DE3908316A1 - Device for applying thin-layer coatings to substrates in vacuo - Google Patents

Device for applying thin-layer coatings to substrates in vacuo

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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks

Abstract

The device for applying thin-layer coatings to substrates in vacuo contains a vacuum working chamber (1) having a substrate holder (2) and units (3) for magnetron sputtering of materials, an evacuation chamber (4) provided with a magnetron pump (5), a gas source (12), a pre-evacuation pump (22), an additional evacuation chamber (8) with a magnetron pump (9), an additional gas source (13) and a system of pipelines. The latter comprises a pipe line (18) which is equipped with a valve (20) and connects the gas source (13) to the evacuation chamber (8), as well as pipelines (27, 28) of which each is equipped with its own valve (29, 30) and connects the respective gas source (12, 13) to the working chamber (1). <IMAGE>

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Auf­ tragen von dünnschichtigen Überzügen auf Substrate im Vakuum.The invention relates to a device for wear of thin layer coatings on substrates in Vacuum.

Die Erfindung kann in der Ionenplasmavakuumbedamp­ fungstechnik angewendet werden und zwar zum Aufdampfen, Beizen, Verfestigen, Schmelzen von (leitenden, Wider­ stands-, dielektrischen) Materialien an Erzeugnissen mit komplizierten Überzügen und Zusammensetzung. Die mit der Vorrichtung zum Auftragen von dünnschichtigen Über­ zügen bearbeiteten Erzeugnisse können in der elektronischen, in der Maschinenbau- und metallurgischen Industrie sowie in der Optik eine weite Verwendung finden.The invention can be evaporated in the ion plasma vacuum be used for vapor deposition, Pickling, solidifying, melting of (conductive, contr stand, dielectric) materials on products with intricate coatings and composition. With the device for applying thin layers of over trains processed products can be in the electronic, in the Mechanical engineering and metallurgical industry as well as in the Optics are widely used.

Beim Auftragen von dünnschichtigen Überzügen auf Erzeugnisse durch Ionenplasma-Vakuumvorgänge ist es zur Erhöhung der Qualität und der Leistung von großer Bedeu­ tung, ein hinsichtlich der Zusammensetzung reines (ohne Beimischungen) Inertgas (Argon) zu verwenden, weitgehen­ de quantitätsmäßige Änderungen der Betriebsgaszusammen­ setzung zu ermöglichen, eine beschleunigte Evakuierung der Bedampfungs-Arbeitskammer zu gewährleisten. All dies hängt von dem Aufbau der Vorrichtung zum Auftragen von dünnschichtigen Überzügen ab.When applying thin-layer coatings on Products by ion plasma vacuum processes it is for Increasing the quality and performance of great importance tion, a compositionally pure (without Use admixtures) of inert gas (argon) as far as possible de quantitative changes in process gas together settlement to allow accelerated evacuation to ensure the vaporization working chamber. All this depends on the structure of the device for applying thin-layer coatings.

Bekannt ist eine Vorrichtung zum Auftragen von dünn­ schichtigen Überzügen auf Substrate im Vakuum, die ein Bestandteil der Anlage zum Ionenplasmaaufdampfen von Dünnschichten Z-600 ist (s. B. Heind Leybold-Heraeus GmbH, Hanau, BRD, "Tekhnologia magnetronnogo raspylenia dlya izgotovlenia tonkikh plenck dlya elektronnoi pro­ myshlennosti" (Verfahrenstechnik zur Magnetronzerstäu­ bund bei Herstellung von Dünnschichten für elektroni­ sche Industrie). Diese Vorrichtung umfaßt eine über eine Rohrleitung mit einer Gasquelle verbundene Vakuumarbeits­ kammer mit einem Substrathalter und zumindest einer Ein­ heit zur Magnetronzerstäubung von Materialien, eine mit der Arbeitskammer über ein Ventil und eine Diffusions- oder Turbo-Molekularpumpe verbundene Evakuierkammer und eine mit der Arbeitskammer durch eine Rohrleitung über ein Ventil verbundene Vorevakuierpumpe.A device for applying thin is known layered coatings on substrates in vacuum, the one Part of the system for ion plasma vapor deposition from Thin films Z-600 is (see e.g. Heind Leybold-Heraeus GmbH, Hanau, Germany, "Tekhnologia magnetronnogo raspylenia dlya izgotovlenia tonkikh plenck dlya elektronnoi pro myshlennosti "(process engineering for magnetron atomization bund in the production of thin layers for electronics industry). This device comprises one over one Pipeline vacuum work connected to a gas source  chamber with a substrate holder and at least one unit for magnetron sputtering of materials, one with the working chamber via a valve and a diffusion or turbo-molecular pump connected evacuation chamber and one with the working chamber through a pipe a pre-evacuation pump connected to a valve.

Bei Anwendung dieser Vorrichtung zum Auftragen von dünnschichtigen Überzügen wird beim Bedampfungsvorgang Argon eingesetzt, das Beimischungen von Aktivgasen ent­ hält, die die Überzugsqualität (Haftung, chemische Zu­ sammensetzung der Dünnschichten) beeinträchtigen, was schließlich zum Ausschuß und somit zu einer verringerten Leistung führt. Dieser Vorrichtung ist auch eine unsta­ bile Betriebsgaskonzentration beim Reaktionsbedampfen mit Materialien eigen, weil durch die Diffusions- oder Turbo-Molekularpumpe sämtliche Gase (darunter auch Argon) abgepumpt werden. Dadurch werden die Parameter beim Plasmabildungsvorgang, Bedampfungsgeschwindigkeit, che­ mische Zusammensetzung des dünnschichtigen Überzuges be­ einträchtigt, was Ausschuß und eine verringerte Leistung zur Folge hat. Die beschleunigte Evakuierung der Arbeits­ kammer während des Bedampfens führt auch zu mangelhaften dünnschichtigen Überzügen wegen der unstabilen Parameter des Plasmabildungsvorgangs.When using this device for applying thin-layer coatings is used during the vapor deposition process Argon used, the admixtures of active gases ent which maintains the coating quality (liability, chemical add composition of the thin layers) affect what finally to the committee and thus to a reduced one Performance leads. This device is also an unsta bile operating gas concentration during reaction vapor deposition peculiar to materials because of the diffusion or Turbo molecular pump all gases (including argon) be pumped out. Thereby the parameters at Plasma formation process, evaporation rate, che Mix composition of the thin layer coating degrades what committee and reduced performance has the consequence. The accelerated evacuation of work Chamber during steaming also leads to poor thin-layer coatings because of the unstable parameters of the plasma formation process.

