DE3210662A1 - COMPANER SYSTEM - Google Patents
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Description
Europäische Patentvertreter "" Dlpl.-Ing. Günther KochEuropean patent representative "" Dlpl.-Ing. Günther Koch
European Patent Attorneys ,„ Dipl.-Phys. Dr.Tino HaibachEuropean Patent Attorneys, “Dipl.-Phys. Dr Tino Haibach
·~>7·(- Dipl.-Ing. Rainer Feldkamp· ~> 7 · (- Dipl.-Ing.Rainer Feldkamp
D-8000 München 2 · Kaufingerstraße 8 · Telefon (0 89) 2 60 80 78 · Telex 5 29 513 wakai dD-8000 Munich 2 Kaufingerstraße 8 Telephone (0 89) 2 60 80 78 Telex 5 29 513 wakai d
Datum: 23. Mär Z 1982Date: Mar 23rd Z 1982
Unser Zeichen: 17 4θβ - Fk/SeOur reference: 17 4θβ - Fk / Se
Anmelder: DBX, Inc.Applicant: DBX, Inc.
71 Chapel Street71 Chapel Street
Newton, Massachusetts 02195Newton, Massachusetts 02195
USAUnited States
Titel: KompandersystemTitle: Compander System
Priorität: 247,830Priority: 247,830
USA
26. März I98IUnited States
March 26, 1989 I.
Die Erfindung bezieht sich auf Signalkompander und insbesondere auf einen verbesserten Signalkompander, der sich zur Ausbildung als integrierte Schaltung eignet.The invention relates to signal companders and more particularly to an improved signal compander that is suitable for training as an integrated circuit.
Wie dies bekannt ist, dienen Kompandersysteme zur Komprimierung des dynamischen Bereiches eines Tonfrequenzsignals vor der Übertragung über oder der Aufzeichnung auf ein einen begrenzten dynamischen Bereich aufweisendes Medium sowie zur Expandierung oder Dehnung des dynamischen Bereiches des übertragenen oder aufgezeichneten Signals bei der darauffolgenden Wiedergabe, so daß das Signal einen größeren dynamischen Bereich aufweist, als dies andernfalls aufgrund der Beschränkungen des Übertragungsoder Aufzeichnungsmediums möglich wäre. As is known, compander systems are used to compress the dynamic range of an audio frequency signal prior to transmission or recording to a medium having a limited dynamic range as well as expanding or stretching the dynamic range of the transmitted or recorded signal on subsequent playback so that the signal has a larger dynamic range than otherwise would be possible due to the limitations of the transmission or recording medium.
Ein bekanntes Kompandersystem dieser Art (US-PS 3 789 14-3) verwendet zwei grundlegende Bauteile, nämlich ein "Verstärkungssteuermodul mit einem spannungsgesteuerten Verstärker sowie einen Signaldetektor, der zur Erzeugung des Spannungssteuersignals für den Verstärker verwendet wird. Ein bekannter spannungsgesteuerter Verstärker ist in der US-PS 3 714 462 beschrieben. Der Detektor schließt vorzugsweise Schaltungseinrichtungen zur Feststellung des momentanen Effektivwert-Pegels des Eingangssignals ein, und ein Beispiel für einen derartigen Detektor ist in der US-PS 3 681 618 beschrieben.A well-known compander system of this type (US-PS 3 789 14-3) uses two basic components, viz a "gain control module with a voltage controlled amplifier as well as a signal detector that is used to generate of the voltage control signal is used for the amplifier will. A well-known voltage controlled amplifier is described in U.S. Patent 3,714,462. The detector preferably includes circuitry for detection the current rms level of the input signal, and an example of such a detector is described in U.S. Patent 3,681,618.
Der spannungsgesteuerte Verstärker prägt im allgemeinen eine gesteuerte Verstärkung auf das Eingangssignal auf, so daß der dynamische Bereich des übertragenen oderThe voltage controlled amplifier generally applies a controlled gain to the input signal, so that the dynamic range of the transmitted or
aufgezeichneten Signals entweder komprimiert oder bei der Wiedergabe gedehnt wird. Das Ausmaß der Kompression oder der Dehnung hängt von einem ausgewählten Kompressionsoder Dehnungsfaktor ab. Bei dem bekannten Kompandersystem gemäß der US-PS 3 789 143 wird das Steuersignal von einer logarithmischen Funktion des momentanen Effektivwert-Pegels des Eingangssignals abgeleitet, um eine Dehnung oder Kompression als Funktion des momentanen Effektivwert-Pegels des Eingangssignals zu erzielen. Es ist jedoch verständlich, daß auch andere Detektorverfahren, wie beispielsweise eine Feststellung des Spitzenwertes oder eine Feststellung des Mittelwertes verwendet werden können.recorded signal is either compressed or stretched during playback. The amount of compression or the stretching depends on a selected compression or stretching factor. With the known compander system according to US-PS 3,789,143, the control signal is from a logarithmic function of the current rms value level of the input signal is derived to be an expansion or compression as a function of the instantaneous rms level of the input signal. However, it is understandable that other detection methods, such as a determination of the peak value or a Determination of the mean value can be used.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein wenig aufwendiges Kompandersystem der eingangs genannten Art zu schaffen, das vorzugsweise ohne weiteres in Form einer integrierten Schaltung herstellbar ist und weitere Verbesserungen gegenüber bekannten Kompandersystemen aufweist. The invention is based on the object of providing a less complex compander system of the type mentioned at the beginning create, which is preferably readily producible in the form of an integrated circuit, and other improvements compared to known compander systems.
Diese Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebene Erfindung gelöst.This object is achieved by the invention specified in the characterizing part of claim 1.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprächen.Advantageous refinements and developments of the invention result from the subclaims.
Das erfindungsgemäße Kompandersystem weist ein verbessertes Verstärkungssteuermodul und einen verbesserten Signaldetektor zur Lieferung des Verstärkungssteuersignals an das Verstärkungssteuermodul derart auf, daß das Informationssignal in Abhängigkeit von der Verstärkungseinstellung des Systems komprimiert oder gedehnt wird.The compander system according to the invention has an improved one Gain control module and an improved signal detector for providing the gain control signal to the gain control module in such a way that the information signal is dependent on the gain setting the system is compressed or stretched.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen noch näher erläutert. The invention is illustrated below with reference to in the drawing illustrated embodiments explained in more detail.
In der Zeichnung zeigen:In the drawing show:
lig. 1 ein Blockschaltbild der grundlegenden Bauteile eines Kompandersystems,lig. 1 is a block diagram of the basic components a compander system,
Fig. 2 ein Blockschaltbild der wesentlichen Bauteile einer bevorzugten Ausführungsform des Kompandersystems, 2 shows a block diagram of the essential components of a preferred embodiment of the compander system,
Pig. 3A und 3B ein Schaltbild der bevorzugten Ausführungsform des Verstärkungssteuermoduls der Ausführungsform des Kompandersystems nach lig. 2,Pig. 3A and 3B are a circuit diagram of the preferred embodiment of the gain control module of the embodiment of the compander system according to lig. 2,
Fig. 4A und 4B ein Schaltbild einer bevorzugten Ausführungsform des Döfcektors der Ausführungsform des Kompandersystems nach Pig. 2.Figures 4A and 4B are a circuit diagram of a preferred embodiment of the Döfcektor of the embodiment of the Compander system according to Pig. 2.
In Pig. 1 ist ein Blockschaltbild eines grundlegenden Kompandersystems gezeigt, das ein Verstärkungssteuermodul 10 und einen Detektor 12 einschließt. Das Verstärkungssteuermodul stellt die Verstärkung, die auf das dem Spannungseingangsanschluß 14 zugeführte Eingangssignal E. aufgeprägt wird, als Punktion des Steuersignals ein, das von dem Detektor 12 geliefert wird. In Abhängigkeit von der Verstärkungseinstellung des Moduls 10 ergibt die aufgeprägte Verstärkung entweder eine Verstärkung oder eine Abschwächung des Eingangssignals, so daß sich dasIn Pig. 1, there is shown a block diagram of a basic compander system that includes a gain control module 10 and a detector 12 includes. The gain control module adjusts the gain applied to the voltage input terminal 14 supplied input signal E. is impressed as a puncture of the control signal that from the detector 12 is supplied. Depending on the gain setting of the module 10 results in the impressed Gain either an amplification or a weakening of the input signal, so that the
Ausgangssignal E , am Ausgangsanschluß 16 ergibt. Für eine Kompression wird der Detektor in Form einer Rückführungsschaltung angeordnet (bei der der Detektor das Ausgangssignal E . am Aus gangs ansciiluß 16 feststellt), oder es wird eine Vorwärtssteuerschaltung verwendet (bei der der Detektor 12 das Eingangssignal Eia am Bingangsanschluß 14 feststellt), wobei beide Formen in Fig. 1 gezeigt sind. Für eine Dehnung oder Expansion wird typischerweise die Vorwärtssteuerform verwendet. Bei beiden Ausführungsformen liefert der Detektor das Steuersignal in Abhängigkeit von dem Meßsignal.Output signal E, at output terminal 16 results. For a compression of the detector in the form of a feedback circuit is provided (in which the detector, the output signal e. Am from gangs ansciiluß 16 determines) or it is a forward control circuit used (in which the detector 12, the input signal E ia on Bingangsanschluß 14 determines) both forms are shown in FIG. For stretching or expansion, the feedforward control form is typically used. In both embodiments, the detector delivers the control signal as a function of the measurement signal.
Bei der in Fig. 2 gezeigten Ausführungsform des Kompandersystems schließt das Verstärkungssteuermodul 10 eine Eingangsstufe 18 ein, deren Eingang mit dem Spannungseingangsanschluß 14 verbunden ist, während der Ausgang mit der spannungsgesteuerten Verstärkerzelle 20 verbunden ist. Der Ausgang der Verstarkerzelle 20 ist mit dem Ausgangsanschluß 16 des Systems verbunden und in geeigneter Weise durch einen Vorspannungsgenerator 22 vorgespannt«In the embodiment of the compander system shown in FIG the gain control module 10 includes Input stage 18, the input of which is connected to the voltage input terminal 14, while the output is connected to the voltage controlled amplifier cell 20 is connected. The output of the amplifier cell 20 is connected to the output terminal 16 of the system and suitably biased by a bias generator 22 "
Der mit dem Modul 10 in Vorwärtssteuer-Schaltung verbundene Detektor 12 weist einen Gleichrichter 24 zur Feststellung des Eingangssignals am Spannungseingangsanschluß 14 und zur Gleichrichtung des Eingangssignals auf. Der Ausgang des Gleichrichters 24 ist mit dem Logarithmierabschnitt 26 verbunden, der ein Ausgangssignal als Funktion des Logarithmus des Ausgangssignals des Gleichrichters 24 liefert. Ein Logarithmierfilter 28 wandelt das logarithmische Ausgangssignal des Logarithmierabscnnittes 26 im wesentlichen in ein Gleichspannungssignal um, das seinerseits dem Eingang eines Pufferverstärkers 30The detector 12 connected to the module 10 in a forward control circuit has a rectifier 24 for detection of the input signal at the voltage input terminal 14 and to rectify the input signal. The output of the rectifier 24 is with the logarithmic section 26 connected, which is an output signal as a function of the logarithm of the output signal of the rectifier 24 provides. A log filter 28 converts this logarithmic output signal of the Logarithmierabscnnittes 26 essentially in a DC voltage signal, the in turn the input of a buffer amplifier 30
zugeführt wird. Der Ausgang des Verstärkers 30 ist mit dem Steuersignaleingang der spannungsgesteuerten Verstärkerzelle 20 verbunden.is fed. The output of the amplifier 30 is connected to the control signal input of the voltage controlled amplifier cell 20 connected.
Wie dies aus den Fig. JA und 3B zu erkennen ist, schließt das Verstärkungssteuermodul eine Eingangsstufe 18 (Fig. eine spannungsgesteuerte Verstärkerzelle 20 (Fig.As can be seen from FIGS. JA and 3B, it closes the gain control module has an input stage 18 (Fig. a voltage controlled amplifier cell 20 (Fig.
einen Vorspannungsgenerator 22 (Fig. 3B) und eine Leistungsversorgung 32 (Fig. 3-A-) ein.a bias generator 22 (Fig. 3B) and a Power supply 32 (Fig. 3-A-).
Der in Fig. 3-A. gezeigte Strom-Eingangsanschluß 14A ist identisch zum Spannungseingangsanschluß 14 nach den Fig. 1 und 2, jedoch mit der Ausnahme, daß dieser Eingang so modifiziert ist, daß er den Eingangsstrom I. als Funktion der Eingangsspannung E. in gut bekannter Weise empfängt. Der Eingangsanschluß 14A ist mit dem Eingang der Eingangsstufe 18 und dem Eingang der spannungsgesteuerten Verstärkerzelle 20 verbunden. Die Eingangsstufe 18 ist ausführlich in der DE-OS ... (Anmeldung vom gleichen Tage, unser Aktenzeichen 17 405) beschrieben. Der Eingangsanschluß 14A ist mit dem durch den Verbindungspunkt 40 gebildeten Eingangsanschluß der Stufe 18 verbunden. Der Verbindungspunkt 40 ist mit der Basis des Puffertransistors 42 verbunden. Der Emitter dieses Transistors ist mit dem Eingang 44 eines Differenzverstärkers verbunden, der allgemein mit 46 bezeichnet ist, während der Kollektor dieses Transistors mit einer allgemein mit 48 bezeichneten Stromgeneratoreinrichtung verbunden ist, die einen Strom durch den Transistor 42 erzeugt, um die Größe des Vorspannungsstroms zu verringern, der von der Stufe 18 von dem Eingangsanschluß 14A abgeleitet wird.The one shown in Fig. 3-A. is the power input terminal 14A shown identical to the voltage input terminal 14 according to FIGS. 1 and 2, but with the exception that this input is so is modified that it has the input current I. as a function of the input voltage E. receives in a well known manner. The input terminal 14A is connected to the input of the input stage 18 and the input of the voltage-controlled Amplifier cell 20 connected. The input stage 18 is detailed in the DE-OS ... (registration of the same Days, our file number 17 405). The input port 14A is connected to the input terminal of stage 18 formed by connection point 40. The connection point 40 is connected to the base of the buffer transistor 42. The emitter of this transistor is connected to the input 44 of a differential amplifier, which is generally designated 46, while the collector this transistor is connected to a current generator device, generally designated 48, which generates a current through transistor 42 to reduce the amount of bias current carried by the stage 18 is derived from the input terminal 14A.
