliche Verkapselungsteil Vt bildet einen Thermoplastrahmen, wobei im geschilderten Ausführungsbeispiel zur Herstellung des Verkapselungsteils Vt durch Spritz­ gießen Blends von Flüssigkeitskristallpolymeren mit Polyarylenetherketon verwendet wurden. After the partial application of the thermal insulation layer I, the entire structure shown in FIG. 2 is placed in an injection mold, in which an encapsulation part Vt completely surrounding the exit or passage area of the metal bushings M is molded onto the system support St from a thermoplastic plastic. The encapsulation part Vt shown in FIG. 3 forms a thermoplastic frame, blends of liquid crystal polymers with polyarylene ether ketone being used in the exemplary embodiment described to produce the encapsulation part Vt by injection molding.

Ein derartiger thermoplastischer Kunststoff kann beispielsweise unter dem Handelsnamen ULTRAPEK von der BASF Aktiengesellschaft, Ludwigshafen, DE bezogen werden. Beim Spritzgießen wird durch die Wärmedämmung der thermischen Isolationsschicht I die flüssi­ ge Phase des thermoplastischen Kunststoffes länger aufrechterhalten, so daß sich eine be­ sonders innige und dichte Verbindung zwischen den Aus- oder Durchtrittsbereichen der Metalldurchführungen M, der thermischen Isolationsschicht I und dem rahmenförmigen Verkapselungsteil Vt ergibt.Such a thermoplastic material can, for example, under the trade name ULTRAPEK can be obtained from BASF Aktiengesellschaft, Ludwigshafen, DE. At the Injection molding is the liquid by thermal insulation of the thermal insulation layer I. Ge phase of the thermoplastic material maintained longer, so that a be particularly intimate and dense connection between the exit or passage areas of the Metal bushings M, the thermal insulation layer I and the frame-shaped Encapsulation part Vt results.

Zur Fertigstellung der insgesamt mit V1 bezeichneten Verkapselung wird dann gemäß Fig. 4 der rahmenförmige Verkapselungsteil Vt mit einem oberen Deckel Do und einem unteren Deckel Du verschweißt. Für die beiden Deckel Do und Du wird dabei vorzugsweise das gleiche Material wie für den Verkapselungsteil Vt gewählt, so daß sich bei der Verschwei­ ßung eine hermetisch dichte Verbindung ergibt.To complete the encapsulation, generally designated V1 is then as shown in FIG. 4 the frame-shaped capping part Vt with an upper lid and a lower lid Do you welded. For the two covers Do and Du, the same material is preferably chosen as for the encapsulation part Vt, so that there is a hermetically sealed connection during the welding.

Fig. 5 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel, bei welchem bis zum Aufbringen der thermi­ schen Isolationsschicht I wie bei dem vorstehend beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel vorgegangen wird. Danach wird das in Fig. 2 dargestellte Gebilde jedoch in eine Spritz­ gießform eingelegt, in welcher gemäß Fig. 5 zur Fertigstellung der hier insgesamt mit V2 bezeichneten Verkapselung der innere Bereich des Systemträgers St zusammen mit dem elektronischen Bauelement B und den Bonddrähten Bt vollständig in den thermoplastischen Kunststoff eingebettet wird. Dabei können die empfindlichen Bereiche vor dem Spritzgießen gegebenenfalls in bekannter Weise mit einem elastischen Material abgedeckt und damit ge­ schützt werden. Fig. 5 shows a second embodiment, in which up to the application of the thermal insulation layer I's proceed as in the first embodiment described above. Thereafter, however, the structure shown in FIG. 2 is inserted into an injection mold, in which, according to FIG. 5, the inner area of the system carrier St together with the electronic component B and the bonding wires Bt are completely encased in FIG thermoplastic is embedded. The sensitive areas can be optionally covered in a known manner with an elastic material before injection molding and thus protected ge.