Bekannt ist auch eine Vorrichtung zum Auftragen von dünnschichtigen Überzügen auf Substrate im Vakuum (US, A, 46 06 929), die eine Arbeitskammer mit einem Substrat­ halter und zumindest einer Einheit zur Magnetronzerstäu­ bung von Materialien, eine mit der Arbeitskammer über ein Ventil verbundene, mit einer Magnetronpumpe versehe­ ne und über eine erste mit einem Ventil ausgerüstete Rohrleitung mit einer Gasquelle in Verbindung stehende Evakuierkammer sowie eine Vorevakuierpumpe enthält, deren Hohlraum mit der Arbeitskammer über eine zweite Rohrlei­ tung verbunden ist. A device for applying is also known thin-film coatings on substrates in a vacuum (US, A, 46 06 929), which is a working chamber with a substrate holder and at least one unit for magnetron atomization exercise of materials, one with the working chamber over a valve connected, provided with a magnetron pump ne and a first equipped with a valve Pipeline related to a gas source Evacuation chamber and a pre-evacuation pump contains the Cavity with the working chamber via a second pipe device is connected.  

Bei Durchführung von längeren und hinsichtlich der chemischen Zusammensetzung der dünnschichtigen Überzügen kritischen Reaktions-Bedampfungsvorgängen in der bekannten Vorrichtung wird, wenn zur Einhaltung der technologischen Parameter eine Argonzugabe erforderlich ist (weil der Argondruck beim Bedampfungsvorgang fällt), technisches Argon zugesetzt, das aktive Gase enthält, die die erforderliche chemische Zusammensetzung der dünnschichtigen Überzüge und ihre Haftung am Substrat beeinträchtigen. Nach der Argonzugabe in die Arbeits­ kammer ist eine bestimmte Zeit erforderlich, um die in Argon enthaltenen aktiven Gase mit der Magnetronpumpe abzupumpen. In der Zwischenzeit erfährt das Plasma chemische Prozesse, die die dünnschichtigen Überzüge unbrauchbar machen können. Die Überzüge müssen dabei zu­ sätzlich überprüft werden, um die Parameter der nachfol­ genden fotolithografischen Prozesse zu korrigieren. Es sei außerdem erwähnt, daß die Durchführung der Reak­ tions-Bedampfungsvorgänge mit dieser Vorrichtung auch dadurch erschwert ist, daß das die Arbeitskammer mit der Evakuierkammer verbindende Ventil nur zum Betrieb in zwei Stellungen, d. h. "auf" und "zu" geeinet ist, wo­ durch die Einhaltung der Prozentzusammensetzung der Be­ triebsgase wesentlich erschwert wird, weil die Magne­ tronpumpe die Betriebsgase nur mit der Höchstgeschwindig­ keit abpumpen wird, was einen gestörten Gesamtdruck der Gase in der Arbeitskammer ergibt, der öfters zu korri­ gieren ist.When performing longer and regarding the chemical composition of the thin film Coat critical reaction vapor deposition processes in the known device, if to comply with technological parameters an argon addition is required is (because the argon pressure drops during the vaporization process), added technical argon, which contains active gases, which the required chemical composition of the thin-layer coatings and their adhesion to the substrate affect. After adding argon to the working a certain time is required to chamber in Argon contained active gases with the magnetron pump to pump out. In the meantime, the plasma is experiencing chemical processes that cover the thin layers can make useless. The covers must be closed are also checked to determine the parameters of the successor correct photolithographic processes. It it should also be mentioned that the implementation of the Reak tion vaporization processes with this device too is complicated by the fact that the working chamber with the Evacuation chamber connecting valve only for operation in two positions, d. H. "open" and "closed" where by adhering to the percentage composition of the Be driving gases is made significantly more difficult because of the magne tron pump the operating gases only at the highest speed will pump out what a disturbed total pressure of the Gases in the working chamber result in the corri is greed.

Bei dieser Vorrichtung ist kein beschleunigtes Ab­ pumpen der Aktivgase aus der Arbeitskammer möglich, weil die Magnetronpumpe beim Gasabpumpen eine konstante Ge­ schwindigkeit besitzt. Die Vorrichtung ist nicht betriebs­ fähig bei Wartung der Magnetronpumpe oder der Voreva­ kuierpumpe und braucht eine relativ lange Vorbereitungs­ zeit vor der Durchführung des Bedampfens.There is no accelerated down in this device pumping the active gases from the working chamber possible because the magnetron pump has a constant Ge when pumping gas has dizziness. The device is not operational capable of servicing the magnetron pump or the Voreva Kuierpump and needs a relatively long preparation time before steaming is carried out.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichung zum Auftragen von dünnschichtigen Überzügen auf Substrate im Vakuum mit einer solchen Konzentration der für die Zuführung vom Inertgas (Argon) in die Arbeits­ kammer verantwortlichen Baugruppen zu schaffen, die die Zuführung dieses Gases im von den beigemischten ak­ tiven Gasen bereits gereinigten Zustand, eine stufenlo­ se Einstellung der quantitätsmäßigen Betriebsgaszusam­ mensetzung in weiten Grenzen beim Reaktionsbedampfen von dünnschichtigen Überzügen und ein beschleunigtes Abpum­ pen der aktiven Gase aus der Arbeitskammer bei Durchfüh­ rung der kurzzeitigen Bedampfungsvorgänge ermöglichen, um die Qualität der aufgetragenen dünnschichtigen Über­ züge sowie die Leistung zu erhöhen.The invention has for its object a Device for applying thin layers of coatings on substrates in a vacuum with such a concentration that for the supply of the inert gas (argon) into the working chamber responsible to create assemblies that the supply of this gas in the admixed ak tive gases already cleaned state, a stepless se Setting the quantitative operating gas together setting within wide limits for reaction vapor deposition of thin-layer coatings and an accelerated pump down active gases from the working chamber when enable short-term vaporization processes, to the quality of the applied thin-layer over trains as well as to increase performance.

