DE4227868A1 - Verfahren zur selektiven Auflösung von bestrahlten Homo- oder Copolyoxymethylenen - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur selektiven Auflösung von mit energiereicher Strahlung bestrahlten Homo- oder Copolyoxy­ methylenen in einem flüssigen organischen Entwicklermedium aus phenolischen Verbindungen sowie ein Verfahren zur Herstellung von Mikroformkörpern mit hohem Aspektverhältnis, d. h., mit extrem großen Strukturhöhen bei Lateralabmessungen im Mikrometerbereich, durch Bestrahlen von Polymeren oder Polymermischungen und nach­ folgender Entwicklung mit Entwicklermedien aus phenolischen Ver­ bindungen.

Die Entwicklung der Mikroelektronik hat gezeigt, daß die konse­ quente Miniaturisierung und Integration zu einer unüberschaubaren Vielfalt neuer Produkte mit entsprechenden Technologien führt. Die Mikroelektronik hat in wenigen Jahren gegenüber anderen In­ dustriezweigen einen gewaltigen Vorsprung in der Miniaturisierung gewonnen. Inzwischen zeichnet sich ab, daß in Zukunft auch andere Mikrotechniken eine große Bedeutung erlangen werden, wobei insbe­ sondere die Mikromechanik und die integrierte Optik zu erwähnen sind. Solche Techniken eröffnen in der Kombination mit der Mikro­ elektronik eine unvorstellbare Zahl neuer elektronischer, optischer, biologischer und mechanischer Funktionselemente.

Bei einer Massenfertigung von nichtelektronischen Bauelementen, Systemkomponenten und Subsystemen der Mikrotechnik wird man naturgemäß die außerordentlich leistungsfähigen Fertigungs­ methoden der Halbleitertechnik in möglichst großem Umfang nutzen.

Gleichzeitig muß man versuchen, klassische Methoden der Feinwerk­ technik für die Mikromechanik zu ertüchtigen und mit entsprechend modifizierten Halbleiterfertigungsmethoden zu verschmelzen, um so die engen Grenzen der Siliciumplanartechnik verlassen und neue Gestaltungsmöglichkeiten erschließen zu können, die auf einer Vielfalt von Formen und Materialien aufbauen. Diese Forderung wird z. B. in hohem Maße durch das LIGA-Verfahren erfüllt, das auf den Fertigungsschritten

• - Lithographie,
• - Galvanoformung und
• - Abformung

aufgebaut und am Kernforschungszentrum Karlsruhe (KfK) entwickelt worden ist. Es ermöglicht die Herstellung von Mikrostruktur­ körpern mit hohem Aspektverhältnis, d. h., mit Lateralabmessungen im Mikrometerbereich bei Strukturhöhen von mehreren hundert Mikrometern, aus Kunststoffen, Metallen und keramischen Massen.

Das LIGA-Verfahren basiert auf dem Konzept, durch einen Litho­ graphieprozeß mit hoher Tiefenschärfe präzise Primärstrukturen mit großer Strukturhöhe herzustellen und diese Strukturen durch einen oder mehrere Abformungsprozesse vielfach zu replizieren. Dieses Fertigungskonzept kann flexibel an die durch das jeweilige Mikrostrukturprodukt vorgegebenen Randbedingungen angepaßt wer­ den, die sich unter anderem auf die Geometrie, die verwendeten Werkstoffe oder auch auf die Stückzahl beziehen und die Art und Abfolge der einzelnen Fertigungsschritte festlegen.

Ein typischer Fertigungsablauf für die Massenfertigung von Mikrostrukturkörpern aus Metall nach dem LIGA-Verfahren enthält mehrere Prozeßschritte.

In einem ersten Prozeßschritt wird eine bis zu mehreren hundert Mikrometern dicke Polymerschicht auf einem elektrisch leitfähigen Substrat über eine Röntgenmaske mit hochintensiver, paralleler Röntgenstrahlung bestrahlt, die als sogenannte Synchrotronstrah­ lung in einem Elektronensynchrotron oder einem Elektronenspei­ cherring erzeugt wird.

