DE3140446A1

DE3140446A1 - Humidity sensor and method of producing it

Info

Publication number: DE3140446A1
Application number: DE19813140446
Authority: DE
Inventors: Curtis D. 55434 Minnetonka Minn. Motchenbacher; Merle E. 55427 Minneapolis Minn. Nicholas
Original assignee: Honeywell Inc
Current assignee: Honeywell Inc
Priority date: 1980-10-14
Filing date: 1981-10-12
Publication date: 1982-06-09
Also published as: CA1180761A; JPS6322545B2; JPS5793246A; DE3140446C2

Abstract

The humidity sensor specified has an extended impedance range of up to 10<12> OMEGA and a low sensitivity to interfering signals. This sensor comprises inner and outer conducting films (11, 12) on a high-purity insulating substrate (10), there being an annular gap (13) between the films. A high-impedance humidity-sensitive film (30) covers the annular gap (13) and extends over the inner and outer films. <IMAGE>

Description

Feuchtefühler und Verfahren zu Humidity sensor and procedure too

seiner Herstellung Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Feuchtefühler gemäß dem Gattungsbegriff des Anspruches 1 und auf ein Verfahren zu seiner Herstellung. Its Manufacture The present invention relates to a Humidity sensor according to the preamble of claim 1 and a method its manufacture.

Die Messung der relativen Feuahte über einen weiten Bereich von beispielsweise 10 bis 90% bereitet im allgemeinen immer noch groBe Probleme, da diese Messung darauf hinausläuft groBe Widerstandswerte in der Größenordnung von mehr als 106# zu messen, wobei sich aufgrund von Antenneneffekten Störeinstreuungen ergeben.The measurement of the relative seams over a wide range of, for example 10 to 90% is generally still a big problem, since this measurement is based on it results in measuring large resistance values on the order of more than 106 #, where there is interference due to antenna effects.

Im Stand der Technik wurde Eisenoxyd als auf die Feuchte ansprechendes Element verwendet, wobei in diesem Zusammenhang auf den Artikel "Electrical properties of iron oxyd polyethelene glycol humidity sensitive elements" vcn Nicholas, Pitkanen, Lavine, Zook und Hagen, Mai 1976, Journal of Applied Physics, Band 47, Nr.5, Seiten 2191-2199 verwiesen sei. Die Veröffentlichung richtet sich jedoch auf eine Einrichtung mit geringer Impedanz, wobei Polyäthylenglycol mit Fe2O3 gemischt wird, um die Impedanz zu verringern.In the prior art, iron oxide was considered to be moisture responsive Element is used, referring to the article "Electrical properties of iron oxide polyethelene glycol humidity sensitive elements "by Nicholas, Pitkanen, Lavine, Zook and Hagen, May 1976, Journal of Applied Physics, Volume 47, Number 5, pages 2191-2199 is referred to. However, the publication is aimed at an institution with low impedance, whereby polyethylene glycol is mixed with Fe2O3 to reduce the impedance to reduce.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Fühler für die relative Feuchte mit hoher Impedanz anzugeben, der eine verminderte Störsignalaufnahme aufweist.It is the object of the present invention to provide a sensor for the to indicate relative humidity with high impedance, which reduces interference signal pick-up having.

Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruches 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäBen Feuchtefühlers sowie eines Verfahrens zu seiner Herstellung sind den Unteranspruchen entnehmbar. This task is achieved by the characterizing features of the claim 1 solved. Further advantageous embodiments of the humidity sensor according to the invention and a method for its production can be found in the subclaims.

Durch den speziellen Elektrodenaufbau und einen speziellen Schaltkreis kann der Meßbereich in den Bereich hoher Impedanzen bis zu 1012 # erstreckt werden. Durch den neuen Aufbau werden sehr geringe Antenneneffekte vorgegeben, was auf die geringe Oberfläche des Fühlers und. auf die Abschirmung der Anschlüsse zurückzuführen ist. Due to the special electrode structure and a special circuit the measuring range can be extended into the range of high impedances up to 1012 #. The new structure results in very low antenna effects, which affects the small surface of the probe and. due to the shielding of the connections is.

