DE4128964A1 - Defined adhesive area prodn. esp. for micro-mechanics or integrated sensor - using photoresist adhesive soln. of lacquer, photosensitive cpd. and hardener, etc. - Google Patents

Defined adhesive area prodn. esp. for micro-mechanics or integrated sensor - using photoresist adhesive soln. of lacquer, photosensitive cpd. and hardener, etc.

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DE4128964A1 DE19914128964 DE4128964A DE4128964A1 DE 4128964 A1 DE4128964 A1 DE 4128964A1 DE 19914128964 DE19914128964 DE 19914128964 DE 4128964 A DE4128964 A DE 4128964A DE 4128964 A1 DE4128964 A1 DE 4128964A1
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Karl-Ernst Ehwald
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Abstract

Prodn. of adhesive areas of definite extent for bonding parts is carried out by (a) coating a pattern with a photoresist adhesive (I), consisting of a solvent (II), a lacquer component (III), a light-sensitive component (IV) and a hardener component (V) and a solvent; (b) this is exposed and developed; then (c) 2 devices are placed in the required position and contacted under a pressure max 1g/sq.cm for max. 10 minutes and heated to 200 deg.C. Pref. (III) is a cresol/HCHO resin (IIIA) and/or its oligomers (IIIB) or poly-(hydroxystyrene); (IV) is 1,2-naphthoquinone-diazide- 2-(5-sulphonate esters) (IVA) and/or the corresp. 4-sulphonate esters (IVB) or aryl-hydroxy cpds. polyhydroxybenzophenones, esp. 2,3,4-trihydroxybenzophenone, gallate esters or cresol/HCHO condensates. (V) is phenol and/or cresol bismethylols or their ethers or esters, resols, epoxide cpds. or mixts. of these 4 cpds. USE/ADVANTAGE - The technique is useful for making contact areas with narrow limits, esp. for making functional elements with micro-cavities esp. for finishing microelectronic devices in the micro-mechanical field and integrated sensor technology. A firm bond with very small, exact areas can be made, with tolerances of a few microns or in the sub-micron range.

Description

Es wird ein Verfahren und ein Material zum Verbinden von Bauteilen mit eng begrenzten Kontaktflächen be­ schrieben, die vorzugsweise für die Fertigung von Funktionselementen mit Mikrohohlräumen auf dem Gebiet der Mikromechanik und der integrierten Sensortechnik Anwendung finden.It becomes a method and a material for joining of components with narrow contact areas wrote, preferably for the manufacture of Functional elements with micro voids in the field micromechanics and integrated sensor technology Find application.

In der heutigen Zeit der Miniaturisierung der gesamten Technik werden immer häufiger mikroelektronische Bau­ steine benötigt, die Mikrohohlräume aufweisen. Diese Mikrobauteile werden in speziellen technolo­ gischen Verfahren zur miniaturisierenden Formgebung aus Materialien wie Metall, Halbleiter oder Keramik gefertigt und können mechanische Funktionsteile wie Gelenke, Lagerungen, Vibratoren oder Rotoren dar­ stellen, oder es handelt sich um elektrisch-elektro­ nische Funktionselemente in Meßfühlern bzw. Sensoren sowie deren Kapselung in definierten Hohlräumen oder um Mikrokammern für chemische Indikatorreaktionen.In the present day miniaturization of the whole Technology are becoming increasingly common in microelectronic construction stones that have micro-voids. These micro components are made in special technolo mical process for miniaturizing shaping made of materials such as metal, semiconductors or ceramics manufactured and can mechanical parts like Joints, bearings, vibrators or rotors places, or it is electrical-electrical African functional elements in sensors or sensors and their encapsulation in defined cavities or around micro-chambers for chemical indicator reactions.

Die Herstellung bzw. Montage derartiger Mikrobau­ elemente erfordert häufig mechanische Verbindungs­ techniken, die eine feste Verbindung sehr kleiner, exakt begrenzter Flächen ermöglichen. Des weiteren sind die Positionen der Verbindungsflächen mit Tole­ ranzen von wenigen Mikrometern oder im Sub-Mikrometer­ bereich festgelegt. The manufacture or assembly of such microstructures elements often require mechanical connections techniques that have a tight connection very small, enable precisely limited areas. Furthermore are the positions of the connection surfaces with tole satchel of a few micrometers or in the sub-micrometer area set.  

Die bekanntesten Verfahren zur Herstellung von Mikro­ hohlräumen bestehen im Einbringen von Vertiefungen in die Bauteile, z. B. mittels einer Ätzung, und das an­ schließende Zusammenlöten dieser Bauteile. Dieser Pro­ zeßablauf wird durch die folgenden Verfahrensschritte wiedergegeben:
1.0 - Herstellen der benötigten Vertiefungen in den Bauteilen (Vorlage) durch ein Ätzverfahren
1.1 - Aufsputtern eines Boratglases auf die Vorlage
1.2 - Beschichten des Boratglases mit einem Fotoresist
1.3 - Belichten des Fotoresists durch eine Fotomaske
1.4 - Entwickeln des Fotoresists
1.5 - Entfernen des Boratglases durch einen Ätzprozeß an den Stellen, die nicht durch die Fotoresist­ maske geschützt sind
1.6 - Entfernen der Fotoresistmaske
1.7 - Verlöten der Bauelemente (Lot = Boratglas) bei einer Temperatur von über 400°CThe best known methods for the production of micro cavities consist in the introduction of recesses in the components, for. B. by means of an etching, and the closing soldering of these components. This process sequence is represented by the following process steps:
1.0 - Create the required recesses in the components (template) by an etching process
1.1 - Sputtering a borate glass onto the template
1.2 - coating the borate glass with a photoresist
1.3 - Expose the photoresist through a photomask
1.4 - Developing the photoresist
1.5 - Removal of the borate glass by an etching process in the areas that are not protected by the photoresist mask
1.6 - Remove the photoresist mask
1.7 - Soldering the components (solder = borate glass) at a temperature of over 400 ° C

Das eben beschriebene Verfahren ist in der Abb. 1 detailliert dargestellt.The procedure just described is shown in detail in Fig. 1.

Bei dem oben beschriebenen Verfahren wurden Bauteile mit Hilfe eines Glaslotes zu Bauelementen vereinigt. Die Verbindung mit Hilfe eines Glaslotes hat erhebliche Nachteile, da die Verbindungsstellen sehr spröde sind. Häufig entstehen schon beim normalen Abkühlprozeß Haar­ risse im Lot, die zu Undichtigkeiten der Mikrokammer führen können. Für bestimmte Sensoren ist aber eine absolut gasdichte Kammer erforderlich.In the process described above, components united with the help of a glass solder to components. The connection with the help of a glass solder has considerable Disadvantages, since the connection points are very brittle. Hair often forms during the normal cooling process cracks in the plumb, leading to leaks in the micro-chamber being able to lead. But for certain sensors there is one absolutely gastight chamber required.

Ein weiterer Nachteil dieses Lötprozesses besteht darin, daß der Prozeß bei Temperaturen über 400°C erfolgt.Another disadvantage of this soldering process is that the process takes place at temperatures above 400 ° C.

Da es sich in der Mikromechanik und der Sensortechnik um feinste Strukturen handelt, die in diesen Montage­ prozeß einbezogen werden, ist beim Erhitzen eine Deformierung der Bauelemente oder das Auftreten stö­ render mechanischer Spannungen nicht ausgeschlossen. Since it is in micromechanics and sensor technology the finest structures involved in this assembly process is one when heating Deformation of the components or the occurrence of interference render mechanical stresses not excluded.  

Des weiteren begrenzt ein Temperprozeß über 400°C die Einsatzbreite der Bauteile und ihrer Funktionselemente. So können beispielsweise bestimmte Thermistortypen oder semipermeable Wände nicht in diese Bauelemente einbezogen werden.Furthermore, an annealing process above 400 ° C limits the Range of application of the components and their functional elements. For example, certain types of thermistors or semipermeable walls are not included in these components will.

Aufgabe der ErfindungObject of the invention

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Material und ein Verfahren zu schaffen, das eine feste mecha­ nische Verbindung von Werkstücken über eng begrenzte Kontaktflächen in einem relativ kurzen Arbeitsprozeß und bei Temperaturen unter 200°C ermöglicht.
Material und Verfahren sollen geeignet sein, gegenüber flüssigen und gasförmigen Medien eine dichte und che­ misch stabile Verbindung herzustellen, so daß die Mon­ tage von Bauelementen, insbesondere der Mikromechanik und der Sensortechnik - wie Trägerelemente, hermetische Kapseln oder Mikroreaktoren - möglich ist.The object of the invention is to provide a material and a method which enables a firm mechanical connection of workpieces over narrow contact surfaces in a relatively short working process and at temperatures below 200 ° C.
Material and method should be suitable to produce a dense and chemically stable connection to liquid and gaseous media, so that the assembly of components, in particular micromechanics and sensor technology - such as carrier elements, hermetic capsules or microreactors - is possible.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß man an Stelle eines Lötverfahrens zum Verbinden der einzelnen Bauteile ein Klebeverfahren anwendet, wobei für den Klebeprozeß Temperaturen unter 200°C aus­ reichend sind.According to the invention the object is achieved in that one instead of a soldering process for connecting the individual components uses an adhesive process, whereby temperatures below 200 ° C for the bonding process are sufficient.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist durch folgende Ver­ fahrensschritte gekennzeichnet:
2.0 - Herstellen der benötigten Vertiefungen in den Bauteilen (Vorlage) durch ein Ätzverfahren
2.1 - Beschichten der Vorlage mit einem Fotolackkleber
2.2 - Belichtung des Fotolackklebers durch eine Fotomaske
2.3 - Entwickeln des Fotolackklebers
2.4 - Verkleben der Bauelemente bei einer Temperatur unter 200°C. The method according to the invention is characterized by the following procedural steps:
2.0 - Creation of the required recesses in the components (template) by an etching process
2.1 - Coating the template with a photoresist adhesive
2.2 - exposure of the photoresist adhesive through a photomask
2.3 - Developing the photoresist adhesive
2.4 - Bonding the components at a temperature below 200 ° C.

