DE3107857C2 - Process for the production of thin-film circuits with very easily solderable interconnect layer systems - Google Patents

Process for the production of thin-film circuits with very easily solderable interconnect layer systems

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DE3107857C2 DE19813107857 DE3107857A DE3107857C2 DE 3107857 C2 DE3107857 C2 DE 3107857C2 DE 19813107857 DE19813107857 DE 19813107857 DE 3107857 A DE3107857 A DE 3107857A DE 3107857 C2 DE3107857 C2 DE 3107857C2
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Abstract

Im Vergleich zu den Leitschichtmetallen Gold, Silber, Kupfer und Palladium besitzt Nickel die geringste Auflösung im Lot. Nickel oxidiert an der Luft und verstärkt bei Temperaturbehandlung an der Oberfläche. Diese Nickel-Oxidschicht verhindert beim Lötvorgang das vollständige Benetzen der Nickel-Oberfläche und damit eine gute Lötverbindung. Erfindungsgemäß wird daher auf eine Lötschicht aus Nickel oder einer Nickellegierung im gleichen Vakuum entweder eine Aluminium-, Aluminium-Silizium-, Kupferschicht oder Kupfer/Aluminiumschicht aufgebracht.Compared to the conductive layer metals gold, silver, copper and palladium, nickel has the lowest dissolution in the solder. Nickel oxidizes in the air and intensifies on the surface when subjected to temperature treatment. This nickel oxide layer prevents complete wetting of the nickel surface during the soldering process and thus prevents a good soldered connection. According to the invention, therefore, either an aluminum, aluminum-silicon, copper or copper / aluminum layer is applied to a soldered layer made of nickel or a nickel alloy in the same vacuum.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmschaltungen mit edelmetallfreien und sehr gut lötbaren Leiterbahnschichtsystemen.The invention relates to a method for producing thin-film circuits with precious metal-free and very easily solderable interconnect layer systems.

Das Gebiet der Dünnfilmtechnik umfaßt integrierte Hybridschaltungen, Widerstandsnetzwerke, RC-Netzwerke und Verdrahtungen für Halbleiter-Chips, Flüssigkristallanzeigen, Plasma-Displays, Solarzellen usw. Für diese Anwendungen setzen sich in der Regel die Schichtsysteme aus Widerstands- und/oder Kondensatorschichten und Haft-, Lot-, Leitschichten zusammen.The field of thin film technology includes integrated hybrid circuits, resistor networks, RC networks and wiring for semiconductor chips, liquid crystal displays, plasma displays, solar cells, etc. For these applications usually consist of layer systems made up of resistor and / or capacitor layers and adhesive, solder and conductive layers together.

Dünne Schichten werden auf einem isolierenden Substrat im Vakuum mittels Aufdampfen oder Aufstäuben aufgebracht und je nach Anforderung durch elektrochemisches Abscheiden verstärkt bzw. veredelt. Die Strukturerzeugung erfolgt entweder mittels Bedampfen bzw. Aufstäuben durch mechanische Masken oder durch Foto- und Ätzprozesse.Thin layers are applied to an insulating substrate in a vacuum by means of vapor deposition or sputtering applied and, depending on the requirements, reinforced or refined by electrochemical deposition. The structure generation takes place either by steaming or sputtering through mechanical masks or by photo and etching processes.

Bei der Bestückung von Schichtschaltungen mit z. B. Spulen, Kondensatoren, Transistoren, Mikropacks und Anschlußelementen wird insbesondere an die Lötbarkeit der Lötschicht eine hohe Anforderung gestellt. Mangelhafte Lötbarkeit (z. B. schlechte Benetzbarkeit, Entnetzung oder schnelles Ablegieren) erschwert bzw. verhindert das Einsetzen und/oder Auswechseln von Bauelementen. Aus Kupfer und/oder Gold bestehende Leitschichten legieren wegen ihrer guten Löslichkeit im Lötbad relativ schnell ab. Schichtschaltungen werden dadurch unbrauchbar.When equipping layer circuits with z. B. coils, capacitors, transistors, micropacks and Connection elements are particularly demanding in terms of the solderability of the solder layer. Inadequate solderability (e.g. poor wettability, dewetting or rapid dissolving) makes it difficult or impossible. prevents the insertion and / or replacement of components. Made of copper and / or gold Due to their good solubility in the solder bath, conductive layers alloy relatively quickly. Layer circuits are thus unusable.