Der vorliegend Feuchtefühler kann miniaturisiert werden, ohne daß seine Lebendauer und Stabilität beeinträchtigt wird. Aufgrund der hohen Impedanz sind die elektrischen Ströme in dem Fühler gering und es erfolgt eine sehr geringe Aufheizung. Dies wiederum gestattet eine Verringerung der Abmessung. der erfindungsgemäße Fühler besitzt einen erweiterten Impedanzbereich, wobei sich die Impedanz bei hoher Feuchtigkeit (z.B. 90%) in der Größenordnung von 10³# entsprechend bekannter bereits vorliegender Feuchtefühler und bei geringer Feuchtigkeit (z.B.10%) in der Größernordnung von 1012# bewegt. Bei einer relativen Feuchtigkeit von 358 beträgt die Impedanz etwa 106# Durch den vorliegenden Fühler wird somit der Impedanzbereich gegenüber bekannten Fühlern von ungefähr 106# auf ungefähr 1012 52 erstreckt. The present humidity sensor can be miniaturized without its lifespan and stability is impaired. Because of the high impedance the electrical currents in the sensor are small and there is very little Heating up. This in turn allows the size to be reduced. the invention The sensor has an extended impedance range, with the impedance increasing at higher Humidity (e.g. 90%) on the order of 10³ # is already known Existing humidity sensor and in the case of low humidity (e.g. 10%) in the order of magnitude moved by 1012 #. At a relative humidity of 358, the impedance is about 106 # The impedance range is thus opposite to that of the present sensor known sensors from approximately 106 # to approximately 1012,52.

Bei einem Fühler mit hoher Impedanz (1012#), wie er durch die vrliegende Erfindung angegeben wird, müssen bestimmte Probleme gelöst werden, wobei eines dieser Probleme aus den Leckströmen resultiert. Bei dem erfindungs- gemäßen Fühler ergeben sich aufgrund der geringen geometrischen Abmessung und einer vorgesehenen Abschirmung geringe durah elektrische Felder hervorgerufene Leckströme. In the case of a sensor with high impedance (1012 #), as indicated by the present In accordance with the invention, certain problems must be solved, one of which is Problems resulting from the leakage currents. In the inventive according to Sensors result from the small geometric dimensions and one provided Shielding of low leakage currents caused by electrical fields.

Anhand eines in den Figuren der beiliegenden Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles sei im folgenden die Erfindung näher beschrieben. Es zeigen: Fig. 1 eine Draufsicht auf einen erfindungsgemäßen Feuchtefühler mit hoher Impedanz; Fig. 2 einen Querschitt durch den Fühler gemäß Fig. 1; Fig.3 eine Modifikation des Fühlers gemaB Fig.1; Fig. 4 ein Diagramm, in welchem der Widerstand über der relativen Feuchtigkeit aufgetragen ist; und Fig. 5 einen elektrischen Schaltkreis zur Auswertung des von dem Feuchtefühler gelieferten Signales.Based on one shown in the figures of the accompanying drawing Exemplary embodiment is described in more detail below, the invention. Show it: 1 shows a plan view of a humidity sensor according to the invention with high impedance; FIG. 2 shows a cross section through the sensor according to FIG. 1; 3 shows a modification of the Sensor according to Fig.1; Fig. 4 is a diagram in which the resistance over the relative Moisture is applied; and FIG. 5 shows an electrical circuit for evaluation of the signal supplied by the humidity sensor.

