DE3545350A1 - Method and arrangement for suppressing the charging of a sample which is scanned by a corpuscular beam consisting of charged particles - Google Patents

Method and arrangement for suppressing the charging of a sample which is scanned by a corpuscular beam consisting of charged particles

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Abstract

In order to improve the imaging properties of a scanning microscope attempts are always being made to prevent, or at least largely to suppress, the sample becoming charged. A solution of this problem is frequently additionally exacerbated if the secondary corpuscles released from the sample are sucked off the sample surface in a powerful external electrical field, in order to improve the signal-to-noise ratio. In order to suppress the positive charges induced by high suction fields, these fields are screened, according to the invention, with the aid of an electrode arrangement (AG) which is at earth potential, preferably a grid or mesh electrode, so that a space which is free of fields is produced immediately above the sample (PR). The secondary electrodes (SE) which pass through the plane of the grid are then additionally accelerated in the direction of the detector system (DT) but are no longer sucked off the sample (PR). In consequence, high positive charges are avoided. <IMAGE>

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Unterdrückung der Aufladung einer mit einem Korpuskularstrahl aus geladenen Teilchen abgetasteten Probe nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 sowie eine Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 3.The invention relates to a method for suppression charging one charged with a corpuscular beam Particle scanned sample according to the generic term of claim 1 and an arrangement for performing of the method according to the preamble of Claim 3.

Zur Abbildung und Vermessung von Strukturen in der Mikroelektronik und der integrierten Optik werden immer häufiger Rastermikroskope eingesetzt. Um eine unverzerrte Abbildung der im allgemeinen aus leitenden und nichtleitenden Materialkombinationen bestehenden Proben zu gewährleisten, müssen Aufladungen der nichtleitenden bzw. isoliert zur Umgebung angeordneten Oberflächenbereiche durch den abtastenden Primärstrahl vermieden werden.For mapping and measuring structures in the Microelectronics and integrated optics are always scanning microscopes used more often. To be undistorted Illustration of the generally from conductive and non-conductive Material combinations to existing samples ensure, charges of non-conductive or surface areas arranged isolated from the environment avoided by the scanning primary beam will.

Aus dem Stand der Technik ist bekannt, nicht- oder schlechtleitende Proben zur Erzeugung einer ausreichend hohen Oberflächen- bzw. Volumenleitfähigkeit mit einer dünnen Gold- oder Kohlenstoffschicht zu bedampfen. Eine solche Beschichtung ist allerdings nicht möglich, wenn die Probe nach ihrer Untersuchung im Rasterelektronenmikroskop wiederverwendet oder einer Weiterbehandlung unterworfen werden soll. Um auch nicht beschichtbare Proben, beispielsweise integrierte Schaltungen, weitgehend aufladungsfrei untersuchen zu können, werden Rasterelektronenmikroskope gegenwärtig im Niederspannungsbereich, d. h. bei kleinen Primärelektronenenergien betrieben, um eine Kompensation des auf die Probe auftreffenden Stromes der Primärelektronen durch den von der Probe ausgehenden Strom der Sekundär- und Rückstreuelektronen zumindest auf Teilbereichen der Oberfläche zu erreichen. Da die Elektronenenergie (Neutralpunktenergie), bei der man eine Kompensation der Ströme beobachtet, von der Materialzusammensetzung und der Oberflächenstruktur am Auftreffpunkt des Primärstrahles abhängt, existieren auf der Probe immer Bereiche, in denen die während der Messung meist konstantgehaltene Primärenergie von der jeweiligen Neutralpunktenergie abweicht. Dies führt zu unterwünschten Aufladungen, die den Primärstrahl in nicht kontrollierbarer Weise beeinflussen und die Ortsauflösung verschlechtern.It is known from the prior art, not or poorly conductive samples to produce a sufficient high surface or volume conductivity with a to vaporize a thin layer of gold or carbon. A such coating is not possible, however the sample after its examination in a scanning electron microscope reused or further processed to be subjected. To also not coatable Samples, for example integrated circuits, largely to be able to examine without charge Scanning electron microscopes currently in the low voltage range, d. H. with small primary electron energies  operated to compensate for the test incident current of the primary electrons by the current of secondary and backscattered electrons emanating from the sample at least on parts of the surface to reach. Since the electron energy (neutral point energy), where one observes a compensation of the currents, on the material composition and the surface structure depends on the point of impact of the primary beam, there are always areas on the sample in which the mostly constant primary energy during measurement deviates from the respective neutral point energy. This leads to undesirable charges that the Affect the primary beam in an uncontrollable manner and worsen the spatial resolution.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Anordnung zur Durchführung des Verfahrens anzugeben, bei dem Aufladungen der nichtleitenden Oberflächenbereiche einer Probe durch deren Abtastung mit einem Sekundärkospuskeln auslösenden Primärstrahl weitgehend vermieden werden. Es soll insbesondere sichergestellt sein, daß die Aufladung nicht durch äußere elektrische Felder verstärkt oder begünstigt wird.The invention has for its object a method and to provide an arrangement for carrying out the method, when charging the non-conductive surface areas a sample by scanning it with a Primary beam that triggers secondary muscles be avoided. In particular, it is intended to ensure be that the charge is not by external electrical Fields is strengthened or favored.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren nach Patentanspruch 1 und eine Anordnung nach Patentanspruch 3 gelöst.According to the invention, this object is achieved by a method according to claim 1 and an arrangement according to Claim 3 solved.

