DE3525398A1

DE3525398A1 - Transistor circuit for analog signals

Info

Publication number: DE3525398A1
Application number: DE19853525398
Authority: DE
Inventors: Josef Dipl Ing Schoen
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1985-07-16
Filing date: 1985-07-16
Publication date: 1987-01-22

Abstract

The invention relates to a transistor circuit for optional through-connection or blocking of a transmission path for analog signals using transistors. A small frequency response in a passband which is as large as possible and a high blocking attenuation in the blocked condition are intended to be achieved. For this purpose, the invention provides a number of field effect transistors connected with their drain-source path in series in the transmission path (longitudinal path) to be connected and inserted in each case between the latter in the shunt arm with low internal capacitance and low volume resistivity. These transistors are through-connected or blocked through corresponding control of their gate terminal in opposite fashion in the longitudinal arm and shunt arm. <IMAGE>

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zum wahlweisen Durchschalten oder Sperren eines Übertra gungsweges für analoge Signale unter Verwendung von Transistoren.The invention relates to a circuit arrangement for switching through or blocking a transfer path for analog signals using Transistors.

Durch die DE-PS 24 024 386 ist eine solche Schaltungsanord nung bekannt, bei der in der Signalader als elektronischer Schalter eine Parallelschaltung zweier Dioden liegt. Zu diesen in Serie ist jeweils ein Kondensator geschaltet, deren Verbindungspunkt über die Kollektor-Emitter-Strecke eines in einem Querzweig liegenden Transistors an Bezugs potential schaltbar ist.DE-PS 24 024 386 is such a circuit arrangement voltage known in the signal line as electronic Switch is a parallel connection of two diodes. To a capacitor is connected in series, their connection point over the collector-emitter path of a transistor located in a transverse branch at reference is switchable.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungs anordnung für analoge Signale zu schaffen, mit einem ge ringen Frequenzgang in einem möglichst großen Durchlaß bereich und einer hohen Sperrdämpfung in gesperrtem Zu stand.The invention has for its object a circuit arrangement to create analog signals with a ge wrestle frequency response in as large a passage as possible range and a high blocking attenuation in the closed position was standing.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung gelöst mit einer Schaltungsanordnung aus einer Anzahl von im zu schaltenden Übertragungsweg (Längszweig) mit ihrer Drain-Source-Strecke in Reihe geschalteten und zwischen diesen jeweils im Quer zweig eingeschalteten Feldeffekt-Transistoren mit kleiner innerer Kapazität und niedrigem Durchgangswiderstand, die durch entsprechende Ansteuerung ihres Gate-Anschlusses in gegensinniger Weise im Längszweig und Querzweig durch geschaltet bzw. gesperrt werden.This object is achieved with a Circuit arrangement of a number of im to be switched Transmission path (longitudinal branch) with its drain-source path connected in series and between them in the cross branched field effect transistors with smaller internal capacity and low volume resistance, the by controlling your gate connection accordingly in opposite directions in the longitudinal branch and transverse branch switched or blocked.

Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Er findungsgegenstandes sind in den Unteransprüchen angegeben. Advantageous refinements and developments of the Er subject matter of the invention are specified in the subclaims.

Nachstehend wird die Erfindung anhand eines in der Zeich nung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.The invention based on a in the drawing voltage illustrated embodiment explained in more detail.

In der Figur ist eine Schaltungsanordnung als Prinzipschalt bild dargestellt. Es sind dabei drei Feldeffekt-Transistoren 1, 2, 3 mit ihrer Drain-Source-Strecke im Übertragungsweg in Reihe geschaltet. Zwischen jeweils zwei der hintereinan der geschalteten Transistoren ist im Querzweig ein Feld effekt-Transistor 4, 5 eingeschaltet, der mit seinem Drain- Anschluß jeweils an den Verbindungspunkt zweier benachbarter Transistoren des Übertragungsweges angeschlossen ist. Die Feldeffekt-Transistoren (1 . . . 5) werden an ihrem Gate-An schluß angesteuert. Dies kann mit Nand-Gattern oder über Rechner erfolgen. Dabei werden beispielsweise die Transi storen 1, 2, 3 im Längszweig durchgeschaltet, gleichzeitig die Transistoren 4, 5 im Querzweig gesperrt. Nach dem gleichen Prinzipschaltbild können die Transistoren in ver schiedener Kombination als T- und π-Glieder zusammenge schaltet werden.In the figure, a circuit arrangement is shown as a schematic diagram. There are three field effect transistors 1, 2, 3 connected in series with their drain-source path in the transmission path. Between each of the two transistors connected in series, a field effect transistor 4, 5 is switched on in the shunt arm, which is connected with its drain connection to the connection point of two adjacent transistors of the transmission path. The field effect transistors ( 1 ... 5 ) are driven at their gate connection. This can be done with nand gates or via computers. In this case, for example, the transistors 1, 2, 3 are switched through in the longitudinal branch, and at the same time the transistors 4, 5 are blocked in the transverse branch. Using the same basic circuit diagram, the transistors can be connected together in various combinations as T and π elements.

Besonders günstige Werte für den Frequenzgang in einem weiteren Durchlaßbereich (ca. 0,2 dB über einen Bereich von ca. 12 kHz bis über 1 MHz) und eine hohe Sperrdämpfung von etwa 90 dB im gesperrten Zustand haben sich mit sog. SIPMOS-Transistoren von Siemens ergeben. Man erhält eine umso größere Sperrdämpfung und höhere Grenzfrequenz, je kleiner die internen Kapazitäten des Transistors sind. Als Durchgangswiderstand erhält man bei der Hintereinander schaltung der genannten Transistoren Werte von etwa 20 bis 30 Ohm.Particularly favorable values for the frequency response in one further passband (approx. 0.2 dB over a range from approx. 12 kHz to over 1 MHz) and high blocking attenuation of around 90 dB in the locked state have SIPMOS transistors from Siemens result. You get one the greater blocking attenuation and higher cut-off frequency, depending the internal capacities of the transistor are smaller. The volume resistance is obtained in succession circuit of the transistors mentioned values from about 20 to 30 ohms.

Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung kann in vorteil hafter Weise auch als gesteuertes Dämpfungsglied verwendet werden.The circuit arrangement according to the invention can be advantageous also used as a controlled attenuator will.

Claims

1. Circuit arrangement for selectively switching through or blocking a transmission path for analog signals using transistors, characterized by a number of field effect switches connected in series in the transmission path to be switched (longitudinal branch) with their drain-source path and between these in each case connected in the shunt arm. Transistors with a small internal capacitance and low volume resistance, which are switched on or off in opposite directions in the longitudinal branch and the transverse branch by correspondingly controlling their gate connection.

2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized, that control with nand gates or via computer he follows.

3. Circuit arrangement according to claim 1 or 2, marked by their use as a controlled attenuator.