Ein die relative Feuchtigkeit erfassendes Element mit hoher Impedanz wird gebildet, indem auf ein isolierendes Substrat ein leitender Film beispielsweise aus Gold aufgebracht wird, wobei der Umfang dieses ersten Filmes vollständig von einem zweiten leitenden Film umschlossen wird, der sich ebenfalls auf dem nichtleitenden Substrat befindet und von dem ersten Film einen Abstand aufweist.A high impedance relative humidity sensing element is formed by placing a conductive film on an insulating substrate, for example of gold is applied, the scope of this first film being entirely from a second conductive film is enclosed, which is also on the non-conductive Substrate is located and is spaced from the first film.

Eine auf Feuchtigkeit ansprechende Schicht aus Eisenoxyd wird über den leitenden Filmen und der Lücke dazwischen aufgebracht, wobei diese Schicht die Lücke zwischen beiden Filmen überbrückt. Elektrische Anschlüsse sind jeweils mit den beiden leitenden Filmen verbunden.A moisture-sensitive layer of iron oxide is over the senior films and the gap in between applied, with this layer bridges the gap between the two films. Electrical connections are connected to the two conductive films, respectively.

GemäB den Figuren 1 und 2 ist ein isolierendes SubstratlO vorgesehen, das beispielsweise aus nichtleitendem Keramikmaterial oder Glas besteht, welches eine hohe Dichte und Reinheit aufweist. Materialien für dieses Substrat bilden beispielsweise AlSiMg, Aluminium, Saphir und Quarz.According to Figures 1 and 2, an insulating substrate 10 is provided, which consists, for example, of non-conductive ceramic material or glass, which has a high density and purity. Materials for this substrate form, for example AlSiMg, aluminum, sapphire and quartz.

Auf die Oberfläche dieses Substrats wird ein innerer leitender Film 11 beispielsweise aus Gold aufgedampft, der von einem äuBeren leitenden Film ebenfalls aus aufgedampftem Gold umgeben ist. Eine Lücke 13 zwischen beiden Filmen besitzt beispielsweise eine Breite von 0,085 mm.An internal conductive film is placed on the surface of this substrate 11 for example from gold vapor-deposited, that of an outer conductive film as well is surrounded by vapor-deposited gold. Has a gap 13 between the two films for example a width of 0.085 mm.

In einer verwirklichten Ausführungsform besitzt das Substrat eine Dicke von 0,64mm und weist eine quadratische Abmessung mit einer Kantanlänge von 2,54cm auf. Es bebesteht aus AlSiMg, welches von der Firma 3M unter der Produktnummer 614 vertrieben wird. Zwei enge Bohrungen 14 und 15 befinden sich in dem Substrat,um Anschlussdrähte 16 und 17 von hinten an die Filme heranzuführen. Die gesamte gereinigte Oberfläche des Substrats wurde mit Ausnahme der Lucky von 0,085mm mit aufgedampftem Gold beschichtet. Das Gold kann gewünschtenfalls in einem Maskenverfahren (silk screening) aufgebracht werden. Danach folgt ein Temperprozess. Die vier Kanten werden ungefahr 1,6mm auf der Goldoberfläche 12 ebenso wie eine kreisfbrmige Fläche von 1,6mm im Zentrum abgedeckt und sodann wird die Oberfläche gleichmäßig mit dem auf die Feuchte ansprechenden Eisenoxyd beschichtet. Das Eisenoxyd ist in einer dünnen wässrigen Lösung von Polyvinylalkohol gelöst und wird aufeinmal solange mit einer Luftbdrste zugeführt, bis der zugeführte Oxyfilm ausreichnd lichtundurchlässig ist, um das Gold der Elektrodensahiahten 11 und 12 gegen Licht abzudecken. Heizeinrichtungen können erforderlich sein, um das Oxyd zwischen den nacheinander zugeführten Schichten zu trocknen. Das Eisenoxyd wurde sodann bei einer Temperatur von ungefähr 1080° bis 1100°C während ungefähr 13 bis 15 Minute gesintert, um die Herstellung des Fühlers zu vervollständigen. Während des Sinterprozesses wird das Eisenoxydpulver zusammengebacken, wobei es poröse Kügelchen bildet und ebenfalls mit den Elektroden verbunden wird. Gewünschtenfalls können auch nicht gesinterte Fühler mit Eisenoxyd verwendet werden.In an implemented embodiment, the substrate has a Thickness of 0.64mm and has a square dimension with a Kantan length of 2.54cm up. It consists of AlSiMg, which is available from 3M under the product number 614 is distributed. Two narrow bores 14 and 15 are in the substrate in order to Bring connecting wires 16 and 17 to the films from behind. The whole cleaned The surface of the substrate was vapor-deposited with the exception of the Lucky of 0.085mm Gold coated. If desired, the gold can be masked (silk screening). This is followed by a tempering process. The four edges will be about 1.6mm on the gold surface 12 as well as a circular area of 1.6mm in the center and then the surface is evenly covered with the the moisture-sensitive iron oxide coated. The iron oxide is in a thin one aqueous solution of polyvinyl alcohol and is suddenly as long as a Air bubbles supplied until the supplied oxy film is sufficiently opaque, around to cover the gold of the electrode seams 11 and 12 against light. Heating devices may be necessary to keep the oxide between the successively fed layers to dry. The iron oxide was then at a temperature of about 1080 ° sintered to 1100 ° C for about 13 to 15 minutes to manufacture the probe to complete. During the sintering process, the iron oxide powder is baked together, whereby it forms porous spheres and is also connected to the electrodes. If desired, non-sintered sensors with iron oxide can also be used.