Die erfindungsgemäßen Verfahrensschritte sind in der Abb. 2 detailliert dargestellt.The process steps according to the invention are shown in detail in Fig. 2.

Das Wesentliche und Erfindungsgemäße an diesem Verfah­ ren ist der ideale Verfahrensschritt, den Fotolack­ kleber so zu gestalten, daß er nach dem fotolitho­ grafischen Prozeß bei einer bestimmten thermischen Behandlung erweicht, dabei mit einer in mechanischem Kontakt befindlichen Fläche eine adhäsive Bindung ein­ geht, und allmählich aushärtet, so daß diese Verbindung auch bei höheren Temperaturen fest bleibt und chemisch stabil ist.The essentials and according to the invention in this procedure Ren is the ideal process step, the photoresist to design glue so that it after the photolitho graphic process at a certain thermal Treatment softens, with one in mechanical An adhesive bond goes, and gradually hardens, so that connection remains solid and chemical even at higher temperatures is stable.

Im Resultat dieses Verfahrensschrittes entsteht eine gegenüber Gasen und Flüssigkeiten dichte und mechanisch stabile Funktionseinheit.As a result of this process step, a sealed against gases and liquids and mechanically stable functional unit.

Das Verbindungsmaterial übernimmt also zwei Prozeßfunk­ tionen im Verfahrensablauf:The connection material takes over two process radio process flow:

  • - in der ersten Funktion stellt das Material einen Foto- oder Strahlenresist dar, mit dem aus einer zunächst geschlossenen Schicht auf einem Werkstück auflithografischem Weg definierte Resistflächen er­ zeugt werden- In the first function, the material provides one Photo or radiation resist with which one first closed layer on a workpiece resist areas defined on the lithographic path be fathered
  • - und in der zweiten Funktion wirkt das Material als Kleber, indem die Resistflächen nach der lithogra­ fischen Strukturierung die Klebeflächen für die Ver­ bindung darstellen.- and in the second function the material acts as Glue by the resist areas after the lithograph fish structuring the adhesive surfaces for the ver represent bond.

Damit ist das Problem des Auftrages eines Klebstoffes mit einer Stegbreite bis in den µ-Bereich ideal ge­ löst und man kann die Vorteile des Klebeverfahrens, d. h. Trocknungs- oder Entwicklungstemperatur unter 200°C, vollständig ausnutzen.So that's the problem of applying an adhesive ideally with a bridge width down to the µ range solves and you can take advantage of the gluing process, d. H. Drying or development temperature below 200 ° C, take full advantage.

Das Verbindungsmaterial, das gleichzeitig beide oben genannten Funktionen ausüben kann, besteht erfindungs­ gemäß aus einem Cresol-Formaldehydharz, dessen Oligo­ meren oder einem Gemisch aus beiden oder einem Poly­ (hydroxystyren) als filmbildendes Bindemittel, ferner aus einer lichtempfindlichen Komponente wie 1,2-Naphthochinondiazid-2-(5-sulfonsäureester) und/oder 1,2-Naphthochinondiazid-2-(4-sulfonsäureester) von Arylhydroxyverbindungen wie Polyhydroxybenzophenon, Gallussäureester oder Dresol-Formaldehydkondensate. Als Härtungskomponenten werden Phenol- bzw. Dresolbis­ methylole, deren Ether oder Ester sowie Resole und Epoxyverbindungen eingesetzt.The connecting material that is both above at the same time mentioned functions can be fiction according to a cresol-formaldehyde resin, the oligo mer or a mixture of both or a poly (hydroxystyrene) as film-forming binder, further  from a photosensitive component like 1,2-naphthoquinonediazide-2- (5-sulfonic acid ester) and / or 1,2-naphthoquinonediazide-2- (4-sulfonic acid ester) of arylhydroxy compounds such as polyhydroxybenzophenone, Gallic acid esters or Dresol formaldehyde condensates. Phenol or Dresolbis are used as curing components methylols, their ethers or esters and resols and Epoxy compounds used.

Die Realisierung der Erfindung kann gemäß Abb. 2 wie folgt durchgeführt werden.The realization of the invention can be carried out as follows according to Fig. 2.

