DE3126539A1 - X-ray crystal spectrometer and a method of evaluating measurement results obtained with an x-ray crystal spectrometer - Google Patents
X-ray crystal spectrometer and a method of evaluating measurement results obtained with an x-ray crystal spectrometerInfo
- Publication number
- DE3126539A1 DE3126539A1 DE19813126539 DE3126539A DE3126539A1 DE 3126539 A1 DE3126539 A1 DE 3126539A1 DE 19813126539 DE19813126539 DE 19813126539 DE 3126539 A DE3126539 A DE 3126539A DE 3126539 A1 DE3126539 A1 DE 3126539A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor detector
- crystal
- sample
- ray crystal
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
- G01N23/2252—Measuring emitted X-rays, e.g. electron probe microanalysis [EPMA]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/252—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers
- H01J37/256—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers using scanning beams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
Die Erfindung betrifft ein Röntgenkristallspektrometer, das an einer Einrichtung zur Erzeugung eines Elektronenstrahls zur Bestrahlung einer Probe angeflanscht wird und aus einer Kammer zur Aufnahme eines Kristalls und eines Proportionalzählrohres zur Erfassung von Röntgenstrahlen besteht.The invention relates to an X-ray crystal spectrometer which is attached to a device for generating an electron beam for irradiating a sample is flanged and from a chamber for receiving a crystal and a Proportional counter tube for capturing X-rays.
Derartige Spektrometer sind sehr oft mit einem Rasterelektronenmikroskop gekoppelt. Dieses Gerät dient zur Erzeugung und Fokussierung eines Elektronenstrahls, mit dem eine Probe beaufschlagt wird. Dabei kann die Probenoberfläche mit einem sehr großen Auflösungsvermögen sichtbar gemacht werden, außerdem entstehen beim Auftreffen von Elektronenstrahlen auf eine Probe Röntgenstrahlen, deren Auswertung Aufschluß über dieSuch spectrometers are very often with a scanning electron microscope coupled. This device is used to generate and focus an electron beam with which a sample is applied. The sample surface can be made visible with a very high resolution, moreover when electron beams strike a sample, X-rays are produced, the evaluation of which provides information about the
BAD ORIGINALBATH ORIGINAL
chemische Zusammensetzung der bestrahlten Probe liefert. Dabei werden im wesentlichen zwei verschiedene Auswertungsarten angewendet, nämlich die energiedispersive sowie die wellenlängendispersivc Analyse.provides the chemical composition of the irradiated sample. Essentially two different types of evaluation are used, namely the energy dispersive and the wavelength dispersive analysis.
Bei der wellenlängendispersive Analyse wird die von dex Probe abgegebene Röntgenstrahlung in einem Kristall gebeugt, wodurch die polychromatische Strahlung in einen Fächer monochromatischer Strahlung zerlegt wird. Aus diesem Fächer wird nun die Energiedichte in einem Wellenlängenbereich mit Hilfe eines Proportionalzählrohres bestimmt. Dabei wird zwischen der Probe, dem Kristall und dem Proportionalzählrohr eine spezielle geometrische Zuordnung eingehalten, um eine voll fol· sierende Röntgenoptik zu erhalten. Der Kristall z.B. bewegt sich längst einer Geraden und wird dabei gedreht, während das Proportionalzählrohr eine hypozyklische Bewegung ausführtIn the wavelength dispersive analysis, the dex Sample emitted X-rays are diffracted in a crystal, causing the polychromatic radiation to form a monochromatic fan Radiation is decomposed. The energy density in a wavelength range is now derived from this fan with the help of a proportional counter tube determined. There is one between the sample, the crystal and the proportional counter tube special geometrical assignment adhered to in order to fully follow to obtain sizing X-ray optics. For example, the crystal moves along a straight line and is rotated while the proportional counter tube executes a hypocyclic movement
Im Regelfall sind vier Analysekristalle, nämlich TAP, PET, LiF und Bb-Sterat vorgesehen, womit ein Wellenlängenbereich von ca. 0,1 - 9,24 nm überdeckt werden kann. Damit können alle Elemente von Bor bis Uran nachgewiesen werden.As a rule, four analysis crystals, namely TAP, PET, LiF and Bb sterate are provided, with which a wavelength range of approx. 0.1 - 9.24 nm can be covered. So can all elements from boron to uranium can be detected.