Wahrend die Erfindung anhand eines Fühlers beschrieben eird, bei dem die feuchtigkeitsempfindliche Schicht aus Einsenoxyd (Fe2O3) besteht kann ganz allgemein das Material für die feuchtigkeitsempfindliche Schicht aus einem hygroskopischen Metalloxyd, einem hygroskopischen Polymer (dotiert oder unbehandelt) oder einem anorganischen Salz bestehen.While the invention is described using a sensor in which the moisture-sensitive layer consists of iron oxide (Fe2O3) in general the material for the moisture-sensitive layer consists of a hygroscopic Metal oxide, a hygroscopic polymer (doped or untreated) or a inorganic salt.

Es ist bekannt, daB diese Materialien in geeigneter Form den hohen Widerstand von elektrischen Isolatoren aufweisen.It is known that these materials, in a suitable form, correspond to the high Have resistance of electrical insulators.

Es ist ferner bekannt, daB bestimmte Oxyde ihrer Natur nach hygroskopisch sind, was ihre Isolationseigenschaften beeinfluBt, wenn sie einer Atmosphäre ausgesetzt werden, die eine gewisse Menge von Wasserdampf enthält. Der Wart des elektrischen Widerstandes verändert sich hierbei in Abhängigketi von dem Wasserdampfgehalt der Atmosphäre.It is also known that certain oxides are hygroscopic in nature are what affects their insulation properties when exposed to an atmosphere that contains a certain amount of water vapor. The maintenance of the electric The resistance changes depending on the water vapor content of the The atmosphere.

Die Gewünschten Eigenschaften, einschließlich des von der Feuchtigkeit abhängenden Widerstandes und einem hohen Maß an chemischer Stabilität, herrschen speziell bei den Oxyden der Metalle vor, wie sie in der Gruppe VIII, Periode 4 der periodisahen Tabelle der Elemente vorgefunden werden. Obgleich andere Materialien verwendet werden können, werden die Oxyde von Eisen, Nickel und Kobalt gemäß der vorliegenden Erfindung bevorzugt. Bezüglich des dotierten Polymers bildet Polyvinylalkohol mit Lithiumchlorid ein Beispiel für ein geeignetes Material.The desired properties, including that of moisture dependent resistance and a high degree of chemical stability prevail especially with the oxides of metals, as they are in group VIII, period 4 of the periodic table of elements can be found. Although other materials The oxides of iron, nickel and cobalt can be used according to of the present invention are preferred. With respect to the doped polymer, forms polyvinyl alcohol with lithium chloride an example of a suitable material.

Geeignete unbehandelte Polymere beinhalten Polyäthylenfluorid und Polyimide. Geeignete anorganische Salze umfassen Lithiumfluorid, Bleijodid, Certitanat und Natriumhydrogenphosphat.Suitable untreated polymers include polyethylene fluoride and Polyimides. Suitable inorganic salts include lithium fluoride, lead iodide, certitanate and sodium hydrogen phosphate.

In dem Ausführungsbepiel gemäß den Figuren lund 2 ist die äußere Elektroden 12 konzentrisch um die innere Elektrode 11 dargestellt, und der Abstand 13 zwischen den Elektroden tritt als Ringspalt auf. Während es erforderlich ist, daB der Ringspalt 13 kontinuierlich verläuft und sich in sich selbst schließt, ist es nicht erforderlich, daB er kreisförmig mit einem vorgegebenen Radius verläuft. Der Ringspalt 13 kann im wesentlichen rechteckförmig oder in Serpentinen verlaufen,um die Spaltlänge zu vergrößern, wie dies in Figur 3 dargestellt ist. In jedem Fall wird das Eisenoxyd tiber dem Ringspalt und den inneren und äußeren leitenden-Elektroden zugeführt, UlR den Ringspalt kontinuierlich mit Eisenoxyd zu überbrücken. Bei-der Herausführung es Leitungsdrahtes 16 auf der Rückseite des Substrates gemäB den Figuren 1 und 2 ist es erwünscht, einen Schutzring 36 auf der Rückseite des Substrates vorzusehen, wobei ein Leitungsdraht 18 mit diesem Schutzring verbunden ist.In the exemplary embodiment according to FIGS. 1 and 2, the outer electrodes are 12 shown concentrically around the inner electrode 11, and the distance 13 between the electrodes appears as an annular gap. While it is necessary that the annular gap 13 runs continuously and closes in on itself, it is not necessary that it is circular with a given radius. The annular gap 13 can substantially rectangular or serpentine to increase the gap length as shown in FIG. In either case, the iron oxide will be fed through the annular gap and the inner and outer conductive electrodes, UlR to continuously bridge the annular gap with iron oxide. At the lead-out there is lead wire 16 on the back of the substrate according to FIGS. 1 and 2 it is desirable to provide a guard ring 36 on the back of the substrate, a lead wire 18 is connected to this guard ring.

Beim Aufbau von Fühlern mit hoher Impedanz können durch die Oberflächenverschmutzung hervorgerufene Leckströme zu Messfehlern Führen. Um die Anforderungen an saubere die Oberflächen beim Betrieb des Fühlers zu vermindern, wird für die Leckströme ein Abschluss durch Schutzerdung vorgegeben. Ein Schutzring gibt eine leitende Abschirmung um den Erfassungspunkt des Fühlersignales vor. Dieser Schutzring wird auf dem elektrischen Potential des Signales mittels eines elektronischen Schaltkreises gehalten. Da kein elektrisches Potential zwischen dem Schutzring und dem Erfassungspunkt des Signales vorliegt; ergibt sich kein durch Einstreuungen hervorgerufenes Leckstromsignal, das einen MeBfehler verursachen kbnnte.When setting up sensors with high impedance, surface contamination Leakage currents caused lead to measurement errors. To meet the requirements for clean Reducing the surface area during operation of the sensor will increase the leakage currents a termination by protective earthing is specified. A guard ring gives a conductive one shielding around the detection point of the sensor signal. This guard ring is on the electrical The potential of the signal is held by means of an electronic circuit. Since no electrical potential between the guard ring and the detection point of the signal present; there is no leakage current signal caused by interference, that could cause a measurement error.