Der mit der Erfindung erzielbare Vorteil besteht insbesondere darin, daß die in einem Rastermikroskop zu untersuchenden Proben aufladungsfrei abgetastet und die nichtleitenden Oberflächenbereiche verzerrungsfrei abgebildet werden können.The advantage that can be achieved with the invention is in particular in that in a scanning microscope too examining samples scanned charge-free and the non-conductive surface areas shown without distortion can be.

Während der Anspruch 2 eine bevorzugte Ausgestaltung des Verfahrens nach Anspruch 1 betrifft, sind die Ansprüche 3 bis 6 auf vorteilhafte Anordnungen zur Durchführung des Verfahrens gerichtet.While claim 2 is a preferred embodiment of the method according to claim 1, claims 3 to 6 on advantageous arrangements for  Execution of the procedure directed.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnungen näher erläutert.The invention is described below with reference to the drawings explained in more detail.

Dabei zeigt:It shows:

Fig. 1 die Ausbeute emittierter Elektronen in Abhängigkeit von der Energie der Primärelektronen, Fig. 1, the yield of emitted electrons as a function of the energy of the primary electrons,

Fig. 2 eine erfindungsgemäße Anordnung zur Unterdrückung von Aufladungen einer Probe in einem Rasterelektronenmikroskop. Fig. 2 shows an arrangement according to the invention for the suppression of charging a sample in a scanning electron microscope.

