DE3247938A1 - Semiconductor device having high reverse-voltage handling capacity - Google Patents

Semiconductor device having high reverse-voltage handling capacity

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Abstract

In semiconductor devices having at least one p-n junction and a trench-like recess on a principal surface of the semiconductor body, an increase in the reverse-voltage handling capacity can be achieved by covering the p-n junction emerging in the recess at the semiconductor surface with a coating composed of a first layer of glass directly on the semiconductor body and of a second layer deposited on the glass and composed of a copolymer. Copolymers from the group comprising the polyimides, for example of a plurality of derivatives or containing at least one derivative of the polyimides are provided. Particularly advantageous is a polyimide/silicone copolymer with a silicone component containing an aromatic or aliphatic radical.

Description

HALBLEITERBAUELEMENT HOHERSEMICONDUCTOR COMPONENT HIGH

SPERRSPANNUNGSBELASTBARKEIT Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement hoher Sperrspannungsbelastbarkeit mit einem Halbleiterkörper, der eine Folge von Zonen unterschiedlichen Leitungstyps mit wenigstens einem pn-Übergang und an wenigstens einer Hauptfläche seiner Zonenfolge eine grabenförmige Vertiefung aufweist, in welcher der pn-Übergang an die Oberfläche tritt und mit einem passivierenden und stabilisierenden, ein Glas enthaltenden Überzug abgedeckt ist.BLOCKING VOLTAGE CAPACITY The invention relates to a semiconductor component high reverse voltage load capacity with a semiconductor body, which is a consequence of Zones of different conductivity types with at least one pn junction and at least a main surface of its zone sequence has a trench-shaped depression in which the pn junction comes to the surface and is covered with a passivating and stabilizing, a coating containing glass is covered.

Sie durch Bemessung und Technologie erzielbare Sperrspannungsbelastbarkeit von Halbleiterbauelementen wird durch schädliche Oberflächeneffekte im Bereich des Austritts des pn-Übergangs an die Oberfläche des Halbleiterkörpers nachteilig verringert. Eine der bekannten Maßnahmen zur Vermeidung dieses Nachteils ist die Anordnung einer grabenförmigen, bedarfsweise in sich geschlossenen Vertiefung in einer der Hauptflächen, die sich von dieser bis über den mit Sperrspannung zu belastenden pn-Übergang hinaus erstreckt und mit geneigten Seitenflächen versehen sein kann; sowie die Abdeckung der Halbleiteroberfläche in dieser Vertiefung mit einer passivierenden und stabilisierenden Substanz.You can achieve reverse voltage load capacity through design and technology of semiconductor components is affected by harmful surface effects in the area of the The exit of the pn junction to the surface of the semiconductor body is disadvantageously reduced. One of the known measures to avoid this disadvantage is the arrangement of a trench-shaped, if necessary self-contained recess in one of the main surfaces, which extends from this to beyond the pn junction that is to be loaded with reverse voltage can be extended and provided with inclined side surfaces; as well as the cover the semiconductor surface in this recess with a passivating and stabilizing Substance.

Mit einer solchen, weiterhin als Grabenstruktur bezeichneten Ausbildung wird außer der Erhöhung der kritischen Oberflächenfeldstärke im Bereich des Austritts des pn-Überganges auch eine optimale Nutzung der sogenannten aktiven Fläche des Halbleitermaterials erreicht.With such a training, also referred to as a trench structure will besides increasing the critical Surface field strength im Area of the exit of the pn-junction also an optimal use of the so-called reached active area of the semiconductor material.