Durch die Bestrahlung wird die Löslichkeit des Polymers oder der Polymermischung in ausgewählten Entwicklermedien so stark erhöht, daß die bestrahlten Materialbereiche entfernt werden können, wo­ durch eine reliefartige Polymerstruktur auf dem elektrisch leitenden Substrat entsteht.

Im nächsten Fertigungsschritt wird galvanisch Metall zwischen den Polymerstrukturen auf dem Substrat abgeschieden, so daß sich eine zum Polymerrelief komplementäre Metallstruktur ergibt. Setzt man die Metallabscheidung so lange fort, bis die Polymerstrukturen mit einer dicken Metallschicht überwachsen sind, so erhält man einen stabilen, zusammenhängenden Mikrostrukturkörper aus ein­ heitlichem Material, der im nächsten Prozeßschritt als Formein­ satz für einen Abgießprozeß mit Kunststoff verwendet werden kann. Eine Massenfertigung von Mikrostrukturkörpern aus Kunststoff ist damit möglich.

Die dabei erzeugte Kunststoffstruktur kann entweder bereits das Endprodukt darstellen, oder man kann unter Verwendung einer metallischen Angießplatte wiederum eine Schablone für einen weiteren Galvanoformungsschritt erzeugen. Solche Schablonen sind wiederum in einer Vielzahl herstellbar.

Der beschriebene Fertigungsablauf kann an die Bedürfnisse spezieller Mikrostrukturen adaptiert werden, so daß mannigfach unterschiedliche Mikrostrukturen erzeugt werden können. Interes­ sante Mikrostrukturprodukte sind Sensoren zur Messung von Be­ schleunigung, Durchfluß, Ultraschall, Feuchte u.ä., Mikromotoren, mikropneumatische Bauelemente, Mikrostecker für die Mikroelektro­ nik, mikrooptische Bauelemente, Faseroptiken, Mikroelektroden, Spinndüsen, Mikrofilter, Gleitlager, Membranen und vieles andere mehr.

Ein wesentlicher Fertigungsschritt des LIGA-Verfahrens ist die strukturgenaue Bestrahlung der eingesetzten Polymeren. Die prinzipielle Durchführbarkeit des LIGA-Verfahrens konnte anhand einfacher Mikrostrukturen mit einem speziell hergestellten Poly­ methylmethacrylat (im folgenden PMMA genannt) nachgewiesen wer­ den.

Bei der Umsetzung komplexer dreidimensionaler Strukturen hat sich gezeigt, daß PMMA einen hohen Bestrahlungsaufwand erfordert, z. B. in Form langer Bestrahlungszeiten.

Weiter hat sich gezeigt, daß bei der Entwicklung der bestrahlten Polymeranteile mit einem geeigneten Entwicklermedium die unbe­ strahlten Polymeranteile quellen, wobei feine Mikrostrukturen zerstört werden können. Andererseits können gequollene Polymeran­ teile beim Austrocknen zu Spannungsrissen führen, die bei der Galvanik zu unbrauchbaren Mikrostrukturkörpern führen. Ursache für diese Probleme ist die geringe Differenzierung zwischen be­ strahltem und unbestrahltem Material.

Zur Lösung dieser Probleme war in der deutschen Patentanmeldung P 41 07 851.9 der Einsatz von Homo- und Copolyoxymethylen zur Herstellung von Mikrostrukturen vorgeschlagen worden. Dazu wurden Homo- und Copolyoxymethylene mit Hilfe der Preßtechnik zu Probe­ körpern, beispielsweise mit Abmessungen von 30 × 10 × 2 mm ver­ arbeitet, mit Synchrotronstrahlung bildmäßig unter Verwendung von geeigneten Testmasken bestrahlt und dann mit Säuren, Basen oder in einem organischen Entwicklermedium entwickelt. Dabei ließen sich mit Phenol als organisches Entwicklermedium Strukturen mit steilen Wänden und scharfen Kanten erzeugen.

