DE4243410C2 - Process for producing a thin film measuring resistor - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmmeßwiderstandes gemäß der Oberbegriffe der Patentansprüche 1 bis 4.The invention relates to a method for producing a Thin film measuring resistor according to the preambles of the claims 1 to 4.
Zum Aufbau eines sogenannten Heißfilmanemometers wird eine aus zwei Dünnfilmmeßwiderständen bestehende Anordnung gewählt, wobei eines als Widerstandsheizelement und das andere als Temperaturfühler arbeitet. Diese Widerstände bestehen jeweils aus einem dünnen strukturierten Metallfilm, welcher auf einem schlecht wärmeleitenden, d. h. mit kleiner spezifischer Wärmekapazität charakterisierten Substrat aufgebracht ist. Das Substrat besteht oftmals aus Glas, in manchen Fällen auch aus dünner Keramik. Die Problematik bei der Verwendung von Keramik besteht darin, die Oberflächenbeschaffenheit der Keramik so zu gestalten, daß überhaupt Metallfilme im Bereich von einem oder wenigen Mikrometern homogen aufgebracht werden können. Dies ist oftmals nicht gegeben. Der Metallfilm, welcher das eigentliche Widerstandselement bildet, besteht in der Regel aus Platin. Der aufgebrachte Metallfilm muß jedoch entsprechend bearbeitet bzw. strukturiert werden. Diese Nachbearbeitung erfolgt auf erosive, d. h. abtragende Weise, wobei zum einen der Filmwiderstand zunächst strukturiert und dann getrimmt wird.To build a so-called hot film anemometer, a arrangement consisting of two thin film measuring resistors selected, one as a resistance heating element and the other as Temperature sensor works. These resistances exist made of a thin structured metal film, which is on a poorly heat-conducting, d. H. with small specific Heat capacity characterized substrate is applied. The substrate is often made of glass, in some cases also made of thin ceramic. The problem with the use of Ceramic is the surface texture of the ceramic to be designed in such a way that metal films in the range of one or a few micrometers can be applied homogeneously. This is often not the case. The metal film that the actual resistance element usually exists made of platinum. However, the metal film applied must be corresponding processed or structured. This post-processing takes place on erosive, d. H. ablative manner, on the one hand the film resistor is first structured and then trimmed.
Aus der DE 38 43 746 C1 ist es bekannt, den Metallfilm in Mäanderform zu strukturieren. Je nach Einsatzfall solcher Widerstandselemente in Heißfilmanemometern ist neben der elektrischen sowie thermischen Eigenschaft eine entsprechende Resistenz gegenüber dem zu messenden Prozeßmedium zu erreichen. Hierzu sind üblicherweise Oxid- oder Nitridfilme zur Passivierung vorgesehen. Letztere wird üblicherweise - ggf. mit Plasmaunterstützung - aus der Gasphase abgeschieden. From DE 38 43 746 C1 it is known that the metal film in Structure meandering. Depending on the application Resistance elements in hot film anemometers is next to the electrical and thermal properties a corresponding To achieve resistance to the process medium to be measured. For this purpose, oxide or nitride films are usually used for passivation intended. The latter is usually - if necessary with Plasma support - separated from the gas phase.
Aus DE 90 06 967 U1 ist ein Dünnfilmmeßwiderstand in einem Anemometer bekannt, bei dem als Substratmaterial ein elektrisch isolierender Werkstoff mit kleiner spezifischer Wärmekapazität dient, auf welchen ein Metallfilm, vorzugsweise aus Platin aufgebracht und der zu erreichende elektrische Widerstand anschließend durch erosive Nachbearbeitung struktuiert und getrimmt wird und der Metallfilm in einem letzten Verfahrensschritt passiviert wird. Als Substratmaterial wird vorzugsweise Glas verwendet und für die Passivierung eine abschließende Schutzschicht aus Siliziumoxid (SiOx). Dabei kann die Passivierung auch aus zwei übereinander angeordneten Deckschichten bestehen. Aus DE-Z: "ntz" Bd. 40 (1987) Heft 7 S. 518-523 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmmeßwiderstandes bekannt, bei dem als Substratmaterial Keramik verwendet wird. Der Metallfilm wird dabei direkt auf das Substratmaterial aufgebracht und insbesondere durch Sputterätzen strukturiert und abschließend mit einer einzigen Schutzschicht versehen.DE 90 06 967 U1 discloses a thin-film measuring resistor in an anemometer in which an electrically insulating material with a small specific heat capacity is used as the substrate material, to which a metal film, preferably made of platinum, is applied and the electrical resistance to be achieved is subsequently structured and trimmed by erosive finishing and the metal film is passivated in a last process step. Glass is preferably used as the substrate material and a final protective layer made of silicon oxide (SiO x ) for the passivation. The passivation can also consist of two cover layers arranged one above the other. From DE-Z: "ntz" Vol. 40 (1987) No. 7 pp. 518-523 a method for producing a thin film measuring resistor is known, in which ceramic is used as the substrate material. The metal film is applied directly to the substrate material and in particular structured by sputter etching and finally provided with a single protective layer.
Schließlich ist im Zusammenhang mit der Herstellung der hier in Rede stehenden Widerstände, bei denen Glas als Substratmaterial verwendet wird, bekannt, den Mangel der schlechten Haftung von Metall auf Glasträgern durch eine Haftvermittlerschicht aus Aluminiumoxid zu beheben, die bedarfsweise wesentlich dünner sein kann als der Metallfilm (DE 36 03 785 C2).Finally, it is related to the making here Resistances in question where glass is the substrate material used, known, the lack of poor liability of metal on glass substrates through an adhesive layer to fix from aluminum oxide, which if necessary is much thinner can be as the metal film (DE 36 03 785 C2).
Aus der US 4 139 833, wie auch aus der bereits genannten DE 90 06 967 U1 geht die vorteilhafte Verwendung von Siliziumoxid als Schutzschicht anstelle von Aluminiumoxid hervor. Anregungen für die Bemessung der einzelnen Schichtdicken sind der DE-Z: "etz" Bd. 109 (1988), Heft 11, S. 502-507 zu entnehmen.From US 4 139 833, as well as from the already mentioned DE 90 06 967 U1 is the advantageous use of silicon oxide as a protective layer instead of aluminum oxide. Suggestions for the dimensioning of the individual layer thicknesses are from DE-Z: "etz" Vol. 109 (1988), No. 11, pp. 502-507.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmmeßwiderstandes der gattungsgemäßen Art derart weiterzubilden, daß das Widerstandselement noch schneller auf Temperaturänderungen reagiert, die Deckschicht eine extrem gute Korrosionsbeständigkeit hat und der gesamte Aufbau einfach herzustellen ist.The invention is based on this prior art the task of a method for producing a Thin film measuring resistor of the generic type such further develop that the resistance element even faster Temperature changes react, the top layer an extreme has good corrosion resistance and the whole structure is simple is to be produced.
Die gestellte Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale der Patentansprüche 1 bis 4 gelöst.The object is achieved by the characterizing Features of claims 1 to 4 solved.
Die erfindungsgemäß vorgegebenen Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2 bzw. 3 und 4 enthalten alternativ die Verwendung des Substratmaterials Glas oder Keramik. Danach richtet sich, ob eine Haftvermittlerschicht vorgesehen werden muß oder nicht. Für den Fall, daß das Substratmaterial aus Keramik, vorzugsweise aus AL2O3-Keramik besteht, kann bei entsprechender Oberflächenbeschaffenheit natürlich auf die Haftvermittlerschicht gänzlich verzichtet werden. Der Metallfilm kann hier direkt aufgetragen werden. Wesentlich ist insgesamt bei beiden Alternativen, daß der Metallfilm durch Aufdampfen aufgebracht und durch Sputterätzen strukturiert wird. Hierdurch entsteht ein Metallfilm der hinsichtlich der Filmdicke extrem homogen ist. Durch die Strukturierung durch Sputterätzen, statt der sonst üblichen Laserbearbeitung, wird auch im Verfahrensschritt der Strukturierung des Metallfilmes die Homogenität erhalten. Bei den sonst üblichen lokal thermischen Verfahren der erosiven Nachbearbeitung, die üblicherweise mit dem Laser vorgenommen werden, entstehen Aufwürfe auf dem Metallfilm, die u. U. dicker als der Metallfilm selbst sein können. Solche Aufwürfe sind dagegen durch das erfindungsgemäß vorgegebene Verfahren vollständig vermieden, indem man hier bei der Aufbringung des Metallfilms auf die Aufdampftechnik zurückgreift und die Strukturierung über Sputterätzen vornimmt. Die Sputterätzung erfolgt dabei im wesentlichen durch die klassische Trockenätzung im Plasma. Die Abdeckung dieser Metallfilmschicht kann aufgrund der erreichten und selbst nach Strukturierung bzw. nach Bearbeitung des Metallfilmes beibehaltenen Homogenität direkt mit einer Schutzschicht aus Siliziumoxid SiOx erfolgen. Das heißt, das Feintrimmen mit einem Laser ist nicht erforderlich und kann vor der Beschichtung entfallen. Es hat sich gezeigt, daß speziell SiOx eine extrem gute Beständigkeit gegenüber Feuchtigkeit aufweist, wobei das x zwischen 1,0 und 1,9 liegen sollte. In diesem Fall besitzt die Schicht bei einer Dicke von 2 Mikrometer eine hellgelbe bis braune Färbung. Höherstöchiometrische Schichten mit einem x größer 1,9 sind durchsichtiger und haben eine schlechtere Feuchtigkeitsbeständigkeit.The inventive method according to claims 1 and 2 or 3 and 4 alternatively contain the use of the substrate material glass or ceramic. This determines whether or not an adhesion promoter layer must be provided. In the event that the substrate material consists of ceramic, preferably of AL 2 O 3 ceramic, the adhesive layer can of course be dispensed with entirely if the surface is of a suitable nature. The metal film can be applied directly here. It is essential for both alternatives that the metal film is applied by vapor deposition and structured by sputter etching. This creates a metal film that is extremely homogeneous in terms of film thickness. The structuring by sputter etching, instead of the usual laser processing, also maintains the homogeneity in the process step of structuring the metal film. In the otherwise usual local thermal processes of erosive post-processing, which are usually carried out with the laser, there are bumps on the metal film, which u. U. can be thicker than the metal film itself. Such poses, however, are completely avoided by the method according to the invention by using the vapor deposition technique when applying the metal film and by structuring using sputter etching. The sputter etching is essentially carried out by the classic dry etching in plasma. This metal film layer can be covered directly with a protective layer made of silicon oxide SiO x on account of the homogeneity achieved and even after structuring or after processing the metal film. This means that fine trimming with a laser is not necessary and can be omitted before coating. It has been shown that SiO x in particular has an extremely good resistance to moisture, the x should be between 1.0 and 1.9. In this case, the layer has a light yellow to brown color at a thickness of 2 micrometers. Higher stoichiometric layers with an x greater than 1.9 are more transparent and have poorer moisture resistance.
Eine noch weitaus höhere Korrosionsbeständigkeit gegenüber aggressiven Prozeßmedien wird dann erreicht, wenn die Aufbringung der Schutzschicht in den drei Schritten 1. Beschichten, 2. Waschen, 3. Beschichten erfolgt. Die Aufbringung der Schutzschicht nach diesen Verfahrensschritten ergibt eine extrem korrosionsbeständige Schutzschicht. Dieser Effekt kann wie folgt begründet werden. Trotz größter Sorgfalt kann vor Aufbringung der Schutzschicht der Metallfilm mit Schmutzpartikeln behaftet sein. Diese haben in Relation zu den hierbei verwendeten dünnen Schichtdicken natürlich eine erhebliche Abmessung und eine geringe Haftung auf dem Substratmaterial. Bei der Beschichtung eines solchen Metallfilmes entstehen dann in der Regel sogenannte Pinholes, d. h. die Schmutzpartikel werden mitbeschichtet, wobei die Beschichtung im Bereich der Schmutzpartikel aufgrund der schlechten Haftung zur Unterlage aufbrechen kann. Es ist auch nicht ratsam, den Metallfilm vor der ersten Beschichtung zu waschen, was ja naheliegend wäre. Dies muß aus beschichtungstechnischen Gründen sowie aus physikalischen Gründen vermieden werden, um die Beschaffenheit des dünnen Metallfilmes nicht zu ändern. Vielmehr ist bei den auf die Beschichtung folgenden Prozeßschritten darauf zu achten, daß keine unnötigen Schmutzpartikel in den Prozeß gelangen. Beim erfindungsgemäß vorgegebenen ersten Beschichtungsschritt werden zwar ggf. Schmutzpartikel bedeckt jedoch erfolgt dann in einem zweiten Verfahrensschritt ein Waschen der beschichteten Oberfläche, so daß weitere Schmutzpartikel nahezu ausgeschaltet werden. Der Waschprozeß ist hierbei so zu führen, daß die im ersten Beschichtungsschritt überdeckten, schlecht haftenden Schmutzpartikel wieder abplatzen. Hierfür kann z. B. ein Ultraschallbad gewählt werden. Als besonders vorteilhaft hat sich jedoch das Waschen mit einer Bürste herausgestellt. Hierbei wird die Haftfestigkeit des Metallfilmes am wenigsten beeinflußt. In einem letzten Verfahrensschritt erfolgt dann erneut eine Beschichtung. Damit ist nun erreicht, daß keine vom Metallfilm bis durch die letztendlich im letzten Verfahrensschritt aufgebrachte Schicht Pinholes durchbrechen können. Dies könnte nur in dem Fall eintreten, daß ein erstes Schmutzpartikel vor dem ersten Beschichten und ein zweites Schmutzpartikel an der gleichen Stelle vor dem letzten Beschichtungsschritt übereinanderlägen. Da die Wahrscheinlichkeit hierfür verschwindend gering ist, hat man somit den Effekt der Pinholes ausgeschaltet. Die Praxis zeigt, daß dies in der Tat der Fall ist.A much higher corrosion resistance to aggressive Process media is achieved when the protective layer is applied in the three steps 1. coating, 2. washing, 3. coating he follows. The application of the protective layer after this Process steps result in an extremely corrosion resistant Protective layer. This effect can be explained as follows. Despite Great care can be taken before applying the protective layer to the metal film be contaminated with dirt particles. These have in relation to the the thin layer thicknesses used here, of course, are considerable Dimension and low adhesion on the substrate material. In the Coating of such a metal film usually occurs so-called pinholes, d. H. the dirt particles are also coated, the coating in the dirt particles due to the bad liability to the document can break open. It is not advisable to wash the metal film before the first coating, which is yes would be obvious. This has to be done for coating reasons as well avoided for physical reasons to the nature of the not change thin metal film. Rather, it is on the Coating following process steps to ensure that none unnecessary dirt particles get into the process. In the invention predetermined first coating step may be Dirt particles covered, however, then take place in a second Process step washing the coated surface so that other dirt particles are almost switched off. The washing process is to be carried out so that in the first coating step flake off covered, poorly adhering dirt particles. For this, e.g. B. an ultrasonic bath can be selected. As special However, washing with a brush has been advantageous exposed. Here, the adhesive strength of the metal film on least influenced. Then takes place in a last process step another coating. It is now achieved that none of the Metal film through the ultimately in the last process step can break through the applied layer of pinholes. This could only be in the case occur that a first dirt particle before the first Coat and pre-coat a second dirt particle in the same place overlap the last coating step. Since the The probability of this being negligible is therefore the effect the pinholes turned off. Practice shows that this is indeed the case Case is.