Im einzelnen schließt diese Stromgeneratoreinrichtung 48 Transistoren 50, 52, 54, 56 und 58 ein«. Die Basis des Transistors 50 ist über den Verbindungspunkt 40 mit der Basis des Transistors 42 verbunden, während die Basen der Transistoren 52 und 54 miteinander verbunden sind. Der Emitter des Transistors 54 ist mit dem Kollektor des Transistors 42 verbunden, während der Kollektor des Transistors 54 mit der Basis und dem Kollektor eines als Diode geschalteten Transistors 58 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 52 ist mit dem Emitter des Transistors 50 verbunden, während sein Emitter mit dem Kollektor und der Basis eines als Diode geschalteten Transistors 56 verbunden ist. Der Emitter des Transistors 58 und der Kollektor des Transistors 50 sind miteinander und mit Systemerde verbunden, während der Emitter des Transistors 52 und der Kollektor und die Basis des Transistors 56 mit dem Kollektor eines Transistors 60 verbunden sind. Die Basis dieses Transistors 60 ist mit der Basis und dem Kollektor eines Transistors 62 verbunden, dessen Emitter mit dem Emitter des Transistors 60 und mit dem oberen Versorgungsspannungsanschluß 64 (in Fig. 3B gezeigt) verbunden ist.In detail, this current generator device 48 closes Transistors 50, 52, 54, 56 and 58 on «. The basis of the Transistor 50 is via connection point 40 with the Base of transistor 42 connected while the bases of transistors 52 and 54 are connected together. Of the The emitter of transistor 54 is connected to the collector of the Connected to transistor 42, while the collector of transistor 54 to the base and collector of one as Diode switched transistor 58 is connected. The collector of transistor 52 is connected to the emitter of transistor 50, while its emitter is connected to the collector and the base of a diode-connected transistor 56 is connected. The emitter of transistor 58 and the collector of transistor 50 are connected together and to system ground, while the emitter of the transistor 52 and the collector and base of transistor 56 are connected to the collector of a transistor 60 are. The base of this transistor 60 is connected to the base and collector of a transistor 62, whose Emitter to the emitter of transistor 60 and to the upper supply voltage terminal 64 (shown in Fig. 3B) connected is.
Der Differenzverstärker 46 weist, zwei Differenzelemente auf, die durch Transistoren 66 und 68 gebildet sind. Die Basis des Transistors 66 ist mit dem Eingang 44 verbun-, den, während der Kollektor dieses Transistors über einen Widerstand 70 mit dem .Stromspiegel verbunden ist, der allgemein mit 72 bezeichnet ist. Der Emitter des Transistors 66 ist über einen Kondensator 74 mit Systemerde und über einen Widerstand 76 mit einem Verbindungspunkt 78 verbunden. Die Basis des Transistors 68 ist amThe differential amplifier 46 has two differential elements formed by transistors 66 and 68. The base of the transistor 66 is connected to the input 44, while the collector of this transistor is connected to the .Stromspiegel via a resistor 70, the is indicated generally at 72. The emitter of transistor 66 is connected to system ground and via a capacitor 74 via a resistor 76 to a connection point 78 tied together. The base of transistor 68 is on
,-.,-,3210362, -., -, 3210362
Verbindungspunkt 80 mit Systemerde verbunden, während der Kollektor dieses Transistors mit dem Stromspiegel 72 verbunden ist. Der Emitter des Transistors 68 ist mit dem Kollektor und der Basis eines als Diode geschalteten Transistors 82 verbunden. Der Emitter des Transistors 82 ist über einen Widerstand 84- mit dem Verbindungspunkt 78 verbunden. Der Stromspiegel 72 ist durch die Transistoren 86 und 88 gebildet, deren Basiselektroden miteinander verbunden sind und deren Emitter über jeweilige Widerstände 90 und 92 mit dem oberen Betriebsspannungsanschluß 64 verbunden sind. Der Kollektor des Transistors 86 ist mit dem Widerstand 86 sowie über einen Kondensator 94- mit seiner Basiseleketrode verbunden. Der Kollektor des Transistors 88 ist direkt mit seiner Basiselektrode und mit dem Kollektor des Transistors 68 verbunden. Das Ausgangssignal des Differenzverstärkers 4-6 wird am Verbindungspunkt 96 zwischen dem Kollektor des Transistors 66 und dem Widerstand 70 geliefert. Der Verbindungspunkt 96 ist mit der Basis eines Transistors 98 verbunden, dessen Kollektor mit dem Kollektor und der Basis des Transistors 62 und der Basis des Transistors 60 verbunden ist, während der Emitter des Transistors 98 mit der Basis eines in Fig. 3B gezeigten Transistors 100 verbunden ist. Der Emitter des Transistors 98, der Verbindungspunkt 78 sowie der Verbindungspunkt 44- sind in geeigneter Weise mit der Leistungsquelle 32 verbunden.Connection point 80 is connected to system ground, while the collector of this transistor is connected to current mirror 72 is. The emitter of the transistor 68 is connected to the collector and the base of a diode Transistor 82 connected. The emitter of the transistor 82 is connected to the connection point 78 via a resistor 84- tied together. The current mirror 72 is through the transistors 86 and 88 are formed, the base electrodes of which are connected to each other and their emitters via respective resistors 90 and 92 are connected to the upper operating voltage connection 64. The collector of transistor 86 is with the resistor 86 and a capacitor 94- with connected to its base electrode. The collector of transistor 88 is direct with its base electrode and with connected to the collector of transistor 68. The output of differential amplifier 4-6 is at junction 96 between the collector of transistor 66 and the resistor 70 is supplied. The connection point 96 is connected to the base of a transistor 98, the collector of which is connected to the collector and base of transistor 62 and the base of transistor 60 is connected, while the emitter of transistor 98 is connected to the base of an in 3B is connected to transistor 100 shown in FIG. Of the Emitter of the transistor 98, the connection point 78 and the connection point 44- are in a suitable manner with the Power source 32 connected.
Wie dies in der DE-OS ... (unser Zeichen 17 405 vom gleichen Anmeldetag) beschrieben ist, verringern der Transistor 42 und die Stromgeneratoreinrichtung 48 den Eingangsvorspannungsstrom, der von dem Eingangsstrom am Eingangsanschluß 14A abgeleitet wird, ohne daß dasAs in the DE-OS ... (our sign 17 405 of the same Filing date), transistor 42 and current generator means 48 reduce the input bias current, derived from the input current at input terminal 14A without the
321066321066
Verstärkungs-Bandbreitenprodukt dieser Stufe beeinflußt wird. Im einzelnen bildet der bipolare Transistor 42 eine Pufferstufe zwischen dem Eingangsanschluß 14A und den übrigen Teilen der Stufe 18. Die Stromgeneratoreinrichtung 48 erzeugt einen Strom durch den bipolaren Transistor 42, so daß die Größe des Vorspannungsstromes, der von dem übrigen Teil der Stufe 18 abgeleitet wird, verringert wird, ohne daß das Verstärkungs-Bandbreitenprodukt der Stufe beeinflußt wird. Weiterhin ermöglicht die Verwendung eines bipolaren Transistors 42 eine leichte Anpassung und Ausführung der Gesamtschaltung in Form einer integrierten Schaltung, wie dies in der vorstehend genannten DE-OS beschrieben ist. Die Verwendung des Kondensators 94 und des Widerstandes 70 ergeben eine Null (eine Hull ist als der Wert der komplexen Frequenz definiert, bei der die Übertragungsfunktion der Schaltung zu JTuIl wird) in der Übertragungscharakteristik der Stufe 18, so daß die 90 °- PhasenverSchiebungen, die von der ßückführungsschleife der Stufe erzeugt werden, die durch die spannungsgesteuerte Verstärkerzelle 20 gebildet ist, negiert werden und eine Stabilität der Schaltung erzielt wird. Durch die Verbindung der Diode 82 mit dem Emitter des Transistors 68 und durch die Anpassung der Impedanz des Widerstandes 76 an die kombinierten Impedanzen der Diode 82 und des Widerstandes 84 wird der Rauschbeitrag der Leistungsversorgung 32 am Ausgang des Verbindungspunktes 96 verringert. Schließlich führt die Einfügung des Kondensators eine Null in die Übertragungscharakteristiken des Verstärkers und der Stufe ein, wodurch der Pol (ein Pol ist als der Wert der komplexen !Frequenz definiert, bei der die Übertragungsfunktion der Schaltung unendlich wird) negiert wird, der durch die parasitäre Basis-Emitter-Gain bandwidth product of this stage is affected. In detail, the bipolar transistor 42 forms one Buffer stage between input terminal 14A and the rest Share stage 18. The current generator device 48 generates a current through the bipolar transistor 42, so that the magnitude of the bias current derived from the remainder of the stage 18 is reduced, without affecting the gain bandwidth product of the stage. Furthermore allows the use a bipolar transistor 42 an easy adaptation and implementation of the overall circuit in the form of an integrated Circuit as described in the aforementioned DE-OS. The use of the capacitor 94 and of resistor 70 result in a zero (a hull is defined as the value of the complex frequency at which the Transfer function of the circuit to JTuIl) in the Transfer characteristic of stage 18, so that the 90 ° phase shifts caused by the feedback loop the stage generated by the voltage controlled Amplifier cell 20 is formed, are negated and a stability of the circuit is achieved. Through the Connect diode 82 to the emitter of transistor 68 and match the impedance of the resistor 76 to the combined impedances of diode 82 and resistor 84 becomes the noise contribution from the power supply 32 at the exit of the connection point 96 is reduced. Finally, the insertion of the capacitor leads inserts a zero in the transfer characteristics of the amplifier and stage, whereby the pole (is a pole defined as the value of the complex frequency at which the transfer function of the circuit becomes infinite) is negated, which is caused by the parasitic base-emitter
Kapazität des Transistors 66 eingeführt wird.Capacitance of the transistor 66 is introduced.
Vie dies aus Fig· 3B zu erkennen ist, ist der Kollektor des Transistors 100 mit dem oberen Speisespannungsanschluß 64 verbunden, während der Emitter dieses Transistors über einen Widerstand 110 mit einem Verbindungspunkt 112 verbunden ist. Dieser Verbindungspunkt bildet einen Vorspannungsanschluß für die spannungsgesteuerte Verstärkerzelle 20.As can be seen in Figure 3B, it is the collector of the transistor 100 to the upper supply voltage connection 64 connected while the emitter of this transistor is connected to a connection point 112 via a resistor 110. This connection point forms a bias terminal for the voltage controlled amplifier cell 20.
Die spannungsgesteuerte Verstärkerzelle 20 ist ausführlicher in der DE-OS 31 08 617 beschrieben. Der Verbindungspunkt 112 ist über einen Widerstand 114 mit dem Kollektor eines sekundären logarithmischen Transistors 116 verbunden. Der Emitter des sekundären logarithmischen Transistors 116 ist mit dem Emitter eines primären Logarithmus-Transistors 118 verbunden. Der Kollektor des Transistors 118 ist mit einem Verbindungspunkt 120 verbunden, der seinerseits mit dem Eingangsanschluß 14A des Moduls verbunden ist. Der Verbindungspunkt 120 ist weiterhin mit dem Kollektor eines primären Logarithmus-Transistors 122 verbunden, dessen Emitter mit dem Emitter eines sekundären Logarithmus-Transistors 124 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 124 ist über einen Widerstand 126 mit einem Verbindungspunkt 128 verbunden. Der Verbindungspunkt 128 bildet den zweiten Vorspannungsanschluß der spannungsgesteuerten Verstärkerzelle 20, so daß der Widerstand 114, der sekundäre Logarithmus-Transistor 116, die primären Logarithmus-Transistoren 118 und 122, der sekundäre Logarithmus-Transistor 124 und der Widerstand 126 eine Schaltungslast für den Vorspannungsgenerator 22 bilden. Der Verbindungspunkt 112 ist weiterhin über einenThe voltage-controlled amplifier cell 20 is described in more detail in DE-OS 31 08 617. The connection point 112 is via a resistor 114 to the collector a secondary logarithmic transistor 116 connected. The emitter of the secondary logarithmic transistor 116 is connected to the emitter of a primary logarithm transistor 118. The collector of the transistor 118 is connected to a connection point 120 which in turn connects to the input port 14A of the module is. The connection point 120 is also to the collector of a primary logarithm transistor 122 whose emitter is connected to the emitter of a secondary logarithm transistor 124. The collector of transistor 124 is connected to a connection point 128 via a resistor 126. The connection point 128 forms the second bias terminal of the voltage controlled amplifier cell 20, so that the Resistor 114, the secondary log transistor 116, the primary log transistors 118 and 122, the secondary logarithm transistor 124 and resistor 126 a circuit load for bias generator 22 form. The connection point 112 is still via a
Widerstand 130 mit dem Kollektor eines sekundären Antilog-Transistors 132 verbunden, dessen Emitter mit dem Emitter eines Antilog-Transistors 134- verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 134- ist mit dem ■Verbindungspunkt 136 verbunden, der seinerseits mit dem Stromausgangsanschluß 16A des Moduls verbunden ist«. Der Stromausgangsanschluß 16A liefert damit das Strom-Ausgangssignal I01J. des Moduls 10. I01*. kann in gut bekannter Weise leicht in die Spannung E^ umgewandelt werden. Der Verbindungspunkt 136 ist weiterhin mit dem Kollektor eines primären Antilog-Transistors 138 verbunden, dessen Emitter mit dem Emitter eines sekundären Antilog-Transistors 140 verbunden ist. Der Kollektor des sekundären Antilog-Transistors 140 ist über einen Widerstand 14-2 mit dem Verbindungspunkt 128 verbunden. Der Widerstand 130, der sekundäre Antilog-Transistor 132, die primären Antilog-Transistoren 134 und 138, der sekundäre Antilog-Transistor 140 und der Widerstand 142 bilden eine weitere Schaltungslast zwischen den Verbindungspunkten 112 und 128 für den Vorspannungsgenerator 22. Die Basis des primären Logarithmus-Transistors 122 ist mit der Basis des. primären Antilog-Transistors 134- und mit dem Steuersignalanschluß 144 verbunden, der das Steuersignal vom Anschluß des Detektors 12 empfängt, der anhand der Fig» 4A und 4B beschrieben wird. Die Basiselektroden der Transistoren 118 und 138 sind mit jeweiligen Anschlüssen 146 bzw. 148 zum Empfang von Gleichströmen zwischen positiven und negativen EingangsSignalen verbindbar, um eine Verstärkungssymmetrie sicherzustellen wie dies noch näher erläutert wird. Die Basiselektroden jedes der sekundären Transistoren 116 und 132 sind jeweils mit dem Kollektor des anderen Transistors kreuzgekoppelt, und in gleicherResistor 130 connected to the collector of a secondary antilog transistor 132, the emitter of which is connected to the emitter of an antilog transistor 134-. The collector of transistor 134- is connected to junction 136, which in turn is connected to current output terminal 16A of the module. The current output connection 16A thus supplies the current output signal I 01 J. of the module 10. I 01 *. can easily be converted to the voltage E ^ in a well known manner. The connection point 136 is further connected to the collector of a primary antilog transistor 138, the emitter of which is connected to the emitter of a secondary antilog transistor 140. The collector of the secondary antilog transistor 140 is connected to the junction point 128 through a resistor 14-2. Resistor 130, secondary antilog transistor 132, primary antilog transistors 134 and 138, secondary antilog transistor 140, and resistor 142 form another circuit load between junctions 112 and 128 for bias generator 22. The base of the primary logarithm Transistor 122 is connected to the base of primary antilog transistor 134 and to control signal terminal 144 which receives the control signal from the terminal of detector 12 described with reference to Figures 4A and 4B. The base electrodes of transistors 118 and 138 can be connected to respective terminals 146 and 148 for receiving direct currents between positive and negative input signals in order to ensure gain symmetry, as will be explained in more detail below. The base electrodes of each of the secondary transistors 116 and 132 are each cross-coupled to the collector of the other transistor, and in the same way
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Weise sind die Basiselektroden der sekundären Transistoren 124 wad. 146 mit dem jeweils anderen Kollektor kreuzgekoppelt. Way, the base electrodes of the secondary transistors 124 are wad. 146 cross-coupled to the other collector.
