DE3713133A1 - Laser diode having a buried active layer and lateral current limiting, and a method for its production - Google Patents

Laser diode having a buried active layer and lateral current limiting, and a method for its production

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Abstract

Laser diodes having a low threshold current and a high differential efficiency and a high output power are produced as buried double-heterostructure stripe lasers. In this case, shunt currents must be avoided by means of lateral current supply. (Shunt currents resulting from lateral current supply must be avoided). Parasitic capacitances on depletion layers or insulating layers must be reduced. The laser diode is provided with lateral channels (8) for lateral current limiting. Parasitic capacitances are avoided by means of transverse channels (9) and a structured metal contact (11). <IMAGE>

Description

Die Erfindung betrifft eine Laserdiode mit vergrabener, aktiver Schicht und seitlicher Strombegrenzung und ein Verfahren zur deren Herstellung.The invention relates to a laser diode with a buried, active Layer and lateral current limit and a method for their manufacture.

Es ist bekannt, Laserdioden mit niedrigem Schwellenstrom und hohem differentiellem Wirkungsgrad auch bei hoher Ausgangs­ leistung als Vergrabene-Doppelheterostruktur-Laser (buried heterostructure-Laser, BH-Laser) herzustellen. (siehe z. B. G. Winstel, C. Weyrich, Optoelektronik 1, Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, New York 1980, Seite 225 bis 232). Die aktive Schicht dieser Laser wird in Form eines schmalen Streifens in ein Halbleitermaterial mit geringerer Brechzahl und größerer Energiebandlücke eingebettet. Die Doppelhetero­ struktur und die Einbettung der aktiven Schicht sorgen für einen niedrigen Schwellenstrom und für eine Führung der Strah­ lung in transversaler und lateraler Richtung, so daß die Verluste der Laserleistung durch Beugung in passive Bereiche gering gehalten werden. Durch seitliche Strombegrenzung mög­ lichst auf das schmale Gebiet der aktiven Schicht wird der Wirkungsgrad erhöht. Bei unvollkommener seitlicher Strombe­ grenzung, z. B. nur durch die unterschiedlichen Einsatzspan­ nungen des Hetero-p-n-Überganges und des Homo-p-n-Überganges, fließt ein Nebenschlußstrom außerhalb der aktiven Schicht, und es wird keine hohe Ausgangsleistung erreicht. Durch zusätz­ liche, in Sperrichtung gepolte p-n-Übergänge, seitlich des aktiven Streifens sind hohe Ausgangsleistungen erzielbar. Die p-n-Übergänge stellen jedoch zusätzliche parasitäre Kapazitäten dar, die das Modulationsverhalten der Laserdiode beein­ trächtigen.It is known to use low threshold current and laser diodes high differential efficiency even with high output performance as buried double heterostructure laser (buried heterostructure laser, BH laser). (see e.g. G. Winstel, C. Weyrich, Optoelectronics 1, Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, New York 1980, pages 225 to 232). The active layer of this laser is in the form of a narrow one Strip into a semiconductor material with a lower refractive index and larger energy band gap embedded. The double straight structure and the embedding of the active layer ensure a low threshold current and for guiding the beam lung in the transverse and lateral directions, so that the Laser power losses due to diffraction in passive areas be kept low. Possible by lateral current limitation The narrowest area of the active layer is the Efficiency increased. In the event of imperfect lateral electricity border, e.g. B. only by the different operational chip the hetero-p-n transition and the homo-p-n transition, a shunt current flows outside the active layer, and high output power is not achieved. By additional p-n junctions, polarized in the reverse direction, to the side of the active strips, high output powers can be achieved. The However, p-n junctions represent additional parasitic capacitances that affect the modulation behavior of the laser diode pregnant.

Es ist bekannt, Nebenschlußströme und parasitäre Kapazitäten dadurch zu verringern, daß die wirksamen Flächen der ent­ sprechenden p-n-Übergänge verringert werden. Dies geschieht z. B. durch Abätzen der entsprechenden Schichten oder dadurch, daß diese Schichten durch Ätzen von Kanälen vom stromführenden Gebiet getrennt werden. Die daraus resultierenden Strukturen sind nicht planar, was für die Herstellung und spätere Montage ungünstig ist.It is known to have shunt currents and parasitic capacitances by reducing the effective areas of the ent  speaking p-n transitions can be reduced. this happens e.g. B. by etching off the corresponding layers or by that these layers by etching channels from the current carrying Area to be separated. The resulting structures are not planar, what for the manufacture and later assembly is unfavorable.

Eine weitere Möglichkeit zur Verringerung der wirksamen Flächen ist, den spezifischen Widerstand des Halbleitermaterials außer­ halb des stromführenden Bereichs, z. B. durch Implantation von Protonen, zu erhöhen. Die erreichbaren Werte werden durch die erzielbare Erhöhung des Widerstands begrenzt. Ein Nachteil dieser Methode ist, daß der Widerstand sich durch Ausheilen der Kristallstruktur unter Wärmeeinfluß wieder verringern kann.Another way to reduce the effective areas is, the resistivity of the semiconductor material except half of the current carrying area, e.g. B. by implantation of Protons to increase. The achievable values are determined by the achievable increase in resistance is limited. A disadvantage This method is that the resistance is eliminated by the healing of the Crystal structure can reduce again under the influence of heat.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Laserdiode mit niedrigem Schwellenstrom und hohem differentiellem Wirkungs­ grad auch bei hoher Ausgangsleistung in planarer Struktur zu entwickeln.The invention has for its object to provide a laser diode low threshold current and high differential effectiveness degree even with high output power in a planar structure develop.

Diese Aufgabe wird mit einer Laserdiode nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 erfindungsgemäß gelöst, wie dies im kennzeich­ nenden Teil des Anspruchs 1 angegeben ist.This task is done with a laser diode according to the generic term of claim 1 solved according to the invention, as in the characterizing nenden part of claim 1 is specified.

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Laserdiode ange­ geben, das im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 6 beschrieben ist.A method for producing a laser diode is proposed give that described in the characterizing part of claim 6 is.

Die Laserdiode nach Anspruch 4 bietet den Vorteil, daß durch die streifenförmige, hochdotierte Schicht eine Verringerung des Kontaktwiderstands im Bereich des Streifens und damit eine zu­ sätzliche, seitliche Strombegrenzung erzielt wird.The laser diode according to claim 4 has the advantage that the stripe-shaped, highly doped layer a reduction in Contact resistance in the area of the strip and thus one too additional, lateral current limitation is achieved.

Ein weiterer Vorteil der Laserdiode nach Anspruch 4 ist, daß eine Kontaktierung außerhalb des Bereichs der aktiven Schicht möglich ist. Eine Kontaktierung im Bereich der aktiven Schicht wirkt sich ungünstig auf das Modulationsverhalten der Laser­ diode aus.Another advantage of the laser diode according to claim 4 is that contacting outside the area of the active layer is possible. A contact in the area of the active layer  has an unfavorable effect on the modulation behavior of the laser diode off.

Bei der Laserdiode nach Anspruch 5 ist eine zusätzliche, seit­ liche Stromführung durch eine Oxidschicht außerhalb des strei­ fenförmigen Bereichs der aktiven Schicht gewährleistet.In the laser diode according to claim 5 is an additional, since current flow through an oxide layer outside the strip fen-shaped area of the active layer guaranteed.

Die Herstellung der Laserdiode in dem Verfahren nach Anspruch 9 bietet den Vorteil, daß für das Ätzen der transversalen Kanäle keine gesonderte Maske nötig ist.The production of the laser diode in the method according to claim 9 has the advantage that for the etching of the transverse Channels no separate mask is necessary.

Die Herstellung der Laserdiode in dem Verfahren nach Anspruch 7 vereinfacht die Bildung der lateralen Kanäle.The production of the laser diode in the method according to claim 7 simplifies the formation of the lateral channels.

Die Herstellung der Laserdiode in dem Verfahren nach Anspruch 11 hat den Vorteil, daß beim Ätzen der lateralen Kanäle mit der selektiv wirksamen Säure die Zwischenschicht nur bis an die Oberkante der oberen Schicht heran weggeätzt werden kann. In diesem Fall ist eine Unterbrechung des stromführenden Gebiets beim Ätzen ausgeschlossen. Aufwendige Justierschritte werden dadurch vermieden, und eine reproduzierbare Herstellung der Struktur ist gewährleistet.The production of the laser diode in the method according to claim 11 has the advantage that when etching the lateral channels with the selectively effective acid only to the intermediate layer The upper edge of the upper layer can be etched away. In in this case there is an interruption in the live area excluded during etching. Elaborate adjustment steps are required thereby avoided, and a reproducible manufacture of the Structure is guaranteed.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus den anderen Unteransprüchen hervor.Further refinements of the invention result from the others Sub-claims emerge.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in Fig. 1 dargestellt und wird im folgenden näher erläutert. Fig. 2 bis Fig. 4 zeigen verschiedene Vorstufen in der Herstellung der Laserdiode. Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung und dessen Herstel­ lung sind in Fig. 5-Fig. 7 dargestellt.An embodiment of the invention is shown in Fig . 1 and is explained in more detail below. Fig . 2 to Fig . 4 show various preliminary stages in the manufacture of the laser diode. Another embodiment of the invention and its manufacture are shown in Fig . 5- Fig . 7 shown.

In Fig. 1 ist eine fertige Laserdiode mit Metallkontakten dargestellt.In Fig . 1 shows a finished laser diode with metal contacts.

In Fig. 2 ist die Grundstruktur der Laserdiode nach dem ersten Epitaxieschritt dargestellt. In Fig . 2 shows the basic structure of the laser diode after the first epitaxial step.

In Fig. 3 ist die Grundstruktur einer Laserdiode mit streifen­ förmiger aktiver Schicht dargestellt.In Fig . 3 shows the basic structure of a laser diode with a strip-shaped active layer.

Fig. 4 zeigt den Schichtaufbau einer Laserdiode mit vergrabener aktiver Schicht. Fig . 4 shows the layer structure of a laser diode with a buried active layer.

Fig. 5 zeigt die Grundstruktur einer Laserdiode, nachdem die aktive Schicht in Streifenform gebracht wurde. Fig . 5 shows the basic structure of a laser diode after the active layer has been brought into strip form.

Fig. 6 zeigt den Schichtaufbau einer Laserdiode nach dem Vergraben der aktiven Schicht. Fig . 6 shows the layer structure of a laser diode after burying the active layer.

Fig. 7 zeigt eine Laserdiode mit vergrabener aktiver Schicht, lateralen und transversalen Kanälen und den Metallkontakten. Fig . 7 shows a laser diode with a buried active layer, lateral and transverse channels and the metal contacts.

Auf ein Substrat 1 aus einem ersten Halbleitermaterial, z. B. InP, eines ersten Leitfähigkeitstyps folgt eine Pufferschicht 2 aus dem gleichen Material des ersten Leitfähigkeitstyps. Auf der Pufferschicht 2 ist eine streifenförmige, aktive Schicht 3 aufgewachsen die z. B. aus InGaAsP besteht. Sie ist undotiert oder vom ersten oder von einem zweiten Leitfähigkeitstyp. Die aktive Schicht 3 ist von allen Seiten von Schichten aus dem ersten Halbleitermaterial, hier z. B. InP, umgeben. Auf die aktive Schicht 3 folgt eine obere Schicht 4 aus dem ersten Halbleitermaterial, z. B. InP, eines zweiten Leitfähigkeits­ typs. Sie hat ebenfalls Streifenform und paßt genau über die aktive Schicht 3. Die Flanken der aktiven Schicht 3 und der oberen Schicht 4 sind von seitlichen Schichten 5 aus dem ersten Halbleitermaterial, z. B. InP, bedeckt. Die seitlichen Schichten 5 sind so dotiert, daß ihr spezifischer Widerstand hoch ist. Damit ist sichergestellt, daß der elektrische Strom im wesentlichen über die aktive Schicht 3 fließt. Die seit­ lichen Schichten 5 sorgen für eine seitliche Führung der Licht­ welle im Resonator der Laserdiode. Die seitlichen Schichten 5 können rechteckigen oder dreieckigen Querschnitt haben. Für die Strombegrenzung ist es günstig, die seitlichen Schichten 5 mit dreieckigem Querschnitt auszubilden. Es ist dann gewährleistet, daß die aktive Schicht 3 seitlich ganz bedeckt ist und daß gleichzeitig der Querschnitt, über den ein möglicher Neben­ schlußstrom fließen kann, gering ist. Die seitlichen Schichten 5 berühren mit einer Kathete die Pufferschicht 2 und mit der anderen Kathete die aktive Schicht 3 und die obere Schicht 4. Die seitlichen Schichten 5 reichen nicht über die Oberkante der oberen Schicht 4 hinaus. Auf die obere Schicht 4 folgt eine Halbleiterschicht 6, aus dem ersten Halbleitermaterial, z. B. InP, vom zweiten Leitfähigkeitstyp. Die Halbleiterschicht 6 ist mit der Pufferschicht 2 beiderseits der aktiven Schicht 3 durch Stege 7, die z. B. aus InGaAsP bestehen, verbunden. Zwischen der Halbleiterschicht 6 und der Pufferschicht 2 verlaufen laterale Kanäle 8. Die lateralen Kanäle 8 verlaufen beiderseits der aktiven Schicht 3 von den seitlichen Schichten 5 zu den Stegen 7. Senkrecht zum Schichtaufbau sind in der Halbleiter­ schicht 6 transversale Kanäle 9 vorhanden. Die transversalen Kanäle 9 haben eine Verbindung mit den lateralen Kanälen 8. Oberhalb der aktiven Schicht 3 folgt auf die Halbleiterschicht 6 eine hochdotierte Schicht 10 aus z. B. InGaAs oder InGaAsP vom zweiten Leitfähigkeitstyp. Die hochdotierte Schicht 10 ist streifenförmig. Sie ist so angeordnet, daß die aktive Schicht 3 in deren Schatten liegt. Über der hochdotierten Schicht 10 und der Halbleiterschicht 6 folgt ein strukturierter Metallkontakt 11. Der strukturierte Metallkontakt 11 bedeckt die hochdotierte Schicht 10 und die Halbleiterschicht 6 ganz. Sie läßt die transversalen Kanäle 9 offen. Außerhalb der transversalen Kanäle 9 ist eine Verbindung der mittleren und äußeren Struk­ turen des strukturierten Metallkontakts 11 vorhanden. Dadurch kann die Laserdiode seitlich des Bereichs der aktiven Schicht 3 kontaktiert werden. Auf der dem Schichtaufbau abgewandten Seite des Substrats 1 ist ein großflächiger Metallkontakt 12 ange­ bracht.On a substrate 1 made of a first semiconductor material, for. B. InP, a first conductivity type is followed by a buffer layer 2 made of the same material of the first conductivity type. On the buffer layer 2 , a strip-shaped, active layer 3 has been grown which, for. B. consists of InGaAsP. It is undoped or of the first or a second conductivity type. The active layer 3 is from all sides of layers of the first semiconductor material, here z. B. InP, surrounded. The active layer 3 is followed by an upper layer 4 made of the first semiconductor material, e.g. B. InP, a second conductivity type. It also has a strip shape and fits exactly over the active layer 3 . The edges of the active layer 3 and the upper layer 4 are of lateral layers 5 made of the first semiconductor material, e.g. B. InP. The side layers 5 are doped so that their resistivity is high. This ensures that the electrical current essentially flows through the active layer 3 . The layers since 5 ensure lateral guidance of the light wave in the resonator of the laser diode. The lateral layers 5 can have a rectangular or triangular cross section. For the current limitation, it is advantageous to design the lateral layers 5 with a triangular cross section. It is then ensured that the active layer 3 is completely covered on the side and that at the same time the cross-section over which a possible secondary current can flow is small. The lateral layers 5 touch the buffer layer 2 with a cathetus and the active layer 3 and the upper layer 4 with the other cathetus. The lateral layers 5 do not extend beyond the upper edge of the upper layer 4 . The upper layer 4 is followed by a semiconductor layer 6 , made of the first semiconductor material, e.g. B. InP, of the second conductivity type. The semiconductor layer 6 is with the buffer layer 2 on both sides of the active layer 3 by webs 7 , z. B. consist of InGaAsP, connected. Lateral channels 8 run between the semiconductor layer 6 and the buffer layer 2 . The lateral channels 8 run on both sides of the active layer 3 from the lateral layers 5 to the webs 7 . Perpendicular to the layer structure 6 transverse channels 9 are present in the semiconductor layer. The transverse channels 9 are connected to the lateral channels 8 . Above the active layer 3 , the semiconductor layer 6 is followed by a highly doped layer 10 made of e.g. B. InGaAs or InGaAsP of the second conductivity type. The highly doped layer 10 is strip-shaped. It is arranged so that the active layer 3 is in its shadow. A structured metal contact 11 follows over the heavily doped layer 10 and the semiconductor layer 6 . The structured metal contact 11 completely covers the highly doped layer 10 and the semiconductor layer 6 . It leaves the transverse channels 9 open. Outside the transverse channels 9 , a connection of the middle and outer structures of the structured metal contact 11 is present. As a result, the laser diode can be contacted on the side of the region of the active layer 3 . On the side facing away from the layer structure of the substrate 1 , a large-area metal contact 12 is introduced .

Mit Hilfe von Fig. 2 bis Fig. 4 wird die Herstellung der Laser­ diode erläutert.With the help of Fig . 2 to Fig . 4, the manufacture of the laser diode is explained.

Auf das Substrat 1 aus z. B. InP eines ersten Leitfähigkeits­ typs wird in einem ersten Epitaxieschritt die Pufferschicht 2 aus z. B. InP des ersten Leitfähigkeitstyps, die aktive Schicht 3 aus z. B. InGaAsP und die obere Schicht 4 aus z. B. InP eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufgebracht (Fig. 2). Mit Hilfe einer Maske werden die aktive Schicht 3 und die obere Schicht 4 in Streifenform geätzt (Fig. 3). In einem zweiten Epitaxieschritt werden auf die Flanken der aktiven Schicht 3 und der oberen Schicht 4 seitliche Schichten 5 aus z. B. InP aufgewachsen. Die Parameter in diesem Epitaxieprozeß werden so gewählt, daß die seitlichen Schichten 5 hauptsächlich an den Flanken der aktiven Schicht 3 und der oberen Schicht 4 wachsen. Das Material der seitlichen Schichten 5 ist so dotiert, daß sein spezifischer Widerstand hoch ist. Auf die seitlichen Schichten 5 und die Pufferschicht 2 wird beiderseits der seitlichen Schichten 5 eine Zwischenschicht 13 aus z. B. InGaAsP aufgebracht. Die Zwischenschicht 13 wird so aufgewachsen, daß sie bis an die Oberkante der oberen Schicht 4 heranreicht und daß sie die obere Schicht 4 unbedeckt läßt. Auf die obere Schicht 4 und die Zwischenschicht 13 wird die Halbleiterschicht 6 aus z. B. InP vom zweiten Leitfähigkeitstyp gewachsen. Die Wachstumsparameter werden so gewählt, daß die Halbleiterschicht 6 die obere Schicht 4 und die Zwischenschicht 13 bedeckt und daß die Ober­ fläche der Halbleiterschicht 6 eben ist. Auf die Halbleiter­ schicht 6 wird die hochdotierte Schicht 10 aus z. B. InGaAs oder InGaAsP vom zweiten Leitfähigkeitstyp aufgewachsen (Fig. 4). Durch Atzen mit Hilfe einer Maske wird die hochdotierte Schicht 10 in Streifenform gebracht. Auf die Halbleiterschicht 6 und die hochdotierte Schicht 10 wird der strukturierte Me­ tallkontakt 11 aufgebracht. Der strukturierte Metallkontakt 11 ist so realisiert, daß er die hochdotierte Schicht 10 ganz überdeckt, daß er auf beiden Seiten der Oberfläche außerhalb des Bereichs der hochdotierten Schicht 10 Kontaktierungs­ flächen 14 enthält, die mit dem die hochdotierte Schicht 10 überdeckenden Teil verbunden sind, und daß er zwischen den Kontaktierungsflächen 14 und dem die hochdotierte Schicht 10 überdeckenden Teil Kanäle 15 aufweist, die senkrecht zum Schichtaufbau verlaufen und bis auf die Halbleiterschicht 6 reichen. Im nächsten Schritt wird der strukturierte Metall­ kontakt 11 als Maske beim Ätzen der transversalen Kanäle 9 in die Halbleiterschicht 6 verwendet. Die transversalen Kanäle 9 werden bis auf die Zwischenschicht 13 geätzt. Durch die transversalen Kanäle 9 wird im folgenden Schritt mit einer selektiv wirksamen Säure die Zwischenschicht 13 teilweise weg­ geätzt. Die zwischen der Halbleiterschicht 6 und der Puffer­ schicht 2 durch Wegätzen der Zwischenschicht 13 erzeugten lateralen Kanäle 8 reichen bis an die seitlichen Schichten 5 heran. Die Zwischenschicht 13 wird bis an die seitlichen Schichten 5 und die Oberkante der oberen Schicht 4 weggeätzt. An den Seiten der Laserdiode bilden Reste der Zwischenschicht 13 die Stege 7, durch die die Halbleiterschicht 6 mit der Pufferschicht 2 verbunden ist (Fig. 1). Auf der dem Schichtauf­ bau abgewandten Seite des Substrats 1 wird ein großflächiger Metallkontakt 12 aufgebracht.On the substrate 1 from z. B. InP of a first conductivity type is in a first epitaxial step, the buffer layer 2 from z. B. InP of the first conductivity type, the active layer 3 from z. B. InGaAsP and the upper layer 4 of z. B. InP of a second conductivity type applied ( Fig . 2). With the aid of a mask, the active layer 3 and the upper layer 4 are etched in strip form ( FIG . 3). In a second epitaxial step of the active layer 3 and the upper layer on the flanks 4 lateral layers 5 from for example. B. InP grew up. The parameters in this epitaxial process are chosen such that the lateral layers 5 mainly grow on the flanks of the active layer 3 and the upper layer 4 . The material of the side layers 5 is doped so that its resistivity is high. On the lateral layers 5 and the buffer layer 2 is on both sides of the lateral layers 5, an intermediate layer 13 made of z. B. InGaAsP applied. The intermediate layer 13 is grown so that it reaches up to the upper edge of the upper layer 4 and that it leaves the upper layer 4 uncovered. On the upper layer 4 and the intermediate layer 13 , the semiconductor layer 6 from z. B. InP grown from the second conductivity type. The growth parameters are chosen so that the semiconductor layer 6 covers the upper layer 4 and the intermediate layer 13 and that the upper surface of the semiconductor layer 6 is flat. On the semiconductor layer 6 , the highly doped layer 10 from z. B. InGaAs or InGaAsP of the second conductivity type ( Fig . 4). The highly doped layer 10 is brought into strip form by etching with the aid of a mask. On the semiconductor layer 6 and the highly doped layer 10 , the structured metal contact 11 is applied. The structured metal contact 11 is realized so that it completely covers the highly doped layer 10 , that it contains contact surfaces 14 on both sides of the surface outside the region of the highly doped layer 10 , which are connected to the part covering the highly doped layer 10 , and that it has channels 15 between the contacting areas 14 and the part covering the highly doped layer 10 , which run perpendicular to the layer structure and extend as far as the semiconductor layer 6 . In the next step, the structured metal contact 11 is used as a mask in the etching of the transverse channels 9 in the semiconductor layer 6 . The transverse channels 9 are etched down to the intermediate layer 13 . Through the transverse channels 9 , the intermediate layer 13 is partially etched away in the following step with a selectively active acid. The lateral channels 8 produced between the semiconductor layer 6 and the buffer layer 2 by etching away the intermediate layer 13 extend as far as the lateral layers 5 . The intermediate layer 13 is etched away as far as the lateral layers 5 and the upper edge of the upper layer 4 . On the sides of the laser diode, residues of the intermediate layer 13 form the webs 7 , through which the semiconductor layer 6 is connected to the buffer layer 2 ( FIG . 1). A large-area metal contact 12 is applied to the side of the substrate 1 facing away from the layer structure.

Die Herstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels wird mit Hilfe von Fig. 5 bis Fig. 7 erläutert.The production of a further exemplary embodiment is carried out with the aid of FIG . 5 to Fig . 7 explained.

Die Herstellung geht von einer Grundstruktur aus, wie in Fig. 2 dargestellt, die ein Substrat 1 aus z. B. InP des ersten Leit­ fähigkeitstyps, eine Pufferschicht 2 aus z. B. InP des ersten Leitfähigkeitstyps, eine aktive Schicht 3 aus z. B. InGaAsP und eine obere Schicht 4 aus z. B. InP des zweiten Leitfähigkeits­ typs enthält. Mit Hilfe einer Maske werden parallele Kanäle 16 in die obere Schicht 4 und in die aktive Schicht 3 bis auf die Pufferschicht 2 so geätzt, daß zwischen ihnen ein Streifen 17 aus der aktiven Schicht 3 und der oberen Schicht 4 definiert wird und daß außerhalb der parallelen Kanäle 16 die aktive Schicht 3 und die obere Schicht 4 stehen bleiben (Fig. 5).The production is based on a basic structure, as shown in Fig . 2 shown that a substrate 1 from z. B. InP of the first conductivity type, a buffer layer 2 made of z. B. InP of the first conductivity type, an active layer 3 of z. B. InGaAsP and an upper layer 4 of z. B. InP of the second conductivity type contains. With the aid of a mask, parallel channels 16 are etched into the upper layer 4 and into the active layer 3, except for the buffer layer 2, in such a way that a strip 17 of the active layer 3 and the upper layer 4 is defined between them and that outside the parallel ones Channels 16, the active layer 3 and the upper layer 4 remain ( Fig . 5).

Im folgenden Schritt wird die Struktur mit einer weiteren Halbleiterschicht 6′ bedeckt, wobei die parallelen Kanäle 16 aufgefüllt und die obere Schicht 4 überwachsen wird. Die wei­ tere Halbleiterschicht 6′ besteht z. B. aus InP vom zweiten Leitfähigkeitstyp. Auf die weitere Halbleiterschicht 6′ wird eine weitere hochdotierte Schicht 10′ aufgewachsen (Fig. 6), die z.B. aus InGaAs oder InGaAsP vom zweiten Leitfähigkeitstyp be­ steht.In the following step, the structure is covered with a further semiconductor layer 6 ', the parallel channels 16 being filled and the upper layer 4 being overgrown. The white tere semiconductor layer 6 'consists, for. B. from InP of the second conductivity type. On the further semiconductor layer 6 ', a further highly doped layer 10 ' is grown ( Fig . 6), which consists, for example, of InGaAs or InGaAsP of the second conductivity type.

Die weitere hochdotierte Schicht 10′ wird mit Hilfe einer Maske so in Streifenform geätzt, daß der Streifen 17 in deren Schat­ ten liegt und außerhalb davon die weitere Halbleiterschicht 6′ freigelegt wird (Fig. 7). Im nächsten Schritt wird der Schichtauf­ bau auf der dem Substrat abgewandten Seite mit einem weiteren strukturierten Metallkontakt 11′ versehen. Der weitere struk­ turierte Metallkontakt 11′ ist so gestaltet, daß er die weitere hochdotierte Schicht 10′ ganz überdeckt, daß er außerhalb der aufgefüllten parallelen Kanäle 16 weitere Kanäle 15′ aufweist und daß er eine Kontaktierung außerhalb des Bereichs der weite­ ren hochdotierten Schicht 10′ ermöglicht (Fig. 7).The further highly doped layer 10 'is etched in a strip shape with the aid of a mask such that the strip 17 lies in its shadow and outside of it the further semiconductor layer 6 ' is exposed ( FIG . 7). In the next step, the layer structure is provided on the side facing away from the substrate with a further structured metal contact 11 '. The further structured metal contact 11 'is designed such that it completely covers the further highly doped layer 10 ', that it has 16 further channels 15 'outside the filled parallel channels 16 ' and that it makes contact outside the region of the wide ren highly doped layer 10 ' enables ( Fig . 7).

Der weitere strukturierte Metallkontakt 11′ wird als Maske verwendet, um senkrecht zum Schichtaufbau verlaufende, weitere transversale Kanäle 9′ in die weitere Halbleiterschicht 6′ und die obere Schicht 4 bis auf die aktive Schicht 3 außerhalb des Streifens 17 und der aufgefüllten parallelen Kanäle 16 zu ätzen. Über die weiteren transversalen Kanäle 9′ wird mit einer selektiv wirksamen Säure die aktive Schicht 3 außerhalb der auf­ gefüllten parallelen Kanäle 16 weggeätzt. Sie wird bis zu den aufgefüllten parallelen Kanälen 16 weggeätzt. Dadurch entstehen weitere laterale Kanäle 8′. Die die weiteren lateralen Kanäle 8′ begrenzenden weiteren Stege 7′ werden von den beim Ätzen verbleibenden Resten der aktiven Schicht 3 gebildet. Durch die weiteren Stege 7′ ist die obere Schicht 4 mit der Pufferschicht 2 verbunden (Fig. 7). Auf der dem Schichtaufbau abgewandten Seite des Substrats 1 wird die Laserdiode mit einem weiteren großflächigen Metallkontakt 12′ versehen.The further structured metal contact 11 'is used as a mask to run perpendicular to the layer structure, further transverse channels 9 ' in the further semiconductor layer 6 'and the upper layer 4 except for the active layer 3 outside of the strip 17 and the filled parallel channels 16 etching. Via the further transverse channels 9 ', the active layer 3 is etched away outside the filled parallel channels 16 with a selectively active acid. It is etched away up to the filled parallel channels 16 . This creates additional lateral channels 8 '. The further lateral channels 8 'delimiting further webs 7 ' are formed by the remains of the active layer 3 remaining during the etching. Through the further webs 7 ', the upper layer 4 is connected to the buffer layer 2 ( Fig . 7). On the side of the substrate 1 facing away from the layer structure, the laser diode is provided with a further large-area metal contact 12 '.

Der weitere strukturierte Metallkontakt 11′ und die weiteren transversalen Kanäle 9′ vermindern die parasitären Kapazitäten, die im Betrieb der Laserdiode auftreten. Die weiteren lateralen Kanäle 8′ sorgen für eine seitliche Strombegrenzung möglichst auf das Gebiet des Streifens 17. Die Qualität der Strombegren­ zung hängt dabei von der Breite der aufgefüllten parallelen Kanäle 16 ab.The further structured metal contact 11 'and the further transverse channels 9 ' reduce the parasitic capacitances that occur during operation of the laser diode. The further lateral channels 8 'provide a lateral current limitation as possible on the area of the strip 17th The quality of the current limitation depends on the width of the filled parallel channels 16 .

Claims (13)

1. Laserdiode mit vergrabener aktiver Schicht, Doppelhetero­ struktur und seitlicher Strombegrenzung, die mindestens ein Substrat, eine streifenförmige aktive Schicht zwischen einer Pufferschicht und einer Halbleiterschicht und Metallkontakte, die auf gegenüberliegenden Seiten des Schichtaufbaus so ange­ bracht sind, daß die aktive Schicht dazwischen liegt, enthält, dadurch gekennzeichnet, daß auf beiden Seiten der aktiven Schicht (3) zwischen der Pufferschicht (2) und der Halbleiterschicht (6) je ein lateraler Kanal (8) vorhanden ist.1. laser diode with buried active layer, double heterostructure and lateral current limitation, the at least one substrate, a strip-shaped active layer between a buffer layer and a semiconductor layer and metal contacts, which are placed on opposite sides of the layer structure so that the active layer lies between them, contains, characterized in that on each side of the active layer ( 3 ) between the buffer layer ( 2 ) and the semiconductor layer ( 6 ) there is a lateral channel ( 8 ). 2. Laserdiode nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Metallkontakt (11) strukturiert ist, der an der dem Substrat (1) abgewandten Seite des Schicht­ aufbaus angebracht ist.2. Laser diode according to claim 1, characterized in that the metal contact ( 11 ) is structured, which is attached to the side of the layer structure facing away from the substrate ( 1 ). 3. Laserdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß in der Halbleiterschicht (6) senk­ recht zu den Schichten verlaufende transversale Kanäle (9) vorhanden sind, die auf die lateralen Kanäle (8) führen und die mit den lateralen Kanälen (8) in Verbindung stehen.3. Laser diode according to claim 1 or 2, characterized in that in the semiconductor layer ( 6 ) perpendicular to the layers extending transverse channels ( 9 ) are present, which lead to the lateral channels ( 8 ) and with the lateral channels ( 8 ) communicate. 4. Laserdiode nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekenn­ zeichnet durch folgende Merkmale:
  • a) auf eine Grundstruktur, die mindestens das Substrat (1) und die Pufferschicht (2) aus einem ersten Halbleitermaterial ent­ hält, ist die streifenförmige aktive Schicht (3) aufgebracht,
  • b) die aktive Schicht (3) ist durch eine obere Schicht (4) und zwei seitliche Schichten (5) von allen Seiten mit dem ersten Halbleitermaterial bedeckt, wobei nur ein Teil der Puffer­ schicht (2) bedeckt ist,
  • c) es folgt die Halbleiterschicht (6), die die Pufferschicht (2) nicht berührt und die mit der Pufferschicht (2) über Stege (7) verbunden ist,
  • d) in der Halbleiterschicht (6) verlaufen senkrecht zum Schichtaufbau die transversalen Kanäle (9),
  • e) auf die Halbleiterschicht (6) folgt im-Bereich des Streifens der aktiven Schicht (3) eine hochdotierte Schicht (10), die streifenförmig ist und die so angeordnet ist, daß die aktive Schicht (3) im Schatten der hochdotierten Schicht (10) liegt,
  • f) auf die Halbleiterschicht (6) und die hochdotierte Schicht (10) folgt der strukturierte Metallkontakt (11), der die hoch­ dotierte Schicht (10) ganz bedeckt, der die transversalen Kanäle (9) in der Halbleiterschicht (6) offen läßt und der eine Kontaktierung der Laserdiode seitlich von der aktiven Schicht (3) zuläßt.
4. Laser diode according to one of claims 1 to 3, characterized by the following features:
  • a) the strip-shaped active layer ( 3 ) is applied to a basic structure which contains at least the substrate ( 1 ) and the buffer layer ( 2 ) made of a first semiconductor material,
  • b) the active layer ( 3 ) is covered by an upper layer ( 4 ) and two lateral layers ( 5 ) from all sides with the first semiconductor material, only a part of the buffer layer ( 2 ) being covered,
  • c) there follows the semiconductor layer ( 6 ) which does not touch the buffer layer ( 2 ) and which is connected to the buffer layer ( 2 ) via webs ( 7 ),
  • d) in the semiconductor layer ( 6 ) the transverse channels ( 9 ) run perpendicular to the layer structure,
  • e) the semiconductor layer ( 6 ) is followed in the region of the strip of the active layer ( 3 ) by a highly doped layer ( 10 ) which is strip-shaped and which is arranged such that the active layer ( 3 ) is shaded by the highly doped layer ( 10 ) lies,
  • f) on the semiconductor layer ( 6 ) and the highly doped layer ( 10 ) is followed by the structured metal contact ( 11 ), which completely covers the highly doped layer ( 10 ), which leaves the transverse channels ( 9 ) in the semiconductor layer ( 6 ) open and which allows contacting of the laser diode laterally from the active layer ( 3 ).
5. Laserdiode nach Anspruch 4, dadurch gekenn­ zeichnet, daß auf die Halbleiterschicht (6) außer­ halb des Bereichs der hochdotierten Schicht (10) eine Oxid­ schicht folgt.5. Laser diode according to claim 4, characterized in that an oxide layer follows on the semiconductor layer ( 6 ) outside half of the region of the highly doped layer ( 10 ). 6. Verfahren zur Herstellung einer Laserdiode mit vergrabener aktiver Schicht, Doppelheterostruktur und seitlicher Strombe­ grenzung, die mindestens eine streifenförmige aktive Schicht zwischen einer Pufferschicht und einer Halbleiterschicht und Metallkontakte, die auf gegenüberliegenden Seiten des Schicht­ aufbaus so angebracht sind, daß die aktive Schicht dazwischen liegt, enthält, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die Pufferschicht (2) und die Halbleiterschicht (6, 6′) laterale Kanäle (8, 8′) geätzt werden.6. A method for producing a laser diode with buried active layer, double heterostructure and lateral Strombe limitation, the at least one strip-shaped active layer between a buffer layer and a semiconductor layer and metal contacts, which are attached on opposite sides of the layer structure so that the active layer lies between them , contains, characterized in that between the buffer layer ( 2 ) and the semiconductor layer ( 6 , 6 ′) lateral channels ( 8 , 8 ′) are etched. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß bei der Herstellung des Schichtauf­ baus auf die Pufferschicht (2) eines ersten Halbleiterma­ terials seitlich zur aktiven Schicht (3) eine Zwischenschicht (13) aus einem zweiten Halbleitermaterial aufgebracht wird, daß in die darüber liegende Halbleiterschicht (6) transversale Kanäle (9) senkrecht zum Schichtaufbau bis auf die Zwischen­ schicht (13) geätzt werden und daß die lateralen Kanäle (8) durch teilweises Wegätzen der Zwischenschicht (13) mit einer selektiv wirksamen Säure erzeugt werden. 7. The method according to claim 6, characterized in that in the manufacture of the layer structure on the buffer layer ( 2 ) of a first semiconductor material laterally to the active layer ( 3 ), an intermediate layer ( 13 ) is applied from a second semiconductor material that in the Overlying semiconductor layer ( 6 ) transverse channels ( 9 ) are etched perpendicular to the layer structure up to the intermediate layer ( 13 ) and that the lateral channels ( 8 ) are generated by partially etching away the intermediate layer ( 13 ) with a selectively effective acid. 8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, gekenn­ zeichnet durch folgende Schritte:
  • a) auf eine Grundstruktur, die mindestens ein Substrat (1) und die Pufferschicht (2) aus einem ersten Halbleitermaterial ent­ hält, wird eine aktive Schicht (3) aufgebracht,
  • b) auf die aktive Schicht (3) wird eine obere Schicht (4) auf­ gebracht,
  • c) die aktive Schicht (3) und die obere Schicht (4) werden mit Hilfe einer Maske in Streifenform geätzt,
  • d) auf die Flanken der aktiven Schicht (3) und der oberen Schicht (4) werden seitliche Schichten (5) aufgebracht,
  • e) seitlich von der aktiven Schicht (3), der oberen Schicht (4) und den seitlichen Schichten (5) wird eine Zwischenschicht (13) aufgebracht, die mindestens bis an die obere Kante der aktiven Schicht (3) heranreicht,
  • f) auf die Zwischenschicht (13) wird die Halbleiterschicht (6) aufgebracht,
  • g) auf die Halbleiterschicht (6) wird eine hochdotierte Schicht (10) aufgebracht,
  • h) mit Hilfe einer Maske wird die hochdotierte Schicht (10) so in Streifenform geätzt, daß die aktive Schicht (3) im Schatten des Streifens liegt,
  • i) mit Hilfe einer Maske werden in die Halbleiterschicht (6) seitlich von der hochdotierten Schicht (10) senkrecht zu den Schichten verlaufende transversale Kanäle (9) bis auf die Zwischenschicht (13) geätzt,
  • j) die Zwischenschicht (13) wird mit einer selektiv wirksamen Säure bis zu den seitlichen Schichten (5) weggeätzt,
  • k) die Laserdiode wird auf der dem Substrat (1) abgewandten Seite mit einem strukturierten Metallkontakt (11) versehen, der die hochdotierte Schicht (10) ganz bedeckt, der die transver­ salen Kanäle (9) offen läßt und der eine Kontaktierung der Laserdiode außerhalb des Bereichs der hochdotierten Schicht zu­ läßt.
8. The method according to claim 6 or 7, characterized by the following steps:
  • a) an active layer ( 3 ) is applied to a basic structure which contains at least one substrate ( 1 ) and the buffer layer ( 2 ) made of a first semiconductor material,
  • b) an upper layer ( 4 ) is applied to the active layer ( 3 ),
  • c) the active layer ( 3 ) and the upper layer ( 4 ) are etched using a mask in the form of a strip,
  • d) lateral layers ( 5 ) are applied to the flanks of the active layer ( 3 ) and the upper layer ( 4 ),
  • e) an intermediate layer ( 13 ) is applied to the side of the active layer ( 3 ), the upper layer ( 4 ) and the lateral layers ( 5 ), which extends at least to the upper edge of the active layer ( 3 ),
  • f) the semiconductor layer ( 6 ) is applied to the intermediate layer ( 13 ),
  • g) on the semiconductor layer (6), a highly doped layer (10) is applied,
  • h) with the aid of a mask, the highly doped layer ( 10 ) is etched in the form of a strip so that the active layer ( 3 ) lies in the shadow of the strip,
  • i) using a mask are etched into the semiconductor layer (6) on the side of the highly doped layer (10) perpendicular to the layers extending transverse channels (9) up to the intermediate layer (13),
  • j) the intermediate layer ( 13 ) is etched away with a selectively active acid to the side layers ( 5 ),
  • k) the laser diode is provided on the side facing away from the substrate ( 1 ) with a structured metal contact ( 11 ) which completely covers the highly doped layer ( 10 ), which leaves the transversal channels ( 9 ) open and which makes contact with the laser diode outside of the region of the highly doped layer.
9. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, gekennzeich­ net durch folgende Schritte:
  • a) auf eine Grundstruktur, die mindestens ein Substrat (1) und die Pufferschicht (2) aus einem ersten Halbleitermaterial ent­ hält, wird eine aktive Schicht (3) aufgebracht,
  • b) auf die aktive Schicht (3) wird eine obere Schicht (4) auf­ gebracht,
  • c) die aktive Schicht (3) und die obere Schicht (4) werden mit Hilfe einer Maske in Streifenform geätzt,
  • d) auf die Flanken der aktiven Schicht (3) und der oberen Schicht (4) werden seitliche Schichten (5) aufgebracht,
  • e) seitlich von der aktiven Schicht (3), der oberen Schicht (4) und den seitlichen Schichten (5) wird eine Zwischenschicht (13) aufgebracht, die mindestens bis an die obere Kante der oberen Schicht (4) heranreicht,
  • f) auf die Zwischenschicht (13) wird die Halbleiterschicht (6) aufgebracht,
  • g) auf die Halbleiterschicht (6) wird eine hochdotierte Schicht (10) aufgebracht,
  • h) mit Hilfe einer Maske wird die hochdotierte Schicht (10) so in Streifenform geätzt, daß die aktive Schicht (3) im Schatten des Streifens liegt,
  • i) die Halbleiterschicht (6) und die hochdotierte Schicht (10) werden so mit einem strukturierten Metallkontakt (11) versehen, daß die hochdotierte Schicht (10) ganz bedeckt ist, daß auf beiden Seiten der hochdotierten Schicht (10) die Halbleiter­ schicht (6) offen bleibt und daß eine Kontaktierung der Laser­ diode außerhalb des Bereichs der hochdotierten Schicht (10) möglich ist,
  • j) in die Halbleiterschicht (6) werden seitlich von der hoch­ dotierten Schicht (10) senkrecht zu den Schichten transver­ sale Kanäle (9) geätzt, wobei der strukturierte Metallkontakt (11) als Maske dient,
  • k) die Zwischenschicht (13) wird mit einer selektiv wirksamen Säure bis zu den seitlichen Schichten (5) weggeätzt.
9. The method according to claim 6 or 7, marked net by the following steps:
  • a) an active layer ( 3 ) is applied to a basic structure which contains at least one substrate ( 1 ) and the buffer layer ( 2 ) made of a first semiconductor material,
  • b) an upper layer ( 4 ) is applied to the active layer ( 3 ),
  • c) the active layer ( 3 ) and the upper layer ( 4 ) are etched using a mask in the form of a strip,
  • d) lateral layers ( 5 ) are applied to the flanks of the active layer ( 3 ) and the upper layer ( 4 ),
  • e) an intermediate layer ( 13 ) is applied to the side of the active layer ( 3 ), the upper layer ( 4 ) and the lateral layers ( 5 ), which extends at least to the upper edge of the upper layer ( 4 ),
  • f) the semiconductor layer ( 6 ) is applied to the intermediate layer ( 13 ),
  • g) on the semiconductor layer (6), a highly doped layer (10) is applied,
  • h) with the aid of a mask, the highly doped layer ( 10 ) is etched in the form of a strip so that the active layer ( 3 ) lies in the shadow of the strip,
  • i) the semiconductor layer ( 6 ) and the highly doped layer ( 10 ) are provided with a structured metal contact ( 11 ) in such a way that the highly doped layer ( 10 ) is completely covered so that the semiconductor layer is on both sides of the highly doped layer ( 10 ) 6 ) remains open and that contacting of the laser diode is possible outside the region of the highly doped layer ( 10 ),
  • j) etching channels ( 9 ) into the semiconductor layer ( 6 ) laterally from the highly doped layer ( 10 ) perpendicular to the layers, the structured metal contact ( 11 ) serving as a mask,
  • k) the intermediate layer ( 13 ) is etched away with a selectively active acid to the side layers ( 5 ).
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Halbleiterschicht (6) außerhalb des Bereichs der hochdotierten Schicht (10) eine Oxidschicht aufgebracht wird. 10. The method according to any one of claims 6 to 9, characterized in that an oxide layer is applied to the semiconductor layer ( 6 ) outside the region of the highly doped layer ( 10 ). 11. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß di-e seitlichen Schichten (5) mindestens bis an die Unterkante der oberen Schicht (4) und höchstens bis an die Oberkante der oberen Schicht (4) heran­ reichen.11. The method according to any one of claims 6 to 10, characterized in that di-e lateral layers ( 5 ) at least up to the lower edge of the upper layer ( 4 ) and at most up to the upper edge of the upper layer ( 4 ). 12. Verfahren nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
  • a) auf ein Substrat (1) wird die Pufferschicht (2), die aktive Schicht (3) und eine obere Schicht (4) aufgebracht,
  • b) in die obere Schicht (4) und die aktive Schicht (3) werden parallele Kanäle (16) bis auf die Pufferschicht (2) so geätzt, daß zwischen den parallelen Kanälen (16) die aktive Schicht (3) und die obere Schicht (4) in Form eines Streifens (17) stehen bleiben,
  • c) die Struktur wird mit einer weiteren Halbleiterschicht (6′) so überwachsen, daß die parallelen Kanäle (16) aufgefüllt werden und daß die Struktur überschichtet wird,
  • d) auf die weitere Halbleiterschicht (6′) wird eine weitere hochdotierte Schicht (10′) aufgebracht,
  • e) die weitere hochdotierte Schicht (10′) wird so in Streifen­ form geätzt, daß die seitlichen Bereiche freigelegt werden und daß der Streifen (17) im Schatten der weiteren hochdotierten Schicht (10′) liegt,
  • f) mit Hilfe einer Maske werden in die weitere Halbleiter­ schicht (6′) seitlich des Streifens (17) außerhalb der paralle­ len Kanäle (16) senkrecht zu den Schichten verlaufende, weitere transversale Kanäle (9′) bis auf die aktive Schicht (3) geätzt,
  • g) die aktive Schicht (3) wird mit einer selektiv wirksamen Säure bis zu den aufgefüllten, parallelen Kanälen (16) wegge­ ätzt,
  • h) die Laserdiode wird auf der dem Substrat (1) abgewandten Seite mit einem weiteren strukturierten Metallkontakt (11′) versehen, der die weitere hochdotierte Schicht (10′) ganz be­ deckt, der die weiteren transversalen Kanäle (9′) offenläßt und der eine Kontaktierung der Laserdiode außerhalb des Bereichs der weiteren hochdotierten Schicht (10′) zuläßt.
12. The method according to claim 6, characterized by the following steps:
  • a) the buffer layer ( 2 ), the active layer ( 3 ) and an upper layer ( 4 ) are applied to a substrate ( 1 ),
  • b) in the upper layer ( 4 ) and the active layer ( 3 ) parallel channels ( 16 ) are etched except for the buffer layer ( 2 ) so that between the parallel channels ( 16 ) the active layer ( 3 ) and the upper layer ( 4 ) remain in the form of a strip ( 17 ),
  • c) the structure is overgrown with a further semiconductor layer ( 6 ′) in such a way that the parallel channels ( 16 ) are filled in and that the structure is overlaid,
  • d) on the further semiconductor layer (6 ') is a further highly doped layer (10' applied)
  • e) the further highly doped layer ( 10 ') is etched into strips in such a way that the lateral areas are exposed and that the strip ( 17 ) lies in the shadow of the further highly doped layer ( 10 '),
  • f) with the help of a mask in the further semiconductor layer ( 6 ') to the side of the strip ( 17 ) outside the parallel channels ( 16 ) perpendicular to the layers, further transverse channels ( 9 ') except for the active layer ( 3rd ) etched,
  • g) the active layer ( 3 ) is etched away with a selectively active acid up to the filled parallel channels ( 16 ),
  • h) the laser diode is provided on the side facing away from the substrate ( 1 ) with a further structured metal contact ( 11 ') which completely covers the further highly doped layer ( 10 '), which leaves the further transverse channels ( 9 ') open and the contacting the laser diode outside the region of the further highly doped layer ( 10 ') allows.
13. Verfahren nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
  • a) auf ein Substrat (1) wird die Pufferschicht (2), die aktive Schicht (3) und eine obere Schicht (4) aufgebracht,
  • b) in die obere Schicht (4) und die aktive Schicht (3) werden parallele Kanäle (16) bis auf die Pufferschicht (2) so geätzt, daß zwischen den parallelen Kanälen (16) die aktive Schicht (3) und die obere Schicht (4) in Form eines Streifens (17) bestehen bleiben,
  • c) die Struktur wird mit einer weiteren Halbleiterschicht (6′) so überwachsen, daß die parallelen Kanäle (16) aufgefüllt werden und daß die Struktur überschichtet wird,
  • d) auf die weitere Halbleiterschicht (6′) wird eine weitere hochdotierte Schicht (10′) aufgebracht,
  • e) die weitere hochdotierte Schicht (10′) wird so in Streifen­ form geätzt, daß die seitlichen Bereiche freigelegt werden und daß der Streifen (17) im Schatten der weiteren hochdotierten Schicht (10′) liegt,
  • f) die weitere Halbleiterschicht (6′) und die weitere hochdo­ tierte Schicht (10′) werden so mit einem weiteren strukturier­ ten Metallkontakt (11′) versehen, daß die weitere hochdotierte Schicht (10′) ganz bedeckt ist, daß auf beiden Seiten der weiteren hochdotierten Schicht (10′) die weitere Halbleiter­ schicht (6′) offen bleibt und daß eine Kontaktierung der Laser­ diode außerhalb des Bereichs der weiteren hochdotierten Schicht (10′) möglich ist,
  • g) in die weitere Halbleiterschicht (6′) werden seitlich des Streifens (17) außerhalb der aufgefüllten parallelen Kanäle (16) senkrecht zu den Schichten weitere transversale Kanäle (9′) geätzt, wobei der weitere strukturierte Metallkontakt (11′) als Maske dient,
  • h) die aktive Schicht (3) wird mit einer selektiv wirksamen Säure bis zu den aufgefüllten, parallelen Kanälen (16) wegge­ ätzt.
13. The method according to claim 6, characterized by the following steps:
  • a) the buffer layer ( 2 ), the active layer ( 3 ) and an upper layer ( 4 ) are applied to a substrate ( 1 ),
  • b) in the upper layer ( 4 ) and the active layer ( 3 ) parallel channels ( 16 ) are etched except for the buffer layer ( 2 ) so that between the parallel channels ( 16 ) the active layer ( 3 ) and the upper layer ( 4 ) remain in the form of a strip ( 17 ),
  • c) the structure is overgrown with a further semiconductor layer ( 6 ′) in such a way that the parallel channels ( 16 ) are filled in and that the structure is overlaid,
  • d) on the further semiconductor layer (6 ') is a further highly doped layer (10' applied)
  • e) the further highly doped layer ( 10 ') is etched into strips in such a way that the lateral areas are exposed and that the strip ( 17 ) lies in the shadow of the further highly doped layer ( 10 '),
  • f) the further semiconductor layer ( 6 ') and the further highly doped layer ( 10 ') are provided with a further structured metal contact ( 11 ') that the further highly doped layer ( 10 ') is completely covered, that on both sides the further highly doped layer ( 10 ') the further semiconductor layer ( 6 ') remains open and that contacting of the laser diode is possible outside the region of the further highly doped layer ( 10 '),
  • g) in the further semiconductor layer ( 6 ') to the side of the strip ( 17 ) outside the filled parallel channels ( 16 ) perpendicular to the layers further transverse channels ( 9 ') are etched, the further structured metal contact ( 11 ') serving as a mask ,
  • h) the active layer ( 3 ) is etched away with a selectively active acid up to the filled, parallel channels ( 16 ).
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