DE3310331A1 - Verfahren zur oberflaechenvergroesserung eines substrates - Google Patents
Verfahren zur oberflaechenvergroesserung eines substratesInfo
- Publication number
- DE3310331A1 DE3310331A1 DE19833310331 DE3310331A DE3310331A1 DE 3310331 A1 DE3310331 A1 DE 3310331A1 DE 19833310331 DE19833310331 DE 19833310331 DE 3310331 A DE3310331 A DE 3310331A DE 3310331 A1 DE3310331 A1 DE 3310331A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- enlarging
- irradiation
- solar cells
- application
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 101100346656 Drosophila melanogaster strat gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/081—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing particle radiation or gamma-radiation
- B01J19/085—Electron beams only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/34—Irradiation by, or application of, electric, magnetic or wave energy, e.g. ultrasonic waves ; Ionic sputtering; Flame or plasma spraying; Particle radiation
- B01J37/341—Irradiation by, or application of, electric, magnetic or wave energy, e.g. ultrasonic waves ; Ionic sputtering; Flame or plasma spraying; Particle radiation making use of electric or magnetic fields, wave energy or particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/2636—Bombardment with radiation with high-energy radiation for heating, e.g. electron beam heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
-
- Verfahren zur Oberflächenvergrößerung eines Substra-
- tes.
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
- Eine Veränderung der Oberfläche eines Substrates ist als Oberflächenvergrößerung für Katalysatoren und als eine Art Aufrauhung zur Verminderung des Reflexionsvermögens einer solchen Oberfläche von technischer Bedeutung. Dies gilt insbesondere für Solarzellen, bei denen am Halbleitermaterial des Substrates wegen dessen hohem Reflexionsvermögen erheblicher Anteil des auffallenden Sonnenlichtes reflektiert wird. Für Solarzellen ist daher bereits die Verwendung von lichtoptischen Antireflexbelägen auf der Substratoberfläche vorgesehen worden. Diesbezüglich nachteilig ist aber nicht nur der hohe Kostenaufwand, sondern auch der Umstand, daß lichtoptische Antireflexbeläge wellenlängenabhängiges Verhalten haben, jedoch ein möglichst breites Spektrum des Sonnenlichtes zur Solar-Energieerzeugung ausgenutzt werden soll.
- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein in einfacher Weise durchzuführendes Verfahren zur Oberflächenvergrößerung, insbesondere zur Oberflächen-Reflexionsverminderung, anzugeben. Diese Aufgabe wird mit einem Verfahren nach Patentanspruch 1 gelöst.
- Insbesondere für die Anwendung der Erfindung für Solarzellen kommt es darauf an, daß die Oberflächen-Reflexionsverminderung des Substrates nicht auf einer solchen Absorption beruht, die die auffallende Strahlung lediglich in Wärme übergehen läßt. Vielmehr wird mit der Erfindung erreicht, daß das auffallende Licht unabhängig von der Wellenlänge durch Vielfachreflexionen eingefangen und zur Solarenergienutzung ausgewertet wird.
- Dabei hat sich gezeigt, daß eine nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte "Aufrauhung" der Substratoberfläche besonders günstig ist.
- Vorteilhaft ist es, die erfindungsgemäße Bestrahlung mit Elektronen vorzunehmen. Dabei ist es günstig, ein dünnes Halbleitersubstrat mit einer Dicke von z.B. kleiner 1 mm vorzusehen, das während der Durchführung des Verfahrens mit seiner Rückseite auf einem stark gekühlten Obäekthalter angebracht wird. Mit der Elektronenbestrahlung wird die Substratoberfläche, z.B. einer polykristallinen Sintr-Siliziumscheibe, während der Durchführung des Verfahrens ganzflächig bestrahlt, wobei diese bestrahlte Vorderseite des Substrates durch den energiereichen Elektronenstrahl jeweils örtlich so stark erhitzt wird, daß die Oberflächentemperatur des Substratmaterials gerade bis zum Schmelzpunkt ansteigt. Dabei wird nämlich die Oberflächenbeweglichkeit von Siliziumatomen, vergleichsweise zur Volumenbeweglichkeit derselben, stark vergrößert und das ganze System in einen instabilen Oberflächenzustand übergeführt. Aufgrund der starken thermischen Gradienten und der Oberflächenenergien tritt bevorzugt eine Anlagerung der Atome an stets unvermeidlich vorhandenen Spitzen der in dieser Hinsicht rauhen Oberfläche des Substrates ein. Dieser Vorgang führt schließlich nach einigen Sekunden Bestrahlungszeit zur Ausbildung einer Oberfläche, aus der mit hoher Flächendichte nadelförmige Gebilde herausragen.
- Für den Fall der Verwendung der Erfindung für die Herstellung von Solarzellen mit reflexionsverminderter Oberfläche wird vorzugsweise dann nachfolgend der pn-Übergang im Substrat erzeugt, und zwar beispielsweise durch Ionenimplantation, durch Oberflächenbelegung mit dem Dotierstoff oder durch laserinduzierte chemische Reaktion. Das Ausheilen oder Eintreiben der Dotierstoffe kann in einem Festkörper-Phasenprozeß durch Kurzzeitverfahren wie Laser- oder Elektronenbestrahlung erfolgen. Eine bezüglich ihrer Oberfläche nach einem erfindungsgemäßen Verfahren bearbeitete Solarzelle kann dann schließlich z.B. durch einen dicken, das Sonnenlicht nicht absorbierenden Belag aus PMER oder Polyimid geschützt sein.
- Ein nach einem erfindungsgemäßen Verfahren behandeltes Katalysator-Substrat hat eine erheblich vergrößerte Oberfläche, das seine Katalysatorwirkung erheblich verbessert.
- Nachfolgend wird anhand der Beschreibung der Durchführung eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Verfahrens die Erfindung näher erläutert.
- Die Figur zeigt ein Teilstück einer Substratscheibe 2 aus beispielsweise polykristallinem Silizium, das sich mit seiner rückseitigen Oberfläche 3 auf einem gut gekühlten Objekthalter 4 befindet. Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren zu behandelnde Vorderseite 5 des Substrates 2 ist, so wie sie ursprünglich vorhanden ist, in der seitlichen Darstellung der Figur gestrichelt wiedergegeben. Durch die mit den Pfeilen 5 angedeutete Strahlung, insbesondere Elektronenstrahlung, wird diese Oberfläche 5 mindestens für den Bereich, in dem das Sub- strat 2 als Solarzelle verwendet werden soll, ganzflächig bestrahlt, und zwar bis zum Erreichen örtlichen Schmelzens des Materials der Oberfläche. Diese Bestrahlung erfolgt z.B. mittels einer stark aufgeweiteten Strahlung, die den gesamten Bereich überdeckt, oder z.B.
- durch Abrastern mittels eines fokussierten Strahles.
- Wie dies für das mit 10 angedeutete Teilstück der Oberfläche 5 lediglich schematisch, in der Höhe sehr stark übertrieben, dargestellt ist, ergibt sich aufgrund der bei Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens auftretenden hohen Oberflächenbeweglichkeit der Atome des Materials der Oberfläche 5 eine neue Oberflächenstruktur 10 mit Erhöhungen und entsprechenden Vertiefungen. Diese Erhöhungen sind nicht nur einzelne Spitzen; sie haben auch die Form von Strängen mit für Erhöhungen der Substratoberfläche dazwischenliegenden, meistenteils dazu vergleichsweise breiteren Tälern.
- Die Wirksamkeit der erfindungsgemäßen Maßnahme ist auch, ohne das Substrat beispielsweise als Solarzelle zu betreiben, daran zu erkennen, daß die zuvor hell bzw. reflektierend erscheinende Oberfläche 5 des Substrates 2 nach erfindungsgemäßer Behandlung dunkel bis tiefschwarz erscheint, nämlich weil auftreffende Strahlung des Beobachtungslichtes durch Vielfachreflexion im Substrat weitgehend vollständig aufgenommen wird.
- - Leerseite -
Claims (4)
- Patentansprüche: 1. Verfahren zur Oberflächenvergrößerung eines Substrates, g e k e n n z e i c h n e t dadurch, daß die betreffende Oberfläche des Substrates (2) mit energiereicher Strahlung bestrahlt wird und daß die Bestrahlungsdichte so bemessen wird, daß eine Nadelbildung durch Oberflächendiffusion von Atomen des Substratmaterials eintritt.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, g e k e n n z e i c h -n e t dadurch, daß für die Bestrahlung Elektronenstrahlung verwendet wird.
- 3. Anwendung des Verfahrens nach Anspruch 1 oder 2 zur Reflexionsverminderung der Oberfläche des Halbleitermaterials eines Substrates für Solarzellen.
- 4. Anwendung des Verfahrens nach Anspruch 1 oder 2 für die Bearbeitung von Katalysatormaterial.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19833310331 DE3310331A1 (de) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | Verfahren zur oberflaechenvergroesserung eines substrates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19833310331 DE3310331A1 (de) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | Verfahren zur oberflaechenvergroesserung eines substrates |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3310331A1 true DE3310331A1 (de) | 1984-09-27 |
Family
ID=6194275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19833310331 Withdrawn DE3310331A1 (de) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | Verfahren zur oberflaechenvergroesserung eines substrates |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3310331A1 (de) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1421374A1 (de) * | 1962-02-16 | 1968-10-17 | Siemens Ag | Verfahren zur Beeinflussung der Aktivitaet von Katalysatoren |
| US4128752A (en) * | 1976-12-15 | 1978-12-05 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of National Defence | Laser micromachining apparatus |
| DE2817072A1 (de) * | 1977-11-18 | 1979-05-23 | Stanford Res Inst Int | Verfahren zum gesteuerten oberflaechentexturieren von kristallinem halbleitermaterial |
| EP0002433A2 (de) * | 1977-12-08 | 1979-06-27 | International Business Machines Corporation | Verfahren zum Herstellen von Silicium-Photoelementen |
| DE3002704A1 (de) * | 1979-01-26 | 1980-08-07 | Exxon Research Engineering Co | Selektiver solarstrahlungs-absorber und verfahren zur herstellung desselben |
| DE3123628A1 (de) * | 1981-06-15 | 1983-01-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Einrichtung zur umkristallisation duenner oberflaechenschichten oder duenner, auf substraten aufgebrachter schichten mittels eines elektronenmissionssystems |
-
1983
- 1983-03-22 DE DE19833310331 patent/DE3310331A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1421374A1 (de) * | 1962-02-16 | 1968-10-17 | Siemens Ag | Verfahren zur Beeinflussung der Aktivitaet von Katalysatoren |
| US4128752A (en) * | 1976-12-15 | 1978-12-05 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of National Defence | Laser micromachining apparatus |
| DE2817072A1 (de) * | 1977-11-18 | 1979-05-23 | Stanford Res Inst Int | Verfahren zum gesteuerten oberflaechentexturieren von kristallinem halbleitermaterial |
| EP0002433A2 (de) * | 1977-12-08 | 1979-06-27 | International Business Machines Corporation | Verfahren zum Herstellen von Silicium-Photoelementen |
| DE3002704A1 (de) * | 1979-01-26 | 1980-08-07 | Exxon Research Engineering Co | Selektiver solarstrahlungs-absorber und verfahren zur herstellung desselben |
| DE3123628A1 (de) * | 1981-06-15 | 1983-01-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Einrichtung zur umkristallisation duenner oberflaechenschichten oder duenner, auf substraten aufgebrachter schichten mittels eines elektronenmissionssystems |
Non-Patent Citations (7)
| Title |
|---|
| US-Z: Appl. Phys. Letters 40 (5) 1982, S.394,395 * |
| US-Z: Chemical Abstracts, 1962, S.6326 * |
| US-Z: Chemical Abstracts, 1964, 32, 0584 * |
| US-Z: Chemical Abstracts, 1974, 81, 17218 x * |
| US-Z: IBM Technical Disclosure Bulletin, 19, No.101977, S.3955,3956 * |
| US-Z: J. of Vacuum Science and Technology, Vol.20,No.3, März 1982, S.734-737, Abschn.II * |
| US-Z: The Amer. Ceram. Soc. Bull., 52, 1973, S. 838-841 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69334075T2 (de) | Verbesserte rückseiten-hydrierungstechnik für fehlerpassivierung in silizium-sonnenzellen. | |
| DE2839535C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Meßkörpers für Interferenzmessungen von Schichtdicken eines einkristallinen Körpers und Verwendung dieses Meßkörpers für die Herstellung eines Halbleiterkörpers | |
| EP1738402A1 (de) | Laserdotierung von festkörpern mit einem linienfokussierten laserstrahl und darauf basierende herstellung von solarzellen-emittern | |
| DE3787440T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung um eine Linie auf einem strukturierten Substrat zu schreiben. | |
| DE3789187T2 (de) | Selektive Verbindung von mehrschichtigen Strukturen aus festen Dünnschichten. | |
| WO2002025742A2 (de) | Verfahren zur herstellung eines halbleiter-metallkontaktes durch eine dielektrische schicht | |
| DE3047297A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen | |
| DE102007012277A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle sowie damit hergestellte Solarzelle | |
| DE2929296A1 (de) | Verfahren zur ausbildung von pn-sperrschichten | |
| EP0046914A2 (de) | Verfahren zum Herstellen von legierten Metallkontaktschichten auf kristallorientierten Halbleiteroberflächen mittels Energiepulsbestrahlung | |
| DE19904065A1 (de) | Verfahren zum Herstellen thermisch stabilen Silizids | |
| DE1942598A1 (de) | Halbleiter und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| EP0852062A2 (de) | Dotierverfahren zur herstellung von homoübergängen in halbleitersubstraten | |
| DE19837944A1 (de) | Verfahren zur Fertigung eines Halbleiterbauelements | |
| EP1060505B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines mikroelektronischen halbleiterbauelements | |
| DE3310331A1 (de) | Verfahren zur oberflaechenvergroesserung eines substrates | |
| DE112013004626T5 (de) | Photomischer und Verfahren zum Herstellen desgleichen | |
| DE102012214335A1 (de) | Verfahren zur Ablation einer Schicht | |
| DE102013113108B4 (de) | Solarzellenherstellungsverfahren | |
| DE112017003349T5 (de) | Laserverfahren zur folienbasierten metallisierung von solarzellen | |
| DE3324232A1 (de) | Verfahren zum herstellen von aus kristallinem silizium bestehenden koerpern mit einer die oberflaeche vergroessernden struktur, sowie deren anwendung als substrate fuer solarzellen und katalysatoren | |
| DE2534978A1 (de) | Elektrisch gepumpter festkoerperlaser und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE102016118383A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung eines Halbleiterbauelementes mit zumindest einer Halbleiterschicht | |
| DE102010061296A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von elektrisch leitenden Kontakten auf Solarzellen sowie Solarzelle | |
| WO2003019637A2 (de) | Verfahren zur wärmebehandlung der oberflächenbehandlung eines halbleiters mit hilfe eines laserpulses |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |