DE4020158A1 - Appts. for thin film coating of metallic substrates - comprises vacuum chamber, rotating substrate carrier, plasma generator and electron beam vaporiser - Google Patents

Appts. for thin film coating of metallic substrates - comprises vacuum chamber, rotating substrate carrier, plasma generator and electron beam vaporiser

Info

Publication number
DE4020158A1
DE4020158A1 DE19904020158 DE4020158A DE4020158A1 DE 4020158 A1 DE4020158 A1 DE 4020158A1 DE 19904020158 DE19904020158 DE 19904020158 DE 4020158 A DE4020158 A DE 4020158A DE 4020158 A1 DE4020158 A1 DE 4020158A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
plasma
magnets
source
substrates
substrate holder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19904020158
Other languages
German (de)
Other versions
DE4020158C2 (en
Inventor
Hans-Georg Dr Betz
Gregor A Campbell
Robert W Conn
Karl Dr Matl
Peter Dr Sommerkamp
Alfons Zoeller
Dan M Goebel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Buehler Alzenau GmbH
Original Assignee
Leybold AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold AG filed Critical Leybold AG
Priority to DE19904020158 priority Critical patent/DE4020158C2/en
Priority to DE4026367A priority patent/DE4026367A1/en
Priority to ES90123712T priority patent/ES2064593T3/en
Priority to EP90123712A priority patent/EP0463230B1/en
Priority to DE59007942T priority patent/DE59007942D1/en
Priority to JP15131591A priority patent/JP3481953B2/en
Publication of DE4020158A1 publication Critical patent/DE4020158A1/en
Priority to US08/607,273 priority patent/US5656141A/en
Application granted granted Critical
Publication of DE4020158C2 publication Critical patent/DE4020158C2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32018—Glow discharge
    • H01J37/32027—DC powered
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/31—Processing objects on a macro-scale
    • H01J2237/3132—Evaporating
    • H01J2237/3137—Plasma-assisted co-operation

Abstract

Appts. comprises vacuum chamber with rotating substrate carrier; plasma cloud generator with electron emitter, tubular anode and electromagnetic coils; generator, pref. with electron beam gun, for producing atoms, mols. or clusters of material to be deposited. USE/ADVANTAGE - Used for dielectric substrates and modification of film by plasma ion bombardment. Generation of plasma separate from coating material independently varies process parameters and optimum film uniformity.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Beschichten von Substraten in einer Vakuumkammer mit einem in die­ ser angeordneten Substratträger und einer Einrichtung zur Erzeugung einer Plasmawolke und mit Magneten, die die Plasmawolke auf die Oberfläche der Substrate len­ ken, wobei die Einrichtung zur Erzeugung der Plasma­ wolke einen Elektronen-Emitter mit einer nachgeschal­ teten rohrförmigen Anode aufweist, die mit einem Einlaß für das Prozeßgas zum Zünden des Plasmas versehen ist und die weiterhin mit Magneten ausgestattet ist zum Ausrichten und Führen des Plasmas durch das Anodenrohr in die Prozeßkammer. The invention relates to a device for coating of substrates in a vacuum chamber with one in the water arranged substrate carrier and a device to generate a plasma cloud and with magnets that len the plasma cloud on the surface of the substrates ken, the device for generating the plasma cloud an electron emitter with a reshape teten tubular anode having an inlet is provided for the process gas for igniting the plasma and which is still equipped with magnets for Align and guide the plasma through the anode tube into the process chamber.  

Es ist bereits ein Plasmagenerator mit Ionenstrahler­ zeuger bekannt (Aufsatz von D. M. Goebel, G. Campbell und R. W. Conn im "Journal of Nuclear Material", 121 (1984), 277-282, North Holland Physics Publishing Division, Amsterdam), der in einer mit der Vakuumkammer verbundenen, separaten Kammer angeordnet ist, wobei die etwa zylindrische Kammerwand dieser separaten Kammer die Anode bildet, und mit einem Einlaßstutzen für das Prozeßgas versehen ist. Die zylindrische Kammer ist von ringförmigen Magnetspulen und mit Rohren zur Kühlung der Kammerwand versehen. Der Elektronen-Emitter selbst befindet sich an einem das eine Ende der zylindrischen Kammer verschließenden, dem eigentlichen Vakuumkessel abgekehrten Wandteil.It is already a plasma generator with an ion emitter known producer (essay by D. M. Goebel, G. Campbell and R. W. Conn in the "Journal of Nuclear Material", 121 (1984), 277-282, North Holland Physics Publishing Division, Amsterdam), in one with the vacuum chamber connected, separate chamber is arranged, the approximately cylindrical chamber wall of this separate chamber forms the anode, and with an inlet connection for the Process gas is provided. The cylindrical chamber is from ring-shaped magnetic coils and with tubes for cooling the chamber wall. The electron emitter itself is at one end of the cylindrical Chamber closing, the actual vacuum boiler turned away wall part.

Weiterhin ist eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung bekannt (DE-OS 38 30 478), bei der die Vakuumkammer mit einer Einrichtung zur Erzeugung eines Plasmastrahls verbunden ist und ein Target aufweist, das mit Magneten zusammenwirkt, die den Plasmastrahl auf die Oberfläche des Targets lenken, und mit einer Einrichtung versehen ist, um Ionen im Plasmastrahl zu beschleunigen, die die Oberfläche des Targets treffen und Teilchen herauslösen und Substrathalter aufweist, die im Inneren der Vakuum­ kammer zur Halterung der Substrate für die Beschichtung mit abgestäubten Teilchen angeordnet sind und vorzugs­ weise mit einer Einrichtung, beispielsweise einer Mag­ netanordnung, ausgestattet ist für die Ablenkung zumin­ dest eines Fadens oder Teilstrahls des Plasmastrahls vom Target auf das Substrat.Furthermore, a sputtering device known (DE-OS 38 30 478), in which the vacuum chamber with a device for generating a plasma jet is connected and has a target with magnets which interacts with the plasma jet on the surface steer the target and provide it with a device is to accelerate ions in the plasma beam that the Hit the surface of the target and extract particles and has substrate holder inside the vacuum chamber for holding the substrates for the coating are arranged with dust particles and preferred wise with a facility, such as a mag net arrangement, is equipped for distraction at least at least one thread or partial beam of the plasma beam from the target to the substrate.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zum Beschichten metallischer oder dielektrischer Werkstoffe mit Hilfe eines fremderzeug­ ten Plasmas zu schaffen, bei der die Gleichmäßigkeit der Beschichtung besonders groß ist, deren Aufbau ein­ fach ist, in welcher die Plasmaerzeugung unabhängig von der Erzeugung des Beschichtungsmaterials erfolgt und bei der die einzelnen Parameter voneinander unabhängig einstellbar sind. Außerdem soll die beschichtbare Sub­ stratgröße möglichst frei bestimmbar und die Beschich­ tungsstärke möglichst gleichmäßig sein.The present invention is based on the object a device for coating metallic or dielectric materials with the help of a third party to create the most plasma, with the uniformity the coating is particularly large, its structure is in which the plasma generation is independent of the production of the coating material takes place and where the individual parameters are independent of each other are adjustable. In addition, the coatable sub strat size can be freely determined and the coating strength should be as uniform as possible.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß in der Prozeßkammer eine Vorrichtung zur Erzeugung von Atomen, Molekülen oder Clustern der Materialien zur Erzeugung der Schicht auf den Substraten, vorzugsweise ein Elektronenstrahlverdampfer, ein thermischer Ver­ dampfer oder eine Sputterkathode, unmittelbar neben der Plasmaquelle, dem Substrathalter gegenüberliegend, angeordnet ist, von der aus das verdampfte oder abge­ stäubte Material unmittelbar auf die Substrate lenkbar ist.This object is achieved in that in the process chamber a device for generating Atoms, molecules or clusters of materials Generation of the layer on the substrates, preferably an electron beam evaporator, a thermal Ver steamer or a sputtering cathode, right next to the Plasma source, opposite the substrate holder, is arranged, from which the evaporated or abge dusted material can be directed directly onto the substrates is.

Weitere Ausführungsformen, Einzelheiten und Merkmale sind in den Patentansprüchen näher gekennzeichnet.Further embodiments, details and features are characterized in more detail in the claims.

Die Erfindung läßt die verschiedensten Ausführungsmög­ lichkeiten zu; eine davon ist in der anhängenden Zeichnung näher gekennzeichnet, die den Aufbau der erfindungsgemäßen Vorrichtung rein schematisch näher darstellt. The invention allows a wide variety of designs opportunities to; one of them is in the attached Drawing characterized in more detail that the structure of the Device according to the invention purely schematically closer represents.  

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Modifizierung von Schichteigenschaf­ ten von dünnen Schichten, die isolierend oder metal­ lisch sein können.The present invention relates to a device and a method for modifying stratified properties thin layers that are insulating or metal can be lish.

Das Aufbringen solcher dünnen Schichten auf die vom Substratträger 30 gehaltenen Substrate 31, 31′, ... kann durch Verdampfen oder durch Sputtern in der Vaku­ umkammer 2 erfolgen. Das Verfahren selbst umfaßt einen plasmagestützten Prozeß, bei dem die Schichteigenschaf­ ten der aufwachsenden dünnen Schicht durch Ionenbeschuß aus einer Plasmarandschicht 32 modifiziert werden.The application of such thin layers on the substrates 31 , 31 ', ... held by the substrate carrier 30 can be done by evaporation or by sputtering in the vacuum chamber 2 . The method itself comprises a plasma-assisted process in which the layer properties of the growing thin layer are modified by ion bombardment from a plasma edge layer 32 .

Die erfindungsgemäße Vorrichtung umfaßt eine insgesamt mit 29 bezeichnete Plasmaquelle (APS-Quelle), in der das benötigte Plasma 28 erzeugt wird und mit Hilfe ge­ eigneter magnetischer und elektrischer Felder aus der Quelle 29 extrahiert wird.The device according to the invention comprises a total of 29 designated plasma source (APS source) in which the required plasma 28 is generated and extracted from the source 29 with the aid of suitable magnetic and electric fields.

Nach der Extraktion aus der Quelle 29 wird das Plasma 28 mit Hilfe geeigneter magnetischer Felder von der Quelle 29 zum Substratträger 30 geführt, aufgeweitet und möglichst homogen auf den Bereich des Substrat­ trägers 30 verteilt. Die Ionen des Plasmas 28 werden von Ionen der über die Leitungen 20, 21 in die Plasma­ quelle 29 eingeführten Gase gebildet bzw. sind aus dem ionisierten Aufdampfmaterial 33 bzw. vom Sputtermate­ rial abgespalten, welches das Plasma 28 durchquert und hierbei ionisiert wird. After extraction from the source 29, the plasma 28 is guided with the aid of suitable magnetic fields from the source 29 to the substrate base 30, expanded and as homogeneously as possible carrier to the area of the substrate distributed 30th The ions of the plasma 28 are formed by ions of the gases introduced via the lines 20 , 21 into the plasma source 29 or are split off from the ionized vapor deposition material 33 or from the sputtering material which traverses the plasma 28 and is thereby ionized.

Der Substrathalter 30 ist entweder isoliert zur Vakuum­ kammer 2 oder über den Schalter 57 an ein DC- (35, 42) oder (und) HF-Netzgerät 34 angeschlossen. Dieser Sub­ strathalter 30 kann einen Bedampfungsschutz 25 aufwei­ sen, der beim Aufbringen von isolierenden Materialien das Beschichten eines Teils der Fläche des Substrat­ trägers 30 mit diesen isolierenden Materialien verhin­ dert und damit ein Abfließen von elektrischen Ladungen über den Substratträger 30 ermöglicht.The substrate holder 30 is either isolated from the vacuum chamber 2 or via the switch 57 to a DC ( 35 , 42 ) or (and) HF power supply 34 . This sub strathalter 30 can have a vapor protection 25 sen, which prevents the coating of part of the surface of the substrate carrier 30 with these insulating materials when applying insulating materials and thus allows a discharge of electrical charges over the substrate carrier 30 .

Die Vakuumanlage ist weiterhin mit einer Vorrichtung zur Erzeugung von Atomen bzw. Molekülen oder Clustern der Materialien zur Erzeugung der dünnen Schichten aus­ gestattet. Dies ist im beschriebenen Falle der Elektro­ nenstrahlverdampfer 37. Es kann jedoch auch ein thermi­ scher Verdampfer, eine HF- oder DC-Sputterkathode oder eine Ionenstrahl-Sputterkathode sein.The vacuum system is also equipped with a device for producing atoms or molecules or clusters of materials for producing the thin layers. In the described case, this is the electric jet evaporator 37 . However, it can also be a thermal evaporator, an HF or DC sputtering cathode or an ion beam sputtering cathode.

Die Vakuumanlage weist Gaseinlässe 19 zum Einlassen von reaktiven Gasen, z. B. O2 und N2, auf und umfaßt ein System von elektromagnetischen Spulen 4, 7 bzw. 26, 27 zur Führung des Plasmas 28 von der Plasmaquelle 29 zum Substrathalter 30 und zur Erzeugung einer geeigneten Dichteverteilung des Plasmas am Ort des Substrathalters 30.The vacuum system has gas inlets 19 for admitting reactive gases, e.g. B. O 2 and N 2 , and comprises a system of electromagnetic coils 4 , 7 and 26 , 27 for guiding the plasma 28 from the plasma source 29 to the substrate holder 30 and for generating a suitable density distribution of the plasma at the location of the substrate holder 30th

Die Vakuumanlage beinhaltet auch einen Satz von Bedamp­ fungsschutzblechen 25, die beim Aufbringen von isolie­ renden Materialien ein Abfließen von Ladungsträgern ermöglichen. The vacuum system also includes a set of vaporization mudguards 25 , which allow draining of charge carriers when applying insulating materials.

Zur Vorrichtung gehört die insgesamt mit 29 bezeichnete Plasmaquelle (APS-Quelle) zur Erzeugung der Plasmawolke 28 zur Modifizierung der Schichteigenschaften der dün­ nen Schichten.The device includes the total of 29 designated plasma source (APS source) for generating the plasma cloud 28 for modifying the layer properties of the thin layers.

In dieser Plasmaquelle 29 wird zur Erzeugung des Plasma 28 eine heiße Glimmentladung erzeugt. Die Plasmaquelle 29 besitzt dazu eine relativ zur Anlage isolierte Kathode 11. Die Kathode 11 ist mit einem Heizer 12, z. B. aus Graphit, versehen, der mit einem Wechselstrom geheizt wird. Der Heizer 12 heizt indirekt über Wärme­ strahlung die Kathode 11. Die Kathode 11 besteht aus einem Material, welches im heißen Zustand die Emission von Elektronen ermöglicht, so z. B. Lanthanhexaborid (LaB6). Die Kathode 11 selbst besteht aus einem zylin­ drischen und einem deckelförmigen Teil, so daß die Emission von Elektronen sowohl in radialer als auch axialer Richtung relativ zur Achse der Quelle, im dargestellten Falle also in vertikaler Richtung, möglich ist.A hot glow discharge is generated in this plasma source 29 to generate the plasma 28 . For this purpose, the plasma source 29 has a cathode 11 which is insulated relative to the system. The cathode 11 is connected to a heater 12 , e.g. B. made of graphite, which is heated with an alternating current. The heater 12 heats the cathode 11 indirectly via heat radiation. The cathode 11 consists of a material which enables the emission of electrons in the hot state, for. B. Lanthanum hexaboride (LaB 6 ). The cathode 11 itself consists of a cylindrical and a lid-shaped part, so that the emission of electrons in both the radial and axial directions relative to the axis of the source, in the case shown in the vertical direction, is possible.

Die Plasmaquelle 29 ist außerdem mit einem relativ zur Anlage und zur Kathode 11 isolierten Anodenrohr 38 ver­ sehen, das z. B. mit einer von Wasser durchströmten Kühlschlange 8 ausgestattet ist. Der Fluß des elektri­ schen Stromes erfolgt ebenfalls über das zur Anlage isolierte Kühlmittelrohr 22.The plasma source 29 is also seen with an insulated relative to the system and the cathode 11 anode tube 38 , the z. B. is equipped with a cooling coil 8 through which water flows. The flow of electrical current rule also takes place via the isolated for conditioning coolant tube 22nd

Das Prozeßgas selbst kann ein Edelgas sein, z. B. Ar, oder ein Reaktivgas, z. B. O 2, oder ein Gemisch von beiden. Die beiden Gaszuführungen 20, 21 sind von der Anlage selbst elektrisch isoliert. The process gas itself can be an inert gas, e.g. Bar, or a reactive gas, e.g. B. O 2, or a mixture of both. The two gas feeds20th,21 are from the System itself electrically isolated.  

Weiterhin ist die Plasmaquelle 29 mit zwei wasserge­ kühlten Hochstromdurchführungen 39, 40 und einem langen Solenoidmagneten 7, der über das Anodenrohr 38 gescho­ ben ist, ausgestattet, wobei dieser ein axiales Magnet­ feld parallel zur vertikalen Achse der Quelle 29 er­ zeugt.Furthermore, the plasma source 29 is equipped with two Wasserge cooled high-current feedthroughs 39 , 40 and a long solenoid magnet 7 , which is pushed over the anode tube 38, which generates an axial magnetic field parallel to the vertical axis of the source 29 .

Mit dem Magneten 7 wird die Beweglichkeit der Elektro­ nen in radialer Richtung stark erniedrigt und in verti­ kaler Richtung stark erhöht. Am oberen Ende des langen Solenoids 7 ist ein kurzer Solenoid 4 angeordnet, der das Magnetfeld am Ende des langen Solenoiden 7 ver­ stärkt. Das Magnetfeld wird auf diese Weise homogener, da das axiale Magnetfeld eines Solenoiden von seiner Mitte zum Ende hin bis auf die Hälfte abnimmt. Die Extraktion des Plasmas 28 aus der Quelle 29 in die Vakuumanlage wird also durch die geschilderte Anordnung verbessert.With the magnet 7 , the mobility of the electric NEN is greatly reduced in the radial direction and greatly increased in the vertical direction. At the upper end of the long solenoid 7 , a short solenoid 4 is arranged, which strengthens the magnetic field at the end of the long solenoid 7 ver. The magnetic field becomes more homogeneous in this way, since the axial magnetic field of a solenoid decreases from its center to the end to half. The extraction of the plasma 28 from the source 29 into the vacuum system is thus improved by the arrangement described.

An der Plasmaquelle 29 ist über den langen Solenoiden 7 ein zylindrisches Abschirmrohr 5 aus weichmagnetischem Material geschoben. Dieses Abschirmrohr 5 dient zum Abschirmen von Streumagnetfeldern, die sich innerhalb der Anlage befinden können (verursacht z. B. durch Elektronenstrahlverdampfer), damit das Plasma 28 inner­ halb der Quelle 29 nicht gestört wird. Die Plasmaquelle 29 ist darüber hinaus noch mit einer Dunkelraumabschir­ mung 3 versehen, die dafür Sorge trägt, daß nicht außen an der Quelle 29 unerwünschte Nebenplasmen entstehen. At the plasma source 29 , a cylindrical shielding tube 5 made of soft magnetic material is pushed over the long solenoids 7 . This shielding tube 5 is used to shield stray magnetic fields that may be located inside the system (caused, for example, by electron beam evaporators), so that the plasma 28 is not disturbed within the source 29 . The plasma source 29 is also still provided with a dark room shield 3 , which ensures that 29 undesired secondary plasmas do not occur on the outside of the source.

Die Plasmaquelle 29 und der Substrathalter 30 sind jeweils an die Netzgeräte 34, 35, 42 anschließbar, durch das die Funktionsweise der Plasmaquelle 29 und die Eigenschaften des Plasmas 28 bestimmbar sind. Außerdem ist ein besonderes Heizungsnetzgerät 41 für den Heizer 12 der Kathode 11 vorgesehen.The plasma source 29 and the substrate holder 30 can each be connected to the power supply units 34 , 35 , 42 , by means of which the functioning of the plasma source 29 and the properties of the plasma 28 can be determined. In addition, a special heating power supply 41 is provided for the heater 12 of the cathode 11 .

Weiterhin besitzt die Plasmaquelle 29 eine Stromversor­ gung 35 für den Entladungsstrom, mit dem die Potential­ differenz zwischen der Kathode 11 und der Anode 38 bzw. 30 bzw. 2 festgelegt wird.Furthermore, the plasma source 29 has a power supply 35 for the discharge current, with which the potential difference between the cathode 11 and the anode 38 or 30 or 2 is determined.

Schließlich ist die Plasmaquelle 29 mit einer Span­ nungsversorgung 42 versehen, die es ermöglicht, eine "Bias"-Potentialdifferenz z. B. zwischen der Plasma­ quelle 29 und der Anlage 2 oder dem Substrathalter 30 anzulegen. Damit ist es möglich, das Plasmapotential und die Energie der auf die Substrate 31, 31′, ... auf­ treffenden Ionen zu beeinflussen.Finally, the plasma source 29 is provided with a voltage supply 42 , which enables a "bias" potential difference z. B. between the plasma source 29 and the system 2 or the substrate holder 30 . It is thus possible to influence the plasma potential and the energy of the ions hitting the substrates 31 , 31 ', ....

Der Substrathalter 30 ist mit einer Hochfrequenz- Spannungsversorgung 34 ausgestattet, mit der es möglich ist, auch isolierende Substrate 31, 31′, ... eine zusätzliche DC-Bias-Spannung relativ zum Plasma 28 zu bringen und damit die Energie und Stromstärke der auf die Substrate 31, 31′, ... auftreffenden Ionen zu erhöhen.The substrate holder 30 is equipped with a high-frequency voltage supply 34 , with which it is possible to also bring insulating substrates 31 , 31 ', ... an additional DC bias voltage relative to the plasma 28 and thus the energy and current intensity of the to increase the substrates 31 , 31 ', ... ions.

Bei der dargestellten Verschaltung arbeitet die Quelle als eine "Reflex-Arc"-Quelle. Das Anodenrohr 38 ist direkt mit dem Pluspol der Entladungsversorgung 35 verbunden, so daß der Entladungsstrom nur über das Anodenrohr 38 abfließen kann. Die Plasmaquelle 29 ist gegenüber den übrigen Teilen der Anlage isoliert ange­ ordnet. Die Elektronen, die aus der Kathode 11 austre­ ten, werden durch das axiale Magnetfeld der Solenoid­ magneten 7 gehindert, direkt zum Anodenrohr 38 zu ge­ langen. Vielmehr folgen sie den Magnetfeldlinien und gelangen so aus der Quelle 29 heraus und erzeugen ein Plasma 28 außerhalb der Quelle. Die gesamte Quelle 29 stellt sich dazu auf ein positives Potential relativ zu den übrigen Teilen der Anlage ein, was dazu führt, daß sich ein elektrisches Feld aufbaut, das bewirkt, daß die Elektronen außerhalb der Quelle reflektiert werden und entlang der Feldlinien zum Anodenrohr 38 zurücklau­ fen.In the connection shown, the source works as a "reflex arc" source. The anode tube 38 is connected directly to the positive pole of the discharge supply 35 , so that the discharge current can only flow off via the anode tube 38 . The plasma source 29 is isolated from the other parts of the system. The electrons, which emerge from the cathode 11 , are prevented by the axial magnetic field of the solenoid magnets 7 from reaching directly to the anode tube 38 . Rather, they follow the magnetic field lines and thus come out of the source 29 and generate a plasma 28 outside the source. For this purpose, the entire source 29 sets itself to a positive potential relative to the other parts of the system, which leads to the creation of an electric field, which causes the electrons to be reflected outside the source and back along the field lines to the anode tube 38 fen.

Bei dieser Betriebsart lädt sich der Substrathalter 30 nicht auf ein negatives Bias-Potential auf, wie z. B. bei einem Ion-planting-Verfahren. Der Substrathalter 30 lädt sich typischerweise auf +2 V bis +5 V auf, wobei die Ionen ihre Energie über die Potentialdifferenz zwischen dem Anodenrohr 38 und dem Substrathalter 30 erhalten.In this mode of operation, the substrate holder 30 does not charge to a negative bias potential, such as. B. in an ion planting process. The substrate holder 30 typically charges up to +2 V to +5 V, the ions receiving their energy via the potential difference between the anode tube 38 and the substrate holder 30 .

Typische Werte hierfür sind: Wie aus der Zeichnung ersichtlich, ruhen sowohl das Anodenrohr 38 als auch die hohlzylindrische Magnetfeld­ abschirmung 5 auf dem aus Keramik bestehenden Isolator­ platte 6, der seinerseits auf der aus Kupfer bestehenden Kontaktplatte 16 abgestützt ist. Der Heizer 12 ist mit Hilfe eines Klemmrings 13 mit dem hutförmigen Elektronen-Emitter 11 fest verbunden, wobei zwei Kontaktbolzen 14, 15 vorgesehen sind, mit denen der Heizer 12 einerseits auf der Kontaktplatte 16 und andererseits auf dem Kontaktzapfen 47 abgestützt ist. Die Kontaktplatte 16 ist über den Zapfen 17 mit der Hochstromdurchführung 39 verbunden, die mit Hilfe des Isolators 53 an der Wand der Vakuumkammer 2 gehalten ist und der außerdem ein wasserdurchströmtes Kühlmit­ telrohr 23 aufweist. Die Kontaktplatte 16 ist mit Hilfe eines Keramikrings 18 gegenüber der Hochstromdurchfüh­ rung 40 elektrisch isoliert, die ebenfalls mit einem Kühlmittelrohr 24 versehen ist und die über den Zapfen 47 elektrisch leitend an dem Kontaktbolzen 14 anliegt. Die Hochstromdurchführung 48 ist mit dem Isolator 55 am Bodenteil der Vakuumkammer gehalten und umschließt das wasserdurchströmte Kühlmittelrohr 22, das im übrigen mit dem DC-Netzgerät 35 verbunden ist. Die Rohre 20, 21 sind mit den Einlaßstutzen 9 bzw. 10 verbunden und weisen beide ein elektrisch isolierendes Schlauchzwi­ schenstück 50 bzw. 51 auf. Der seitlich neben der Plasmaquelle 29 am Bodenteil der Vakuumkammer 2 angeordnete Verdampfer 37 besteht aus einem Verdampfergestell 46, einem von diesem an seiner Oberseite gehaltenen Tiegel 45 mit dem zu verdampfenden Beschichtungswerkstoff, einer Elektronenstrahlkanone 44 zum Aufschmelzen und Verdampfen des Werkstoffs und einer Blende 56 für die Ausrichtung der Elektronenstrah­ lung. Auflistung der Einzelteile  2 Vakuumkammer  3 Dunkelraumabschirmung  4 Solenoid, Magnet  5 Magnetfeldabschirmung  6 Isolatorplatte, Keramikplatte  7 Magnet, Solenoid  8 Kühlschlange  9 Sauerstoff-Einlaß, Einlaßstutzen 10 Argon-Einlaß, Einlaßstutzen 11 Lanthanhexaborid-Kathode, Elektronen- Emitter 12 Graphit-Heizer 13 Klemmring (verschraubt mit Heizer 12) 14, 14 Stab, Kontaktbolzen 16 Kupferplatte, Kontaktplatte 17 Zapfen, Kontaktzapfen 18 Keramikring 19 Sauerstoff und/oder Stickstoff 20 Sauerstoff und/oder Stickstoff, elektrisch isoliert 21 Argon-Einlaß 22, 23, 24 wasserdurchströmtes Kühlmittelrohr 25 Lochblech, schirmartiger Blechzuschnitt 26, 27 Ringspule, Magnet 28 Plasmawolke 29 Plasmaquelle 30 Substrathalter, Substratträger, Anode 31, 31′, . . . Substrat 32 Plasmarandschicht 33 Aufdampfmaterial (Sputtermaterial) 34 HF-Netzgerät, HF-Generator 35 DC-Netzgerät, Plasmaversorgung 36 Bedampfungsschutz, schirmartiger Blechzuschnitt 37 Elektronenstrahlverdampfer, Verdampfer 38 Anodenrohr 39, 40 Hochstromdurchführung 41 Stromversorgung 42 Spannungsversorgung (für Bias-Spannung) 43 Prozeßkammer 44 Elektronenstrahlkanone 45 Tiegel 46 Verdampfergestell 47 Zapfen, Kontaktzapfen 48 Hochstromdurchführung 49 Welle 50, 51 Isolierschlauch 52, 52′, . . . Lochung 53, 54, 55 Isolator 56 Blende 57 SchalterTypical values for this are: As can be seen from the drawing, both the anode tube 38 and the hollow cylindrical magnetic field shield 5 rest on the ceramic insulator plate 6 , which in turn is supported on the copper contact plate 16 . The heater 12 is fixedly connected to the hat-shaped electron emitter 11 with the aid of a clamping ring 13 , two contact bolts 14 , 15 being provided with which the heater 12 is supported on the one hand on the contact plate 16 and on the other hand on the contact pin 47 . The contact plate 16 is connected via the pin 17 to the high-current bushing 39 , which is held on the wall of the vacuum chamber 2 by means of the insulator 53 and which also has a water-flow-through coolant tube 23 . The contact plate 16 is electrically isolated by means of a ceramic ring 18 from the Hochstromdurchfüh tion 40 , which is also provided with a coolant tube 24 and which is electrically conductive via the pin 47 on the contact pin 14 . The high-current bushing 48 is held with the insulator 55 on the bottom part of the vacuum chamber and encloses the coolant tube 22 through which water flows, which is otherwise connected to the DC power supply 35 . The tubes 20 , 21 are connected to the inlet ports 9 and 10 and both have an electrically insulating hose intermediate piece 50 and 51 respectively. The evaporator 37 arranged laterally next to the plasma source 29 on the bottom part of the vacuum chamber 2 consists of an evaporator frame 46 , a crucible 45 held by the latter on its upper side with the coating material to be evaporated, an electron beam gun 44 for melting and evaporating the material and an orifice 56 for it Alignment of the electron beam. List of individual parts 2 vacuum chamber 3 dark room shield 4 solenoid, magnet 5 magnetic field shield 6 insulator plate, ceramic plate 7 magnet, solenoid 8 cooling coil 9 oxygen inlet, inlet nozzle 10 argon inlet, inlet nozzle 11 lanthanum hexaboride cathode, electron emitter 12 graphite heater 13 clamping ring ( screwed to heater 12 ) 14, 14 rod, contact pin 16 copper plate, contact plate 17 pin, contact pin 18 ceramic ring 19 oxygen and / or nitrogen 20 oxygen and / or nitrogen, electrically insulated 21 argon inlet 22, 23, 24 coolant tube through which water flows 25 perforated plate, shield-like sheet metal blank 26, 27 toroidal coil, magnet 28 plasma cloud 29 plasma source 30 substrate holder, substrate carrier, anode 31, 31 ',. . . Substrate 32 Plasma edge layer 33 Evaporation material (sputter material) 34 HF power supply, HF generator 35 DC power supply, plasma supply 36 Evaporation protection, shield-like sheet metal blanking 37 Electron beam evaporator, evaporator 38 Anode tube 39, 40 High current feedthrough 41 Power supply 42 Voltage supply (for bias voltage) 43 Process chamber 44 Electron beam gun 45 crucible 46 evaporator frame 47 pin, contact pin 48 high-current bushing 49 shaft 50, 51 insulating tube 52, 52 ',. . . Perforation 53, 54, 55 insulator 56 aperture 57 switch

Claims (7)

1. Vorrichtung zum Beschichten von Substraten (31, 31′, ...) in einer Vakuumkammer (2) mit einem in dieser angeordneten Substratträger (30) und einer Einrichtung (29) zur Erzeugung einer Plasmawolke (28) und mit Magneten (26, 27), die die Plasma­ wolke (28) auf die Oberfläche der Substrate (31, 31′, ...) lenken, wobei die Einrichtung (29) zur Erzeugung der Plasmawolke (28) einen Elektronen- Emitter (11) mit einer nachgeschalteten rohrför­ migen Anode (38) aufweist, die mit einem Einlaß (10) für das Prozeßgas zum Zünden des Plasmas versehen ist und die weiterhin mit Magneten (4, 7) ausgestattet ist zum Ausrichten und Führen des Plasmas durch das Anodenrohr (38) in die Prozeß­ kammer (43), dadurch gekennzeichnet, daß in der Prozeßkammer (43) eine Vorrichtung zur Erzeugung von Atomen, Molekühlen oder Clustern der Mate­ rialien zur Erzeugung der Schicht auf den Substra­ ten (31, 31′, ...), vorzugsweise ein Elektronen­ strahlverdampfer (37), ein thermischer Verdampfer oder eine Sputterkathode, unmittelbar neben der Plasmaquelle (29), dem Substrathalter (30) gegen­ überliegend, angeordnet ist, von der aus das verdampfte oder abgestäubte Material (33) direkt auf die Substrate (31, 31′, ...) aufbringbar ist. 1. Device for coating substrates ( 31 , 31 ', ...) in a vacuum chamber ( 2 ) with a substrate carrier ( 30 ) arranged in this and a device ( 29 ) for generating a plasma cloud ( 28 ) and with magnets ( 26 , 27 ), which direct the plasma cloud ( 28 ) onto the surface of the substrates ( 31 , 31 ', ...), the device ( 29 ) for generating the plasma cloud ( 28 ) having an electron emitter ( 11 ) with a downstream rohrför shaped anode ( 38 ) which is provided with an inlet ( 10 ) for the process gas for igniting the plasma and which is further equipped with magnets ( 4 , 7 ) for aligning and guiding the plasma through the anode tube ( 38 ) in the process chamber ( 43 ), characterized in that in the process chamber ( 43 ) a device for generating atoms, molecules or clusters of the materials for producing the layer on the substrates ( 31 , 31 ', ...), preferably an electron beam evaporator ( 37 ), a thermisc forth evaporator or a sputtering cathode, directly adjacent to the plasma source ( 29 ), the substrate holder ( 30 ) opposite, from which the evaporated or dusted material ( 33 ) directly onto the substrates ( 31 , 31 ', ...) is applicable. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß der gegenüber der Prozeßkammerwand (2) elektrisch isoliert angeordnete Substrathalter (30) wahlweise an einem Hochfrequenz-Generator (34) oder an ein DC-Netzgerät (35) anschließbar ist.2. Device according to claim 1, characterized in that the substrate holder ( 30 ) which is arranged electrically insulated from the process chamber wall ( 2 ) can optionally be connected to a high-frequency generator ( 34 ) or to a DC power supply ( 35 ). 3. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl die das Plasma (28) erzeugende Quelle (29) als auch der Verdampfer (37), dem schirmförmig ausgeformten Substrathalter (30) gegenüberliegend, auf derselben Seite der Prozeßkammerwand (2) vorgesehen sind.3. Device according to claims 1 and 2, characterized in that both the plasma ( 28 ) generating source ( 29 ) and the evaporator ( 37 ), the umbrella-shaped substrate holder ( 30 ) opposite, on the same side of the process chamber wall ( 2nd ) are provided. 4. Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Substrathalter (30) im wesent­ lichen aus einem schirmartig ausgeformten, mit einer Vielzahl von Lochungen (52, 52′, ...) ver­ sehenen Blechzuschnitt gebildet ist, über dem mit Abstand ein zweiter, ebenfalls schirmartiger Blechzuschnitt (36) gestülpt ist, wobei beide Blechzuschnitte (25, 36) drehfest mit einer motorisch angetriebenen Welle (49) verbunden sind.4. Apparatus according to claim 1 to 3, characterized in that the substrate holder ( 30 ) in wesent union from an umbrella-shaped, with a plurality of perforations ( 52 , 52 ', ...) ver sheet metal blank is formed, above which a second, also shield-like sheet metal blank ( 36 ) is placed at a distance, both sheet metal blanks ( 25 , 36 ) being connected in a rotationally fixed manner to a motor-driven shaft ( 49 ). 5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Anodenrohr (38) der Plasmaquelle (29) von mindestens einem Magneten (4, 7) ringförmig um­ schlossen ist, wobei zumindest einer der Magnete (7) von einem rohrförmigen, magnetischen Abschirm­ blech (5) umfaßt ist, über das seinerseits mit Abstand eine röhrenförmige oder kastenförmige Dunkelfeldabschirmung (3) gestülpt ist. 5. The device according to one or more of the preceding claims, characterized in that the anode tube ( 38 ) of the plasma source ( 29 ) of at least one magnet ( 4 , 7 ) is closed in a ring, at least one of the magnets ( 7 ) of one tubular, magnetic shielding sheet ( 5 ) is included, over which in turn a tubular or box-shaped dark field shield ( 3 ) is placed. 6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf der der Plasmaquelle (29) abgewandten Seite des Substratträgers (30) Magnete (26, 27), vor­ zugsweise Ringmagnete, angeordnet sind.6. The device according to one or more of the preceding claims, characterized in that on the plasma source ( 29 ) facing away from the substrate carrier ( 30 ) magnets ( 26 , 27 ), preferably ring magnets, are arranged. 7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Innenwand der Prozeßkammer (43) mit Abstand von einem Lochblech (25) bekleidet ist.7. The device according to one or more of the preceding claims, characterized in that the inner wall of the process chamber ( 43 ) is clad at a distance from a perforated plate ( 25 ).
DE19904020158 1990-06-25 1990-06-25 Device for coating substrates Expired - Lifetime DE4020158C2 (en)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19904020158 DE4020158C2 (en) 1990-06-25 1990-06-25 Device for coating substrates
DE4026367A DE4026367A1 (en) 1990-06-25 1990-08-21 DEVICE FOR COATING SUBSTRATES
EP90123712A EP0463230B1 (en) 1990-06-25 1990-12-10 Device for coating substrates
DE59007942T DE59007942D1 (en) 1990-06-25 1990-12-10 Device for coating substrates.
ES90123712T ES2064593T3 (en) 1990-06-25 1990-12-10 DEVICE FOR SUBSTRATE COATING.
JP15131591A JP3481953B2 (en) 1990-06-25 1991-06-24 Equipment for coating substrates
US08/607,273 US5656141A (en) 1990-06-25 1996-02-20 Apparatus for coating substrates

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19904020158 DE4020158C2 (en) 1990-06-25 1990-06-25 Device for coating substrates

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4020158A1 true DE4020158A1 (en) 1992-01-02
DE4020158C2 DE4020158C2 (en) 1998-10-08

Family

ID=6409015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19904020158 Expired - Lifetime DE4020158C2 (en) 1990-06-25 1990-06-25 Device for coating substrates

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP3481953B2 (en)
DE (1) DE4020158C2 (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4128547A1 (en) * 1991-08-28 1993-03-04 Leybold Ag METHOD AND DEVICE FOR THE PRODUCTION OF A RE-MIRRORING LAYER ON LENSES
DE4239511A1 (en) * 1992-11-25 1994-05-26 Leybold Ag Method and device for coating substrates
DE19513097A1 (en) * 1995-04-07 1996-10-10 Leybold Ag Adding water in plasma-aided coating process
DE19640832A1 (en) * 1996-10-02 1998-04-16 Fraunhofer Ges Forschung Process for the production of heat reflecting layer systems
DE202012102880U1 (en) 2012-07-31 2012-08-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Apparatus for non-linear control of a plasma process
DE102011103464A1 (en) 2011-06-03 2012-12-06 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Plasma ion source for vacuum deposition system, has metal that is provided in region of electrical insulating element made of ceramic material
DE102013110722A1 (en) 2013-09-27 2015-04-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Plasma-ion-based coating process and plasma probe
EP2960684A1 (en) * 2014-06-26 2015-12-30 Ampass-explorer Corp. Antenna assembly

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH687111A5 (en) * 1992-05-26 1996-09-13 Balzers Hochvakuum A method for generating a low voltage discharge, vacuum treatment system here, as well as for application of the method.
US6710524B2 (en) * 2000-04-11 2004-03-23 Satis Vacuum Industries Vertrieb Ag Plasma source
JP5234316B2 (en) * 2007-12-27 2013-07-10 三菱マテリアル株式会社 Deposition method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD115364A1 (en) * 1975-02-17 1975-09-20
DE3814652A1 (en) * 1987-05-01 1988-11-10 Ulvac Corp DEVICE FOR FORMING A REACTIVE LAYER ON AN OBJECT
DD267262A1 (en) * 1987-12-24 1989-04-26 Hochvakuum Dresden Veb HOLLOW CARDENDER EVAPORATOR AND METHOD FOR OPERATING THE SAME
EP0334204A2 (en) * 1988-03-23 1989-09-27 Balzers Aktiengesellschaft Process and apparatus for coating articles

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD115364A1 (en) * 1975-02-17 1975-09-20
DE3814652A1 (en) * 1987-05-01 1988-11-10 Ulvac Corp DEVICE FOR FORMING A REACTIVE LAYER ON AN OBJECT
DD267262A1 (en) * 1987-12-24 1989-04-26 Hochvakuum Dresden Veb HOLLOW CARDENDER EVAPORATOR AND METHOD FOR OPERATING THE SAME
EP0334204A2 (en) * 1988-03-23 1989-09-27 Balzers Aktiengesellschaft Process and apparatus for coating articles

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 1-240646 A. In: Patents Abstracts of Japan, C-667, Dec. 19, 1989, Vol.13/No.575 *

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4128547A1 (en) * 1991-08-28 1993-03-04 Leybold Ag METHOD AND DEVICE FOR THE PRODUCTION OF A RE-MIRRORING LAYER ON LENSES
US5597622A (en) * 1991-08-28 1997-01-28 Leybold Aktiengesellschaft Process for the production of a reflection-reducing coating on lenses
DE4239511A1 (en) * 1992-11-25 1994-05-26 Leybold Ag Method and device for coating substrates
EP0603464A1 (en) * 1992-11-25 1994-06-29 Leybold Aktiengesellschaft Process for coating substrates
DE19513097A1 (en) * 1995-04-07 1996-10-10 Leybold Ag Adding water in plasma-aided coating process
DE19640832C2 (en) * 1996-10-02 2000-08-10 Fraunhofer Ges Forschung Process for the production of heat reflecting layer systems
DE19640832A1 (en) * 1996-10-02 1998-04-16 Fraunhofer Ges Forschung Process for the production of heat reflecting layer systems
DE102011103464A1 (en) 2011-06-03 2012-12-06 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Plasma ion source for vacuum deposition system, has metal that is provided in region of electrical insulating element made of ceramic material
DE102011103464B4 (en) * 2011-06-03 2013-06-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Plasma ion source for a vacuum coating system
DE202012102880U1 (en) 2012-07-31 2012-08-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Apparatus for non-linear control of a plasma process
DE102013110722A1 (en) 2013-09-27 2015-04-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Plasma-ion-based coating process and plasma probe
WO2015044282A1 (en) 2013-09-27 2015-04-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. Plasma/ion-based coating method, and plasma probe
EP2960684A1 (en) * 2014-06-26 2015-12-30 Ampass-explorer Corp. Antenna assembly

Also Published As

Publication number Publication date
DE4020158C2 (en) 1998-10-08
JP3481953B2 (en) 2003-12-22
JPH04235276A (en) 1992-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0463230B1 (en) Device for coating substrates
EP0334204B1 (en) Process and apparatus for coating articles
DE102010049521B3 (en) Device for generating an electron beam
EP0666933B1 (en) Device for plasma-supported electron beam high-rate vapour deposition
DE3700633C2 (en) Method and device for the gentle coating of electrically conductive objects by means of plasma
WO1995028508A1 (en) Process and device for ion-supported vacuum coating
EP0394661A1 (en) Process for at least partially coating workpieces by means of a sputter-CVD method
EP0725843A1 (en) Process and system for plasma-activated electron-beam vaporisation
DE4020158C2 (en) Device for coating substrates
DE3832693A1 (en) DEVICE FOR APPLYING DIELECTRIC OR METAL MATERIALS
EP0603464B1 (en) Process for coating substrates
EP0620868B1 (en) Process for ionising thermally generated material vapours and device for implementing it
EP0308680A1 (en) Cathode sputtering apparatus
DE3834318A1 (en) DEVICE FOR APPLYING DIELECTRIC OR METAL MATERIALS
DE102008032256B4 (en) Apparatus and method for sputter-enhanced vapor deposition
DE19924094A1 (en) Vacuum arc evaporator, for coating substrates with electrical, electronic or optical metal or metal compound layers, has an insulated anode surrounded on all sides by evaporated cathode material
EP0371252B1 (en) Process and apparatus for etching substrates with a low-pressure discharge assisted by a magnetic field
EP0776987A1 (en) Vacuum coating apparatus with a crucible located in the vacuum chamber to receive the evaporation material
DE4336680C2 (en) Process for electron beam evaporation
DE19600993A1 (en) Appts. for high rate anodic evapn. for substrate coating
EP1397525B1 (en) Device for vacuum metallising large surfaces by plasma activation
DE19724996C1 (en) Plasma-activated electron beam vapour deposition
DE3830478A1 (en) Cathodic sputtering device
DE3904991A1 (en) Cathode sputtering device
DE1765625C3 (en) Cathode sputtering device for applying thin layers to a workpiece

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
AG Has addition no.

Ref country code: DE

Ref document number: 4026367

Format of ref document f/p: P

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: BALZERS UND LEYBOLD DEUTSCHLAND HOLDING AG, 63450

8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: UNAXIS DEUTSCHLAND HOLDING GMBH, 63450 HANAU, DE

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: LEYBOLD OPTICS GMBH, 63755 ALZENAU, DE