Lötbare Leiterbahnsysteme werden nach bislang bekannten Verfahren aus Edelmetallschichtkombinationen, wie zum Beispiel NiAu, TiPdAu, TiCuNiAu, hergestellt. Bei edelmetallfreien Schichtkombinationen findet reines Kupfer als Leit- und Lötschicht Verwendung (DE-AS 17 90 013). Leitschichten aus Kupfer oxidieren bei höheren Temperaturen (>250°C), wie sie zum Beispiel bei der Stabilisierung von Widerstandsschichten auftreten, mit der Zeit durch und sind nicht mehr lötbar.Solderable conductor track systems are made from combinations of precious metal layers using previously known methods, such as NiAu, TiPdAu, TiCuNiAu. In the case of non-precious metal-free layer combinations Pure copper is used as a conductive and soldering layer (DE-AS 17 90 013). Oxidize conductive layers made of copper at higher temperatures (> 250 ° C), for example when stabilizing resistance layers occur over time and can no longer be soldered.

In der DE-AS 17 90 013 ist eine Dünnfilmschaltung angegeben, bei der die Bauelemente und Leitungsbahnen mit Hilfe eines selektiven Ätzverfahrens in der gewünschten Konfiguration gebildet werden. Dabei besteht die Widerstandsschicht aus einer CrNi-Schicht, die Leiterbahnschichten aus Gold bzw. Kupfer und die schützende Trennschicht aus Eisen, Nickel, Kobalt oder Aluminium.In DE-AS 17 90 013 a thin-film circuit is specified in which the components and conductor tracks can be formed in the desired configuration using a selective etching process. There is the resistance layer made of a CrNi layer, the conductor track layers made of gold or copper and the protective separating layer made of iron, nickel, cobalt or aluminum.

In bezug auf die Löteigenschaften haben die bereits genannten Leiterbahnsysteme folgende Nachteile:With regard to the soldering properties, the conductor track systems already mentioned have the following disadvantages:

Ni-Au-Schicht:Ni-Au layer:

ίο Mangelhafte Benetzung der Lölschicht durch Lötzinn (zum Beispiel 60 Sn/40 Pb) nach Temperprozeß
TiPdAu-Schicht:
ίο Insufficient wetting of the oil layer by tin solder (for example 60 Sn / 40 Pb) after the tempering process
TiPdAu layer:

Als Folgeerscheinung der schnellen Löslichkeit von Pd/Au in Lötzinn legieren diese Schichten nach relativ kurzen Lötzeiten ab.
TiCuNiAu-Schicht:
As a consequence of the rapid solubility of Pd / Au in tin solder, these layers alloy off after relatively short soldering times.
TiCuNiAu layer:

Einwandfreie Lötbarkeit ist nur bei Temperung in Luft bis 2500C gewährleistet
TiCu-Schicht:
Perfect solderability is only guaranteed when tempered in air up to 250 ° C
TiCu layer:

Die schnelle Löslichkeit von Kupfer im Lötzinn bedingt relativ dicke Schichten an den Lötkontakten.The rapid solubility of copper in solder requires relatively thick layers on the solder contacts.

Die Löteigenschaften dieser beschriebenen Leiterbahnsysteme sind für viele Anforderungen nicht ausreichend. Im Vergleich zu den Leitschichtmstallen Gold, Silber, Kupfer und Palladium besitzt Nickel die geringste Auflösung im Lot Nickel oxidiert an der Luft und verstärkt bei Temperaturbehandlung an der Oberfläche.The soldering properties of the conductor track systems described are not sufficient for many requirements. Compared to the conductive layer gold, Silver, copper and palladium have the lowest dissolution of nickel in the solder. Nickel oxidizes in the air and reinforced with temperature treatment on the surface.

Diese Nickel-Oxidschicht verhindert beim Lötvorgang das vollständige Benetzen der Nickel-Oberfläche und damit eine gute Lötverbindung. Um die Oxidschicht zu entfernen sind relativ scharfe Flußmittel notwendig, die erfahrungsgemäß mit Dünnfilmbauelemenfen und Widerstandsschichten nicht verträglich sind.This nickel oxide layer prevents complete wetting of the nickel surface during the soldering process and thus a good solder connection. To the oxide layer too relatively sharp fluxes are necessary to remove them, which experience has shown with thin-film construction elements and resistance layers are not compatible.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das eingangs beschriebene Verfahren zu realisieren, wobei eine Nickel oder Nickellegierungsschicht während des Temperprozesses gegen Oxidation durch eine Schutzschicht geschützt wird. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß im Vakuum auf einem isolierenden Substratträger eine ca. 50 nm dicke Haft- oder Widerstandsschicht (Titan, Chrom, Molybdän, Wolfram, Titanwolfram, Aluminium, Nickel, Nickelchrom, Tantalnitrid, Tantalaluminium, Zinnindiumoxid und dergleichen), eine 50 bis 2000 nm dicke Lötschicht aus Nickel oder einer Nickellegierung und darauf eine 10 bis 2500 nm dicke Schutzschicht aus Aluminium, einer Aluminiumlegierung, Kupfer oder Kupfer/Aluminium aufgebracht wird.The invention is based on the object of implementing the method described at the outset, wherein a Nickel or nickel alloy layer during the tempering process against oxidation through a protective layer is protected. This object is achieved in that in a vacuum on an insulating substrate carrier an approx. 50 nm thick adhesive or resistance layer (titanium, chromium, molybdenum, tungsten, titanium tungsten, aluminum, Nickel, nickel chromium, tantalum nitride, tantalum aluminum, tin indium oxide and the like), a 50 to 2000 nm thick solder layer made of nickel or a nickel alloy and then a 10 to 2500 nm thick protective layer made of aluminum, an aluminum alloy, copper or copper / aluminum is applied.

so Bei dem Verfahren nach der Erfindung schützen Aluminium- und/oder Kupferschichten die darunterliegende Nickelschicht gegen Oxidation an der Luft. Für Nikkeischichten, die bei höheren Temperaturen in Luft getempert werden, ist ein Oxidationsschutz aus einer AIuminium- bzw. Kupfer/Aluminiumschicht erforderlich. Bereits Schichtstärken von 0,5 μίτι für Kupfer/Aluminiumschicht bzw. ca. 20 nm für die Aluminiumschicht sind ausreichendem zu verhindern, daß Nickel beispielsweise nach einer Temperung in Luft bei 350°C, eine Stunde an die Oberfläche diffundiert und oxidiert. Vor der BeIotung muß an den Lötstellen die Aluminium-Schutzschicht entfernt werden. Bei im Vakuum bzw. in Schutzgasatmosphäre getemperten Nickelschichten ist eine dünne Kupferschicht ausreichend, um eine nachfolgende Oxidation von Nickel an Luft zu vermeiden. Der Vorteil der Erfindung besteht insbesondere darin, daß die Nickel- Kupfer, Nickel-Aluminium-, bzw. Nickel-Kupfer-Aluminium-Schichten hochtemperbar und sehrThus, in the method according to the invention, aluminum and / or copper layers protect the underlying Nickel layer against oxidation in the air. For Nikke layers that are annealed in air at higher temperatures oxidation protection from an aluminum or copper / aluminum layer is required. Layer thicknesses of 0.5 μίτι for copper / aluminum layer or approx. 20 nm for the aluminum layer are sufficient to prevent nickel, for example After tempering in air at 350 ° C., it diffuses to the surface for one hour and is oxidized. Before the appointment the aluminum protective layer must be removed from the soldering points. When in a vacuum or in a protective gas atmosphere Annealed nickel layers, a thin copper layer is sufficient to create a subsequent one Avoid oxidation of nickel in air. The advantage of the invention is in particular that the nickel-copper, nickel-aluminum or nickel-copper-aluminum layers are highly temperable and very

gut lötbar sind. Anstelle von Nickel kann auch eine Nikkellegierung eingesetzt werden. Gegeben durch die ge- *inge Löslichkeit von Nickel in Lötzinn ist die Nickelschicht für längere Lötzeiten und Mehrfachbelotung ausgezeichnet geeignetare easy to solder. A nickel alloy can also be used instead of nickel can be used. The nickel layer is given by the high solubility of nickel in tin solder Excellent for longer soldering times and multiple soldering

Die Lötbarkeit der vorgestellten Schichtkombinationen wurde an strukturierten und bei 350° C, eine Std. in Luft getemperten Schichten überprüft Die Schichtdikken für die Variante NiCuAl waren: Ni-Lötschirht 100 nm, Cu-Leitschicht 1000 nm und Al-Schutzschicht ίο 40 nm. Die ßelotung erfolgte in einem auf 220° C erwärmten 60 Sn/40 Pb-Lötbad bei einer Tauchzeit von 8 see. Dieser Lötvorgang konnte mit der NiCu-Schicht 6 χ wiederholt werden, ohne daß Spuren von Ablegierungen erkennbar wurden.The solderability of the presented layer combinations was checked on structured layers that were tempered in air at 350 ° C. for one hour. The layer thicknesses for the NiCuAl variant: Ni soldering sheet 100 nm, Cu conductive layer 1000 nm and Al protective layer ίο 40 nm. The soldering took place in a 60 Sn / 40 Pb solder bath heated to 220 ° C. with an immersion time of 8 see. This soldering process could be done with the NiCu layer 6 χ can be repeated without traces of alloys being discernible.

Der Flächenwiderstand der NiCu- bzw. NiCuAI-Schichten ist relativ niedrig. Nimmt man z. B. für einen NiCuAl-Schichtaufbau eine Ni-Schicht von 100 nm, eine Cu-Schicht von 500 nm und eine Al-Schutzschicht von 40 nm, so beträgt der Leiterbahnwiderstana bei einer Gesamtschichtstärke von 640 nm ca. 0,04 Ω/D. Dieser Wert erhöht sich nach der Wärmebehandlung von 350° C, 1 Std. in Luft auf 0,05 Ω/G.The sheet resistance of the NiCu or NiCuAI layers is relatively low. If you take z. B. for a NiCuAl layer structure a Ni layer of 100 nm, a With a Cu layer of 500 nm and an Al protective layer of 40 nm, the conductor track resistance for a Total layer thickness of 640 nm approx. 0.04 Ω / D. This value increases after the heat treatment of 350 ° C, 1 hour in air to 0.05 Ω / G.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist sowohl durch den Verzicht auf teuere Edelmetalle wie Gold oder Palladium als auch wegen der relativ geringen Schichtdikken für die Ni-Lötschicht und die Cu-Leitschicht besonders kostengünstig.The method according to the invention is possible both by dispensing with expensive precious metals such as gold or palladium and especially because of the relatively small layer thicknesses for the Ni solder layer and the Cu conductive layer inexpensive.

Das Verfahren kann mit folgenden Schichtstärken realisiert werden:The process can be implemented with the following layer thicknesses:

schicht oder Kupfer/Aluminiumscnicht aufgebracht. Über die Dicke der Schutzschicht 5 kann gleichzeitig der Leiterbahnwiderstand beeinflußt werden. Auf der Leiterbahn 6 befinden sich die Lötstellen 8.layer or copper / aluminum not applied. About the thickness of the protective layer 5 can simultaneously the track resistance can be influenced. The soldering points 8 are located on the conductor track 6.

Die F i g. 2 unterscheidet sich insofern von der F i g. 1, daß über der Lötschicht 4 eine Leit- und Schutzschicht 7 aus Kupfer vorgesehen istThe F i g. 2 differs in this respect from FIG. 1, that a conductive and protective layer 7 made of copper is provided over the solder layer 4

Nach dem Aufbau, wie er in der F i g. 3 dargestellt ist. fehlt im Vergleich zu den F i g. 1 und 2 die Widerstandsschicht 2.After construction, as shown in FIG. 3 is shown. absent in comparison to FIGS. 1 and 2 the resistance layer 2.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

1.1. Haftschicht ca. 50 nmAdhesive layer approx. 50 nm NickellegierungNickel alloy 2.2. Lötschicht:Solder layer: Nickel 50—5000 nm oderNickel 50-5000 nm or 50—5000 η m.50-5000 η m. 10-2500 nm10-2500 nm 3.3. Leit- und/oder Schutzschicht:Conductive and / or protective layer: 50-2500 nm50-2500 nm Aluminiumaluminum 50—2500 nm50-2500 nm Kupfer/AluminiumCopper / aluminum Kupfercopper

}5} 5

4040

Haftschichten sind sowohl die Widerstandsschichten Nickelchrom, Tantalnitrid, Zinnindiumoxid und Tantalaluminium als auch Chrom, Titan, Molybdän, Wolfram, Titanwolfram, Aluminium und dergleichen.Adhesive layers are the resistance layers nickel chrome, tantalum nitride, tin indium oxide and tantalum aluminum as well as chromium, titanium, molybdenum, tungsten, titanium tungsten, aluminum and the like.

Für bestimmte Anwendungen ist es denkbar, daß die Nickeischicht zugleich als Haft- und Lötschicht eingesetzt werden kann (siehe F i g. 1.3).For certain applications it is conceivable that the nickel layer is used as an adhesive and solder layer at the same time can be (see Fig. 1.3).

Das Herstellverfahren für DF-Schaltungen wird besonders preisgünstig, wenn die Widerstandsschicht und eine der vorgestellten Leiterbahn-Schichtkombinatio^ nen hintereinander in einem Vakuum aufgebracht werden. The manufacturing process for DF circuits becomes special Inexpensive if the resistance layer and one of the presented conductor track-layer combinations ^ nen be applied one after the other in a vacuum.

Vorteilhafte Ausgestaltungen dieses Verfahrens sowie Merkmale bezüglich der Verwendung von basismaterial in einer solchen Verfahrensweise ergeben sich aus den Unteransprüchen.Advantageous embodiments of this method and features relating to the use of base material in such a procedure emerge from the subclaims.

Die Erfindung wird anhand der Figuren, die drei verschiedene Varianten eines Schichtaufbaus im Schnitt /eigen, erläutert.The invention is illustrated by the figures, the three different variants of a layer structure in section / own, explained.

Der Schichlaufbau nach der F i g. 1 besteht aus einem mi Substrat 1, auf dem eine Widerstands- b/w. Wider-Mandskondensatorschicht oder ln2Oj/SnO2-(ITO-) Schicht 2 aufgebracht ist. Darauf befindet sich nach Bedarf eine Haftschicht Λ die z. B. aus Titan, Chrom, Aluminium und dergleichen bestehen kann. Über der Haft- b5 schicht ist eine Lötscb'cht 4 aus Nickel oder einer Nikkellegierung vorgesehen. Als Schutzschicht 5 wird entweder eine AluminiuPV. Aluminium-Silizium-. Kupfer-The layer structure according to FIG. 1 consists of a mi Substrate 1 on which a resistor b / w. Wider-hand capacitor layer or ln2Oj / SnO2- (ITO-) Layer 2 is applied. On it is as needed an adhesive layer Λ the z. B. made of titanium, chrome, aluminum and the like can exist. Above the sticky b5 The layer is a soldering pad 4 made of nickel or a nickel alloy intended. The protective layer 5 is either an aluminum PV. Aluminum-silicon. Copper-

Claims (1)

Patentansprüche:Patent claims: I. Verfahren zur Herstellung von temperbaren Dünnfilmschaltungen mit edelmetallfreien und sehr gut lötbaren Leiterbahnschichtsystemen, dadurch gekennzeichnet, daß im Vakuum auf einem isolierenden Substratträger (1) eine ca. 50 nm dicke Haft- oder Widerstandsschicht (Titan, Chrom, Molybdän, Wolfram, Titanwolfram, Aluminium, Nikkei, Nickelchrom, Tantalnitrid, Tantaialuminium, Zinnindiumoxid und dergleichen) (2, 3), eine 50 bis 2000 nm dicke Lötschicht (4) aus Nicke! oder einer Nickellegierung und darauf eine 10 bis 2500 nm dikke Schutzschicht (5) aus Aluminium, einer Aluminiumlegierung, Kupfer oder Kuofer/Aluminium aufgebracht wird.I. Process for the production of temperable thin-film circuits with precious metal-free and very well-solderable interconnect layer systems, characterized in that in a vacuum an insulating substrate carrier (1) an approx. 50 nm thick adhesive or resistance layer (titanium, chromium, Molybdenum, tungsten, titanium tungsten, aluminum, nikkei, nickel chrome, tantalum nitride, tantalum aluminum, Tin indium oxide and the like) (2, 3), a 50 to 2000 nm thick solder layer (4) made of Nicke! or one Nickel alloy and on top of it a 10 to 2500 nm thick protective layer (5) made of aluminum, an aluminum alloy, Copper or Kuofer / aluminum is applied. Z Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lötschicht (4) aus Nickel oder einer Nickellegierung zugleich eine Haftschicht (3) istZ method according to claim 1, characterized in that that the soldering layer (4) made of nickel or a nickel alloy is at the same time an adhesive layer (3) 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nach den Temperaturprozessen die Schutzschicht (5) durch Ätzverfahren vor dem Löten entfernt wird.3. The method according to claim 1, characterized in that after the temperature processes Protective layer (5) is removed by etching before soldering.
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