Bei der energiedispersiven Analyse wird das Gesamtspektrum der Röntgenstrahlung-simultan mit Hilfe eines Silizium- Halbleiterdetektors erfaßt, das Ergebnis an einen sogenannten Vie kanal-Analysator weitergegeben und schließlich auf einem Bildschirm zur Anzeige gebracht. Aufgrund der jedem Element zuzuordnenden charakteristischen Röntgenstrahlung kann ein Großteil der chemischen Elemente, nämlich Natrium bis Uran gleichzeitig nachgewiesen werden. Der Nachweis leichterer Elemente, die eine weichere Röntgenstrahlung emittieren, gelingt mit der energiedispersiven Analyse in der Regel nicht Deren Strahlung wird nämlich in einem Beryllium-Fenster, das sich vor dem Detektor befindet, absorbiert.In the energy dispersive analysis, the total spectrum the X-rays simultaneously with the help of a silicon semiconductor detector detected, the result passed on to a so-called Vie channel analyzer and finally on a Screen brought to the display. Due to the characteristic X-ray radiation that can be assigned to each element, a Most of the chemical elements, namely sodium to uranium, can be detected at the same time. Evidence easier Elements that emit a softer X-ray radiation cannot usually be achieved with energy-dispersive analysis Their radiation is absorbed in a beryllium window in front of the detector.
Bisher sind bei entsprechender Ausrüstung am Rasterelektronenmikroskop (REM) beide Analyseverfahren durchführbar. Während für die Bewegung des Kristalls und des Proportionalzählrohres in der vorgegebenen geometrischen Relation zueinander ein relativ großer baulicher Aufwand erforderlich ist, bedarf es zur Anbringung des Halbleiterdetektors, der im übrigen während der Analyse nicht bewegt wird, eines Durchbruches in der Probenkammer des Rasterelektronenmikroskops zur Einführung des Halbleiterdetektors. Der Detektor muß außerdem mit flüssigem Stickstoff gekühlt werden, um eine gute Rauschfreiheit zu gewährleisten.So far, with the appropriate equipment on the scanning electron microscope (REM) both analysis methods can be carried out. While for the movement of the crystal and the proportional counter tube in the given geometric relation to each other a relatively large structural effort is required, it is necessary to attach the semiconductor detector, which is in the rest is not moved during the analysis, a breakthrough in the sample chamber of the scanning electron microscope for Introduction of the semiconductor detector. The detector must also be cooled with liquid nitrogen to ensure good To ensure freedom from noise.
In der Praxis wird der energiedispersiven Analyse der Vorzug gegeben, weil insbesondere mit dem nachgeschalteten Vielkanal-Analysator in ca. 100 - 200 Sekunden bereits ein verläßliches Resultat über die Zusammensetzung der Probe vorliegt. Derselbe Analysiervorgang kann bei Einsatz der wellendispersiven Analyse bis zu 8 Stunden dauern. Allerdings versagt das energiedispersive Verfahren bei den leichten Elementen, so daß dann zwangsläufig das wellendispersive Verfahren angewendet werden muß.In practice, the energy dispersive analysis is given preference, because especially with the downstream Multi-channel analyzer gives a reliable result on the composition of the sample in approx. 100 - 200 seconds is present. The same analysis process can take up to 8 hours when using wave-dispersive analysis. However If the energy-dispersive method fails with the light elements, then inevitably the wave-dispersive method Procedure must be applied.