Die Dicken der aufgebrachten Schichten bei der gesamten Dünnfilmwiderstandsanordnung, ist dimensionsmäßig aufeinander abgestimmt. Wird als Substratmaterial Glas verwendet, so ist die auf das Glas aufgebrachte Haftvermittlerschicht aus AL2O3 von einer Dicke dh, die kleiner als 5% der Metallfilmdicke df ist. Hierdurch werden sehr gute Temperaturkoeffizienten erreicht, die möglichst hoch zu halten sind. Durch die Begrenzung der Schichtdicke des Haftvermittlers kann sichergestellt werden, daß es aufgrund der unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten nicht zu Platzungen bei Temperaturänderungen kommt. Die Wahl der Schutzschichtdicke ds von mindestens 300% der Metallfilmdicke df ergab sich nach langwierigen Versuchen aus der Maßgabe, den Metallfilm direkt mit einer passivierenden Schutzschicht zu versehen. Dabei ist der o. g. Effekt der Ausschaltung der Pinholes mitberücksichtigt.The thickness of the applied layers in the entire thin film resistor arrangement is dimensionally matched. If glass is used as the substrate material, the adhesive layer of AL 2 O 3 applied to the glass has a thickness d h that is less than 5% of the metal film thickness d f . As a result, very good temperature coefficients are achieved, which are to be kept as high as possible. By limiting the layer thickness of the adhesion promoter, it can be ensured that, due to the different expansion coefficients, there are no bursts due to temperature changes. The choice of the protective layer thickness d s of at least 300% of the metal film thickness d f resulted from lengthy tests from the requirement that the metal film be provided directly with a passivating protective layer. The above-mentioned effect of switching off the pinholes is also taken into account.
Der Dünnfilmwiderstand ist in seinen Ausgestaltungsmöglichkeiten in der Zeichnung dargestellt und im nachfolgenden näher beschrieben. Es zeigtThe design of the thin film resistor is in the Drawing shown and described in more detail below. It shows
Fig. 1 eine Draufsicht auf den Dünnfilmmeßwiderstand und Fig. 1 is a plan view of the thin film measuring resistor and
Fig. 2 eine Frontalansicht zur Fig. 1. FIG. 2 shows a front view of FIG. 1.
Fig. 1 zeigt in Draufsicht den erfindungsgemäß hergestellten Dünnfilmmeßwiderstand. Auf dem Substrat 5 ist eine entsprechend strukturierte Platinfläche bzw. ein Platinfilm aufgebracht. Die schraffierten Flächen sind platinfrei, d. h. dort scheint die Substratoberfläche durch. Der eigentliche Meßwiderstand besteht aus einem mäanderförmig strukturierten Platinfilmabschnitt 3. Dieser geht elektrisch leitend in die Platinfilmabschnitte 1 und 2 über, die als Anschlußflächen dienen. Der eigentliche Mäanderabschnitt 3 ist von den Anschlußflächen 1 und 2 über die Isolationsabschnitte isoliert. Das heißt im Bereich der Isolationsabschnitte 6 und 7 ist die Substratoberfläche auch wieder platinfrei. Bei der Verwendung des Materiales Glas als Substrat 5 wird in einem ersten Schritt der Haftvermittler aufgebracht. Im darauffolgenden Schritt erfolgt die Aufdampfung der Platinfilmschicht, die anschließend entsprechend nachbearbeitet wird, um die dargestellte Strukturierung zu erhalten. Die aufgebrachte Deck- bzw. Schutzschicht ist im letzten Verfahrensschritt nicht ganzflächig auf den Filmwiderstand aufgebracht, sondern nur im Bereich zwischen den eingezeichneten Linien 8 und 9. Dies kann z. B. durch nachträgliches Abdecken mit einem fotoempfindlichen Lack und partielles, chemisches Herausätzen der nicht abzudeckenden Stellen geschehen. Es ist jedoch einfacher und vor allem preiswerter in der Herstellung, wenn die nicht zu