Wie dies ausführlich in der DE-OS 31 08 617 beschrieben ist, ist jeder primäre Logarithmus-Transistor 118 und jeweils mit einem sekundären Logarithmus-Transistor 116 und 124- verbunden, um zwei zusammengesetzte Logarithmus-Einrichtungen zu bilden, die jeweils in einem getrennten Rückführungspfad zwischen dem Eingang und dem Ausgang der Stufe 18 angeordnet sind. Der primäre Transistor 118 ist ein PfTP-Transist or, während der primäre Transistor 122 ein NHT-Transistor ist. Jeder der Transistoren 118 und 122 ist mit einem sekundären Transistor vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp verbunden. Entsprechend wirken sie als "zusammengesetzte Logarithmus-Transistoren", die jeweils ein Logarithmus-Signal als Funktion .des Logarithmus des entsprechenden der beiden Polaritäten des Eingangssignals am Anschluß 14A bilden.As described in detail in DE-OS 31 08 617 is, each is a primary logarithm transistor 118 and each with a secondary logarithm transistor 116 and 124- connected to two composite log devices to form, each in a separate return path between the input and the output of the Stage 18 are arranged. The primary transistor 118 is a PfTP transistor, while the primary transistor 122 is is an NHT transistor. Each of transistors 118 and 122 is connected to a secondary transistor of the opposite conductivity type. Act accordingly they are called "composite logarithm transistors", each having a logarithm signal as a function of the logarithm of the corresponding one of the two polarities of the input signal at terminal 14A.
Wie dies noch näher erläutert wird, ist das Stetxersignal am Anschluß 144- eine Funktion des Logarithmus des momentanen Effektivwertes des Eingangssignals am Anschluß 14A. Das Steuersignal wird zu den Logarithmus-Signalen durch die Basiselektroden der primären Transistoren 122 und 134- addiert. Jeder der primären Antilog-Transistoren 134- und 138 mit entgegengesetzten Leitfähigkeitstypen ist jeweils mit einem sekundären Antilog-Transistor 132 und 14-0 mit entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp verbunden, um zwei zusammengesetzte Antilog-Einrichtungen jeweils für eine andere Polarität des Eingangssignals zu bilden. Die Transistoren 132, 134-, 138 und 140 wirken als "Antilog-As will be explained in more detail, the Stetxersignal is at terminal 144 - a function of the logarithm of the instantaneous rms value of the input signal at the terminal 14A. The control signal becomes the logarithmic signals through the base electrodes of the primary transistors 122 and 134- added. Each of the primary antilog transistors 134 and 138 are of opposite conductivity types each with a secondary antilog transistor 132 and 14-0 of opposite conductivity type connected to two compound antilog devices each for to form a different polarity of the input signal. The transistors 132, 134-, 138 and 140 act as "antilog-
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Transistoren", um ein Antilog-Signal als Punktion des Antilogarithmus der Summe des entsprechenden Logarithmus-Signals und des Steuersignals zu bilden. Die Logarithmus-Transistoren 116 und 118 und die Antilog-Transistoren und 134· bilden somit einen Logarithmus-Antilogarithnms-Übertragungspfad für eine Polarität des Eingangssignals, während die Logarithmus-Transistoren 122 und 124 und die Antilogarithmus-Transistoren 138 und 140 einen zweiten Logarithmus-Antilogarithmus-Übertragungspfad für die andere Polarität des Eingangssignals bilden.Transistors "to an antilog signal as a puncture of the Antilogarithm of the sum of the corresponding logarithm signal and the control signal. The logarithm transistors 116 and 118 and the antilog transistors and 134 · thus form a logarithm-antilogarithm transmission path for a polarity of the input signal, while the logarithmic transistors 122 and 124 and the Antilogarithm transistors 138 and 140 a second Form the logarithm-antilogarithm transmission path for the other polarity of the input signal.
Wie dies in der DE-OS 31 08 617 beschrieben ist, sind alle RPN-Transistoren vorzugsweise hinsichtlich ihrer Tbe/Ic-Übertragungseigenschaften angepaßt. In gleicher Weise sind alle ENP-Transistoren aneinander angepaßt. Die sekundären Transistoren bilden in dem Logarithmus-Antilogarithmus-Übertragungspfad angeordnete Signalmodifikationseinrichtungen zur Verringerung der Verzerrungen, die sich aus den natürlichen Basis- und Emitterwiderständen der Logarithmus- und Antilogarithmus-Transistoren ergeben. Eine Korrektur wird durch einen Vergleich zwischen dem Eingangsstrom und dem Ausgangs(Antilog-)strom von federn Logarithmus-Antilogarithmus-Pfad abgeleitet. Im einzelnen wird ein Korrektursignal von dem Spannungsdifferential abgeleitet, das zwischen den Kollektorspannungen der kreuzgekoppelten Sekundartransistoren jedes Logarithmus-Antilogarithmus-Pfades erzeugt wird. Das Korrektursignal wird zur Verringerung der Verzerrung am Ausgangs anschluß 16A aufgrund der natürlichen parasitären Basis- und Emitterwiderstände der Transistoren der Verstärkerzelle 20 geliefert. Irgendeine Fehlanpassung der parasitären Basis- und Emitterwiderstände jedesAs described in DE-OS 31 08 617, all RPN transistors are preferably with regard to their Tbe / Ic transmission properties adapted. In the same In this way, all ENP transistors are matched to one another. the secondary transistors form in the logarithm-antilogarithm transmission path arranged signal modification devices to reduce the distortions that result from the natural base and emitter resistances of the logarithm and antilogarithm transistors. A correction is made by comparing the input current and the output (antilog) current of springs Logarithm-antilogarithm path derived. In detail a correction signal is derived from the voltage differential that exists between the collector voltages of the cross-coupled secondary transistors of each log-antilog path is produced. The correction signal is used to reduce the distortion at the output terminal 16A due to the natural parasitic base and emitter resistances of the transistors in the amplifier cell 20 delivered. Some mismatch of the parasitic base and emitter resistances each
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zusammengesetzten Paares von Transistoren 116, 118; 122, 124·; 132, 134- -und 138, 140 kann leicht dadurch kompensiert werden, daß die jeweiligen Widerstände 114, 126, 130 und 142 entsprechend abgeglichen werden.composite pair of transistors 116, 118; 122, 124 x; 132, 134- and 138, 140 can easily be compensated for by this that the respective resistors 114, 126, 130 and 142 are balanced accordingly.
Der Vorspannungsgenerator 22 ist in geeigneter Weise an den Verbindungspunkten 112 und 128 angeschaltet, um ein Vorspannungssignal durch die Schiltungslast, die die Transistoren 116, 118, 122 und 124 einschließt, und durch die Schaltungslast zu liefern, die die Transistoren 132, 134, 138 und 140 einschließt. Der Generator 22 ist ausführlicher in der DE-OS ... (unser Aktenzeichen 17 403 vom gleichen Anmeldetag) "beschrieben. Der Generator 22 ist so ausgelegt, daß er eine Vorspannung zwischen den Verbindungspunkten 112 und 128 der Verstärkerzelle 20 erzeugt, wobei diese Vorspannung durch einen Eingangsstrom von der Leistungsquelle 32 zum Generator 22 derart programmierbar ist, daß der resultierende Vorspannungsstrom durch die Logarithmus-Transistoren und der resultierende Vorspannungsstrom durch die Antilog-Transistoren gleich und proportional zum Eingangsstrom ist, und zwar unabhängig von der Temperatur, so daß diese Vorspannungsströme dem Eingangsstrom nachgeführt werden.The bias generator 22 is suitably on at junction points 112 and 128 to provide a bias signal through the circuit load that the Includes transistors 116, 118, 122 and 124, and by the circuit load that transistors 132, 134, 138 and 140 includes. The generator 22 is more detailed in DE-OS ... (our file number 17 403 from the same filing date) ". The generator 22 is designed to produce a bias voltage between connection points 112 and 128 of amplifier cell 20, this bias being so programmable by an input current from power source 32 to generator 22 is that the resulting bias current through the logarithm transistors and the resulting Bias current through the antilog transistors is equal to and proportional to the input current, independently on the temperature, so that these bias currents track the input current.
Der Generator 22 schließt einen ersten Widerstand 15O ein, von dem ein Anschluß mit dem Verbindungspunkt 112 und der andere Anschluß mit einem Verbindungspunkt 154 verbunden ist. Ein Widerstand 152 ist mit dem Widerstand 150 am Verbindungspunkt 154 sowie mit dem Verbindungspunkt 128 verbunden. Der Verbindungspunkt 112 ist weiterhin mit dem Kollektor eines NPN-Transistors 156 verbunden, dessen Emitter mit dem Emitter eines HiP-TransistorsThe generator 22 closes a first resistor 150 one, one of which is connected to connection point 112 and the other connection to connection point 154 connected is. A resistor 152 is with the resistor 150 at connection point 154 as well as with the connection point 128 connected. The connection point 112 is further connected to the collector of an NPN transistor 156, its emitter with the emitter of a HiP transistor
158 verbunden ist. Der NPH-Transistor 156 ist hinsichtlich seiner Vbe/Ic-Übertragungscharakteristik an die ΈΈΕ-Transistoren 116, 122, 132 "und I38 angepaßt, während der HTP-Transistor I58 in gleicher Weise an die PNT-Transistoren 118, 124, 134 und 140 der Verstärkerzelle 20 angepaßt ist. Die Basis des Transistors 158 ist mit dem Verbindtingspunkt 154 verbunden, während sein Kollektor mit der Basis eines Transistors 150 verbunden ist. Der Emitter des Transistors 160 ist mit der Basis eines Transistors 162 verbunden. Die Kollektoren der Transistoren und 162 sind miteinander und mit der Basis und dem Kollektor des Transistors 156 und damit mit dem Verbindungspunkt 112 verbunden. Der Emitter des Transistors 162 ist mit dem Verbindungspunkt 128 verbunden. Die Basis des Transistors 158 ist mit der Anode einer Diode 164 verbunden, deren Kathode mit der Basis des Transistors 160 verbunden ist. Die Basis des Transistors 160 ist mit einer Konstantstromquelle verbunden, die durch die Leistungsversorgung 32 gebildet wird.158 is connected. The NPH transistor 156 is matched in terms of its Vbe / Ic transfer characteristics to the ΈΈΕ transistors 116, 122, 132 "and I38, while the HTP transistor I58 is adapted in the same way to the PNT transistors 118, 124, 134 and 140 of the Amplifier cell 20. The base of transistor 158 is connected to junction 154, while its collector is connected to the base of transistor 150. The emitter of transistor 160 is connected to the base of transistor 162. The collectors of transistors 16 and 162 are connected to each other and to the base and collector of transistor 156 and thus to junction 112. The emitter of transistor 162 is connected to junction 128. The base of transistor 158 is connected to the anode of a diode 164, the cathode of which is connected to the base of transistor 160. The base of transistor 160 is connected to a constant current source formed by power supply 32 t will.
Wie dies in der DE-OS ... (unser .Aktenzeichen X] 403 vom gleichen Anmeldetag) beschrieben ist, ist der Strom von der Quelle 32 an den Verbindungspunkt des Kollektors des Transistors 158 mit der Basis des Transistors 160 der Programmier-Eingangsstrom für den Generator. Der Kollektorstrom des Transistors I58 ist (unter Vernachlässigung des Basisstroms des Transistors 158) gleich dem Strom durch die Basis-Emitter-Grenzschichten der beiden Transistoren 156 und 158 und hängt damit von diesem Strom ab. Die Transistoren 160 und 162 bilden eine Folgestufe mit einer Spannungsverstärkung von Eins und einer sehr hohen Stromverstärkung.As described in DE-OS ... (our .Akenzeichen X] 403 from the same filing date), the current from source 32 to the junction of the collector of transistor 158 with the base of transistor 160 is the programming input current for the generator. The collector current of transistor I58 is (disregarding the base current of transistor 158) equal to the current through the base-emitter boundary layers of the two transistors 156 and 158 and thus depends on this current. The transistors 160 and 162 form a subsequent stage with a voltage gain of one and a very high current gain.
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Im Betrieb bleibt der Strom von der Leistungsquelle 32 an die Basis des Transistors 160 konstant "und legt damit den Pegel der Vorspannung fest, der längs der Verbindungspunkte 112 und 128 angelegt wird. Die Größe des durch die Emitter der Transistoren 156 und 158 fließenden Stroms legt die temperaturabhängige Spannung längs des Widerstandes 150 fest. Der Kollektorstrom des Transistors 158 ist angenähert gleich dem Emitterstrom des Transistors 158 und gleich dem Eingangsstrom an den Generator 22, so daß der Fehlerstromeingang an die Basis des Transistors 160 angenähert gleich Hull ist. Wenn eine Änderung im Emitterstrom der Transistoren I56 und I58 auftreten würde, so ergäbe sich eine Kompensation durch die Transistoren 160 und 162 zur Korrektur dieses Fehlers. Im einzelnen würde, wenn die Emitterströme durch die Transistoren 156 und 158 ansteigen, die Spannung längs des Widerstandes 150 vergrößert. Der Kollektorstrom des Transistors 158 würde dann ansteigen. Weil der Eingangsstrom von der Leistungsquelle 32 konstant bleibt, würde sich ein Fehlerstrom, der gleich der Differenz zwischen dem Kollektorstrom des Transistors 158 "und dem Eingangsstrom ist, ergeben, und der Spannungspegel an der Basis des Transistors 160 würde gegenüber dem Spannungspegel am Verbindungspunkt 112 absinken. Hierdurch würde der Strom durch die Widerstände 152 und 150 verringert, so daß die Spannung längs der Basis-Emitter-Grenzschichten der Transistoren 156 und 158 verringert würde, was andererseits zu einer Verringerung der Emitterströme der Transistoren 156 und 158 führt, bis der Kollektorstrom des Transistors 158 gleich dem Eingangsstrom von. der Quelle 32 wird und der Fehlerstrom in die Basis des Transistors 160 zu Null werden würde.In operation, the current from the power source 32 to the base of the transistor 160 remains constant "and thus sets the Determines the level of bias applied across junctions 112 and 128. The size of the Emitter of transistors 156 and 158 current flowing defines the temperature-dependent voltage across resistor 150. The collector current of transistor 158 is approximately equal to the emitter current of transistor 158 and equal to the input current to generator 22, see above that the fault current input to the base of transistor 160 is approximately equal to Hull. If there is a change in the Emitter current of transistors I56 and I58 would occur, this would result in compensation by transistors 160 and 162 to correct this error. In detail if the emitter currents through transistors 156 and 158 increase, the voltage across the resistor would 150 magnified. The collector current of the transistor 158 would then increase. Because the input current from the If power source 32 remains constant, there would be a fault current equal to the difference between the collector current of transistor 158 "and the input current, and the voltage level at the base of transistor 160 would be compared to the voltage level at the junction 112 sink. This would reduce the current through resistors 152 and 150, so that the voltage along the base-emitter junctions of transistors 156 and 158 would otherwise be decreased a reduction in the emitter currents of the transistors 156 and 158 leads until the collector current of transistor 158 equal to the input current of. the source 32 becomes and the Residual current in the base of transistor 160 would go to zero.
Wenn andererseits die Emitterströme der Transistoren ■und 158 absinken wurden, so daß die Spannung längs des Widerstandes 150 absinkt und der Kollektorstrom des Transistors 15° verringert wird, so würde ein Fehlerstrom, der gleich der Differenz zwischen dem Kollektorstrom des Transistors 158 und dem Eingangsstrom ist, an die Basis des Transistors 160 angelegt. Hierdurch würde eine Vergrößerung des Spannungspegels von der Basis gegenüber dem Verbindungspunkt 112 auftreten. Dies würde andererseits den Strom durch die Widerstände 152 und 15Ο vergrößern und die Spannung längs der Basis-Emitter-Grenzschichten der Transistoren 156 und 158 würde ansteigen. Dies führt zu einer Vergrößerung der Emitterströme in den Transistoren 156 und 158, bis der Kollektorstrom des Transistors 158 wieder gleich dem Eingangsstrom von der Quelle 32 wird und der Fehlerstrom in die Basis des Transistors zu Null wird.On the other hand, if the emitter currents of the transistors ■ and 158 were decreased so that the tension along the Resistor 150 drops and the collector current of the transistor 15 ° is reduced, a fault current would which is equal to the difference between the collector current of the Transistor 158 and the input current is to the base of transistor 160 is applied. This would increase the voltage level from the base compared to the Connection point 112 occur. This, on the other hand, would increase the current through resistors 152 and 15Ο and the voltage across the base-emitter junctions of transistors 156 and 158 would increase. this leads to to an increase in the emitter currents in transistors 156 and 158 until the collector current of the transistor 158 again equals the input current from source 32 and the fault current into the base of the transistor becomes zero.
Entsprechend wird eine stromabhängige Spannung längs des Widerstandes I50 erzeugt, die die Summe der Spannungsabfälle längs der Basis-Emitter-Grenzschichten der Transistoren 156 und 158 ist. Der Temperatur-Spannungsabfall längs jeder Schaltungslast zwischen den Verbindungspunkten 112 und 128 der Verstärkerzelle 20 ändert sich als eine Funktion der Summe der Spannung längs der Basis-Emitter-Grenzschichten der beiden NPN- und der beiden PNP-Transistoren, die jeweils mit den NPET- und PNP-Transistören 156 und 158 gepaart sind.Correspondingly, a current-dependent voltage is generated across the resistor I50, which is the sum of the voltage drops across the base-emitter junctions of transistors 156 and 158. The temperature voltage drop along each circuit load between connection points 112 and 128 of amplifier cell 20 changes as a function of the sum of the voltage across the base-emitter interfaces the two NPN and the two PNP transistors, which interfere with the NPET and PNP transistors, respectively 156 and 158 are paired.
Daher ist es zur Anpassung der Spannungs-Strom-Temperaturcharakteristik des Generators 22 an die Spannungs-Strom-Temperaturcharakteristik jeder SchaltungslastTherefore it is used to adapt the voltage-current-temperature characteristic of the generator 22 to the voltage-current-temperature characteristic of each circuit load
zwischen den Verbindungspunkten 112 void, 128 erforderlich, die längs des Widerstandes 150 erzeugte Spannung mit dem Skalar 2 zu multiplizieren. Dies wird dadurch erreicht, daß der Widerstandswert des Widerstandes 152 gleich dem Widerstandswert des Widerstandes 150 gesetzt wird, so daß der durch den Widerstand 150 hindurch erzeugte Strom, der in Abhängigkeit von der Spannung erzeugt wird, die von den !Transistoren 156 und 158 längs dieses Widerstandes erzeugt wird, über den Widerstand 152 (unter Vernachlässigung des Basisstromes des Transistors 158) weitergeleitet wird, um eine gleiche Spannung zu erzeugen. Die Spannungen längs der Widerstände 15O und 152 addieren sich, um das Vorspannungssignal längs jeder Schaltungslast zwischen den Verbindungspunkten 112 und 128 der Verstärkerzelle 20 zu erzeugen. Es ist verständlich, daß dann, wenn das Verstärkungssteuermodul einer Änderung der Umgebungstemperatur ausgesetzt ist, die Änderung der Basis-Emitter-Spannungsabfälle der Transistoren 156 und I58 durch eine gleiche Änderung der Basis-Emitter-Spannungsabfälle jedes Paares von EETP- und NPN-Transistoren in jeder Schaltungslast ausgeglichen wird.between the connection points 112 void, 128 it is necessary to multiply the voltage generated across the resistor 150 by the scalar 2. This is accomplished by setting the resistance of resistor 152 equal to the resistance of resistor 150 so that the current generated through resistor 150 will be a function of the voltage generated by transistors 156 and 158 across it Resistance is generated, is passed through the resistor 152 (neglecting the base current of the transistor 158) in order to generate an equal voltage. The voltages across resistors 150 and 152 add to produce the bias signal across each circuit load between connection points 112 and 128 of amplifier cell 20. It will be understood that when the gain control module is subjected to a change in ambient temperature, the change in the base-emitter voltage drops of transistors 156 and I58 by an equal change in the base-emitter voltage drops of each pair of EETP and NPN transistors in FIG every circuit load is balanced.
Gemäß Pig. 3-A- schließt die Stromquelle 32 einen Transistor 170 ein, dessen Kollektor mit der Basis des Transistors 160 des Vorspannungsgenerators 22 verbunden ist. Der Emitter des Transistors 170 ist über einen Widerstand 172 mit einem Verbindungspunkt 174- verbunden. Der Transistor 170 ist mit den Transistoren 176 und 178 dadurch in Kaskade geschaltet, daß die Basiselektroden dieser Transistoren miteinander verbunden sind. Der Kollektor des Transistors 176 ist mit dem Emitter eines Transistors 177 verbunden. Die Basiselektrode des Transistors 177 ist mitAccording to Pig. 3-A- the current source 32 closes a transistor 170 a, whose collector connects to the base of the transistor 160 of the bias generator 22 is connected. The emitter of transistor 170 is across a resistor 172 connected to a connection point 174-. The transistor 170 is thus in with transistors 176 and 178 Cascade connected so that the base electrodes of these transistors are connected to one another. The collector of the Transistor 176 is connected to the emitter of a transistor 177. The base electrode of the transistor 177 is with
J Δ Ί U O ζ) 4J Δ Ί UO ζ) 4
- ar-- ar-
Systemerde verbunden, während der Kollektor dieses Transistors mit dem Emitter des Transistors 98'verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 178 ist mit dem Verbindungspunkt 78 der Stufe 18 verbunden. Die Emitter der Transistoren 176 und 178 sind direkt mit dem Verbindungspunkt 174· verbunden. Die Basiselektroden der Transistoren 170, 176 und 178 sind über einen Widerstand 180 mit der Basis eines Transistors 182 und dem Kollektor eines Transistors 184 verbunden. Der Kollektor des Transistors 182 ist direkt mit dem Verbindungspunkt 4-4- der Stufe 18 verbunden. Der Emitter des Transistors 182 ist mit dem Emitter des Transistors 170 verbunden. Die Basiselektroden der Transistoren 170, 176 und 178 sind über einen Widerstand 186 mit der Basis des Transistors 184- verbunden. Die Basis des Transistors 184· ist in geeigneter Weise um zwei Diodenspannungsabfälle unterhalb der Systemerde angeschaltet, und zwar dadurch, daß diese Basiselektrode über zwei als Diode geschaltete Transistoren 188 und 190 mit der Systemerde verbunden ist. Der Verbindungspunkt 174· ist mit der Basis eines Transistors 192 und über einen Widerstand 194- mit einem Anschluß 196 verbunden. Der Emitter des Transistors 192 ist ebenfalls mit dem Anschluß 196 verbunden, während der Kollektor dieses Transistors über einen Widerstand 198 mit dem Verbindungspunkt 128 der Verstärkerzelle 20 verbunden ist. Der Anschluß 196 kann in geeigneter Weise über einen äußeren Widerstand 200 mit einer Spannungsquelle 202 verbunden werden. Die Eigenart der Leistungsversorgung 32 ist derart, daß ein konstanter Strom immer am Kollektor des Transistors 170 geliefert wii'd, so daß der Vorspannungsgenerator 22 entsprechend den Lehren der DE-OS ... (unser Aktenzeichen 17 4-03 vom gleichen Anmeldetag) arbeitet.System ground, while the collector of this transistor is connected to the emitter of transistor 98 ' is. The collector of transistor 178 is with the connection point 78 connected to level 18. The emitters of the Transistors 176 and 178 are direct to the junction point 174 · connected. The base electrodes of the transistors 170, 176 and 178 are through a resistor 180 to the base of a transistor 182 and the collector of a transistor 184 connected. The collector of transistor 182 is connected directly to junction 4-4- of stage 18. The emitter of transistor 182 is connected to the emitter of transistor 170. The base electrodes of transistors 170, 176 and 178 are across a resistor 186 connected to the base of transistor 184-. The base of transistor 184 · is suitably um two diode voltage drops are connected below the system earth, by virtue of the fact that this base electrode is connected to system ground via two diode-connected transistors 188 and 190. The connection point 174 is connected to the base of a transistor 192 and to a terminal 196 via a resistor 194-. The emitter of transistor 192 is also connected to terminal 196, while the collector of this transistor is connected to the connection point 128 of the amplifier cell 20 via a resistor 198. The connection 196 can be connected in a suitable manner to a voltage source 202 via an external resistor 200 will. The nature of the power supply 32 is such that a constant current is always at the collector of the Transistor 170 is supplied wii'd so that the bias generator 22 according to the teachings of DE-OS ... (our file number 17 4-03 from the same filing date) works.
In den Pig. 4A und 4B ist der Detektor 12 ausführlich gezeigt. Zusätzlich zu dem Gleichrichter 24 (Fig. 4-A und 4B), dem Logarithmus-Abschnitt 26 (Fig. 4A und 4B), dem logarithmischen Filter 28 (Fig. 4B) und dem Pufferverstärker 30 (Fig. 4B) schließt der Detektor Stromquellen 3OO und 302 (die jeweils teilweise in den Fig. 4A und 4B gezeigt sind) und eine Spannungsquelle 304· (Fig. 4A) ein.In the pig. 4A and 4B, the detector 12 is shown in detail. In addition to the rectifier 24 (Figs. 4-A and 4B), the logarithm section 26 (Figs. 4A and 4B), the logarithmic filter 28 (Fig. 4B) and the buffer amplifier 30 (Fig. 4B), the detector includes current sources 3OO and 302 (partially shown in Figures 4A and 4B, respectively are shown) and a voltage source 304 (Fig. 4A) a.
Gemäß Fig. 4A ist der Spannungseingangsanschluß 14 über einen Kondensator 310 mit einem Widerstand 312 verbunden, der seinerseits mit dem Stromeingangsanschluß 14B verbunden ist (der das Stromeingangssignal I. empfängt). Der Stromeingangsanschluß 14B ist mit dem Eingang des Gleichrichters 24 verbunden.According to FIG. 4A, the voltage input terminal 14 is connected to a resistor 312 via a capacitor 310, which in turn is connected to the power input terminal 14B (which receives the power input signal I.). Of the Power input terminal 14B is connected to the input of rectifier 24.
Der Gleichrichter 24 umfaßt die Operationsverstärkerstufe 32Ο und den Vorspannungsgenerator 324. Der Gleichrichter 24 ist so aufgebaut, wie dies ausführlich in der DE-OS (unser Aktenzeichen 17 404 vom gleichen Anmeldetag) beschrieben ist.The rectifier 24 includes the operational amplifier stage 32Ο and the bias generator 324. The rectifier 24 is structured as described in detail in DE-OS (our file number 17 404 from the same filing date) is.
Im einzelnen ist der Stromeingangsanschluß 14B mit dem Eingangsverbindungspunkt 330 der Operationsverstärkerstufe 320 verbunden. Der Verbindungspunkt 330 ist mit der Basis eines Transistors 332 verbunden, dessen Kollektor mit Systemerde verbunden ist und dessen Emitter mit dem Kollektor eines Transistors 334- verbunden ist. Der Verbindungspunkt 33O ist weiterhin mit der Basis eines Transistors 336 verbunden, dessen Emitter mit einem Verbindungspunkt 338 und dessen Kollektor mit dem Emitter eines Transistors 34-0 verbunden ist. Der Transistor 340 ist mitIn detail, the power input terminal 14B is connected to the Input connection point 330 of the operational amplifier stage 320 connected. The connection point 330 is with the The base of a transistor 332 is connected, the collector of which is connected to system ground and the emitter of which is connected to the Collector of a transistor 334- is connected. The connection point 33O is still with the base of a transistor 336, the emitter of which is connected to a connection point 338 and its collector with the emitter of a Transistor 34-0 is connected. The transistor 340 is with
31 I U b b 4 3 1 IU bb 4
seiner Basiselektrode mit der Basiselektrode des Transistors 334- und mit seinem Kollektor mit dem Emitter eines Transistors 34-2 verbunden. Die Basiselektrode des Transistors 34-2 ist mit dem Emitter des Transistors 334 uad mit der Spannungsquelle 304- verbunden, während der Kollektor des Transistors 342 mit dem Kollektor eines Transistors 34-4 und der Basis eines Transistors 34-6 verbunden ist. Die Basiselektrode des Transistors 344- ist mit den Basis- und Kollektorelektroden eines Transistors 34-8 verbunden, während sein Emitter mit dem Emitter des Transistors 34-8 und mit dem positiven Speisespannungsanschluß 350 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 34-8 ist über einen Kondensator 352 mit der Basis des Transistors 34-6 verbunden. Der Kollektor des Transistors 34-8 ist i-ieiterhin mit dem Kollektor eines Transistors 354- verbunden, dessen Basiselektrode bei 355 fflit Systemerde verbunden ist und dessen Emitter mit dem Verbindungspunkt 338 verbunden ist. Der Transistor 34-6 ist mit seinem Kollektor mit dem positiven Speisespannungsanschluß 350 verbunden, während sein Emitter mit der Basis des Transistors 356 und direkt mit der Stromquelle 302 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 356 ist mit dem positiven Speisespannungsanschluß 350 verbunden, während sein Emitter mit einer Anode einer ersten Diode 358 verbunden ist, deren Kathode mit der Anode einer zweiten Diode 360 verbunden ist. Die Diode 360 ist mit ihrer den Ausgang der Stufe 320 darstellenden Kathode mit der Gleichrichterzelle 322 derart verbunden, daß diese Gleichrichterzelle in einem Rückführungskreis der Verstärkerstufe 320 angeordnet ist, wie dies in der DE-OS ... (unser Aktenzeichen 17 4-04 vom gleichen Anmeldetag) beschrieben ist.its base electrode with the base electrode of the transistor 334- and with its collector with the emitter one Transistor 34-2 connected. The base electrode of transistor 34-2 is connected to the emitter of transistor 334 uad with the voltage source 304- connected while the collector of transistor 342 to the collector of a transistor 34-4 and the base of a transistor 34-6 is connected. The base electrode of transistor 344- is connected to the base and collector electrodes of a transistor 34-8, while its emitter is connected to the emitter of transistor 34-8 and connected to the positive supply voltage terminal 350 is. The collector of transistor 34-8 is connected through a capacitor 352 to the base of transistor 34-6. The collector of transistor 34-8 is i-ieiterhin with connected to the collector of a transistor 354-, the base electrode of which is connected to system earth at 355 ffl and its emitter is connected to the connection point 338 is. The transistor 34-6 has its collector connected to the positive supply voltage terminal 350 connected while its emitter is connected to the base of transistor 356 and directly to current source 302. The collector of the Transistor 356 is connected to the positive supply voltage terminal 350, while its emitter is connected to a Anode of a first diode 358 is connected, the cathode of which is connected to the anode of a second diode 360. the Diode 360, with its cathode representing the output of stage 320, is of the same type with rectifier cell 322 connected that this rectifier cell is arranged in a feedback circuit of the amplifier stage 320, such as this in DE-OS ... (our file number 17 4-04 of same filing date).