Mit· Hilfe eines umfangreichen Korrekturprogrammes gelingt es, eine quantitative Analyse der in der Probe enthaltenen chemischen Elemente zu bekommen. Bei der quantitativen Aus-,wertung' sind Korrekturfaktoren zu berücksichtigen, die von dem Vorhandensein weiterer, in der Probe enthaltener Elemente und auch von der jeweiligen Lage der Probe zu dem Kristall bzw. zu dem Halbleiterdetektor abhängen. Die Verwendung desselben Programmes mit den gleichen Korrekturfaktoren für be4<3e Analysensysteme ist schon allein deshalb ausgeschlossen,, da sich bei allen bisher ausgeführten Röntgenspektrometern der Halbleiterdetektor an einer anderen Stelle befindet alsWith the help of an extensive correction program, this succeeds it to get a quantitative analysis of the chemical elements contained in the sample. In the quantitative evaluation 'evaluation' Correction factors must be taken into account that depend on the presence of other elements contained in the sample and also depend on the respective position of the sample in relation to the crystal or in relation to the semiconductor detector. The usage of the same program with the same correction factors for be4 <3e analysis systems is excluded for this reason alone, because the semiconductor detector is in a different place than in all previously implemented X-ray spectrometers
BAD .ORIGINALBATH ORIGINAL
312653E312653E
_ der ..Kristall. Die die Geometrie berücksichtigenden Korrektui faktoren sind__also jeweils immer nur für das eine Analyseverfahren richtig. _ j j _ the .. crystal. The correction factors that take into account the geometry are therefore always correct for only one analysis method. _ yy
Es ist demnach Aufgabe der Erfindung, ein Röntgenkristallspektrometer der eingangs genannten Art abzuändern, bzw. ^~das bisher zur Gesamtanalyse angewandte Verfahren dahingehend zu verbessern, daß die Messung von energie- und welle dispersiven Spektrometern und die Auswertung der Daten und damit die Analysezeit wesentlich verkürzt wird.It is therefore an object of the invention to provide an X-ray crystal spectrometer of the type mentioned at the beginning, or the procedure used so far for the overall analysis to that effect to improve that the measurement of energy and wave dispersive spectrometers and the evaluation of the data and so that the analysis time is significantly reduced.
Der erfindungsgemäße Vorschlag zur Verbesserung des Verfahre sieht vor, daß der Kristall und der Halbleiterdetektor annähernd in denselben Strahlengang gerückt werden, daß für beide Analysen dieselbe geometrische Lage der Probe gewählt wird, und daß -der Vergleich und die Anzeige unter Berücksichtigung nur dieser geometrischen Lage durchgeführt wird.The proposal according to the invention to improve the process provides that the crystal and the semiconductor detector are moved into approximately the same beam path that for the same geometric position of the sample is selected for both analyzes, and that the comparison and the display are taken into account only this geometric position is carried out.
Die Erfindung sieht also vor, in einer einzigen Probeneinstellung sowohl die Messung mit dem Proportionalzählrohr falls diese zum Nachweis von leichten Elementen unabdingbar ist - als auch mit dem Halbleiterdetektor vorzunehmen. Damit werden bezüglich der Auswertung zwei sehr .wichtige Vorteile erzielt. Zum einen ist nur ein einziges Rechenprogramm bei der quantitativen Auswertung der Meßergebnisse erforderlich, da nun aufgrund identischer Geometrie dieselben Korrekturfaktoren für beide Meßmethoden Gültigkeit haben. Zum anderen wird die energiedispersive quantitative Analyse verbessert, da nun mit demselben Rechenprogramm auch die leichten Element bestimmt werden können, die bisher nur durch Differenzbildung zu 100% berechnet wurden. .·The invention therefore provides for both the measurement with the proportional counter tube in a single sample setting this is indispensable for the detection of light elements - as well as to be carried out with the semiconductor detector. In order to two very important advantages are achieved with regard to the evaluation. On the one hand, there is only a single calculation program the quantitative evaluation of the measurement results is necessary because the same correction factors are now due to the identical geometry are valid for both measuring methods. On the other hand, the energy dispersive quantitative analysis is improved, since the light elements can now be determined with the same computer program, which up to now could only be determined by subtraction 100% calculated. . ·
Zur Anpassung der Strahlungsdichte an den geringeren Bedarf des Halbleiterdetektors ist in Weiterbildung der Erfindung vorgesehen, daß eine Blende vor dem Halbleiterdetektor angeordnet ist, die gegebenenfalls verstellbar ist.To adapt the radiation density to the lower requirement of the semiconductor detector is a further development of the invention provided that a diaphragm is arranged in front of the semiconductor detector, which is optionally adjustable.
