DE3638838A1 - Recording carrier and process for writing, reading and erasing information in this carrier - Google Patents
Recording carrier and process for writing, reading and erasing information in this carrierInfo
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft einen Informationsträger, welcher insbe sondere für den Einsatz als Datenspeicher in Computersystemen und in der digitalen Audio-Aufzeichnung geeignet ist, und ein Verfahren zum Schreiben, Lesen und Löschen einer Informa tionsspur.The invention relates to an information carrier, in particular especially for use as data storage in computer systems and is suitable in digital audio recording, and a Procedure for writing, reading and deleting information tion track.
Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf einen Aufzeich nungsträger, bei dem die Speicherung der optisch geschriebenen Information im Inneren einer ladungsspeichernden Schicht er folgt, in der eine örtliche Verschiebung der gespeicherten Ladung nicht möglich ist und bei dem die Auslesung der gespei cherten Information durch Modulation des Leselichtes in einer optisch aktiven Schicht erfolgt.In particular, the invention relates to a record in which the storage of the optically written Information inside a charge storage layer follows, in which a local shift of the stored Charging is not possible and the reading of the stored information by modulating the reading light in a optically active layer takes place.
Ausgelöst durch die in den letzten Jahren erreichten erheblichen Fortschritte in der Computertechnik bezüglich der Geschwindig keit und Miniaturisierung wurden erhebliche Anstrengungen un ternommen, Informationsspeichersysteme zu entwickeln, welche kostengünstig und kompatibel mit den hohen Datenübertragungsra ten der neuen Computersysteme sind. Diese Entwicklungen waren zu einem erheblichen Teil auf die Entwicklung von optischen Plat tenspeichersystemen wegen deren kurzen Zugriffszeiten, hohen Speicherdichten und deren niedriger Kosten gerichtet. Bis heute wurden verschiedene Materialien für optische Platten entwickelt, jedoch haben diese meist den Nachteil, daß die Information dauerhaft gespeichert wird und nicht editiert bzw. gelöscht werden kann (vgl. Bartolini et al ,IEEE Spectrum, S. 20- 28, August 1978).Triggered by the considerable achievements in recent years Advances in computer technology regarding speed Effort and miniaturization have been significant efforts to develop information storage systems which inexpensive and compatible with the high data transmission rates ten of the new computer systems. These developments were too a significant part in the development of optical plat storage systems because of their short access times, high Storage densities and their lower costs are addressed. Til today various materials for optical disks have been developed, however, these usually have the disadvantage that the information is saved permanently and is not edited or deleted (Bartolini et al, IEEE Spectrum, p. 20- August 28, 1978).
Materialien, die Ausnahmen von dieser Regel bilden, fallen in die folgenden Gruppen: Thermoplaste, photochromatische Materia lien, magnetooptische Materialien, photoferroelektrische Materia lien, photoleitfähige/elektrooptische Materialien und Flüssig kristallmaterialien.Materials that are exceptions to this rule fall into the following groups: thermoplastics, photochromic materia lien, magneto-optical materials, photoferroelectric materials lien, photoconductive / electro-optical materials and liquid crystal materials.
Jede dieser Gruppen von Materialien hat erhebliche Nach teile. Beispielsweise erfordern Thermoplaste wie Polyvinylkar bozol/Polystyren eine Vorbelichtungs-Koronaentladung. Zusätzlich ergibt sich eine lange Löschzeit, ein niedriges Kontrastverhält nis und eine kurze Lebensdauer von ca. 100 Zyklen. Photochroma tische Materialien wie Spiropyron erfordern typischerweise blaues oder ultraviolettes Licht zum Schreiben und/oder zum Löschen und sind daher nicht mit den herkömmlichen Halbleiterla sern kompatibel. Außerdem zeigen die meisten photochromatischen Materialien Ermüdungserscheinungen und die gespeicherten Daten neigen dazu, schon nach wenigen Minuten zu verschwinden. Magne tooptische Materialien, beispielsweise Bi4Ti3O12, erfordern Einkristalle, welche in großen Flächen schwierig herzustellen sind. Großflächige Photoferroelektrische Materialien können als Keramikkörper hergestellt werden, leiden jedoch unter Mate rialermüdung. Photoleitfähige/Elektrooptische Materialien, wie Bi12SiO20 haben begrenzte Datenspeicherzeiten in der Größenordnung von einigen Stunden und erfordern auch Einkristal le. Magnetooptische Materialien, beispielsweise Eisengranate der seltenen Erden, erfordern üblicherweise ein größeres Magnetfeld und haben hohe optische Einführverluste. Flüssigkristallmateria lien haben den Nachteil, daß eine örtliche Fixierung der ge speicherten Daten bei den zum Ein- und Auslesen erforderlichen hohen Beschleunigungen schwer zu realisieren ist.Each of these groups of materials has significant after parts. For example, thermoplastics such as polyvinyl carbozol / polystyrene require a pre-exposure corona discharge. In addition, there is a long deletion time, a low contrast ratio and a short lifespan of approx. 100 cycles. Photochromic materials such as spiropyron typically require blue or ultraviolet light for writing and / or erasing, and are therefore not compatible with conventional semiconductor lasers. In addition, most photochromatic materials show signs of fatigue and the stored data tend to disappear after a few minutes. Magnetic tooptic materials, such as Bi 4 Ti 3 O 12 , require single crystals, which are difficult to manufacture in large areas. Large-area photoferroelectric materials can be produced as ceramic bodies, but suffer from material fatigue. Photoconductive / electro-optical materials such as Bi 12 SiO 20 have limited data storage times on the order of a few hours and also require single crystals. Magneto-optical materials, such as rare earth iron grenades, typically require a larger magnetic field and have high optical insertion losses. Liquid crystal materials have the disadvantage that a local fixation of the stored data is difficult to achieve with the high accelerations required for reading in and reading out.
Ziel der Erfindung ist es, einen scheibenförmigen Aufzeich nungsträger mit hoher Lebensdauer und hoher Speicherdichte zu schaffen, wobei die zu speichernde Information mit bereits verfügbaren Halbleiterlasern selektiv zu schreiben oder zu löschen sein soll.The aim of the invention is to create a disc-shaped record carrier with a long service life and high storage density create, the information to be stored with already selectively write or write available semiconductor lasers should be deleted.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch einen Aufzeichnungsträ ger gemäß dem Oberbegriff gelöst, der eine elektrooptische Schicht, eine lichtdurchlässige Schreib- und Löschelektrode, eine reflektierende Schreib- und Löschelektrode, eine ladungsspei chernde Schicht, zwei isolierende Schichten, eine Polarisator schicht, eine Filterschicht und einen Träger sowie eine Schutzschicht aufweist.According to the invention, the task is performed by a recording medium ger solved according to the preamble, which is an electro-optical Layer, a translucent write and erase electrode, a reflective write and erase electrode, a charge memory protective layer, two insulating layers, one polarizer layer, a filter layer and a support and a Has protective layer.
Das Schreiben und Löschen einer Information erfolgt durch Anle gen einer elektrischen Spannung bestimmter Polarität an die Schreib- und Löschelektrode und pulsartiger Beleuchtung des Speicherelements mit Schreib- oder Löschlicht. Die Information liegt dann im Speicherelement in Form von gespeicherter Ladung vor. Die gespeicherten Ladungen erzeugen eine reversible Än derung des polarisationsoptischen Verhaltens der elektroopti schen Schicht, die zum Auslesen der gespeicherten Information genutzt wird. Die obengenannten Nachteile des Standes der Technik werden durch die funktionelle Trennung der zum Spei chern und Auslesen einer Information notwendigen Bauelemente vermieden.Anle writes and deletes information against an electrical voltage of certain polarity Write and erase electrode and pulsed lighting of the Memory element with write or erase light. The information then lies in the storage element in the form of stored charge in front. The stored charges create a reversible change change in the polarization-optical behavior of the electro-opti The layer used to read the stored information is being used. The above disadvantages of the prior art Technology becomes a memory by the functional separation of the and read out information necessary components avoided.
Anhand der folgenden detaillierten Beschreibung und der Zeichnungen wird die Erfindung besser verständlich und es ergeben sich die weiteren Merkmale. Es zeigtUsing the following detailed description and the The invention will be better understood in drawings and it the further characteristics result. It shows
Fig. 1 einen schematischen Schnitt durch einen Aufzeichnungsträ ger nach der Erfindung; Figure 1 is a schematic section through a record carrier ger according to the invention.
Fig. 2 eine Grafik zur Erläuterung des Schreib-Lese- und Lösch vorgangs; Fig. 2 is a graphic for explaining the read-write and delete process;
Fig. 3 einen Ausschnitt des Aufzeichnungsträgers gemäß der Er findung; Fig. 3 shows a section of the record carrier according to the invention;
Fig. 4a + b die möglichen Anordnungen der ladungsspeichernden Elemente. Fig. 4a + b the possible arrangements of the charge storage elements.
In Fig. 1, 2, 3 4a + b sind identische Elemente mit den gleichen Be zugszeichen versehen.In Fig. 1, 2, 3 4a + b, identical elements are provided with the same reference numerals.
Die hier beschriebene Speicheranordnung mit selektiver Löschung macht von einer lichtdurchlässigen Platte aus elektrooptischem Material und einer ladungsspeichernden Schicht Gebrauch. Beim beabsichtigten Anwendungsfall handelt es sich darum, durch se lektive Beleuchtung der Speicheranordnung ein der einzuspei chernden Information entsprechendes Ladungsmuster in der la dungsspeichernden Schicht zu erzeugen, welches durch Licht der gleichen Wellenlänge ausgelesen und nach Bedarf mit Licht der gleichen Wellenlänge selektiv wieder gelöscht werden kann.The memory arrangement described here with selective deletion makes from a translucent electro-optical plate Material and a charge-storing layer use. At the intended use case is to se selective illumination of the storage arrangement one of the infeed the corresponding charge pattern in the la generate storage layer, which by light of the read out the same wavelength and with light as required same wavelength can be selectively deleted.
Fig. 1 zeigt einen tangentialen Schnitt durch einen Teil der Informationsspur, die durch die Anordnung der ladungsspeichern den Elemente (123) gebildet wird und soll den Aufbau und die Funktion der dargestellten Schichten näher erläutern. Fig. 1 shows a tangential section through part of the information track, which is formed by the arrangement of the charge storage elements ( 123 ) and is intended to explain the structure and function of the layers shown in more detail.
Fig. 3 zeigt eine Aufsicht auf einen Sektor eines Aufzeich nungsträgers nach der Erfindung. Alle in Fig. 1 dargestellten Schichten und Filme erstrecken sich über den gesamten, zur Auf zeichnung von Information verwendeten Bereich des Aufzeich nungsträgers. Die einzelnen ladungsspeichernden Elemente (123) sind vollständig gegeneinander isoliert in der Isolatorschicht (122) eingebettet und z. B. so angeordnet, daß sich eine Infor mationsspur ergibt, die spiralförmig, mit einem Abstand zu benachbarten Teilen der Informationsspur in der Größenordnung von 10 -6 m, ohne Unterbrechung vom äußersten Rand des zur Informationsspeicherung genutzten Bereichs bis zu seinem inne ren Rand verläuft (siehe Fig. 4b). Fig. 3 shows a plan view of a sector of a recording carrier according to the invention. All layers and films shown in FIG. 1 extend over the entire area of the recording medium used for recording information. The individual charge-storing elements ( 123 ) are completely insulated from one another and embedded in the insulator layer ( 122 ). B. arranged in such a way that there is an information track that spirals, with a distance to adjacent parts of the information track of the order of 10 -6 m, without interruption from the outermost edge of the area used for information storage to its inner edge ( see Fig. 4b).
Eine andere Möglichkeit besteht in der Anordnung der Speicher elemente in konzentrischen Ringen in Bezug auf die Achse des Aufzeichnungsträgers (Fig. 4a).Another possibility is the arrangement of the storage elements in concentric rings with respect to the axis of the record carrier ( Fig. 4a).
Die Schicht 101 dient zum Schutz des Aufzeichnungsträgers vor mechanischen Beschädigungen bei gleichzeitiger Durchlässigkeit für Schreib- Lese- und Löschlicht.The layer 101 serves to protect the record carrier from mechanical damage while permitting transmittance for write, read and erase light.
Die Schicht 102 besteht aus einem optischen Filter, der so bemessen ist, daß auf den Aufzeichnungsträger fallende Licht strahlung einer Wellenlänge, die kleiner ist als die des zum Schreiben, Lesen und Löschen verwendeten Lichtes, vollständig absorbiert wird (z. B. Filter vom Typ RG 610 der Firma Schott, Mainz).Layer 102 consists of an optical filter which is dimensioned such that light radiation of a wavelength which is smaller than that of the light used for writing, reading and erasing is completely absorbed on the recording medium (e.g. filters of the type RG 610 from Schott, Mainz).
Die Schicht 103 besteht aus einem Polarisator, der eintretende Lichtstrahlung vollständig linear polarisiert. Schicht 102 und 103 sind in der Reihenfolge der Plazierung frei wählbar.Layer 103 consists of a polarizer that polarizes incoming light radiation completely linearly. Layers 102 and 103 are freely selectable in the order of placement.
Der Film 104 ist eine Elektrode, die eine möglichst geringe Absorption und Reflektion bei der zum Schreiben, Lesen und Löschen verwendeten Lichtwellenlänge aufweist, wobei die elek trische Außenkontaktierung von der technischen Ausführung des verwendeten Aufzeichnungsgerätes abhängt.The film 104 is an electrode which has the lowest possible absorption and reflection at the light wavelength used for writing, reading and erasing, the electrical external contact depending on the technical design of the recording device used.
Die Schicht 111 besteht aus einem geeigneten elektrooptischen Material (z. B. Sro.75Bao.25Nb2O6 siehe P.V. Lenzo et al, Appl. Phys. Letters, Vol. 11, Nr. 1, S. 23-24, 1967), das die Eigenschaft besitzt, unter dem Einfluß eines zwischen Elek trode 104 und Film 125 oder zwischen Elektrode 104 und den in den Elementen 123 gespeicherten Ladungen existierenden elektri schen Feldes, die Polarisationsrichtung eines einfallenden, durch Schicht 103 linear polarisierten Lichtstrahls zu drehen.The layer 111 consists of a suitable electro-optical material (e.g. Sro. 75 Bao. 25 Nb 2 O 6 see PV Lenzo et al, Appl. Phys. Letters, Vol. 11, No. 1, pp. 23-24, 1967), which has the property of rotating the direction of polarization of an incident light beam linearly polarized by layer 103 under the influence of an electric field existing between electrode 104 and film 125 or between electrode 104 and the charges stored in elements 123 .
Film 121, 122 und 124 mit den darin enthaltenen ladungsspei chenden Elementen 123 sind für die zum Schreiben, Lesen und Löschen benutzte Lichtwellenlänge transparent und bestehen aus einem Isolator, vorzugsweise aus SiO2 oder Si3N4.Film 121, 122 and 124 with the charge-storing elements 123 contained therein are transparent to the light wavelength used for writing, reading and erasing and consist of an insulator, preferably of SiO 2 or Si 3 N 4 .
Die ladungsspeichernden Elemente 123 sind in der Isolator schicht 122 eingebettet und werden von dieser gegeneinander und durch die Schicht 121 von den Schichten 111 und 104 und durch die Schicht 124 von der Schicht 125 elektrisch isoliert. Die Elemente 123 bestehen aus einem, charakterisiert durch seine Austrittsarbeit in Schicht 124 als geeignet erscheinenden Material (z. B. dotiertes Magnesium); ihre Dicke wird so gewählt, daß das zum Schreiben und Lesen verwendete Licht sie ohne Verluste passieren kann. Die Dicke der Elemente 123 entspricht der Dicke der Schicht 122.The charge-storing elements 123 are embedded in the insulator layer 122 and are electrically insulated therefrom from one another and by the layer 121 from the layers 111 and 104 and by the layer 124 from the layer 125 . The elements 123 consist of a material which is characterized by its work function in layer 124 and which appears to be suitable (eg doped magnesium); its thickness is chosen so that the light used for writing and reading can pass through it without loss. The thickness of the elements 123 corresponds to the thickness of the layer 122 .
Die Elektrode 125 besteht aus einem aufgrund seiner Austritts arbeit in Schicht 124 geeigneten Material, z. B. dotiertes Magnesium, und ihre Dicke wird so gewählt, daß ohne an Elek trode 104 und 125 angelegte elektrische Spannung, eine voll ständige Reflektion des Leselichts erfolgt.The electrode 125 consists of a material due to its work function in layer 124 , for. B. doped magnesium, and its thickness is chosen so that there is a full constant reflection of the reading light without elec trode 104 and 125 applied voltage.
Die Dicke der Schicht 111 ergibt sich aus der Forderung, daß der einfallende, linear polarisierte Lichtstrahl, bei gegebe ner, durch ein geladenes Element 123 in Schicht 111 erzeugten Feldstärke, eine Drehung seiner Polarisationsebene um 90° erfahren soll, wenn er, bedingt durch Reflektion an Schicht 125 die Schicht 111 zweimal durchläuft. Die Dicke der Schicht 121 ergibt sich aus der Transformation der elektrischen Feld stärke durch die verschiedenen Dielektrizitätskonstanten der Schichten 121 und 111. Durch die zur Erzeugung eines La dungstransportes benötigte elektrische Feldstärke wird dann die Dicke der Schicht 124 bestimmt.The thickness of the layer 111 results from the requirement that the incident, linearly polarized light beam, given a field strength generated by a charged element 123 in layer 111 , should undergo a rotation of its polarization plane by 90 ° if it is caused by reflection at layer 125, layer 111 passes through twice. The thickness of the layer 121 results from the transformation of the electrical field strength through the different dielectric constants of the layers 121 and 111 . The thickness of layer 124 is then determined by the electric field strength required to generate a charge transport.
Schicht 126 dient als Träger und sorgt für mechanische Stabili tät des Aufzeichnungsträgers.Layer 126 serves as a carrier and ensures mechanical stability of the recording medium.
Das Prinzip der Speicherung elektrischer Ladung in einer zwi schen zwei Isolatoren befindlichen Schicht ist schon seit län geren bekannt. Es wird extensiv zur Herstellung von elektrisch programmierbaren und mit ultraviolettem Licht löschbaren Halb leiterspeichern benutzt (siehe D. Fohman Bentchkowsky, Solid State Electronics 17, S. 517-529, 1974). Die dabei zur Anwendung kommenden Phänomene der Durchdringung elektrischer Ladungsträger durch eine isolierende Schicht wurden qualitativ und quantitativ sehr genau untersucht (C.M. Osburn et al, Journal of the Electrochem. Soc., Vol. 119, Nr. 5, S. 603-609, m.w.N.). The principle of storing electrical charge in a tw layer between two insulators has been around for a long time well known. It is used extensively to manufacture electrical Programmable half that can be erased with ultraviolet light conductor memory used (see D. Fohman Bentchkowsky, Solid State Electronics 17, pp. 517-529, 1974). The thereby Applying upcoming phenomena of electrical penetration Charge carriers through an insulating layer became qualitative and quantitatively examined very closely (C.M. Osburn et al, Journal of the Electrochem. Soc., Vol. 119, No. 5, pp. 603-609, m.w.N.).
Fig. 2 zeigt an einem schematischen Modell den Vorgang der Durchdringung der Isolatorschicht 124 durch negative La dungsträger. Um die Schicht 124 zu durchdringen, benötigt ein negativer Ladungsträger einen, von der Austrittsarbeit des in der Elektrode 125 oder des in den Elementen 123 verwendeten Materials abhängigen, genau bestimmten Energiebetrag. Diese Energie wird dem negativen Ladungsträger durch ein, zwischen Elektrode 104 und Elektrode 125 angelegtes elektrisches Feld und Belichtung der Elektrode 125 oder der Elemente 123 mit Schreib- oder Löschlicht zugeführt. Entscheidend ist dabei nicht die Intensität sondern die Wellenlänge des verwendeten Lichts. Die Richtung des Ladungstransports wird durch die Richtung des zwischen den Elektroden 104 und 125 angelegten elektrischen Feldes bestimmt; ein Ladungstransport ist sowohl von der Elektrode 125 zu den Elementen 123, wie auch von den Elementen 123 in Richtung der Elektrode 125 125 möglich. Fig. 2 shows a schematic model of the process of penetration of the insulator layer 124 by negative charge carriers. In order to penetrate the layer 124 , a negative charge carrier requires a precisely determined amount of energy, which depends on the work function of the material used in the electrode 125 or the material used in the elements 123 . This energy is supplied to the negative charge carrier by an electric field applied between electrode 104 and electrode 125 and exposure of the electrode 125 or the elements 123 with writing or erasing light. The decisive factor is not the intensity but the wavelength of the light used. The direction of charge transport is determined by the direction of the electric field applied between electrodes 104 and 125 ; charge transport is possible both from the electrode 125 to the elements 123 and from the elements 123 in the direction of the electrode 125 125 .
Zum Schreiben einer Information in den Aufzeichnungsträger wird an die Elektroden 104 und 125 eine elektrische Spannung ange legt, derart, daß sich Elektrode 104 auf positivem und Elek trode 125 auf negativem Potential befindet. Die Größe des durch die angelegte Spannung erzeugten Schreibfeldes wird so gewählt, daß ein Transport von Ladungsträgern von der Elek trode 125 zu den Elementen 123 durch die Schicht 124 nur dann stattfindet, wenn der entsprechende Bereich der Elektrode 125 mit einem, auf die Größe der Elemente 123 fokussierten Licht strahl der zum Schreiben verwendeten Lichtquelle beleuchtet wird. Dadurch kann bei geeigneter Rotation des Aufzeich nungsträgers und radialer Verschiebung der fokussierten Licht quelle in jedem Element 123 ein definierter Ladungszustand hergestellt werden.To write information in the record carrier, an electrical voltage is applied to the electrodes 104 and 125 , such that the electrode 104 is at the positive and the electrode 125 is at the negative potential. The size of the writing field generated by the applied voltage is chosen so that a transport of charge carriers from the electrode 125 to the elements 123 through the layer 124 only takes place if the corresponding area of the electrode 125 with a, on the size of the elements 123 focused light beam of the light source used for writing is illuminated. As a result, with a suitable rotation of the recording medium and radial displacement of the focused light source, a defined charge state can be produced in each element 123 .
Nach dem Abschalten des Schreibfeldes existiert durch die in den Elementen 123 gespeicherten Ladungen ein elektrisches Feld zwischen den Elementen 123 und der Elektrode 104. Die in den Elementen 123 gespeicherte Ladungsmenge kann durch die Dauer der zum Schreiben verwendeten Lichtpulse und die zwischen den Elektroden 104 und 125 angelegte Schreibspannung eingestellt werden. Dabei muß die gespeicherte Ladungsmenge so gewählt werden, daß ein linear polarisierter Lichtstrahl bei zweimali gem Durchlaufen der Schicht 111 eine Drehung seiner Polarisa tionsebene um insgesamt 90° erfährt.After the writing field has been switched off, an electric field exists between the elements 123 and the electrode 104 due to the charges stored in the elements 123 . The amount of charge stored in elements 123 can be adjusted by the duration of the light pulses used for writing and the writing voltage applied between electrodes 104 and 125 . The amount of charge stored must be selected so that a linearly polarized light beam undergoes a rotation of its polarization plane by a total of 90 ° when it passes through layer 111 .
Eine obere Schranke für die Menge der gespeicherten Ladung stellt die Bedingung dar, daß eine Selbstentladung zwischen den Elementen 123 durch die trennende Isolatorschicht 122 oder von den Elementen 123 zu den Elektroden 104 und 125 auch bei Beleuchtung mit Leselicht nicht eintreten darf. An upper limit for the amount of stored charge represents the condition that self-discharge between the elements 123 through the isolating insulator layer 122 or from the elements 123 to the electrodes 104 and 125 must not occur even when illuminated by reading light.
Das Lesen einer Information erfolgt bei abgeschaltetem Schreib feld. Dabei wird ein durch Schichten 101 und 102 eintretender Lichtstrahl durch Schicht 103 linear polarisiert, durchläuft die Schichten 104 bis 124, wird an der Elektrode 125 reflek tiert und passiert die Schichten 101-124 in umgekehrter Reihenfolge. Der Leselichtstrahl erfährt dabei eine Drehung seiner Polarisationsebene die vom Ladungszustand der Elemente 123 bestimmt wird. Diese Drehung der Polarisationsebene be dingt bei erneutem Passieren der Polarisatorschicht 103 eine Absorption oder Transmission des Leslichtstrahls in dieser Schicht.Information is read when the write field is switched off. A light beam entering through layers 101 and 102 is linearly polarized by layer 103 , passes through layers 104 to 124 , is reflected at electrode 125 and passes through layers 101 - 124 in the reverse order. The reading light beam experiences a rotation of its plane of polarization which is determined by the state of charge of the elements 123 . This rotation of the polarization plane requires absorption or transmission of the reading light beam in this layer when the polarizer layer 103 is passed again .
Beim Auslesen kann der Aufzeichnungsträger mit derselben fokus sierten Lichtquelle, die zum Schreiben benutzt wurde, abgetastet werden. Die Abtastung erfolgt mit Lichtstrahlung konstanter Intensität (diese braucht gegenüber der zum Schreiben verwen deten Intensität nicht geändert werden, da bei geeigneter Wahl der Menge der in den Elementen 123 gespeicherten Ladungen, das Einsetzen eines Transportes durch die Schicht 124 nicht von der Intensität, sondern von der Wellenlänge des verwendeten Lichtes abhängt). Durch das, durch den Schreibvorgang er zeugte Muster von geladenen und ungeladenen Elementen 123 er gibt sich für den abtastenden Lesestrahl ein Muster von reflek tierenden und absorbierenden Bereichen, das genau der in den Elementen 123 gespeicherten Information entspricht. Durch Ausblendung des reflektierten Leselichts aus dem Strahlengang der Lichtquelle und Auswertung seines Intensitätsverlaufs kann in Verbindung mit der Drehgeschwindigkeit des Aufzeich nungsträgers und der radialen Verschiebung der Leselichtquelle die eingespeicherte Information ausgelesen werden.When reading out, the record carrier can be scanned with the same focused light source that was used for writing. The scanning takes place with light radiation of constant intensity (this need not be changed compared to the intensity used for writing, since with a suitable choice of the amount of the charges stored in the elements 123 , the onset of transport through the layer 124 is not of the intensity but of depends on the wavelength of the light used). Due to the pattern created by the writing process of charged and uncharged elements 123 , there is a pattern of reflecting and absorbing areas for the scanning reading beam that corresponds exactly to the information stored in elements 123 . By hiding the reflected reading light from the beam path of the light source and evaluating its intensity profile, the stored information can be read out in conjunction with the rotational speed of the recording medium and the radial displacement of the reading light source.
Eine Löschung des in den Elementen 123 gespeicherten La dungsmusters durch einfallendes Licht beliebiger Wellenlänge (z. B. außerhalb des Aufzeichnungsgerätes) ist nicht möglich, da der Filter 102 Lichtstrahlung mit einer Wellenlänge die kleiner ist als die des zum Schreiben, Lesen oder Löschen verwendeten Lichtes, vollständig absorbiert.It is not possible to delete the charge pattern stored in the elements 123 by incident light of any wavelength (e.g. outside the recording device), since the filter 102 emits light radiation with a wavelength that is smaller than that of the light used for writing, reading or erasing , completely absorbed.
Das Löschen der im Aufzeichnungsträger gespeicherten Informa tionen ist auf zwei verschiedene Weisen möglich.The deletion of the information stored in the record carrier tion is possible in two different ways.
Zum Löschen des gesamten Aufzeichnungsträgers wird zwischen Elektrode 104 und 125 eine Spannung angelegt derart, daß Elektrode 104 sich auf negativem und Elektrode 125 auf positi vem Potential befindet und daß das elektrische Feld so groß ist, daß ein Transport von Ladungsträgern zwischen den Elementen 123 und der Elektrode 125 einsetzt. Wahlweise kann auch eine Beleuchtung des gesamten Aufzeichnungsträgers mit Licht der Schreibwellenlänge erfolgen; die zum Löschen notwendige Spannung erniedrigt sich dann. Es stellt sich in sämtlichen Elementen 123 ein definierter Ladungszustand ein, der ein erneutes Einspeichern einer Information ermöglicht.To erase the entire record carrier, a voltage is applied between electrodes 104 and 125 such that electrode 104 is at negative potential and electrode 125 is at positive potential and that the electric field is so large that a transport of charge carriers between elements 123 and Insert electrode 125 . Optionally, the entire record carrier can be illuminated with light of the write wavelength; the voltage required for extinguishing then decreases. A defined charge state is established in all elements 123 , which enables information to be stored again.
Zum selektiven Löschen einzelner Abschnitte der Informa tionsspur wird an die Elektroden 104 und 125 eine elektrische Spannung angelegt derart, daß Elektrode 104 sich auf negativem und Elektrode 125 sich auf positivem Potential befindet und daß das entstehende elektrische Feld nur in Verbindung mit auf die Größe der Elemente 123 fokussierten Löschlicht in der Lage ist einen Transport von Ladungen zwischen den Elementen 123 und der Elektrode 125 zu erzeugen. Durch Rotation des Aufzeich nungsträgers und die radiale Verschiebung der Lichtquelle ist somit eine selektive Löschung beliebiger Teile der Informa tionsspur möglich. In den selektiv gelöschten Bereichen stellt sich in allen Elementen 123 ein definierter La dungszustand ein, der ein erneutes Einspeichern ermöglicht. Da die zum Schreiben und Löschen verwendeten Prozesse gleich sind, ist die Löschgeschwindigkeit genauso groß wie die Schreib geschwindigkeit.For the selective deletion of individual sections of the information track, an electrical voltage is applied to the electrodes 104 and 125 such that electrode 104 is at negative and electrode 125 is at positive potential and that the resulting electric field is only in connection with the size of the elements 123 focused quenching light is able to generate a transport of charges between the elements 123 and the electrode 125 . By rotating the recording medium and the radial displacement of the light source, a selective deletion of any part of the information track is possible. In the selectively deleted areas, a defined charge state is set in all elements 123 , which enables a new saving. Since the processes used for writing and erasing are the same, the erasing speed is the same as the writing speed.
Zum Lesen nichtgelöschter Bereiche nach erfolgtem selektivem Löschvorgang muß das Löschfeld abgeschaltet werden. Das zum Schreiben, Lesen und Löschen verwendete Licht kann von dersel ben Wellenlänge sein (z. B. herkömmliche Halbleiterlaser).For reading undeleted areas after selective Delete process, the delete field must be switched off. That for Writing, reading and erasing light can be used by yourself ben wavelength (e.g. conventional semiconductor laser).
Die mit der Erfindung erzielbaren Vorteile beruhen auf der funktionellen und örtlichen Trennung von Speicherung und Aus lesung der Information sowie dem Prinzip der Speicherung von Ladungsträgern durch eine Kombination von elektrischem Feld und Lichtstrahlung.The advantages that can be achieved with the invention are based on the functional and local separation of storage and off reading the information and the principle of storing Charge carriers through a combination of an electric field and Light radiation.
Einer der Vorteile besteht in der Verwendbarkeit von nahezu jedem elektrooptisch aktiven Material und der Reduzierung der benötigten elektrischen Feldstärke durch zweimaliges Durchlau fen der elektrooptischen Schicht.One of the advantages is the usability of almost any electro-optically active material and the reduction of required electric field strength through two passages fen of the electro-optical layer.
Weiterhin befinden sich auf dem Aufzeichnungsträger keinerlei zur Adressierung einzelner Speicherzellen notwendige Bauelemen te. Eine Einzelkontaktierung entfällt damit. Dadurch ergibt sich im Vergleich zu herkömmlichen Informationsträgern, z. B. Halbleiterspeichern, eine wesentlich größere Speicherdichte.Furthermore, there are none on the record carrier Components necessary for addressing individual memory cells te. There is no need for individual contacting. This results in compared to conventional information carriers, e.g. B. Semiconductor memories, a much greater storage density.
Die Speicherdichte wird allein durch die Abmessung der Elemente 123 bestimmt. Aus der Literatur (Fohman Bentchkovsky, Sol. St. El. 1974, Vol. 17, S. 517-529) ergeben sich Speicherzei ten von über 10 Jahren.The storage density is determined solely by the dimension of the elements 123 . Literature (Fohman Bentchkovsky, Sol. St. El. 1974, Vol. 17, pp. 517-529) shows storage times of over 10 years.
Ein weiterer Vorteil ergibt sich durch die Verwendung derselben Lichtquelle zum Schreiben, Lesen und Löschen.Another advantage arises from using the same Light source for writing, reading and erasing.
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