3210Π323210-32
Die Gleichrichterzelle 322 umfaßt drei Transistoren 380, 382 und 38A-. Der Transistor 380 ist ein NPN-Transistor, der dadurch als Diode geschaltet ist, daß seine Basis über einen Widerstand 386 mit dem Kollektor verbunden ist, um den Eingang 388 der Gleichrichterzelle 322 zu bilden. Der Eingang 388 ist mit dem Eingang der Verstärkerstufe 320 am VerMndungspunkt 330 verbunden. Der Transistor 382 ist ebenfalls ein NPN-Transistor, dessen Kollektor mit der Kathode einer Diode 398 verbunden ist, deren Anode mit dem Ausgang 400 der Gleichrichterzelle verbunden ist. Der Emitter des Transistors 382 ist mit dem Emitter des Transistors 380 verbunden, während die Basis des Transistors 382 über einen Widerstand 390 mit Systemerde verbunden ist. Die Basis des Transistors 382 ist weiterhin mit einem Anschluß 392 verbunden, der seinerseits über einen Widerstand 394 mit einem Potentiometer 396 verbindbar ist. Dieses Potentiometer liefert einen änderbaren Strom an die Basis des Transistors 382, um eine Verstärkungssymmetrie zwischen den Strompfaden sicherzustellen, die durch die Transistoren 380 und 382 einerseits und durch den Transistor 384 andererseits gebildet werden, wie dies in der vorstehend genannten DE-OS ... (unser Aktenzeichen 17 4-04 vom gleichen Anmeldetag) beschrieben ist. Schließlich ist der Transistor 384, der ein iTPN-Transistor ist, mit seinem Emitter mit dem Eingang 388 der Gleichrichterzelle verbunden, während seine Basiselektrode mit der Kathode der Diode 360 der Operationsverstärkerstufe 32O verbunden ist und sein Kollektor mit dem Ausgang 400 der Gleichrichterzelle verbunden ist. Wie dies in der vorstehend genannten DE-OS beschrieben ist, begrenzt die Schleifenübertragung der Operationsverstärkerstufe 320 durch jeden der Pfade, die denThe rectifier cell 322 comprises three transistors 380, 382 and 38A-. The transistor 380 is an NPN transistor, which is connected as a diode in that its base is connected to the collector via a resistor 386 to form input 388 of rectifier cell 322. The input 388 is with the input of the amplifier stage 320 connected at junction 330. The transistor 382 is also an NPN transistor whose collector is connected to the cathode of a diode 398, whose Anode is connected to the output 400 of the rectifier cell. The emitter of transistor 382 is with connected to the emitter of transistor 380, while the base of transistor 382 via a resistor 390 with System earth is connected. The base of the transistor 382 is also connected to a terminal 392, which in turn via a resistor 394 with a potentiometer 396 is connectable. This potentiometer supplies a changeable current to the base of transistor 382, a gain symmetry between the current paths ensure that through transistors 380 and 382 on the one hand and formed by the transistor 384 on the other hand as in the aforementioned DE-OS ... (our file number 17 4-04 from the same filing date) is described. Finally, transistor 384, which is an iTPN transistor, has its emitter connected to its input 388 connected to the rectifier cell while its The base electrode is connected to the cathode of the diode 360 of the operational amplifier stage 32O and its collector is connected to the output 400 of the rectifier cell. As described in the aforementioned DE-OS limits the loop transmission of operational amplifier stage 320 through each of the paths that make up the
Transistor 380 bzw. 384 tunfassen, bei einer Verstärkung von Eins, so daß Stabilitätsprobleme beseitigt werden, die bei einer unbegrenzten Schleifenübertragung in der Gleichrichtung von positiven Eingangssignalen durch einen Gleichrichter auftreten wurden, wie er in der US-PS 4 097 767 beschrieben ist.Transistor 380 or 384, if there is an amplification of one, thereby eliminating stability problems associated with unlimited loop transmission in the Rectification of positive input signals by a Rectifiers as described in U.S. Patent 4,097,767.
Der Vorspannungsgenerator 324 liefert eine Vorspannung zwischen der Basis des Transistors 384- und den miteinander verbundenen Emittern der Transistoren 380 und 382, wie dies in der DE-OS ... (unser Aktenzeichen 17 4-04- vom gleichen Anmeldetag) beschrieben ist. Der Vorspannungsgenerator 324 bildet eine Signalgeneratoreinrichtung zur Erzeugung der Vorspannung zwischen den Punkten 410 und 412. Das Vorspannungssignal wird längs einer ersten Impedanzlast angelegt, die erste Widerstandselemente in Form eines Widerstandes 440 einschließt. Der Widerstand 440 ist mit einem zweiten Widerstandselement, einem Widerstand 442 verbunden, der einen Teil einer zweiten Impedanzlast bildet, die zwischen der Basis des Transistors 384 und den verbundenen Emittern der Transistoren 380 und 382 angeschaltet ist. Wie dies weiter unten noch näher erläutert wird, wird dadurch, daß die Widerstände 440 und 442 mit gleichem Widerstandswert ausgebildet werden, die Vorspannung außerdem zwischen der Basis des Transistors 384 und den miteinander verbundenen Emittern der Transistoren 380 und 382 angelegt.The bias generator 324 provides a bias between the base of transistor 384 and each other connected emitters of transistors 380 and 382, as in DE-OS ... (our file number 17 4-04- from same filing date). The bias generator 324 forms a signal generator means for Generation of the prestress between points 410 and 412. The bias signal is across a first impedance load applied, the first resistor elements in the form of a resistor 440 includes. Resistance 440 is connected to a second resistive element, resistor 442, which is part of a second impedance load forms between the base of transistor 384 and the connected emitters of transistors 380 and 382 is turned on. As will be explained in more detail below, the fact that the resistors 440 and 442 can be formed with the same resistance value, the bias voltage also between the base of the transistor 384 and the interconnected emitters of transistors 380 and 382 are applied.
Im einzelnen schließt die Signalgeneratoreinrichtung eine erste Stromquelle mit den Transistoren 414 und 416 zur Lieferung eines Bezugsstromes IB, eine zweite Stromquelle mit einem Transistor 418 zur Lieferung eines BezugsstromsIn detail, the signal generator device closes a first current source with the transistors 414 and 416 Supply of a reference current IB, a second current source with a transistor 418 for supplying a reference current
3210^23210 ^ 2
IA, zv/ei Bezugstransistoren 420 und 422 "und ein zweites Paax von Bezugstransistoren 424 und 426 ein. Der Emitter des Transistors 414 ist mit dem Emitter des Transistors 416 und dem Emitter des Transistors 418 sowie mit Systemerde -verbunden. Der Kollektor und die Basis des Transistors 414 sind mit den Stromquellen 302 und mit den Basiselektroden der Transistoren 416 und 418 verbunden. Der Kollektor des Transistors 416 ist mit der Basis eines Transistors 434 verbunden, dessen Kollektor mit dem Ausgang des Logarithmus-Abschnittes 26 verbunden ist und dessen Emitter mit der Basis und dem Kollektor eines als Diode geschalteten Transistors 436 verbunden ist. Der Emitter des Transistors 436 ist mit einem Verbindungspunkt 412 verbunden. Der Kollektor des Transistors 416 ist weiterhin mit dem Kollektor des Transistors 420 verbunden, dessen Basis mit einem Verbindungspunkt 410 verbunden ist und dessen Emitter mit dem Kollektor und der Basis des als Diode geschalteten Transistors 422 verbunden ist. Der Emitter des Transistors 422 ist mit dem negativen Speisespannungsanschluß 450 sowie mit einem Widerstand 428 verbunden. Der Kollektor des Transistors ist mit der Basis und dem Kollektor eines als Diode geschalteten Transistors 432 verbunden, dessen Kollektor mit dem Verbindungspunkt 410 verbunden ist. Der Verbindungspunkt 410 ist mit der Basis und dem Kollektor des als Diode geschalteten Transistors 424 verbunden, dessen Emitter mit der Basis und dem Kollektor des als Diode geschalteten Transistors 426 verbunden ist. Der Emitter des Transistors 426 ist mit dem gemeinsamen Verbindungspunkt der Widerstände 428 und 430 verbunden. Der Widerstand ist seinerseits mit dem Punkt 412 verbunden.IA, zv / ei reference transistors 420 and 422 "and a second Paax of reference transistors 424 and 426. The emitter of transistor 414 is to the emitter of transistor 416 and the emitter of transistor 418 as well as to system ground -tied together. The collector and base of transistor 414 are connected to current sources 302 and to the base electrodes of transistors 416 and 418 connected. The collector of transistor 416 is connected to the base of one Transistor 434, whose collector is connected to the output of the logarithm section 26 is connected and its emitter with the base and collector of a as Diode switched transistor 436 is connected. Of the The emitter of the transistor 436 is connected to a connection point 412. The collector of transistor 416 is also connected to the collector of transistor 420, the base of which is connected to a connection point 410 and its emitter is connected to the collector and the base of the transistor 422 connected as a diode is. The emitter of the transistor 422 is connected to the negative supply voltage terminal 450 and to a resistor 428 connected. The collector of the transistor is connected as a diode to the base and the collector of a Connected to transistor 432, its collector is connected to connection point 410. The connection point 410 is to the base and collector of the connected as a diode transistor 424, the emitter of which is connected to the base and collector of the diode connected Transistor 426 is connected. The emitter of transistor 426 is to the common connection point of resistors 428 and 430 are connected. The resistance is in turn connected to point 412.
OL IUUUi OL IUUUi
Die Basis des Transistors 432 ist mit der Basis eines Transistors 438 verbunden, dessen Emitter über einen Widerstand 440 mit dem Verbindungspunkt 412 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 433 ist mit der Basis und dem Kollektor eines als Diode geschalteten Transistors 444 verbunden, dessen Emitter mit dem Widerstand 442 verbunden ist, der seinerseits mit der Basis des Transistors 384 der Gleichrichterzelle 322 verbunden ist. Der Kollektor und die Basis des Transistors 444 sind mit der Basis eines Transistors 446 verbunden, dessen Emitter mit den miteinander verbundenen Emittern der Transistoren 380 und 382 verbunden ist und dessen Kollektor mit dem negativen Speisespannungsanschluß 450 der Stromquellen 302 verbunden ist. Wie dies in der DE-OS ... (unser Aktenzeichen 17 404 vom gleichen Anmeldetag) beschrieben ist, sind die Transistoren 420, 422, 424 und 426 jeweils NM-Transistören, die hinsichtlich ihrer Vbe/Ic-Charakteristik an die NEN-Transistoren 380, 382 und 384 der Gleichrichterzelle 322 angepaßt sind. In ähnlicher Weise sind die Transistoren 432 und 438 vom gleichen Leitfähigkeitstyp und hinsichtlich ihrer Vbe/Ic-Charakteristik einander angepaßt, und auch die Transistoren 444 und 446 sind vom gleichen Leitfähigkeitstyp und hinsichtlich ihrer Vbe/Ic-Charakteristik angepaßt.The base of transistor 432 is connected to the base of a Transistor 438, the emitter of which is connected through a resistor 440 is connected to connection point 412. The collector of transistor 433 is connected to the base and connected to the collector of a diode-connected transistor 444, the emitter of which is connected to the resistor 442 which in turn is connected to the base of transistor 384 of rectifier cell 322. The collector and the base of transistor 444 are connected to the base of transistor 446, the emitter of which is connected to the interconnected emitters of transistors 380 and 382 is connected and its collector to the negative Supply voltage connection 450 of the current sources 302 connected is. As described in DE-OS ... (our file number 17 404 from the same filing date) are the Transistors 420, 422, 424 and 426 each NM transistors, with respect to their Vbe / Ic characteristics to the NEN transistors 380, 382 and 384 of the rectifier cell 322 are adapted. Similarly, transistors 432 and 438 are of the same conductivity type and wise their Vbe / Ic characteristics are matched to one another, and the transistors 444 and 446 are also the same Conductivity type and in terms of their Vbe / Ic characteristics customized.
Der Gleichrichter 24 arbeitet in einer Weise, wie sie in der genannten DE-OS ausführlich beschrieben ist. Allgemein ist, wenn der Eingangsstrom am Verbindungspunkt 14A negativ ist, das Ausgangssignal an der Kathode der Diode 360 der Stufe 320 positiv. Dies ergibt eine Gegenkopplung über die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 384 der Gleichrichterzelle 322. Dies führt andererseits dazu, daßThe rectifier 24 works in a manner as described in detail in the aforementioned DE-OS. Generally when the input current at junction 14A is negative, the output is at the cathode of the diode 360 of level 320 positive. This results in negative feedback via the base-emitter path of transistor 384 of the Rectifier cell 322. This, on the other hand, leads to the fact that
32108623210862
ein Strom von dem Ausgang am Anschluß 400 des Gleichrichters durch die Kollektor-Basis-Strecke des Transistors 384 zum Eingangsaiischlviß 330 der Operationsverstarkerstufe 320 fließt. Die Transistoren 380 und 382 sind im wesentlichen nicht-leitend, weil ihre Basis-Emitter-Grenzschichten in Sperrichtung vorgespannt sind.a current from the output at terminal 400 of the rectifier through the collector-base path of the transistor 384 to the input terminal 330 of the operational amplifier stage 320 flows. Transistors 380 and 382 are essentially non-conductive because of their base-emitter junctions are biased in the reverse direction.
Für positive Eingangsströme am Anschluß 14B ist der Ausgang der Operationsverstärkerstufe 320 negativ, die Basis-Emitter-Grenzschicht des Transistors 380 ist in Vorwärtsrichtung vorgespannt und es fließt ein Strom durch diese Grenzschicht. Ein im wesentlichen gleicher gespiegelter Strom fließt durch den Kollektor des Transistors 382, um auf diese Weise für diese Polarität des Eingangssignals ein invertiertes Signal am Ausgang 400 zu liefern. For positive input currents at terminal 14B, the output of operational amplifier stage 320 is negative, the base-emitter junction of transistor 380 is forward biased and a current flows through this boundary layer. Essentially the same mirrored one Current flows through the collector of transistor 382 in order in this way to supply an inverted signal at output 400 for this polarity of the input signal.
Die Basis des Transistors 384 und die miteinander verbundenen Emitter der Transistoren 380 und 382 sind durch den Vorspannungsgenerator 324 so vorgespannt, daß sie die Efachführgeschwindigkeits-Forderungen des Verstärkers 320 für einen vorgegebenen Betriebseigenschaftspegel verringern. The base of transistor 384 and the interconnected Emitters of transistors 380 and 382 are through the Bias generator 324 is biased to meet the single speed requirements of amplifier 320 decrease for a given level of operational characteristics.
Vie dies in der DE-OS ... (unser Aktenzeichen 17 4-04 vom gleichen Anmeldetag) beschrieben ist, ist die Vorspannung, die zwischen den Punkten 410 und 412 erzeugt wird, gleich dem Spannungsabfall längs der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 424 plus dem Spannungsabfall längs der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 426 abzüglich des Spannungsabfalls längs des Widerstandes 430. Im allgemeinen ist, wenn der Bezugsstrom IB durch dieVie this in DE-OS ... (our file number 17 4-04 of same filing date) is the preload generated between points 410 and 412, equal to the voltage drop across the base-emitter path of transistor 424 plus the voltage drop along the base-emitter path of transistor 426 minus the voltage drop across resistor 430. In general, when the reference current IB is through the
Transistoren 420 und 422 gleich dem η-fachen des Bezugsstromes IA durch die Transistoren 424 und 426 ist, die Spannung längs des Widerstandes 428 derart, daß dann, wenn sie von der Spannung längs eines Bezugsdiodenstranges (wie beispielsweise längs der Transistoren 420 und 422) subtrahiert wird, eine Verringerung des Stromes durch einen angepaßten Strang um einen Faktor von η hervorgerufen wird. Die Spannung längs des Widerstandes 4JO ist dann derart, daß dann, wenn sie von der Spannung längs des Bezugsdiodenstranges der Transistoren 424 und 426 subtrahiert wird, eine Verringerung des Stromes durch den angepaßten Strang um einen Faktor η zur k-ten Potenz hervorgerufen wird (worin k das Verhältnis des Widerstandswertes des Widerstandes 4JO zum Widerstandswert des Widerstandes 428 ist). Weil die Spannung zwischen den Punkten 410 und 412 der Spannungsabfall längs des aus den als Diode geschalteten Transistoren 424 und 426 bestehenden Diodenstranges bezüglich des Spannungsabfalls längs des Widerstandes 430 ist und weil die Transistoren 424 und 426 en die Transistoren 420 und 422 angepaßt oder mit diesen gepaart sind, wie dies in der US-PS ... (US-Patentanmeldung 137 427 vom 4. April 1980) und in der DE-OS ... (unser Aktenzeichen 17 404 vom gleichen Anmeldetag) beschrieben ist, ist der umlaufende Strom, der an die Transistoren 384 und 380 geliefert ist (der Strom, der durch die Basis und den Emitter des Transistors 384 und den Kollektor und den Emitter des Transistors 380 umläuft) um den Faktor η zur k-ten Potenz kleiner als der Bezugsstrom durch die Transistoren 424 und 426. Die Vorspannung kann sich daher mit der Temperatur derart ändern, daß der umlaufende Strom sich nicht mit diesen Temperaturänderungen ändert, während die Einstellung desTransistors 420 and 422 is equal to η times the reference current IA through transistors 424 and 426, the Voltage across the resistor 428 such that when they are affected by the voltage across a reference diode string (such as across transistors 420 and 422) is subtracted, a decrease in current caused by an adapted strand by a factor of η. The voltage across the resistor 4JO is then such that when they are affected by the voltage across the reference diode string of transistors 424 and 426 is subtracted, a reduction in the current through the matched strand by a factor η to the kth power (where k is the ratio of the resistance value of the resistor 4JO to the resistance value of the Resistance 428 is). Because the voltage between points 410 and 412 is the voltage drop across the from the As a diode connected transistors 424 and 426 existing diode string with respect to the voltage drop along of resistor 430 is and because transistors 424 and 426 en matched or with transistors 420 and 422 these are paired, as in US-PS ... (US patent application 137 427 of April 4, 1980) and in DE-OS ... (our file number 17 404 from the same filing date) is the circulating stream that is sent to the Transistors 384 and 380 is supplied (the current that through the base and emitter of transistor 384 and the collector and the emitter of the transistor 380 revolves) by the factor η to the k-th power smaller than the Reference current through transistors 424 and 426. The bias voltage can therefore change with temperature in such a way that that the circulating current does not change with these temperature changes while the setting of the
3210GB 23210GB 2
Stromes IA, ds.s Verhältnis von IB zu IA sowie das Verhältnis der Widerstände 428 und 430 den maximalen umlaufenden Strom, der in dem Kollektor-Emitter-Kreis des Transistors 380 und der Basis-Emitter-Grenzschicht des Transistors 384 erzeugt wird, und den maximalen Fehler am Ausgang 400 aufgrund dieses umlaufenden Stromes einstellt. Current IA, ds.s ratio of IB to IA as well as the ratio of resistors 428 and 430 the maximum circulating Current flowing in the collector-emitter circuit of transistor 380 and the base-emitter junction of the Transistor 384 is generated, and the maximum error on Output 400 adjusts based on this circulating current.
Die Vorspannung längs der Punkt 410 und 412 ist damit gleich der gewünschten Vorspannung. Die längs dieser Punkte erzeugte Spannung wird längs der ersten Impedanzlast angelegt, die die Basis-Emitter-Grenzschichten der Transistoren 432 und 438 sowie den Widerstand 440 einschließt. Die Basis-Emitter-Grenzschicht des Transistors 438 ist in Vorwärtsrichtung vorgespannt, so äsß sie leitend ist. Die Vorspannung längs des Widerstandes 440 erzeugt daher einen Strom durch den Widerstand 440 und den Transistor 438, der seinerseits einen Strom durch den Widerstand 442 und den als Diode geschalteten Transistor 444 hervorruft. Der Strom durch den Emitter des Transistors 446 ist so eingestellt, daß er gleich dem Strom durch den Transistor 432 (IA) ist, so daß durch Anpassung des Transistors 444 an den Transistor 446 und die Anpassung des Transistors 432 an den Transistor 438 irgendeine Fehlanpassung zwischen den Spannungsabfällen längs jedes der Transistoren 432 und 438 aufgrund einer fehlenden Gleichheit von Strömen, die durch die Kollektoren dieser Transistoren fließen, durch eine gleiche Fehlanpassung oder fehlende Gleichheit der Spannungsabfälle zwischen den Transistoren 444 und 446 ausgeglichen wird, und zwar aufgrund einer Verdoppelung der Strom-Fehlanpassung. Der Strom durch den Widerstand 442 führt zur Erzeugung derThe preload along points 410 and 412 is thus equal to the desired preload. The voltage generated across these points is applied across the first impedance load, which includes the base-emitter junctions of transistors 432 and 438 and resistor 440. The base-emitter junction of transistor 438 is forward biased so that it is conductive. The bias across resistor 440 therefore creates a current through resistor 440 and transistor 438, which in turn creates a current through resistor 442 and diode-connected transistor 444. The current through the emitter of transistor 446 is set to equal the current through transistor 432 (IA), so by matching transistor 444 to transistor 446 and matching transistor 432 to transistor 438, any mismatch between the voltage drops across each of transistors 432 and 438 due to a lack of equality of currents flowing through the collectors of these transistors is offset by an equal mismatch or lack of equality in the voltage drops between transistors 444 and 446 due to a doubling of the current Mismatch. The current through resistor 442 results in the generation of the
ΪΙ I Ubö4 ΪΙ I Ubö4
Vorspannung längs einer zweiten Impedanzlast, die den Widerstand 442 und die Basis-Emitter-Grenzschichten der Transistoren 444 und 446 umfaßt. Damit ist die Spannung längs des Widerstandes 442 und der Transistoren 444 und 446 gleich der erforderlichen Vorspannung, die sich, mit der Temperatur ändern kann, ohne daß der umlaufende Strom in den Transistoren 380 und 384 beeinflußt wird«Biasing along a second impedance load across the resistor 442 and the base-emitter junctions of transistors 444 and 446. That’s the tension across resistor 442 and transistors 444 and 446 equal the required bias voltage, which is with the temperature can change without affecting the circulating current in transistors 380 and 384 «
Durch Zuführung der geeigneten Vorspannung an die Basis des Transistors 384 und die miteinander verbundenen Emitter der Transistoren 380 und 382 ist der auf den Ausgang 400 übertragene UmIauffehlerstrom aufgrund des Umlaufstromes, der in dem Basis-Emitter-Kreis des Transistors 384 und dem Kollektor-Emitter-Kreis des Transistors 380 fließt, temperaturunabhängig, und der maximal annehmbare Pegel des Umlaufstromfehlers am Ausgang 400 ist durch das Verhältnis der Widerstandswerte der Widerstände 428 und 430, durch den Vorspannungsstrotn IA, der durch die Transistoren 424 und 426 des Generators 324 geleitet wird, und durch das Verhältnis des Stroms IB zum Strom IA bestimmt. By applying the appropriate bias to the base of transistor 384 and the interconnected emitters of transistors 380 and 382 is the one on the output 400 transmitted circulating fault current due to the circulating current, that in the base-emitter circuit of transistor 384 and the collector-emitter circuit of transistor 380 flows, independent of temperature, and the maximum acceptable level of circulating current error at output 400 is given by the Ratio of the resistance values of resistors 428 and 430, by the bias current IA generated by the transistors 424 and 426 of the generator 324 is conducted, and determined by the ratio of the current IB to the current IA.
Daher stellt das Stromausgangssignal des Gleichrichters 24 am Ausgang 400 die Vollweggleichrichtung eines Eingangsstromes am Anschluß 14B dar. Der Ausgang 400 ist mit dem Logarithmier-Abschnitt 26 verbunden.Therefore, the current output signal of the rectifier represents 24 at output 400 represents the full-wave rectification of an input current at connection 14B. Output 400 is with connected to the logarithmic section 26.
Der Logarithmier-Abschnitt 26 (gemäß den Pig. 4A und 4B) schließt eine Operationsverstärkerstufe 451 und Logarithmierelemente 452 ein. Die Operationsverstärkerstufe 451 weist einen Eingang 454 auf, der mit dem Ausgang 400 der Gleichrichterzelle 322 des Gleichrichters 24The logarithmic section 26 (according to Pig. 4A and 4B) includes an operational amplifier stage 451 and logarithmic elements 452 a. The operational amplifier stage 451 has an input 454, which is connected to the output 400 of rectifier cell 322 of rectifier 24
3210SC23210SC2
verbunden ist. Der Eingang 4-54· bildet die Verbindung zwischen den Basiselektroden von den Transistoren 4-56 und 4-58. Der Kollektor des Transistors 4-56 und der Emitter des Transistors 4-58 sind mit Systemerde verbunden. Der Emitter des Transistors 4-56 ist mit dem Kollektor des Transistors 4-58 verbunden, dessen Emitter mit der Spannungsquelle 304- und den Stromquellen 300 verbunden ist. Der Emitter des Transistors 4-58 ist weiterhin mit der Basis des Transistors 4-60 und mit der Anode einer Diode verbunden. Der Kollektor des Transistors 4-60 ist mit den Stromquellen 300 und der Kathode der Diode 4-61 verbunden. Der Emitter des Transistors 4-60 ist mit dem Kollektor eines Transistors 4-62 verbunden, dessen Basis mit der Basis des Transistors 4-58 verbunden ist und dessen Emitter über einen Widerstand 4-64 (S1Xg. 4-B) mit dem Kollektor des Transistors 4-58 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 4-60 ist über einen Kondensator 4-68 mit Systemerde und mit der Basis eines Transistors 4-66 verbunden. Der Kollektor des Transistors 4-66 ist mit den Stromquellen 300 verbunden. Der Emitter des Transistors 4-66 ist mit der Basis eines Transistors 4-70 verbunden, dessen Kollektor mit den Stromquellen 3°0 und dessen Emitter mit dem Ausgang der Logerithmier-Elemente 4-52 verbunden ist.connected is. The input 4-54 · forms the connection between the base electrodes of the transistors 4-56 and 4-58. The collector of transistor 4-56 and the emitter of transistor 4-58 are connected to system ground. The emitter of transistor 4-56 is connected to the collector of transistor 4-58, the emitter of which is connected to voltage source 304 and current sources 300. The emitter of transistor 4-58 is also connected to the base of transistor 4-60 and to the anode of a diode. The collector of transistor 4-60 is connected to current sources 300 and the cathode of diode 4-61. The emitter of the transistor 4-60 is connected to the collector of a transistor 4-62, the base of which is connected to the base of the transistor 4-58 and the emitter of which is connected to the via a resistor 4-64 (S 1 Xg. 4-B) Collector of transistor 4-58 is connected. The collector of transistor 4-60 is connected to system ground via a capacitor 4-68 and to the base of a transistor 4-66. The collector of transistor 4-66 is connected to current sources 300. The emitter of the transistor 4-66 is connected to the base of a transistor 4-70, the collector of which is connected to the current sources 3 ° 0 and the emitter of which is connected to the output of the logging elements 4-52.