Die gestellte Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Vorrichtung zum Auftragen von dünnschichtigen Überzügen auf Substrate im Vakuum, die eine Vakuumarbeitskammer mit einem Substrathalter und zumindest einer Einheit zur Ma­ gnetronzerstäubung von Materialien, eine mit der Arbeits­ kammer über ein Ventil verbundene, mit einer Magnetron­ pumpe versehene und über eine erste mit einem Ventil aus­ gerüstete Rohrleitung mit einer Gasquelle in Verbindung stehende Evakuierkammer, eine Vorevakuierpumpe enthält, deren Hohlraum mit der Arbeitskammer über eine zweite Rohrleitung verbunden ist, erfindungsgemäß mit einer mit der Arbeitskammer über ein Ventil verbundenen Zusatz-Eva­ kuierkammer mit einer Magnetronpumpe, einer Zusatz-Gas­ quelle und einem System von zusätzlichen Rohrleitungen versehen ist, das eine dritte mit einem Ventil ausgerü­ stete und die Zusatz-Gasquelle mit der Zusatz-Evakuierkam­ mer verbindende Rohrleitung, eine vierte und eine fünfte Rohrleitung umfaßt von denen jede mit einem eigenen Ventil ausgerüstet ist und die jeweilige Gasquelle mit der zwei­ ten Rohrleitung verbindet. The task is solved in that the Device for applying thin layers of coatings on substrates in a vacuum using a vacuum working chamber a substrate holder and at least one unit for measurement gnetron sputtering of materials, one with the working chamber connected by a valve to a magnetron pump provided and via a first with a valve equipped pipeline connected to a gas source standing evacuation chamber, containing a pre-evacuation pump, whose cavity with the working chamber via a second Pipe is connected, according to the invention with a the additional chamber connected to the working chamber via a valve Kuierkammer with a magnetron pump, an additional gas source and a system of additional piping is provided, the third equipped with a valve steady and the additional gas source came with the additional evacuation pipeline, a fourth and a fifth Pipeline includes each with its own valve is equipped and the respective gas source with the two pipe connects.  

Zweckmäßig ist es, die Vorrichtung mit einer sech­ sten und einer siebten Rohrleitung zu versehen, von denen jede mit einem Gasregelventil ausgestattet und zur vier­ ten bzw. fünften zusätzlichen Rohrleitung parallel ge­ schaltet ist.It is useful to use a six and a seventh pipeline, of which each equipped with a gas control valve and the four th or fifth additional pipeline in parallel is switched.

Es ist erwünscht, die die Arbeitskammer mit der Haupt- und der Zusatz-Evakuierkammer verbindenden Ven­ tile regelbar auszubilden.It is desirable that the working chamber with the Ven connecting main and additional evacuation chamber Train tiles in a controllable way.

Die Vorrichtung zum Auftragen von dünnschichtigen Überzügen auf Substrate im Vakuum, die gemäß der vorlie­ genden Erfindung ausgeführt ist, gewährleistet eine hohe Qualität der dünnschichtigen Überzüge und ist durch ei­ ne hohe Leistung gekennzeichnet.The device for applying thin layers Coatings on substrates in vacuum, which according to the present The invention is carried out ensures a high Quality of the thin-layer coatings and is through egg ne high performance marked.

Dadurch, daß die erfindungsgemäße Vorrichtung mit der Zusatz-Evakuierkammer mit Magnetronpumpe versehen ist, besteht die Möglichkeit, in die Arbeitskammer von den aktiven Gasen gereinigtes Inertgas (Argon) zuzu­ führen, die aktiven Gase bei kurzzeitigen Bedampfungs­ vorgängen beschleunigt abzupumpen, die Bedampfungsvorgän­ ge bei Wartung der Magnetron(Haupt)- und der Vorevakuier­ pumpe nicht zu unterbrechen, dauerhafte sowie Reaktions- Bedampfungsvorgänge durchzuführen, wobei einwandfreie dünnschichtige Überzüge erreicht werden.The fact that the device according to the invention with the additional evacuation chamber with a magnetron pump is there is an opportunity to go to the Chamber of Labor inert gas (argon) purified from the active gases cause the active gases during short-term vapor deposition processes accelerated pumping down, the vaporization processes maintenance of the magnetron (main) and pre-evacuation pump not to be interrupted, permanent as well as reaction To carry out steaming processes, being flawless thin-layer coatings can be achieved.

Die Verbindung der Zusatz-Evakuierkammer mit der Arbeitskammer über das regelbare Ventil gewährleistet eine steuerbare Geschwindigkeit der Evakuierung der Ar­ beitskammer sowie die Zuführung von gereinigtem Gas (Ar­ gon) in die Arbeiskammer in regelbaren Portionen.The connection of the additional evacuation chamber with the Working chamber guaranteed via the adjustable valve a controllable rate of evacuation of the ar processing chamber and the supply of purified gas (Ar gon) in the work chamber in adjustable portions.

Die Einführung der Zusatz-Gasquelle in die Vorrich­ tung erweitert die technologischen Möglichkeiten der Vorrichtung bei dem Bedampfen und erlaubt es, den Bedamp­ fungsvorgang gleichzeitig mit der Zufuhr mehrerer akti­ ver Gase in die Arbeitskammer durchzuführen.The introduction of the additional gas source in the device device expands the technological possibilities of Device for steaming and allows the steam process simultaneously with the delivery of several activ ver gases into the working chamber.

Die Ausstattung der Vorrichtung mit der sechsten und der siebten Rohrleitung, die zur vierten und der fünften Rohrleitung parallel geschaltet sind, ermög­ licht die Gaszuführung über die Gasregelventile in die­ sen Rohrleitungen in die Arbeitskammer, was die Feindo­ sierung erlaubt.The equipment of the device with the sixth and the seventh pipeline leading to the fourth and the  fifth pipeline are connected in parallel light the gas supply via the gas control valves in the piping into the working chamber, what the enemy allowed.

Anhand einer Zeichnung, welche in einer schematischen Ansicht die Vorrichtung zum Auftragen von dünnschich­ tigen Überzügen auf Substrate im Vakuum zeigt, wird die Erfindung näher erläutert.Using a drawing, which is in a schematic View the device for applying thin layer shows coatings on substrates in a vacuum the invention explained in more detail.

Die Vorrichtung zum Auftragen von dünnschichtigen Überzügen auf Substrate im Vakuum enthält eine Vakuumar­ beitskammer 1, in welcher ein Substrathalter 2, (bei der beschriebenen Variante der Vorrichtung vier) Einheiten 3 zur Magnetronzerstäubung aufgenommen sind.The device for applying thin-film coatings on substrates in a vacuum contains a working chamber 1 , in which a substrate holder 2 , (four in the described variant of the device) units 3 for magnetron sputtering are accommodated.

