DE4007236A1 - Lichtempfindliches gemisch - Google Patents
Lichtempfindliches gemischInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein lichtempfindliches Gemisch aus einem
Polymeren und einer photoaktiven Komponente sowie ein Verfahren
zur Herstellung von Reliefstrukturen aus einem derartigen
lichtempfindlichen Gemisch.
Photolithographisch aus lichtempfindlichen Gemischen, d. h.
Photoresists, erzeugte Strukturen im µm-Bereich spielen bei der
Herstellung hochintegrierter Schaltkreise eine Schlüsselrolle.
Derartige Strukturen dienen nämlich generell als Masken bei
einer Reihe von Prozeßschritten, die bei der Herstellung dieser
Bauelemente durchlaufen werden, wie Ionenimplantation, Dotie
rung, Naß- und Trockenätzen.
Während die thermischen und mechanischen Eigenschaften der
Reliefstrukturen sowie die Ätzresistenz durch die Auswahl der
Harzbasis, d. h. des Polymeren, des zugrundeliegenden Resists
beeinflußt werden können, wird die Photostrukturierbarkeit
überwiegend von der photoaktiven Komponente bestimmt. Photo
aktive Komponente und Polymeres müssen dabei allerdings soweit
zusammenpassen, daß beispielsweise keine Entmischung des licht
empfindlichen Gemisches erfolgt und der belichtete Resist ent
wickelt werden kann. Die photoaktive Komponente muß darüber
hinaus eine Reihe von Anforderungen erfüllen, wie gute Löslich
keit, Lagerbeständigkeit, Entwickelbarkeit mit ungiftigen,
möglichst wäßrigen, d. h. ökologisch unbedenklichen Entwicklern,
und hohe Empfindlichkeit, d. h. kurze Belichtungszeit, verbunden
mit einem Bleichen der photoaktiven Komponente. Außerdem darf
die Haftung des Polymeren auf dem Substrat nicht beeinträchtigt
werden und es muß eine genaue Übertragung der Vorlage gewähr
leistet sein, verbunden mit einer guten Auflösung.
Zur Erzeugung feiner Strukturen können entweder Negativresists
oder Positivresists verwendet werden (siehe beispielsweise:
"Angew. Chem.", Bd. 94 (1982), Seiten 471 bis 485). Negativ
resists, bei denen das Strukturierungsprinzip im allgemeinen auf
einer Vernetzung der belichteten Teile beruht, womit eine
Erniedrigung der Löslichkeit verbunden ist, zeigen im Vergleich
zu Positivresists eine geringere Auflösung, bedingt durch Quellung,
und werden meist mit - ökologisch und wirtschaftlich
ungünstigen - organischen Entwicklern entwickelt. Bei Positiv
resists, bei denen die Löslichkeit durch die Strahlungseinwirkung
erhöht wird, wird der Löslichkeitsunterschied zwischen den
belichteten und unbelichteten Teilen meist durch eine photo
chemisch induzierte Änderung der Polarität bewirkt, wodurch - ohne
Quellung - eine wäßrig-alkalische Entwicklung ermöglicht wird.
Positivresists sind beispielsweise Systeme mit o-Nitrobenzyl
esterverbindungen als photoaktive Komponente, welche bei der
Belichtung in eine polare Carbonsäure und einen o-Nitrosobenz
aldehyd zerfallen (a.a.O., Seite 482). Die o-Nitrosobenzaldehyde
können im Resist jedoch zu farbigen Azoverbindungen
koppeln und wirken somit einer Bleichwirkung entgegen. In Systemen,
die nach dem Prinzip der sogenannten chemischen Verstärkung
("chemical amplification") arbeiten, werden photolytisch
Protonen erzeugt, welche dann beispielsweise Phenolester zu den
entsprechenden Phenolen verseifen. Die in diesen Systemen ein
gesetzten Photoinitiatoren, die sogenannten Crivello-Salze, wie
Triarylsulfoniumsalz (siehe beispielsweise: "Polym. Eng. Sci.",
Vol. 23 (1983), Seiten 953 bis 956), sind jedoch sehr korrosiv,
was einer Verwendung in der Mikroelektronik entgegensteht.