Die Logarithmier-Elemente 4-52 sind durch die Verbindung von zwei als Diode geschalteten Transistoren 4-78 und 4-80 in einer Rückführungsschleife zwischen dem Ausgang und dem Eingang der Operationsverstärkerstufe 4-51 gebildet, wobei die Ausgänge und Eingänge durch den Emitter des Transistors 4-70 bzw. den Eingang 4-54- gebildet sind. Im Betrieb fließt das gleichgerichtete Stromsignal am Eingang 4-54- immer in den Gleichrichter 24, so daß dieThe logarithmic elements 4-52 are due to the connection of two transistors 4-78 and 4-80 connected as a diode formed in a feedback loop between the output and the input of the operational amplifier stage 4-51, The outputs and inputs are formed by the emitter of the transistor 4-70 and the input 4-54-. in the In operation, the rectified current signal at the input 4-54- always flows into the rectifier 24, so that the
Transistoren 480 und 482 der Logarithmier-Elemente 452 immer in Vorwärtsrichtung vorgespannt sind. Aufgrund der Eigenart der Operationsverstärkerstufe 451 und der Logarithmier-Elemente 452 wird das gleichgerichtete Signal in ein Signal umgewandelt, das eine Funktion des Quadrates des Eingangssignals oder, genauer gesagt, eine Funktion von Zwei multipliziert mit dem Logarithmus des Eingangssignals ist. Daher ist der Ausgang am Anschluß 476 der Operationsverstärkerstufe 451 eine Darstellung des Logarithmus des Quadrates des Stromeingangssignals am Stromeingangsanschluß 14B.Transistors 480 and 482 of log elements 452 are always biased in the forward direction. Due to the nature of the operational amplifier stage 451 and the logarithmic elements 452 the rectified signal is converted into a signal that is a function of the square of the input signal or, more precisely, a function by two times the logarithm of the input signal. Hence the output is at terminal 476 of the operational amplifier stage 451 is a representation of the Log of the square of the current input signal at current input terminal 14B.
Der Ausgang am Emitter des Transistors 470 der Operationsverstärkerstufe 451 ist mit dem Eingang eines Logarithmier-Filters 28 (Fig. 4B) verbunden. Logarithmier-Filter zur Verwendung im Logarithmier-Bereich sind in der US-PS ... (US-Patentanmeldung 97 901 vom 28. November 1979) beschrieben. Das Filter 28 schließt zumindest einen als Diode geschalteten Transistor 490 ein. Der Ausgang des Logarithmier-Abschnittes 26 ist mit der Basis und dem Kollektor des Transistors 490 verbunden, während der Emitter des Transistors den Ausgang des Filters bildet. Der Ausgang des Filters ist in geeigneter Weise durch die Stromquellen 302 vorgespannt und über einen externen Kondensator 492 mit dem externen Widerstand 494 verbunden, der seinerseits πit Systemerde verbunden ist.The output at the emitter of transistor 470 of the operational amplifier stage 451 is connected to the input of a log filter 28 (Fig. 4B). Log filters for use in the log range are in the U.S. Patent ... (U.S. Patent Application 97,901 filed November 28, 1979). The filter 28 includes at least one transistor 490 connected as a diode. The output of the logarithmic section 26 is with the base and the Collector of transistor 490 connected while the The emitter of the transistor forms the output of the filter. The output of the filter is suitably through the Current sources 302 biased and across an external capacitor 492 is connected to the external resistor 494, which in turn is connected to system ground.
Wie dies in der vorstehend genannten US-Patentschrift beschrieben ist, wirkt, weil der Ausgang des Logarithmier-Abschnittes 26 ein logarithmisches Signal ists das Filter 28 als ein Tiefpaßfilter und der Ausgang des Filters ist hauptsächlich ein Gleichspannungssignal. DiesesAs shown in the above-mentioned US patent is described, acts, because the output of Logarithmier-portion 26, a logarithmic signal is s, the filter 28 as a low pass filter and the output of the filter is essentially a DC signal. This
32103023210302
Gleichspannungssignal itfird dem Eingang des Pufferverstärkers 30 zugeführt.DC voltage signal is fed to the input of the buffer amplifier 30 supplied.
Der Verstärker 30 weist einen Transistor 5OO auf, dessen Basis mit dem Ausgang des Filters 28 verbunden ist. Der Emitter des Transistors 500 ist mit der Basis und dem Kollektor eines als Diode geschalteten Transistors 502 verbunden, dessen Emitter mit der Basis und dem Kollektor eines als Diode geschalteten Transistors 504- verbunden ist. Der Emitter des Transistors 504- ist mit einem Verbindungspunkt 5Ο6 verbunden, der mit den Stromquellen 302 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 500 ist mit dem Kollektor und der Basis eines Transistors 508 verbunden, dessen Emitter über einen Widerstand 510 mit dem positiven Speisespannungsanschluß 350 verbunden ist. Die Basis und der Kollektor des Transistors 508 sind weiterhin mit der Basis eines Transistors 512 verbunden, dessen Emitter über einen Widerstand 51^ mit den Stromquellen 300 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 512 ist mit der Basis eines Transistors 516 und dem Kollektor eines Transistors 518 verbunden. Der Transistor 516 ist mit seinem Kollektor mit dem positiven Speisespannungsanschluß 350 verbunden, während sein Emitter mit den Stromquellen 302 und der Basis eines Transistors 520 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 520 ist mit dem Kollektor und der Basis eines Transistors 522 verbunden, dessen Kollektor und Basis weiterhin mit den Stromquellen 300 verbunden sind und dessen Emitter mit dem positiven Speisespannungsanschluß 350 verbunden ist. Der Emitter des Transistors 520 ist mit der Basis des Transistors 518 verbunden, dessen Emitter mit dem Verbindungspunkt 5Ο6 verbunden ist. Die Basis des Transistors 518 und derThe amplifier 30 has a transistor 5OO, whose Base is connected to the output of the filter 28. The emitter of transistor 500 is connected to the base and the Collector of a transistor 502 connected as a diode connected, the emitter of which is connected to the base and collector of a transistor 504- connected as a diode is. The emitter of transistor 504- is connected to a connection point 5Ο6 connected to the current sources 302 connected is. The collector of transistor 500 is connected to the collector and base of a transistor 508, its emitter through a resistor 510 to the positive Supply voltage terminal 350 is connected. the The base and collector of transistor 508 are still there connected to the base of a transistor 512, whose Emitter through a resistor 51 ^ to the power sources 300 is connected. The collector of transistor 512 is with the base of a transistor 516 and the collector of a transistor 518 connected. The transistor 516 is with its collector connected to the positive supply voltage terminal 350, while its emitter is connected to the Current sources 302 and the base of a transistor 520 is connected. The collector of transistor 520 is connected to the Collector and base of a transistor 522 connected, the collector and base of which continue to be connected to the current sources 300 are connected and its emitter is connected to the positive Supply voltage terminal 350 is connected. The emitter of transistor 520 is connected to the base of transistor 518 connected, the emitter of which is connected to the connection point 5Ο6 connected is. The base of transistor 518 and the
OL ι υ y y OL ι υ yy
Emitter des Transistors 520 bilden zusammen den Ausgang 524 des Detektors 12. Der Ausgangsanschluß 524 ist in geeigneter Weise durch die Stromquellen J02 vorgespannt und mit dem Anschluß 144 der Verstärkerzelle 20 des Steuermoduls von Fig. 3 verbunden.Emitters of transistor 520 together form the output 524 of the detector 12. The output terminal 524 is suitable Way biased by the current sources J02 and connected to the terminal 144 of the amplifier cell 20 of the control module of Fig. 3 connected.
Die Stromquellen 300 und 302 und die Spannungsquelle 304 liefern jeweils die erforderlichen Vorspannungsströme und Vorspannungen an den Gleichrichter 24, den Logarithmier-Abschnitt 26, das Logarithmier-Filter 28 und den Pufferverstärker 30. Wie dies unter spezieller Bezugnahme auf die Fig. 4A und 4B zu erkennen ist, weisen die Stromquellen 300 vier PNP-Transistoren 600, 602, 604 und 606 auf, die alle mit ihren Emittern mit dem positiven Speisespannungsanschluß 350 verbunden sind. Der Kollektor des Transistors 600 ist mit den miteinander verbundenen Emittern der Transistoren 380 und 382 der G-leichrichterzelle 322 des Gleichrichters 24 verbunden. Die Basis des Transistors 600 ist mit den Basiselektroden der Transistoren 602 und 604 verbunden. Der Kollektor des Transistors 602 ist mit dem Kollektor des Transistors 460 und der Basis des Transistors 466 des Logarithmier-Abschnittes 26 verbunden. Der Kollektor und die Basiselektrode des Transistors 604 sind mit den Stromquellen 302 verbunden. Schließlich ist die Basis des Transistors 606 mit der Basiselektrode und dem Kollektor des Transistors 522 des Verstärkers 30 verbunden, während der Kollektor des Transistors 606 mit der Basis des Transistors 460 des Logarithmier-Abschnittes 26 verbunden ist.The current sources 300 and 302 and the voltage source 304 supply the required bias currents and Bias voltages to rectifier 24, log section 26, log filter 28 and buffer amplifier 30. As can be seen with specific reference to Figures 4A and 4B, the current sources 300 four PNP transistors 600, 602, 604 and 606, all with their emitters with the positive supply voltage connection 350 are connected. The collector of the transistor 600 is connected to the interconnected emitters of transistors 380 and 382 of rectifier cell 322 of the rectifier 24 connected. The base of the transistor 600 is with the base electrodes of the transistors 602 and 604 connected. The collector of transistor 602 is with the collector of transistor 460 and the base of the transistor 466 of the logarithmizing section 26 is connected. The collector and the base electrode of the transistor 604 are connected to the current sources 302. Finally, the base of transistor 606 is with the base electrode and the collector of transistor 522 of amplifier 30, while the collector of transistor 606 is connected to the base of the transistor 460 of the logarithmizing section 26.
Wie dies aus Fig. 4A zu erkennen ist, schließen die Stromquellen 302 einen als Diode geschalteten TransistorAs can be seen from FIG. 4A, the current sources 302 close a transistor connected as a diode
321 CB02321 CB02
620 ein, dessen Kollektor- und Basisanschlüsse den Ausgangs ans chluß 622' bilden. Der Anschluß 622' ist über einen externen Widerstand 624' mit Systemerde verbunden. Der Emitter des als Diode geschalteten Transistors 620 ist mit der Basis und dem Kollektor eines als Diode geschalteten Transistors 622 verbunden, dessen Emitter mit dem Kollektor eines Transistors 624 verbunden ist. Der Emitter des Transistors 624 ist mit dem negativen Speisespannungsanschluß 450 verbunden. Die Basis und der Kollektor des Transistors 622, die um zwei Diodenspannungsabfälle über der negativen Speisespannung liegen, sind mit der Basis eines Transistors 626 und der Basis eines Transistors 628 verbunden. Der Emitter des Transistors 626 ist mit der Basis und dem Kollektor des Transistors 624 verbunden (ein Diodenspannungsabfall oberhalb der negativen Speisespannung am Anschluß 450). In gleicher Weise ist der Emitter des Transistors 628 mit dem Kollektor und der Basis des Transistors 624 verbunden. Der Kollektor und die Basis des Transistors 624 sind ihrerseits mit den Emittern von Transistoren 630, 632, 634, 636, 638 und 640 sowie mit der Basis eines Transistors 642 verbunden, dessen Emitter mit dem negativen Speisespannungsanschluß 450 verbunden ist. Der gemeinsame Basisanschluß der Transistoren 626 und 628 ist mit den Basiselektroden der Transistoren 630, 632, 634, 636, 638 und 640 verbunden. Der Kollektor des Transistors 630 ist mit dem Emitter des Transistors 644 verbunden, dessen Basis mit der Basis eines Transistors 616 verbunden ist. Der Emitter des Transistors 616 ist mit dem Kollektor des Transistors verbunden. Der Kollektor des Transistors 626 ist mit dem Verbindungspunkt 338 der Operationsverstärkerstufe 320 verbunden, während der Kollektor des Transistors 628 mit620 a, whose collector and base connections the output to form the connection 622 '. Terminal 622 'is over an external resistor 624 'connected to system ground. The emitter of the transistor 620 connected as a diode is connected to the base and collector of a diode-connected transistor 622, the emitter of which is connected to connected to the collector of a transistor 624. The emitter of transistor 624 is connected to the negative supply voltage terminal 450 connected. The base and the collector of transistor 622 which are two diode voltage drops above the negative supply voltage connected to the base of a transistor 626 and the base of a transistor 628. The emitter of the transistor 626 is tied to the base and collector of transistor 624 (a diode voltage drop above the negative Supply voltage at connection 450). Likewise, the emitter of transistor 628 is with the collector and the base of transistor 624 connected. The collector and the base of the transistor 624 are in turn with connected to the emitters of transistors 630, 632, 634, 636, 638 and 640 as well as to the base of a transistor 642, whose emitter is connected to the negative supply voltage terminal 450. The common base connection of the transistors 626 and 628 are connected to the base electrodes of transistors 630, 632, 634, 636, 638 and 640. The collector of transistor 630 is connected to the emitter of transistor 644, the base of which is connected to the base of a transistor 616 is connected. The emitter of transistor 616 is with the collector of the transistor tied together. The collector of transistor 626 is connected to junction 338 of operational amplifier stage 320 while the collector of transistor 628 is connected to
4 I U V- V4 I U V- V
der Basis und dem Kollektor des Transistors 414 des Vorspannungsgenerators 324 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 644 ist mit dem Emitter des Transistors 346 und der Basis des Transistors 356 der Verstärkerstufe 320 verbunden. Der Kollektor des Transistors 646 ist mit dem Emitter des Transistors 466 und der Basis des Transistors 470 des Logarithmier-Abschnittes 26 verbunden. Der Kollektor des Transistors 634 ist mit dem Kollektor und der Basis des Transistors 604 und den Stromquellen 300 verbunden. Der Kollektor des Transistors 636 ist mit dem Ausgang des Filters 28 verbunden, während der Kollektor des Transistors 638 mit dem Verbindungspunkt 5O6 des Pufferverstärkers 30 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 640 ist mit der Basis des Transistors 520 und dem Emitter des Transistors 516 des Pufferverstärkers 30 verbunden, während der Kollektor des Transistors 642 mit dem Ausgangsanschluß 524 des Detektors verbunden ist.the base and collector of transistor 414 of the bias generator 324 is connected. The collector of transistor 644 is connected to the emitter of transistor 346 and the base of transistor 356 of amplifier stage 320 tied together. The collector of transistor 646 is connected to the emitter of transistor 466 and the base of the transistor 470 of the logarithmic section 26 connected. The collector of transistor 634 is connected to the collector and the Base of transistor 604 and the current sources 300 connected. The collector of transistor 636 is connected to the The output of the filter 28 is connected, while the collector of the transistor 638 is connected to the connection point 506 of the buffer amplifier 30 is connected. The collector of transistor 640 is connected to the base of transistor 520 and the Emitter of transistor 516 of buffer amplifier 30 connected, while the collector of transistor 642 is connected to output terminal 524 of the detector.