An die Arbeitskammer 1 ist einerseits eine eine Magnetronpumpe 5 aufweisende Hauptevakuierkammer 4 angeschlossen, die mit der Arbeitskammer 1 über ein re­ gelbares Ventil 6 in Verbindung steht, dessen bewegli­ ches Organ mit dem Austrittsglied eines Antriebes 7 starr verbunden ist. Andererseits ist an die Arbeitskam­ mer 1 eine ähnliche Magnetronpumpe 9 aufweisende Zu­ satz-Evakuierkammer 8 angeschlossen, welche mit der Arbeitskammer 1 über ein regelbares Ventil 10 in Verbin­ dung steht, dessen bewegliches Organ mit dem Austritts­ glied eines Antriebes 11 starr verbunden ist. Die Vor­ richtung enthält darüber hinaus eine Haupt- und eine Zu­ satz-Gasquelle 12, 13. Die Gasquelle 12 ist dabei mit der Evakuierkammer 4 über eine Rohrleitung 14 verbunden, die mit einem Gasdruckminderer 15, einem Ventil 16 und einem Gasdruckgeber 17 ausgerüstet ist.To the working chamber 1 a a Magnetronpumpe is connected on the one hand 5 having Hauptevakuierkammer 4, which communicates with the working chamber 1 via a re gelbares valve 6 in connection whose bewegli ches member is rigidly connected to the output member of a drive. 7 On the other hand, a similar Magnetronpumpe is the Arbeitskam mer 1 9 having connected to set-evacuation chamber 8, which is dung with the working chamber 1 via a controllable valve 10 in Verbin, the moving member to the outlet member of a drive 11 is connected rigidly. The device also contains a main and a gas source 12, 13 . The gas source 12 is connected to the evacuation chamber 4 via a pipeline 14 which is equipped with a gas pressure reducer 15 , a valve 16 and a gas pressure transmitter 17 .

Die Gasquelle 13 ist mit der Evakuierkammer 8 über eine Rohrleitung 18 verbunden, die mit einem Gasdruck­ minderer 19, einem Ventil 20 und einem Gasdruckgeber 21 ausgerüstet ist. Die Vorrichtung enthält darüber hinaus eine Vorevakuierpumpe 22, deren Hohlraum mit der Arbeits­ kammer 1 über eine Rohrleitung 23 verbunden ist, die mit einem Ventil 24, einem Gasdruckgeber 25 und einem Luftregelventil 26 ausgerüstet ist. Jede Gasquelle 12 bzw. 13 ist mit der Rohrleitung 23 über eine zusätzliche Rohrleitung 27 bzw. 28 verbunden, wobei jede Rohrleitung 27 bzw. 28 je ein Ventil 29 bzw. 30 enthält. Parallel zu den Rohrleitungen 27, 28 sind Rohrleitungen 31, 32 geschaltet von denen jede mit einem Gasregelventil 33 bzw. 34 ausgerüstet ist. Als Ventile 16, 20, 24, 29, 30 sind Bypaßventile eingesetzt. In der Zeichnung ist die Vorrichtung mit Substraten 35 gezeigt, die am Halter 2 in der Arbeitskammer 1 befestigt sind.The gas source 13 is connected to the evacuation chamber 8 via a pipeline 18 which is equipped with a gas pressure reducer 19 , a valve 20 and a gas pressure transmitter 21 . The device also includes a pre-evacuation pump 22 , the cavity of which is connected to the working chamber 1 via a pipeline 23 which is equipped with a valve 24 , a gas pressure transmitter 25 and an air control valve 26 . Each gas source 12 or 13 is connected to the pipeline 23 via an additional pipeline 27 or 28 , each pipeline 27 or 28 each containing a valve 29 or 30 . In parallel to the pipes 27, 28 , pipes 31, 32 are connected, each of which is equipped with a gas control valve 33 and 34 , respectively. Bypass valves are used as valves 16, 20, 24, 29, 30 . In the drawing, the device is shown with substrates 35 which are attached to the holder 2 in the working chamber 1 .

Die Vorrichtung zum Auftragen von dünnschichtigen Überzügen auf Substrate im Vakuum arbeitet folgender­ maßen: Zunächst werden die Arbeitskammer 1, die Haupt- Evakuierungskammer 4, die Zusatz-Evakuierkammer 8 entherme­ tisiert. Die Ventile 6, 10, 16, 20, 24, 29, 30, die Luft- bzw. Gasregelventile 26, 33, 34, die Gasdruckmin­ derer 15, 19 befinden sich im geschlossenen Zustand. Sämtliche Speisequellen sind abgeschaltet. Um die Vorrich­ tung in Betrieb zu setzen, werden die Magnetronpumpen 5 und 9 angeschlossen, wozu die Vorevakuierpumpe 22 einge­ schaltet, die Ventile 16, 20, 24, 29, 30 geöffnet und die Arbeitskammer 1, die Haupt-Evakuierkammer 4, die Zu­ satz-Evakuierkammer 8 auf einen Druck von 0,3 bis 1 Pa evakuiert werden. Dann werden die Ventile 16, 20, 24, 29, 30 geschlossen und die Vorevakuierpumpe 22 abgeschaltet. Man öffnet den Gasdruckminderer 15 an der Haupt-Gasquelle 12 (für Argon), die Ventile 6, 10 auf Höchstwert und das Gasregelventil 33, während die Arbeitskammer 1, die Haupt-Evakuierkammer 4 und die Zusatz-Evakuierkammer 8 mit dem Inertgas bis zu einem Druck von 1 bis 10 Pa ge­ füllt werden. Dann wird das Gasregelventil 33 geschlos­ sen. Der Gasdruckminderer 15 wird geschlossen. Der Gas­ druck in der Arbeitskammer 1, der Haupt-Evakuierkammer 4, der Zusatz-Evakuierkammer 8 wird mittels jeweiliger Druckgeber 25 bzw. 21 bzw. 17 überwacht.The device for applying thin-film coatings on substrates in a vacuum works as follows: First, the working chamber 1 , the main evacuation chamber 4 , the additional evacuation chamber 8 entherme tiert. The valves 6, 10, 16, 20, 24, 29, 30 , the air or gas control valves 26, 33, 34 , the gas pressure miners 15, 19 are in the closed state. All food sources are switched off. To put the Vorrich device into operation, the magnetron pumps 5 and 9 are connected, for which purpose the pre-evacuation pump 22 is switched on, the valves 16, 20, 24, 29, 30 opened and the working chamber 1 , the main evacuation chamber 4 , the addition - Evacuation chamber 8 can be evacuated to a pressure of 0.3 to 1 Pa. Then the valves 16, 20, 24, 29, 30 are closed and the pre-evacuation pump 22 is switched off. You open the gas pressure reducer 15 at the main gas source 12 (for argon), the valves 6, 10 to maximum and the gas control valve 33 , while the working chamber 1 , the main evacuation chamber 4 and the additional evacuation chamber 8 with the inert gas up to one Pressure of 1 to 10 Pa can be filled. Then the gas control valve 33 is closed. The gas pressure regulator 15 is closed. The gas pressure in the working chamber 1 , the main evacuation chamber 4 , the additional evacuation chamber 8 is monitored by means of respective pressure transmitters 25, 21 and 17 , respectively.