Der Fotolackkleber wird mittels Schleuderbeschichtung als homogene Schicht mit einer Dicke, je nach Anfor­ derung, zwischen 300 und 2000 nm aufgetragen und bei Temperaturen bis zu 90°C getempert (Abb. 2.1). Nach der bildmäßigen Belichtung (Abb. 2.2) wird die Schicht in einem entsprechenden wäßrig-alkalischen Entwickler entwickelt (Abb. 2.3).The photoresist is adhesive alteration by spin coating as a homogeneous layer with a thickness depending on Anfor, nm applied from 300 to 2000 and tempered at temperatures up to 90 ° C (Fig. 2.1). After the imagewise exposure ( Fig. 2.2), the layer is developed in an appropriate aqueous alkaline developer ( Fig. 2.3).

Die so entstandenen Strukturen stellen die Klebe­ flächen für die vorgesehene Verbindung dar. Nach der Positionierung der Werkstücke entsprechend der Klebe­ flächen werden die Werkstücke unter mäßigem Andruck auf die erforderliche Klebetemperatur von 140°C bis 180°C erwärmt (Abb. 2.4). Die Aushärtung dauert etwa 10 Mi­ nuten.The structures created in this way represent the adhesive surfaces for the intended connection. After positioning the workpieces in accordance with the adhesive surfaces, the workpieces are heated to the required adhesive temperature of 140 ° C to 180 ° C with moderate pressure ( Fig. 2.4). The curing takes about 10 minutes.

Der Einsatz dieses Fotolackklebers ermöglicht eine be­ deutende Vereinfachung des Montageverfahrens für Mikro­ bauteile in der Mikromechanik und der integrierten Sensortechnik. Da das Klebematerial im Gegensatz zu den bisher üblichen Glasloten lithografisch direkt struktu­ rierbar ist, können damit bis zu drei Prozeßschritte eingespart werden. Zunächst entfällt das Aufsputtern des Lotglases im Vakuum (Abb. 1.1) sowie dessen Ätz­ strukturierung (Abb. 1.5). Für diese Strukturierung muß zuvor auf lithografischem Wege eine Resistmaske hergestellt werden (Abb. 1. bis 1.4.). The use of this photoresist adhesive enables a significant simplification of the assembly process for micro components in micromechanics and the integrated sensor technology. Since the adhesive material can be lithographically structured directly in contrast to the glass solders previously used, up to three process steps can be saved. First, there is no sputtering of the solder glass in a vacuum ( Fig. 1.1) and its etching structure ( Fig. 1.5). For this structuring, a resist mask has to be prepared beforehand by lithography ( Fig. 1. to 1.4.).

Da die Resistmaske beim nächsten Arbeitsschritt, dem Lötprozeß, stört, muß diese Maske entfernt werden. Die Entfernung dieser Resistmaske stellt den dritten einzusparenden Schritt dar (Abb. 1.6).Since the resist mask interferes with the next work step, the soldering process, this mask must be removed. The removal of this resist mask is the third step to be saved ( Fig. 1.6).

Der erfindungsgemäß vereinfachte Prozeß erfordert lediglich einen lithografischen Arbeitsgang (Abb. 2.1 bis 2.3), der den Auftrag des Fotolackklebers mittels Schleuderbeschichtung, die bildmäßige Belichtung und die Entwicklung der aufbelichteten Strukturen bein­ haltet.The process simplified according to the invention only requires a lithographic operation ( Figs. 2.1 to 2.3) which includes the application of the photoresist adhesive by means of spin coating, the imagewise exposure and the development of the exposed structures.

In einer speziellen Anwendungsform der Erfindung kann der Härtungsprozeß des Fotolackklebers durch eine foto­ chemische Reaktion dahingehend unterstützt werden, daß ein dauernder Materialverbund bereits bei einer Tempe­ ratur unter 110°C erfolgt. Für diese besondere Aus­ führungsform der Erfindung wird ein Fotolackkleber ver­ wendet, der die lichtempfindlichen Komponenten 1,2-Naphthochinondiazid-2(5-sulfonsäureester) und 1,2-Naphthochinondiazid-2-(4-sulfonsäureester) enthält.In a special application form of the invention the curing process of the photoresist adhesive by a photo chemical reaction are supported so that a permanent material composite already at a tempe temperature below 110 ° C. For that special out embodiment of the invention, a photoresist adhesive ver of the photosensitive components 1,2-naphthoquinonediazide-2 (5-sulfonic acid ester) and Contains 1,2-naphthoquinonediazide-2- (4-sulfonic acid ester).

Nach dem lithografischen Schritt (Abb. 2.2 und 2.3) wird eine Flutbelichtung in einem Wellenlängenbereich unter 400 nm zwischengeschaltet. (Abb. 3.4). Die dabei aus dem 1,2-Naphthochinondiazid-2-(4-sulfonsäureester) freigesetzte Sulfonsäure katalysiert die nachfolgende Vernetzungsreaktion, so daß sowohl Reaktionstemperatur als auch Reaktionsdauer gesenkt werden können. Die säurekatalytische Reaktion kann durch den Zusatz von Oniumsalzen verstärkt werden.After the lithographic step ( Fig. 2.2 and 2.3), a flood exposure in a wavelength range below 400 nm is interposed. (Fig. 3.4). The sulfonic acid released from the 1,2-naphthoquinonediazide-2- (4-sulfonic acid ester) catalyzes the subsequent crosslinking reaction, so that both the reaction temperature and the reaction time can be reduced. The acid catalytic reaction can be intensified by adding onium salts.

In Abb. 3 ist dieser Verarbeitungsprozeß skizziert, er unterscheidet sich gegenüber dem in Abb. 2 dargestellten Schema durch die zwischengeschaltete Flutbelichtung (Abb. 3.4). This processing process is sketched in Fig. 3, it differs from the scheme shown in Fig. 2 by the interposed flood exposure ( Fig. 3.4).

Mit dem eben beschriebenen erfindungsgemäßen Verfahren und Verbundmaterial ist es möglich, Bauteile, in denen temperaturempfindliche Funktionsgruppen integriert sind, zu montieren. Der Anwendungsbereich derartiger rationeller Montageverfahren wird durch den Einsatz dieses Fotolackklebers erheblich erweitert.With the inventive method just described and composite material, it is possible to use components in which temperature-sensitive function groups integrated are to be assembled. The scope of such rational assembly process is through the use this photoresist adhesive expanded considerably.

Mit Hilfe dieser Klebetechnik kann eine serienmäßige Fertigung der Bauelemente erfolgen, indem auf einer großen Fläche (z. B. auf einem Si-Wafer) eine Vielzahl einzelner Baugruppen angelegt und bearbeitet werden. Nach dem Verkleben erfolgt die mechanische Trennung der einzelnen kompletten Baugruppen. With the help of this adhesive technology, a standard Manufacturing of the components is done by on a large area (e.g. on a Si wafer) individual modules can be created and edited. The mechanical separation takes place after bonding of the individual complete assemblies.  

AusführungsbeispielEmbodiment

Der Fotolackkleber besteht zu 70% aus einem Lösemittel, vorzugsweise Ethyllactat, 15% Novolak-Harz mit einer mittleren Molmasse Mw = 4000 bis 5000 g/mol, 3% No­ volak-Oligomer mit einer Molmasse Mw = 400 bis 600 g/mol, 5% 1,2-Naphthochinondiazid-2-(5-sulfonsäureester) des 2,3,4-Trihydroxybenzophenon, 5% o-Cresolbismethylol und 2% Epoxidharz vom Typ EPILOX.The photoresist adhesive consists of 70% solvent, preferably ethyl lactate, 15% novolak resin with a average molecular weight Mw = 4000 to 5000 g / mol, 3% No volak oligomer with a molecular weight Mw = 400 to 600 g / mol, 5% 1,2-naphthoquinonediazide-2- (5-sulfonic acid ester) des 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 5% o-cresol bismethylol and 2% EPILOX epoxy resin.

Die entsprechend ihrer Funktion vorgefertigte Bauelement­ vorlage wird mit dem Fotolackkleber obiger Zusammenset­ zung auf einer üblichen Schleuderbeschichtungsanlage bei 5000 U/min beschichtet und anschließend einer Trocken­ temperung zwischen 60°C und 90°C ausgesetzt. Es resul­ tiert eine Schichtdicke von ca. 1,5 µm.The component prefabricated according to its function template is put together with the photoresist adhesive above on a conventional spin coating system 5000 rpm and then a drying exposed to temperatures between 60 ° C and 90 ° C. It resul a layer thickness of approx. 1.5 µm.

Zur Erzeugung der definiert begrenzten Klebeflächen wird die beschichtete Bauelementvorlage mittels einer litho­ grafischen Belichtungseinrichtung im Wellenlängenbereich zwischen 300 nm und 440 nm belichtet. Danach erfolgt die Entwicklung in einem für Fotokopierlacke üblichen wäßrig- basischen Entwickler. Als Entwicklungsverfahren kann eine Tauch- oder Sprühentwicklung eingesetzt werden. Die so vorbereitete Bauelementvorlage wird mit dem entsprechen­ den zur Montage vorgesehenen Bauelement positionsgerecht in Kontakt gebracht und unter mäßigem Andruck (bis zu 1 g/cm2) auf 140°C bis 180°C erwärmt. Nach etwa 10 min ist eine mechanisch und chemisch stabile Verbindung entstanden. To produce the defined limited adhesive surfaces, the coated component template is exposed by means of a lithographic exposure device in the wavelength range between 300 nm and 440 nm. Development then takes place in an aqueous-basic developer which is customary for photocopy lacquers. Immersion or spray development can be used as the development process. The component template prepared in this way is brought into contact with the corresponding component intended for assembly in the correct position and heated to 140 ° C. to 180 ° C. under moderate pressure (up to 1 g / cm 2 ). A mechanically and chemically stable connection is formed after about 10 minutes.

Ausführungsbeispiel 2Embodiment 2

Der Fotolackkleber besteht zu 70% aus einem Lösemittel, vorzugsweise Ethyllactat, 15% Novolak-Harz mit einer mittleren Molmasse Mw = 4000 bis 5000g/mol,
5% 1,2-Naphthochinondiazid-2-(5-sulfonsäureester) des 2,3, 4-Trihydroxybenzophenon,
4% 1,2-Naphthochinondiazid-2-(4-sulfonsäureester) eines Novolak-Oligomers (3- bis 5-Kernprodukt) und
6% 4-Methoxy-2,6-bis(hydroxymethyl)-phenol.The photoresist adhesive consists of 70% solvent, preferably ethyl lactate, 15% novolak resin with an average molecular weight Mw = 4000 to 5000g / mol,
5% 1,2-naphthoquinonediazide-2- (5-sulfonic acid ester) of 2,3,4-trihydroxybenzophenone,
4% 1,2-naphthoquinonediazide-2- (4-sulfonic acid ester) of a novolak oligomer (3 to 5 core product) and
6% 4-methoxy-2,6-bis (hydroxymethyl) phenol.

Die entsprechend ihrer Funktion vorgefertigte Bauelement­ vorlage wird mit dem Fotolackkleber obiger Zusammen­ setzung auf einer üblichen Schleuderbeschichtungsanlage bei 5000 U/min beschichtet und anschließend einer Trocken­ temperung bei 70°C ausgesetzt. Es resultiert eine Schichtdicke des Fotolackklebers von ca. 1,5 µm.The component prefabricated according to its function Template is with the photo paint adhesive above setting on a conventional spin coating system coated at 5000 rpm and then a dry tempering exposed at 70 ° C. The result is one Layer thickness of the photoresist adhesive of approx. 1.5 µm.

Zur Erzeugung der definiert begrenzten Klebeflächen wird die beschichtete Bauelementvorlage mittels einer lithografischen Belichtungseinrichtung bei der spek­ tralen Wellenlänge von 436 nm belichtet. Danach erfolgt die Entwicklung in einem für Fotokopierlacke üblichen wäßrig-basischen Entwickler. Als Entwicklungsverfahren kann eine Tauch- oder Sprühentwicklung eingesetzt werden. Danach schließt sich eine Flutbelichtung im Wellenlängen­ bereich von 405 nm bis 300 nm an mit einer Bestrahlungs­ stärke von ca. 250 mJ/cm2. Die so vorbereitete Bau­ elementvorlage wird mit dem entsprechenden zur Montage vorgesehenen Bauelement positionsgerecht in Kontakt ge­ bracht und unter mäßrigem Andruck (bis zu 1 g/cm2) auf 80°C bis 110°C erwärmt. Nach etwa 10 Minuten ist eine mechanisch und chemisch stabile Verbindung entstanden.To produce the defined limited adhesive areas, the coated component template is exposed by means of a lithographic exposure device at the spectral wavelength of 436 nm. Development then takes place in an aqueous basic developer which is customary for photocopy lacquers. Immersion or spray development can be used as the development process. This is followed by flood exposure in the wavelength range from 405 nm to 300 nm with an irradiance of approx. 250 mJ / cm 2 . The component template prepared in this way is brought into contact with the appropriate component intended for assembly and heated to 80 ° C to 110 ° C under moderate pressure (up to 1 g / cm 2 ). After about 10 minutes, a mechanically and chemically stable connection is created.

Claims (9)