beschichtenden Stellen mit einer Maske abgedeckt werden. Die Anschlußflächen 1 und 2 bleiben somit zur Kontaktierung frei. Fig. 1 shows the Dünnfilmmeßwiderstand according to the invention in plan view. A correspondingly structured platinum surface or a platinum film is applied to the substrate 5 . The hatched areas are platinum-free, ie the substrate surface shines through there. The actual measuring resistor consists of a meandering structured platinum film section 3 . This is electrically conductive in the platinum film sections 1 and 2 , which serve as pads. The actual meander section 3 is insulated from the pads 1 and 2 via the insulation sections. This means that in the area of the insulation sections 6 and 7 the substrate surface is again free of platinum. When using the material glass as substrate 5 , the adhesion promoter is applied in a first step. In the subsequent step, the platinum film layer is evaporated, which is subsequently reworked in order to obtain the structure shown. The applied cover or protective layer is not applied to the entire surface of the film resistor in the last process step, but only in the area between the lines 8 and 9 shown . This can e.g. B. done by subsequent covering with a photosensitive varnish and partial chemical etching of the areas not to be covered. However, it is easier and, above all, cheaper to manufacture if the areas that are not to be coated are covered with a mask. The contact surfaces 1 and 2 thus remain free for contacting.
Für den Fall, daß Metallschicht und Beschichtung in einem Arbeitsschritt aufgebracht werden, hat sich eine Kombination aus beiden Techniken als vorteilhaft erwiesen. Die erste Beschichtung wird dünner als die zweite Beschichtung gewählt (ca. 1 : 2). Die zweite Beschichtung wird durch eine Blende aufgedampft und mit einer zusätzlichen Schutzschicht aus AL2O3 versehen. Jetzt lassen sich auf einfache Weise die Anschlußflächen 1 und 2 wieder chemisch freiätzen, da die zweite Beschichtung ja durch die AL2O3-Schutzschicht vor dem Angriff des Ätzmediums geschützt werden.In the event that the metal layer and coating are applied in one work step, a combination of both techniques has proven to be advantageous. The first coating is chosen thinner than the second coating (approx. 1: 2). The second coating is evaporated through a screen and provided with an additional protective layer made of AL 2 O 3 . Now the pads 1 and 2 can be chemically etched back in a simple manner, since the second coating is protected by the AL 2 O 3 protective layer from attack by the etching medium.
Alternativ hierzu kann das Substrat 5 auch aus Keramik bestehen. Dabei entfällt natürlich die Haftvermittlerschicht, wobei zweckmäßigerweise das keramische Substratmaterial AL2O3 gewählt ist. Hierauf kann die Platinwiderstandsschicht 3, 1, 2 direkt aufgebracht werden. Nach Aufdampfen des Platinfilmes erfolgt dann die entsprechend dargestellte Strukturierung in der vorgegebenen Weise und eine anschließende Bedeckung mit einer Deck- bzw. Schutzschicht, welche sich zwischen den Linien 8 und 9 erstreckt und die Anschlußflächen 1 und 2 frei läßt.As an alternative to this, the substrate 5 can also consist of ceramic. The adhesion promoter layer is of course omitted, the ceramic substrate material AL 2 O 3 being expediently chosen. The platinum resistance layer 3 , 1 , 2 can be applied directly thereon. After vapor deposition of the platinum film, the corresponding structuring shown is carried out in the specified manner and a subsequent covering with a cover or protective layer, which extends between lines 8 and 9 and leaves connection pads 1 and 2 free.
Fig. 2 zeigt eine Frontalansicht des Dünnfilmmeßwiderstandes. Hierbei ist wiederum das Substrat 5 als Träger zu erkennen mit dem dort aufgebrachten anschließend mäanderförmig strukturierten Meßwiderstand 3, welcher von der Passivierungsschutzschicht 12 bedeckt ist. Diese als Passivierung gegen aggressive Prozeßmedien benannte Schutzschicht 12 erstreckt sich zwischen den in Fig. 1 dargestellten Linien 8 und 9. Fig. 2 shows a front view of the thin film measuring resistor. Here, again, the substrate 5 can be recognized as a carrier with the measuring resistor 3 , which is subsequently applied in a meandering pattern and is covered by the passivation protection layer 12 . This protective layer 12 , called passivation against aggressive process media, extends between lines 8 and 9 shown in FIG. 1.
Ein besonders gutes Ergebnis ergibt sich aus folgender Dickendimensionierung des Schichtaufbaues. Bei einer Platinfilmdicke von 1,2 Mikrometer erweist sich bei der Verwendung von Glas als Substratmaterial eine Haftvermittlerschicht von 0.02 Mikrometer AL2O3 als wirkungsvoll. Da, wie bereits erwähnt, die Platinschicht aufgedampft und anschließend durch Sputterätzen strukturiert ist, kann man die Schutzschicht direkt, d. h. ohne Zwischenschicht aufbringen. Die Schutzschicht ist hierbei bis etwa 2 Mikrometer SiOx gewählt. Die zweite Beschichtung mit der Schutzschicht erfolgt dabei in der sogenannten Dünnfilmtechnik. Dünnfilmtechnik bedeutet hierbei, daß dieser Verfahrensschritt mit Hilfe einer Verdampferquelle im Vakuum durchgeführt wird.A particularly good result results from the following dimensioning of the layer structure. With a platinum film thickness of 1.2 micrometers, an adhesive layer of 0.02 micrometers AL 2 O 3 proves to be effective when glass is used as the substrate material. Since, as already mentioned, the platinum layer is evaporated and then structured by sputter etching, the protective layer can be applied directly, ie without an intermediate layer. The protective layer is chosen up to about 2 microns SiO x . The second coating with the protective layer takes place in the so-called thin-film technology. Thin-film technology here means that this process step is carried out with the aid of an evaporator source in a vacuum.
Claims (6)
- 1. erste Beschichtung mit SiOx,
- 2. Waschen,
- 3. zweite Beschichtung mit SiOx.
- 1. first coating with SiO x ,
- 2. washing,
- 3. second coating with SiO x .
- 1. erste Beschichtung mit SiOx,
- 2. Waschen,
- 3. zweite Beschichtung mit SiOx.
- 1. first coating with SiO x ,
- 2. washing,
- 3. second coating with SiO x .
- 1. eine erste Beschichtung mit SiOx,
- 2. Strukturierung und Trimmen des beschichteten Metallfilms durch Sputterätzen,
- 3. Waschen,
- 4. zweite Beschichtung mit SiOx.
- 1. a first coating with SiO x ,
- 2. structuring and trimming of the coated metal film by sputter etching,
- 3. washing,
- 4. second coating with SiO x .
- 1. eine erste Beschichtung mit SiOx,
- 2. Strukturierung und Trimmen des beschichteten Metallfilms durch Sputterätzen,
- 3. Waschen,
- 4. zweite Beschichtung mit SiOx.
- 1. a first coating with SiO x ,
- 2. structuring and trimming of the coated metal film by sputter etching,
- 3. washing,
- 4. second coating with SiO x .
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| DE19924243410 DE4243410C2 (en) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | Process for producing a thin film measuring resistor |
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| DE19924243410 DE4243410C2 (en) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | Process for producing a thin film measuring resistor |
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| DE10058581C1 (en) * | 2000-11-18 | 2002-03-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Electromechanically controlled electrical resistance element used as a position sensor comprises an electrically conducting layer on a substrate, and a wear resistant layer |
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