DE3600531A1 - Device for producing single-crystal semiconductor material - Google Patents

Device for producing single-crystal semiconductor material

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Abstract

During production of single-crystal semiconductor rods from multi-crystal semiconductor rods, the semiconductor rod is inductively heated by means of a HF heating coil (2), so that a melting zone (7) is formed in the semiconductor rod. A constant magnetic field is set up in addition at the electrically conductive melting zone (7) and forms the pole shoes (4) of a constant field magnet (3) which is made of ferromagnetic material. To ensure that the high frequency alternating field which is generated in the pole shoes (4) by the HF heating coil (2) is unable to cause a high degree of eddy current loss, the said pole shoes (4) are coated with a layer (5) of a highly electrically conductive material. <IMAGE>

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Her­ stellen von einkristallinem Halbleitermaterial mit den Merkmalen:The invention relates to a device for manufacturing make of single crystal semiconductor material with the Features:

  • a) die Vorrichtung hat eine um eine vertikale Achse waagrecht angeordnete Hf-Heizspule mit einer zentralen Öffnung;a) the device has a about a vertical axis horizontally arranged RF heating coil with a central one Opening;
  • b) die Vorrichtung hat einen Gleichfeldmagneten mit Pol­ schuhen aus ferromagnetischem Material;b) the device has a DC field magnet with pole shoes made of ferromagnetic material;
  • c) die Polschuhe des Gleichfeldmagneten sind mindestens etwa symmetrisch zur Achse der Hf-Heizspule angeordnet;c) the pole shoes of the DC field magnet are at least approximately arranged symmetrically to the axis of the RF heating coil;
  • d) die Polschuhe des Gleichfeldmagneten sind in der Nähe der Hf-Heizspule angeordnet und stehen sich gegenüber.d) the pole shoes of the DC field magnet are near the RF heating coil arranged and facing each other.

Eine solche Vorrichtung ist z.B. im journal of Crystal Growth 62, 1983, auf den Seiten 523 bis 531 beschrieben. Die Vor­ richtung dient dazu, durch tiegelfreies Zonenziehen aus einem polykristallinen senkrecht angeordneten Halbleiterstab einen einkristallinen Halbleiterstab zu erzeugen. Die mit einem hochfrequenten Wechselstrom durchflossene Heizspule erzeugt in dem von ihr umschlossenen Raum ein sich schnell verändern­ des sehr starkes Magnetfeld, das wiederum ein elektrisches Wirbelfeld erzeugt. Umschließt die Heizspule z.B. einen Halbleiterstab, so führt das elektrische Wirbelfeld zur Er­ wärmung und schließlich zum Schmelzen des Halbleiterstabes. Durch Anlegen eines magnetischen Gleichfeldes an die elek­ trisch leitende Schmelze kann eine Wirbelstromdämpfung der Konvenktion in der Schmelze erreicht werden. Wird das Zonen­ ziehen z.B. dazu angewendet, um in einem Halbleiterstab mit ungleichmäßig verteilter Dotierung eine gleichmäßige Ver­ teilung des Dotierstoffes zu erzielen, so zeigt sich, daß das Anlegen eines magnetischen Gleichfeldes eine noch bessere Dotierstoffhomogenität des aus der Schmelze aus­ kristallisierenden Stoffes verursacht. Das heißt, daß der Dotierstoff sehr gleichmäßig über den gesamten Querschnitt des Halbleiterstabes verteilt ist. Das magnetische Gleich­ feld sorgt auch dafür, daß der durch das Zonenziehverfahren verursachte Widerstandsabfall längs der Halbleiterstabachse geringer wird.Such a device is e.g. in the journal of Crystal Growth 62, 1983, pages 523-531. The before direction is used by pulling the crucible free zone from one polycrystalline vertically arranged semiconductor rod to produce single-crystal semiconductor rod. The one generated high-frequency alternating current through the heating coil in the space enclosed by her, change quickly of the very strong magnetic field, which in turn is an electrical Vortex field generated. Encloses the heating coil e.g. one Semiconductor rod, so the electric vortex field leads to Er heating and finally for melting the semiconductor rod.  By applying a constant magnetic field to the elec Trically conductive melt can reduce the eddy current Convenience in the melt can be achieved. Will that be zones pull e.g. applied to using in a semiconductor rod unevenly distributed doping a uniform Ver To achieve division of the dopant, it turns out that applying a constant magnetic field one more better dopant homogeneity from the melt causes crystallizing substance. That means that the Dopant very evenly across the entire cross-section of the semiconductor rod is distributed. The magnetic equal field also ensures that by the zone pulling process caused resistance drop along the semiconductor rod axis becomes lower.

Da in unmittelbarer Nähe der Heizspule ein Gleichfeldmagnet angeordnet ist, führt das durch die Spule erzeugte hoch­ frequente Wechselfeld zu einer periodischen Änderung der Magnetisierung im Gleichfeldmagneten. Das hochfrequente Wechselfeld verursacht im Gleichfeldmagneten hohe Wirbel­ ströme. Dadurch entstehen hohe Wirbelstromverluste im Gleichfeldmagneten, die diesen stark erwärmen. Je wärmer die ferromagnetischen Polschuhe des Gleichfeldmagneten jedoch werden, desto mehr verliert der Gleichfeldmagnet seine das magnetische Gleichfeld erzeugenden Eigenschaften.Since a direct field magnet is in the immediate vicinity of the heating coil is arranged, the generated by the coil leads up Frequent alternating field for a periodic change of the Magnetization in DC magnetic field. The high frequency Alternating field causes high eddies in the direct field magnet currents. This creates high eddy current losses in the DC field magnets that heat it up strongly. The warmer they are ferromagnetic pole pieces of the DC field magnet, however the more the DC field magnet loses its magnetic direct field generating properties.

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe ist es, Wirbel­ stromverluste im Gleichfeldmagneten gering zu halten. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Pol­ schuhe des Gleichfeldmagneten mindestens auf der der Heiz­ spule zugewandten Seite mit einer geschlossenen Schicht aus einem Material hoher elektrischer Leitfähigkeit umkleidet werden.The object underlying the invention is vertebrae keep current losses in the DC field low. These The object is achieved in that the pole shoes of the constant field magnet at least on that of the heater side facing the coil with a closed layer a material with high electrical conductivity will.

Die Erfindung wird anhand zweier Ausführungsbeispiele im Zusammenhang mit den Fig. 1 bis 4 näher erläutert. Es zeigen:The invention is explained in more detail using two exemplary embodiments in connection with FIGS. 1 to 4. Show it:

Fig. 1 die erfindungsgemäße Anordnung von Heizspule und um­ kleideten Polschuhen des Permanentmagneten, Fig. 1, the inventive arrangement of the heating coil and to dressed pole shoes of the permanent magnet,

Fig. 2 die Aufsicht auf den Permanentmagneten, Fig. 3 die Anordnung der Polschuhe eines Elektromagneten in einer hohl ausgebildeten Heizspule, Fig. 4 die Aufsicht auf die Heizspule und den Elektromagne­ ten nach Fig. 3. Fig. 2 shows the top view of the permanent magnet, Fig. 3 shows the arrangement of the pole pieces of an electromagnet in a hollow heating coil, Fig. 4 a top view of the heating coil and the electromagnetic th of Fig. 3.