Das in den Ausführungsbeispielen zur Bildung der thermischen Isolationsschicht verwendete Polyimid kann auch durch fotolithografische Strukturierung auf den Aus- oder Durchtritts­ bereich der Metalldurchführungen aufgebracht werden. Neben Polyimid können auch andere duoplastische Kunststoffe, wie z. B. Acrylat zur Bildung der thermischen Isolationsschicht verwendet werden. Die Verwendung von thermoplastischem Kunststoff zur Bildung der thermischen Isolationsschicht ist grundsätzlich auch möglich, soweit das Problem der par­ tiellen Aufbringung auf die Aus- oder Durchtrittsbereiche der Metalldurchführungen gelöst werden kann. So kann z. B. Parylene aus der Dampfphase auf die späteren Aus- oder Durchtrittsbereiche der Metalldurchführungen abgeschieden werden.That used in the exemplary embodiments to form the thermal insulation layer Polyimide can also be photolithographically patterned on the exit or passage area of the metal bushings. In addition to polyimide, others can duoplastic plastics, such as. B. acrylate to form the thermal insulation layer be used. The use of thermoplastic to form the thermal insulation layer is also possible in principle, insofar as the problem of par tical application to the exit or passage areas of the metal bushings solved can be. So z. B. Parylene from the vapor phase on the later off or Passage areas of the metal bushings are separated.

Neben dem in den Ausführungsbeispielen für die Verkapselung oder den Verkapselungsteil verwendeten Material können auch Flüssigkristallpolymere mit großem Erfolg verwendet werden. So wurden beispielsweise mit einem Flüssigkristallpolymer, das unter dem Han­ delsnamen VECTRA von der Hoechst AG, Frankfurt/Main, DE bezogen werden kann, her­ vorragende Ergebnisse erzielt. Andere HT-Thermoplaste, wie PEK, PPS, PES, PSU und PET sind zum Spritzgießen der Verkapselung oder des Verkapselungsteils ebenfalls geeig­ net.In addition to that in the exemplary embodiments for the encapsulation or the encapsulation part material used, liquid crystal polymers can also be used with great success become. For example, with a liquid crystal polymer, which is under the Han VECTRA can be obtained from Hoechst AG, Frankfurt / Main, DE  excellent results achieved. Other HT thermoplastics such as PEK, PPS, PES, PSU and PET are also suitable for injection molding the encapsulation or the encapsulation part net.

Claims (18)

