DE3537886C2

DE3537886C2 -

Info

Publication number: DE3537886C2
Application number: DE3537886A
Authority: DE
Inventors: Mitsuhiro Matsumoto; Sadayoshi Matsui; Mototaka Tenri Nara Jp Taneya
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1984-10-25
Filing date: 1985-10-24
Publication date: 1989-03-23
Also published as: GB8526084D0; US4752932A; GB2166903B; DE3537886A1; GB2166903A; JPS61102087A

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The present invention relates to a semiconductor laser according to the preamble of claim 1.

Ein derartiger Halbleiterlaser ist bereits aus der US 42 77 762 bekannt. Der bekannte Halbleiterlaser weist zwei Zweigwellenleiter auf, die in der Nähe der Licht austrittsflächen parallel zueinander verlaufen. Die Phasendifferenz zwischen den Lichtstrahlen in den beiden Zweigwellenleitern beträgt 0°. Jedoch liegen bei diesem bekannten Laser die Zweigwellenleiter im Bereich der Kopplungsstelle lediglich dicht aneinander, ohne einen gemeinsamen Abschnitt zu bilden. Zwar sind in der US 42 77 762 auch abweichende Ausführungsformen von Halb leiterlasern beschrieben, bei denen die Zweigwellen leiter einen gemeinsamen Abschnitt haben, jedoch befin det sich in diesem Fall der gemeinsame Abschnitt nicht in der Mitte des Wellenleiters, sondern an dessen Ende. Auch liegen die beiden Zweigwellenleiter nicht symmetrisch zur Ausbreitungsrichtung der Welle des Laserlichtes, sondern sind bezüglich der Wellenaus breitungsrichtung asymmetrisch. Zwar hat dieser bekannte Halbleiterlaser den Vorzug, daß sein Fernfeldmuster auf grund der 0°-Phasenverschiebung zwischen den Laserlicht strahlen nur einen einzigen Spitzenwert aufweist, so daß beide Laserlichtstrahlen mittels optischer Linsen kon zentriert werden können. Hierdurch kann der bekannte Halbleiterlaser zumindest dann, wenn an dem Phasenver halten von 0°-Phasenverschiebung zwischen den einzelnen Wellenleitern festgehalten werden soll, nicht einfach durch parallele Anordnung mehrerer Laserresonanzräume hergestellt werden.Such a semiconductor laser is already from the US 42 77 762 known. The known semiconductor laser has two branch waveguides on that near the light exit surfaces run parallel to each other. The Phase difference between the light rays in the two Branch waveguides is 0 °. However, lie with this known lasers the branch waveguide in the field of Coupling point just close to each other, without one to form common section. Although in the US 42 77 762 also different embodiments of half conductor lasers described, in which the branch waves leaders have a common section, however in this case the common section is not in the middle of the waveguide, but at the end. The two branch waveguides are also not located symmetrical to the direction of propagation of the wave of the Laser light, but are related to the waves direction of spread asymmetrical. Although this well-known Semiconductor lasers prefer that its far field pattern is on due to the 0 ° phase shift between the laser light have only a single peak value, so that both laser light beams by means of optical lenses can be centered. As a result, the known Semiconductor laser at least when the phase ver keep from 0 ° phase shift between each Waveguides to be held, not easy due to the parallel arrangement of several laser resonance rooms getting produced.

Allgemein sind unter der Voraussetzung, daß zwei Laser- Resonanzräume parallel auf demselben Substrat angeordnet sind, sind hinsichtlich der Laseroszillation drei Fälle zu unterscheiden: der erste Fall liegt dann vor, wenn die beiden erhaltenen Laserlichtstrahlen zwischen sich die Phasenverschiebung von 0° haben; im zweiten Fall ist die optische Phasenverschiebung zwischen den beiden Laserlichtstrahlen gleich 180°. Der dritte Fall besteht aus einer Mischung der beiden oben beschriebenen Fälle. Im ersten Fall hat das Fernfeldmuster, das in Fig. 3(A) dargestellt ist, einen einzelnen "peak", so daß die beiden Laserlichtstrahlen mittels optischer Linsen zu einem Lichtpunkt konzentriert werden können. Im zweiten und dritten Fall, der in Fig. 3(B) bzw. 3(C) dargestellt ist, haben die Fernfeldmuster dagegen mehrere "peaks", so daß die beiden Laserlichtstrahlen nicht durch optische Linsen zu einem Lichtfleck konzen triert werden können. Es wurden daher Halbleiterlaser anordnungen vorgeschlagen einschließlich sogenannter "gain-guided" Halbleiterlaseranordnungen und "index- guided" Halbleiterlaseranordnungen, bei denen eine Viel zahl von laserkorrelierte Wellen aussendenden Resonanz räumen parallel nebeneinander angeordnet sind, um eine optische Phasenkopplung zwischen benachbarten Resonanz räumen zu erhalten. Bei den "index-guided" Halbleitern wird der Resonanzraum im Ergebnis durch den Brechungs index des umgebenden Materiales begrenzt.In general, provided that two laser resonance rooms are arranged in parallel on the same substrate, three cases can be distinguished with regard to laser oscillation: the first case is when the two laser light beams obtained have a phase shift of 0 ° between them; in the second case the optical phase shift between the two laser light beams is 180 °. The third case consists of a mixture of the two cases described above. In the first case, the far field pattern shown in Fig. 3 (A) has a single "peak" so that the two laser light beams can be concentrated to a light spot by means of optical lenses. In the second and third case, which is shown in Fig. 3 (B) and 3 (C), on the other hand, the far field patterns have several "peaks", so that the two laser light beams can not be concentrated to a light spot by optical lenses. Semiconductor laser arrangements have therefore been proposed, including so-called “gain-guided” semiconductor laser arrangements and “index-guided” semiconductor laser arrangements in which a large number of laser-correlated waves emitting resonance spaces are arranged in parallel next to one another in order to obtain an optical phase coupling between adjacent resonance spaces. In the case of "index-guided" semiconductors, the resonance space is ultimately limited by the refractive index of the surrounding material.

Bei den "gain-guided" Halbleiterlaseranordnungen ist das elektrische Feld im Mittelbereich zwischen zwei benach barten Laser-Resonanzräumen gleich Null, so daß Laser lichtstrahlen erzeugt werden müssen, die eine Phasenver schiebung von 180° zueinander haben, woraus ein Fern feldmuster mit mehreren "peaks" resultiert. Dagegen ist bei den "index-guided" Halbleiterlaseranordnungen das elektrische Feld zwischen benachbarten Laser-Resonanz räumen nicht notwendigerweise gleich Null, so daß Laser lichtstrahlen mit einer Phasenverschiebung von 0° zu einander erhalten werden können. Es kann gesagt werden, daß Halbleiterlaseranordnungen mit einer Phasenverschie bung von 0° zwischen benachbarten Resonanzräumen nicht einfach durch parallele Anordnung mehrerer Laser- Resonanzräume in einfacher Weise hergestellt werden können.This is the case with the "gain-guided" semiconductor laser arrangements electric field in the middle between two cont beard laser resonance rooms zero, so that laser light rays must be generated, which a phase ver have a shift of 180 ° to each other, making a long distance Field pattern with several "peaks" results. Against it in the "index-guided" semiconductor laser arrangements that electric field between adjacent laser resonance do not necessarily clear zero, so lasers rays of light with a phase shift of 0 ° can be preserved each other. It can be said, that semiconductor laser arrays with a phase shift Exercise of 0 ° between adjacent resonance rooms is not simply by parallel arrangement of several laser Resonance rooms can be produced in a simple manner can.

Gegenüber diesem Stand der Technik liegt der vorliegen den Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen Halbleiter laser der eingangs genannten Art zu schaffen, der ein Fernfeldmuster mit einem einzigen Spitzenwert hat und dennoch einfach herstellbar ist.This is in relation to this prior art the invention has for its object a semiconductor to create lasers of the type mentioned at the beginning Has a far field pattern with a single peak and is still easy to manufacture.

Diese Aufgabe wird bei einem Halbleiterlaser nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 durch die im kenn zeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merk male gelöst. This task is performed on a semiconductor laser after Preamble of claim 1 by the in the kenn drawing part of claim 1 specified note times solved.

Eine bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung ist Gegen stand des Patentanspruchs 2.A preferred embodiment of the invention is counter State of patent claim 2.

Der erfindungsgemäße Halbleiterlaser ist ein sogenannter "index-geführter" Halbleiterlaser mit 0° Phasenverschie bung zwischen den beiden Laserbereichen und ermöglicht eine hohe Ausgangsleistung bei einem Fernfeldmuster mit einem einzigen Spitzenwert.The semiconductor laser according to the invention is a so-called "Index-guided" semiconductor laser with 0 ° phase shift between the two laser areas and enables having a high output power with a far field pattern a single peak.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeich nungen näher erläutert. Es zeigtPreferred embodiments of the invention hereinafter with reference to the drawing nations explained in more detail. It shows

Fig. 1 ein Diagramm zur Erläuterung der Funktion des optischen Wellenleiters einer Halbleiterlaseranordnung mit zwei Laserarbeitsbereichen nach der Erfindung, wobei die Querverteilung des elektrischen Feldes des Laser lichtes, das sich in dem optischen Wellenleiter ausbreitet, dargestellt ist; Fig. 1 is a diagram for explaining the function of the optical waveguide of a semiconductor laser arrangement with two laser working areas according to the invention, wherein the transverse distribution of the electric field of the laser light that propagates in the optical waveguide is shown;

Fig. 2 eine perspektivische Ansicht der Halbleiterlaseranordnung der Fig. 1; FIG. 2 is a perspective view of the semiconductor laser arrangement of FIG. 1;

Fig. 3(A) ein Diagramm des Fernfeldmusters, das mit einer Halbleiterlaseranord nung gemäß Fig. 2 erhalten wird; und Fig. 3 (A) is a diagram of the far-field pattern, that is with a Halbleiterlaseranord voltage according to FIG 2 is obtained. and

Fig. 3(B) bzw. 3(C) Diagramme des Fernfeldmusters, wel ches mit herkömmlichen Halbleiter laseranordnungen erhalten wird, welche zwei Laserarbeitsbereiche haben. Fig. 3 (B) and 3 (C) diagrams of the far field pattern, which is obtained with conventional semiconductor laser arrangements, which have two laser working areas.

Fig. 1 zeigt eine Ansicht des optischen Wellenleiters 100 einer index-geführten Halbleiterlaseranordnung, die zwei Laserarbeitsbereiche hat und die eine Laseroszillation mit einer 0°-Phasenverschiebung zwischen diesen erreicht. Der optische Wellenleiter 100 arbeitet in seinem Mittel abschnitt 1 in einer einzigen Mode und an seinen beiden Endabschnitten 2 und 3 in einer Verzweigungsmode, zur Bildung von zwei Zweig-Wellenleitern, 101, 101 und 102, 102, welche symmetrisch zur Wellenausbreitungsrichtung des Laserlichtes liegen und welche in den Abschnitten 4 bzw. 5 in der Nähe von Endflächen bzw. Facetten 20 und 21 parallel zueinander liegen. Die in Fig. 1 eingezeichneten Kurven bezeichnen die Querverteilung des elektrischen Feldes hinsichtlich der sich ausbreitenden Lichtstrahlen an bestimmten Abschnitten des optischen Wellenleiters 100. Die grundsätzliche Arbeitsweise der Halbleiterlaseranord nung nach der Erfindung ist wie folgt: Lichtstrahlen 6, die sich in den beiden parallelen Zweigwellenleitern 101 und 101 im Abschnitt 4 in der Nähe der Facette 20 in Richtung von der einen Facette 20 zur anderen Facette 21 mit einer gewissen Phasenverschiebung zueinander ausbrei ten, werden zur Minimierung von Verlusten in dem ver zweigten Abschnitt 2 graduell synthetisiert, was zu einem Licht 7 führt, dessen elektrische Feldverteilung in Fig. 1 dargestellt ist. Ein Teil des Lichtes 7 mit Moden höherer Ordnung wird in dem Mittelteil 1, der nur eine einzige Mode des optischen Wellenleiters 100 aufweist, entfernt bzw. unterdrückt, was zu Licht 8 führt, das nur die Grundmode aufweist, welche sukzessiv sich ausbreitet. Das Licht 8 wird dann graduell in die Zweigabschnitte 3 des optischen Wellenleiters 100 verzweigt, wo Licht strahlen 9 gebildet werden, die eine 0°-Phasenverschiebung zwischen sich aufweisen. In den beiden parallelen Zweig wellenleitern des Abschnittes 5 in der Nähe der Facette 21 werden Lichtstrahlen 10, die eine 0°-Phasenverschiebung zwischen sich aufweisen, zu der Facette 21 geleitet. Andererseits breiten sich Lichtstrahlen, die mit einem gewissen Phasenverschiebungswinkel zwischen sich in den beiden parallelen Zweigwellenleitern 102 und 102 des Abschnittes 5 in Richtung von der Facette 21 zur Facette 20 laufen, in gleicher Weise wie oben beschrieben aus, in dem Falle, bei dem der optische Wellenleiter 100 hin sichtlich der Mittellinie 111 symmetrisch ist, wobei die Mittellinie 111 vertikal zur Ausbreitungsrichtung der Lichtstrahlen liegt, was zu Lichtstrahlen mit einer 0° Phasenverschiebung zwischen sich in den beiden anderen parallelen Zweigwellenleitern in der Nähe der Facette 20 führt. Fig. 1 shows a view of the optical waveguide 100 of an index-guided semiconductor laser array, the two laser has work areas and the laser oscillation with a 0 ° phase shift achieved therebetween. The optical waveguide 100 works in its middle section 1 in a single mode and at its two end sections 2 and 3 in a branching mode, to form two branch waveguides, 101, 101 and 102, 102 , which are symmetrical to the direction of wave propagation of the laser light and which are parallel to each other in sections 4 and 5 in the vicinity of end faces or facets 20 and 21 . The curves drawn in FIG. 1 denote the transverse distribution of the electric field with regard to the propagating light beams at certain sections of the optical waveguide 100 . The basic mode of operation of the semiconductor laser arrangement according to the invention is as follows: light beams 6 which are located in the two parallel branch waveguides 101 and 101 in section 4 near the facet 20 in the direction from one facet 20 to the other facet 21 with a certain phase shift to spread out to one another are gradually synthesized in the branched section 2 to minimize losses, which leads to a light 7 , the electric field distribution of which is shown in FIG. 1. Part of the light 7 with higher-order modes is removed or suppressed in the middle part 1 , which has only a single mode of the optical waveguide 100 , which leads to light 8 , which has only the basic mode, which successively propagates. The light 8 is then gradually branched into the branch sections 3 of the optical waveguide 100 , where light rays 9 are formed which have a 0 ° phase shift between them. In the two parallel branch waveguides of section 5 in the vicinity of the facet 21 , light rays 10 , which have a 0 ° phase shift between them, are guided to the facet 21 . On the other hand, light rays that travel with a certain phase shift angle between them in the two parallel branch waveguides 102 and 102 of section 5 in the direction from facet 21 to facet 20 propagate in the same way as described above, in the case where the optical Waveguide 100 is visually symmetrical about the center line 111 , the center line 111 being vertical to the direction of propagation of the light beams, which leads to light beams with a 0 ° phase shift between them in the other two parallel branch waveguides in the vicinity of the facet 20 .

Damit weist die Halbleiterlaseranordnung nach der Er findung eine 0°-Phasenverschiebung zwischen den Laser lichtstrahlen auf, die in den beiden Laserbereichen der oben beschriebenen Wellenleiterstruktur laufen. Die von der Anordnung emittierten Laserlichtstrahlen erzeugen damit ein Fernfeldmuster mit einem einzigen "peak".The semiconductor laser arrangement thus has the Er finding a 0 ° phase shift between the lasers light rays on the two laser areas of the waveguide structure described above run. The of generate the arrangement emitted laser light beams thus a far field pattern with a single "peak".

Obwohl das Laserlicht in dem Abschnitt 1 des optischen Wellenleiters 100 mit der einzigen Mode eine hohe Dichte aufweist, ist die Ausgangsleistung, die üblicherweise einem Facetten- oder Seitenflächenzusammenbruch unter worfen ist, in dem Abschnitt 1 mit der einigen Mode um etwa eine Größenordnung größer als in den verzweigten Ab schnitten in der Nähe der Facetten bzw. Seitenflächen 20 und 21, so daß die Anordnung Laserlichtstrahlen mit hoher Ausgangsleistung ohne Energieverlust erzeugen kann.Although the laser light in the single mode section 1 of the single mode optical waveguide 100 has a high density, the output power which is usually subjected to facet or side surface collapse is about an order of magnitude larger in the section 1 with the some mode than in FIG From the branched cut in the vicinity of the facets or side surfaces 20 and 21 , so that the arrangement can generate laser light beams with high output without energy loss.

Ein Ausführungsbeispiel ist in Fig. 2 gezeigt, die eine (Brechungs-) index-begrenzte VSIS-Halbleiterlaseranordnung nach der Erfindung darstellt. (VSIS bezeichnet hier einen V-kanalförmigen inneren Substratstreifen; V-channelled substrate inner stripe.) Diese Anordnung ist wie folgt aufgebaut: auf einem Zn-dotierten p-GaAs-Substrat (p = 1 × 10¹⁹ cm^-13) 11 ist eine Te-dotierte n-GaAs-Stromblockie rungsschicht 12 (n = 3 × 10¹⁸ cm^-3), durch Flüssigphasenepitaxie wachstumstechnik aufgewachsen unter Verwendung eines gleitenden Schiffchens, das dem Fachmanne bekannt ist. Darauf werden V-förmige Kanäle 13 mit dem oben beschriebe nen Muster des optischen Wellenleiters auf der Stromblockie rungsschicht 12 durch Photolithographie und eine Ätztechnik in solcher Weise gebildet, daß sie das Substrat 11 er reichen. Die Abschnitte jedes Kanales 13, die in dem Substrat 11 angeordnet sind, wirken als elektrischer Strompfad. Darauf wird auf der Stromblockierungsschicht 12, die die Kanäle 13 enthält, eine p-Ga_{1 -} _xAl_xAs-Überzugs schicht 14, eine p-(oder n-)Ga_{1 -} _yAl_yAs-Aktivschicht 15 und eine n-Ga_{1 -} _xAl_xAs-Überzugsschicht 16 aufeinanderfol gend mit der gleichen Flüssigphasenepitaxieaufwachs technik, die oben beschrieben wurde, aufgebracht, um einen Mehrschichtkristall mit einer doppelten Heterostruktur für eine Laseroszillation zu erzeugen. Die Beziehung zwischen den Mischungsverhältnissen x und y wird vorzugsweise so gewählt, daß sie ungefähr bei x ≧ y + 0,2 liegt. Darauf wird eine n⁺-GaAs Deckschicht 17 auf der n-Überzugsschicht 16 aufgebracht. Eine p-seitige Elektrode 18 und eine n-seiti ge Elektrode 19 werden dann an der Rückseite des Substra tes 11 bzw. der Oberseite der Deckschicht 17 durch eine Vakuum-Aufdampftechnik o. ä. aufgebracht. Schließlich werden die Facetten bzw. Endflächen durch Spalten erzeugt, was zu einem Fabry-Perot-Resonator für die Laser oszillation führt. An embodiment is shown in Fig. 2, which illustrates a (refractive) index-limited VSIS semiconductor laser arrangement according to the invention. (VSIS here denotes a V-channel-shaped inner substrate strip; V-channeled substrate inner stripe.) This arrangement is constructed as follows: on a Zn-doped p-GaAs substrate (p = 1 × 10 ¹⁹ cm ^-13 ) 11 there is one Te-doped n-GaAs current blocking layer 12 (n = 3 × 10 ¹⁸ cm ^-3 ), grown by liquid phase epitaxy growth technique using a sliding boat known to those skilled in the art. Then, V-shaped channels 13 with the above-described pattern of the optical waveguide on the current blocking layer 12 are formed by photolithography and an etching technique in such a manner that they reach the substrate 11 . The portions of each channel 13 which are arranged in the substrate 11 act as an electrical current path. On top of the current blocking layer 12 , which contains the channels 13 , a p-Ga _{1 -} _x Al _x As coating layer 14 , a p- (or n-) Ga _{1 -} _y Al _y As active layer 15 and an n- Ga _{1 -} _x Al _x As cladding layer 16 successively applied with the same liquid phase epitaxial growth technique described above to produce a multilayer crystal with a double heterostructure for laser oscillation. The relationship between the mixing ratios x and y is preferably chosen so that it is approximately x ≧ y + 0.2. An n⁺-GaAs cover layer 17 is applied thereon on the n coating layer 16 . A p-side electrode 18 and an n-sided electrode 19 are then applied to the back of the substrate 11 or the top of the cover layer 17 by a vacuum evaporation technique or the like. Finally, the facets or end faces are generated by splitting, which leads to a Fabry-Perot resonator for the laser oscillation.

Da der optische Wellenleiter in der fertigen Halbleiter laseranordnung in dem Abschnitt der aktiven Schicht 15 entsprechend den Kanälen 13 ausgebildet ist, hat er in seinem Mittelabschnitt innerhalb des Resonators eine einzige Mode und eine Verzweigungsmode an den beide Endabschnitten, wodurch zwei Zweigwellenleiter gebildet werden, die in der Nähe der Endflächen parallel zueinander liegen.Since the optical waveguide in the finished semiconductor laser arrangement is formed in the section of the active layer 15 corresponding to the channels 13 , it has a single mode and a branching mode at the two end sections in the middle section thereof, thereby forming two branch waveguides which are formed in close to the end faces parallel to each other.

Wird elektrischer Strom durch die p-seitige Elektrode und die n-seitige Elektrode in die Anordnung injiziert, so fließt er durch die Kanäle 13 in die aktive Schicht 15, auf welche die Stromblockierungsschicht 12 nicht aus gebildet ist, da die Polarität der Stromblockierungs schicht 12 von der des Substrates 11 verschieden ist, wodurch ein Stromfluß von dem Substrat 11 zu der Strom blockierungsschicht 12 unterbunden ist. Folglich wirkt der Abschnitt der aktiven Schicht 15, die den Kanälen 13 entspricht, als (Brechungs-) index-begrenzter Wellen leiter, welche eine Laseroszillation ermöglicht. Der Teil des Laserlichtes mit Mode höherer Ordnung wird in dem Mittelabschnitt mit der einzigen Mode des Wellenleiters abgeschnitten bzw. unterdrückt, während er sich in dem Wellenleiter ausbreitet, was zu zwei Lichtstrahlen führt, die in der Grundmode schwingen, welche dann mit einer 0°- Phasenverschiebung zwischen sich von dem Teil der End flächen, die den Kanälen 13 entsprechen, abgestrahlt werden. Das Fernfeldmuster der emittierten Lichtstrahlen weist einen steilen, einzigen "peak" auf, wie er in Fig. 3 (A) dargestellt ist. Dieser "peak" zeigt an, daß die Laserlichtstrahlen von den beiden Laserbereichen mit einer Phasenverschiebung von 0° zwischen sich schwingen. If electrical current is injected into the arrangement through the p-side electrode and the n-side electrode, it flows through the channels 13 into the active layer 15 , on which the current blocking layer 12 is not formed, since the polarity of the current blocking layer 12 is different from that of the substrate 11 , whereby a current flow from the substrate 11 to the current blocking layer 12 is prevented. Consequently, the portion of the active layer 15 which corresponds to the channels 13 acts as a (refractive) index-limited waveguide which enables laser oscillation. The part of the higher order mode laser light is cut off or suppressed in the middle section with the only mode of the waveguide as it propagates in the waveguide, resulting in two light beams that oscillate in the basic mode, which then with a 0 ° - Phase shift between them from the part of the end faces which correspond to the channels 13 are radiated. The far field pattern of the emitted light beams has a steep, single "peak" as shown in Fig. 3 (A). This "peak" indicates that the laser light beams from the two laser areas oscillate between them with a phase shift of 0 °.

Wie oben beschrieben erhält man eine Laseroszillation mit einer Phasenverschiebung von 0° zwischen den beiden Laser bereichen, was zu Laserlichtstrahlen mit hoher Ausgangs leistung bei einem Fernfeldmuster mit einem einzigen "peak" führt.As described above, laser oscillation is also obtained a phase shift of 0 ° between the two lasers areas, resulting in laser light beams with high output performance in a single field far field pattern "peak" leads.

Die Halbleiterlaseranordnung nach der Erfindung ist nicht auf (Brechungs-) index-begrenzte VSIS-Halbleiterlaseran ordnungen beschränkt; sie ist vielmehr auch auf andere Brechungsindex-begrenzte Halbleiterlaseranordnungen an wendbar. Als Kristallmaterialien können statt der GaAs- GaAlAs-Systeme auch InP-InGaAsP-Systeme verwendet werden.The semiconductor laser device according to the invention is not to (refractive) index-limited VSIS semiconductor lasers regulations limited; rather, it is also on others Refractive index limited semiconductor laser devices reversible. As crystal materials instead of GaAs GaAlAs systems also use InP-InGaAsP systems.

Claims

1. Semiconductor laser with the following structure:

a) an optical waveguide ( 100 ) is provided between the resonator end surfaces ( 20, 21 ) and consists of two branch waveguides ( 101, 102 ) which run parallel to one another in the vicinity of the resonator surfaces ( 20, 21 ),
b) the waveguide ( 100 ) has in its central region ( 1 ) a coupling point which is so ausgebil det that a phase shift of 0 ° between the in the two branch waveguides ( 101, 102 ) propagating light beams is obtained, which to Laser light beams with a phase shift of 0 ° between them,

characterized by the following features:

c) at the coupling point, the two branch waveguides ( 101, 102 ) combine to form a common waveguide,
d) the branch waveguides are formed symmetrically to the direction of wave propagation of the laser light.

2. Semiconductor laser according to claim 1, characterized in that the optical waveguide ( 100 ) is constructed symmetrically to a center line ( 111 ) which is verti cal to the direction of propagation of the laser light ( 8 ).