Als Substanz zur Oberflächenpassivierung wurden Schutzlacke auf Siliconbasis verwendet. Die Praxis hat gezeigt, daß die Sperrspannungsbelastbarkeit von Bauelementen mit derartigen Grabenstrukturen wegen der relativ eng beabstandeten Grabenwände und deren Kanten an der Hauptfläche mittels solcher Schutzlacke nicht optimierbar ist. Eine wesentliche Verbesserung brachte die Verwendung von glasartigen Überzügen anstelle dieser Schutzlacke (vgl. DE-OS 26 33 324, DE-OS 27 30 566), wobei vorzugsweise auf dem Halbleitermaterial zur guten Verbindung desselben mit dem Glas eine SiO2-Schicht und auf dieser eine Schicht z. B. aus einem Phosphorsilicatglas oder einem Zinkborsilicatglas aufgebracht sind.Silicone-based protective lacquers were used as a substance for surface passivation used. Practice has shown that the reverse voltage load capacity of components with such trench structures because of the relatively closely spaced trench walls and their edges on the main surface cannot be optimized by means of such protective lacquers is. The use of vitreous coatings brought about a significant improvement instead of these protective lacquers (see. DE-OS 26 33 324, DE-OS 27 30 566), preferably an SiO2 layer on the semiconductor material to ensure a good bond between it and the glass and on this one layer z. B. from a phosphorus silicate glass or a zinc borosilicate glass are upset.

Mit derartigen Strukturen wurden im Bereich der Sperrspannungsbelastbarkeit bis etwa 1500 V günstige Ergebnisse erzielt. Den Forderungen von Anwendern nach Einsatz von Halbleiterbauelementen bei höherer Sperrspannung werden solche Strukturen jedoch nicht gerecht.With such structures were in the area of the reverse voltage load capacity Achieved favorable results up to about 1500 V. According to the demands of users Such structures are used when using semiconductor components with higher reverse voltage but not fair.

Es hat sich gezeigt, daß insbesondere die herstellungsbedingt zu den Grabenkanten hin abnehmende Schichtdicke des Glases, ferner die geforderte, zwecks Optimierung der aktiven Halbleiterfläche möglichst geringe Grabenbreite und die infolge unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten von Glas- und Halbleitermaterial notwendige Beschränkung der maximalen Glasschichtdicke den Einsatz solcher Strukturen bei Sperrspannungswerten über dem angegebenen Bereich nicht zulassen. Jedoch verbleiben auch bei gezielter Verbreiterung der Grabenbasis an den Grabenkanten Schwachstellen im Verlauf der Oberflächenfeldstärke. Eine Schichtdickenänderung an den Grabenkanten ist nicht in gewünschter Weise möglich, und außerdem ist keine beliebig dicke Glasschicht herstellbar. So können offenbar die Anforderungen, welche bei einer Grabenstruktur an einen passivierenden und stabilisierenden Überzug zu -stellen sind, von einem Überzug aus Glas allein nicht erfüllt werden, obwohl die bekannten Gläser hohes Isolationsvermögen für hohe Sperrspannungsbelastbarkeit, ausreichende thermische Beständigkeit, ausreichende Feuchtedichte sowie chemische Beständigkeit gegen Umgebungseinflüsse gewährleisten.It has been shown that in particular the production-related to the Trench edges decreasing layer thickness of the glass, also the required, for the purpose Optimization of the active semiconductor area as small as possible trench width and the due to the different thermal expansion coefficients of glass and semiconductor material necessary restriction of the maximum glass layer thickness the use of such structures Not permitted for reverse voltage values above the specified range. However, remain weak points at the edges of the trench, even if the trench base is specifically widened in the Course of the surface field strength. A change in layer thickness at the trench edges is not possible in the desired way, and in addition there is no arbitrarily thick glass layer manufacturable. In this way, the requirements for a trench structure are to be placed on a passivating and stabilizing coating, by one Covering made of glass alone cannot be met, although the known glasses are tall Insulation capacity for high reverse voltage load capacity, sufficient thermal Resistance, sufficient moisture density and chemical resistance to environmental influences guarantee.

Es lag daher die Aufgabe zugrunde, für eine Grabenstruktur bei Halbleiterbauelementen einen stabilisierenden und passivierenden Überzug anzugeben, welcher eine im Vergleich zu bekannten Anordnungen höhere Sperrspannungsbelastbarkeit zuläßt.It was therefore the object of a trench structure in semiconductor components indicate a stabilizing and passivating coating, which one in comparison allows higher reverse voltage load capacity to known arrangements.

Die Lösung dieser Aufgabe besteht darin, daß der Überzug aus einer ersten, unmittelbar auf dem Halbleiterkörper aufgebrachten Schicht aus einem Glas und aus einer zweiten, auf dem Glas angeordneten Schicht aus Kunstharz besteht.The solution to this problem is that the coating consists of a first layer of a glass applied directly to the semiconductor body and consists of a second layer of synthetic resin disposed on the glass.

Besonders vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Ansprüchen 2 bis 11 gekennzeichnet.Particularly advantageous embodiments of the invention are shown in Claims 2 to 11 characterized.

Der Überzug nach der Erfindung zeigt die Vorteile einer verfahrenstechnisch besonders einfachen Beschichtung einer Glasabdeckung mit einer dünnen Abschlußschicht, einer höheren Langzeitstabilität der Bauelemente bei allen auftretenden Betriebstemperaturen sowie einer Verringerung des mit der Herstellung der zweiten Schicht auf Kunstharz verbundenen Aufwandes gegenüber bekannten Bauformen.The coating according to the invention shows the advantages of a process engineering particularly simple coating of a glass cover with a thin top layer, a higher long-term stability of the components at all occurring operating temperatures as well as a reduction in the cost of making the second layer on synthetic resin associated effort compared to known designs.

Nun ist es z. B. aus der DE-OS 17 64 977 bekannt, direkt ober über eine Passivierungsschicht aus SiO2 oder Si3N4 auf dem Halbleitermaterial einen Überzug aus einem Polyimid aufzubringen. Nachdem diese genannten Passivierungsschichten eine hohe Feuchedurchlässigkeit zeigen und außerdem aus wirtschaftlichen und physikalischen Gründen nur sehr dünn herstellbar sind, käme zusätzlich dem Überzug aus Polyimid die Funktion einer passivierenden und stabilisierenden Beschichtung zu, für die dieses Material allein, wie Untersuchungen gezeigt haben, nicht ausreichend ist. Derartige Überzüge erfüllen die an hochsperrende Bauelemente gestellten. Anforderungen nicht.Now it is z. B. from DE-OS 17 64 977, directly above a passivation layer made of SiO2 or Si3N4 on the semiconductor material to apply from a polyimide. After these mentioned passivation layers show a high moisture permeability and also from economic and physical For reasons that can only be produced very thinly, there would also be a polyimide coating the function of a passivating and stabilizing coating for which Studies have shown that this material alone is not sufficient. Such coatings meet the requirements for high-blocking components. requirements not.

Dasselbe gilt vielmehr noch für Ausführungsformen, bei welchen die Halbleiteroberfläche direkt und ausschließlich mit einem Polyimid beschichtet ist.Rather, the same applies to embodiments in which the Semiconductor surface is coated directly and exclusively with a polyimide.

Weiter ist es aus der DE-OS 26 34 568 bekannt, auf die Halbleiteroberfläche zur Erzielung einer ladungsneutralen Passivierungsschicht, um durch Überlagerung von Ladungen entstehende, unerwünscht hohe Oberflächenfeldstärken zu vermeiden, zuerst einen Überzug aus einem Polimid und darüber eine Beschichtung aus Glas anzuordnen. Es ist ausdrücklich Glas als zweite Schicht vorgesehen. Andernfalls, d. h. bei direkter Anordnung von Glas auf dem Halbleitermaterial, soll die Gefahr der Verunreinigung der Halbleiteroberfläche mit Alkaliionen, insbesondere mit Natriumionen, bestehen, und weiterhin soll bei unmittelbarer Glasabdeckung durch von der Anordnung des Glases herrührende Oberflächenladungen der Verlauf der Verarmungsschicht in der Nähe der Halbleiteroberfläche in unerwünschter Weise verändert werden.It is also known from DE-OS 26 34 568 on the semiconductor surface to achieve a charge-neutral passivation layer by overlaying avoid undesirably high surface field strengths caused by charges, to first arrange a coating of a polimide and over it a coating of glass. Glass is expressly provided as the second layer. Otherwise, i. H. at direct Arrangement of glass on the semiconductor material is said to reduce the risk of contamination the semiconductor surface consist of alkali ions, especially sodium ions, and furthermore, when the glass is directly covered, the arrangement of the glass should lead to it surface charges resulting from the course of the depletion layer in the vicinity of the Semiconductor surface are changed in an undesirable manner.

