DE3524184A1 - Optically readable recording carrier - Google Patents

Optically readable recording carrier

Info

Publication number
DE3524184A1
DE3524184A1 DE19853524184 DE3524184A DE3524184A1 DE 3524184 A1 DE3524184 A1 DE 3524184A1 DE 19853524184 DE19853524184 DE 19853524184 DE 3524184 A DE3524184 A DE 3524184A DE 3524184 A1 DE3524184 A1 DE 3524184A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
record carrier
layer
silicon
carrier according
areas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19853524184
Other languages
German (de)
Other versions
DE3524184C2 (en
Inventor
Siegfried Dr Kalbitzer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV
Original Assignee
Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV filed Critical Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV
Priority to DE19853524184 priority Critical patent/DE3524184A1/en
Publication of DE3524184A1 publication Critical patent/DE3524184A1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE3524184C2 publication Critical patent/DE3524184C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/0045—Recording
    • G11B7/00454—Recording involving phase-change effects

Abstract

An optically readable recording carrier is described which contains a thin storage layer of crystalline silicon. The information is stored by converting the crystalline silicon in certain regions of this silicon layer to the amorphous modification. Reading utilises the fact that crystalline silicon and amorphous silicon differ in reflection and absorption coefficients in certain spectral regions. The storage of information is preferably carried out by means of a finely focused ion beam.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen optisch lesbaren Aufzeichnungsträger gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The present invention relates to an optically readable Record carrier according to the preamble of Claim 1.

Die bekannten optisch lesbaren Aufzeichnungsträger oder Speichermedien lassen alle in der einen oder anderen Weise zu wünschen übrig. Der klassische optisch lesbare Aufzeichnungsträger, die photographische Schicht, ist hinsichtlich ihres Auflösungsvermögens und damit der erreichbaren maximalen Speicherdichte durch ihre Kornstruktur beschränkt. Praktisch kornlose Schichten, wie Photolackschichten, ermöglichen zwar eine höhere Speicherdichte, sind jedoch unbequem zu verarbeiten. Auch bei optisch lesbaren magnetischen Speicherschichten ist die Aufzeichnungsdichte aus Stabilitätsgründen relativ beschränkt. Außerdem erfordern diese Speicherschichten zum Lesen polarisiertes Licht. The known optically readable record carriers or Storage media leave everyone in one way or another Way to be desired. The classic optically readable Record carrier, the photographic layer with regard to their resolving power and thus the achievable maximum storage density due to their grain structure limited. Virtually grainless layers, like Photoresist layers allow a higher storage density, are however uncomfortable to work with. Also at optically readable magnetic storage layers is the Recording density relatively limited for reasons of stability. These storage layers also require Read polarized light.  

Der vorliegenden Erfindung liegt dementsprechend die Aufgabe zugrunde, einen licht- oder elektronenoptisch lesbaren Aufzeichnungsträger anzugeben, der extrem hohe Speicherdichten ermöglicht und unter normalen Bedingungen stabil ist.The present invention is accordingly the Task based on a light or electron optical to indicate readable record carriers, the extremely high Storage densities allow and under normal conditions is stable.

Diese Aufgabe wird durch die in den Patentansprüchen gekennzeichnete Erfindung gelöst, die auch Weiterbildungen und vorteilhafte Ausgestaltungen dieser Aufzeichnungsträger sowie vorteilhafte Verfahren zur Herstellung des Aufzeichnungsträgers gemäß der Erfindung zum Gegenstand haben.This object is achieved by the in the claims characterized invention solved, the training and advantageous embodiments of these record carriers as well as advantageous methods of manufacture of the record carrier according to the invention the subject to have.

Im folgenden wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert.In the following the invention with reference to the Drawings explained in more detail.

Es zeigen:Show it:

Fig. 1 eine graphische Darstellung des Absorptionsvermögens α von kristallinem Silicium (c-Si) und amorphem Silicium (a-Si) in Abhängigkeit von der Quantenenergie optischer Strahlung; Fig. 1 is a graph of absorbance α of crystalline silicon (c-Si) and amorphous silicon (a-Si) as a function of the quantum energy of optical radiation;

Fig. 2 eine schematische Schnittansicht eines optisch lesbaren Aufzeichnungsträgers gemäß einer Ausführungsform der Erfindung im unbeschriebenen Zustand; Figure 2 is a schematic sectional view of an optically readable record carrier according to an embodiment of the invention in the unwritten state.

Fig. 3 eine Fig. 2 entsprechende Darstellung des Aufzeichnungsträgers, nachdem in ihm Information in optisch lesbarer Form gespeichert worden ist, und Fig. 3 is a Fig. 2 corresponding view of the recording medium after it has been stored in it information in optically readable form, and

Fig. 4 eine Abwandlung des in Fig. 3 dargestellten Aufzeichnungsträgers. Fig. 4 shows a modification of the record carrier shown in Fig. 3.

Es ist bekannt, daß die kristalline Modifikation des Siliciums (c-Si) bei Umgebungstemperatur und darunter durch Beschuß mit energiereichen Ionen in die amorphe Modifikation (a-Si) umwandeln läßt (G. Müller und S. Kalbitzer, Phil. Mag. B 41 (1980) 307). Die für die Amorphisierung erforderliche Dosis beträgt etwa 1013 bis 1014 Ionen/cm2, wobei sich besonders Ionen mittelschwerer und schwerer Atomsorten Atommasse etwa 30 und darüber eignen. Auch kurzgepulste Laser- oder Elektronenstrahlung hinreichender Intensität gestattet die Amorphisierung einer bestrahlten Zone aus c-Si. Typischerweise sind hierfür Strahlungsleistungen von etwa 1 J/cm2 mit Expositionszeiten von 100 ps und weniger erforderlich (P. Baeri, Proc. 1st MRS-Europe Conference on Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials, Strasbourg 1983, les editions de physique, S. 157).It is known that the crystalline modification of silicon (c-Si) can be converted into the amorphous modification (a-Si) at ambient temperature and below by bombardment with high-energy ions (G. Müller and S. Kalbitzer, Phil. Mag. B 41 (1980) 307). The dose required for the amorphization is approximately 10 13 to 10 14 ions / cm 2 , with ions of moderately heavy and heavy atom types atomic mass approximately 30 and above being particularly suitable. Even short-pulsed laser or electron beams of sufficient intensity allow the amorphization of an irradiated zone made of c-Si. Typically, radiation powers of about 1 J / cm 2 with exposure times of 100 ps and less are required (P. Baeri, Proc. 1st MRS-Europe Conference on Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials, Strasbourg 1983, les editions de physique , P. 157).

Amorphes Silicium (a-Si) hat in weiten Wellenlängebereichen deutlich andere optische Eigenschaften als c-Si, insbesondere einen unterschiedlichen Absorptionskoeffizienten α, wie in Fig. 1 dargestellt ist (L. Ley, The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II, J. D. Joannopoulos and G. Lucovaski, eds., Springer-Verlag, Heidelberg 1984, S. 141; D. T. Pierce and W. E. Spicer, Phys. Rev. B5, 3017 (1972); S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, J. Wiley & Sons, New York 1969, S. 54). Die unterschiedliche Transmission oder auch Reflexion eines Lichtstrahles kann daher dazu benutzt werden, Bereiche aus c-Si von Bereichen aus a-Si zu unterscheiden. Da sich kristallines Silicium und amorphes Silicium auch in ihrer elektrischen Leitfähigkeit unterscheiden, besteht auch die Möglichkeit, derartige Strukturen aufgrund ihrer Leitfähigkeit auszulesen, z. B. nach dem Vidicon-Verfahren. In wide wavelength ranges, amorphous silicon (a-Si) has significantly different optical properties than c-Si, in particular a different absorption coefficient α , as shown in FIG. 1 (L. Ley, The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II, JD Joannopoulos and G Lucovaski, eds., Springer-Verlag, Heidelberg 1984, p. 141; DT Pierce and WE Spicer, Phys. Rev. B5, 3017 (1972); SM Sze, Physics of Semiconductor Devices, J. Wiley & Sons, New York 1969, p. 54). The different transmission or reflection of a light beam can therefore be used to distinguish areas made of c-Si from areas made of a-Si. Since crystalline silicon and amorphous silicon also differ in their electrical conductivity, there is also the possibility of reading out such structures on the basis of their conductivity, e.g. B. according to the Vidicon method.

Gemäß der Erfindung werden diese Effekte ausgenutzt, um einen durch optische Strahlung oder auch Elektronenstrahlung lesbaren Aufzeichnungsträger für die Speicherung von Daten und dergleichen zu schaffen.According to the invention, these effects are exploited to one by optical radiation or electron radiation readable record carrier for storage of creating data and the like.

Ein Ausführungsbeispiel eines solchen Aufzeichnungsträgers im unbeschriebenen Zustand ist in Fig. 2 schematisch dargestellt. Der Aufzeichnungsträger gemäß Fig. 2 enthält ein optisch transparentes Substrat 12, auf dem sich eine dünne Schicht 14 aus kristallinem Silicium (c-Si) befindet. Die Dicke der Schicht 14 wird im allgemeinen unter 1 µm und über 0,01 µm liegen und beträgt vorzugsweise etwa 0,1 µm oder weniger. Das Substrat 12 kann aus kristallinem Al2O3 (Saphir) bestehen. Man kann also eine heterogene Dünnschichtstruktur von Si auf Saphir verwenden, wie sie für ganz andere Zwecke als "c-SOS" (crystalline silicon-on-sapphire) mit Dicken von ca. 0,1 - 1 µm im Handel erhältlich ist.An exemplary embodiment of such a record carrier in the blank state is shown schematically in FIG. 2. The record carrier according to Fig. 2 includes an optically transparent substrate 12 on which a thin layer 14 of crystalline silicon (c-Si) is located. The thickness of layer 14 will generally be less than 1 micron and greater than 0.01 micron and is preferably about 0.1 micron or less. The substrate 12 can consist of crystalline Al 2 O 3 (sapphire). It is therefore possible to use a heterogeneous thin layer structure of Si on sapphire, as is commercially available for purposes other than "c-SOS" (crystalline silicon-on-sapphire) with thicknesses of approximately 0.1-1 µm.

Die Speicherung von Information in dem Aufzeichnungsträger gemäß Fig. 2 kann, wie in Fig. 3 dargestellt ist, durch selektive Bestrahlung bestimmter Bereiche der Schicht erfolgen. Vorzugsweise wird zum Beschreiben der Schicht 14 ein fein fokussierter Ionenstrahl verwendet. Der derzeitige Stand der Technik erlaubt es, Ionenstrahlen mit Durchmessern im Submikronbereich zu erzeugen (Heidelberg Instruments GmbH, Business Plan vom 17. 3. 1984, S. 6 und 12). Mit einem Ionenstrahl von ca. 0,1 µm Durchmesser lassen sich demnach größenordnungsmäßig 1010 Pixel oder Informationseinheiten pro cm2 einschreiben. Ähnliche Strukturgrößen lassen sich mit fein fokussierten UV-Laserstrahlen und Elektronenstrahlen erreichen. Information can be stored in the record carrier according to FIG. 2, as shown in FIG. 3, by selective irradiation of certain areas of the layer. A finely focused ion beam is preferably used to describe layer 14 . The current state of the art makes it possible to generate ion beams with diameters in the submicron range (Heidelberg Instruments GmbH, Business Plan of March 17, 1984, pp. 6 and 12). With an ion beam of approximately 0.1 µm in diameter, 10 10 pixels or information units per cm 2 can be inscribed on the order of magnitude. Similar structure sizes can be achieved with finely focused UV laser beams and electron beams.

Die erzielbare Schreibgeschwindigkeit beträgt bei Ionenströmen von 2 nA und einer Amorphisierungsdosis von 1013 Ionen/cm2 also etwa 103 s für eine 1 cm2 große Speicherfläche. Die Expoisitionszeit beträgt dabei 0,1 µs/Pixel für einen Ionenstrahl von 0,1 µm Durchmesser. Bei Verwendung eines Lasers oder eines Elektronenstrahls ergeben sich im allgemeinen geringere Schreibgeschwindigkeiten.With ion currents of 2 nA and an amorphization dose of 10 13 ions / cm 2 , the writing speed that can be achieved is thus about 10 3 s for a 1 cm 2 storage area. The exposure time is 0.1 µs / pixel for an ion beam of 0.1 µm diameter. When using a laser or an electron beam, writing speeds are generally lower.

Durch die selektive Ionen-, Elektronen- oder Laserstrahlung 16 werden also bestimmte, die zu speicherende Information darstellende Bereiche 18 der c-Si-Schicht 14 in amorphes Silicium (a-Si) umgewandelt. Die Umwandlung braucht nicht vollständig zu sein, da sich schon bei Bestrahlungsdosen unterhalb der Amorphisierungsdosis merkliche Veränderungen des Absorptionsvermögens von c-Si ergeben.The selective ion, electron or laser radiation 16 thus converts certain regions 18 of the c-Si layer 14 which represent the information to be stored into amorphous silicon (a-Si). The conversion need not be complete, since noticeable changes in the absorption capacity of c-Si result even at radiation doses below the amorphization dose.

Da a-Si erst bei Temperaturen um etwa 600°C rekristallisiert, sind die eingeschriebenen Muster bei Umgebungstemperatur langzeitstabil.Since a-Si only recrystallizes at temperatures around 600 ° C, are the inscribed patterns at ambient temperature long-term stable.

Die gemäß Fig. 3 gespeicherte Information kann mittels eines fein fokussierten Laserlesestrahls, der z. B. nach dem Polygonspiegelverfahren (Heidelberg Instruments GmbH, l. c.) über die Oberfläche des beschriebenen Aufzeichnungsträgers abgelenkt wird, schnell gelesen und die gelesene Information dann beispielsweise durch einen schnellen Parallelprozessor, der Daten mit einer Rate von z. B. 1 Gigabaud/s zu verarbeiten gestattet, weitervarbeitet werden. Das Lesen kann in Transmission oder Reflexion erfolgen, da sich a-Si und c-Si hinsichtlich dieser optischen Eigenschaften in bestimmten Spektralbereichen genügend unterscheiden. The information stored according to Fig. 3 can by means of a finely focused laser reading beam, the z. B. is deflected by the polygon mirror method (Heidelberg Instruments GmbH, lc) over the surface of the record carrier described, read quickly and the information read, for example by a fast parallel processor, the data at a rate of z. B. 1 gigabaud / s allowed to be processed. Reading can take place in transmission or reflection, since a-Si and c-Si differ sufficiently in certain spectral ranges with regard to these optical properties.

Fig. 4 zeigt eine Abwandlung des Aufzeichnungsträgers gemäß Fig. 3. Während der Aufzeichnungsträger gemäß Fig. 3 besonders gut in Transmission lesbar ist, eignet sich der Aufzeichnungsträger gem. Fig. 4 besonders gut zum Lesen mit reflektiertem Licht. Zwischen dem Substrat 12 a, an dessen Lichtdurchlässigkeit nun keine besonderen Anforderungen mehr gestellt zu werden brauchen und der hier aus a-Si bestehenden Silicium-Speicherschicht 14, ist eine reflektierende Schicht 20, z. B. eine aufgedampfte spiegelnde Metallschicht, die aus Aluminium bestehen kann, angeordnet. Man kann auch z. B. eine Metallplatte mit polierter Oberfläche als Substrat verwenden. Wenn mit Reflexion gelesen wird, spielt offensichtlich auch die Dicke der Si-Schicht keine Rolle. Die Speicherung der Information erfolgt durch Rekristallisation bestimmter Bereiche der a-Si-Schicht mittels eines Energiestrahls, z. B. Laserstrahlen. FIG. 4 shows a modification of the record carrier according to FIG. 3. While the record carrier according to FIG. 3 can be read particularly well in transmission, the record carrier according to FIG. Fig. 4 particularly good for reading with reflected light. Between the substrate 12 a , on the light transmittance of which no special requirements now need to be made, and the silicon storage layer 14 consisting here of a-Si, a reflective layer 20 , e.g. B. an evaporated reflective metal layer, which can consist of aluminum, arranged. You can also z. B. use a metal plate with a polished surface as a substrate. When reading with reflection, the thickness of the Si layer obviously does not matter. The information is stored by recrystallization of certain areas of the a-Si layer by means of an energy beam, e.g. B. laser beams.

Die oben beschriebenen erfindungsgemäßen Aufzeichnungsträger eignen sich nicht nur als reine Lesespeicher (ROM) für Archive oder dergleichen, sondern ermöglichen auch ein Löschen bzw. Überschreiben der Daten, da der Übergang von der kristallinen in die amorphe Modifikation des Siliciums reversibel ist. Die Bereiche 18 aus a-Si können also z. B. durch einen Laserstrahl hinreichender Intensität und Einwirkungsdauer lokal rekristallisiert werden, wodurch die voher als a-Si gespeicherte Information gelöscht wird und der betreffende Bereich erneut für einen Einschreibezyklus der oben beschriebenen Art zur Verfügung steht.The above-described recording media according to the invention are not only suitable as read-only memories (ROM) for archives or the like, but also allow the data to be deleted or overwritten, since the transition from the crystalline to the amorphous modification of the silicon is reversible. The areas 18 made of a-Si can, for. B. locally recrystallized by a laser beam sufficient intensity and exposure time, whereby the information previously stored as a-Si is deleted and the area in question is again available for a registration cycle of the type described above.

Das Auslesen der vorliegenden Aufzeichnungsträger erfolgt vorzugsweise mit optischer Strahlung mit einer Quantenenergie bis zu etwa 4,5 eV, da bis zu dieser Energie der Absorptionskoeffizient von amorphem Silicium wesentlich größer ist als der von kristallinem Silicium.The existing record carriers are read out preferably with optical radiation with a quantum energy  up to about 4.5 eV, because up to this energy the Absorption coefficient of amorphous silicon essential is larger than that of crystalline silicon.

Man kann auch von einer Schicht aus amorphem Silicium ausgehen und die Information dadurch speichern, daß man Teile dieser Schicht durch einen Energiestrahl (Ionen-, Elektronen- oder Laserstrahl) in die kristalline Modifikation umwandelt. Die Information kann ganz allgemein in Form von Pixels aus Silicium mit unterschiedlichen Anteilen an c-Si und a-Si (0 bis 100% c-Si und 100 bis 0% a-Si), also auch als eine Art von Halbtonbild gespeichert werden.One can also use a layer of amorphous silicon go out and save the information by: Parts of this layer by an energy beam (ion, Electron or laser beam) in the crystalline modification converts. The information can generally be found in Shape of pixels made of silicon with different Proportions of c-Si and a-Si (0 to 100% c-Si and 100 to 0% a-Si), also as a kind of halftone get saved.

Claims (14)

1. Optisch lesbarer Aufzeichnungsträger mit einer Schicht, in der Information in Form von Bereichen mindestens zweier verschiedener Typen, die unterschiedliche optische Eigenschaften, wie Absorptions- bzw. Reflexionskoeffizienten haben, gespeichert ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Bereiche aus Silicium bestehen und sich durch ihren Gehalt an der kristallinen und amorphen Modifikation des Siliciums (c-Si bzw. a-Si) unterscheiden.1. Optically readable record carrier with a layer in which information is stored in the form of areas of at least two different types which have different optical properties, such as absorption or reflection coefficients, characterized in that the areas consist of silicon and are characterized by their Differentiate content of the crystalline and amorphous modification of silicon (c-Si or a-Si). 2. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bereiche eines ersten Typs im wesentlichen aus kristallinem Silicium (c-Si) bestehen und die Bereiche eines zweites Typs amorphes Silicium (a-Si) enthalten. 2. Record carrier according to claim 1, characterized in that that the areas of a first type essentially consist of crystalline silicon (c-Si) and the Regions of a second type of amorphous silicon (a-Si) contain.   3. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Bereiche des zweiten Typs im wesentlichen aus amorphem Silicium bestehen.3. Record carrier according to claim 2, characterized in that that the areas of the second type essentially consist of amorphous silicon. 4. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß er Bereiche enthält, die amorphes und kristallines Silicium in unterschiedlichen Anteilen enthalten.4. Record carrier according to claim 1, 2 or 3, characterized characterized in that it contains areas that are amorphous and Crystalline silicon in different proportions contain. 5. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht auf einem optisch transparenten Substrat angeordnet ist.5. Record carrier according to claim 1, 2, 3 or 4, characterized in that the layer on an optical transparent substrate is arranged. 6. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht epitaktische c-Si-Bereiche auf einem monokristallinen Saphir-Substrat enthält.6. Record carrier according to claim 5, characterized in that that the layer has epitaxial c-Si regions contains a monocrystalline sapphire substrate. 7. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht auf einem optisch reflektierenden Substrat angeordnet ist.7. Record carrier according to claim 1, 2, 3 or 4, characterized in that the layer on an optical reflective substrate is arranged. 8. Aufzeichnungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Schicht kleiner als 1 µm ist.8. Record carrier according to one of claims 1 to 7, characterized in that the thickness of the layer is smaller than 1 µm. 9. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht eine Dicke in der Größenordnung von höchstens 0,1 µm hat.9. Record carrier according to claim 8, characterized in that that the layer has a thickness on the order of magnitude of at most 0.1 µm. 10. Verwendung einer auf einem Substrat angeordneten Schicht aus Silicium vorgegebener Modifikation, insbesondere epitaktisches c-Si auf kristallischem Saphir, als Speicherschicht eines optisch lesbaren Aufzeichnungsträgers, in der Information in Form von Bereichen unterschiedlichen Gehalts an c-Si und a-Si speicherbar ist. 10. Use one arranged on a substrate Layer of silicon of predetermined modification, in particular epitaxial c-Si on crystalline sapphire, as Storage layer of an optically readable record carrier, in information in the form of areas different Content of c-Si and a-Si is storable.   11. Verfahren zum Herstellen eines Aufzeichnungsträgers nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bestimmte Bereiche einer dünnen Schicht aus kristallinem Silicium durch einen gebündelten Strahl mindestens bis zu einem gewissen Prozentsatz in amorphes Silicium umgewandelt werden.11. Method for producing a record carrier according to claim 1, characterized in that certain Areas of a thin layer of crystalline silicon by a bundled beam at least up to one certain percentage converted to amorphous silicon will. 12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß ein gebündelter Ionenstrahl verwendet wird.12. The method according to claim 11, characterized in that a focused ion beam is used. 13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß ein gebündelter Elektronenstrahl verwendet wird.13. The method according to claim 11, characterized in that a focused electron beam is used. 14. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß ein Laserstrahl verwendet wird.14. The method according to claim 11, characterized in that a laser beam is used.
DE19853524184 1985-07-05 1985-07-05 Optically readable recording carrier Granted DE3524184A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19853524184 DE3524184A1 (en) 1985-07-05 1985-07-05 Optically readable recording carrier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19853524184 DE3524184A1 (en) 1985-07-05 1985-07-05 Optically readable recording carrier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3524184A1 true DE3524184A1 (en) 1987-01-15
DE3524184C2 DE3524184C2 (en) 1989-08-10

Family

ID=6275116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19853524184 Granted DE3524184A1 (en) 1985-07-05 1985-07-05 Optically readable recording carrier

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3524184A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0822543A1 (en) * 1996-07-30 1998-02-04 Industrial Technology Research Institute Write-once-read-many optical disk

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2102215A1 (en) * 1970-02-19 1971-08-26 Energy Conversion Devices Inc Information storage and retrieval system
US3716844A (en) * 1970-07-29 1973-02-13 Ibm Image recording on tetrahedrally coordinated amorphous films

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2102215A1 (en) * 1970-02-19 1971-08-26 Energy Conversion Devices Inc Information storage and retrieval system
US3716844A (en) * 1970-07-29 1973-02-13 Ibm Image recording on tetrahedrally coordinated amorphous films

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Ullmanns Encyklopädie der technischen Chemie, 4. Aufl., Verlag Chemie, Weinheim-New York, Bd. 12, 1976, S. 475, 478 u. 479, Bd. 15, 1978, S. 96, -ISBN 3-527-20000-2 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0822543A1 (en) * 1996-07-30 1998-02-04 Industrial Technology Research Institute Write-once-read-many optical disk

Also Published As

Publication number Publication date
DE3524184C2 (en) 1989-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2439848C2 (en) Method of recording by means of a laser beam
DE2309106C3 (en) Method for optical information storage and device for carrying out the method
DE2739610C2 (en) Information carriers and methods for recording information
EP0021087B1 (en) Method of preparing macrocrystalline or monocrystalline films of metals or alloys and application of the method to the manufacture of semiconductor circuits and contact electrodes
DE2514678A1 (en) METAL FILM RECORDING MEDIUM
DE69816073T2 (en) METHOD FOR PRODUCING AN OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM PRODUCED BY THE METHOD
DE2358859B2 (en)
EP0046914A2 (en) Method of forming alloyed metal contact layers on crystallographically oriented semiconductor surfaces using pulsed energy radiation
DE3610473A1 (en) OPTICAL CONTROL
DE69818166T2 (en) Films made of metal (III) nitride as a phase change medium for optical recording
EP0207528A2 (en) Process of producing a photomask
DE2439295A1 (en) OPTICAL CONVERTER
DE2747856C2 (en)
DE3023134A1 (en) RECORDING ELEMENT
DE3524184A1 (en) Optically readable recording carrier
DE2250184C3 (en) Optical relay that contains a photoconductive element
DE602004002138T2 (en) Optical recording material, optical recording media and methods of making same, and methods for optical recording and reproduction methods
DE60310265T2 (en) USE OF A DOUBLE-POSSIBLE PHOTOLITHOGRAPHIC RESIST AS A NEW MATERIAL FOR OPTICAL STORAGE
DE2558529C2 (en) Recording material
EP1320914B1 (en) Method for passivating the resonator end faces of semiconductor lasers on the basis of iii-v semiconductor material
EP0463413A2 (en) Reversible optical phase-change type record carrier
DE3032461C2 (en)
EP0237945B1 (en) Optical recording medium
DE2837653A1 (en) Local heating of small semiconductor regions - using thin masking film of low absorptivity and specified refraction forming partly dielectric mirror and partly anti-reflexing coating
DE2925289C2 (en) Radiation sensitive material and method of recording information

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee