DE3741124A1 - Electron beam nanolithographic system having a multiple-beam electron source capable of multiplex control and made from MIM (metal-insulator-metal) thin-film cathodes - Google Patents

Electron beam nanolithographic system having a multiple-beam electron source capable of multiplex control and made from MIM (metal-insulator-metal) thin-film cathodes

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Abstract

The invention relates to an electron lithography system having a multiple-beam electron source capable of multiplex control and consisting of MIM (metal-insulator-metal) thin-film cathodes. The electrons emitted from a MIM cathode array as multibeam electron source are accelerated by a perforated anode, and the cathode array is projected with the aid of an electron optical reducing system onto the substrate to be exposed. The result by comparison with the electron lithography systems having only one electron beam source is that a larger throughput of substrates to be exposed is possible. The spherical error in the electron optics which occurs in the case of the reduction of relatively large object fields is corrected due to the fact that the MIM cathodes of the cathode array which are situated remote from the electron optical axis emit faster electrons due to the application of a larger operating voltage than do the MIM cathodes near the axis.

Description

Die Erfindung betrifft ein Elektronenlithographiesystem nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The invention relates to an electron lithography system according to the Preamble of claim 1.

Trotz der Vielzahl der sich auf dem Markt und in der Entwicklung befindlichen Elektronenlithographiesysteme ist ein Einsatz in der Chip-Produktion wegen des zu kleinen Durchsatzes an zu belichten­ den Wafern pro Stunde im Verhältnis zur lichtoptischen Lithogra­ phie noch nicht wirtschaftlich.Despite the multitude of themselves on the market and in development located electron lithography systems is an application in the Expose chip production due to the low throughput the wafers per hour in relation to the light-optical lithograph not yet economical.

Die Elektronenlithographiesysteme mit einer Elektronenquelle sind den lichtoptischen Lithographiesystemen zwar im Auflösungsvermö­ gen überlegen, kommen aber wegen des zu kleinen Durchsatzes al­ lenfalls zum Erzeugen der Strukturen für die Muttermasken der lichtoptischen Lithographiegeräte bzw. für Kleinserien von inte­ grierten Schaltkreisen mit speziellen Anforderungen an die Fein­ heit der Strukturen zum Einsatz.The electron lithography systems are with an electron source the light-optical lithography systems in the resolution superior, but come al if necessary to create the structures for the mother masks of the light-optical lithography devices or for small series from inte circuits with special requirements for the fine structures.

Der Grund für den fehlenden Durchsatz bei Elektronenlithographie­ systemen mit nur einer Elektronenstrahlquelle liegt in dem durch die Elektron-Elektron-Wechselwirkung (Boersch-Effekt) begrenzten nutzbaren Richtstrahlwert einer Elektronenquelle bei hohen Strom­ dichten.The reason for the lack of throughput in electron lithography systems with only one electron beam source lies in that limited the electron-electron interaction (Boersch effect) usable beam value of an electron source at high current poetry.

Aufgabe der Erfindung ist es, durch Anwendung einer Vielstrahl­ elektronenquelle mit MIM-Dünnschichtkathoden dieses Problem zu lösen.The object of the invention is to apply a multi-jet electron source with MIM thin film cathodes to this problem to solve.

MIM-Dünnschichtkathoden sind in der Literatur seit langem bekannt [1] und wurden vom Erfinder im Hinblick auf homogene Flächen­ emission, höhere Stromdichten und Anordnung zu multiplexansteuer­ baren Kathodenarrays weiterentwickelt [2, 3, 4, 5, 6], so daß jetzt ihre Anwendung in einem Vielstrahlelektronenlithographiege­ rät mit hohem Durchsatz möglich ist. MIM thin-film cathodes have long been known in the literature [1] and were developed by the inventor with regard to homogeneous surfaces emission, higher current densities and arrangement for multiplex control baren cathode arrays developed [2, 3, 4, 5, 6], so that now their application in a multi-beam electron lithography advises with high throughput is possible.  

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird durch die im ge­ kennzeichneten Teil des Anspruchs 1 aufgeführten Maßnahmen ge­ löst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen beschrieben.The object of the invention is achieved by the ge characterized part of claim 1 listed measures ge solves. Advantageous further developments are in the subclaims described.

Die Erfindung wird anhand der Zeichnung (Fig. 1) an einem Ausfüh­ rungsbeispiel erläutert. In der Zeichnung sind Teile, die nicht unbedingt zum Verständnis der Erfindung beitragen, unbezeichnet oder fortgelassen.The invention is explained with reference to the drawing ( Fig. 1) on an example Ausfüh. In the drawing, parts that do not necessarily contribute to an understanding of the invention are unmarked or omitted.

Die von dem MIM-Kathodenarray als Vielstrahlelektronenquelle emittierten Elektronen werden von der Lochanode beschleunigt, und der Kathodenarray wird mit einem z.B. 2-stufigen elektronenopti­ schen Verkleinerungssystem auf das zu belichtende Substrat abge­ bildet.That of the MIM cathode array as a multi-beam electron source emitted electrons are accelerated by the hole anode, and the cathode array is e.g. 2-stage electron optics the reduction system on the substrate to be exposed forms.

Die Deckelektroden des MIM-Kathodenarrays befinden sich auf nega­ tiver Hochspannung von ca. 50-100 kV. In ca. 3 bis 6 mm Abstand vor dem Kathodenarray befindet sich auf Erdpotential die Lochano­ de zur Beschleunigung der Elektronen aus den einzelnen MIM-Katho­ den. Die Form und Anordnung der Löcher stimmt mit der Form und Anordnung der MIM-Kathoden überein.The cover electrodes of the MIM cathode array are on nega tive high voltage of approx. 50-100 kV. At a distance of approx. 3 to 6 mm In front of the cathode array is the Lochano at earth potential de to accelerate the electrons from the individual MIM-Katho the. The shape and arrangement of the holes matches the shape and Arrangement of the MIM cathodes match.

Die Lochanode kann z.B. durch Strukturätzung der Löcher in einen Si-Wafer hergestellt werden.The hole anode can e.g. by structure etching the holes in one Si wafers are produced.

Die Herstellung und der Aufbau des MIM-Kathodenarrays kann z.B. in Anlehnung an das vom Erfinder in [4, 5, 6] angegebene Ver­ fahren erfolgen mit Ausnahme, daß die einzelnen Kathodenpunkte ca. 10 µm×10 µm groß sein müssen und deshalb die Strukturerzeu­ gung für den Kathodenarray selbst mittels Licht- oder Elektronen­ lithographie erfolgen muß.The manufacture and construction of the MIM cathode array can e.g. based on the ver. given by the inventor in [4, 5, 6] drive except that the individual cathode points must be approximately 10 µm × 10 µm in size and therefore the structure for the cathode array itself using light or electrons lithography must be done.

Die Erniedrigung der Austrittsarbeit der Deckelektroden des MIM- Kathodenarrays kann z.B. durch einen Cäsium-Dispenser erfolgen, der zwischen Kathodenarray und Lochanode seitlich angeordnet ist. The lowering of the work function of the cover electrodes of the MIM Cathode arrays can e.g. done by a cesium dispenser, which is arranged laterally between the cathode array and the hole anode.  

Die z.B. 100-fache Verkleinerung erfolgt zweistufig, wobei die 1. Stufe durch zwei Projektionslinsen im teleskopischen Verkleine­ rungsstrahlengang gebildet wird.The e.g. 100-fold reduction takes place in two stages, the first Step through two projection lenses in the telescopic miniature tion beam path is formed.

Die Aperturblende in der bildseitigen Brennebene der 1. Verklei­ nerungslinse ist als Druckstufe zum Elektronenstrahlerzeuger aus­ gebildet im Hinblick auf die wegen des Cäsiums erforderlichen UHV-Bedingungen.The aperture diaphragm in the focal plane of the 1st Verklei Nerungslinse is made as a pressure stage to the electron gun formed with a view to those necessary because of the cesium UHV conditions.

Die 2. Verkleinerungsstufe bildet das Zwischenbild auf das Sub­ strat ab.The 2nd reduction stage forms the intermediate image on the sub strat.

Bei einer Kathodenpunktgröße von 10 µm×10 µm und einer Katho­ denstromdichte von z.B. 5 mA/cm2 ergibt sich auf dem Substrat eine Bildpunktgröße von 0,1 µm×0,1 µm und eine Stromdichte von 50 A/cm2. Bei einer Fotoresistempfindlichkeit von 5×10-5As/cm2 ergibt sich somit eine Belichtungszeit von 1 µs und damit eine Zeilenfrequenz von 1 MHz. Mit 1024 Elektronensonden von 0,1 µm× 0,1 µm in einer Zeile errechnet sich somit eine Flächen-Belich­ tungsgeschwindigkeit von ca. 0,1 cm2/sec, d.h. ein Durchsatz für 0,1 µm Strukturen von ca. sechs 4′′-Wafer pro Stunde.With a cathode spot size of 10 µm × 10 µm and a cathode current density of, for example, 5 mA / cm 2 , a pixel size of 0.1 µm × 0.1 µm and a current density of 50 A / cm 2 result on the substrate. With a photoresist sensitivity of 5 × 10 -5 As / cm 2, this results in an exposure time of 1 µs and thus a line frequency of 1 MHz. With 1024 electron probes of 0.1 µm × 0.1 µm in one line, an area exposure speed of approx. 0.1 cm 2 / sec is calculated, ie a throughput for 0.1 µm structures of approx. Six 4 ′ 'Wafer per hour.

Ein entscheidender Faktor für die Erzeugung feinster Strukturen ist der sphärische Fehler der Verkleinerungsoptik. Dies bedeutet, daß achsenferne Strahlen stärker gebrochen werden als achsennahe Strahlen, was bei größeren abzubildenden Objektfeldern zu einer Verzeichnung des Bildes führt. Man kann die Verzeichnung dadurch korrigieren, daß man die achsenferner liegenden Kathoden mit et­ was größerer Spannung ansteuert. Die emittierten Elektronen die­ ser achsenfernen Kathoden besitzen dann eine größere Geschwindig­ keit, und diese Elektronenstrahlen werden entsprechend schwächer gebrochen, wodurch die Verzeichnung kompensiert wird. Damit die emittierte Stromdichte trotz größerer Spannung an den achsenfer­ nen Kathoden überall konstant ist, muß die Isolatordicke der ach­ senfernen Kathoden entsprechend dicker gewählt werden. A decisive factor for the creation of the finest structures is the spherical error of the reduction optics. This means, that off-axis rays are refracted more than near-axis Rays, resulting in a larger object fields to be mapped Distortion of the image leads. You can see the distortion correct that the cathodes lying away from the axis with et which drives greater tension. The emitted electrons These cathodes remote from the axis then have a higher speed speed, and these electron beams become correspondingly weaker broken, which compensates for the distortion. So that emitted current density in spite of greater voltage on the axis remote NEN cathodes is constant everywhere, the insulator thickness of the ach distant cathodes can be chosen correspondingly thicker.  

Die steuernden Spannungen werden bei zeilenweise geschriebenen Bildern mit Hilfe eines Zwischenspeichers für die gesamte einzel­ ne Zeilenelektrode gleichzeitig angelegt. Nach jedem geschriebe­ nen Bild wird das Substrat um ein Bildfeld weitergeschoben ("step and repeat"-Verfahren).The controlling voltages are written in lines Images with the help of a buffer for the entire individual ne line electrode applied simultaneously. Written after each NEN image, the substrate is moved one image field ("step and repeat "method).

Der MIM-Kathodenarray kann alternativ auch aus einer einzelnen Zeile bestehen. Dann ist ergänzend in der letzten Verkleinerungs­ linse ein Ablenkelement vorgesehen, mit dem die Zeilenablenkung auf dem Substrat erfolgt. The MIM cathode array can alternatively also consist of a single one Line exist. Then supplementary in the last downsizing lens a deflection element is provided with which the line deflection done on the substrate.  

Literatur:Literature:

[1] L. Eckertova
Kalte Kathoden für Vakuumsysteme in H. Göllnitz et. al., Vakuumelektronik, Akademie-Verlag, Berlin 1978;
[2] W. Nisch, C. Jönsson
Eine homogen emittierende MIM-Dünnschichtkathode mit aufgedampftem Isolator, Optik 52 (1978/77) Nr. 3, 247-252;
[3] E. Weiss, W. Nisch, C. Jönsson
Investigation of Cs-coated MIM-Thin-Film Cathodes using a simple UHV-Emission-Electron-Microscope 10th International Congress on Electron Microscopy, Hamburg 1982;
[4] W. Nisch
Flache Anzeigevorrichtung für alphanumerische und graphische Informationen sowie Fernsehbilder und Verfahren zum Betrieb dieser Anzeigevorrichtung, deutsches Patentamt - Offenlegungsschrift OE 34 32 877 A1, 20.03.86;
[5] W. Nisch
Untersuchungen zur Realisierung eines flachen Fernsehbildschirmes mit MIM (Metall-Isolator-Metall)-Dünnschichtkathoden als Elektronenquellen, Vakuum-Technik 34 (1985) 2;
[6] W. Nisch
Untersuchung des Elektronenemissionsmechanismus von MIM (Metall-Isolator-Metall)-Dünnschichtkathoden und der Anwendbarkeit als Vielstrahlelektronenquelle zum Aufbau eines elektronenoptischen Flachbildschirms, Dissertation, Universität Tübingen, 1987 (im Druck).[1] L. Eckertova
Cold cathodes for vacuum systems in H. Göllnitz et. al., vacuum electronics, Akademie Verlag, Berlin 1978;
[2] W. Nisch, C. Jönsson
A homogeneously emitting MIM thin-film cathode with evaporated insulator, Optik 52 (1978/77) No. 3, 247-252;
[3] E. Weiss, W. Nisch, C. Jönsson
Investigation of Cs-coated MIM-Thin-Film Cathodes using a simple UHV-Emission-Electron-Microscope 10th International Congress on Electron Microscopy, Hamburg 1982;
[4] W. Nisch
Flat display device for alphanumeric and graphic information as well as television pictures and method for operating this display device, German Patent Office - laid-open specification OE 34 32 877 A1, 20.03.86;
[5] W. Nisch
Studies on the realization of a flat television screen with MIM (metal-insulator-metal) thin-film cathodes as electron sources, vacuum technology 34 (1985) 2;
[6] W. Nisch
Investigation of the electron emission mechanism of MIM (metal-insulator-metal) thin-film cathodes and the applicability as a multi-beam electron source for the construction of an electron-optical flat screen, dissertation, University of Tübingen, 1987 (in press).

Claims (6)

1. Elektronenstrahl-Lithographiesystem auf der Basis eines MIM (Metall-Isolator-Metall) -Dünnschichtkathodenarrays als Viel­ strahlelektronenquelle mit Elektronennachbeschleunigung und anschließender elektronenoptischer Verkleinerung, dadurch ge­ kennzeichnet, daß
  • a) die Vielstrahlelektronenquelle aus einer Matrix aus MIM (Metall-Isolator-Metall)-Dünnschichtkathoden besteht, wo­ bei je eine Anzahl zueinander paralleler Zeilenelektroden Z 1-Z n (Grundelektoden M 1) und dazu senkrechter Spal­ tenelektroden S 1-S n (Deckelelektroden M 2), die durch eine dünne Isolatorschicht I voneinander getrennt werden, vorgesehen sind,
  • b) die Elektronen aus der Vielstrahlelektronenquelle durch eine z.B. in Si geätzte Lochmaske als Anode nachbeschleu­ nigt werden, wobei die Anordnung und Form der Lochstruk­ tur mit der Anordnung und Form der einzelnen Elektronen­ quellen übereinstimmt,
  • c) zwischen Kathodenarray und Anode eine Vorrichtung vorge­ sehen ist, mit der eine subatomar dünne Schicht (Be­ deckungsgrad 1) aus einem elektropositiven Adsorbat, wie z.B. oxidiertes Cäsium auf die Deckelelektroden des MIM- Kathodenarrays aufgedampft werden kann, um die Stromdich­ te der MIM-Dünnschichtkathoden im Hinblick auf einen mög­ lichst hohen Durchsatz des Elektronenstrahl-Lithographie­ systems zu erhöhen,
  • d) die Vielstrahlelektronenquelle durch mehrstufige elek­ tronenoptische Verkleinerung auf das zu belichtende Ob­ jekt (z.B. Si-Wafer) abgebildet wird,
  • e) die Aperturblende nach der 1. Verkleinerungslinse im Hin­ blick auf die Ultrahochvakuumanforderungen im Elektronen­ strahlerzeuger als Druckstufe ausgebildet ist.
1. Electron beam lithography system based on a MIM (metal-insulator-metal) thin-film cathode array as a multi-beam electron source with electron post-acceleration and subsequent electron-optical reduction, characterized in that
  • a) the multi-beam electron source consists of a matrix of MIM (metal-insulator-metal) thin-film cathodes, where with a number of mutually parallel row electrodes Z 1 - Z n (basic electrodes M 1 ) and perpendicular column electrodes S 1 - S n (cover electrodes M 2 ), which are separated from one another by a thin insulator layer I , are provided,
  • b) the electrons from the multibeam electron source are accelerated as an anode, for example by means of a perforated mask etched in Si, the arrangement and shape of the hole structure corresponding to the arrangement and shape of the individual electron sources,
  • c) a device is provided between the cathode array and the anode, with which a subatomically thin layer (coverage 1) of an electropositive adsorbate, such as oxidized cesium, can be evaporated onto the cover electrodes of the MIM cathode array in order to reduce the current density of the MIM To increase thin-film cathodes with a view to the highest possible throughput of the electron beam lithography system,
  • d) the multi-beam electron source is mapped onto the object to be exposed (for example Si wafer) by multi-stage electron-optical reduction,
  • e) the aperture diaphragm after the 1st reduction lens is designed as a pressure stage in view of the ultra-high vacuum requirements in the electron beam generator.
2. Elektronenstrahl-Lithographiesystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kathodenarray nur aus einer Zeile be­ steht, jedoch zur Zeilenablenkung in der letzten Verkleine­ rungslinse ein Ablenkelement angebracht ist.2. Electron beam lithography system according to claim 1, characterized characterized in that the cathode array be from only one row stands, but for line deflection in the last lower case Rungslinse a deflector is attached. 3. Elektronenstrahl-Lithographiegerät nach Anspruch 1 und 2, da­ durch gekennzeichnet, daß die von der elektronenoptischen Achse des Verkleinerungssystems weiter entfernten Kathoden des Arrays eine größere Isolatordicke aufweisen, so daß durch Anlegen einer entsprechend größeren Kathodenbetriebsspannung hier schnellere Elektronen emittiert werden und damit der sphärische Fehler der Verkleinerungsoptik (achsenferne Strah­ len werden stärker gebrochen) kompensiert wird.3. electron beam lithography apparatus according to claim 1 and 2, there characterized by that of the electron optical Axis of the reduction system more distant cathodes of the array have a larger insulator thickness, so that by Apply a correspondingly larger cathode operating voltage faster electrons are emitted here and thus the spherical errors of the reduction optics (off-axis beam len are broken more) is compensated. 4. Verfahren zum Betrieb eines Elektronenstrahl-Lithographiesy­ stems nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die steuernden Spannungen zur Kompensation des sphärischen Feh­ lers der Verkleinerungsoptik nach Anspruch 2 in achsenfernen Zonen größer sind als in achsennahen Zonen.4. Method for operating an electron beam lithography stems according to claim 1 to 3, characterized in that the controlling voltages to compensate for the spherical mis lers of the reduction optics according to claim 2 in off-axis Zones are larger than in zones close to the axis. 5. Verfahren zum Betrieb eines Elektronenstrahl-Lithographiesy­ stems nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die steuernden Spannungen bei zeilenweise geschriebenen Bildern mit Hilfe eines Zwischenspeichers für die gesamte einzelne Zeilenelektrode gleichzeitig angelegt werden.5. Method of operating an electron beam lithography stems according to claim 1 to 4, characterized in that the controlling tensions in images written line by line with the help of a buffer for the entire individual Row electrode can be applied simultaneously. 6. Verfahren zur Herstellung von MIM-Kathodenarrays für ein Elektronenstrahl-Lithographiegerät nach Anspruch 1 und 2, da­ durch gekennzeichnet, daß die feinen geometrischen Strukturen des Arrays durch lichtoptische Lithographie oder Elektronen­ strahl-Lithographie hergestellt werden.6. Process for the production of MIM cathode arrays for a Electron beam lithography apparatus according to claim 1 and 2, there characterized in that the fine geometric structures of the array by light-optical lithography or electrons beam lithography can be produced.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0394698A2 (en) * 1989-03-30 1990-10-31 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam lithography machine and image display apparatus
WO2002005305A1 (en) * 2000-07-11 2002-01-17 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Hot electron emission array for e-beam photolithography and display screens

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19938831A1 (en) 1999-08-19 2001-02-22 Guenter Hoff Vacuum insulation element, multi-pane insulation window and non-contact storage method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4460831A (en) * 1981-11-30 1984-07-17 Thermo Electron Corporation Laser stimulated high current density photoelectron generator and method of manufacture
DE3432877A1 (en) * 1984-09-07 1986-03-20 Wilfried Dipl.-Phys. 7400 Tübingen Nisch Flat display device for alphanumeric and graphic information as well as television images, and a method for operating this display device
US4695732A (en) * 1984-05-18 1987-09-22 U.S. Philips Corporation Electron lithography apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4460831A (en) * 1981-11-30 1984-07-17 Thermo Electron Corporation Laser stimulated high current density photoelectron generator and method of manufacture
US4695732A (en) * 1984-05-18 1987-09-22 U.S. Philips Corporation Electron lithography apparatus
DE3432877A1 (en) * 1984-09-07 1986-03-20 Wilfried Dipl.-Phys. 7400 Tübingen Nisch Flat display device for alphanumeric and graphic information as well as television images, and a method for operating this display device

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 61-1 62 048 A, in: Patents Abstracts of Japan, Sect. P, Vol. 10 (1986), Nr. 369 (P-525) *
W. Nisch: Untersuchungen zur Realisierung eines flachen Fernsehbildschirms mit MIM (Metall-Isolator-Metall)-Dünnschichtkathoden als Elektronenquellen, in: Vakuum-Technik 34 (1985)2, S. 44-52 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0394698A2 (en) * 1989-03-30 1990-10-31 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam lithography machine and image display apparatus
EP0394698A3 (en) * 1989-03-30 1991-10-02 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam lithography machine and image display apparatus
US5569974A (en) * 1989-03-30 1996-10-29 Canon Kabushiki Kaisha Electron-emitting device and electron beam lithograph machine and image display apparatus making use of it
WO2002005305A1 (en) * 2000-07-11 2002-01-17 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Hot electron emission array for e-beam photolithography and display screens
US6956333B2 (en) 2000-07-11 2005-10-18 Paul Scherrer Institut (Psi) Hot electron emission array for e-beam photolithography and display screens

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