Die Spannungsquelle 304 schließt drei als Diode geschaltete Transistoren 700, 702 und 704 ein. Der Kollektor und die Basis des Transistors 700 liegen um drei Diodenspannungsabfälle oberhalb der Systemerde und sind mit dem Emitter des Transistors 458 und der Basis des Transistors 460 des Logarithmier-Abschnittes 26 verbunden. Der Emitter des Transistors 700 ist mit dem Kollektor und der Basis des Transistors 702 verbunden, um eine Quelle zu bilden, deren Potential um zwei Diodenspannungsabfälle oberhalb der Systemerde liegt. Der Kollektor und die Basis des Transistors 7®2 sind mit dem Emitter des Transistors 334 und der Basis des Transistors 342 der Operationsverstärkerstufe 32O verbunden. Schließlich ist der Emitter des Transistors 702 über den als Diode geschaltetenThe voltage source 304 includes three diode-connected transistors 700, 702 and 704. The collector and the base of the transistor 700 are three diode voltage drops above the system ground and are connected to the emitter of the transistor 458 and the base of the transistor 460 of the logarithmic section 26. The emitter of transistor 700 is connected to the collector and base of transistor 702 to provide a source whose potential is two diode drops above system ground. The collector and the base of the transistor 7®2 are connected to the emitter of the transistor 334 and the base of the transistor 342 of the operational amplifier stage 32O. Finally, the emitter of transistor 702 is connected as a diode across the circuit
Transistor 704 mit Erde verbunden.Transistor 704 connected to ground.
Im Betrieb ist das System in geeigneter Weise vorgespannt, so daß die notwendigen Vorspanmingsströme von der Quelle 32 des Verstärkungssteuermoduls und den Stromquellen 300 und 302 des Detektors geliefert werden. Wenn ein Eingangsspannungssignal an den Eingangsanschluß 14 angelegt wird, so wird es in einen Strom umgewandelt, der den Anschlüssen 14A und 14B zugeführt wird. Das Stromsignal an den Anschlüssen 14A und 14B wird gleichzeitig dem Verstärlmngssteuermodul 10 und dem Detektor 12 zugeführt.In operation, the system is suitably biased so that the necessary bias currents from the Gain control module source 32 and power sources 300 and 302 of the detector. When a Input voltage signal is applied to the input terminal 14, it is converted into a current which the Terminals 14A and 14B is supplied. The current signal at terminals 14A and 14B is simultaneously fed to the gain control module 10 and the detector 12 supplied.
Der Detektor empfängt das Signal am Verbindungspunkt worauf das Signal in dem Gleichrichter 24 gleichgerichtet wird. Ein negatives Signal am Eingang 330 führt zu einem positiven Signal am Ausgang der Verstärkerstufe 320. Dies führt zu einer Vorspannung des Transistors 384- in Vorxuärtsrichtung und zum Fließen eines Stroms vom Ausgang 400 der Gleichrichterzelle 322 über den Kollektor-Emitter-Kreis des Transistors 384 der Gleichrichterzelle 322. Entsprechend fließt ein Strom vom Eingangsanschluß 454 des Logarithmierabschnittes ?6. Die Transistoren 380 und 382 der Gleichrichterzelle 3?2 bleiben in Sperrichtung vorgespannt und damit nicht-leitend. Positive Stromsignale am Eingang 330 führen zu einem negativen Ausgangssignal der Verstärkerstufe 320. Dies führt zu einer Vorspannung des Transistors 380 in Vorwärtsrichtung und einer Vorspannung des Transistors 384 in Sperrichtung. Der Transistor 380 leitet daher einen Strom, der zu einem gespiegelten Strom durch den Kollektor-Emitter-Kreis des Transistors 382 führt. Die Emitterströme der Transistoren 380 und 382 werden durch den Vorspannungsgenerator zumThe detector receives the signal at the connection point, whereupon the signal is rectified in the rectifier 24 will. A negative signal at input 330 results in a positive signal at the output of the amplifier stage 320. This leads to a bias of the transistor 384- in the forward direction and for flowing a current from the output 400 of the rectifier cell 322 through the collector-emitter circuit of transistor 384 of the rectifier cell 322. Accordingly, a current flows from the input terminal 454 of the logarithmic section? 6. The transistors 380 and 382 of rectifier cell 3-2 remain reverse biased and therefore non-conductive. Positive current signals at input 330 lead to a negative output signal of amplifier stage 320. This biases transistor 380 in the forward direction and reverse biasing transistor 384. The transistor 380 therefore conducts a current that leads to a mirrored current through the collector-emitter circuit of the transistor 382 leads. The emitter currents of the transistors 380 and 382 are fed to the
negativen Speisespannungsanschluß 450 abgeleitet. Daher fließt, wie im Fall von negativen EingangsSignalen, ein Strom vom Eingangsanschluß 454 des Logarithmier-Abschnittes 26 zur Gleichrichterζeile 322. Auf diese Weise wird eine Vollweggleichrichtung erzielt«. Das am Eingangsanschluß 454 des Logarithmier-Abschnittes 26 gelieferte Stromsignal wird in ein logarithmisches Signal umgewandelt und mit dem Faktor 2 multipliziert, und zwar über den Rückführungspfad der als Diode geschalteten Transistoren 480 und 482. Dies führt zu einem Ausgangssignal des Logarithmier-Abschnittes, das eine Darstellung des Logarithmus des Quadrates des momentanen Eingangsstromes am Anschluß 14B darstellt. Das Signal am Ausgang des Logarithmier-Abschnittes 26 wird durch das Tiefpaßfilter 28 und dann über den Verstärker 30 weitergeleitet, um das Steuersignal am Anschluß 524 zu liefern. Der Anschluß ist mit dem Anschluß 144 verbunden, so daß das Steuersignal zu dem logarithmischen Signal in der sp atmungsgesteuert en Verstärkerzelle 20 des Moduls hinzuaddiert werden kann.negative supply voltage connection 450 derived. Therefore flows in, as in the case of negative input signals Current from input terminal 454 of log section 26 to rectifier section 322. In this way a full wave rectification achieved «. The one at the input port 454 of the logarithmic section 26 delivered Current signal is converted into a logarithmic signal and multiplied by a factor of 2, namely by the feedback path of diode-connected transistors 480 and 482. This results in an output signal the logarithmic section, which is a representation of the logarithm of the square of the instantaneous input current at port 14B. The signal at the output of the logarithmic section 26 is passed through the low-pass filter 28 and then passed through the amplifier 30 to the To provide control signal at connection 524. The connection is connected to terminal 144 so that the control signal becomes the logarithmic signal in the sp breath controlled can be added to the amplifier cell 20 of the module.
Die Eingangssignale an den Anschlüssen 14A und 14B werden weiterhin durch das Modul 10 hindurch weitergeleitet, in dem eine Verstärkung auf das Stromsignal aufgeprägt wird, die eine Funktion des Steuersignals ist. Für negative Eingangssignale am Anschluß 14A ergibt sich eine Rückführung über die logarithmischen Transistoren 116 und 118 der spannungsgesteuerten Verstärkerzelle 20. Das Spannungssignal längs der primären und sekundären Logarithmus-Transistoren 116 und 118 ist eine Funktion des Logarithmus des Eingangssignals, weil der Transistor in dem Rückführungskreis dieser Stufe 18 liegt. Das SteuersignalThe input signals at ports 14A and 14B are still passed through module 10, in FIG which a gain is impressed on the current signal, which is a function of the control signal. For negative Input signals at terminal 14A result in a feedback via the logarithmic transistors 116 and 118 of the voltage-controlled amplifier cell 20. The voltage signal across primary and secondary logarithm transistors 116 and 118 is a function of logarithm of the input signal because the transistor is in the feedback circuit of this stage 18. The control signal
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am Anschluß 144 wird arithmetisch zu dem Logarithmus-Signal hinzuaddiert, bevor die algebraische Summe der beiden Signale in den Antilog-Transistoren 132 und 134 in ein antilogarithmisches Signal als Funktion des Antilogarithmus der Summe der beiden Signale umgewandelt wird. Für positive Eingangssignale am Anschluß 14A ergibt sich eine Rückführung über die Logarithmus-Transistoren 122 und 124 der spannungsgesteuerten Verstärkerzelle 20. Das von den Logarithmus-Transistoren 122 und 124 gelieferte Logarithmus-Signal ist wiederum eine Funktion des Logarithmus des Eingangssignals, weil der Transistor ebenfalls im Rückführungskreis der Stufe 18 liegt. Das Steuersignal am Anschluß 144 wird zu dem logarithmischen Signal hinzuaddiert, bevor die algebraische Summe der beiden Signale in den Antilog-Transistoren 138 und 140 in ein Antilog-Signal umgewandelt wird, das eine Funktion des Antilogarithmus der Summe der beiden Signale ist.at terminal 144 arithmetic is added to the logarithm signal before the algebraic sum of the two Signals in antilog transistors 132 and 134 turn into one Antilogarithmic signal is converted as a function of the antilogarithm of the sum of the two signals. For positive input signals at terminal 14A, there is a return via logarithmic transistors 122 and 124 of the voltage controlled amplifier cell 20. The The logarithm signal provided by the logarithm transistors 122 and 124 is again a function of the logarithm of the input signal because the transistor is also in the feedback loop of stage 18. That Control signal at terminal 144 is added to the logarithmic signal before the algebraic sum of the two signals in antilog transistors 138 and 140 in an antilog signal is converted which is a function of the antilogarithm of the sum of the two signals.
Die Verwendung der Stufe 18 und insbesondere des Transistors 42 und der Stromgeneratoreinrichtung 48 führt dazu, daß die Stufe einen geringelten Vor spannungs strom von dem Anschluß 14A ableitet, ohne daß das Verstärkungs-Bandbreiten-Produkt der Stufe beeinflußt wird.The use of stage 18 and in particular transistor 42 and current generator device 48 results in that the stage a curled before voltage current of the Terminal 14A derives without affecting the gain-bandwidth product of the stage.
Weiterhin ergeben die Verwendung des Kondensators 94 und die Verwendung des Widerstandes ?'O eine WuIl in der Übertragungscharakteristik des Verstärkers 18, um die in den Rückführungskreisen durch die spannungsgesteuerte Verstärkerzelle 20 hervorgerufenen 90 °-Phasenverschiebungen zu negieren. Durch die Verbindung der Diode 82 mit dem Emitter des Transistors 68 und durch Anpassen der Impedanz des Widerstandes 76 an die kombinierte Impedanz derFurthermore, the use of the capacitor 94 and the use of the resistor? 'O result in a wave in the transfer characteristic of the amplifier 18 to the in the feedback loops through the voltage controlled amplifier cell 20 to negate the 90 ° phase shifts caused. By connecting diode 82 to the Emitter of transistor 68 and by matching the impedance of resistor 76 to the combined impedance of the
α ι υ ο υ 4 α ι υ ο υ 4
SO-SO-
Diode 82 und des Widerstandes 84 wird der Rausclibeitrag der Quelle 32 verringert. Schließlich führt die Einfügung eines Kondensators 84 eine Null in die Übertragungscharakteristik der Stufe ein, wodurch der Pol negiert wird, der durch die parasitäre Basis-Emitter-Kapazität des Transistors 66 eingeführt wird.Diode 82 and resistor 84 is the Rausclibeitrag of the source 32 is reduced. Finally, the insertion leads a capacitor 84 a zero in the transfer characteristic of the stage, whereby the pole is negated, introduced by the parasitic base-emitter capacitance of transistor 66.
Die Verwendung des Vorspannungsgenerators 22 ergibt eine Vorspannung zwischen den Verbindungspunkten 112 und 128 der spannungsgesteuerten Verstärkerzelle 20. Die Vorspannung ist durch den Eingangsstrom von der Quelle 32 'bestimmt und erzeugt einen Vorspannungsstrom durch die Zelle, der unabhängig von der Temperatur ist.Using the bias generator 22 results in a Bias between connection points 112 and 128 of the voltage controlled amplifier cell 20. The bias is determined by the input current from source 32 ' and creates a bias current through the cell, which is independent of the temperature.
Die Verwendung der sekundären Transistoren 116, 124, 132 und 140 sowie der Widerstände 114, 126, 130 und 142 verringert Verzerrungen aufgrund parasitärer Basis- und Emitterwiderstände der Logarithmus- und Antilog-Transistoren 118, 122, 134 und 138 der Zelle 20.The use of the secondary transistors 116, 124, 132 and 140 as well as resistors 114, 126, 130 and 142 reduce distortion due to parasitic base and Emitter resistances of log and antilog transistors 118, 122, 134 and 138 of cell 20.
Die Verwendung der G-leichrichterzelle 322 des Detektors 12 und insbesondere die Verwendung einer maximalen Grenze von Eins für die Schleifenverstärkung in beiden Rückführungspfaden um die Verstärkerstufe 320 verbessert das Betrieb sverhalt en des Detektors. Weiterhin liefert der Vorspannungsgenerator 324 den Hauptteil des Generatorstromes von der Basis des Transistors 384- "und den gemeinsamen Emittern der Transistoren 30 fort, während gleichzeitig die gewünschte Vorspannung zwischen diesen geliefert wird.The use of the rectifier cell 322 of the detector 12 and in particular the use of a maximum limit of one for the loop gain in both return paths around the amplifier stage 320 improves the operating behavior of the detector. The bias generator also delivers 324 takes the majority of the generator current from the base of transistor 384- "and the common Emitters of the transistors 30 continue while at the same time the desired bias voltage is supplied between them will.
Es ist verständlich, daß das vorstehend beschriebeneIt will be understood that the above-described
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verbesserte Kompandersystem entweder als ein Kompressor oder als ein Expander für das Signal verwendet werden kann, das den Eingangsanschlussen 14A und 14-B zugeführt wird. Das System ist in einfacher Weise in Form einer integrierten Schaltung herstellbar, wobei sich verringerte Herstellungskosten ergeben. Wenn das Modul 10 und der Detektor 12 in Form von getrennten integrierten Schaltungen hergestellt werden, so weisen beide im wesentlichen die gleiche Verlustleistung auf. Insbesondere ist der Ausgang des Detektors 12 eine Funktion des Effektivwertes des Eingangssignals und der Betriebstemperatur. Die Verstärkung des Detektors ist eine Funktion des Steuersignals und der Temperatur. Die beschriebene Ausführungsform des Kompandersystems ist derart, daß Änderungen des Effektivwert-Ausgangssignals mit der Temperatur an Änderungen der Verstärkung des spannungsgesteuerten Verstärkermoduls mit der Temperatur derart angepaßt sind, daß der Kompressions- oder Expansionsfaktor von der Temperatur unabhängig ist, solange das Modul und der Detektor bei der gleichen Temperatur betrieben werden.improved compander system as either a compressor or can be used as an expander for the signal supplied to input terminals 14A and 14-B will. The system can be easily manufactured in the form of an integrated circuit, with reduced Manufacturing costs result. If the module 10 and the detector 12 are in the form of separate integrated circuits are produced, both have essentially the same power dissipation. In particular, the The output of the detector 12 is a function of the rms value of the input signal and the operating temperature. The reinforcement of the detector is a function of the control signal and temperature. The embodiment described of the compander system is such that changes in the rms value output signal with temperature to changes the gain of the voltage controlled amplifier module are adapted to the temperature in such a way that the compression or expansion factor is independent of the temperature as long as the module and the detector operated at the same temperature.
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