Die Anordnung nach Fig. 1 enthält eine um die vertikale Achse 1 waagrecht angeordnete Hf-Heizspule 2. Die Hf-Heiz­ spule 2 hat z.B. eine einzige Windung und eine zentrale Öffnung. Oberhalb der Heizspule 2 befindet sich der poly­ kristalline Halbleiterstab 6, im Spulenbereich die Schmelz­ zone 7, aus der unterhalb der Spule der Einkristall 8 auskristallisiert.The arrangement according to FIG. 1 contains an RF heating coil 2 arranged horizontally around the vertical axis 1 . The Hf heating coil 2 has, for example, a single turn and a central opening. Above the heating coil 2 is the polycrystalline semiconductor rod 6 , in the coil area the melting zone 7 , from which the single crystal 8 crystallizes out below the coil.

Unmittelbar unter der Hf-Heizspule 2 sind die Polschuhe 4 zweier halbringförmigen Permanentmagneten 3, die z.B. aus einer Aluminium-Nickel-Kobalt-Legierung oder Samarium-Ko­ balt-Legierung bestehen, angeordnet. Die Polschuhe 4 sind aus weichmagnetischem Material und symmetrisch zur Achse 1 an­ geordnet. Auch können die Polschuhe 4 als Permanentmagneten ausgebildet werden und der Außenring weichmagnetisch. Der Abstand von Hf-Heizspule 2 und Polschuhen 4 ist so gering, daß der untere Teil der Schmelzzone 7 noch von dem homogenen magnetischen Gleichfeld der Polschuhe 4 durchsetzt wird. Die Polschuhe 4 sind mit Kühlbohrungen 9 versehen, durch die Kühlflüssigkeit fließt. Damit nicht die gesamte Magnetanord­ nung in unmittelbarer Nähe der Schmelzzone 7 angeordnet wer­ den muß und sich dadurch stark erwärmen würde, sind die Pol­ schuhe 4 geneigt zum ringförmigen Permanentmagneten 3 angeordnet. Die Polschuhe 4 bilden einen zur Achse 1 symmetrischen Spalt und die Trennfläche zwischen Spalt und Polschuhen 4 verläuft parallel zur Stabachse, damit ein möglichst gut homogenes und waagrechtes Gleichfeld im Spalt erzeugt wird. Mindestens diejenigen Flächen der Polschuhe, die der Schmelzzone 7 und der Hf-Heizspule 2 zugewandt sind, sind mit einem Material hoher elektrischer Leitfähigkeit umkleidet. Diese Schicht 5 besteht z.B. aus Kupfer oder Silber. Es ist auch möglich, den gesamten Polschuh 4 mit einem solchen Material zu umkleiden.Immediately below the RF heating coil 2 , the pole pieces 4 of two semi-ring-shaped permanent magnets 3 , which consist for example of an aluminum-nickel-cobalt alloy or samarium-cobalt alloy, are arranged. The pole pieces 4 are made of soft magnetic material and arranged symmetrically to the axis 1 . The pole shoes 4 can also be designed as permanent magnets and the outer ring soft-magnetic. The distance from the RF heating coil 2 and pole pieces 4 is so small that the lower part of the melting zone 7 is still penetrated by the homogeneous magnetic DC field of the pole pieces 4 . The pole pieces 4 are provided with cooling bores 9 through which coolant flows. So that not the entire Magnetanord voltage in the immediate vicinity of the melting zone 7 who must and would heat up thereby, the pole shoes 4 are inclined to the annular permanent magnet 3 . The pole shoes 4 form a gap which is symmetrical to the axis 1 and the separating surface between the gap and the pole shoes 4 runs parallel to the rod axis, so that a DC field which is as homogeneous and horizontal as possible is generated in the gap. At least those surfaces of the pole shoes that face the melting zone 7 and the HF heating coil 2 are covered with a material of high electrical conductivity. This layer 5 consists, for example, of copper or silver. It is also possible to cover the entire pole piece 4 with such a material.

Beim Zonenziehen von dotierten polykristallinen Halbleiter­ stäben erzeugt die von hochfrequentem Wechselstrom durch­ flossene Hf-Heizspule 2 im Halbleiterstab eine Schmelzzone 7, aus der das geschmolzene Halbleitermaterial auskristalli­ siert. Um eine große Dotierstoffhomogenität des auszu­ kristallisierenden Stoffes, vorzugsweise dotiertes Silicium zu erreichen, wird die Schmelzzone 7 zusätzlich von einem Gleichfeld durchsetzt. Die Umkleidung der Polschuhe 4 mit einer leitenden Schicht 5, die z.B. aus Kupfer besteht, bewirkt eine Abschirmung der ferromagnetischen Polschuhe 4 vom hochfrequenten Wechselfeld der Hf-Heizspule 2. Die Abschirmwirkung beruht darauf, daß die magnetischen Feldlinien des Wechselfeldes auf die Kupferschicht treffen und dort Ströme auf ringförmigen Bahnen, sogenannte Wirbelströme, verursachen. Diese Wirbelströme erzeugen ihrerseits entgegengesetzt orientierte Magnetfeldlinien, die die hochfrequenten Feldlinien des Wechselfeldes im Kupferschichtnähe schwächen. Die Schwächung ist umso vollkommener, je besser die elektrische Leitfähigkeit des Abschirmmaterials ist, denn dann geht am wenigsten Energie in Form von Wärmeenergie verloren.When zoning doped polycrystalline semiconductors produces the high-frequency alternating current through flowing HF heating coil 2 in the semiconductor rod, a melting zone 7 , from which the molten semiconductor material crystallizes. In order to achieve a high dopant homogeneity of the substance to be crystallized, preferably doped silicon, the melting zone 7 is additionally penetrated by a constant field. The lining of the pole shoes 4 with a conductive layer 5 , which consists, for example, of copper, shields the ferromagnetic pole shoes 4 from the high-frequency alternating field of the RF heating coil 2 . The shielding effect is based on the fact that the magnetic field lines of the alternating field hit the copper layer and cause currents on annular paths, so-called eddy currents. These eddy currents in turn generate oppositely oriented magnetic field lines that weaken the high-frequency field lines of the alternating field in the vicinity of the copper layer. The weakening is all the more perfect the better the electrical conductivity of the shielding material, because then the least amount of energy is lost in the form of thermal energy.

Die Umkleidung der ferromagnetischen Polschuhe 4 mit einer Schicht 5 z.B. aus Kupfer oder Silber, beeinflußt das homogene Gleichfeld des Permanentmagneten 2 im Spalt zwischen den Polschuhen 4 nicht.The cladding of the ferromagnetic pole pieces 4 with a layer 5, for example made of copper or silver, does not influence the homogeneous direct field of the permanent magnet 2 in the gap between the pole pieces 4 .

Die Schicht 5 der Polschuhe 4 auf der der Hf-Heizspule 2 und der Schmelzzone 7 zugewandten Fläche verhindert damit, daß sehr hohe Wirbelstromverluste innerhalb der Polschuhe 4 entstehen. Damit wird eine Erhitzung der Polschuhe 4 durch Wirbelströme vermieden.The layer 5 of the pole shoes 4 on the surface facing the HF heating coil 2 and the melting zone 7 thus prevents very high eddy current losses from occurring within the pole shoes 4 . This prevents heating of the pole shoes 4 by eddy currents.

Es ist ebenso möglich, daß die Hf-Heizspule 2 aus mehreren übereinander angeordneten, parallel oder in Serie geschal­ teten Windungen besteht und die Polschuhe 4 des Gleich­ feldmagneten 3 zwischen den Windungen der Hf-Heizspule 2 angeordnet sind.It is also possible that the RF heating coil 2 consists of several superposed, parallel or in series switched windings and the pole pieces 4 of the same field magnet 3 are arranged between the turns of the RF heating coil 2 .

Die erfindungsgemäße Vorrichtung des in Fig. 3 und 4 darge­ stellten Ausführungsbeispiels ist mit einer Hf-Heizspule 14 versehen, die eine einzige Windung mit zentraler Öffnung aufweist. Die Hf-Heizspule 14 ist wieder waagrecht zur Achse 1 angeordnet. Sie hat die Gestalt eines rotationssymmetrischen geschlitzten Hohlkörpers. Der Querschnitt des Hohlkörpers hat die Form eines Trapezes, das zur zentralen Öffnung hin abgerundet ist. Die Hf-Heizspule 14 besteht z.B. aus Kupfer oder Silber. Die Außenwand 15 der wie beschrieben ausge­ bildeten Hf-Heizspule 14 weist zwei Öffnungen auf, in die die ferromagnetischen Polschuhe 4 eines Elektromagneten eingepaßt sind. Diese Öffnungen sind derart gestaltet, daß die Polschuhe 4 symmetrisch zur Stabachse angeordnet sind und die Polschuhe 4 des Elektromagneten ein homogenes magnetisches Gleichfeld in der Schmelzzone bilden.The device of the invention in FIGS . 3 and 4 Darge presented embodiment is provided with an RF heating coil 14 , which has a single turn with a central opening. The RF heating coil 14 is again arranged horizontally to axis 1 . It has the shape of a rotationally symmetrical slotted hollow body. The cross section of the hollow body has the shape of a trapezoid, which is rounded towards the central opening. The RF heating coil 14 is made of copper or silver, for example. The outer wall 15 of the like described on the formed Hf heating coil 14 has two openings into which the ferromagnetic pole pieces of an electromagnet 4 are fitted. These openings are designed in such a way that the pole pieces 4 are arranged symmetrically to the rod axis and the pole pieces 4 of the electromagnet form a homogeneous constant magnetic field in the melting zone.

Durch den Hohlraum der Hf-Heizspule 14 fließt ein Kühlmittel, das an einer Einlaßöffnung 10 und einer Austrittsöffnung 11 ein- bzw. ausläuft. Die Hf-Heizspule 14 wird dort auch mit hochfrequentem Wechselstrom gespeist. Die Polschuhe 4 sind mit Kühlbohrungen 9 versehen, durch die die Kühlflüssigkeit der Hf-Heizspule 14 fließt. Zwischen Außenwand der Hf-Heiz­ spule 14 und eingepaßten Polschuhen 4 ist eine Dichtung angeordnet, die der besseren Übersichtlichkeit wegen in Fig. 3 nicht dargestellt ist.A coolant flows through the cavity of the RF heating coil 14 and flows in and out at an inlet opening 10 and an outlet opening 11 . The RF heating coil 14 is also fed there with high-frequency alternating current. The pole pieces 4 are provided with cooling bores 9 through which the cooling liquid of the HF heating coil 14 flows. Between the outer wall of the RF heating coil 14 and fitted pole pieces 4 , a seal is arranged, which is not shown in Fig. 3 for better clarity.

Der Elektromagnet besteht aus einem U-förmigen weichmagne­ tischen Kern 13 und der Spule 12. An den Enden des Kerns 13 befinden sich die Polschuhe 4.The electromagnet consists of a U-shaped soft magnetic core 13 and the coil 12th The pole shoes 4 are located at the ends of the core 13 .

Die aus z.B. Kupfer oder Silber bestehende hohl ausgebilde­ te Hf-Heizspule 14 bewirkt selbst die Abschirmung des von ihr erzeugten hochfrequenten Wechselfeldes. Die Umkleidung der Polschuhe mit einem Material hoher elektrischer Leit­ fähigkeit erfolgt in diesem Ausführungsbeispiel dadurch, daß die Hf-Heizspule 14 hohl gestaltet ist und selbst die Pol­ schuhe umkleidet. Bei dieser vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung kann z.B. eine besondere Beschichtung der Polschuhe mit einem Material hoher elektrischer Leitfähigkeit entfallen. Die in die Hf-Heizspule 14 eingepaßten Polschuhe 4 sind nicht vom hochfrequenten Wechselfeld durchsetzt. Falls er­ forderlich, kann der Kern 13 in den spulennahen Bereichen auch von einem Material hoher Leitfähigkeit umkleidet werden.The existing, for example, copper or silver hollow te Hf heating coil 14 causes the shielding of the high-frequency alternating field generated by it. The cladding of the pole shoes with a material of high electrical conductivity is carried out in this embodiment in that the RF heating coil 14 is hollow and even the pole shoes. In this advantageous development of the invention, for example, a special coating of the pole shoes with a material with high electrical conductivity can be omitted. The pole shoes 4 fitted in the high-frequency heating coil 14 are not penetrated by the high-frequency alternating field. If necessary, the core 13 can also be clad in the areas near the coil by a material of high conductivity.

Die Anwendung der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist selbst­ verständlich nicht nur auf das Zonenziehen von Halbleiter­ stäben beschränkt. Vielmehr kann die erfindungsgemäße Vor­ richtung überall dort eingesetzt werden, wo ein hochfre­ quentes Wechselfeld zusammen mit einem Gleichfeld wechsel­ wirkungsfrei auf ein Substrat wirken soll. Die erfindungs­ gemäße Vorrichtung kann so z.B. auch beim Tiegelziehver­ fahren eingesetzt werden, falls die Beheizung durch Wirbel­ ströme erfolgt.The application of the device according to the invention is itself understandable not only on the zoning of semiconductors limited. Rather, the invention can direction can be used wherever a high frequency quent alternating field together with an alternating field should act without effect on a substrate. The fiction appropriate device can e.g. also with the crucible puller drive can be used if the heating by vortex flows.

Claims (10)

1. Vorrichtung zum Herstellen von einkristallinem Halbleiter­ material mit den Merkmalen:
  • a) die Vorrichtung hat eine um eine vertikale Achse (1) waagrecht angeordnete Hf-Heizspule (2) mit einer zen­ tralen Öffnung;
  • b) die Vorrichtung hat einen Gleichfeldmagneten (3) mit Pol­ schuhen (4) aus ferromagnetischem Material;
  • c) die Polschuhe (4) des Gleichfeldmagneten (3) sind mindes­ tens etwa symmetrisch zur Achse (1) der Hf-Heizspule (2) angeordnet;
  • d) die Polschuhe (4) des Gleichfeldmagneten (3) sind in der Nähe der Hf-Heizspule (2) angeordnet und stehen sich gegenüber;
  • gekennzeichnet durch das Merkmal:
  • e) die Polschuhe (4) des Gleichfeldmagneten (3) sind mindes­ tens auf der der Heizspule zugewandten Seite mit einer geschlossenen Schicht (5) aus einem Material hoher elektrischer Leitfähigkeit umkleidet.
1. Device for producing single-crystalline semiconductor material with the features:
  • a) the device has a horizontally arranged around a vertical axis ( 1 ) Hf heating coil ( 2 ) with a central opening;
  • b) the device has a DC field magnet ( 3 ) with pole shoes ( 4 ) made of ferromagnetic material;
  • c) the pole pieces ( 4 ) of the DC field magnet ( 3 ) are arranged at least approximately symmetrically to the axis ( 1 ) of the HF heating coil ( 2 );
  • d) the pole shoes ( 4 ) of the DC field magnet ( 3 ) are arranged in the vicinity of the HF heating coil ( 2 ) and face each other;
  • characterized by the characteristic:
  • e) the pole pieces ( 4 ) of the DC field magnet ( 3 ) are clad at least on the side facing the heating coil with a closed layer ( 5 ) made of a material with high electrical conductivity.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Material aus Kupfer be­ steht.2. Device according to claim 1, characterized ge indicates that the material made of copper be stands. 3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Material aus Silber be­ steht.3. Device according to claim 1, characterized ge indicates that the material is made of silver stands. 4. Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Gleich­ feldmagnet (3) ein Permanentmagnet aus einer Aluminium-Nickel- Kobalt-Legierung ist. 4. The device according to at least one of claims 1 to 3, characterized in that the constant field magnet ( 3 ) is a permanent magnet made of an aluminum-nickel-cobalt alloy. 5. Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Gleich­ feldmagnet (3) ein Permanentmagnet aus einer Samarium-Kobalt- Legierung ist.5. The device according to at least one of claims 1 to 4, characterized in that the DC field magnet ( 3 ) is a permanent magnet made of a samarium-cobalt alloy. 6. Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Gleich­ feldmagnet (3) ein Elektromagnet ist.6. The device according to at least one of claims 1 to 5, characterized in that the DC field magnet ( 3 ) is an electromagnet. 7. Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Hf- Heizspule (2) aus mehreren übereinander angeordneten, parallel oder in Serie geschalteten Windungen besteht und die Pol­ schuhe (4) des Gleichfeldmagneten (3) zwischen den Windungen der Hf-Heizspule (2) angeordnet sind.7. The device according to at least one of claims 1 to 6, characterized in that the HF heating coil ( 2 ) consists of a plurality of windings arranged one above the other, connected in parallel or in series, and the pole shoes ( 4 ) of the DC field magnet ( 3 ) between the windings the RF heating coil ( 2 ) are arranged. 8. Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Hf- Heizspule (14) hohl ausgebildet ist und die Polschuhe (4) des Gleichfeldmagneten (3) im Hohlraum der Hf-Heizspule (14) angeordnet sind.8. The device according to at least one of claims 1 to 7, characterized in that the RF heating coil is hollow (14) and the pole shoes (4) of the direct field magnets (3) in the hollow space of the RF heating coil are arranged (14). 9. Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Hf- Heizspule (14) selbst die Schicht (5) aus einem Material hoher elektrischer Leitfähigkeit bildet, die die Polschuhe (4) umkleidet.9. The device according to at least one of claims 1 to 8, characterized in that the high-frequency heating coil ( 14 ) itself forms the layer ( 5 ) made of a material of high electrical conductivity, which encloses the pole pieces ( 4 ). 10. Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Pol­ schuhe (4) des Gleichfeldmagneten (3) mit Kühlkanälen (9) versehen sind, die von Kühlflüssigkeit durchflossen werden können.10. The device according to at least one of claims 1 to 9, characterized in that the pole shoes ( 4 ) of the DC field magnet ( 3 ) are provided with cooling channels ( 9 ) through which cooling liquid can flow.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3805118A1 (en) * 1988-02-18 1989-08-24 Wacker Chemitronic METHOD FOR PULL-FREE ZONE DRAWING OF SEMICONDUCTOR RODS AND INDUCTION HEATING COIL FOR ITS IMPLEMENTATION
WO2001014610A2 (en) * 1999-08-25 2001-03-01 Nanogate Gmbh Method for modifying coating materials
CN102864491A (en) * 2012-08-28 2013-01-09 北京京运通科技股份有限公司 Preheating device and device translation system

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3805118A1 (en) * 1988-02-18 1989-08-24 Wacker Chemitronic METHOD FOR PULL-FREE ZONE DRAWING OF SEMICONDUCTOR RODS AND INDUCTION HEATING COIL FOR ITS IMPLEMENTATION
WO2001014610A2 (en) * 1999-08-25 2001-03-01 Nanogate Gmbh Method for modifying coating materials
WO2001014610A3 (en) * 1999-08-25 2001-05-10 Nanogate Gmbh Method for modifying coating materials
CN102864491A (en) * 2012-08-28 2013-01-09 北京京运通科技股份有限公司 Preheating device and device translation system
CN102864491B (en) * 2012-08-28 2015-08-12 北京京运通科技股份有限公司 A kind of primary heater unit and device translation system

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