Zur weiteren Optimierung einer Messung bei gleichbleibender "^geometrischer Lage der Probe zu den Meßinstrumenten kann der Halbleiterdetektor, gegebenenfalls mit der zugehörigen Blende, innerhalb der Ebene, die senkrecht zur Richtung der' Röntgen strahlung verläuft, hin- und herverschoben werden.To further optimize a measurement with a constant geometric position of the sample in relation to the measuring instruments, the Semiconductor detector, if necessary with the associated screen, be moved back and forth within the plane which is perpendicular to the direction of the 'X-ray radiation.
Die Nachweisgrenze von relativ leichten Elementen wie Natrium oder Magnesium durch die energiedispersive Analyse liegt bei den bisher ausgeführten Geräten deshalb relativ hoch, da der eigentliche Detektor hinter einem Berylliumfenster angeordnet ist, mit der Folge, daß durch das Beryllium die relativ weiche Röntgenstrahlen z.T. absorbiert werden. Um hier bessere Voraussetzungen zu schaffen, ist in Weiterbildung der Erfindung vorgesehen, daß sich der Halbleiterdetektor innerhalb der Vakuu Kammer befindet und die Kammer durch eine Turbo-Molekularpumpe evakuiert wird.The limit of detection of relatively light elements such as sodium or magnesium due to the energy dispersive analysis is therefore relatively high in the devices implemented so far, since the actual detector is arranged behind a beryllium window, with the result that the beryllium is relatively soft X-rays are partially absorbed. In order to create better conditions here, the invention is being developed provided that the semiconductor detector is located inside the vacuum chamber and the chamber by a turbo-molecular pump is evacuated.
Auf diese Weise gelingt es, ein so gutes Vakuum innerhalb der Kammer zu erzeugen, daß der Halbleiterdetektor nicht durch ein Berylliumfenster geschützt werden muß. Entsprechend erhöht sich seine Empfindlichkeit für weiche Röntgenstrahlung, da keine Absorption vorkommt. Dennoch würde das Weglassen des Fensters allein noch nicht die Vorteile bringen, die mit Hilfe der Erfindung erzielbar sind. Zwar werden ohne Fenster keine Strahlen mehr absorbiert, das Auflösungsvermögen der Detektoren ist jedoch im Bereich der weichen Strahlen (leichte Elemente) so schlecht, daß sich nur ein gradueller Unterschied ergibt.In this way it is possible to create such a good vacuum within the chamber that the semiconductor detector cannot must be protected by a beryllium window. Its sensitivity to soft X-rays increases accordingly, since there is no absorption. However, omitting the window alone would not bring the benefits that come with help of the invention are achievable. No rays are absorbed without a window, which is the resolution of the detectors However, it is so bad in the area of the soft rays (light elements) that there is only a gradual difference results.
Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, das in der Zeichnung dargestellt, näher erläutert; die einzige Fig. zeigt:An exemplary embodiment of the invention, which is shown in the drawing, is explained in more detail below; the single figure shows:
eine schematische Draufsicht auf ein Röntgenkristallspektrometer gemäß der Erfindung mit geöffnetem Kammerdeckel. a schematic plan view of an X-ray crystal spectrometer according to the invention with the chamber lid open.
In der Figur ist eine teilweise geöffnete Kammer 1 dar- -gestellt, die Bestandteil eines Röntgenkristallspektrometers ist?- In__der Betriebsstellung ist sie vollständig abgedeckt und evakuiert. Sie dient zur Aufnahme eines Krista] 2 sowie eines Halbleiterdetektors 3. Die Kammer 1 ist seitlich an ein Rasterelektronenmikroskop 4 geflanscht/ das allgemein als Einrichtung zur Erzeugung eines Elektronenstrahls angesehen werden kann. Es gestattet die Sichtbarmachung einei im unteren Teil des Mikroskopes angeordneten Probe unter Zuhilfenahme von Elektronenstrahlen. Beim Auftreffen der Elektronenstrahlen auf die Probe entstellen Röntgenstrahlen, die auf den Kristall 2 und auf den Halbleiterdetektor 3 treffen. Die Röntgenstrahlen werden zur qualitativen und quantitativen Analyse der Probe ausgewertet.In the figure, a partially open chamber 1 is shown, which is part of an X-ray crystal spectrometer is? - It is complete in the operating position covered and evacuated. It is used to hold a Krista] 2 and a semiconductor detector 3. The chamber 1 is flanged to the side of a scanning electron microscope 4 / generally can be regarded as a device for generating an electron beam. It allows one to be made visible Sample arranged in the lower part of the microscope with the aid of electron beams. When the Electron beams on the sample distort X-rays that hit the crystal 2 and the semiconductor detector 3 meet. The X-rays are evaluated for qualitative and quantitative analysis of the sample.
Die auf den Kristall 2 auftreffenden Röntgenstrahlen werden gebeugt und auf ein Proportionalzählrohr (nicht dargestellt) innerhalb der Kammer 1 gerichtet. Die von der Probe ausgehende Röntgenstrahlung ist polychromatisch, die mit Hilfe des Kristalls 2 in eine monochromatische Strahlung aufgefächert wird. Zur Erfassung des gesamten Spektrums ist eine Verstellung des Kristalls erforderlich, und zwar sowohl eine gradlinige Bewegung entlang einer als gestrichelte Linie dargestellten Schiene 6 als auch eine Drehung um die-vertikale Adhse des Kristalls. In Abhängigkeit von äer Stellung des Kristalls 2 wird auch das Proportionalrohr in einer hypozyklischen Bewegung verstellt, was jedoch im Zusammenhang mit der Erfindung nicht wesentlich ist.The X-rays incident on the crystal 2 become bent and directed at a proportional counter tube (not shown) within chamber 1. The one emanating from the sample X-ray radiation is polychromatic, which with the help of crystal 2 is fanned out into monochromatic radiation will. In order to cover the entire spectrum, the crystal must be adjusted, both one straight-line movement along a rail 6 shown as a dashed line as well as a rotation about the vertical Adhse of the crystal. Depending on the position of the Crystal 2 also adjusts the proportional tube in a hypocyclic movement, which is, however, related is not essential to the invention.
Die von der Probe im unteren Bereich des Rasterelektronenmikroskopes 4 emittierte polychromatische Strahlung ist zwar relativ stark gebündelt, verläßt jedoch die Probe mehr oder weniger als Strahlenkegel, dessen Strahlungsintensität an jeder Stelle des Kegels annähernd gleich ist. Die Qualität des Strahlenkegels und in gewissem Maße auch dessen Lage und Öffnungswinkel kann durch eine Ausrichtung der Probe gegenüber dem Elektronenstrahl beeinflußt werden.The one from the sample in the lower area of the scanning electron microscope 4 emitted polychromatic radiation is relatively strongly bundled, but leaves the sample more or less than a cone of rays, the radiation intensity of which is approximately the same at every point of the cone. The quality of the beam cone and to a certain extent also its position and opening angle can be determined by aligning the sample are influenced compared to the electron beam.
In der Regel wird von dem Kristall 2 eine stärkere Strahlungsintensität verkraftet als von dem Halbleiterdetektor 3. Um quasi ein "überbelichten" des Halbleiterdetektors zu vermeiden, ist eine gegebenenfalls justierbare Blende 7 vorgesehen, mit der ein Teil der auf den Halbleiterdetektor 3 gerichteten Strahlung abgedeckt werden kann. Für den Fall, daß eine Verstellung vorgesehen ist, sei es für die Blende 7 oder die Lage des Halbleiterdetektors 3, ist ihre Betätigung gasdicht durch die Wandung der Kammer 1 hindurchgeführt bzw. über eine Fernsteuerung möglich, so daß die Kammer 1 für die Verstellung geschlossen bleiben kann.As a rule, the crystal 2 emits a stronger radiation intensity coped with than by the semiconductor detector 3. In order to avoid "overexposure" of the semiconductor detector, as it were, an optionally adjustable diaphragm 7 is provided, with which a part of the directed onto the semiconductor detector 3 Radiation can be covered. In the event that an adjustment is provided, be it for the diaphragm 7 or the position of the semiconductor detector 3, its actuation is passed through the wall of the chamber 1 in a gas-tight manner or possible via a remote control, so that the chamber 1 can remain closed for the adjustment.
Um rauschfreie Spektren zu erhalten, muß der Silizium-Halbleiter mit flüssigem Stickstoff gekühlt werden. Dazu ist an der Kammer 1 ein Kryostat 5 angeflanscht, dessen Kühlpotential mit Hilfe eines Kühlfingers 8 bis zu dem Halbleiterelement übertragen wird. Der Kühlfinger 8 muß gegebenenfalls flexibel ausgeführt sein, beispielsweise in Form eines flexiblen geflochtenen Bandes, wenn eine Verstellung des Halbleiterdetektors 3 innerhalb der Kammer 1 vorgesehen ist. Im übrigen beschreitet die Erfindung hier bekannte Wege, so daß auf eine weitere Erläuterung verzichtet werden kann.In order to obtain noise-free spectra, the silicon semiconductor must be cooled with liquid nitrogen. This is on a cryostat 5 flanged to the chamber 1, its cooling potential with the aid of a cold finger 8 up to the semiconductor element is transmitted. The cold finger 8 may have to be designed to be flexible, for example in the form of a flexible braided one Band when an adjustment of the semiconductor detector 3 within the chamber 1 is provided. Otherwise treads the invention here known ways, so that a further explanation can be dispensed with.
Üblicherweise sind die im Handel erhältlichen Halbleiterdetektoren 3 gekapselt ausgebildet, wobei die Strahlung auf das eigentliche Meßelement durch ein Berylliumfenster fällt. Dadurch werden alle Röntgenstrahlen, die von Elementen herrühren, die leichter als Beryllium sind, von diesem Fenster absorbiert. Deshalb ist bei dem erfindungsgemäßen Röntgenkristallspektrometer in Weiterbildung vorgesehen, einen ungekapselten Halbleiterdetektor 3 zu verwenden, was allerdings bedingt, daß die Kammer 1 evakuiert wird. Dazu wird eine Tu'rbo-Molekular-Pumpe verwendet, die für sich gesehen bekannt ist.Commonly, the commercially available semiconductor detectors are 3 encapsulated, the radiation falling on the actual measuring element through a beryllium window. This will cause any x-rays from elements lighter than beryllium to go out of this window absorbed. Therefore, in the X-ray crystal spectrometer according to the invention provided in a further development to use an unencapsulated semiconductor detector 3, which, however requires that the chamber 1 is evacuated. A Tu'rbo molecular pump is used for this, which is seen in isolation is known.
Die von dem Proportionalzählrohr und dem Halbleiterdetektor empfangenen Signale werden einem Vielkanal-Analysator züge-The signals received by the proportional counter tube and the semiconductor detector are fed to a multi-channel analyzer.
31265!31265!
führt, der mit Hilfe eines Iterationsverfahrens auch eine quantitative Bestimmung, also eine Aussage über die Konzentration eines chemischen Elementes in der Probe zuläßt. Dabei sind Korrekturen der jeweiligen Zwischenergebnisse erforderlich, die sich nach den in der Probe enthaltenen Elementen und nach der geometrischen Lage der Probe gegenüber dem Zählrohr und dem Detektor richten. Erstmals kann nun eine sehr vollständige Korrektur vorgenommen werden - es werden alle Elemente über beide Analyseverfahren erfaßt außerdem ändert sich die Geometrie bedingte Korrektur nicht beim Übergang von dem einen zu dem anderen Analyseverfahren.leads, which with the help of an iteration process also a quantitative determination, i.e. a statement about the concentration of a chemical element in the sample. There are corrections to the respective interim results required, depending on the elements contained in the sample and according to the geometric position of the sample opposite the counter tube and the detector. For the first time, a very complete correction can now be made - it If all elements are recorded using both analysis methods, the geometry-related correction does not change when moving from one analysis method to the other.
BAD ORIGINM-BAD ORIGINM-
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19813126539 DE3126539C2 (en) | 1981-07-04 | 1981-07-04 | Method and device for examining samples with an X-ray crystal spectrometer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19813126539 DE3126539C2 (en) | 1981-07-04 | 1981-07-04 | Method and device for examining samples with an X-ray crystal spectrometer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3126539A1 true DE3126539A1 (en) | 1983-07-14 |
DE3126539C2 DE3126539C2 (en) | 1985-01-24 |
Family
ID=6136185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19813126539 Expired DE3126539C2 (en) | 1981-07-04 | 1981-07-04 | Method and device for examining samples with an X-ray crystal spectrometer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3126539C2 (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3204095A (en) * | 1960-12-21 | 1965-08-31 | Hitachi Ltd | Electron probe microanalyzer with means to eliminate the effect of surface irregularities |
-
1981
- 1981-07-04 DE DE19813126539 patent/DE3126539C2/en not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3204095A (en) * | 1960-12-21 | 1965-08-31 | Hitachi Ltd | Electron probe microanalyzer with means to eliminate the effect of surface irregularities |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
O. Brümmer u.a., Handbuch Festkörperanalyse mit Elektronen, Ionen und Röntgenstrahlen, Vieweg & Sohn, Braunschweig(1980), S. 115-121 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3126539C2 (en) | 1985-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69104756T2 (en) | Method for determining the mass fraction of a target material using a multi-channel X-ray image sensor. | |
DE2648434A1 (en) | METHODS OF ANALYZING COAL OR COOK | |
DE69026748T2 (en) | Method of measuring the plating rate and the composition of a plating layer of a plated steel sheet, and apparatus therefor | |
DE19524371A1 (en) | Fluorescent X-ray radiation analysis device | |
DE2432305A1 (en) | METHOD AND DEVICE FOR THE EXAMINATION OF A BODY BY MEANS OF PENETRATING RADIATION | |
DE102006023061A1 (en) | Gas detector with acoustic measuring cell and selective adsorbing surface | |
DE3104468C2 (en) | X-ray fluorescence spectrometer | |
DE68916168T2 (en) | Method and device for analyzing a surface. | |
EP0217464B1 (en) | Method for determining photoattenuation in a domain of a test object, and arrangement for carrying out the method | |
DE3300406C2 (en) | ||
DE69123166T2 (en) | Method and device for background correction when analyzing a sample surface | |
DE2105805C3 (en) | Device for electron spectroscopy | |
DE2243993B2 (en) | Device for X-ray analysis | |
EP0352423B1 (en) | Method and device for texture analysis | |
DE3126539A1 (en) | X-ray crystal spectrometer and a method of evaluating measurement results obtained with an x-ray crystal spectrometer | |
DE2426794A1 (en) | DEVICE FOR RADIATION DETECTION AND METHOD OF DETERMINING THE PRESENCE OF AN ELEMENT OF INTEREST IN A SAMPLE | |
DE10259696B4 (en) | Device for measuring the thickness of thin layers | |
DE19540195C2 (en) | X-ray fluorescence microscopy | |
DE4402113A1 (en) | Method and arrangement for determining elements using the method of total reflection X-ray fluorescence analysis | |
EP0224245A3 (en) | Method for the non-destructive analysis of surface layers of samples | |
EP1842208B1 (en) | Collimator with adjustable focal length | |
DE2911596C3 (en) | Measurement arrangement for X-ray fluorescence analysis | |
DE102011108941A1 (en) | An optical gas analyzer having means for improving selectivity in gas mixture analyzes | |
DE2363581A1 (en) | METHOD OF NON-DESTRUCTIVE CHEMICAL ANALYSIS | |
DE19608907C1 (en) | Non-dispersive gas analyser |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |