DE3540551A1

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Beschreibung description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiter-Modul für eine schnelle Schaltanordnung mit einem aktiven Halbleiterschaltelement und einer Freilaufdiode, die in unmittelbarer Nachbarschaft angeordnet sind, mit einem gemeinsamen Lastanschluß von Halbleiterschaltelement und Freilaufdiode derart, daß das Halbleiterschaltelement und die Freilaufdiode bezogen auf den gemeinsamen Lastanschluß gleichsinnig von Strom aus einer Gleichspannungsquelle durchflossen werden, die an die jeweils anderen Anschlüsse von Halbleiterschaltelement und Freilaufdiode angeschlossen ist, bei dem die jeweils anderen Anschlüsse von Halbleiterschaltelement und Freilaufdiode jeweils mit einer von zwei durch eine Isolierschicht getrennten Leiterschichten verbunden sind, die in unmittelbarer Nachbarschaft von Halbleiterschaltelement und Freilaufdiode angeordnet sind und vom Laststrom gleichsinnig durchflossen werden, und bei dem jeweils eine Mehrzahl von Halbleiterschaltelementen und Dioden auf einer elektrisch isolierenden Substratplatte angeordnet sind, und stellt eine Verbesserung und weitere Ausbildung der Erfindung nach Patent 34 20 535 dar. The invention relates to a semiconductor module for fast Switching arrangement with an active semiconductor switching element and a freewheeling diode, which are arranged in the immediate vicinity, with a common load connection of semiconductor switching element and freewheeling diode such that the semiconductor switching element and the freewheeling diode based on the common load connection in the same direction from Current from a DC voltage source flows through to each other Connections of semiconductor switching element and freewheeling diode is connected at the other connections of the semiconductor switching element and the freewheeling diode each with one of two conductor layers separated by an insulating layer are connected, which are in the immediate vicinity of semiconductor switching element and Freewheeling diodes are arranged and the load current flows through them in the same direction, and in each of which a plurality of semiconductor switching elements and diodes on one electrically insulating substrate plate are arranged, and represents an improvement and further development of the invention according to patent 34 20 535.

Bei dem Halbleiter-Modul nach dem Hauptpatent wird für den Schaltkreis mit dem aktiven Halbleiterelement und der Freilaufdiode eine extrem niedrige lnduktivität erreicht, durch die es möglich ist, auch bei extrem kurzen Schaltzeiten die beim Abschalten eines Stromes auftretenden Überspannungen am Transistor auf dessen zulässige Überspannungen zu begrenzen. The semiconductor module according to the main patent is used for the circuit with the active semiconductor element and the freewheeling diode an extremely low inductance achieved through which it is possible, even with extremely short switching times, the Switching off a current occurring overvoltages on the transistor to its permissible Limit overvoltages.

Zur Erzielung einer höheren Leistung werden nach dem Hauptpatent eine Mehrzahl von Halbleiterschaltelementen und Dioden unmittelbar nebeneinander angeordnet, wobei sich die Leiterschichten, über die der Anschluß an die Gleichspannungsquelle erfolgt, über die Mehrzahl von Halbleiterschaltelementen und Dioden in deren unmittelbarer Nachbarschaft erstrecken. To achieve a higher level of performance, according to the main patent a plurality of semiconductor switching elements and diodes directly next to one another arranged, whereby the conductor layers, via which the connection to the DC voltage source takes place via the plurality of semiconductor switching elements and diodes in their immediate Neighborhood.

Bei den Ausführungsformen ist dabei als gemeinsamer Lastpunkt für alle Halbleiterschaltelemente und Dioden eine zu den beiden der Stromversorgung dienenden Lei- terschichten im wesentlichen parallele Leiterschicht vorgesehen, die auf der den Halbleiterschaltelementen und Dioden abgewandten Seite der Leiterschichten für die Stromversorgung liegt. Diese Ausführung bedingt, daß die Bonddrähte der Halbleiterschaltelemente und Dioden für den gemeinsamen Lastanschluß durch die Leiterschichten für die Stromversorgung hindurchgeführt werden müssen. Dies kann bei der Montage Schwierigkeiten bereiten.In the embodiments, it is a common load point for all semiconductor switching elements and diodes one to the two of the power supply serving leadership terschichten substantially parallel conductor layer provided on the side facing away from the semiconductor switching elements and diodes of the conductor layers for the power supply. This execution requires that the bonding wires of the semiconductor switching elements and diodes for the common load connection must be passed through the conductor layers for the power supply. This can cause difficulties during assembly.

Aufgabe der Erfindung ist es, das Halbleiter-Modul nach dem Hauptpatent weiterzuentwickeln. The object of the invention is to provide the semiconductor module according to the main patent to develop further.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß die lastseitige Verschaltung der Halbleiterschaltelemente und Dioden direkt auf der Substratplatte durchgeführt wird. Der äußere Lastanschluß kann dann direkt an eine auf der Substratplatte angeordnete Leiterschicht geführt werden, die hierbei den gemeinsamen Lastpunkt für alle Paarungen von Halbleiterschalt elementen und Dioden bildet. This object is achieved according to the invention in that the load-side Interconnection of the semiconductor switching elements and diodes directly on the substrate plate is carried out. The external load connection can then be directly connected to one on the substrate plate arranged conductor layer are performed, which here is the common load point forms for all pairings of semiconductor switching elements and diodes.

Durch zweckmäßige Anordnung der Leiterschichten auf der Substratplatte kann die gewünschte Schaltung über die Bonddrähte der Halbleiterschaltelemente und der Dioden hergestellt werden, soweit nicht bereits eine unmittelbare Kontaktierung der auf die Leiterschichten aufgesetzten Chips erfolgt. By appropriate arrangement of the conductor layers on the substrate plate can create the desired circuit via the bonding wires of the semiconductor switching elements and of the diodes, unless there is already direct contact the chips placed on the conductor layers takes place.

Gemäß dem Hauptpatent ist es zur Erzielung einer niedrigen Induktivität notwendig, die Speisespannung induktivitätsarm an das Halbleiter-Modul heranzuführen. Dies wird nach dem Hauptpatent durch die beiden gleichsinnig vom Strom aus einer Gleichspannungsquelle durchflossenen plattenförmigen Leiter erreicht. Diese Stromzuführung über parallele Leiterplatten bedingt eine relativ starre Leiterführung. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die geforderte niederinduktive Stromzufuhr dadurch erreicht, daß für die Stromversorgung aus der Gleichspannungsquelle elastische Leitungen mit vier Leitern in symmetrischer Anordnung verwendet werden, von denen jeweils die einander gegenüberliegenden Leiter parallel an die Gleichspannungsquelle geschaltet sind. According to the main patent, it is to achieve a low inductance necessary to bring the supply voltage to the semiconductor module with low inductance. According to the main patent, this is done by the two in the same direction from the electricity from one DC voltage source through which a plate-shaped conductor flows. This power supply Relatively rigid conductor routing is required via parallel printed circuit boards. According to the present invention, the required low-inductance power supply is achieved by that for the power supply from the DC voltage source with elastic lines four conductors are used in a symmetrical arrangement, each of which is the opposing conductors connected in parallel to the DC voltage source are.

Mit einer solchen Zuleitung lassen sich Induktivitäten in der Größenordnung von unter 3 nH/cm erreichen und damit Werte, die den durch die parallelen Leiterplatten erreichbaren entsprechen. Die Leiter sind in Querrichtung biegbar und können damit in ihrer Führung leicht den jeweiligen örtlichen Gegebenheiten angepaßt werden. With such a lead, inductances of the order of magnitude can be achieved of less than 3 nH / cm and thus values that can be achieved by the parallel printed circuit boards attainable correspond. The conductors are bendable in the transverse direction and can therefore their management can be easily adapted to the respective local conditions.

Die Erfindung ist in der Zeichnung beispielsweise veranschaulicht und im nachstehenden im einzelnen anhand der Zeichnung beschrieben. The invention is illustrated in the drawing, for example and described in detail below with reference to the drawing.

Fig. 1 zeigt die Grundschaltung eines Halbleiter-Moduls. Fig. 1 shows the basic circuit of a semiconductor module.

Fig. 2 zeigt in Draufsicht ein Halbleiter-Modul mit einer Mehrzahl von Halbleiterschaltelementen und Dioden. Fig. 2 shows a plan view of a semiconductor module with a plurality of semiconductor switching elements and diodes.

Fig.3 zeigt für eine Anordnung nach Fig. 2 eine Stromzufuhr der Gleichspannung mit zwei parallelen Leiterschichten. FIG. 3 shows a power supply for the direct voltage for an arrangement according to FIG with two parallel conductor layers.

Fig. 4 zeigt die Schaltung nach Fig. 1 mit zwei verschiedenen Möglichkeiten der induktivitätsarmen Stromzufuhr mit vieradrigen Anschlußkabeln. FIG. 4 shows the circuit according to FIG. 1 with two different possibilities the low-inductance power supply with four-wire connection cables.

Fig. 5 zeigt einen Schnitt durch ein vieradriges Anschlußkabel. Fig. 5 shows a section through a four-wire connecting cable.

In Fig. list die Grundschaltung des Halbleiter-Moduls entsprechend Fig. 2 des Hauptpatentes wiedergegeben. Ein aktives Halbleiterschaltelement 4, hier dargestellt als Transistor, und eine Freilaufdiode 8 sind in unmittelbarer Nachbarschaft angeordnet. Beide sind mit einem gemeinsamen Lastanschluß 12 derart verbunden, daß das Halbleiterschaltelement 4 und die Freilaufdiode 8 bezogen auf den gemeinsamen Lastanschluß gleichsinnig vom Strom aus einer Gleichspannungsquelle 6 durchflossen werden, die an die jeweils anderen Anschlüsse 14, 16 von Halbleiterschaltelement und Freilaufdiode angeschlossen sind. Die jeweils anderen Anschlüsse von Halbleiterschaltelement und Freilaufdiode sind jeweils mit vom Laststrom gleichsinnig durchflossenen Leitern verbunden, die nach dem Hauptpatent durch zwei durch eine Isolierschicht getrennte Leiterschichten gebildet werden, die in unmittelbarer Nachbarschaft von Halbleiterschaltelement und Freilaufdiode angeordnet sind. Der Stromkreis mit dem Halbleiterschaltelement 4 und der Diode 8 wird durch einen Stützkondensator 10 abgeschlossen. In Fig. 1 the basic circuit of the semiconductor module accordingly Fig. 2 of the main patent reproduced. An active semiconductor switching element 4, here shown as a transistor, and a freewheeling diode 8 are in the immediate vicinity arranged. Both are connected to a common load terminal 12 in such a way that the semiconductor switching element 4 and the freewheeling diode 8 based on the common Current from a DC voltage source 6 flows through the load connection in the same direction are connected to the other terminals 14, 16 of the semiconductor switching element and freewheeling diode are connected. The other connections of the semiconductor switching element and freewheeling diode each have conductors through which the load current flows in the same direction connected, which according to the main patent by two separated by an insulating layer Conductor layers are formed in the immediate vicinity of the semiconductor switching element and freewheeling diode are arranged. The circuit with the semiconductor switching element 4 and the diode 8 is terminated by a backup capacitor 10.

Bei der Ausführungsform nach Fig. 2 ist ein isolierendes Substrat 20 vorgesehen, auf dem voneinander getrennte Leiterflächen für die Stromzufuhr und den Lastanschluß vorgesehen sind. Diese Leiteranschlüsse können auf die Substratplatte 20 aufgeklebte Leiterbleche sein, die jeweils am Rande des Substrates mit Anschlußfahnen versehen sind, die beispielsweise senkrecht zur Leiterflächenebene nach oben geführt sind. In the embodiment of FIG. 2, there is an insulating substrate 20 provided on the separate conductor surfaces for the power supply and the load connection are provided. These conductor connections can be made on the substrate plate 20 glued-on conductor plates, each on the edge of the substrate with terminal lugs are provided, for example, perpendicular to the conductor surface plane upwards are.

Im einzelnen sind auf der Substratplatte vier Halbleiterschaltelemente 22 und vier Dioden 24 angeordnet. In detail, there are four semiconductor switching elements on the substrate plate 22 and four diodes 24 are arranged.

Für die Halbleiterschaltelemente sind Leiterflächen 26 vorgesehen, auf die die als Transistoren ausgebildeten Halbleiterschaltelemente 22 derart aufgelötet oder leitend aufgeklebt sind, daß der Kollektoranschluß mit der Leiterfläche 26 verbunden ist. Die Anschlußfahne 28 dieser Leiterfläche bildet den Pluspol der Stromversorgung. Neben der Leiterfläche 26 ist eine Leiterfläche 30 mit einer Anschlußfahne 32 vorgesehen. An die Leiterfläche 30 ist der Bonddraht der Basis des Halbleiterschaltelementes 22 angeschlossen Zwischen die Leiterflächen 26 greifend ist eine Leiterfläche 34 für den Lastanschluß vorgesehen. An diese Leiterfläche sind die Halbleiterschaltelemente 22 mit den Emitterbonddrähten angeschlossen. Auf die Leiterfläche 34 sind weiter die Dioden 24 aufgelötet oder leitend aufgeklebt, und zwar derart, daß der dem gemeinsamen Lastanschluß 12 zugeordnete Pol der Diode leitend mit der Leiterfläche 34 verbunden ist. Der Bonddraht des anderen Pols ist an eine weitere Leiterfläche 36 mit einer Anschlußfahne 38 für den Minuspol der Stromversorgung verbunden.Conductor areas 26 are provided for the semiconductor switching elements, on which the semiconductor switching elements 22 embodied as transistors are soldered in this way or are conductively glued on, that the collector connection with the conductor surface 26 connected is. The terminal lug 28 of this conductor surface forms the positive pole of the power supply. In addition to the conductor surface 26, a conductor surface 30 with a terminal lug 32 is provided. The bonding wire of the base of the semiconductor switching element is attached to the conductor surface 30 22 connected. A conductor surface 34 is gripping between the conductor surfaces 26 intended for the load connection. The semiconductor switching elements are on this conductor surface 22 connected to the emitter bond wires. On the conductor surface 34 are further the diodes 24 soldered or glued conductive, in such a way that the common Load connection 12 associated pole of the diode is conductively connected to the conductor surface 34 is. The bonding wire of the other pole is to a further conductor surface 36 with a Terminal lug 38 connected for the negative pole of the power supply.

Die Leiterfläche 34 ist bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel jeweils zwischen den Leiterfahnen 32 und 38 mit einer Leiterfahne 40 als Steueranschlüsse für die Emitter der Halbleiterschaltelemente 22 versehen. The conductor surface 34 is in the illustrated embodiment each between the conductor lugs 32 and 38 with a conductor lug 40 as control connections for the emitters of the semiconductor switching elements 22 are provided.

Als Möglichkeit für den Anschluß der Last sind Leiterfahnen 42 angegeben sowie eine querverlaufende Leiterfahne 44. Da der gemeinsame Lastanschluß 12 aller Halbleiterschaltelemente und Dioden auf der Leiterfläche 34 liegt, kann der Lastanschluß an beliebiger Stelle der Leiterfläche 34 erfolgen, beispielsweise also wahlweise an den Leiterfahnen 42 oder 44, wobei diese Leiterfahnen auch beliebig untereinander verbunden sein können. Conductor lugs 42 are indicated as a possibility for connecting the load as well as a transverse conductor lug 44. Since the common load connection 12 of all Semiconductor switching elements and diodes is on the conductor surface 34, the load connection take place at any point on the conductor surface 34, for example, optionally on the conductor tabs 42 or 44, these conductor tabs also interchangeably with one another can be connected.

Der Anschluß an die Spannungsquelle 6 erfolgt, wie in Fig. 3 dargestellt, entsprechend dem Hauptpatent über zwei parallele und gegeneinander isolierte plattenförmige Leiterschichten 46,48, die in Fig. 3 zur Veranschaulichung mit unterschiedlicher Breite dargestellt sind, aber selbstverständlich auch gleiche Breite haben können. The connection to the voltage source 6 takes place as shown in Fig. 3, according to the main patent over two parallel and mutually insulated plate-shaped Conductor layers 46, 48 shown in FIG. 3 for illustration with different Width are shown, but of course can also have the same width.

Die beiden Leiterschichten sind in der Länge versetzt, so daß überstehende Enden 50, 52 gebildet werden, an die der Plus- bzw. der Minuspol der Spannungsquelle 6 anschließbar sind. Die beiden Leiterschichten 46,48 sind seitlich mit Anschlußfahnen 54 an der Leiterschicht 48 und Anschlußfahnen 56 an der Leiterschicht 46 versehen. Mit diesen Anschlußfahnen sind jeweils die Anschlußfahnen 28 bzw. 38 verbunden. In Fig. 3 sind weiter die Anschlußfahnen 40 für die Leiterschicht 34 des Lastanschlusses ersichtlich. Die Anschlußfahne 44 könnte beispielsweise unter der Leiterschicht 46 abgebogen und mit Anschlußmitteln für den Lastanschluß versehen sein. Die Anschlußfahnen 32 sind als Steueranschlüsse der Transistoren an eine Steuerschaltung zu führen.The two conductor layers are offset in length so that protruding Ends 50, 52 are formed, to which the plus or minus pole of the voltage source 6th are connectable. The two conductor layers 46, 48 are on the side with connection lugs 54 on the conductor layer 48 and connection lugs 56 on the conductor layer 46 provided. The connecting lugs 28 and 38, respectively, are connected to these connecting lugs connected. In FIG. 3 there are also the connection lugs 40 for the conductor layer 34 of the load connection. The terminal lug 44 could, for example, under the conductor layer 46 bent and provided with connection means for the load connection being. The connection lugs 32 are used as control connections of the transistors to a control circuit respectively.

Zwischen die Leiterschichten 46 und 48 sind Stützkondensatoren 58 geschaltet.Back-up capacitors 58 are located between the conductor layers 46 and 48 switched.

Zwischen den beiden Leiterschichten ist vorzugsweise eine Isolierschicht angeordnet. An insulating layer is preferably located between the two conductor layers arranged.

Fig. 3 zeigt ein Halbleiter-Modul, das in seinem Aufbau dem Halbleiter-Modul nach Fig.2 entspricht. Es sind daher hier die gleichen Bezugszeichen eingetragen und hinsichtlich des Aufbaus und der Funktion wird auf die Beschreibung der Fig. 2 verwiesen. Abweichend von der Ausführungsform nach Fig. 2 und 3 ist hier der Anschluß an die Spannungsquelle gelöst. Der Anschluß erfolgt hier über ein vieradriges Kabel mit symmetrischem Querschnitt, der in Fig. 5 dargestellt ist. Dieses Kabel 60 hat vier Adern 62, 64, 66 und 68, die jeweils gegeneinander isoliert sind, wobei die Isolierung so dünn wie möglich ausgeführt werden sollte. Die vier Adern können in eine gemeinsame Isolierhülle 70 eingeschlossen werden. Sie sind zur Erhaltung ihrer Lage gegeneinander vorzugsweise verdrillt. Wie in Fig. 5 dargestellt, sind jeweils zwei gegenüberliegende Adern 62, 66 bzw.64, einem Pol der Spannungsquelle zugeordnet. Fig. 3 shows a semiconductor module, the structure of the semiconductor module corresponds to Fig.2. The same reference numerals are therefore entered here and with regard to the structure and function, reference is made to the description of FIG. 2 referenced. In contrast to the embodiment according to FIGS. 2 and 3, the connection is here released to the voltage source. The connection is made here via a four-wire cable with a symmetrical cross-section, which is shown in FIG. This cable 60 has four wires 62, 64, 66 and 68, each insulated from one another, with the Insulation should be made as thin as possible. The four wires can be in a common insulating sleeve 70 can be included. You are preserving her Layer against each other preferably twisted. As shown in Fig. 5, respectively two opposite wires 62, 66 or 64, assigned to one pole of the voltage source.

Wie in Fig. 4 oben dargestellt, kann jeder Paarung aus Halbleiterbauelement und Diode ein gesondertes Anschlußkabel 60 zugeordnet werden. Jeder Pol der am Kondensator 58 anliegenden Versorgungsspannung steht dabei über zwei Adern 62,66 bzw. 64,68 einerseits mit der Gleichspannungsquelle bzw. dem Stützkondensator 58 und andererseits mit dem Plus- bzw. Minusanschluß an den Anschlußfahnen 28 bzw. 38 in Verbindung. Das gesamte Modul wäre in diesem Fall mit vier Anschlußleitungen zu versehen, die an einen einzigen oder an eine Mehrzahl von parallel geschalteten Stützkondensatoren 58 angeschlossen werden könnten. Da die Leitungen biegsam sind, ist ihre Leitungsführung frei wählbar im Gegensatz zu den starren Leitungen mit zwei plattenförmigen Leiterschichten nach Fig. 3 bzw. As shown in Fig. 4 above, any pairing of semiconductor device and a separate connecting cable 60 can be assigned to the diode. Each pole on the capacitor 58 applied supply voltage is available via two wires 62,66 and 64,68 on the one hand with the DC voltage source or the backup capacitor 58 and on the other hand with the plus or minus connection on the connection lugs 28 and 38 in connection. In this case, the entire module would have to be provided with four connecting lines that to a single or to a plurality of backup capacitors connected in parallel 58 could be connected. Since the lines are flexible, the way they are routed is freely selectable in contrast to the rigid cables with two plate-shaped conductor layers according to Fig. 3 or

dem Hauptpatent.the main patent.

Es ist auch möglich, mit einer Leitung 60 zwei Paarungen von Halbleiterbauelementen und Dioden anzuschließen, wie in Fig. 4 unten dargestellt. Hierbei ist jeweils die Ader 64 bzw. 68 der Plusphase an die Anschlußfahnen 28 und die Adern 62 bzw. 66 der Minusphase an die Anschlußfahnen 38 geführt. Am gegenüberliegenden Ende sind jeweils die einander gegenüberliegenden Adern zusammen an einen der Anschlußpole des Kondensators 58 geführt. It is also possible to have two pairings of semiconductor components with one line 60 and connect diodes as shown in Fig. 4 below. Here is the Wire 64 or 68 of the plus phase to the connecting lugs 28 and wires 62 and 66, respectively the negative phase led to the terminal lugs 38. Are on the opposite end each of the opposite wires together to one of the connecting poles of the capacitor 58 out.

Bei den beschriebenen Ausbildungsformen wird das Kabel 60 mit seinen vier Adern wie das Leiterschichtenpaar nach Fig.3 gleichsinnig vom Laststrom durchflossen. Mit den beschriebenen symmetrischen Kabeln als Anschlüsse für die Spannungsquelle lassen sich Indukti vitäten in der Größenordnung von unter 3 nH/cm erreichen und damit Werte, die den durch die parallelen Leiterschichten erreichbaren Induktivitäten entsprechen. In the embodiments described, the cable 60 is with his four cores like the pair of conductor layers according to Figure 3 flowed through in the same direction by the load current. With the described symmetrical cables as connections for the voltage source inductivities in the order of magnitude of less than 3 nH / cm can be achieved and thus values that correspond to the inductances that can be achieved through the parallel conductor layers correspond.