1. Verfahren zum Verkapseln von elektrischen oder elektronischen Bauelementen (B) oder Baugruppen, bei welchem zunächst auf die späteren Durch- oder Austrittsbereiche von Metalldurchführungen (M) allseitig eine thermische Isolationsschicht (I) aus Kunststoff auf­ gebracht wird und dann die Verkapselung (V2) oder zumindest ein den Durch- oder Aus­ trittsbereich der Metalldurchführungen (M) vollständig umschließender Verkapselungsteil (Vt) aus einem thermoplastischen Kunststoff durch Spritzgießen hergestellt wird.1. Method for encapsulating electrical or electronic components (B) or Assemblies, which initially focus on the later passage or exit areas of Metal bushings (M) on all sides have a thermal insulation layer (I) made of plastic is brought and then the encapsulation (V2) or at least the through or off area of the metal bushings (M) completely encapsulating part (Vt) is made from a thermoplastic material by injection molding. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine mindestens 5 µm starke thermische Isolationsschicht (I) auf die Metalldurchführun­ gen (M) aufgebracht wird.2. The method according to claim 1, characterized, that a at least 5 µm thick thermal insulation layer (I) on the metal bushing gene (M) is applied. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung der thermischen Isolationsschicht (I) eine flüssige oder pastöse Vorstufe ei­ nes duroplastischen Kunststoffes auf die Metalldurchführungen (M) aufgebracht und an­ schließend unter Einwirkung von Wärme zumindest teilweise ausgehärtet wird.3. The method according to claim 1 or 2, characterized, that to form the thermal insulation layer (I) a liquid or pasty precursor nes thermosetting plastic applied to the metal bushings (M) and on finally at least partially cured under the influence of heat. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung der thermischen Isolationsschicht (I) eine Polyimidvorstufe verwendet wird.4. The method according to claim 3, characterized, that a polyimide precursor is used to form the thermal insulation layer (I) becomes. 5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die flüssige oder pastöse Vorstufe des duroplastischen Kunststoffes auf die Oberseite und Unterseite der Metalldurchführungen (M) aufgedruckt wird, wobei sich die allseitige Beschichtung durch die anschließende Wärmeeinwirkung beim Aushärten ergibt.5. The method according to claim 3 or 4, characterized, that the liquid or pasty precursor of the thermosetting plastic on the top and underside of the metal bushings (M) is printed, the all-sided Coating results from the subsequent exposure to heat during curing. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die partielle Aufbringung der thermischen Isolationsschicht (I) in den späteren Aus- oder Durchtrittsbereichen der Metalldurchführungen (M) durch fotolithografische Struktu­ rierung vorgenommen wird. 6. The method according to any one of claims 3 or 4, characterized, that the partial application of the thermal insulation layer (I) in the later removal or passage areas of the metal feedthroughs (M) through photolithographic structure ration is made.   7. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung der thermischen Isolationsschicht (I) ein thermoplastischer Kunststoff aus der Dampfphase auf den Metalldurchführungen (M) abgeschieden wird.7. The method according to claim 1 or 2, characterized, that to form the thermal insulation layer (I) a thermoplastic material the vapor phase is deposited on the metal bushings (M). 8. Verfahren nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch die Abscheidung von Parylene aus der Dampfphase.8. The method according to claim 7, marked by the separation of parylene from the vapor phase. 9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zum Spritzgießen der Verkapselung (V2) oder des Verkapselungsteils (Vt) Flüssigkri­ stallpolymere oder Blends von Flüssigkristallpolymeren verwendet werden.9. The method according to any one of the preceding claims, characterized, that for injection molding the encapsulation (V2) or the encapsulation part (Vt) liquid crystal stall polymers or blends of liquid crystal polymers can be used. 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß Blends von Flüssigkristallpolymeren mit Polyarylenetherketon verwendet werden.10. The method according to claim 9, characterized, that blends of liquid crystal polymers with polyarylene ether ketone are used. 11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Verkapselungsteil (Vt) rahmenförmig ausgebildet und anschließend mit einem obe­ ren Deckel (Do) und einem unteren Deckel (Du) verschweißt wird.11. The method according to any one of the preceding claims, characterized, that the encapsulation part (Vt) is frame-shaped and then with an obe Ren lid (Do) and a lower lid (Du) is welded. 12. Verkapselung (V1; V2) von elektrischen oder elektronischen Bauelementen (B) oder Baugruppen, bei welcher auf die Durch- oder Austrittsbereiche von Metalldurchführungen (M) eine thermische Isolationsschicht (I) aus Kunststoff aufgebracht ist, und die entweder vollständig oder zumindest in Form eines dem Durch- oder Austrittsbereich der Metall­ durchführungen (M) vollständig umschließenden Verkapselungsteils (Vt) aus einem spritz­ gegossenen, thermoplastischen Kunststoff besteht.12. Encapsulation (V1; V2) of electrical or electronic components (B) or Assemblies in which the passage or exit areas of metal bushings (M) a thermal insulation layer (I) made of plastic is applied, and either completely or at least in the form of a passage or exit area of the metal bushings (M) completely enclosing encapsulation part (Vt) from one injection molded, thermoplastic plastic. 13. Verkapselung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die thermische Isolationsschicht (I) mindestens 5 µm stark ist.13. Encapsulation according to claim 12, characterized, that the thermal insulation layer (I) is at least 5 µm thick. 14. Verkapselung nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß die thermische Isolationsschicht (I) aus einem duroplastischen Kunststoff besteht. 14. Encapsulation according to claim 12 or 13, characterized, that the thermal insulation layer (I) consists of a thermosetting plastic.   15. Verkapselung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die thermische Isolationsschicht aus Polymid besteht.15. Encapsulation according to claim 14, characterized, that the thermal insulation layer consists of polymide. 16. Verkapselung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die thermische Isolationsschicht (I) aus Parylene besteht.16. Encapsulation according to claim 12, characterized, that the thermal insulation layer (I) consists of parylene. 17. Verkapselung nach einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die spritzgegossene Verkapselung (V2) oder der spritzgegossene Verkapselungsteil (Vt) aus einem Flüssigkristallpolymer oder einer Flüssigkristallpolymermischung besteht.17. Encapsulation according to one of claims 12 to 15, characterized, that the injection molded encapsulation (V2) or the injection molded encapsulation part (Vt) consists of a liquid crystal polymer or a liquid crystal polymer mixture. 18. Verkapselung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die spritzgegossene Verkapselung (V2) oder der spritzgegossene Verkapselungsteil (Vt) aus einer Mischung von Flüssigkristallpolymeren mit Polyarylenetherketon besteht.18. Encapsulation according to claim 17, characterized, that the injection molded encapsulation (V2) or the injection molded encapsulation part (Vt) consists of a mixture of liquid crystal polymers with polyarylene ether ketone.
DE4325712A 1993-07-30 1993-07-30 Process for encapsulating electrical or electronic components or assemblies and encapsulating electrical or electronic components or assemblies Expired - Fee Related DE4325712C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4325712A DE4325712C2 (en) 1993-07-30 1993-07-30 Process for encapsulating electrical or electronic components or assemblies and encapsulating electrical or electronic components or assemblies

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4325712A DE4325712C2 (en) 1993-07-30 1993-07-30 Process for encapsulating electrical or electronic components or assemblies and encapsulating electrical or electronic components or assemblies

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4325712A1 true DE4325712A1 (en) 1995-02-02
DE4325712C2 DE4325712C2 (en) 1996-03-21

Family

ID=6494144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4325712A Expired - Fee Related DE4325712C2 (en) 1993-07-30 1993-07-30 Process for encapsulating electrical or electronic components or assemblies and encapsulating electrical or electronic components or assemblies

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE4325712C2 (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19535989A1 (en) * 1995-09-27 1997-04-03 Siemens Ag Chip module
DE19604614A1 (en) * 1996-02-08 1997-08-14 Bayerische Motoren Werke Ag Encapsulated electronic control device e.g. for motor vehicles
DE19624478A1 (en) * 1996-02-08 1998-01-02 Bayerische Motoren Werke Ag Method of manufacturing an electronic control device
US6072698A (en) * 1995-09-27 2000-06-06 Siemens Aktiengesellschaft Chip module with heat insulation for incorporation into a chip card
US6340791B1 (en) 1998-08-22 2002-01-22 Mannesmann Vdo Ag Means and process for encapsulating electric circuits by means of injection molding
DE19637285B4 (en) * 1995-09-19 2004-08-26 National Semiconductor Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Santa Clara Semiconductor device and method of assembling the same
DE10305364B4 (en) * 2002-03-28 2008-05-08 Siemens Ag Method of manufacturing an electronic device and electronic device
DE102015216217A1 (en) * 2015-08-25 2017-03-02 Continental Teves Ag & Co. Ohg Method of encasing an electrical unit and electrical component
DE102016208782A1 (en) * 2016-05-20 2017-11-23 Continental Teves Ag & Co. Ohg Method of encasing an electrical unit and electrical component
DE102016208783A1 (en) * 2016-05-20 2017-11-23 Continental Teves Ag & Co. Ohg Method of encasing an electrical unit and electrical component

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0157938A2 (en) * 1984-03-23 1985-10-16 Siemens Aktiengesellschaft Case for electrical components
EP0383025A1 (en) * 1989-01-16 1990-08-22 Siemens Aktiengesellschaft Device for enclosing of electrical or electronical components or component groups and enclosing of electrical or electronical components or component groups
EP0401017A2 (en) * 1989-05-31 1990-12-05 Texas Instruments Incorporated Method of producing a post molded cavity package with internal dam bar for integrated circuit
US4985751A (en) * 1988-09-13 1991-01-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resin-encapsulated semiconductor devices

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0157938A2 (en) * 1984-03-23 1985-10-16 Siemens Aktiengesellschaft Case for electrical components
US4985751A (en) * 1988-09-13 1991-01-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resin-encapsulated semiconductor devices
EP0383025A1 (en) * 1989-01-16 1990-08-22 Siemens Aktiengesellschaft Device for enclosing of electrical or electronical components or component groups and enclosing of electrical or electronical components or component groups
EP0401017A2 (en) * 1989-05-31 1990-12-05 Texas Instruments Incorporated Method of producing a post molded cavity package with internal dam bar for integrated circuit

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
H.-J. Hacke: "Montage Integrierter Schaltungen" Springer Verl. Berlin (1987), S. 135-136 *
Hg R.R. Tummala: "Microelectronics Packaging Handbook" Val. van Nortrand Reinhold, New York (1989), S. 650-654 *

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19637285B4 (en) * 1995-09-19 2004-08-26 National Semiconductor Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Santa Clara Semiconductor device and method of assembling the same
US6072698A (en) * 1995-09-27 2000-06-06 Siemens Aktiengesellschaft Chip module with heat insulation for incorporation into a chip card
DE19535989C3 (en) * 1995-09-27 2003-03-27 Siemens Ag chip module
DE19535989A1 (en) * 1995-09-27 1997-04-03 Siemens Ag Chip module
US5887342A (en) * 1996-02-08 1999-03-30 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Method for making an electronic control unit
DE19624478A1 (en) * 1996-02-08 1998-01-02 Bayerische Motoren Werke Ag Method of manufacturing an electronic control device
DE19604614A1 (en) * 1996-02-08 1997-08-14 Bayerische Motoren Werke Ag Encapsulated electronic control device e.g. for motor vehicles
US6340791B1 (en) 1998-08-22 2002-01-22 Mannesmann Vdo Ag Means and process for encapsulating electric circuits by means of injection molding
DE10305364B4 (en) * 2002-03-28 2008-05-08 Siemens Ag Method of manufacturing an electronic device and electronic device
DE102015216217A1 (en) * 2015-08-25 2017-03-02 Continental Teves Ag & Co. Ohg Method of encasing an electrical unit and electrical component
US10390435B2 (en) 2015-08-25 2019-08-20 Continental Teves Ag & Co. Ohg Method for encasing an electric unit and electrical structural element
DE102016208782A1 (en) * 2016-05-20 2017-11-23 Continental Teves Ag & Co. Ohg Method of encasing an electrical unit and electrical component
DE102016208783A1 (en) * 2016-05-20 2017-11-23 Continental Teves Ag & Co. Ohg Method of encasing an electrical unit and electrical component

Also Published As

Publication number Publication date
DE4325712C2 (en) 1996-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69426347T2 (en) Method of mounting a semiconductor device on a circuit board and a circuit board with a semiconductor device thereon
DE69209772T2 (en) HOUSING ARRANGEMENT FOR A FUNCTIONAL COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD
DE69008702T2 (en) Semiconductor package with conductors that can be separated from carriers.
EP0383025B1 (en) Device for enclosing of electrical or electronical components or component groups and enclosing of electrical or electronical components or component groups
DE19518753B4 (en) Semiconductor device and method for its production
EP2163145B1 (en) Electronic module and method for producing an electronic module
DE4325712C2 (en) Process for encapsulating electrical or electronic components or assemblies and encapsulating electrical or electronic components or assemblies
DE3029123A1 (en) PLASTIC-ENCLOSED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION
EP1380056A2 (en) Optoelectronic component array and method for the production of an optoelectronic component array
DE3623419C2 (en)
DE3688164T2 (en) Pack with a substrate and at least one electronic component.
DE10355068B4 (en) Method for mounting and encapsulating an integrated circuit
EP1357774A1 (en) Method for fabricating a plastic coated conductive structure of an electrical circuit unit as well as an electrical circuit unit comprising a plastic coated conductive structure
DE69417329T2 (en) Resin sealed semiconductor device
DE10232788A1 (en) Electronic component with semiconducting chip has inner flat conductor ends arranged in block region to overlap, organoceramic insulation, adhesive and heat conducting coating between ends and block
DE4436523A1 (en) Method for manufacturing sealed electronic revolution counter
EP2305015B1 (en) Sealing frame and method for covering a component
EP1619759B1 (en) Electrical connection with cross-section transition, procedure and manufacturing and laminated glass with such connection
DE102015223668B4 (en) Method for producing an electronic assembly overmoulded with plastic, such an electronic assembly, and a capacitive sensor
DE4037555A1 (en) Card contg. semiconductors on PCB and battery - mfd. by moulding of PCB and battery compartment in thermosetting resin and sealing the compartment after battery injection
EP0071233B1 (en) Electrical component, component group or integrated circuit put in a container
DE202017101319U1 (en) Photonics module
DE3522091A1 (en) Hybrid circuit with envelope
EP0562388A1 (en) Manufacturing method and apparatus for carrier elements with IC modules in ID-cards
EP0835523A1 (en) Process for packaging a pressure-sensitive electronic circuit in a protective housing sealed all around

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee