DE4012615A1 - Kombinierte beruehrungslose temperaturmessmethode in der halbleiterprozesstechnik - Google Patents
Kombinierte beruehrungslose temperaturmessmethode in der halbleiterprozesstechnikInfo
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Description
Die Erfindung betrifft die berührungslose Prozeßtemperaturmessung von Halbleiterwafern.
Es ist bekannt, daß die Prozeßtemperatur von mit Halogenlampen erhitzten Wafern berührungs
los durch Messung der Photonenemission mit einem Pyrometer bestimmt werden kann.
Schwierigkeiten treten bei der Unterscheidung zwischen Halogenlampenstörstrahlung und
Waferemissionsstrahlung, besonders, wenn sich der Wafer in einem gasdicht abgeschlossenen
Quarzreaktor findet. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Halogenlampenstör
strahlung bei der Bestimmung der Wafertemperatur auszuschließen, insbesondere bei doppel
seitiger Bestrahlung des Wafers mit Halogenlampen.
Diese Aufgabe löst die Erfindung dadurch, daß der von den Halogenlampen ausgehende schmale
Frequenzbereich zwischen 2.7 µm und 2.8 µm Wellenlänge durch Verwendung einer Reaktor
kammer aus künstlichem Doppel-OH-Band Quarz von den Reaktorwänden absorbiert wird, so
daß die vom Halbleiterwafer emittierte Strahlung zwischen 2.7 µm und 2.8 µm Wellenlänge von
einem Pyrometer detektiert werden kann, vor dem zwei hintereinander angeordnete sehr
steilflankige optische Filter einen so schmalen Bandpaß bilden, daß dessen Transmissionsverhalten
genau in der Notch-Sperre des OH-Bandes von künstlichem Quarzglas fällt. Befindet sich der
Wafer in der gasdicht abgeschlossenen Kammer, so kann die Waferemissionsstrahlung
zwischen 2.7 µm und 2.8 µm Wellenlänge durch eine in die Quarzreaktorkammer eingeschmolzene
Linse aus OH-Band freiem Quarzglas ausgekoppelt werden.
Aus der Intensität dieser Strahlung kann die Temperatur des Wafers berechnet werden.
Anhand der folgenden Zeichnungen wird die Erfindung erläutert:
Fig. 1 zeigt den Aufbau der Vorrichtung für beidseitige Erhitzung des Halbleiterwafers mit
Halogenlampen. Die Quarzlampen (1) erhitzen durch den Quarzreaktor aus künstlichem OH-
Band Quarzglas (2) den Wafer (3). Die vom Wafer emittierte Temperaturstrahlung (5) wird durch
eine in den Quarzreaktor eingeschmolzene Linse aus OH-Band freiem Quarzglas (4) ausgekop
pelt. Der Brennpunkt der Quarzlinse liegt genau zwischen zwei Halogenlampen. Der ausgekop
pelte Teilstrahl (5) wird durch das schmalbandige optische Notch-Filter (6) in das Pyrometer (7)
geleitet. Die von den unteren Quarzlampen ausgehende Störstrahlung wird durch eine Blende (8)
vom Pyrometer ferngehalten.
Fig. 2 zeigt die Lösung des Problems bei einseitiger Heizung des Wafers mit Halogenlampen
(1). Hier kann die Halogenlampenstörstrahlung mit einer einfachen Quarzplatte (2) aus künstlichem
OH-Banden-Quarz ausgefiltert werden. Aus der vom Wafer (3) emittierten Temperaturstrahlung
wird mit dem Filter (4) der Frequenzbereich zwischen 2.7 µm und 2.8 µm ausgesondert und vom
Pyrometer detektiert.
Claims (1)
- Kombinierte berührungslose Temperaturmeßmethode gekennzeichnet durch die gleichzeitige Erfüllung folgender Merkmale:
- 1. Verwendung von OH-Band haltigem Quarzglas oder Quarzgut zur Absorption optischer Strahlungsanteile, insbesondere von Halogenlampen, Bogenlampen oder Widerstandsheizern zwischen 2.6 µm und 2.8 µm, das sich ganz oder teilweise zwischen einer Strahlungsquelle und dem Meßobjekt, insbesondere wenn das Meßobjekt ein Halbleiterwafer ist, befindet, insbesondere, wenn das OH-Band haltige Quarzglas oder Quarzgut zudem noch in Verbindung mit OH-Band freiem Quarzmaterial benutzt wird.
- 2. Verwendung eines Pyrometers in Verbindung mit einer optischen Filteranordnung, die so ausgelegt ist, daß sie einen Bandpaß innerhalb eines Wellenlängenbereiches von 2.5 µm und 2.9 µm bildet, insbesondere, wenn das Transmissionsverhalten der optischen Filteranordnung in den Bereich der Notch-Sperre des OH-Bandes von künstlichem Quarzglas oder Quarzgut fällt.
- 3. Messung der vom Meßobjekt emittierten optischen Strahlung zwischen 2.6 µm und 2.8 µm,
die in den Bereich der Notch-Sperre des OH-Bandes von OH-Band haltigem Quarzmaterial
fällt, mit dem Pyrometer, insbesondere, wenn der optische Weg vom Meßobjekt zum Pyro
meter
- 3.1. entweder durch OH-Band freies Quarzglas oder Quarzgut führt,
- 3.2. oder durch ein Linsensystem führt,
- 3.3. oder durch Glasfasermaterial führt,
- 3.4. oder an Spiegeln reflektiert wird.
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994000744A1 (en) * | 1992-06-29 | 1994-01-06 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Device and method for heating objects wherein the temperature of the object is measured |
US5683538A (en) * | 1994-12-23 | 1997-11-04 | International Business Machines Corporation | Control of etch selectivity |
US5738440A (en) * | 1994-12-23 | 1998-04-14 | International Business Machines Corp. | Combined emissivity and radiance measurement for the determination of the temperature of a radiant object |
US6044203A (en) * | 1996-07-26 | 2000-03-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Rapid thermal anneal system and method including improved temperature sensing and monitoring |
EP1393354A1 (de) * | 2001-05-23 | 2004-03-03 | Mattson Thermal Products GmbH | Verfahren und vorrichtung zum thermischen behandeln von substraten |
US11342209B2 (en) | 2019-12-09 | 2022-05-24 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for measuring edge ring temperature |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4414391C2 (de) * | 1994-04-26 | 2001-02-01 | Steag Rtp Systems Gmbh | Verfahren für wellenvektorselektive Pyrometrie in Schnellheizsystemen |
DE19964183B4 (de) * | 1999-02-10 | 2004-04-29 | Steag Rtp Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahen zum Messen der Temperatur von Substraten |
DE19905524B4 (de) * | 1999-02-10 | 2005-03-03 | Steag Rtp Systems Gmbh | Vorrichtung zum Messen der Temperatur von Substraten |
DE102006017655B4 (de) * | 2006-04-12 | 2015-02-12 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Verfahren zur berührungslosen Temperaturmessung |
DE102006017892A1 (de) * | 2006-04-13 | 2007-10-31 | Bayerisches Zentrum für angewandte Energieforschung e.V. (ZAE Bayern) | Verfahren und Vorrichtung zur berührungslosen Temperaturmessung in einem thermischen Prozess |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB896686A (en) * | 1959-11-20 | 1962-05-16 | Parsons & Co Sir Howard G | Improvements in and relating to infra-red analysers |
US3875408A (en) * | 1972-07-10 | 1975-04-01 | Gunter Pusch | Method and device for ascertaining thermal constrasts |
JPS60131430A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 半導体基板の温度測定装置 |
JPS60253939A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-14 | Fujitsu Ltd | 基板温度の測定方法 |
JPS62197725A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-09-01 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱線検知器 |
JPS6453122A (en) * | 1987-08-24 | 1989-03-01 | Daikin Ind Ltd | Method for measuring soldering temperature |
-
1990
- 1990-04-20 DE DE4012615A patent/DE4012615A1/de active Granted
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB896686A (en) * | 1959-11-20 | 1962-05-16 | Parsons & Co Sir Howard G | Improvements in and relating to infra-red analysers |
US3875408A (en) * | 1972-07-10 | 1975-04-01 | Gunter Pusch | Method and device for ascertaining thermal constrasts |
JPS60131430A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 半導体基板の温度測定装置 |
JPS60253939A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-14 | Fujitsu Ltd | 基板温度の測定方法 |
JPS62197725A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-09-01 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱線検知器 |
JPS6453122A (en) * | 1987-08-24 | 1989-03-01 | Daikin Ind Ltd | Method for measuring soldering temperature |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
Patent Abtracts of Japan, P-406, Nov. 19, 1985, Vol. 9, No.292 & JP 60131430 A * |
Patent Abtracts of Japan, P-456, May 16, 1986, Vol.10, No.132 & JP 60253939 A * |
Patent Abtracts of Japan, P-667, Febr.16, 1988, Vol.12, No. 51 & JP 62197725 A * |
Patent Abtracts of Japan, P-884 June 14, 1989, Vol.13, No.256 & JP 64053122 A * |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994000744A1 (en) * | 1992-06-29 | 1994-01-06 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Device and method for heating objects wherein the temperature of the object is measured |
US5683538A (en) * | 1994-12-23 | 1997-11-04 | International Business Machines Corporation | Control of etch selectivity |
US5738440A (en) * | 1994-12-23 | 1998-04-14 | International Business Machines Corp. | Combined emissivity and radiance measurement for the determination of the temperature of a radiant object |
US5770097A (en) * | 1994-12-23 | 1998-06-23 | International Business Machines Corporation | Control of etch selectivity |
US6044203A (en) * | 1996-07-26 | 2000-03-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Rapid thermal anneal system and method including improved temperature sensing and monitoring |
EP1393354A1 (de) * | 2001-05-23 | 2004-03-03 | Mattson Thermal Products GmbH | Verfahren und vorrichtung zum thermischen behandeln von substraten |
US11342209B2 (en) | 2019-12-09 | 2022-05-24 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for measuring edge ring temperature |
US11664250B2 (en) | 2019-12-09 | 2023-05-30 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for measuring edge ring temperature |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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DE4012615C2 (de) | 1992-07-16 |
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