Die vor allem in kommerziell vertriebenen Positivresists am
häufigsten eingesetzte photoaktive Komponente basiert auf
Sulfonsäureestern von Diazonaphthochinonen (a.a.O., Seite 481),
die gutes Bleichverhalten mit kurzen Belichtungszeiten kombi
nieren. Derartige Systeme weisen jedoch eine Reihe von Nachteilen
auf, wie aufwendige Synthese, d. h. schlechte Verfügbarkeit,
hoher Preis, brennbares bzw. explosives Verhalten (letzteres
vor allem bei 4-Sulfonsäuren) und geringe thermische Beständig
keit, d. h. Zersetzung; außerdem lassen sich dicke Schichten
(<30 µm) nicht strukturieren.
Aufgabe der Erfindung ist es, das Angebot an wirksamen Photo
resists zu erweitern, d. h. lichtempfindliche Gemische aus einem
Polymeren und einer photoaktiven Komponente anzugeben, welche
die an Photoresists gestellten Anforderungen im hohen Maße
erfüllen und die Erzeugung feiner Strukturen erlauben.
Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß das Polymere
Carbonsäureanhydrid- oder phenolische Hydroxylgruppen aufweist
und daß die photoaktive Komponente ein 1,4-Dihydropyridin oder
1,4-Dihydropyridinderivat folgender Struktur ist:
wobei die Reste R¹ gleich oder verschieden sind und folgende
Bedeutung haben:
R¹=H, (CH₂) n -CH₃, OH, O-(CH₂) n -CH₃, (CF₂) n -CF₃, C₆H₅, O-C₆H₅, COOH, COO-(CH₂) n -CH₃, CO-(CH₂) n -CH₃, (CH₂) n -O-(CH₂) m -CH₃, (CH₂) n -OH, (CH=CH) p -CO-CH₃, F, Cl, Br oder J, mit m=0 bis 10, n=0 bis 10 und p=1 bis 4,
oder eines der beiden Paare ortho-ständiger Reste R¹ Bestand teil eines aromatischen oder olefinisch ungesättigten Sechs rings ist,
und für den Rest R folgendes gilt:
R¹=H, (CH₂) n -CH₃, OH, O-(CH₂) n -CH₃, (CF₂) n -CF₃, C₆H₅, O-C₆H₅, COOH, COO-(CH₂) n -CH₃, CO-(CH₂) n -CH₃, (CH₂) n -O-(CH₂) m -CH₃, (CH₂) n -OH, (CH=CH) p -CO-CH₃, F, Cl, Br oder J, mit m=0 bis 10, n=0 bis 10 und p=1 bis 4,
oder eines der beiden Paare ortho-ständiger Reste R¹ Bestand teil eines aromatischen oder olefinisch ungesättigten Sechs rings ist,
und für den Rest R folgendes gilt:
wobei die NO₂-Gruppe stets in ortho-Stellung zur Bindung zum
Dihydropyridinring angeordnet ist und die Reste R² gleich oder
verschieden sind und folgende Bedeutung haben:
R²=H, (CH₂) n -CH₃, OH, O-(CH₂) n -CH₃, (CF₂) n -CF₃, C₆H₅, O-C₆H₅, COOH, COO-(CH₂) n -CH₃, CO-(CH₂) n -CH₃, (CH₂) n -O-(CH₂) m -CH₃, (CH₂) n -OH, NO₂, F, Cl, Br oder J, mit m=0 bis 10 und n=0 bis 10.
R²=H, (CH₂) n -CH₃, OH, O-(CH₂) n -CH₃, (CF₂) n -CF₃, C₆H₅, O-C₆H₅, COOH, COO-(CH₂) n -CH₃, CO-(CH₂) n -CH₃, (CH₂) n -O-(CH₂) m -CH₃, (CH₂) n -OH, NO₂, F, Cl, Br oder J, mit m=0 bis 10 und n=0 bis 10.
Die lichtempfindlichen Gemische nach der Erfindung wirken als
Positivresists und zeichnen sich durch eine Reihe von hervor
ragenden Eigenschaften aus. So sind die Resistlösungen nicht nur
lagerbeständig, sondern überraschenderweise lassen sich aus den
Resistlösungen Schichten herstellen, die mit wäßrig-alkalischen,
gegebenenfalls amin- oder ammoniakhaltigen Entwicklern
strukturiert werden können. Die erfindungsgemäßen Positiv
resists zeigen ferner ein gutes, d. h. schnelles und vollständiges
Bleichverhalten (bei 365 nm) sowie eine sehr gute Auflösung
(<1 µm) und sie lassen sich auch in dicken Schichten struktu
rieren. Außerdem ist die in diesen Resists eingesetzte photo
aktive Komponente durch eine einfache Synthese kostengünstig
verfügbar, ungiftig und gut löslich, und sie weist eine gute
thermische Beständigkeit auf.
Durch die Erfindung wird eine neue Stoffklasse für den Einsatz
als photoaktive Komponente in Resistsystemen verfügbar gemacht,
nämlich substituierte 1,4-Dihydropyridine (und Derivate davon),
insbesondere 4-(2′-Nitrophenyl)-1,4-dihydropyridine (und ent
sprechende Derivate) folgender Struktur:
wobei die Reste R¹ und R² gleich oder verschieden sind und die
vorstehend angegebene Bedeutung haben.
In 4-Stellung arylsubstituierte 1,4-Dihydropyridine sind an
sich bekannt (siehe: "J. Amer. Chem. Soc.", Vol. 77 (1955),
Seiten 444 bis 447); sie finden in der Pharmazie Verwendung
(siehe: "Angew. Chem.", Bd. 93 (1981), Seiten 755 bis 763,
sowie US-PS 39 46 028). Über die Photochemie von Verbindungen
dieser Art in Lösung wurde zwar bereits berichtet (siehe:
"J. Amer. Chem. Soc.", Vol. 77 (1955), Seiten 447 bis 450),
dies hat aber - soweit ersichtlich - zu keinen praktischen
Anwendungen geführt, d. h. es findet sich nicht der geringste
Hinweis darauf, diese Verbindungen als photoaktive Komponente
zusammen mit bestimmten Polymeren in lichtempfindlichen Gemischen
einzusetzen.
In den lichtempfindlichen Gemischen nach der Erfindung finden
Polymere mit Carbonsäureanhydridgruppen Verwendung. Diese Poly
meren weisen vorzugsweise folgende Struktur auf:
wobei folgendes gilt:
r/r+s=0 bis 0,6 und r+s=4 bis 3000;
X und Y sind gleich oder verschieden und stehen für eine Ein fachbindung oder für -COO-, -CONH-, -CONHNH-, -OCOO-, -O-, -SO₂- und -COOCO-;
die Reste R¹, R², R³, R⁴, R⁵ und R⁶ sind gleich oder verschieden und haben folgende Bedeutung:
H, (CH₂) n -CH₃, C₆H₅, COOH, COO-(CH₂) n -CH₃, CO-(CH₂) n -CH₃, Si[(CH₂) n -CH₃]₃, Si(C₆H₅)₃, CH₂-Si(CH₃)₃, Si(OCH₃)₃, C₆H₄-OH, C₆H₄-(CH₂) n -CH₃, C₆H₄-O-(CH₂) n -CH₃ und (CH₂) n -O-(CH₂) m -CH₃, mit m=0 bis 10 und n=0 bis 10;
R¹ und R² bzw. R³ und R⁴ bzw. R⁵ und R⁶ können auch cyclisch aliphatisch oder aromatisch miteinander verbunden sein.
r/r+s=0 bis 0,6 und r+s=4 bis 3000;
X und Y sind gleich oder verschieden und stehen für eine Ein fachbindung oder für -COO-, -CONH-, -CONHNH-, -OCOO-, -O-, -SO₂- und -COOCO-;
die Reste R¹, R², R³, R⁴, R⁵ und R⁶ sind gleich oder verschieden und haben folgende Bedeutung:
H, (CH₂) n -CH₃, C₆H₅, COOH, COO-(CH₂) n -CH₃, CO-(CH₂) n -CH₃, Si[(CH₂) n -CH₃]₃, Si(C₆H₅)₃, CH₂-Si(CH₃)₃, Si(OCH₃)₃, C₆H₄-OH, C₆H₄-(CH₂) n -CH₃, C₆H₄-O-(CH₂) n -CH₃ und (CH₂) n -O-(CH₂) m -CH₃, mit m=0 bis 10 und n=0 bis 10;
R¹ und R² bzw. R³ und R⁴ bzw. R⁵ und R⁶ können auch cyclisch aliphatisch oder aromatisch miteinander verbunden sein.
Die in den erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Gemischen
Verwendung findenden Polymeren mit phenolischen Hydroxylgruppen
sind vorzugsweise Phenol-Formaldehyd-Kondensationsprodukte
folgender Struktur:
wobei folgendes gilt:
p=10 bis 10 000,
R=H, (CH₂) m -OH, (CH₂) n -CH₃, OH, O-(CH₂) n -CH₃, C₆H₅ oder Halogen, d. h. F, Cl, Br und J, mit m=1 bis 10 und n=0 bis 10.
p=10 bis 10 000,
R=H, (CH₂) m -OH, (CH₂) n -CH₃, OH, O-(CH₂) n -CH₃, C₆H₅ oder Halogen, d. h. F, Cl, Br und J, mit m=1 bis 10 und n=0 bis 10.
Ferner können vorteilhaft Hydroxypolyamide folgender Struktur
eingesetzt werden:
wobei R, R*, R₁, R₁* und R₂ aromatische Gruppierungen sind und
bezüglich n₁, n₂ und n₃ folgendes gilt:
n₁=1 bis 100, n₂ und n₃=0, oder
n₁ und n₂=1 bis 100, n₃=0, oder
n₁, n₂ und n₃=1 bis 100 (mit RR* und/oder R₁R₁*), oder
n₁ und n₃=1 bis 100, n₂=0 (mit RR* und/oder R₁R₁*); bzw. Hydroxypolyimide folgender Struktur:
n₁=1 bis 100, n₂ und n₃=0, oder
n₁ und n₂=1 bis 100, n₃=0, oder
n₁, n₂ und n₃=1 bis 100 (mit RR* und/oder R₁R₁*), oder
n₁ und n₃=1 bis 100, n₂=0 (mit RR* und/oder R₁R₁*); bzw. Hydroxypolyimide folgender Struktur:
wobei R und R* aromatische Gruppierungen sind, die gleich oder
verschieden sein können, und für n folgendes gilt:
n=2 bis 100.
Da der Begriff "aromatische Gruppierungen" auch Heterocyclen, wie Furan und Thiophen, umfaßt, können die "phenolischen" Hydroxylgruppen auch an derartigen Gruppierungen sitzen.
n=2 bis 100.
Da der Begriff "aromatische Gruppierungen" auch Heterocyclen, wie Furan und Thiophen, umfaßt, können die "phenolischen" Hydroxylgruppen auch an derartigen Gruppierungen sitzen.
Hydroxylamide der vorstehend genannten Art sind aus der
DE-OS 37 16 629 bzw. aus der EP-OS 02 91 779 bekannt. Hydroxy
polyimide der vorstehend genannten Art sind Gegenstand der
europäischen Patentanmeldung Nr. 88 117 679.6 vom 6. Oktober 1988;
R und R* haben dabei die in den beiden vorstehend genannten
Druckschriften angegebene Bedeutung.
Bei den lichtempfindlichen Gemischen nach der Erfindung liegt
das Masseverhältnis von Polymer zu photoaktiver Komponente im
allgemeinen zwischen 20 : 1 und 1 : 20; vorzugsweise liegt dieses
Masseverhältnis zwischen 10 : 1 und 1 : 10. Im übrigen können dabei
auch Polymergemische vorliegen.
Zur Herstellung von Reliefstrukturen wird ein lichtempfindliches
Gemisch nach der Erfindung in Form einer Schicht oder
Folie auf ein Substrat aufgebracht und mit aktinischem Licht
durch eine Maske belichtet oder durch Führen eines entsprechenden
Lichtstrahls bestrahlt. Anschließend werden die belichteten
bzw. bestrahlten Schicht- oder Folienteile herausgelöst oder
abgezogen, und die dabei erhaltenen Strukturen werden dann bei
erhöhter Temperatur getrocknet und gegebenenfalls getempert.
Das lichtempfindliche Gemisch, d. h. der Photoresist, kann vor
teilhaft als Lösung in einem organischen Lösungsmittel auf das
Substrat aufgebracht werden. Als Lösungsmittel wird dabei vor
zugsweise N-Methylpyrrolidon oder Methoxypropylacetat verwendet.
Daneben können aber auch andere organische Lösungsmittel
mit ähnlichen Eigenschaften zum Einsatz gelangen, wie Dimethyl
formamid und N,N-Dimethylacetamid, sowie Gemische der genannten
Lösungsmittel.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren kann vorteilhaft ein Haftmittel
und/oder ein Benetzungsmittel verwendet werden. Haft- bzw.
Vernetzungsmittel können dabei der Photoresistlösung zugesetzt
werden, sie können aber auch - vor der Beschichtung mit dem
Photoresist - auf das Substrat aufgebracht werden. Die Photo
resistlösung wird vorzugsweise mittels Schleuder- oder elektro
statischer Sprühtechnik auf das Substrat aufgebracht. Daneben
können aber auch andere Beschichtungsmethoden, wie Tauchen,
Bürsten und Rollen, angewendet werden. Das Substrat besteht
vorzugsweise aus Glas, aus Metall, insbesondere Aluminium, aus
Kunststoff oder aus einem halbleitenden Material.
Anhand von Ausführungsbeispielen soll die Erfindung noch näher
erläutert werden.
2 g eines käuflichen Novolaks (Bakelite LG724 CH4) werden mit
0,5 g 2,6-Dimethyl-3,5-diethoxycarbonyl-4-(2′-nitrophenyl)-1,4-
dihydropyridin (zur Herstellung siehe: "J. Amer. Chem. Soc.",
Vol. 71 (1949), Seiten 4003 ff.) in 10 g N-Methylpyrrolidon
gelöst und die dabei erhaltene Lösung wird mittels einer Spritze
durch ein 0,2 µm-Filter auf einen 3′′-Siliciumwafer aufgebracht
(1800 rpm, 20 s, Schichtdicke: 1 µm). Nach dem Trocknen (70°C,
10 min, Umluft) wird 5 s durch eine Maske belichtet (Lampe
MJB 55 mit 42 mW/cm²) und anschließend 40 s mit einem wäßrig-
alkalischen Entwickler (NMD-3, 0,65%) tauchentwickelt. Es
werden feine Strukturen erhalten.
6,5 g einer Polybenzoxazol-Vorstufe, hergestellt aus 2,2-Di-
(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluorpropan und
2,2-Di-(4-chlorcarbonylphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluorpropan
(zur Herstellung siehe: "Polym. Letters", Vol. 2 (1964), Seiten
655 ff.), werden mit 1,3 g 2,6-Dimethyl-3-acetyl-5-ethoxycarbonyl-
4-(2′-nitrophenyl)-1,4-dihydropyridin (zur Herstellung siehe:
"J. Amer. Chem. Soc.", Vol. 77 (1955), Seiten 444 ff.) in
37,5 g N-Methylpyrrolidon gelöst und die dabei erhaltene Lösung
wird durch ein 0,8 µm-Filter druckfiltriert. Diese Lösung wird
dann auf einen - mit einem käuflichen Haftvermittler auf der
Basis von Aminosilan (KBM 602) behandelten - Siliciumwafer auf
gebracht (2500 rpm, 10 s, Schichtdicke: 1,6 µm). Nach dem
Trocknen (60°C, 10 min, Umluft) wird 30 s durch eine Maske
belichtet (Lampe MJB 55 mit 42 mW/cm²) und anschließend 60 s mit
einem wäßrig-alkalischen Entwickler (AZ 303, 1 : 6 mit Wasser
verdünnt) entwickelt. Die dabei erhaltene Schicht (Schicht
dicke: 1,33 µm) wird getrocknet und bei 400°C unter Stickstoff
im Röhrenofen getempert. Es werden hochtemperaturbeständige
Reliefstrukturen erhalten.
4 g eines Allylsilan/Maleinsäureanhydrid-Copolymeren (Verhältnis
1 : 1) werden mit 1 g 2,6-Dimethyl-3,5-diethoxycarbonyl-
4-(2′-nitrophenyl)-1,4-dihydropyridin (zur Herstellung siehe
Beispiel 1) in 20 g Methoxypropylacetat gelöst und die dabei
erhaltene Lösung wird mittels einer Spritze durch ein 0,2 µm-
Filter auf einen - mit einem käuflichen Haftvermittler auf der
Basis von Aminosilan (KBM 602) behandelten - Siliciumwafer auf
gebracht (1500 rpm, 20 s, Schichtdicke: 1,1 µm). Nach dem
Trocknen (70°C, 10 min, Umluft) wird 10 s durch eine Maske
belichtet (Lampe MJB 55 mit 42 mW/cm²). Die belichtete Schicht
wird 240 s mit einem wäßrig-alkalischen Entwickler (AZ 400 K,
1 : 5 mit Wasser verdünnt, 2,5% NH₄OH v/v) entwickelt und nach
folgend getrocknet (100°C, 15 min). Es werden hochaufgelöste
Strukturen erhalten.
20 g eines Styrol/Maleinsäureanhydrid-Copolymeren (Verhältnis
1 : 1) werden mit 5 g 2,6-Dimethyl-3,5-diethoxycarbonyl-
4-(2′-nitrophenyl)-1,4-dihydropyridin (Herstellung siehe
Beispiel 1) in 30 g Methoxypropylacetat gelöst und die dabei
erhaltene Lösung wird auf einen - mit einem käuflichen Haftver
mittler auf der Basis von Aminosilan (KBM 602) behandelten -
Siliciumwafer aufgebracht (5000 rpm, 5 s, Schichtdicke:
8,6 µm). Nachfolgend wird 20 s durch eine Maske belichtet
(Lampe MJB 55 mit 42 mW/cm²), 150 s mit einem wäßrig-alkalischen
Entwickler (AZ 400 K, 1 : 5 mit Wasser verdünnt, 2% NH₄OH v/v)
tauchentwickelt und dann getrocknet (120°C, 15 min). Es werden
feine Strukturen erhalten.
Eine entsprechend Beispiel 4 hergestellte Resistlösung wird als
dicke Schicht (Schichtdicke: 97 µm) auf einen Siliciumwafer
aufgebracht (400 rpm, 5 s) und die Schicht nachfolgend 500 s
durch eine Maske belichtet (Lampe MJB 55 mit 42 mW/cm²). Dann
wird 15 min mit einem wäßrig-alkalischen Entwickler (AZ 400 K,
1 : 5 mit Wasser verdünnt, 2% NH₄OH v/v) entwickelt. Es werden
Strukturen mit einer Auflösung im Bereich der Schichtdicke
erhalten.
Claims (10)
1. Lichtempfindliches Gemisch aus einem Polymeren und einer
photoaktiven Komponente, dadurch gekennzeichnet,
daß das Polymere Carbonsäureanhydrid- oder
phenolische Hydroxylgruppen aufweist und daß die photoaktive
Komponente ein 1,4-Dihydropyridin oder 1,4-Dihydropyridinderivat
folgender Struktur ist:
wobei die Reste R¹ gleich oder verschieden sind und folgende
Bedeutung haben:
R¹=H, (CH₂) n -CH₃, OH, O-(CH₂) n -CH₃, (CF₂) n -CF₃, C₆H₅, O-C₆H₅, COOH, COO-(CH₂) n -CH₃, CO-(CH₂) n -CH₃, (CH₂) n -O-(CH₂) m -CH₃, (CH₂) n -OH, (CH=CH) p -CO-CH₃, F, Cl, Br oder J, mit m=0 bis 10, n=0 bis 10 und p=1 bis 4,
oder eines der beiden Paare ortho-ständiger Reste R¹ Bestand teil eines aromatischen oder olefinisch ungesättigten Sechs rings ist,
und für den Rest R folgendes gilt: wobei die NO₂-Gruppe stets in ortho-Stellung zur Bindung zum Dihydropyridinring angeordnet ist und die Reste R² gleich oder verschieden sind und folgende Bedeutung haben:
R²=H, (CH₂) n -CH₃, OH, O-(CH₂) n -CH₃, (CF₂) n -CF₃, C₆H₅, O-C₆H₅, COOH, COO-(CH₂) n -CH₃, CO-(CH₂) n -CH₃, (CH₂) n -O-(CH₂) m -CH₃, (CH₂) n -OH, NO₂, F, Cl, Br oder J, mit m=0 bis 10 und n=0 bis 10.
R¹=H, (CH₂) n -CH₃, OH, O-(CH₂) n -CH₃, (CF₂) n -CF₃, C₆H₅, O-C₆H₅, COOH, COO-(CH₂) n -CH₃, CO-(CH₂) n -CH₃, (CH₂) n -O-(CH₂) m -CH₃, (CH₂) n -OH, (CH=CH) p -CO-CH₃, F, Cl, Br oder J, mit m=0 bis 10, n=0 bis 10 und p=1 bis 4,
oder eines der beiden Paare ortho-ständiger Reste R¹ Bestand teil eines aromatischen oder olefinisch ungesättigten Sechs rings ist,
und für den Rest R folgendes gilt: wobei die NO₂-Gruppe stets in ortho-Stellung zur Bindung zum Dihydropyridinring angeordnet ist und die Reste R² gleich oder verschieden sind und folgende Bedeutung haben:
R²=H, (CH₂) n -CH₃, OH, O-(CH₂) n -CH₃, (CF₂) n -CF₃, C₆H₅, O-C₆H₅, COOH, COO-(CH₂) n -CH₃, CO-(CH₂) n -CH₃, (CH₂) n -O-(CH₂) m -CH₃, (CH₂) n -OH, NO₂, F, Cl, Br oder J, mit m=0 bis 10 und n=0 bis 10.
2. Lichtempfindliches Gemisch nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die photoaktive Komponente
ein 4-(2′-Nitrophenyl)-1,4-dihydropyridin oder ein entsprechendes
Derivat folgender Struktur ist:
wobei die Reste R¹ und R² gleich oder verschieden sind und die
vorstehend angegebene Bedeutung haben.
3. Lichtempfindliches Gemisch nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß das Polymere
mit Carbonsäureanhydridgruppen folgende Struktur besitzt:
wobei folgendes gilt:
r/r+s=0 bis 0,6 und r+s=4 bis 3000;
X und Y sind gleich oder verschieden und stehen für eine Ein fachbindung oder für -COO-, -CONH-, -CONHNH-, -OCOO-, -O-, -SO₂- und -COOCO-;
die Reste R¹, R², R³, R⁴, R⁵ und R⁶ sind gleich oder verschieden und haben folgende Bedeutung:
H, (CH₂) n -CH₃, C₆H₅, COOH, COO-(CH₂) n -CH₃, CO-(CH₂) n -CH₃, Si[(CH₂) n -CH₃]₃, Si(C₆H₅)₃, CH₂-Si(CH₃)₃, Si(OCH₃)₃, C₆H₄-OH, C₆H₄-(CH₂) n -CH₃, C₆H₄-O-(CH₂) n -CH₃ und (CH₂) n -O-(CH₂) m -CH₃, mit m=0 bis 10 und n=0 bis 10;
R¹ und R² bzw. R³ und R⁴ bzw. R⁵ und R⁶ können auch cyclisch aliphatisch oder aromatisch miteinander verbunden sein.
r/r+s=0 bis 0,6 und r+s=4 bis 3000;
X und Y sind gleich oder verschieden und stehen für eine Ein fachbindung oder für -COO-, -CONH-, -CONHNH-, -OCOO-, -O-, -SO₂- und -COOCO-;
die Reste R¹, R², R³, R⁴, R⁵ und R⁶ sind gleich oder verschieden und haben folgende Bedeutung:
H, (CH₂) n -CH₃, C₆H₅, COOH, COO-(CH₂) n -CH₃, CO-(CH₂) n -CH₃, Si[(CH₂) n -CH₃]₃, Si(C₆H₅)₃, CH₂-Si(CH₃)₃, Si(OCH₃)₃, C₆H₄-OH, C₆H₄-(CH₂) n -CH₃, C₆H₄-O-(CH₂) n -CH₃ und (CH₂) n -O-(CH₂) m -CH₃, mit m=0 bis 10 und n=0 bis 10;
R¹ und R² bzw. R³ und R⁴ bzw. R⁵ und R⁶ können auch cyclisch aliphatisch oder aromatisch miteinander verbunden sein.
4. Lichtempfindliches Gemisch nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß das Polymere
mit phenolischen Hydroxylgruppen ein Phenol-Formaldehyd-Konden
sationsprodukt folgender Struktur ist:
wobei folgendes gilt:
p=10 bis 10 000,
R=H, (CH₂) m -OH, (CH₂) n -CH₃, OH, O-(CH₂) n -CH₃, C₆H₅ oder Halogen, mit m=1 bis 10 und n=0 bis 10.
p=10 bis 10 000,
R=H, (CH₂) m -OH, (CH₂) n -CH₃, OH, O-(CH₂) n -CH₃, C₆H₅ oder Halogen, mit m=1 bis 10 und n=0 bis 10.
5. Lichtempfindliches Gemisch nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß das Polymere
mit phenolischen Hydroxylgruppen ein Hydroxylpolyamid folgender
Struktur ist:
wobei R, R*, R₁, R₁* und R₂ aromatische Gruppierungen sind und
bezüglich n₁, n₂ und n₃ folgendes gilt:
n₁=1 bis 100, n₂ und n₃=0, oder
n₁ und n₂=1 bis 100, n₃=0, oder
n₁, n₂ und n₃=1 bis 100 (mit RR* und/oder R₁R₁*), oder
n₁ und n₃=1 bis 100, n₂=0 (mit RR* und/oder R₁R₁*).
n₁=1 bis 100, n₂ und n₃=0, oder
n₁ und n₂=1 bis 100, n₃=0, oder
n₁, n₂ und n₃=1 bis 100 (mit RR* und/oder R₁R₁*), oder
n₁ und n₃=1 bis 100, n₂=0 (mit RR* und/oder R₁R₁*).
6. Lichtempfindliches Gemisch nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß das Polymere
mit phenolischen Hydroxylgruppen ein Hydroxypolyimid folgender
Struktur ist:
wobei R und R* aromatische Gruppierungen sind, die gleich oder
verschieden sein können, und für n folgendes gilt:
n=2 bis 100.
n=2 bis 100.
7. Lichtempfindliches Gemisch nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß das Masse
verhältnis von Polymer zu photoaktiver Komponente zwischen 20 : 1
und 1 : 20 liegt, vorzugsweise zwischen 10 : 1 und 1 : 10.
8. Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen,
dadurch gekennzeichnet, daß ein licht
empfindliches Gemisch nach einem oder mehreren der Ansprüche 1
bis 7 in Form einer Schicht oder Folie auf ein Substrat aufge
bracht und mit aktinischem Licht durch eine Maske belichtet
oder durch Führen eines entsprechenden Lichtstrahls bestrahlt
wird, daß die belichteten bzw. bestrahlten Schicht- oder
Folienteile herausgelöst oder abgezogen und die dabei erhaltenen
Strukturen bei erhöhter Temperatur getrocknet und gegebenen
falls getempert werden.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß das lichtempfindliche Gemisch als
Lösung in einem organischen Lösungsmittel auf das Substrat aufge
bracht wird.
10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Haftvermittler und/oder ein
Benetzungsmittel verwendet wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP89104947 | 1989-03-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4007236A1 true DE4007236A1 (de) | 1990-09-27 |
Family
ID=8201111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19904007236 Withdrawn DE4007236A1 (de) | 1989-03-20 | 1990-03-07 | Lichtempfindliches gemisch |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4007236A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0578177A2 (de) * | 1992-07-07 | 1994-01-12 | Nitto Denko Corporation | Hitzebeständige, negativ-arbeitende Photoresistzusammensetzung, lichtempfindliches Substrat und Verfahren zur Herstellung eines negativen Musters |
US5851736A (en) * | 1991-03-05 | 1998-12-22 | Nitto Denko Corporation | Heat-resistant photoresist composition, photosensitive substrate, and process for forming heat-resistant positive or negative pattern |
-
1990
- 1990-03-07 DE DE19904007236 patent/DE4007236A1/de not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5851736A (en) * | 1991-03-05 | 1998-12-22 | Nitto Denko Corporation | Heat-resistant photoresist composition, photosensitive substrate, and process for forming heat-resistant positive or negative pattern |
EP0578177A2 (de) * | 1992-07-07 | 1994-01-12 | Nitto Denko Corporation | Hitzebeständige, negativ-arbeitende Photoresistzusammensetzung, lichtempfindliches Substrat und Verfahren zur Herstellung eines negativen Musters |
EP0578177A3 (de) * | 1992-07-07 | 1994-08-03 | Nitto Denko Corp |
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