Die mittere Zahl der pro einfallendem Primärelektron emittierten Elektronen (Sekundärelektronen und rückgestreute Elektronen) wird als Ausbeute emittierender Elektronen w bezeichnet. Die Abhängigkeit dieser, den Aufladeprozeß bestimmenden Größe von der Energie E PE der Primärelektronen ist schematisch in Fig. 1 dargestellt. Wie aus der Literatur bekannt ist, steigt die Ausbeute emittierter Elektronen δ anfangs mit der Primärelektronenenergie E PE an, erreicht üblicherweise ein Maximum und fällt bei höherer Primärelektronenenergie langsam wieder ab. In dem in Fig. 1 dargestellten Diagramm existieren zwei Primärelektronenenergien, bei denen sich der auf die Probe auftreffende Primärelektronenstrom und der von der Probe ausgehende Elektronenstrom gerade kompensieren, bei denen pro auftreffendem Primärelektron also gerade ein Elektron emittiert wird (δ=1). Diese materialabhängigen Neutralpunktenergien sind mit E 1 und E 2 bezeichnet, wobei E 1 typischerweise im Energiebereich unterhalb 0.5 keV und E 2 mit wenigen Ausnahmen zwischen etwa 0.5 und 4 keV liegt. Bestrahlt man die Probe mit Primärelektronen, deren Energie nicht mit der Neutralpunktenergie übereinstimmt, so laden sich nichtleitende Oberflächenbereiche allmählich positiv (E 1 ≦ωτ E PE ≦ωτ E 2,δ≦λτ 1) oder negativ (E PE ≦λτ E 2,w ≦ωτ 1) so lange auf, bis sich ein Gleichgewichtszustand einstellt. Dieser Gleichgewichtszustand ist dann erreicht, wenn die Primärelektronen in dem durch die Ladungen oberhalb der Probe aufgebauten elektrischen Feld soviel kinetische Energie gewinnen bzw. verlieren, daß deren Auftreffenergien gerade mit der für das jeweilige Oberflächenmaterial charakteristischen Neutralpunktenergie übereinstimmt. Nichtleitende Oberflächenbereiche, die man mit Elektronen der Energie im Energieintervall zwischen E 1 und E 2 bestrahlt, werden allerdings nur bis auf wenige Volt (größenordnungsmäßig 1 Volt) positiv aufgeladen. Ursache hierfür ist die niedrige mittlere kinetische Energie der Sekundärelektronen, die schon bei schwacher positiver Aufladung der Probe nicht mehr ausreicht, die Oberfläche zu verlassen. Im Gegensatz hierzu werden nichtleitende Probenbereiche durch Bestrahlung mit Elektronen, deren Energie über der Neutralpunktenergie E 2 liegt, vergleichsweise wesentlich höher negativ aufgeladen, da die ausgelösten Sekundärelektronen von der negativen Probenoberfläche abgestoßen werden.The mean number of electrons emitted per incident primary electron (secondary electrons and backscattered electrons) is called the yield of emitting electrons w . The dependence of this variable, which determines the charging process, on the energy E PE of the primary electrons is shown schematically in FIG. 1. As is known from the literature, the yield of emitted electrons δ initially increases with the primary electron energy E PE , usually reaches a maximum and slowly decreases again with higher primary electron energy. In the diagram shown in FIG. 1, there are two primary electron energies in which the primary electron current impinging on the sample and the electron current emanating from the sample are currently being compensated, in which one electron is emitted per impinging primary electron ( δ = 1). These material-dependent neutral point energies are designated E 1 and E 2 , E 1 typically being in the energy range below 0.5 keV and E 2, with a few exceptions, between approximately 0.5 and 4 keV. If the sample is irradiated with primary electrons whose energy does not match the neutral point energy, non-conductive surface areas gradually become positive ( E 1 ≦ ωτ E PE ≦ ωτ E 2 , δ ≦ λτ 1) or negative ( E PE ≦ λτ E 2 , w ≦ ωτ 1) until an equilibrium is reached. This equilibrium state is reached when the primary electrons gain or lose so much kinetic energy in the electrical field built up by the charges above the sample that their impact energies correspond exactly to the neutral point energy characteristic of the respective surface material. Non-conductive surface areas, which are irradiated with electrons of energy in the energy interval between E 1 and E 2 , are only positively charged up to a few volts (of the order of 1 volt). The reason for this is the low mean kinetic energy of the secondary electrons, which is no longer sufficient to leave the surface even with a weak positive charge on the sample. In contrast to this, non-conductive sample areas are comparatively charged significantly more negatively by irradiation with electrons, the energy of which lies above the neutral point energy E 2 , since the released secondary electrons are repelled by the negative sample surface.

In einem Rasterelektronenmikroskop ist es üblich, die am Auftreffpunkt des Primärstrahls ausgelösten Sekundärelektronen mit einer auf hohem positiven Potential liegenden Elektrode von der Probe in Richtung eines Detektorsystems abzusauen. Dieses äußere Feld ist der anziehenden Wirkung der positiven Probenoberfläche entgegengerichtet, so daß auch niederenergetische Sekundärelektronen die Oberfläche verlassen können. In einem äußeren Absaugfeld laden sich nichtleitende Bereiche daher wesentlich stärker positiv auf, wobei das durch Bestrahlung mit Elektronen im Gleichgewichtszustand erzeugte Oberflächenpotential von der Höhe der Absaugspannung und dem Abstand zwischen der das elektrische Feld erzeugenden Elektrode und dem betrachteten Oberflächenbereich abhängt.In a scanning electron microscope, it is common that the Impact point of the primary beam triggered secondary electrons with a high positive potential Electrode from the sample towards a detector system to suck off. This outer field is of attraction facing the positive sample surface, so that even low-energy secondary electrons Can leave the surface. In an external extraction field non-conductive areas therefore charge much more positive, which is by irradiation with electrons surface potential generated in equilibrium on the height of the suction voltage and the distance between the electrode producing the electric field and depends on the surface area under consideration.

Zur Verbesserung der Abbildungseigenschaften eines Rasterelektronenmikroskopes ist man stets bestrebt, Aufladungen der Proben zu vermeiden oder zumindest weitgehend zu unterdrücken. Die Lösung dieses Problems wird häufig noch zusätzlich erschwert, wenn man die Sekundärelektronen zur Verbesserung des Signal-Rausch-Verhältnisses in einem starken elektrischen Feld von der zu untersuchenden Probe absaugt. Wie oben erläutert, werden nichtleitende Bereiche einer Probe, die man mit Elektronen einer Energie im Intervall zwischen E 1 und E 2 bestrahlt, nur auf niedrige positive Potentiale aufgeladen, falls keine äußeren Felder vorhanden sind. Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren bestrahlt man die zu untersuchende Probe deshalb mit Primärelektronen, deren Energie unterhalb aller Neutralpunktenergien E 2 der abzutastenden Probenbereiche liegt. Ist ein üblicherweise seitlich oberhalb der Probe angeordnetes Detektorsystem zum Nachweis der Sekundärelektronen vorhanden, so wird zusätzlich die das Absaugfeld erzeugende Elektrode auf Masse gelegt. Hierdurch wird erreicht, daß sich die nichtleitenden Bereiche der Probe nur noch auf sehr niedrige positive Potentiale in der Größenordnung einiger Volt aufladen. Der Einfluß dieser Potentiale auf Primärelektronen mit Energie im keV-Bereich ist vernachlässigbar klein und führt daher zu keiner Beeinträchtigung der Abbildungseigenschaften.In order to improve the imaging properties of a scanning electron microscope, efforts are always made to avoid charging the samples or at least largely suppress them. The solution to this problem is often made even more difficult if the secondary electrons are extracted from the sample to be examined in a strong electric field in order to improve the signal-to-noise ratio. As explained above, non-conductive areas of a sample which are irradiated with electrons with an energy in the interval between E 1 and E 2 are only charged to low positive potentials if there are no external fields. In a method according to the invention, the sample to be examined is therefore irradiated with primary electrons, the energy of which lies below all neutral point energies E 2 of the sample areas to be scanned. If a detector system is usually arranged laterally above the sample for the detection of the secondary electrons, the electrode generating the suction field is additionally connected to ground. The result of this is that the non-conductive areas of the sample only charge to very low positive potentials of the order of a few volts. The influence of these potentials on primary electrons with energy in the keV range is negligible and therefore does not affect the imaging properties.

Zur Verbesserung des Signal-Rausch-Verhältnisses ist es vorteilhaft, die Sekundärelektronen in einem beispielsweise von dem Detektorsystem erzeugten elektrischen Feld von der Probe abzusaugen. Um die durch das äußere Feld induzierten positiven Aufladungen zu vermeiden, wird das Absaugfeld erfindungsgemäß mit Hilfe einer auf Erdpotential liegenden Elektrode, vorzugsweise einer Gitter- oder Netzelektrode abgeschirmt. Diese vorteilhafterweise parallel zur Probenoberfläche zwischen Probe und Detektor angeordnete Abschirmelektrode erzeugt unmittelbar oberhalb der Probe einen feldfreien Raum und gewährleistet, daß die die Gitterebene durchlaufenden Sekundärelektronen zwar weiterhin zum Detektor abgelenkt aber nicht von der Probe abgesaugt werden. Hohe positive Aufladungen werden folglich vermieden.It is to improve the signal-to-noise ratio advantageous, the secondary electrons in one example electric field generated by the detector system aspirate from the sample. To the through the outer field to avoid induced positive charges, that will Extraction field according to the invention with the help of a ground potential lying electrode, preferably a grid or shielded network electrode. This advantageously parallel to the sample surface between sample and detector arranged shielding electrode generates immediately a field-free space above the sample and ensures that the secondary electrons passing through the lattice plane  still distracted to the detector but not be sucked off from the sample. High positive Charges are thus avoided.

Eine erfindungsgemäße Anordnung zur Unterdrückung von Aufladungen einer Probe in einem modifizierten Rasterelektronenmikroskop ist schematisch in Fig. 2 dargestellt. Die von der Kathode K emittierten und in Richtung der Anode A beschleunigten Elektronen werden von einer Wehneltelektrode W in einem ersten Strahüberkreuzungspunkt CR 1 fokussiert. Zur Erzeugung eines feinen Primärelektronenstrahls PE wird dieses Quellenbild CR 1 der Kathode K anschließend mit Hilfe der Kodensollinsen K 1 bzw. K 2 und der Objektivlinse OL verkleinert auf die Probe PR abgebildet, wobei sich die Bahnen der Primärelektronen nach durchlaufen der von den einzelnen Linsensystemen erzeugten Magnetfeldern in den Strahlüberkreuzungspunkten CR 2 bzw. CR 3 schneiden. In der elektronenoptischen Säule sind Aperturblenden B 1 bis B 3 eingebaut, die die auf achsenfernen Bahnen laufenden Primärelektronen ausblenden und so zur Verbesserung der Abbildungseigenschaften beitragen. Die Positionierung des Primärelektronenstrahls PE auf einem Punkt der Probe PR bzw. die zeilenförmige Ablenkung des Primärelektronenstrahls über deren Oberfläche erfolgt mit Hilfe des magnetischen Ablenksystems RE, das von einem die Ablenkspannungen für die Magnetspulen erzeugenden Rastergenerator RG angesteuert wird. Zur Untersuchung oder Abbildung der Probe PR beispielsweise einer integrierten Schaltung, mittels Topographie- oder Potentialkontrast ist das Rasterelektronenmikroskop REM mit einem üblicherweise aus Absaugnetz AN, Szintillator SZ, Lichtleiter LL und Fotomultiplier PM bestehenden Detektorsystem DT zum Nachweis der am Meßpunkt ausgelösten Sekundärelektronen SE ausgestattet. Das im Detektorsystem DT erzeugte Sekundärelektronensignal wird in einer elektronischen Schaltung SP verstärkt, eventuell eine Filterung zur Verbesserung des Signal-Rausch-Verhältnisses unterworfen und anschließend dem Eingang zur Steuerung der Intensität des snychron mit dem Primärelektronenstrahl PE abgelenkten Schreibstrahl eines Sichtgerätes CRT zugeführt.An arrangement according to the invention for suppressing charges on a sample in a modified scanning electron microscope is shown schematically in FIG. 2. The electrons emitted by the cathode K and accelerated in the direction of the anode A are focused by a Wehnelt electrode W in a first beam crossing point CR 1 . In order to generate a fine primary electron beam PE , this source image CR 1 of the cathode K is subsequently scaled down onto the sample PR with the aid of the code target lenses K 1 or K 2 and the objective lens OL , the orbits of the primary electrons being traversed by those generated by the individual lens systems Cut magnetic fields at the CR 2 or CR 3 beam crossing points. Aperture diaphragms B 1 to B 3 are built into the electron-optical column, which hide the primary electrons traveling on axes away from the axis and thus contribute to improving the imaging properties. The positioning of the primary electron beam PE on a point of the sample PR or the line-shaped deflection of the primary electron beam over its surface is carried out with the aid of the magnetic deflection system RE , which is controlled by a raster generator RG which generates the deflection voltages for the magnetic coils. To examine or map the sample PR, for example of an integrated circuit, by means of topography or potential contrast, the scanning electron microscope REM is equipped with a detector system DT , which usually consists of an extraction network AN , scintillator SZ , light guide LL and photomultiplier PM , for detecting the secondary electrons SE triggered at the measuring point. The secondary electron signal generated in the detector system DT is amplified in an electronic circuit SP , possibly subjected to filtering to improve the signal-to-noise ratio, and then fed to the input for controlling the intensity of the write beam of a display device CRT, which is deflected synchronously with the primary electron beam PE .

Zur Abschirmung des von der auf hohen positiven Potential von beispielsweise +400 V liegenden Absaugelektrode AN erzeugten elektrischen Feldes ist eine wenige Millimeter oberhalb der Probe PR angeordnete und auf Erdpotential liegende Gitterelektrode AG vorgesehen. Um ein Durchgreifen des Absaugfeldes auf die Probenoberfläche zu vermeiden muß der Abstand der Stege der Gitterelektrode AG deutlich kleiner als der Abstand zwischen Gitterelektrode AG und Probe PR gewählt werden. Andererseits ist es wünschenswert, die Gitterlektrode AG sehr dicht oberhalb der Probe PR anzuordnen, um möglichst viele der die Gitterebene durchlaufenden Sekundärelektronen SE absaugen und in dem Detektorsystem DT nachweisen zu können. Der optimale Abstand zwischen Gitterelektrode AG und Probe PR ist u. a. auch davon abhängig, ob der durch die Stege verursachte Abschattungseffekt noch tolerierbar ist.To shield the electrical field generated by the suction electrode AN , which is at a high positive potential of, for example, +400 V, a grid electrode AG, which is arranged a few millimeters above the sample PR and is at ground potential, is provided. In order to prevent the suction field from reaching through to the sample surface, the distance between the webs of the grid electrode AG must be selected to be significantly smaller than the distance between the grid electrode AG and sample PR . On the other hand, it is desirable to arrange the grid electrode AG very close above the sample PR in order to be able to extract as many of the secondary electrons SE passing through the grid plane as possible and to be able to detect them in the detector system DT . The optimal distance between grid electrode AG and sample PR also depends, among other things, on whether the shading effect caused by the webs can still be tolerated.

Die Erfindung ist selbstverständlich nicht nur in Rasterelektronenmikroskopen anwendbar, wo ein primärer Elektronenstrahl auf einer Probe Sekundärelektronen auslöst. Außer Elektronen können je nach Anwendungsfall auch andere geladene Teilchen, beispielsweise Ionen, als Primär- oder Sekundärkorpuskel in Betracht kommen.The invention is of course not only in Scanning electron microscopes applicable where a primary Electron beam triggers secondary electrons on a sample. In addition to electrons, depending on the application other charged particles, such as ions, than Primary or secondary carcasses come into consideration.

Claims (6)

1. Verfahren zur Unterdrückung der Aufladung einer mit einem Korpuskularstrahl aus geladenen Teilchen abgetasteten Probe, bei dem die am Auftreffpunkt des Primärstrahls ausgelösten Sekundärkorpuskeln in einem elektrischen Feld abgesaugt und in Richtung eines Detektorsystems beschleunigt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe (PR) mit Primärkorpuskeln abgetastet wird, deren Energie (E PE ) unterhalb der Grenzenergie (E 2) liegt, bei der sich der auf die Probe (PR) auftreffende Strom der Primärkorpuskeln und der von der Probe ausgehende Strom der rückgestreuten- und sekundären Korpuskeln (SE) gerade kompensieren, daß die Energie (E PE ) der Primärkorpuskeln so gewählt wird, daß sich keiner der mit dem Primärstrahl (PE) abgetasteten Probenbereiche negativ auflädt und daß unmittelbar oberhalb der mit dem Primärstrahl (PE) abgetasteten Probenbereiche ein feldfreier Raum erzeugt wird.1. A method for suppressing the charge of a sample scanned with a corpuscular beam of charged particles, in which the secondary corpuscles triggered at the point of impact of the primary beam are sucked off in an electric field and accelerated in the direction of a detector system, characterized in that the sample ( PR ) with primary corpuscles is scanned, whose energy ( E PE ) is below the limit energy ( E 2 ) at which the current of the primary corpuscles striking the sample ( PR ) and the current of the backscattered and secondary corpuscles ( SE ) emanating from the sample are just compensating that the energy ( E PE ) of the primary corpuscles is selected so that none of the sample areas scanned with the primary beam ( PE ) is negatively charged and that a field-free space is generated directly above the sample areas scanned with the primary beam ( PE ). 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die felderzeugende Elektrodenanordnung (AN) auf Masse gelegt wird.2. The method according to claim 1, characterized in that the field-generating electrode arrangement ( AN ) is connected to ground. 3. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 mit einem Detektorsystem zum Nachweis der auf einer Probe von einem Primärstrahl ausgelösten Sekundärkorpuskeln und einer Elektrodenanordnung zur Erzeugung eines die Sekundärelektronen von der Probe absaugenden elektrischen Feldes, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung eines feldfreien Raumes oberhalb der vom Primärstrahl (PE) abgetasteten Probenbereiche eine auf Erdpotential liegende zweite Elektrodenanordnung (AG) im Raumbereich zwischen der das elektrische Feld erzeugenden Elektrodenanordnung (AN) und der Probe (PR) angeordnet ist.3. Arrangement for carrying out the method according to claim 1 with a detector system for detecting the secondary corpuscles triggered on a sample from a primary beam and an electrode arrangement for generating an electric field which sucks the secondary electrons from the sample, characterized in that for generating a field-free space above the a second electrode arrangement ( AG ) lying at earth potential is arranged in the space between the electrode arrangement generating the electric field ( AN ) and the sample ( PR ) from the sample regions scanned by the primary beam ( PE ). 4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Elektrodenanordnung (AG) als Gitterelektrode ausgebildet wird.4. Arrangement according to claim 3, characterized in that the second electrode arrangement ( AG ) is designed as a grid electrode. 5. Anordnung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Gitterelektrode (AG) unmittelbar oberhalb der Probe (PR) angeordnet ist, und parallel zu deren Oberfläche liegt.5. Arrangement according to claim 3 or 4, characterized in that the grid electrode ( AG ) is arranged directly above the sample ( PR ), and is parallel to the surface thereof. 6. Anordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand der das Gitter bildenden Stege sehr viel kleiner als der Abstand zwischen Gitterelektrode (AG) und Probe (PR) ist.6. Arrangement according to one of claims 3 to 5, characterized in that the distance between the webs forming the grid is very much smaller than the distance between the grid electrode ( AG ) and sample ( PR ).
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