Das Argon kann ggf. von der Zusatz-Gasquelle 13 über das Gasregelventil 34 zugeführt werden. Dann wer­ den die Magnetronpumpen 5 und 9 angelassen. Während des Anlassens der Magnetronpumpen 5, 9 wird Argon durch die Vermauerung der Argonionen auf den Oberflächen der Evakuierkammern 4, 8 teilweise verbraucht. Während des Anlassens der Magnetronpumpen 5 und 9 wird der Argon­ druck in der Arbeitskammer 1, der Haupt-Evakuierkammer 4, der Zusatz-Evakuierkammer 8 auf einen Druck von 0,05 bis 0,1 Pa abgebaut. Nach dem erfolgten Anlassen der Pumpen 5, 9 wird das Ventil 10 geschlossen, das Ventil 20 geöffnet und über den Druckminderer 19 an der Gas­ quelle 12 ein Argondruck von 10 Pa in der Zusatz-Eva­ kuierkammer 8 eingestellt. Danach werden das Ventil 20, der Druckminderer 19 geschlossen und das Argon in der Zusatz-Evakuierkammer 8 während 10 bis 15 Minuten je nach der Argonmarke von aktiven Gasen gereinigt. Nach der Argonreinigung wird die Magnetronpumpe 9 abgeschal­ tet und das regelbare Ventil 10 in der Zwischenstellung kurzzeitig geöffnet, bis sich in der Arbeitskammer 1 und der Evakuierkammer 4 ein Argonbetriebsdruck von 0,3 bis 0,6 Pa eingestellt hat. Die Einheiten 3 zur Ma­ gnetronzerstäubung werden eingeschaltet und die am Sub­ strathalter 2 angeordneten Substrate 35 mit Materialien bedampft.The argon can optionally be supplied from the additional gas source 13 via the gas control valve 34 . Then who started the magnetron pumps 5 and 9 . During the start-up of the magnetron pumps 5, 9 , argon is partially consumed by the walling of the argon ions on the surfaces of the evacuation chambers 4, 8 . During the start of the magnetron pumps 5 and 9 , the argon pressure in the working chamber 1 , the main evacuation chamber 4 , the additional evacuation chamber 8 is reduced to a pressure of 0.05 to 0.1 Pa. After the pumps 5, 9 have been started , the valve 10 is closed, the valve 20 is opened and an argon pressure of 10 Pa is set in the additional evacuating chamber 8 via the pressure reducer 19 at the gas source 12 . Thereafter, the valve 20, the pressure reducer 19 are closed and purified argon in the additional evacuation chamber 8 during 10 to 15 minutes depending on the brand of argon active gases. After the argon cleaning, the magnetron pump 9 is switched off and the controllable valve 10 is briefly opened in the intermediate position until an argon operating pressure of 0.3 to 0.6 Pa has been set in the working chamber 1 and the evacuation chamber 4 . The units 3 for Ma gnetron atomization are switched on and the substrates 35 arranged on the substrate holder 2 are vapor-deposited with materials.

Bei andauernden Bedampfungsvorgängen und erforderli­ cher Argonzugabe wird während des Bedampfungsvorganges das regelbare Ventil 10 kurzzeitig geöffnet. Nach der erfolgen Bedampfung werden die Einheiten 3 zur Magne­ tronzerstäubung ausgeschaltet, das regelbare Ventil 6 ge­ schlossen und die Magnetronpumpe 5 ausgeschaltet. Die Arbeitskammer 1 wird enthermetisiert und die fertigen Substrate 35 mit dem aufgetragenen Überzug entnommen. In the case of continuous vapor deposition processes and the addition of argon, the controllable valve 10 is briefly opened during the vapor deposition process. After the vaporization, the units 3 are switched off for magnetic sputtering, the controllable valve 6 is closed and the magnetron pump 5 is switched off. The working chamber 1 is demeaned and the finished substrates 35 with the applied coating removed.

Bei Durchführung der nachfolgenden Bedampfunsvor­ gänge brauchen die Magnetronpumpen 5, 9 nicht angelassen zu werden, weil sie bereits betriebsfähig sind und sich stets im Argonmedium unter einem Druck von 0,3 bis 10 Pa (je nach der Dichtheit der Haut-Evakuierkammer 4 und der Zusatz-Evakuierkammer 8 und der Dauer ihres Außer­ betriebszustandes) befinden.When performing the subsequent steaming operations, the magnetron pumps 5, 9 do not need to be started because they are already operational and are always in the argon medium under a pressure of 0.3 to 10 Pa (depending on the tightness of the skin evacuation chamber 4 and the additive -Evacuation chamber 8 and the duration of its out of order).

Bei Durchführung von kurzzeitigen Bedampfungsvor­ gängen, bei welchen eine große Gasevakuiergeschwindigkeit (Herstellung von chemisch reinen dünnschichtigen Überzü­ gen, sehr dünne Überzüge) erforderlich ist, arbeitet die Vorrichtung folgendermaßen:When performing short-term steaming in which a high gas evacuation speed (Production of chemically pure thin-layer coatings very thin coatings) is required, the Device as follows:

Die Arbeitskammer 1 wird mit den Substraten 15 be­ schickt. Die Vorevakuierpumpe 22 wird eingeschaltet, das Ventil 24 geöffnet und die Arbeitskammer 1 auf einen Druck von 66 Pa evakuiert. Dann wird das Ventil 24 ge­ schlossen und die Vorevakuierpumpe 22 abgeschaltet. Die Haupt-Magnetronpumpe 5 wird eingeschaltet, das regelbare Ventil 6 (auf Höchstwert) geöffnet und die Arbeitskam­ mer 1 auf einen Druck von 0,05 bis 0,1 Pa evakuiert. Von der Zusatz-Evakuierkammer 8 werden durch kurzzeiti­ ges Öffnen des Ventils 10 die Arbeitskammer 1 und die Evakuierkammer 4 mit von den aktiven Gasen gereinigtem Argon bis zu einem Druck von 0,6 Pa gefüllt. Die Voreva­ kuierpumpe 22 wird eingeschaltet, die Ventile 24, 30, 20 geöffnet und das Argon aus der Zusatz-Evakuierkam­ mer 8 bis zu einem Druck von 0,6 Pa abgepumpt. Die Ven­ tile 24, 30 werden geöffnet, die Vorevakuierpumpe 22 und die Magnetronpumpe 9 eingeschaltet und ggf. eine zusätzliche Argonreinigung in der Zusatz-Evakuierkammer 8 vorgenommen. Das Ventil 10 wird auf Höchstwert ge­ öffnet. Die Arbeitskammer 1 wird durch zwei Magnetron­ pumpen 5 und 9 evakuiert, was ein beschleunigtes Abpum­ pen der Gase gewährleistet. The working chamber 1 is sent with the substrates 15 be. The pre-evacuation pump 22 is switched on, the valve 24 is opened and the working chamber 1 is evacuated to a pressure of 66 Pa. Then the valve 24 is closed ge and the pre-evacuation pump 22 is switched off. The main magnetron pump 5 is switched on, the controllable valve 6 (at maximum) is opened and the working chamber 1 is evacuated to a pressure of 0.05 to 0.1 Pa. From the additional evacuation chamber 8 , the working chamber 1 and the evacuation chamber 4 are filled with argon purified from the active gases up to a pressure of 0.6 Pa by briefly opening the valve 10 . The Voreva kuierpumpe 22 is turned on, the valves 24, 30, 20 opened and the argon pumped out of the additional evacuation chamber 8 to a pressure of 0.6 Pa. The Ven tile 24, 30 are opened, the pre-evacuation pump 22 and the magnetron pump 9 are switched on and, if necessary, an additional argon purification is carried out in the additional evacuation chamber 8 . The valve 10 is opened to the maximum value. The working chamber 1 is evacuated by two magnetron pumps 5 and 9 , which ensures an accelerated pumping out of the gases.

Weiterhin werden die Einheiten 3 zur Magnetronzer­ stäubung eingeschaltet und die Substrate 35 mit Materi­ alien beschichtet. Nach der erfolgten Bedampfung werden die Einheiten 3 zur Magnetronzerstäubung abgeschaltet und die Ventile 6, 10 geschlossen. Die Magnetronpumpen 5, 9 werden abgeschaltet, die Arbeitskammer 1 durch das Luftregelventil 26 enthermetisiert und die Substrate 35 entnommen.Furthermore, the units 3 for magnetron sputtering are switched on and the substrates 35 are coated with materials. After the vaporization has taken place, the units 3 for magnetron sputtering are switched off and the valves 6, 10 are closed. The magnetron pumps 5, 9 are switched off, the working chamber 1 is demeaned by the air control valve 26 and the substrates 35 are removed.

Beim Reaktionsbedampfen der Substrate 35 mit Mate­ rialien arbeitet die Vorrichtung folgendermaßen:When vapor deposition of the substrates 35 with mate rialien, the device works as follows:

Die Vorevakuierpumpe 22 wird eingeschal­ tet, das Ventil 24 geöffnet und die Arbeitskammern 1 über die Rohrleitung 23 auf einen Druck von 66 Pa evakuiert. Dann wird das Ventil 24 geschlossen, die Vorevakuier­ pumpe 22 abgeschaltet. Die Magnetronpumpe 5 wird einge­ schaltet, das Ventil 6 geöffnet und die Kammer 1 auf ei­ nen Innendruck von 0,05 bis 0,1 Pa durch die Magnetron­ pumpe 5 evakuiert, wonach das Ventil 6 in die Zwischen­ stellung gebracht wird, um die erforderlichen Geschwin­ digkeit beim Abpumpen der aktiven Gase zu gewährleisten. Die Druckminderer 15, 19 an der Haupt- und der Zusatz- Gasquelle 12, 13 werden geöffnet und die aktiven Gase über die Rohrleitungen 31, 32 durch die geöffneten Gas­ regelventile 33, 34 und weiter über die Rohrleitung 23 der Arbeitskammer 1 zugeführt. Die Gasdurchflußmenge an dem Gasregelventil wird durch dessen Einstellung be­ stimmt. Von der Zusatz-Evakuierkammer 8 wird das gerei­ nigte Argon über das regelbare Ventil 10 bei dessen kurzzeitigen Öffnen in Portionen der Arbeitskammer 1 zugeführt. In der Arbeitskammer 1 wird ein 0,6 bis 0,9 Pa gleicher Betriebsdruck des Gasgemisches bestehend bei­ spielsweise aus Ar, O2 und N2, eingestellt. Der Betriebs­ druck in der Kammer 1 wird z. B. auf folgende Weise ein­ gestellt. Ist der Betriebsdruck in der Arbeitskammer 1 nach der Evakuierung durch die Magnetronpumpe 5 gleich 0,05 bis 0,1 Pa, so wird ihr über das regelbare Ventil 10 Argon bis zu einem Druck von 0,6 Pa zugesetzt und dann mit Hilfe der Gasregelventile 33, 34 oder eines von diesen und durch Einstellung des Ventils 6 ein gesamter Gasdruck von 0,9 Pa in der Arbeitskammer 1 gewährleistet. Da die durch die Magnetronpumpe 5 sichergestellte Evaku­ iergeschwindigkeit (bei gleichbleibender Stellung des Ventils 6) konstant ist und die Zufuhrgeschwindigkeit der Reaktionsgase über die Gasregelventile 33, 34 auch unveränderlich ist, muß bei Bedampfung nur die Argon­ zuführung durch das gesteuerte Öffnen des Ventils 10 ge­ regelt werden. Dann werden die Einheiten 3 zur Magne­ tronzerstäubung eingeschaltet und die Substrate 35 in Ge­ genwart von Reaktionsgasen mit Material bedampft. Nach der erfolgten Bedampfung werden das Ventil 6, die Druck­ minderer 15, 19, die Gasregelventile 33, 34 geschlossen und die Einheiten 3 zur Magnetronzerstäubung abgeschaltet. Die Arbeitskammer 1 wird über das Luftregelventil 26 ent­ hermetisiert und die fertigen Substrate 35 werden ent­ nommen.The pre-evacuation pump 22 is switched on, the valve 24 is opened and the working chambers 1 are evacuated via the pipeline 23 to a pressure of 66 Pa. Then the valve 24 is closed, the pre-evacuation pump 22 is switched off. The magnetron pump 5 is switched on, the valve 6 is opened and the chamber 1 is evacuated to an internal pressure of 0.05 to 0.1 Pa by the magnetron pump 5 , after which the valve 6 is brought into the intermediate position to the required speed guarantee the pumping of active gases. The pressure reducers 15, 19 at the main and additional gas sources 12, 13 are opened and the active gases are supplied via the pipes 31, 32 through the opened gas control valves 33, 34 and further via the pipe 23 to the working chamber 1 . The gas flow rate at the gas control valve is determined by its setting. From the additional evacuation chamber 8 , the digested argon is supplied via the controllable valve 10 to the working chamber 1 when it is opened briefly in portions. In the working chamber 1 , a 0.6 to 0.9 Pa equal operating pressure of the gas mixture consisting of, for example, Ar, O 2 and N 2 is set. The operating pressure in chamber 1 is z. B. in the following way. If the operating pressure in the working chamber 1 is 0.05 to 0.1 Pa after the evacuation by the magnetron pump 5 , argon is added to it via the controllable valve 10 up to a pressure of 0.6 Pa and then by means of the gas control valves 33 , 34 or one of these and by adjusting the valve 6 ensures a total gas pressure of 0.9 Pa in the working chamber 1 . Since the seized by the Magnetronpumpe 5 Evaku iergeschwindigkeit is constant (at a constant position of the valve 6) and the feed rate of the reaction gases via the gas control valves 33, 34 is also immutable, must only the argon feed by the controlled opening of the valve for vapor deposition 10 ge governs will. Then the units 3 for magnetic sputtering are switched on and the substrates 35 are vaporized with material in the presence of reaction gases. After the vaporization has taken place, the valve 6 , the pressure reducer 15, 19 , the gas control valves 33, 34 are closed and the units 3 for magnetron atomization are switched off. The working chamber 1 is hermetically sealed via the air control valve 26 and the finished substrates 35 are removed.

Mit dieser Vorrichtung kann die Reaktionsbedampfung auch mit einem oder mit drei aktiven Gasen erfolgen, wo­ bei beim Einsatz von drei Gasen das Luftregelventil 26 zur Einleitung des dritten aktiven Gases verwendet wird.With this device, the reaction vaporization can also take place with one or with three active gases, where, when three gases are used, the air control valve 26 is used to introduce the third active gas.

Bei der Vorrichtung zum Auftragen von dünnschichti­ gen Überzügen auf Substrate im Vakuum kann die Arbeits­ kammer 1 auf das Vorvakuum von 66 Pa folgendermaßen eva­ kuiert werden, ohne die Vorevakuierpumpe 22 zu verwenden:In the device for applying thin-film coatings on substrates in a vacuum, the working chamber 1 can be evacuated to the fore vacuum of 66 Pa as follows without using the fore vacuum pump 22 :

Die Größe der Öffnung im Ventil 6 wird auf die op­ timale Geschwindigkeit des Gasdurchflusses eingestellt, die Magnetronpumpe 5 der Haupt-Evakuierkammer 4 wird ein­ geschaltet. Die Arbeitskammer 1 wird durch die Magnetron­ pumpe 5 auf den Druck von 66 Pa evakuiert. Dann wird das Ventil 6 geschlossen, in die Stellung des maximalen Durchgangsquerschnitts gebracht und wieder geöffnet. The size of the opening in the valve 6 is set to the optimal speed of the gas flow, the magnetron pump 5 of the main evacuation chamber 4 is switched on. The working chamber 1 is evacuated by the magnetron pump 5 to the pressure of 66 Pa. Then the valve 6 is closed, brought into the position of the maximum passage cross section and opened again.

Danach wird die Arbeitskammer 1 durch die Magnetronpum­ pe 5 auf einen Druck von 0,05 bis 0,1 Pa evakuiert. Nun ist die Arbeitskammer 1 beriebsfähig für das Bedampfen. Die Arbeitskammer 1 kann ggf. auf das Vorvakuum von 66 Pa durch die beiden Magnetronpumpen 5, 9 über die jewei­ ligen Ventile 6 und 10 evakuiert werden.Then the working chamber 1 is evacuated by the magnetron pump 5 to a pressure of 0.05 to 0.1 Pa. Now the working chamber 1 is ready for steaming. The working chamber 1 can optionally be evacuated to the fore vacuum of 66 Pa by the two magnetron pumps 5, 9 via the respective valves 6 and 10 .

Bei Reparatur oder Wartung einer de Magnetronpum­ pen 5, 9 und der Vorevakuierpumpe 22 kann die Vorrich­ tung zum Auftragen von dünnschichtigen Überzügen auf Substrate im Vakuum ohne Argonreinigung folgendemaßen betrieben werden:When repairing or maintaining a de magnetron pump 5, 9 and the pre-evacuation pump 22 , the device for applying thin-film coatings on substrates can be operated in vacuum without argon cleaning as follows:

Die Magnetronpumpe 5 (9) wird eingeschaltet, das Ventil 6 (10) auf den kleinsten Durchgangsquerschnitt eingestellt, wonach das Ventil geöffnet und die Ar­ beitskammer 1 auf einen Druck von 66 Pa evakuiert wird. Dann wird das Ventil 6 (10) geschlossen und auf den größten Durchgangsquerschnitt eingestellt. Weiter wird das Ventil 6 (10) geöffnet und die Arbeitskammer 1 auf einen Druck von 0,05 bis 0,1 Pa evakuiert. Der Druck­ minderer 15 an der Gasquelle 12 (oder der Druckminderer 19 an der Gasquelle 13) wird geöffnet und die Arbeits­ kammer 1 über das Gasregelventil 33 (34) bis zu einem Druck von 0,3 bis 0,6 Pa mit Argon gefüllt. Die Einheiten 3 zur Magnetronzerstäubung werden eingeschaltet und die Bedampfung wird vorgeommen. Nach der erfolgten Bedamp­ fung werden die Einheiten 3 zur Magnetronzerstäubung aus­ geschaltet, das Gasregelventil 33 (34), der Druckminde­ rer 15 (19) geschlossen. Die Magnetronpumpe 5 (9) wird ausgeschaltet. Die Arbeitskammer 1 wird über das Luft­ regelventil 26 enthermetisiert und die Substrate 35 werden entnommen.The magnetron pump 5 ( 9 ) is switched on, the valve 6 ( 10 ) is set to the smallest passage cross section, after which the valve is opened and the working chamber 1 is evacuated to a pressure of 66 Pa. Then valve 6 ( 10 ) is closed and set to the largest passage cross section. The valve 6 ( 10 ) is also opened and the working chamber 1 is evacuated to a pressure of 0.05 to 0.1 Pa. The pressure reducer 15 at the gas source 12 (or the pressure reducer 19 at the gas source 13 ) is opened and the working chamber 1 is filled with argon to a pressure of 0.3 to 0.6 Pa via the gas control valve 33 ( 34 ). The units 3 for magnetron sputtering are switched on and the evaporation is carried out. After steaming, the units 3 for magnetron atomization are switched off, the gas control valve 33 ( 34 ), the pressure reducer 15 ( 19 ) are closed. The magnetron pump 5 ( 9 ) is switched off. The working chamber 1 is demeaned via the air control valve 26 and the substrates 35 are removed.

Die Vorrichtung zum Auftragen von dünnschichtigen Überzügen auf Substrate im Vakuum erlaubt somit,The device for applying thin layers Coating on substrates in a vacuum thus allows

  • - einwandfreie Überzüge durch Ausschluß von aktiven Gasen in Argon, das der Arbeitskammer zugeführt wird, zu erzielen, wenn (andauernde, Reaktions-, kurzzeitige) Bedampfungsvorgänge durchzuführen sind,- impeccable coatings by excluding active ones Gases in argon, which is fed to the working chamber,  to achieve if (continuous, reaction, short-term) Steaming processes are to be carried out,
  • - beim gleichzeitigen Betrieb der beiden Magnetron­ pumpen beschleunigt abzupumpen,- When the two magnetrons are operated simultaneously pumping pumping accelerated,
  • - mit ungereinigtem Argon zu bedampfen, wenn gleich­ zeitig eine der Magnetronpumpen und die Vorevakuierpumpe ausgefallen sind,- to vaporize with unpurified argon, if the same one of the magnetron pumps and the pre-evacuation pump have failed
  • - beim Reaktionsauftragen von Dünnschichten die ak­ tiven Gase fein zu dosieren.- When applying thin layers, the ak dative gases fine.

Claims (4)

1. Vorrichtung zum Auftragen von dünnschichtigen Überzügen auf Substrate im Vakuum, enthaltend
  • - eine Vakuumarbeitskammer (1) mit
  • - einem Substrathalter (2) und zumindest
  • - einer Einheit (3) zur Magnetronzerstäubung von Materialien,
  • - einer Evakuierkammer (4), die mit der Arbeitskam­ mer (1) über
  • - ein Ventil (6) verbunden,
  • - mit einer Magnetronpumpe (5) versehen ist und über eine mit einem Ventil (16) ausgerüstete Rohrleitung (4) mit
  • - einer Gasquelle (12) in Verbindung steht,
  • - eine Vorevakuierpumpe (22), deren Hohlraum über eine Rohrleitung (23) mit der Arbeitskammer (1) verbun­ den ist,
1. Device for applying thin-film coatings on substrates in a vacuum, containing
  • - A vacuum working chamber ( 1 ) with
  • - A substrate holder ( 2 ) and at least
  • - a unit ( 3 ) for magnetron sputtering of materials,
  • - An evacuation chamber ( 4 ) with the working chamber ( 1 )
  • - a valve ( 6 ) connected,
  • - Is provided with a magnetron pump ( 5 ) and via a pipe ( 4 ) equipped with a valve ( 16 )
  • - a gas source ( 12 ) is connected,
  • - A pre-evacuation pump ( 22 ), the cavity of which is connected via a pipe ( 23 ) to the working chamber ( 1 ),
daurch gekennzeichnet, daß sie mit
  • - einer mit der Arbeitskammer (1) über ein Ventil (10) verbundenen Zusatz-Evakuierkammer (8) mit
  • - einer Magnetronpumpe (9),
  • - einer Zusatz-Gasquelle (13) und
  • - einem System von zusätzlichen Rohrleitungen (18, 27, 28) versehen ist, wobei dieses System
  • - eine mit einem Ventil (20) ausgerüstete und die Zusatz-Gasquelle (13) mit der Zusatz-Evakuierkammer (8) verbindende Rohrleitung (18),
  • - Rohrleitungen (27, 28), von denen jede mit einem eige­ nen Ventil (29 bzw. 30) ausgerüstet ist und die jeweili­ ge Gasquelle (12, 13) mit der Rohrleitung (23) verbindet, umfaßt.
 characterized in that they with
  • - With an additional evacuation chamber ( 8 ) connected to the working chamber ( 1 ) via a valve ( 10 )
  • - a magnetron pump ( 9 ),
  • - An additional gas source ( 13 ) and
  • - A system of additional pipes ( 18, 27, 28 ) is provided, this system
  • a pipeline ( 18 ) equipped with a valve ( 20 ) and connecting the additional gas source ( 13 ) with the additional evacuation chamber ( 8 ),
  • - Pipes ( 27, 28 ), each of which is equipped with its own valve ( 29 or 30 ) and the respective gas source ( 12, 13 ) connects to the pipe ( 23 ).
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß sie
  • - zusätzliche Rohrleitungen (31, 32) enthält, von denen jede mit
  • - einem Gasregelventil (33, 34) ausgerüstet und zur jeweiligen zusätzlichen Rohrleitung (27 bzw. 28) parallel geschaltet ist.
2. Device according to claim 1, characterized in that it
  • - Contains additional pipes ( 31, 32 ), each with
  • - Equipped with a gas control valve ( 33, 34 ) and connected in parallel to the respective additional pipeline ( 27 or 28 ).
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, da­ durch gekennzeichnet, daß
  • - die die Arbeitskammer (1) mit der Haupt- und der Zusatz-Evakuierkammer (4 bzw. 8) verbindenden Ventile (6, 10) regelbar ausgeführt sind.
3. Apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that
  • - The working chamber ( 1 ) with the main and the additional evacuation chamber ( 4 and 8 ) connecting valves ( 6, 10 ) are designed to be adjustable.
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