Obwohl mit Phenol als Entwickler bereits gute Abträge erzielt werden konnten, erschien es trotzdem notwendig, die Entwickler­ medien weiter zu optimieren. Zum einen waren relativ hohe Prozeß­ temperaturen erforderlich, um Abträge von über 600 µm zu er­ reichen. Dies kann bei Mikrostrukturen mit sehr kleinen lateralen Abmessungen zum Verbiegen von Strukturteilen und damit zu deren Zerstörung führen. Zum anderen ist dessen Verwendung wegen der toxischen Eigenschaften von Phenol für die praktische Anwendbar­ keit im LIGA-Prozeß stark eingeschränkt.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, organische Entwickler­ medien aufzuzeigen, die hinsichtlich der selektiven Auflösung von mit energiereicher Strahlung bestrahlten Homo- oder Copolyoxy­ methylenen vorteilhafter als Phenol sind, insbesondere weniger toxisch sind, geringere Geruchsbelästigung ergeben, sich einfach handhaben lassen und zu besserer Strukturqualität führen.

Überraschenderweise läßt sich diese Aufgabe durch Phenolderivate mit freier phenolischer Hydroxylgruppe und weiteren Substituenten am Phenolkern lösen.

Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur selektiven Auflösung von mit energiereicher Strahlung bestrahl­ ten Homo- oder Copolyoxymethylenen in einem flüssigen organischen Entwicklermedium, das dadurch gekennzeichnet ist, daß als organi­ sches Entwicklermedium ein Phenolderivat mit freier phenolischer Hydroxylgruppe und mindestens einem weiteren Substituenten am Phenolkern eingesetzt wird. Bevorzugte Phenolderivate sind sol­ che, die als weitere Substituenten am Phenolkern mindestens einen Alkylrest mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen oder Chlor enthalten.

Als energiereiche Strahlung wird vorzugsweise Synchrotronstrah­ lung eingesetzt.

Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist auch ein Verfahren zur Herstellung von Mikroformkörpern mit hohem Aspektverhältnis durch bildmäßiges Bestrahlen von Homo- oder Copolyoxymethylenen mit energiereicher, paralleler Strahlung aus Röntgenstrahlquellen in einer Abtragstiefe von 10 bis 2000 µm bei lateralen Abmessungen bis zu < 10 µm und selektive Auflösung der bestrahlten Bereiche in einem flüssigen organischen Entwicklermedium, wobei als organi­ sches Entwicklermedium Phenolderivate mit freier phenolischer Hydroxylgruppe und mindestens einem weiteren Substituenten am Phenolkern, insbesondere solche, die als weitere Substituenten am Phenolkern mindestens einen Alkylrest mit 1 bis 12 Kohlenstoff­ atomen oder Chlor enthalten, eingesetzt werden.

Unter Mikroformkörpern mit hohem Aspektverhältnis im Sinne der Erfindung werden Mikrostrukturkörper mit Strukturtiefen von meh­ reren µm bis in den mm-Bereich verstanden.

Als energiereiche parallele Strahlung wird dabei vorzugsweise Synchrotronstrahlung eingesetzt.

Das Homo- oder Copolyoxymethylen kann dazu durch Spritzguß, Extrusion und/oder Pressen, vorzugsweise in Schichtdicken bis zu 2000 µm, auf einen Träger aufgebracht werden.

Als Aspektverhältnis im Sinne der Erfindung versteht man das Ver­ hältnis von Höhe zu lateraler Dimension der Formkörperstrukturen bzw. der Reliefs oder das Verhältnis von maximaler Strukturhöhe zu minimaler lateraler Abmessung. Das Aspektverhältnis kann beim erfindungsgemäßen Verfahren in weiten Grenzen, beispielsweise zwischen 10 : 1 bis 1000:1, vorzugsweise zwischen 50 : 1 bis 100 : 1 variieren.