Tn dem schematischen Schaltkreis gemäß Figur 5 ist der relative Feuchtefühler gemäß den Figuren lund 2 als Widerstandselemenet 30 dargestellt. Das Element 30; das im wesentlichen eine kreisförmige Geometrie aufweist, ist an der AuBenkante des äußeren leitenden Filmes 12 durch eine Abschirmung 31 begrenzt, die hier gestrichelt dargestellt ist. Die Abschirmung ist mit dem Film 12 und dem Leitungsdraht 17 in Figur 5 verbunden, wobei der Leitrungsdraht 17 an einen Anschluss eines Wechselspannungsgenerators 32 angeschlossen ist, dessen anderer Anschluss an Masse liegt. Der Generator 32 kann beispielsweise In Reahteakwellengenerator mit einer Frequenz von 1Hz bzw. 10Hz sein, wobei die Spitzenspannung 1 Volt beträgt. Das Signal muß jedoch nicht rechteckförmig 5ein. Der innere leitende Film 11 des Fühlers ist durch den AnschluBdraht 16 mit einem Schaltungspunkt 33 und dem positiven Signaleingang eines Feldeffekttransistor-Opperationsverstärkers 34 verbunden, wobei der Verstärker 34 als Pufferverstärker mit Rückführung arbeitet.Tn the schematic circuit according to Figure 5 is the relative humidity sensor as shown in FIGS. 1 and 2 as a resistor element 30. The element 30; which has a substantially circular geometry, is on the outer edge of the outer conductive film 12 limited by a shield 31, which is shown in dashed lines here is shown. The shield is with film 12 and lead wire 17 in FIG. 5 connected, the conductor wire 17 being connected to a connection of an alternating voltage generator 32 is connected, the other terminal of which is connected to ground. The generator 32 can, for example, in a real-teak wave generator with a frequency of 1Hz or 10Hz with a peak voltage of 1 volt. However, the signal does not have to be square-wave 5a. The inner conductive film 11 of the sensor is connected by the connecting wire 16 a node 33 and the positive signal input of a field effect transistor operational amplifier 34, the amplifier 34 operating as a buffer amplifier with feedback.

Der Schaltungspunkt 33 ist ferner über elnen hochohmigen Widerstand 35 an Masse angeschlossen. Der Schutzring 36 umgibt dem Schaltungspunkt 33, wobei dieser direkt anden negativen Eingang des Operationsverstrkers 34 angeschlossen ist. Aufgrund der Rückführung des Opera- tionsverstärkers 34 ergibt siah eine Potentialdifferenz von 0 zwischen den beiden Eingängen dieses Verstrikers, wobei der Schutzring 36 auf dem gleichen Potential wie der Signaleingang gehalten wirdtum Leckströme zu vermeiden. Der Ausgang des Operationsverstärkers 34 ist über einen Verstärker 37 auf eine Anzeigeeinrichtung 38 geführt.The circuit point 33 is also via a high-value resistor 35 connected to ground. The protective ring 36 surrounds the circuit point 33, wherein this is connected directly to the negative input of the operational amplifier 34 is. Due to the return of the Opera- tion amplifier 34 results siah a potential difference of 0 between the two inputs of this Striker, the guard ring 36 being held at the same potential as the signal input is used to avoid leakage currents. The output of op amp 34 is over an amplifier 37 is fed to a display device 38.

Ein Schutzringsignal mit niedriger Impedanz kann in einfacher Weise durch die Verwendung eines rückgekoppelten Verstärkers 34 mit der Verstärkung 1 erzielt werden.A low impedance guard ring signal can be easily implemented by using a feedback amplifier 34 with a gain of 1 be achieved.

Durch die Anordnung einer Rückführung von dem Ausgang auf den invertierenden negativen Eingang des Verstärkers ergibt sich ein Signal mit niedriger Impedanz, das dem Eingangssignal folgt und diesem entspricht. Dieser Punkt mit geringer Impedanz gibt die Schutzspannung vor.By arranging a feedback from the output to the inverting negative input of the amplifier results in a signal with low impedance, that follows the input signal and corresponds to it. That low impedance point specifies the protection voltage.

L e e r s e i t eL e r s e i t e

Claims

Claims: 1. Humidity sensor, g e k e n n n z e i c h n e t d u r c, an insulating substrate (10) of high purity; an inner conductive film (11) on the surface of the substrate (10), which has a first connection (16) of the Sensor forms; an outer conductive film (12) on the surface of the substrate (10), the periphery of the inner film (11) being spaced completely from the outer Film (12) is surrounded so that a continuous annular gap (13) remains on which the substrate (10) is accessible between the inner and outer films, and the outer film forming a second terminal (17) of the probe; and one moisture-sensitive film (30) of high impedance, which covers the annular gap (13) and extends to the inner and outer film.

2. Sensor according to claim 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t that the inner and outer conductive films (11, 12) are made of gold.

3. Fühlre according to claim 1, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h elne Circular shape.

4. Sensor according to claim 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t that the substrate is formed by a substantially flat body of a thin thickness of approximately 0.6 mm and a square edge length of 2.5 cm is given.

5. Sensor according to claim 2, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t that the films (1-1,12) are vapor-deposited from gold.

6. Sensor according to claim 1 or one of the following, -. g e k e n a circuit connected to the connections (16,17), which comprises: a square wave generator connected to the second connection (17) (32); an operational amplifier (34) with a high input impedance, the output of which is fed back to the negative signal input; one with the positive input of the operational amplifier (34) connected circuit point (33), the opposite side to the inner film (11) and on the other hand via a high-resistance resistor (35) is connected to ground; a protective ring surrounding the switching point (33) (36), which is directly connected to the negative input of the operational amplifier (34) is, with the potential of this guard ring at the same potential as the positive input is held so that leakage currents are prevented; and one on the output of the operational amplifier (34) connected display device (37,38).

7. Flhler according to claim 1 or 6, d a d u r c h g e -k e n n-z e i c h e t that the insulating substrate (10) of high purity is selected from a group of Materials selected are aluminum, Al. Contains SiMg or quartz.

8. Sensor according to claim 6, d a d u r c h g e k e n n -z z e i c h n e t that the operational amplifier (34) has a gain of 1.

9. Sensor according to claim 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t that the moisture-sensitive film (30) consists of iron oxide (Fe2o3).

10. Fuller according to claim 1, d a d u r e h g e -k e n n z e i c h n e t that the moisture-sensitive film (30) is made of a hygroscopic polymer consists.

11. Sensor according to claim 10, d a d u r e h g e -k e n n z e i 5 h n e t that the hygroscopic polymer by polyvinyl alcohol with lithium chloride given 1st

12. Sensor according to claim 10, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t that the hygroscopic polymer is given by polyethylene fluoride.

13. Sensor according to claim 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t that the moisture-sensitive film (30) consists of an organic salt, that is selected from a group consisting of sodium hydrogen phosphate, lead iodide, Contains certitanate and lithium fluoride.

14. A method for producing a humidity sensor according to claim 1 or one of the following Steps: a) specification of a substrate (10) of high purity; b) Deposition of an inner conductive film (11) on the surface of the substrate, the film essentially is circular; c) depositing an outer conductive film (12) on the surface of the substrate at a distance from the inner conductive film (11), with an annular gap (13) is formed between the inner and outer films; and d) deposit a film (30) of moisture sensitive material with high impedance to to cover the annular gap (13), with the material on the inner and outer The film stretches so that the moisture-sensitive film covers the annular gap and the conductive ones Bridged shifts.

15. The method according to claim 14, d a d u r c h g e -k e n n z e i c Note that the moisture-sensitive film (30) is made of an oxide of elements which is in Group VIII, Period 4 of the Periodic Table of Elements are included.