DE4311173A1 - Verfahren zur stromlosen Abscheidung eines Metalls über einer Halbleiteroberfläche - Google Patents
Verfahren zur stromlosen Abscheidung eines Metalls über einer HalbleiteroberflächeInfo
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- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
- C23C18/1886—Multistep pretreatment
- C23C18/1893—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
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Description
Zur Metallisierung von nicht- oder halbleitenden Oberflä
chen können, alternativ zu den üblichen Verfahren wie CVD,
Sputtern oder Aufdampfen Metallsalzbäder verwendet werden,
aus denen das Metall elektrolytisch oder außenstromlos
(= chemisch) abgeschieden wird. Dies erfordert jedoch zu
nächst eine leitfähige Metallhaftschicht, die es zu ver
stärken gilt. Diese Schicht kann durch die bereits erwähn
ten klassichen Metallisierungsverfahren erzeugt werden.
Bei einer Verstärkung durch außen stromlose Metallabschei
dung genügt bereits eine Keimschicht aus zum Beispiel Pal
ladium, die aus einer ionogenen oder kolloiden Lösung ab
geschieden wird.
Die Keimschicht läßt sich üblicherweise nicht elektroly
tisch, jedoch stromlos durch Abscheidung von Nickel, Kup
fer oder anderen Metallen mit ausreichender elektrischer
Leitfähigkeit verstärken.
Eine solche Metallisierung wird zum Beispiel bei der Her
stellung der Oberflächenkontakte von Solarzellen einge
setzt. Vorzugsweise kann dabei die aus der Lösung abgeschie
dene Palladiumkeimschicht zunächst stromlos vernickelt und
anschließend ebenfalls stromlos mit Kupfer verstärkt werden.
Eine Verstärkung der Nickelschicht mit für diesen Zweck
besser geeignetem Silber gelingt in der für die Stromablei
tung erforderlichen Schichtdicke bislang nur galvanisch
(elektrolytisch).
Nachteilig an den bekannten Metallisierungsverfahren ist
deren hoher Verfahrensaufwand, der sich aus der Verwendung
von mehreren verschiedenen (zum Beispiel drei) Metallisie
rungsbädern oder aus der umständlichen Kontaktierung der
zu metallisierenden Oberflächen bei galvanischer Abschei
dung ergibt. Weitere Nachteile der bekannten Metallisie
rungsverfahren liegen in der zum Teil chemischen Aggres
sivität der verwendeten Metallisierungsbäder, die in Ver
bindung mit der teilweise erforderlichen hohen Betriebs
temperatur und den langen Abscheidezeiten zu Beschädigun
gen der Oberfläche bzw. des Bauteils an nicht zu metalli
sierenden Oberflächen führen können.
Aus der DE-OS 23 48 182 ist ein Verfahren zur Metalli
sierung eines Halbleiterbauelements bekannt, bei dem durch
Bestrahlung eines pn-Übergangs Photostrom erzeugt wird,
welcher gegen eine Gegenelektrode abgeleitet in einem
Metallisierungsbad zu einer Metallabscheidung führt.
Nachteilig an diesem Verfahren ist, daß auf der Katho
denseite nur soviel Metall abgeschieden werden kann, wie
an der Gegenelektrode wieder in Lösung geht.
Aus der DE-OS 25 46 697 ist ein Verfahren bekannt, mit dem
ein Metall stromlos auf eine im Gitter gestörte Galliumar
senidoberfläche abgeschieden werden kann. Nachteilig an
dieser Methode ist, daß die für die Abscheidung erforder
liche Gitterstörung stets mit einer mechanischen Beschädi
gung der Oberfläche verbunden ist, da sie beispielsweise
durch Ionenbeschuß, Kratzen oder Schleifen der Oberfläche
erfolgt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein ein
faches Verfahren zur schnellen Metallisierung von Halblei
teroberflächen unter schonenden Bedingungen anzugeben,
welches insbesondere zur Herstellung der Vorderseitenkontak
te von Solarzellen geeignet ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfah
ren mit den Merkmalen von Anspruch 1.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprü
chen zu entnehmen.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren kann das Spektrum der
anwendbaren Metallisierungsbäder erweitert werden. Da be
reits bei Raumtemperatur eine Reihe von Metallen auf be
liebigen Halbleiteroberflächen abgeschieden werden kann,
wird dadurch die Gefahr verringert, daß es durch das Me
tallisierungsbad zur Beschädigung der Halbleiteroberfläche
oder beliebiger darauf, darin oder darunter erzeugter Struk
turen kommt.Dies ermöglicht zum Beispiel den erweiterten
Einsatz von Positiv-Photoresists zur Maskierung nicht zu
metallisierender Oberflächenbereiche. Bei den verringerten
Badtemperaturen genügt eine geringere Aushärtungstiefe des
Resists, so daß er hinterher auch ohne oxidative Zerstörung
leicht wieder abgelöst werden kann. Die Abscheidegeschwin
digkeit ist unter anderem von der Temperatur, vom Abstand
der Strahlungsquelle zur Halbleiteroberfläche und von der
Leistung derselben abhängig. Bereits eine mittlere Lei
stung der Strahlungsquelle reicht aus, um bei einigen gal
vanischen Bädern eine vergleichbare Abscheidegeschwindig
keit zu erzielen, wie bei der galvanischen Metallisierung.
Durch die Bestrahlung werden im Halbleiter Ladungsträger
paare erzeugt. Die freigesetzten Elektronen ermöglichen die
Reduktion der Metallionen an oder über der n-leitenden
Halbleiteroberfläche.
Entsprechend dem allgemeinen Prinzip können unterschied
liche Halbleiter ausgewählt sein. Möglich sind reine
Elementhalbleiter, zum Beispiel Silizium oder Germanium,
Halbleiterlegierungen, zum Beispiel Silizium-Germanium-
Legierungen, Verbindungshalbleiter vom Typ III-V, zum
Beispiel Galliumarsenid oder Indiumphospid, vom Typ II-VI,
zum Beispiel Kadmiumtellurid, Kadmiumsulfid, Zinksulfid,
Zinkoxid, oder Kadmiumselenid, oder vom Typ I-III-VI2, zum
Beispiel Kupferindium (Gallium) Diselenid (Sulfid) oder
organische Halbleiter. Ebenso kann der Halbleiterübergang
ein Homoübergang sein, der zum Beispiel durch unterschied
liche Dotierung oder durch variierende Stöchiometrie er
zeugt ist, oder einen Heteroübergang an der Grenzfläche
zwischen Schichten aus verschiedenen Halbleitermaterialien
darstellen.
Die Elektrodenstruktur ist dabei vorzugsweise feinstruk
turiert. Dabei ist gewährleistet, daß im Schritt D selbst
mit zunehmender Abscheidung von Metall noch ausreichend
Licht zur Halbleiteroberfläche gelangen und dort absorb
iert werden kann. Die nicht bekeimten bzw. die maskierten
Bereiche der Halbleiteroberfläche können dabei von einer
nicht leitenden aber hinreichend transparenten Schicht
bedeckt sein oder auch freiliegende Halbleiteroberfläche
darstellen. Im letzteren Fall findet die Metallabscheidung
ausschließlich auf den elektrisch besser leitenden mit
einer Nickelschicht versehenen Strukturen über der n-lei
tenden Oberfläche statt, und nicht auf der Halbleiterober
fläche direkt.
Die vorzugsweise in Form eines feinen Musters strukturier
te und aufgebrachte Palladiumkeimschicht kann eine durch
gehende und dichte Schicht oder eine Schicht einzelner
Palladiumkeime sein.
Vorzugsweise wird das erfindungsgemäße Verfahren zur
Herstellung der Vorderseitenkontakte von Solarzellen aus
Silizium verwendet.
An die zur erfindungsgemäßen Abscheidung der Metalle in
Schritt C und D verwendeten Lösungen werden keine beson
deren Anforderungen gestellt. Obwohl es sich um ein strom
loses Abscheideverfahren handelt, kann dennoch auf die,
für stromlose Metallisierungsbäder üblichen Reduktions
mittel verzichtet werden, wenn die Halbleiteroberflache
während der Abscheidung beleuchtet wird. Somit kann auch
ein üblicherweise für galvanische Metallisierungen ver
wendetes Bad benutzt werden. Geeignet sind naturgemäß
farblose bis schwach gefärbte Bäder.
Im folgenden wird das Verfahren anhand von Ausführungsbei
spielen und der dazugehörigen sechs Figuren näher beschrie
ben. Dabei zeigen die
Fig. 1 bis 3 im schematischen Querschnitt verschiedene
Halbleiteroberflächen, über denen mit dem erfin
dungsgemäßen Verfahren ein Metall abgeschieden
werden kann;
Fig. 4 zeigt eine erfindungsgemäß erzeugte Metallstruk
tur,
Fig. 5 zeigt eine Anordnung zur Durchführung des erfin
dungsgemäßen Verfahrens,
Fig. 6 zeigt eine mit dem erfindungsgemäßen Verfahren
hergestellte Vorderseitenkontaktierung einer Solar
zelle in der Draufsicht, während,
Fig. 7 eine Anordnung zur kontinuierlichen Durchführung
des Verfahrens darstellt.
Fig. 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen
Halbleiterkörper HL, beispielsweise einen Wafer. In der
Nähe der dargestellten Oberfläche befindet sich ein Halb
leiterübergang Üb, der beispielsweise durch Eindiffundieren
eines n-Dotierstoffes in einen p-dotierten Wafer erzeugt
ist. Die Oberfläche des Halbleiterkörpers HL ist mit einer
Passivierungsschicht PS bedeckt, welche Öffnungen Of auf
weist, in denen die Oberfläche des Halbleiterkörpers HL
freigelegt ist. Die Öffnungen sind in Form eines Musters
gemäß einer gewünschten Elektrodenstruktur ausgebildet.
Die Passivierungsschicht PS besteht üblicherweise aus
Siliziumdioxid oder aus Siliziumnitrid.
Die Muster können beispielsweise mittels einer Photolitho
graphie hergestellt werden, wobei über der ganzflächigen
Passivierungsschicht PS ganzflächig eine Photolackschicht
aufgebracht, gemäß dem gewünschten Muster belichtet und
entwickelt wird, und die verbleibende Photolackstruktur
als Ätzmaske zum naßchemischen Ätzen der Öffnungen OF in
der Passivierungsschicht PS dient. Ist die Passivierungs
schicht eine Oxid- oder Nitridschicht, so kann dazu eine
Fluoridionen enthaltende Ätzlösung verwendet werden.
Fig. 2: Beim gleichen Halbleiterkörper HL können die Öff
nungen in der Passivierungsschicht PS auch in Form von
Gräben GR ausgebildet sein, welche Vertiefungen in der
Halbleiteroberfläche mit umfassen. Die Herstellung solcher
Gräben GR gemäß einem gewünschten Muster kann ebenfalls
über eine Photolithographie erfolgen, wobei zunächst Öff
nungen OF gemäß Fig. 1 in der Passivierungsschicht PS er
zeugt werden, und der Graben Gr schließlich durch einen
weiteren naßchemischen Ätzschritt mit der strukturierten
Passivierungsschicht als Ätzmaske erzeugt wird. Besteht
der Halbleiterkörper aus Silizium, kann dafür eine basi
sche Ätzlösung verwendet werden.
Eine direkte Erzeugung der Gräben Gr gelingt durch Laser
schreiben oder mechanisch, zum Beispiel durch Ritzen oder
Sägen mit einem diamantbesetzten Werkzeug.
Kommt es durch das Erzeugen der Gräben Gr zu einer Beschä
digung des Übergangs Üb, kann dieser durch einen zusätzli
chen Dotierschritt, zum Beispiel eine Phosphordiffusion in
den Gräben Gr wiederhergestellt oder verstärkt werden.
Auf der in den Öffnungen OF bzw. den Gräben GR freigeleg
ten Oberfläche des Halbleiterkörpers HL wird nun direkt
eine leitfähige Schicht LS zu erzeugt. Dies kann zum
Beispiel durch Bekeimung in einer ionogenen Palladiumlö
sung erfolgen, wobei sich innerhalb kürzester Zeit eine
dünne Palladiumkeimschicht LS ausbildet. In den Fig. 1
und 2 ist bereits eine solche leitfähige Schicht LS dar
gestellt.
Fig. 3: In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung
kann ein Halbleiterkörper HL mit einem p-dotierten Bereich,
einem n-dotierten Bereich und einem dazwischen ausgebilde
ten Halbleiterübergang zunächst direkt mit einer struktu
rierten leitfähigen Schicht LS versehen werden. Eine gemäß
einem gewünschten Muster strukturierte leitfähige Schicht
LS kann beispielsweise durch ein Druckverfahren mittels
einer leitfähigen Paste erzeugt werden. Neuerdings ist es
auch möglich, eine strukturierte leitfähige Schicht LS
durch Belichten mit UV oder Laserblitz einer mit einem
Palladiumkomplex benetzten Oberfläche zu erzeugen. Durch
photolytische Zersetzung des Palladiumkomplexes infolge
der bildmäßigen Belichtung wird metallisches Palladium
abgeschieden und kann so die strukturierte Schicht LS er
zeugen.
Eine weitere Möglichkeit besteht darin, eine strukturierte
leitfähige Schicht LS aus einem transparenten leitfähigen
Oxid (TCO) zu erzeugen und darauf lichtunterstützt eine
Metallschicht abzuscheiden, beispielsweise eine Silber
schicht. Die Silberabscheidung gelingt direkt auf der in
Form einer Elektrodenstruktur strukturierten TCO-Schicht LS.
Im ersten Ausführungsbeispiel sollen mit Hilfe des erfin
dungsgemäßen Verfahrens die Vorderseitenkontakte von Solar
zellen aus kristallinem Silizium erzeugt werden. Dazu wird
das gewünschte Muster des Vorderseitenkontaktes gemäß
Fig. 1 oder 2 hergestellt, wobei die leitfähige Schicht LS
auf der in der Passivierungsschicht freigelegten Halblei
teroberfläche durch Eintauchen in eine ionogene Palladium
lösung die zum Beispiel 150 mg Palladiumchlorid in 1 Liter
1-5 prozentiger Fluorwasserstoffsäure enthält, erzeugt
wird. Nach ca. 30 bis 240 Sekunden ist eine ausreichende
Schichtdicke bzw. eine geschlossene dünne Palladiumschicht
LS erzeugt. Das Palladium scheidet sich dabei aus
schließlich auf der freien Halbleiteroberfläche ab.
Mit der Fluorwasserstoffsäure wird erreicht, daß selbst
solche Siliziumoberflächen mit Palladium bekeimt werden,
die mit einer dünnen Oxid- oder Nitridschicht bedeckt sind.
Werden beispielsweise nach dem Öffnen von Gräben in der
Passivierungsschicht PS die Rückseitenkontakte der Solar
zelle durch Siebdruck erzeugt und anschließend eingebrannt,
so bildet sich während des Einbrennens eine dünne Oxid
schicht in den Gräben aus, die mit der Fluorwasserstoff
säure-haltigen Palladiumlösung wieder entfernt werden
kann.
Fig. 5: Die Halbleiterscheiben HLS (Solarzellen) werden
nun hordenweise in Gestelle Ge eingestellt, wobei ein Ab
stand von einigen Zentimetern eingehalten werden sollte.
In einem Metallisierungsbad MB, zum Beispiel einem Glas
becken, wird die Metallionen enthaltende Lösung vorberei
tet. Zur besseren Lichtausnutzung beim Bestrahlen können
Seitenwände und/oder Boden des Metallisierungsbades MB re
flektierend sein, oder eine reflektierende Beschichtung,
zum Beispiel mit Aluminiumfolie aufweisen oder verspiegelt
sein.
Zum Erzeugen der Nickelschicht wird ein käufliches Nickel
bad Enplate ® Ni-426 oder Enplate ® Ni-414 verwen
det. Das erste Bad besitzt einen pH-Wert von ca. 6,2 und
wird bei einer Temperatur von 60 bis 70°C betrieben. Unter
Beleuchtung der Solarzellen in dem Metallisierungsbad MB
wird eine ca. 0,5 bis 2 µm dicke Nickelschicht in wenigen
Minuten erzeugt. Das zweite Nickelbad ist leicht basisch
(pH ca. 8,8) und wird bei Raumtemperatur betrieben. Nach
wenigen Minuten wird unter Beleuchtung mit einer 1000 Watt
Lampe eine 0,5 bis 1 µm dicke Nickelschicht über der Keim
schicht erzeugt. Zur Metallabscheidung werden die Gestelle
Ge mit den Halbleiterscheiben HLS in das Metallsierungs
bad MB eingestellt, wobei der Flüssigkeitsstand FS aus
reichend ist, wenn sämtliche Halbleiterscheiben HLS be
deckt sind. Mit einer einfachen, zum Beispiel 1000 Watt
starken Glühlampe als Strahlungsquelle SQ und einem Re
flektor Rf wird die Anordnung nun von oben unter geringem
Einfallswinkel gegenüber der Oberfläche der Halbleiter
scheiben bestrahlt. Die Entfernung der Strahlungsquelle SQ
zur Oberkante der nächsten Halbleiterscheibe beträgt dabei
beispielsweise 30 cm. Möglich ist natürlich auch, eine
Tauchlampe zu verwenden.
Möglich ist es auch, die Nickelschicht ohne Beleuchtung
der Halbleiteroberfläche abzuscheiden. Mit gleichzeitiger
Beleuchtung wird jedoch der Vorteil erzielt, daß bei sonst
gleichbleibenden Bedingungen die Abscheidung beschleunigt
ist, bzw. die Abscheidung bei einer um ca. 20° reduzierten
Badtemperatur durchgeführt werden kann. Dies hat den Vor
teil, daß durch die reduzierte Badtemperatur die unge
schützten aufgedruckten Rückseitenkontakte das Metalli
sierungsbad unbeschadet überstehen. Auch nach einer Me
tallisierung im basischen Milieu haften die aufgedruckten
Rückseitenkontakte noch ausgezeichnet auf der Solarzelle.
Zur weiteren Verstärkung der Elektrodenstrukturen wird nun
das weitere Metall über der Nickelschicht abgeschieden.
Wegen seiner guten elektrischen Leitfähigkeit und aus ver
fahrenstechnischen Gründen ist Silber zur Abscheidung über
der Nickel-Schicht bevorzugt. Für die Erfindung geeignet
ist zum Beispiel eine wäßrig alkalische oder neutrale
Lösung, die pro Liter 20 bis 30 gr Silber in Form eines
löslichen Silbersalzes (zum Beispiel Silbercyanid) und als
Elektrolyt 100 bis 120 gr Kaliumcyanid enthält. Ein
weiteres geeignetes Bad enthält pro Liter wäßrig neutraler
Lösung 10 bis 30 gr Silberchlorid und 100 bis 300 gr
Natriumthiosulfat.
Zur Abscheidung der Silberschicht über der Nickelschicht
kann das bereits beschriebene Metallisierungsbad mit der
verspiegelten Wanne verwendet werden, in das die Solarzel
len hordenweise in Gestelle eingestellt werden können.
Die pro Zeiteinheit erzielbare Metallisierungsstärke hängt
ab von der Badzusammensetzung, der Belichtungsstärke und
-art, von der Stärke der vorliegenden Metallisierung und
insbesondere auch von der Strukturbreite der durch die
Maskierungsschicht bzw. die damit erzeugten Gräben defi
nierten Palladiumkeimschicht und der darüberliegenden
Nickelschicht. Je schmaler die Strukturen sind, desto
schneller wächst die Metallisierungsstärke. So werden ca.
20 µm breite und 2 µm dicke Nickelschichten im Silberme
tallisierungsbad nach 6 Minuten Belichtung mit einer 1000
Watt Lampe mit einer ca. 12 bis 15 µm dicken Silberschicht
verstärkt. Werden dagegen ca. 1 mm breite Nickelstrukturen
derselben Prozedur unterworfen, so wird nach derselben Ab
scheidungszeit nur ein äußerst dünner Silberüberzug erhal
ten.
Das bedeutet, daß mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ge
rade besonders dünne Elektrodenstrukturen besonders ein
fach bzw. schnell und in guter Qualität erzeugt werden
können. Bei bekannten Verfahren dagegen nimmt die Quali
tät der Elektrodenstrukturen zusammen mit der Struktur
breite ab. In einem galvanischen Verfahren sind feine
Elektrodenstrukturen nur schwer zu kontaktieren, während
aufgedruckte Elektrodenstrukturen erst ab einer bestimmten
Strukturbreite von ca. 100 µm durchgehend elektrisch
leitend herstellbar sind.
Die Abhängigkeit der Abscheidegeschwindigkeit von der
Beleuchtungsstärke ist gering. Werden zum Beispiel die
genannten 2 µm breiten Nickelschichten bzw. die 2 µm
breiten Elektrodenstrukturen aus Nickel während der Silber
abscheidung mit einer nur 75 Watt starken Glühbirne be
leuchtet, so wird nach der selben Abscheidezeit eine halb
so dicke Silberschicht erzeugt.
Für eine beliebige Anordnung zur Durchführung des erfin
dungsgemäßen Verfahrens können Lampenleistung, Abstand der
Strahlungsquelle SQ von den Halbleiterscheiben HLS sowie
der Abstand der Halbleiterscheiben HLS untereinander im
Gestell Ge optimiert werden. Auf jeden Fall ist es mög
lich, die Vorderseitenkontakte der Solarzellen HLS horden
weise und in kürzester Zeit zu erzeugen. Dazu kommt, daß
insbesondere Silber bislang nur durch elektrolytische Ab
scheidung in einer ausreichenden Schichtdicke abgeschieden
werden konnte. Für eine 12 bis 18 µm dicke Silberschicht
sind bei galvanischer Abscheidung nach dem bisher bekann
ten Verfahren jedoch 20 bis 30 Minuten für die Abscheidung
erforderlich. Daher bietet das erfindungsgemäße Verfahren
erstmals die Möglichkeit, für Leiterbahnstrukturen geeig
nete Silberschichten stromlos auf oder über Halbleiter
schichten abzuscheiden. Da ein Hordenbetrieb möglich ist,
die zur galvanischen Abscheidung erforderliche aufwendige
elektrische Kontaktierung entfällt, und die Abscheidedauern
außerdem gegenüber der galvanischen Abscheidung wesentlich
verkürzt sind, stellt das Verfahren somit eine wesentlich
vereinfachte Silberabscheidung dar.
Von Vorteil ist es weiterhin, die Lösung im Bad MB während
der Abscheidung zu bewegen, zum Beispiel durch Rühren,
Einblasen von Gas, Umpumpen oder durch Bewegung oder
Drehung des Gestells im Bad MB.
In einer weiteren Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Ver
fahrens werden die Elektrodenstrukturen im Durchlaufver
fahren erzeugt. Dazu werden die zu metallisierenden bzw.
mit Elektrodenstrukturen zu versehenden Solarzellen auf
eine Transportvorrichtung aufgelegt, beispielsweise auf
ein Förderband. Dieses kann nun horizontal kontinuierlich
durch die drei für die Metallisierung erforderlichen Bäder
gezogen werden. Ist die Transportvorrichtung ein Förder
band, so kann sie mittels Umlenkrollen in bzw. durch die
Bäder geführt werden. Auch ohne Verwendung von Umlenk
rollen läßt sich ein Einbringen der Solarzellen unter die
Flüssigkeitsoberfläche der Metallisierungsbäder bewerk
stelligen, wenn die Fördervorrichtung samt daraufliegenden
Solarzellen bei Ein- und Austreten in bzw. aus dem Bad
durch zwei mit Moosgummi beschichtete Abquetschrollen ge
leitet wird. Mit Hilfe der Abquetschrollen können die
Solarzellen unterhalb der Flüssigkeitsoberfläche in das
Bad eingebracht werden, ohne daß dabei ein zu starkes Aus
laufen des Bads in Kauf genommen werden muß. Ein leichtes
Überlaufen in ein Überlauf- oder Auffanggefäß wird durch
Zurückpumpen der übergelaufenen Flüssigkeit in das
Metallisierungsbad ausgeglichen.
Fig. 7 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine
Vorrichtung, die eine kontinuierliche Metallisierung von
Halbleiterscheiben bzw. von Solarzellen erlaubt. Das Me
tallisierungsbad MB weist an zwei einander gegenüberliegen
den Seiten je ein Paar von weich beschichteten Quetsch
walzen QW auf. Die Halbleiterscheiben HLS werden auf einem
Transportband TB aufgelegt, welches zur Fixierung bei
spielsweise Abstandsstifte, entsprechend voneinander ent
fernte Schwellen oder den Solarzellen HLS angepaßte Ver
tiefungen aufweisen kann. Ohne weitere Umlenkrollen ver
läßt das Transportband TB das Metallisierungsbad durch das
zweite Paar von Quetschwalzen QW. Der Flüssigkeitsstand
liegt dabei oberhalb der Ein- und Auslaßöffnung zwischen
je zwei Quetschwalzen QW, die so fest aufeinanderdrücken,
daß das Bad abgedichtet ist und ein Auslaufen des Bades
verhindert wird.
Das Transportband TB kann aus einem geeigneten Kunststoff,
beispielsweise Teflon oder auch aus V4A-Stahl hergestellt
sein. Im letzteren Fall kann eine Metallisierung des elek
trisch leitenden Transportbandes verhindert werden, wenn
es im Metallisierungsbad leicht anodisch geschalten wird.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des erfin
dungsgemäßen Verfahrens wird das Transportband im silber
haltigen Metallisierungsbad als Kathode geschalten. Durch
Auflegen der Solarzellen HLS auf das Transportband wird
ein elektrischer Kontakt zur Rückseite der Solarzelle her
gestellt, der mit dem erfindungsgemäßen Verfahren die
gleichzeitige Metallisierung der Elektrodenstruktur für
die Vorderseitenkontakte und der Rückseitenkontakte er
möglicht. Voraussetzung für die gleichzeitige Metalli
sierung der Rückseite ist, daß vor der Erzeugung der
Palladiumkeimschicht die Oberfläche des Halbleiters auf
der Rückseite der Solarzelle in den zu metallisierenden
Bereichen freigelegt wird. Die Palladiumkeimschicht bildet
sich ausschließlich über freigelegten Halbleiteroberflä
chen oder über solchen Halbleiteroberflächen, die eine
dünne Oxidschicht aufweisen, die in der flußsäurehaltigen
Palladiumlösung aufgelöst werden kann. Die Nickelabschei
dung erfolgt spezifisch über den mit einer Palladiumkeim
schicht versehenen Flächen sowohl auf der Vorder- als auch
auf der Rückseite der Solarzelle HLS, da dieser Metalli
sierungsschritt rein chemisch und ohne zusätzliche Be
leuchtung durchgeführt werden kann. Erst die galvanisch
unterstützte Versilberung ist nicht mehr spezifisch und
erfolgt auch auf dem elektrisch leitenden Trägerband.
Daher wird das Trägerband nach Durchlaufen des silberhal
tigen Metallisierungsbades vorzugsweise entsilbert, bei
spielsweise durch Durchleiten durch ein Entsilberungsbad.
Die Entsilberung kann rein chemisch erfolgen, beispiels
weise durch Auf- und Ablösen der Silberschicht auf dem
Trägerband in einer Säure oder einem Komplexbildner.
Fig. 6 zeigt einen Vorderseitenkontakt einer Solarzelle
in der Draufsicht. Die Elektrodenstruktur des Vorderseiten
kontaktes besteht zum Beispiel aus zwei ca. 1,5 mm breiten
Busstrukturen BS und deutlich schmäleren senkrecht dazu
verlaufenden Leiterbahnen LB. Wie bereits erwähnt eignet
sich das erfindungsgemäße Verfahren insbesondere zur Her
stellung von feinen Leiterbahnen und Elektrodenstrukturen.
In vorteilhafter Weise wird für die Herstellung der Bus
strukturen BS ein anderes Verfahren gewählt. Beispiels
weise können als Busstrukturen aus der Chipherstellung
bekannte Bonddrähte über die erfindungsgemäß hergestellten
Elektrodenstrukturen LB gelegt werden. Da die Drähte ver
zinnt sind, gelingt ein Anlöten der Bonddrähte durch Er
hitzen der Anordnung. Da eine Temperung außerdem in vor
teilhafterweise zu einer Verdichtung und damit Verbesser
ung der Metallisierung führt, kann diese Temperung in
vorteilhafter Weise mit dem Anlöten von Bonddrähten zur
Erzeugung einer Busstruktur BS verbunden werden.
Möglich ist es auch, die dickeren Busstrukturen durch
mehrere eng nebeneinander liegende feinere Leiterbahn
strukturen zu ersetzen. Wird dabei der gegenseitige Ab
stand der feineren Leiterbahnen ausreichend klein ge
wählt, so können diese beim Aufwachsen der verstärkenden
Silberschicht zu einer breiten Busstruktur BS zusammen
wachsen.
Im gewählten Ausführungsbeispiel sind die Leiterbahnen LB
photolithographisch definiert und besitzen entsprechend
der verwendeten Photomaske eine Breite von ca. 10 µm. Der
Abstand zweier benachbarter Leiterbahnen LB beträgt ca. 1
mm. So entsteht ein dichtes Netz von stromableitenden Lei
terbahnen LB, das trotzdem zu einer nur geringen Abschat
tung an aktiver Halbleiteroberfläche führt. Trotz der ge
ringen Breite weisen die Leiterbahnen LB keine Unterbre
chung auf, so daß es auch zu keiner Behinderung des Strom
abflusses von der Oberfläche des Halbleiterkörpers bzw.
von der Oberfläche der Solarzelle kommt.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann in vorteilhafter Weise
in das Herstellungsverfahren der sogenannten Hybridkontakt-
Solarzelle eingefügt werden, welches beispielsweise in der
älteren deutschen Anmeldung P 42 09 170 vorgeschlagen
wird. Dieses umfaßt folgende Schritte:
1. Texturieren des unbehandelten p-leitenden Wafers,
2. Phosphordiffusion auf der Vorderseite zur Erzeugung
eines pn-Übergangs,
3. Oxidieren der Oberfläche,
4. Aufdrucken und Einbrennen des Rückseitenkontakts mit
Hilfe einer Aluminium oder Silber und Aluminium ent
haltenden Siebdruckpaste,
5. Tauchbeschichten von Vorder- und Rückseite mit einem
Photolack,
6. Strukturieren des Photolacks für die Elektrodenstruk
turen der Vorderseite,
7. Öffnen der Oxidschicht in den für die Elektrodenstruk
tur vorgesehenen und nicht von Photolack bedeckten
Bereichen und
8. bis 9. Durchführen der erfindungsgemäßen Verfahrens
schritte B, C und D.
Das Ablösen des Photolacks kann nach dem Erzeugen der
Palladiumkeimschicht oder nach dem Abscheiden der Nickel
schicht erfolgen. Alternativ kann das Öffnen der Oxid
schicht entfallen und während der Herstellung der Palla
diumkeimschicht mit Hilfe der Fluoridionen-haltigen Be
keimungslösung erfolgen.
In einer weiteren Verfahrensvariante wird die Photolack
schicht bereits nach der Oxidation ausschließlich auf der
Vorderseite der Solarzelle aufgebracht und strukturiert.
In den nicht von der Maske bedeckten Bereichen wird nun
das Oxid geöffnet und anschließend die Photolackmaske ent
fernt. Dann wird der Rückseitenkontakt durch Siebdruck
erzeugt und eingebrannt und anschließend die erfindungs
gemäßen Verfahrensschritte B, C und D durchgeführt.
Für die Verfahrensvariante, in der der Rückseitenkontakt
galvanisch unterstützt zeitgleich mit der erfindungsge
mäßen Herstellung der Elektrodenstrukturen für den Vor
derseitenkontakt hergestellt wird, ist ein weiterer Do
tierungsschritt der Rückseite erforderlich. Dazu wird auf
der als Rückseite der Solarzelle vorgesehenen Seite eines
unbehandelten Wafers eine Aluminium-haltige Druckpaste
aufgedruckt und eingebrannt. Dabei diffundiert das Alumi
nium in den Halbleiter und erzeugt dort eine p⁺-Dotierung.
Anschließend erfolgt eine alkalische Damage-Ätzung und
erst dann die beschriebenen Schritte 1 bis 7. Die in jedem
Fall erforderliche Texturätzung ersetzt einen weiteren
Reinigungsschritt zur Entfernung der Aluminium-haltigen
Druckpaste, die in bekannten Verfahren in einem Extra
schritt entfernt wird.
Neben der beschriebenen Abscheidung von Silber über Halb
leiteroberflächen aus kristallinem Silizium sind grundsätz
lich auch alle anderen Halbleiter zur Abscheidung von Me
tallen über deren Oberfläche geeignet. Unterstützt wird
die Abscheidung jeweils durch die räumliche Nähe eines
Schottky-Kontakts oder eines Halbleiterübergangs, welcher
ein Homoübergang zwischen p- und n-dotierten Schichtberei
chen ein und desselben Halbleiters oder eine pin-Anordnung
sein kann, oder welcher ein Heteroübergang zwischen Schich
ten mit unterschiedlichem Leitfähigkeitstyp und unterschied
licher Materialzusammensetzung sein kann. Bevorzugt läßt
sich ein Metall auf oder über einer n-leitenden Halbleiter
oberfläche abscheiden, während eine p-dotierte Halbleiter
oberfläche zu einer geringeren Abscheidegeschwindigkeit
führt. Grundsätzlich ist es nicht erforderlich, daß auf
einer leitfähigen Struktur LS abgeschieden wird. Jedoch
kann es wie im beschriebenen Ausführungsbeispiel von Vor
teil sein, zunächst eine leitende Schicht LS aus Palladium
zu erzeugen, um eine bessere Haftung der Metallschicht MS
(zum Beispiel Silberschicht) auf der Halbleiteroberfläche
(Silizium) zu erreichen. Wenn die leitende Struktur LS
außerdem aus einem Metall ausgebildet ist, welches mit dem
darunterliegenden Halbleitermaterial einen Schottky-Kon
takt ausbilden kann, so kann sie auch aus diesem Grund zu
einer Beschleunigung der Metallabscheidung gegenüber einer
reinen Halbleiteroberfläche führen.
Neben der Variation bezüglich des Halbleiters läßt sich das
erfindungsgemäße Verfahren auch zur Abscheidung anderer
Metalle einsetzen. Im folgenden werden Ausführungsbeispie
le beschrieben, bei denen verschiedene Metalle auf einem
gemäß Fig. 1 vorbereiteten Halbleiterkörper aus kristalli
nem Silizium abgeschieden werden. Die Schicht LS wird
stromlos aus einer ionogenen Palladiumlösung in 30 Sekun
den abgeschieden.
Die Versuchsanordnung wird entsprechend dem in Fig. 5 dar
gestellten Aufbau gewählt.
Ein käufliches Hypophosphit-Ionen enthaltendes Nickelbad
zur stromlosen chemischen Abscheidung von Nickel auf Stahl
oder Kupfer ist laut Herstellerangaben zur Verwendung bei
90°C vorgesehen, wobei eine bis zu 20 µm dicke Schicht
innerhalb einer Stunde erzeugt werden kann.
Ein vorbereiteter Halbleiterkörper wird in das auf 65°C
aufgeheizte Nickelbad gestellt. Im Dunkeln ist nach 12 Mi
nuten Verweildauer noch keine Abscheidung von Nickel fest
zustellen. Beleuchtet man mit einer 1000 Watt Lampe von
oben, so erhält man bereits nach 3 Minuten eine ca. 1 bis
3 µm dicke Nickelschicht, die nach 9 Minuten eine Stärke
von ca. 5 µm erreicht hat.
Im gleichen Nickelbad wird bei 55°C unter Beleuchtung mit
einer Lampe von 300 Watt innerhalb von 9 Minuten eine
Nickelschicht von ca. 0,5 bis 1 µm Dicke erzeugt. Mit dem
erfindungsgemäßen Verfahren ist es also möglich, ein zur
stromlosen Abscheidung von Nickel bekanntes Metallisie
rungsbad bei einer um ca. 30° niedrigeren Betriebstempera
tur mit deutlich verkürzten Abscheidezeiten zu betreiben.
Ein im Handel befindliches, Cyanidionen enthaltendes
Kupferbad ist zur elektrolytischen Abscheidung von Kupfer
bei einer Betriebstemperatur von 60°C vorgesehen. Ein
vorbereiteter Halbleiterkörper wird bei dieser Temperatur
ohne Kontaktierung in das Kupferbad gestellt und zeigt im
Dunkeln selbst nach mehreren Minuten keine sichtbare
Abscheidung von Kupfer.
Unter Beleuchtung mit einer 1000 Watt Lampe wird bereits
nach 30 Sekunden eine sichtbare Verfärbung beobachtet.
Nach 5 Minuten ist eine Kupferschicht von ca. 2 bis 3 µm
Dicke abgeschieden.
Ein Cyanidionen enthaltendes galvanisches Goldbad (Auruna
558® ist laut Herstellerangaben bei 72°C zu betreiben.
Auf einem vorbereiteten Halbleiterkörper HL zeigt sich bei
Raumtemperatur während 5 Minuten Goldbad im Dunkeln keine
Verfärbung der Halbleiteroberfläche. Unter erfindungsge
mäßer Beleuchtung mit einer 1000 Watt Lampe wird bei Raum
temperatur nach 5 Minuten eine tief gelbe Verfärbung be
obachtet, die auf einen geschlossenen Goldfilm zurückzu
führen ist.
In einer kombinierten Abscheidung wird der vorbereitete
Halbleiterkörper HL bei Raumtemperatur in einem der be
schriebenen Silberbäder für 5 Sekunden unter Bestrahlung
mit 1000° Watt mit einem dünnen Silberfilm beschichtet.
Dieser Halbleiterkörper wird anschließend in das beschrie
bene Goldbad bei Raumtemperatur eingestellt. Nach 10 Mi
nuten im Dunkeln zeigt sich lediglich ein leichter Anflug
eines Goldfilms. Bei Beleuchtung mit 1000° Watt hingegen
wird bereits nach einer Minute ein tief gelber Überzug von
Gold über dem Silberfilm erhalten.
Die stellvertretend für eine Reihe weiterer geeigneter Me
talle durchgeführten Versuche zeigen, daß mit dem erfin
dungsgemäßen Verfahren stromlose Metallabscheidungen ver
schiedener Metalle entweder erstmals möglich sind, zumin
dest aber erheblich beschleunigt und bei deutlich reduzier
ter Temperatur durchführbar werden. Durch die Abscheidung
werden strukturierte Metallschichten erhalten, die bestens
für Elektrodenstrukturen von insbesondere Solarzellen ge
eignet sind. Die erleichterte Metallabscheidung in kürzerer
Zeit und bei niedrigerer Temperatur gegenüber bekannten
Metallabscheideverfahren hat weiterhin den Vorteil, daß
schädliche Einflüsse der insbesondere bei höherer Tempera
tur chemisch aggressiven Metallisierungsbäder reduziert
werden. Dies ist insbesondere dann von Vorteil, wenn der
Halbleiterkörper bzw. der Wafer bei der Metallisierung
weitere empfindliche Strukturen trägt.
Eine bevorzugte Anwendung findet das erfindungsgemäße Me
tallabscheidungsverfahren daher bei der Erzeugung des Vor
derseitenkontakts einer Hybridkontaktsolarzelle, die einen
in einem früheren Schritt erzeugten mittels leitfähiger
Paste aufgedruckten Rückseitenkontakt aufweist. Das kera
mische Material der Rückseitenkontakte mit Einschlüssen
eines elektrisch gut leitenden Metalles ist gegenüber
einem zu hohen oder zu niedrigen pH-Wert empfindlich, so
daß sich nach einer herkömmlichen Metallisierung Haftungs
probleme der Rückseitenkontakte auf der Halbleiteroberflä
che ergeben können. Dies wird mit dem erfindungsgemäßen
Verfahren vollständig vermieden, so daß der Rückseitenkon
takt während der erfindungsgemäßen Abscheidung des Vorder
seitenkontakts weder beschädigt wird, noch eine verringer
te Haftung auf der Halbleiteroberfläche aufweist.
Claims (12)
1. Verfahren zur Erzeugung von Elektrodenstrukturen auf
einer Oberfläche eines einen Halbleiterübergang aufweisen
den Halbleiterkörpers mit den Schritten
- A) Maskieren einer n-leitenden Oberfläche des Halbleiter körpers (HLS) so, daß die für die Elektrodenstrukturen vorgesehenen Bereiche frei bleiben.
- B) Eintauchen des Halbleiterkörpers in eine Lösung eines Palladiumsalzes in 1 bis 10prozentiger Fluorwasser stofflösung zum Erzeugen einer Palladiumkeimschicht.
- C) Außenstromloses Abscheiden einer dichten Nickelschicht über der Palladiumkeimschicht in einem stromlosen Me tallisierungsbad.
- D) Außenstromloses Abscheiden eines Metalles, ausgewählt aus Silber, Kupfer und Gold in einem Metallisierungsbad über der Nickelschicht, wobei die n-leitende Oberfläche des Halbleiterkörpers mit einer Lampe beleuchtet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
bei dem der Halbleiterkörper eine Siliziumsolarzelle mit
pn-Übergang ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
bei dem im Verfahrensschritt D Silber aus einer alkali
schen Silbercyanidlösung oder aus einer Silberionen und
Thiusulfatlösung abgeschieden wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
bei dem auch die Abscheidung der Nickelschicht (Verfah
rensschritt C) durch Beleuchtung unterstützt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
bei dem das Maskieren der n-leitenden Oberfläche mit Hilfe
eines Photolacks durchgeführt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5,
bei dem der für die Maskierung verwendete Photolack auch
auf der Rückseite aufgebracht wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
bei dem der Halbleiterkörper nach dem Maskieren der n-lei
tenden Oberfläche mit Fluorwasserstoffsäure behandelt
wird, um in den nicht vom Photolack bedeckten Bereichen
die Passivierungsschicht über dem Halbleiterkörper zu ent
fernen.
8. Verfahren nach Anspruch 7,
bei dem nach dem Entfernen des Oxids der Photolack abge
löst wird und anschließend der Rückseitenkontakt mittels
Siebdruck aufgedruckt und eingebrannt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
bei dem während des Verfahrensschrittes D die Rückseite
des Halbleiterkörpers gegen eine Gegenelektrode als
Kathoden geschalten wird und bei dem gleichzeitig mit der
Herstellung der Elektrodenstrukturen Silber galvanisch auf
der Rückseite abgeschieden wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
bei dem zumindest Verfahrensschritt D kontinuierlich
durchgeführt wird, in dem die Halbleiterkörper horizontal
auf einen Träger angeordnet und zusammen mit diesem durch
das Metallisierungsbad bewegt werden.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10,
bei dem ein elektrisch leitender Träger verwendet wird,
der als Kathode geschalten wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11,
bei dem der Verfahrensschritt D durch Schalten des Halblei
terkörpers als Kathode galvanisch unterstützt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19934311173 DE4311173A1 (de) | 1992-04-03 | 1993-04-05 | Verfahren zur stromlosen Abscheidung eines Metalls über einer Halbleiteroberfläche |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE4311173A1 true DE4311173A1 (de) | 1993-10-07 |
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ID=25913612
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---|---|
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4333426C1 (de) * | 1993-09-30 | 1994-12-15 | Siemens Solar Gmbh | Verfahren zur Metallisierung von Solarzellen aus kristallinem Silizium |
US5543333A (en) * | 1993-09-30 | 1996-08-06 | Siemens Solar Gmbh | Method for manufacturing a solar cell having combined metallization |
DE10020541A1 (de) * | 2000-04-27 | 2001-11-08 | Univ Konstanz | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle |
DE102006030822A1 (de) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Herstellen einer metallischen Kontaktstruktur einer Solarzelle |
DE102007031958A1 (de) | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Deutsche Cell Gmbh | Kontakt-Struktur für ein Halbleiter-Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung desselben |
WO2009015886A1 (de) | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Verfahren zur beschichtung von solarzellen sowie vorrichtung hierfür |
DE102009009840A1 (de) | 2008-10-31 | 2010-05-27 | Bosch Solar Energy Ag | Verfahren, Vorrichtung und Drucksubstanz zur Herstellung einer metallischen Kontaktstruktur |
EP2234166A1 (de) * | 2009-03-27 | 2010-09-29 | KIOTO Photovoltaics GmbH | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle |
DE102010042481A1 (de) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | Roth & Rau Ag | Verfahren zur galvanischen Erzeugung von Kontaktstrukturen auf Wafern für die Produktion von Solarzellen und Modulen |
DE102011002278A1 (de) * | 2011-04-27 | 2012-10-31 | Deutsche Cell Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Kontaktmetallisierungsstruktur auf einer Solarzelle |
JP2012526914A (ja) * | 2009-05-13 | 2012-11-01 | ゲブリューダー シュミット ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ウェハを処理する方法及びデバイス |
DE112011100105B4 (de) | 2010-02-26 | 2019-01-31 | Globalfoundries Inc. | Abspaltung für ein halbleitersubstrat |
-
1993
- 1993-04-05 DE DE19934311173 patent/DE4311173A1/de not_active Ceased
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4333426C1 (de) * | 1993-09-30 | 1994-12-15 | Siemens Solar Gmbh | Verfahren zur Metallisierung von Solarzellen aus kristallinem Silizium |
US5543333A (en) * | 1993-09-30 | 1996-08-06 | Siemens Solar Gmbh | Method for manufacturing a solar cell having combined metallization |
DE10020541A1 (de) * | 2000-04-27 | 2001-11-08 | Univ Konstanz | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle |
US6846984B2 (en) | 2000-04-27 | 2005-01-25 | Universitat Konstanz | Solar cell and method for making a solar cell |
DE102006030822A1 (de) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Herstellen einer metallischen Kontaktstruktur einer Solarzelle |
DE102007031958A1 (de) | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Deutsche Cell Gmbh | Kontakt-Struktur für ein Halbleiter-Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung desselben |
WO2009015886A1 (de) | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Verfahren zur beschichtung von solarzellen sowie vorrichtung hierfür |
DE102007038120A1 (de) | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Verfahren zur Beschichtung von Solarzellen sowie Vorrichtung hierfür |
DE102009009840A1 (de) | 2008-10-31 | 2010-05-27 | Bosch Solar Energy Ag | Verfahren, Vorrichtung und Drucksubstanz zur Herstellung einer metallischen Kontaktstruktur |
EP2234166A1 (de) * | 2009-03-27 | 2010-09-29 | KIOTO Photovoltaics GmbH | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle |
JP2012526914A (ja) * | 2009-05-13 | 2012-11-01 | ゲブリューダー シュミット ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ウェハを処理する方法及びデバイス |
DE112011100105B4 (de) | 2010-02-26 | 2019-01-31 | Globalfoundries Inc. | Abspaltung für ein halbleitersubstrat |
DE102010042481A1 (de) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | Roth & Rau Ag | Verfahren zur galvanischen Erzeugung von Kontaktstrukturen auf Wafern für die Produktion von Solarzellen und Modulen |
DE102011002278A1 (de) * | 2011-04-27 | 2012-10-31 | Deutsche Cell Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Kontaktmetallisierungsstruktur auf einer Solarzelle |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8131 | Rejection |