1. Verfahren und Material zur Erzeugung von definiert begrenzten Klebeflächen, zum Verbinden von Bauteilen, vorzugsweise für die Fertigung von Mikrobauteilen auf dem Gebiet der Mikromechanik und der integrierten Sensortechnik, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vorlage (Abb. 2.0.) mit einem Fotolackkleber bestehend aus
  • - einem Lösungsmittel
  • - einer Lackkomponente
  • - einer lichtempfindlichen Komponente und
  • - einer Härterkomponente beschichtet (Abb. 2.1), belichtet (Abb. 2.2) und ent­ wickelt (Abb. 2.3) wird und anschließend zwei Bauteile positionsgerecht unter einem Andruck von 1 g/cm2 und einer Andruckdauer von 10 min in Kontakt (Abb. 2.4) gebracht werden und dabei auf eine Temperatur von 200°C erwärmt werden.
1. The method and material for producing defined limited adhesive surfaces, for connecting components, preferably for the manufacture of micro components in the field of micromechanics and integrated sensor technology, characterized in that a template ( Fig. 2.0.) With a photoresist adhesive consisting of
  • - a solvent
  • - a paint component
  • - a photosensitive component and
  • - a hardener component is coated ( Fig. 2.1), exposed ( Fig. 2.2) and developed ( Fig. 2.3) and then two components are brought into contact in the correct position with a pressure of 1 g / cm 2 and a pressure duration of 10 min ( Fig. 2.4) are brought and heated to a temperature of 200 ° C.
2. Verfahren und Material zur Erzeugung definiert begrenz­ ter Klebeflächen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Fotolackkleber als Lackkomponente
  • - Dresol-Formaldehydharz
  • - und/oder dessen Oligomere
  • - oder Poly-(hydroxystyren) enthält.
2. The method and material for producing defined limited adhesive surfaces according to claim 1, characterized in that the photoresist adhesive as a lacquer component
  • - Dresol formaldehyde resin
  • - And / or its oligomers
  • - or poly (hydroxystyrene) contains.
3. Verfahren und Material zur Erzeugung definiert begrenzter Klebeflächen nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Fotolackkleber als lichtempfindliche Komponente
  • - 1,2-Naphthochinondiazid-2-(5-sulfonsäureester) von Arylhydroxyverbindungen
  • - und/oder 1,2-Naphthochinondiazid-2-(4-sulfonsäureester) von Arylhydroxyverbindungen enthält.
3. The method and material for producing defined limited adhesive areas according to claim 1 and 2, characterized in that the photoresist adhesive as a photosensitive component
  • - 1,2-naphthoquinonediazide-2- (5-sulfonic acid ester) of arylhydroxy compounds
  • - And / or 1,2-naphthoquinonediazide-2- (4-sulfonic acid ester) of arylhydroxy compounds.
4. Verfahren und Material zur Erzeugung definiert be­ grenzter Klebeflächen nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtempfindliche Komponente ein Ester von Polyhydroxybenzophenon, insbesondere vom 2,3,4-Trihydroxybenzophenon oder von Gallussäure­ estern oder von Dresol-Formaldehydkondensaten ist.4. Process and material for production defined limited adhesive surfaces according to claim 1 to 3, characterized characterized in that the photosensitive component an ester of polyhydroxybenzophenone, in particular 2,3,4-trihydroxybenzophenone or gallic acid esters or Dresol formaldehyde condensates. 5. Verfahren und Material zur Erzeugung definiert be­ grenzter Klebeflächen nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Fotolackkleber als Härtungs­ komponente
  • - Phenol- bzw. Dresolbismethylole
  • - oder deren Ether oder Ester
  • - oder Resole
  • - oder Epoxyverbindungen
  • - oder Gemische der vier genannten Verbindungen enthält.
5. Process and material for the production defined be limited adhesive surfaces according to claim 1 to 4, characterized in that the photoresist adhesive as a curing component
  • - Phenol or Dresolbismethylole
  • - or their ethers or esters
  • - or resols
  • - or epoxy compounds
  • - or mixtures of the four compounds mentioned.
6. Verfahren und Material zur Erzeugung definiert be­ grenzter Klebeflächen nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Fotolackkleber aus
  • - Ethyllactat
  • - Dresol-Formaldehydharz
  • - 1,2-Naphthochinondiazid-2-(5-sulfonsäureester) von 2,3,4-Trihydroxybenzophenon
    /
  • - o-Cresolbismethylol und
  • - Epoxidharz vom EPILOX-Typ (Bisphenol A - Diglycidylether) besteht.
6. The method and material for producing defined be limited adhesive surfaces according to claim 1 to 5, characterized in that the photoresist adhesive
  • - ethyl lactate
  • - Dresol formaldehyde resin
  • - 1,2-naphthoquinonediazide-2- (5-sulfonic acid ester) of 2,3,4-trihydroxybenzophenone
    /
  • - o-cresol bismethylol and
  • - Epoxy resin of the EPILOX type (bisphenol A - diglycidyl ether).
7. Verfahren und Material zur Erzeugung definiert be­ grenzter Klebeflächen nach Anspruch 1,2,4 und 5, da­ durch gekennzeichnet, daß eine Vorlage (Abb. 3.0) mit einem Fotolackkleber, der die lichtempfindlichen Komponenten
  • - 1,2-Naphthochinondiazid-2-(5-sulfonsäureester) von Arylhydroxyverbindungen und
  • - 1,2-Naphthochinondiazid-2-(4-sulfonsäureester) von Arylhydroxyverbindungen enthält, beschichtet (Abb. 3.1), belichtet, vorzugs­ weise bei einer spektralen Wellenlänge von 436 nm (Abb. 3.2), und entwickelt wird (Abb. 3.3) und nach der Entwicklung einer Flutbelichtung (Abb. 3.4) aus­ gesetzt wird und anschließend zwei Bauteile positions­ gerecht unter einem Andruck von 1 g/cm2 und einer Andruckdauer von 10 min in Kontakt (Abb. 3.5) ge­ bracht werden und dabei auf eine Temperatur von 110°C erwärmt werden.
7. The method and material for generating defined adhesive surfaces according to claim 1, 2, 4 and 5, characterized in that a template ( Fig. 3.0) with a photoresist adhesive, which is the photosensitive components
  • - 1,2-naphthoquinonediazide-2- (5-sulfonic acid ester) of arylhydroxy compounds and
  • - Contains 1,2-naphthoquinonediazide-2- (4-sulfonic acid ester) of arylhydroxy compounds, coated ( Fig. 3.1), exposed, preferably at a spectral wavelength of 436 nm ( Fig. 3.2), and is developed ( Fig. 3.3) and after the development of a flood exposure ( Fig. 3.4) is suspended and then two components are brought into contact in the correct position under a pressure of 1 g / cm 2 and a pressure duration of 10 min ( Fig. 3.5) while maintaining a temperature heated from 110 ° C.
8. Verfahren und Material zur Erzeugung definiert be­ grenzter Klebeflächen nach Anspruch 1,2,4,5 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Flutbelichtung bei einer spektralen Wellenlänge von 405 nm und einer Bestrahlungsstärke von 250 mj/cm2 erfolgt.8. The method and material for producing defined be adhesive surfaces according to claim 1,2,4,5 and 7, characterized in that the flood exposure is carried out at a spectral wavelength of 405 nm and an irradiance of 250 mj / cm 2 . 9. Verfahren und Material zur Erzeugung definiert be­ grenzter Klebeflächen nach Anspruch 1,2,4,5,7 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Fotolackkleber aus
  • - Ethyllactat
  • -Cresol-Formaldehydharz
  • - 1,2-Naphtochinondiazid-2-(5-sulfonsäureester) von 2,3,4-Trihydroxybenzophenon
  • - 1,2-Naphthochinondiazid-2-(4-sulfonsäureester) eines Cresol-Formaldehydharzoligomers (3- bis 5-Kernprodukt)
  • - 4-Methoxy-2,6-bis(hydroxymethyl)-phenol besteht
9. The method and material for producing defined be limited adhesive surfaces according to claim 1,2,4,5,7 and 8, characterized in that the photoresist adhesive
  • - ethyl lactate
  • -Cresol formaldehyde resin
  • - 1,2-naphthoquinonediazide-2- (5-sulfonic acid ester) of 2,3,4-trihydroxybenzophenone
  • - 1,2-naphthoquinonediazide-2- (4-sulfonic acid ester) of a cresol-formaldehyde resin oligomer (3 to 5 core product)
  • - 4-methoxy-2,6-bis (hydroxymethyl) phenol
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994029400A1 (en) * 1993-06-15 1994-12-22 Pharmacia Biotech Ab Method of producing microchannel/microcavity structures
DE10032283A1 (en) * 2000-07-03 2002-01-17 Infineon Technologies Ag Separating device for work piece carrier e.g. for semiconductor wafers, influences adhesive properties of connecting layer to carrier for release of work piece
DE10161492C2 (en) * 2001-12-14 2003-12-11 Micromotion Gmbh Process for the production and storage of micro components, magazine and assembly process for micro components
DE19851644B4 (en) * 1997-11-14 2006-01-05 INSTITUT FüR MIKROTECHNIK MAINZ GMBH Method for joining microstructured workpieces made of plastic and use of the method for the production of components

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994029400A1 (en) * 1993-06-15 1994-12-22 Pharmacia Biotech Ab Method of producing microchannel/microcavity structures
US6126765A (en) * 1993-06-15 2000-10-03 Pharmacia Biotech Ab Method of producing microchannel/microcavity structures
US6620478B1 (en) 1993-06-15 2003-09-16 Gyros Ab Circular disk containing microchannel/microcavity structures
DE19851644B4 (en) * 1997-11-14 2006-01-05 INSTITUT FüR MIKROTECHNIK MAINZ GMBH Method for joining microstructured workpieces made of plastic and use of the method for the production of components
DE10032283A1 (en) * 2000-07-03 2002-01-17 Infineon Technologies Ag Separating device for work piece carrier e.g. for semiconductor wafers, influences adhesive properties of connecting layer to carrier for release of work piece
DE10161492C2 (en) * 2001-12-14 2003-12-11 Micromotion Gmbh Process for the production and storage of micro components, magazine and assembly process for micro components
DE10161492C5 (en) * 2001-12-14 2007-05-10 Micromotion Gmbh Method for producing and storing microcomponents, magazine and assembly method for microcomponents

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