Für derartige Beschichtungen gelten die obigen Feststellungen bezüglich der direkten Anordnung von Poly- imid auf dem Halbleitermaterial, Anhand des in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispieles eines scheibenförmigen Halbleiterkörpers mit einem pn-Übergang wird die Erfindung aufgezeigt und erläutert.The above statements apply to coatings of this type the direct arrangement of poly- imid on the semiconductor material, Based on the embodiment of a disk-shaped illustrated in the drawing Semiconductor body with a pn junction, the invention is shown and explained.

Der Halbleiterkörper I weist in einer Folge von schicht förmigen Zonen eine hochohmige Mittelzone 1 vom ersten Leitungstyp, daran angrenzend eine höher dotierte Zone 2 entgegengesetzten Leitungstyps und an der gegenüberliegenden Seite eine Zone 3 auf, welche bei steuerbaren Halbleiterbauelementen vom gleichen Leitungstyp wie die Zone 2 oder bei Gleichrichterdioden vom gleichen Leitungstyp wie die Zone 1 ist. Es kann auch ein Halbleiterkörper vorgesehen sein, der mit Hilfe eines Diffusionsverfahrens eine Schichtenfolge mit in sich geschlossener pn-Übergangsfläche aufweist, wie dies durch die gestrichelte Linie dargestellt ist.The semiconductor body I has a sequence of layer-shaped zones a high-resistance middle zone 1 of the first conductivity type, adjoining it a higher one doped zone 2 of the opposite conductivity type and on the opposite side a zone 3, which in controllable semiconductor components of the same conductivity type like zone 2 or with rectifier diodes of the same conductivity type as the zone 1 is. A semiconductor body can also be provided which is produced with the aid of a diffusion process has a sequence of layers with a self-contained pn junction area, like this is represented by the dashed line.

Im Falle durchgehender schichtförmiger Zonen unterschiedlichen Leitungstyps trennt die grabenförmige Vertiefung 6 die plane pn-Übergangsfläche J1 auf, und im anderen Falle wird die in sich geschlossene pn-Übergangsfläche durch die grabenförmige Vertiefung 6 in eine Teilfläche J' und in eine weitere Teilfläche J'' unterteilt. Bei dem zuletzt genannten Aufbau haben die Zonen 2 und 3 gleichen Leitfähigkeitstyp, und die links von der Vertiefung 6 verbleibende Teilzone 5' weist den Leitfähigkeitstyp der Zonen 2 und 3.auf. Da die Halbleiterzone 3 für den Gegenstand der Erfindung ohne Bedeutung ist, ist sie nicht weiter beschrieben und dargestellt.In the case of continuous layered zones of different conductivity types the trench-shaped recess 6 separates the planar pn junction area J1, and im In other cases, the self-contained pn junction area is created by the trench-shaped one Well 6 is divided into a partial area J 'and a further partial area J ″. In the last-mentioned structure, zones 2 and 3 have the same conductivity type, and the partial zone 5 'remaining to the left of the depression 6 has the conductivity type of zones 2 and 3. Since the semiconductor zone 3 for the subject of the invention is irrelevant, it is not further described and illustrated.

Die Vertiefung 6 erstreckt sich von der Hauptfläche des Halbleiterkörpers I durch die äußere Zone 2 und die pn-Übergangs fläche J1 in die Mittelzone 1. Dadurch tritt der pn-Übergang jeweils an einer Seitenwand der Vertiefung 6 an die Oberfläche.The recess 6 extends from the main surface of the semiconductor body I through the outer zone 2 and the pn junction area J1 into the Central zone 1. As a result, the pn junction occurs on one side wall of the recess 6 to the surface.

Erfindungsgemäß ist die Vertiefung 6 mit einer glasartigen Substanz 7 annähernd gefüllt. Als geeignet haben sich Zinkborsilicatgläser und Bleialumosilicatgläser erwiesen.According to the invention, the recess 6 is made with a vitreous substance 7 almost full. Zinc borosilicate glasses and lead aluminosilicate glasses have proven to be suitable proven.

Diese erste, aus Glas bestehende Schicht kann in bekannter Weise aus zwei Teilschichten bestehen, nämlich aus einer Basisschicht (7a), die über eine Oxidschicht des Halbleitermaterials fest mit dem Halbleiterkörper verbunden ist, und aus einer abschließenden Teilschicht (7b) mit einem Zusatz an Quarz, wodurch der thermische Ausdehnungskoeffizient demjenigen des Halbleitermaterials besonders gut angepaßt ist.This first layer, made of glass, can be made in a known manner consist of two sub-layers, namely a base layer (7a), which has a The oxide layer of the semiconductor material is firmly connected to the semiconductor body, and a final sub-layer (7b) with an addition of quartz, whereby the coefficient of thermal expansion particularly matches that of the semiconductor material is well adapted.

Die auf der ersten Schicht 7 aus Glas aufgebrachte zweite Schicht 8 aus Kunstharz füllt die Vertiefung 6 aus und erstreckt sich zur Abdeckung der Grabenkanten über dieselben hinaus. auf einen daran angrenzenden Randbereich der Halbleiteroberfläche, dessen Ausdehnung unkritisch ist. Ein solcher Überzug gemäß der Erfindung ergibt eine weitere beträchtliche Erhöhung der Sperrspannungsbelastbarkeit gegenüber Ausführungsformen von Halbleiterbauelementen mit einer Passivierungsschicht aus einem Glas und einer abschließenden Schicht aus einem Schutzlack, z. B. auf Siliconbasis. Gerade bei Halbleiterkörpern mit Grabenstruktur, auf die sich die Erfindung insbesondere bezieht, treten auf Grund der gegebenen Geometrie Oberflächeneffekte auf, welche eine besonders hoch isolierende, und hochreine, abschließende Schicht erforderlich machen. Eine solche Schicht aus einem Polyimid oder aus einem Derivat von Polyimiden zeigt gute Verträglichkeit mit dem Glas, sehr geringe Durchlässigkeit für atmosphärische Einflüsse, die notwendige hohe Reinheit, einen kleineren thermischen Ausdehnungskoeffizienten als bekannte Harzsorten auf Siliconbasis sowie, gegenüber den letzteren, wesentlich höhere Durchschlagsfestigkeit. Mit Polyimid-Silicon-Copolymeren wurden günstige Ergebnisse erzielt. Dabei kann die Polyimidkomponente z. B. nach folgender Strukturformel aufgebaut sein: wobei Q für eine zweiwertige,siliconfreie,organische Gruppe und R'' für eine vierwertige,organische Gruppe steht sowie m größer 1 sein soll. Weiter kann die Siliconkomponente der Strukturformel entsprechen, wobei R für eine zweiwertige Kohlenwasserstoffgruppe und R' für eine einwertige Kohlenwasserstoffgruppe steht und x größer Null sein soll. Die Siliconkomponente ist vorteilhaft zu einem Anteil von 20 bis 50 Mol% des Copolymers, vorzugsweise zu einem Anteil von 35 bis 40 Mole, in die Polyimidkomponente einkondensiert.The second layer 8 of synthetic resin applied to the first layer 7 of glass fills the recess 6 and extends beyond the same to cover the trench edges. to an adjacent edge area of the semiconductor surface, the extent of which is not critical. Such a coating according to the invention results in a further considerable increase in the reverse voltage load capacity compared to embodiments of semiconductor components with a passivation layer made of a glass and a final layer of a protective lacquer, e.g. B. on silicone basis. Precisely in the case of semiconductor bodies with a trench structure, to which the invention relates in particular, surface effects occur due to the given geometry, which make a particularly highly insulating and highly pure, final layer necessary. Such a layer made of a polyimide or a derivative of polyimides shows good compatibility with the glass, very low permeability to atmospheric influences, the necessary high purity, a lower coefficient of thermal expansion than known types of silicone-based resin and, compared to the latter, significantly higher dielectric strength. Favorable results have been obtained with polyimide-silicone copolymers. The polyimide component can, for. B. be constructed according to the following structural formula: where Q stands for a divalent, silicone-free, organic group and R ″ stands for a tetravalent, organic group and m should be greater than 1. The silicone component can also have the structural formula correspond, where R stands for a divalent hydrocarbon group and R 'stands for a monovalent hydrocarbon group and x should be greater than zero. The silicone component is advantageously condensed into the polyimide component in a proportion of 20 to 50 mol% of the copolymer, preferably in a proportion of 35 to 40 mol.

Die für die zweite Schicht 8 des Überzuges nach der Erfindung vorgesehenen Substanzen sind an sich bekannt.Those provided for the second layer 8 of the coating according to the invention Substances are known per se.

Jedoch gerade ihre Verwendung zusammen mit einem passivierenden und stabilisierenden Glas in der angegebenen Folge insbesondere bei Grabenstrukturen ermöglicht überraschend eine Oberflächenabdeckung, welche höchsten Ansprüchen in bezug auf Sperrspannungsbelastbarkeit und Langzeitstabilität genügt.However, their use together with a passivating and stabilizing glass in the specified sequence, especially for trench structures Surprisingly enables a surface coverage that meets the highest demands in with respect to reverse voltage load capacity and Long-term stability is sufficient.

Als Siliconanteile sind solche mit aromatischem Rest oder aliphatischem Rest besonders geeignet. Die verwendeten.Polyimide sind z. B. gegen Salpetersäuredämpfe resistent, außerdem gegen hohe Feuchte und hohe Temperatur. Sie sind beständig gegen Klimakammerbedingungen.The silicone components are those with an aromatic radical or aliphatic Rest particularly suitable. The polyimides used are e.g. B. against nitric acid vapors resistant, also to high humidity and high temperature. They are resistant to Climatic chamber conditions.

Versuche haben gezeigt, daß Halbleiterbauelemente mit einem Überzug nach der Erfindung im Anschluß an Dauerprüfungen unter Klimakammerbedingungen sofort die volle Sperrspannungsbelastbarkeit aufweisen. Bei einer Dauerbelastung über 1000 Stunden mit 1200 C Gehäusetemperatur und 1600 V blieb der Sperrstrom im. wesentlichen unverändert, während bei Bauformen mit handelsüblichem Siliconkautschuk als abschließender Schicht bei 16 Stunden Beanspruchung mit 1200 V der Sperrstrom auf den mehrfachen Wert des Anfangswertes angestiegen war.Tests have shown that semiconductor components with a coating according to the invention immediately following endurance tests under climatic chamber conditions have the full reverse voltage load capacity. With a continuous load over 1000 Hours with a case temperature of 1200 C and 1600 V, the reverse current remained in the. essential unchanged, while for designs with commercially available silicone rubber as the final Shift with 16 hours of exposure to 1200 V the reverse current on several times The value of the initial value had risen.

Die Schichtdicke der vorgesehenen Glas sorten liegt im Bereich 25 - 75 ßm, diejenige der abschließenden Polyimidschicht im Bereich 5 - 100 ßm.The layer thickness of the intended types of glass is in the region of 25 - 75 µm, that of the final polyimide layer in the range 5 - 100 µm.

Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen nach der Erfindung werden in üblicher Weise die grabenförmigen Vertiefungen 6 des Schichtenaufbaues 1, 2, 3, 4 mit einem Glas gefüllt. Dazu wird vorzugsweise die Grabenwand mit einer dünnen Schicht aus SiO2 versehen,und auf dieselbe wird eine flüssige Mischung mit den Glaskomponenten aufgebracht, aus welcher bei entsprechendem Temperaturgang zunächst das Lösungsmittel verdampft und sich weiter ein glasartiger Überzug 7 auf der SiO2 -Schicht bildet. Durch Aufstreichen, Tauchen oder Schleudern bei Raumtemperatur an Luft wird danach die abschließende, zweite Schicht 8 aus Polyimid aufgebracht, und anschließend wird die zur Kontaktierung vorgesehene Fläche mit einer Kontaktmetallschicht 4 versehen.In the manufacture of semiconductor components according to the invention the trench-shaped depressions 6 of the layer structure are in the usual way 1, 2, 3, 4 filled with a glass. For this purpose, the trench wall is preferably provided with a thin layer of SiO2, and on top of it a liquid mixture is applied applied to the glass components, from which initially at the corresponding temperature range the solvent evaporates and a glass-like coating 7 continues to form on the SiO2 -Layer forms. By brushing on, dipping or spinning at room temperature the final, second layer 8 made of polyimide is then applied in air, and then the area provided for contacting is covered with a contact metal layer 4 provided.

Claims (11)

PATENTANSPRÜCHE 1. Halbleiterbauelement hoher Sperrspannungsbelastbarkeit mit einem Halbleiterkörper, der eine Folge von Zonen unterschiedlichen Leitungstyps mit wenigstens einem pn-Übergang und an wenigstens einer Hauptfläche seiner Zonenfolge eine grabenförmige Vertiefung aufweist, in welcher der pn-Übergang an die Oberfläche tritt und mit einem passivierenden und stabilisierenden, ein Glas enthaltenden Überzug abgedeckt ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h -net, daß der Überzug aus einer ersten, unmittelbar auf dem Halbleiterkörper (I) aufgebrachten Schicht (7) aus einem Glas und aus einer zweiten, auf dem Glas angeordneten Schicht (8) aus Kunstharz besteht.PATENT CLAIMS 1. Semiconductor component with high reverse voltage load capacity with a semiconductor body which is a sequence of zones of different conductivity types with at least one pn junction and on at least one main surface of its zone sequence has a trench-shaped depression in which the pn junction to the surface occurs and with a passivating and stabilizing coating containing a glass is covered that the coating consists of a first, directly on the semiconductor body (I) applied layer (7) made of a Glass and a second layer (8) made of synthetic resin arranged on the glass consists. 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht (7) aus einem Glas einen demjenigen des Halbleitermaterials entsprechenden, thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist.2. Semiconductor component according to claim 1, characterized in that the first layer (7) made of a glass has a corresponding to that of the semiconductor material, Has thermal expansion coefficient. 3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht (7) aus einem Glas aus zwei Teilschichten (7a, 7b) besteht, von welchen die äußere Teilschicht (7b) einen demjenigen des Halbleitermaterials entsprechenden, thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist.3. Semiconductor component according to claim 1, characterized in that the first layer (7) consists of a glass consisting of two partial layers (7a, 7b), of which the outer partial layer (7b) has a corresponding to that of the semiconductor material, Has thermal expansion coefficient. 4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Kunstharz (8) ein Copolymer vorgesehen ist.4. Semiconductor component according to claim 1, characterized in that a copolymer is provided as synthetic resin (8). 5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Copolymer aus der Gruppe der Polyimide vorgesehen ist.5. Semiconductor component according to claim 4, characterized in that a copolymer from the group of Polyimide is provided. 6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Copolymer aus mehreren Derivaten oder mit wenigstens einem Derivat der Polyimide vorgesehen ist.6. Semiconductor component according to claim 4, characterized in that a copolymer of several derivatives or with at least one derivative of the polyimides is provided. 7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein Polyimid-Silicon-Copolymer vorgesehen ist.7. Semiconductor component according to claim 6, characterized in that a polyimide-silicone copolymer is provided. 8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil der Silicon-Komponente am Copolymer 20 bis 50 Mol% beträgt.8. Semiconductor component according to claim 7, characterized in that the proportion of the silicone component in the copolymer is 20 to 50 mol%. 9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine Silicon-Komponente mit aromatischem Rest vorgesehen ist.9. Semiconductor component according to claim 7, characterized in that a silicone component with an aromatic residue is provided. 10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine Silicon-Komponente mit aliphatischem Rest vorgesehen ist.10. Semiconductor component according to claim 7, characterized in that that a silicone component with an aliphatic radical is provided. 11. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die grabenförmige Vertiefung (6) mit der ersten Schicht (7) aus Glas gefüllt ist, und daß die zweite Schicht (8) aus Kunstharz außer der Glasfüllung der Vertiefung (6) noch einen an die Vertiefung angrenzenden Abschnitt der Hauptfläche des Halbleiterkörpers bedeckt.11. Semiconductor component according to claim 1, characterized in that that the trench-shaped recess (6) is filled with the first layer (7) made of glass is, and that the second layer (8) made of synthetic resin except for the glass filling of the recess (6) another section of the main surface of the semiconductor body adjoining the depression covered.
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