Die Bestrahlung erfolgt beim erfindungsgemäßen Verfahren mittels energiereicher paralleler Strahlung aus Röntgenstrahlquellen. Die Wellenlängen dieser Strahlen liegen in einem Bereich von 0,1 bis 10 nm, vorzugsweise 0,1 bis 1,0 nm.

Derartige Bestrahlungen können beispielsweise an einem Synchrotron mit speziellen Vorabsorbern, z. B. aus Beryllium oder Polyimidfolie (z. B. Kapton® der Fa. Du Pont de Nemours) mit einem Bestrahlungsaufwand von 200 bis 2000 mA·min. bei einem Scannerhub von 10 mm durchgeführt werden.

Der Bestrahlungsaufwand ist abhängig von der Elektronenenergie im Elektronenspeicherring. Im allgemeinen beträgt die Elektronen­ energie 1,6 bis 3,5 GeV bei einer charakteristischen Wellenlänge von 14,8 bis 1,4 Å, vorzugsweise 1,6 bis 2,3 GeV bei einer cha­ rakteristischen Wellenlänge von 14,8 bis 5,0 Å.

Zur bildmäßigen Bestrahlung werden üblicherweise spezielle Rönt­ genmasken, beispielsweise aus einer Titanträgerfolie mit Gold­ absorberstrukturen, verwendet.

Für das erfindungsgemäße Verfahren werden Homo- und Copolyoxy­ methylene eingesetzt.

Polyoxymethylene und deren Herstellung sind bekannt und bei­ spielsweise in Methoden der organischen Chemie (Houben-Weyl), Georg Thieme Verlag Stuttgart (1963) Band XIV/2, Seiten 404 bis 410, bzw. Band E20 (1987) Seiten 1390 bis 1398) beschrieben. Auch ihre Lichtempfindlichkeit und die unter Einwirkung von γ-Strahlen durch photochemische Prozesse erhaltenen Reaktionsprodukte sind untersucht und in "The Radiation Chemistry of Macromolecules", edited by Malcolm Dole, Dept. of Chemistry, Baylor University, Waco, Texas, Vol. II, Academic Press New York, London 1973, Sei­ ten 187 ff, beschrieben.

Für das erfindungsgemäße Verfahren geeignete Polyoxymethylene sind Homopolymerisate des Formaldehyds oder Copolymerisate des Formaldehyds sowie des Trioxans mit cyclischen und/oder linearen Formalen, wie Butandiolformal oder Epoxiden, wie Ethylen- oder Propylenoxid. Die Homopolymerisate tragen in der Regel thermisch stabile Endgruppen, wie Ester- oder Ethergruppen. Die Copolymeri­ sate des Formaldehyds oder des Trioxans weisen vorzugsweise mehr als 50%, insbesondere mehr als 75% Oxymethylengruppen auf. Be­ sonders bewährt haben sich Copolymerisate, in denen mindestens 0,1% Gruppen eines Comonomeren wie z. B. Butandiolformal oder Ethylenoxid enthalten sind, das mindestens zwei benachbarte Koh­ lenstoffatome in der Kette hat. Besondere technische Bedeutung haben Polyoxymethylene, die 1 bis 10 Gew.-% Comonomere enthalten. Solche Copolymerisate sind in an sich bekannter Weise durch ka­ tionische Copolymerisation von Trioxan mit geeigneten Comonome­ ren, wie cyclischen Ethern oder Acetalen, z. B. Ethylenoxid, 1,3-Dioxolan, 1,3-Dioxan, 1,3-Dioxacycloheptan oder mit linearen Oligo- oder Polyformalen, wie Polydioxolan oder Polybutandiolfor­ mal erhältlich. In der Regel haben die verwendeten Polyoxymethy­ lene ein Molekulargewicht (Zahlenmittel) n von 2000 bis 100000, vorzugsweise von 10000 bis 100000 und einen MVI bei 190°C und 2,16 kg nach DIN 53 735 von 0,5 bis 200, vorzugsweise von 1 bis 100. Besondere Bedeutung haben Polymerisate, die aus Trioxan und 1 bis 10 Mol-% Ethylenoxid, 1,3-Dioxolan oder Butandiolformal aufgebaut sind.

Den Homo- und Copolyoxymethylenen können Stabilisatoren gegen thermooxidativen Abbau, Nukleierungsmittel sowie Costabilisato­ ren, jeweils in Mengen < 2%, zugesetzt sein.

Zur Herstellung von Formkörpern können die Homo- und Copolyoxyme­ thylene als Granulat oder in Pulverform nach üblichen Verfahren, wie z. B. durch Pressen, Spritzguß und/oder Extrusion, bei Tempe­ raturen zwischen 20 und 240°C auf elektrisch leitende Metallträ­ ger, wie z. B. aus Nickel, Kupfer oder Stahl, auf die gegebenen­ falls eine 0,1 bis 50 µm dicke Schicht aus einem weiteren Metall oder Metalloxid, z. B. Titan, aufgebracht wurde, gegebenenfalls unter Mitverwendung spezieller Haftlacke oder spezieller Haftver­ mittler aufgebracht und fixiert werden. Die Schichtdicke der Homo- und Copolymeren auf dem Metallträger liegt im allgemeinen zwischen 20 und 2000, vorzugsweise 50 bis 800, insbesondere zwi­ schen 100 und 500 µm. Die Oberfläche der Homo- oder Copolymer­ schichten sollte zweckmäßigerweise möglichst glatt sein.

Die bestrahlten Bereiche der Homo- oder Copolyoxymethylene können selektiv mit Derivaten des Phenols abgelöst werden, ohne daß ein Angriff auf unbestrahlte Bereiche stattfindet. Die so erhaltenen Mikrostrukturen zeigen im Vergleich mit dem GG-Entwickler, wie in DE-C 30 39 110 für PMMA beschrieben, bei gleichen Bestrahlungsbe­ dingungen erheblich größere Strukturtiefen. Einen günstigen Ein­ fluß hat der Einsatz von Megaschall, z. B. einer Frequenz von 400 bis 1200, vorzugsweise 800 bis 1000 kHz auf die Qualität der er­ zeugten Mikrostrukturen, die insbesondere bei Abmessungen unter 10 µm sauberer entwickelt werden als bei Entwicklungen ohne Mega­ schall.

Auch gegenüber Phenol als Entwicklermedium zeigen sich die Deri­ vate des Phenols als überlegen.

Insbesondere bewirken diese Entwicklermedien bei sonst identi­ schen Bestrahlungsbedingungen deutlich höhere Abträge, als sie mit Phenol erreicht werden.

Während bei Phenol in Abhängigkeit vom eingesetzten Polyoxymethy­ len Temperaturen von ca. 90°C notwendig sind, um die durch Be­ strahlung veränderten Bereiche vollständig abzulösen, gelingt dies mit erfindungsgemäßen Derivaten des Phenols schon bei deut­ lich tieferen Temperaturen. Wird die Entwicklung bei hohen Tempe­ raturen durchgeführt, können Beschädigungen der Mikrostrukturen durch Verbiegen auftreten. Ein weiterer Nachteil von Phenol ist dessen hohe Toxizität, die für den Fertigungsprozeß ein großes Gefahrenpotential birgt. Die meisten Derivate des Phenols, die erfindungsgemäß als Entwickler eingesetzt werden, sind dagegen nicht toxisch oder weisen eine wesentlich geringere Toxizität auf.

Als Entwicklermedien geeignete erfindungsgemäß einzusetzende De­ rivate des Phenols sind solche zu nennen, die am aromatischen Ring noch wenigstens einen weiteren Substituenten, z. B. Halogen, Alkyl-, Aryl-, Amino-, Alkoxy-, Carbonsäure-, Carbonsäureester-, Carbonyl-, Hydroxy-, Mercapto-, Phosphat-, Phosphorsäureester-, Sulfat-, Sulfonsäureester-, Nitro-, Cyano-, Carbamat-, Harn­ stoff-, Hydrazon-, Semicarbazon-, Oxim-, Oxazolin-, Oxazolidi­ non- oder Formamidinreste tragen. Ebenso sind Mischungen dieser Verbindungen oder Lösungen in gängigen organischen Lösungsmitteln, z. B. Ethanol oder Diethylether, als Entwicklermedien geeignet.

Bevorzugt als organische Entwicklermedien sind Halogenphenole, insbesondere Chlorphenole, wie z. B. p-Chlorphenol, Mono-, Di- und Trialkylphenole mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen in den Alkylgrup­ pen, beispielsweise Kresole, wie o-Kresol, Dimethylphenole, wie 2,4-Dimethylphenol, 2,5-Dimethylphenol, 2,6-Dimethylphenol, Tri­ methylphenole, wie 2,4,6-Trimethylphenol, 2,3,6-Trimethylphenol, Cumylphenol, p-Nonylphenol und p-Dodecylphenol.

Nach bildmäßiger Bestrahlung wird mit den erfindungsgemäßen Ent­ wicklermedien bei 30 bis 160°C entwickelt. Es lassen sich so Ab­ träge bis zu 1100 Mm erzielen bei einem Bestrahlaufwand, mit dem bei PMMA/GG-Entwickler 100 µm erreicht werden. Die erhaltenen Mi­ krostrukturen zeigen scharfe, steile Kanten und glatte Wände.

Beispiele 1 bis 10

Ein Copolymer aus Trioxan und Butandiolformal (z. B. Ultraform® N 2320 = Handelsprodukt der BASF Aktiengesellschaft) wurde als Probekörper (Abmessungen 30×10×2 mm) an einem Elektronen­ speicherring mit 1,6 bis 2,3 GeV Elektronenenergie bei einem mittleren Ringstrom von 25 mA und einem Scannerhub von 10 mm un­ ter Verwendung einer Kupferdrahtmaske bildmäßig bestrahlt. Der Bestrahlungsaufwand betrug 338 mA·min. Der Abtrag fand durch nach­ folgende Einwirkung von Entwicklern statt. Die eingesetzten Ent­ wickler sowie die zugehörigen Abträge, Entwicklungstemperatur und Entwicklungszeit zeigt Tabelle 1.

Tabelle 1

Vergleichsbeispiel 1

PMMA wurde als Probekörper (Abmessungen 30 × 10 × 2 mm) an einem Synchrotron mit 2,3 GeV Elektronenenergie bei einem mittleren Ringstrom von 25 mA und einem Scannerhub von 10 mm unter Verwen­ dung einer Kupferdrahtmaske bildmäßig bestrahlt. Der Bestrah­ lungsaufwand betrug 338 mA·min, wodurch sich eine Dosisablagerung von 2,83 kJ/cm³ in 100 µm Tiefe errechnet. Der Abtrag fand bei nachfolgender Entwicklung mit GG-Entwickler bei 38°C und 15 min statt. Die Abtragstiefe betrug 100 µm.

Beispiele 11 bis 18

Bei Probekörpern aus verschiedenen handelsüblichen Polyoxymethy­ lenen (s. Tabelle 2) mit den Abmessungen 30 × 10 × 2 mm wurde der Bestrahlungsaufwand so gewählt, daß jeweils bestimmte Dosisabla­ gerungen in 50 µm Tiefe deponiert wurden (1, 2, 3 und 4 kJ/cm³) Als Maske diente ein einfacher Kupferdraht, der für den nötigen Kontrast sorgte.

Mit p-Chlorphenol wurden die bestrahlten Bereiche vollständig ab­ getragen, so daß ein Steg im Probekörper entstand. Durch einfa­ ches Ausmessen der Strukturhöhe mittels eines optischen Mikro­ skops konnte so die Tiefe im Resist ermittelt werden, in der das Material gerade noch ausreichend verändert worden war, um in dem verwendeten Entwickler löslich zu werden. Diese Tiefe war abhän­ gig von der jeweils abgelagerten Dosis und über diesen Zusammen­ hang ließ sich bei Kenntnis der molekularen Zusammensetzung (Sum­ menformel) des Resists die Grenzdosis für das eingesetzte Mate­ rial berechnen, die ein Maß sowohl für die Röntgenlichtempfind­ lichkeit des Resistmaterials als auch für das Entwicklerpotential ist. Tabelle 2 zeigt die errechneten Werte.

Tabelle 2

Vergleichsbeispiel 2

Probekörper aus PMMA mit den Abmessungen 30 × 10 × 2 mm wurden unter den Bedingungen wie in Beispiel 11 bis 18 beschrieben be­ strahlt. Das Herauslösen der bestrahlten Bereiche erfolgte mit GG-Entwickler. Aus den Abträgen wurde eine Grenzdosis von 1,6 kJ/cm³ errechnet.

Beispiel 19

Ein Copolymer aus Trioxan und Butandiolformal (z. B. Ultraform N 2320 = Handelsprodukt der BASF) wurde als Probekörper mit den Ab­ messungen 80 × 40 × 0,7 mm an einem Synchrotron mit 2,3 GeV Elek­ tronenenergie bei einem mittleren Ringstrom von 25 mA und einem Scannerhub von 28 mm unter Verwendung einer speziellen Röntgen­ maske, die eine Wabenstruktur mit einer Schlüsselweite von 120 µm und einer Stegbreite von 60 µm enthielt, wie sie im LIGA-Verfahren üblicherweise Verwendung findet, bildmäßig bestrahlt. Der Be­ strahlungsaufwand betrug 3275 mA·min. Die Oberflächendosis betrug 45 kJ/cm³ und die Tiefendosis 2 kJ/cm³ in 600 µm Tiefe. Das Abtra­ gen der bestrahlten Bereiche fand durch nachfolgende Einwirkung von p-Chlorphenol bei 60°C und 45 min statt, so daß eine freitra­ gende Wabenstruktur mit einer Strukturhöhe von 700 µm entstand. Die erhaltenen Mikrostrukturen zeigten scharfe, steile Kanten und glatte Wände. Sie waren frei von singulären und statistischen Fehlern.

Vergleichsbeispiel 3

Eine gleiche Struktur mit PMMA erfordert einen Bestrahlungs­ aufwand, der um den Faktor 3 bis 4 höher ist.

Claims (5)

1. Verfahren zur selektiven Auflösung von mit energiereicher Strahlung bestrahlten Homo- oder Copolyoxymethylenen in einem flüssigen organischen Entwicklermedium, dadurch gekennzeich­ net, daß als organisches Entwicklermedium ein Phenolderivat mit freier phenolischer Hydroxylgruppe und mindestens einem weiteren Substituenten am Phenolkern eingesetzt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das als organisches Entwicklermedium eingesetzte Phenolderivat als weitere Substituenten am Phenolkern mindestens einen Alkylrest mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen oder Chlor enthält.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als energiereiche Strahlung Synchrotronstrahlung eingesetzt wird.

4. Verfahren zur Herstellung von Mikroformkörpern mit hohem Aspektverhältnis durch bildmäßiges Bestrahlen von Homo- oder Copolyoxymethylenen mit energiereicher, paralleler Strahlung aus Röntgenstrahlquellen in einer Abtragstiefe von 10 bis 2000 µm bei lateralen Abmessungen bis zu < 10 µm und selek­ tive Auflösung der bestrahlten Bereiche in einem flüssigen organischen Entwicklermedium, dadurch gekennzeichnet, daß als organisches Entwicklermedium ein Phenolderivat mit freier phenolischer Hydroxylgruppe und mindestens einem weiteren Substituenten am Phenolkern eingesetzt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das als organisches Entwicklermedium eingesetzte Phenolderivat als weitere Substituenten am Phenolkern mindestens einen Alkyl­ rest mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen oder Chlor enthält.