Da Dioden für wesentlich höhere Leistungen zur Verfügung stehen als Halbleiterschaltelemente, könnte die Schaltung dadurch vereinfacht werden, daß jeweils zwei Halbleiterschaltelementen 22 nur eine Diode 24 zugeordnet wird. Es würde beispielsweise in Fig. 4 unten in dem Halbleiter-Modul die rechts dargestellte Diode 24 entfallen. In diesem Fall würde die Ader 66 des Kabels 60 zusammen mit der Ader 62 an die Anschlußfahne 38 geführt, die zwischen den beiden Anschlußfahnen 28 liegt, während die Adern 64, 68 jeweils an eine der beiden Anschlußfahnen 28 geführt ist, wie in Fig. 4 unten gestrichelt dargestellt. Since diodes are available for much higher power than Semiconductor switching elements that could Circuit can be simplified in that each only one diode 24 is assigned to two semiconductor switching elements 22. For example it would In Fig. 4, at the bottom of the semiconductor module, the diode 24 shown on the right is omitted. In this case, the core 66 of the cable 60 would be connected to the terminal lug together with the core 62 38 out, which lies between the two terminal lugs 28, while the wires 64, 68 is each guided to one of the two terminal lugs 28, as in Fig. 4 below shown in dashed lines.

Claims

Claims 1. Semiconductor module for a fast switching arrangement with an active semiconductor switching element and a freewheeling diode, which are in the immediate Are arranged in the vicinity, with a common load terminal of semiconductor switching element and freewheeling diode such that the semiconductor switching element and the freewheeling diode based on the common load connection in the same direction of current from a DC voltage source are traversed to the other terminals of the semiconductor switching element and freewheeling diode is connected, in which the other connections of Semiconductor switching element and freewheeling diode each with one of two through one Isolation layer separate conductor layers are connected, which are in the immediate vicinity of semiconductor switching element and freewheeling diode are arranged and the load current are traversed in the same direction, and in which a plurality of semiconductor switching elements and diodes arranged on at least one electrically insulating substrate plate are, according to patent 34 20 535, characterized in that the semiconductor switching elements (22) and diodes (24) on the load side with a conductive one assigned to the load connection Layer (34) are connected to the surface of the substrate plate (20).

2. Semiconductor module according to claim 1, characterized in that on the surface of the substrate plate (20) separate conductive sections (26) for the Attachment of the semiconductor switching elements (22) are provided.

3. Semiconductor module according to one of claims 1 and 2, characterized in that that each of the conductive layers (26, 30, 34,36) on the substrate with at least a connecting lug (28,32,34,38) is provided.

4. Semiconductor module for a fast switching arrangement with a parallel connection of an active semiconductor switching element and a diode, which are in the immediate Are arranged in the vicinity, with a load terminal of semiconductor switching element and diode such that the semiconductor switching element and the diode based on the Load connection are traversed by current in the same direction, and with symmetrical conductors for the connections to a DC voltage source, the load current in the same direction are traversed, and in which a plurality of semiconductor switching elements and Diodes are arranged on at least one electrically insulating substrate plate, according to patent 3420535, characterized in that as a connection to the direct voltage source a symmetrical four-wire line (60) is provided, of the wires (62, 64, 66, 68) opposite wires (62, 66; 64, 68) with one end to one of the poles of the DC voltage source are connected while they are connected to their other End to the respective other connections of semiconductor switching elements or free-wheeling diodes are connected.

5. Semiconductor module according to claim 4, characterized in that for each pair of a semiconductor switching element and a diode, a four-wire Line is provided.

6. Semiconductor module according to claim 4, characterized in that for two pairings each of one semiconductor switching element and one diode a four-wire line is provided, the semiconductor switching elements and the Diodes are each connected to one wire of the line.

7. Semiconductor module according to claim 5, characterized in that in each case two semiconductor switching elements a diode is assigned, and that the semiconductor switching elements each to one of two symmetrical wires of the line and the diode to the two connected to other wires.

8. Semiconductor module according to claim 4, characterized in that the semiconductor switching elements (22) and diodes (24) on the load side with one of the load terminals associated conductive layer (34) on the surface of the substrate plate (20) connected are.

9. Semiconductor module according to claim 8, characterized in that on the surface of the substrate plate (20) separate conductive sections (26) for the attachment of the semiconductor switching elements (22) are provided.

10. Semiconductor module according to claim 8, characterized in that each of the conductive layers (26, 30, 34, 36) on the substrate with at least one Terminal lug (28,32,34,38) is provided.