DE3034552C2 - Magnetic card reader - Google Patents
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Description
Hierbei wird die Temperaturabhängigkeit des ohmschen Widerstandes der üblicherweise am Kupferdraht bestehenden Lesewicklung benutzt Damit entfällt die Notwendigkeit, einen eigenen Temperatursensor am Magn-etkopf anzubringen.Here, the temperature dependency of the ohmic resistance is usually that of the copper wire existing reading winding is used Magnet head to be attached.
In einer bevorzugten Ausführungsforni dient die Lesewicklung als vierter Widerstand einer Wheatstone-'schen Brückenschaltung. Das an der Brückendiagonale anstehende elektrische Signal ist hierbei ein Maß für die Abweichung vom Temperatursollwert des Magnetkopfes. In a preferred embodiment, the reading winding serves as the fourth resistance of a Wheatstone Bridge circuit. The pending electrical signal on the bridge diagonal is a measure for the Deviation from the temperature setpoint of the magnetic head.
Es ist vorteilhaft, wenn die Klemmen der Brückendiagonale der Wheatstone'schen Brückenschaltung an die Eingänge eines Operationsverstärkers angeschlossen sind, der ausgangsseitig über einen ersten Widerstand mit dem Steueranschluß des Halbleiterelementes verbunden ist. Damit ist eine kostengünstige und funktionssichere Regelanordnung vorgegeben,· durch die das Halbleiterelement analog, d. h. in Abhängigkeit von der Größe der Temperaturabweichung mehr oder weniger aufgesteuert wird, so daß gerad-i der zum Erreichen bzw. Aufrechterhalten der Solltemperatur des Magnetkopfes benötigte Strom in die Lesewicklung eingespeist wird.It is advantageous if the terminals of the bridge diagonal of the Wheatstone bridge circuit connected to the inputs of an operational amplifier are, the output side via a first resistor to the control terminal of the semiconductor element connected is. A cost-effective and functionally reliable control arrangement is thus specified by which the semiconductor element analog, d. H. depending on the size of the temperature deviation more or is turned up less, so that straight-i the to Achieving or maintaining the target temperature of the magnetic head required current in the reading winding is fed in.
Als kostengünstiges und funktionssicheres Halbleiterelement kann ein Transistor dienen In einer bevorzugten Ausführungsform sind der Transistor sowie die Wheatstone'sche Brückenschaltung in Reihenschaltung an die Klemmen der Versorgungsgleichspannung angeschlossen. Es ist vorteilhaft, wenn der erste Widerstand Bestandteil eines Spannungsteilers ist, dessen zweiter Widerstand mit dem Kollektor des Transistors verbunden ist Damit ist gewährleistet, daß — so lange keine Magnetkarte gelesen wird — die Ausgangsspannung an den Klemmen der Brückendiagonale der Wheatstone'schen Brückenschaltung nicht schon allein deshalb zu Null wird, weil an der Brückenschaltung keine Spannung mehr ansteht.In a preferred embodiment, a transistor can serve as an inexpensive and functionally reliable semiconductor element Embodiment are the transistor and the Wheatstone bridge circuit in series connected to the terminals of the DC supply voltage. It is beneficial if the first Resistance is part of a voltage divider whose second resistor is connected to the collector of the This ensures that - as long as no magnetic card is read - the Output voltage at the terminals of the bridge diagonal of the Wheatstone bridge circuit is not If only for one reason it becomes zero because there is no longer any voltage on the bridge circuit.
Als Lagesensor kann eine Lichtschranke dienen. Hierbei kann als Lichtschranke eine Leuchtdioden-Fototransistor-Einheit dienen, wobei das Ausgangssignal des Fototransistors an den Steueranschluß eines Schaltelementes, vorzugsweise eines Schalttransistors, geführt ist, dessen Schaltstrecke den Steueranschluß des Halbleiterelementes mit der einen Klemme der Versorgungsgleichspannung verbindet. Damit wird das Halbleiterelement in einfacher Weise während des Lesevorganges der auf einer Magnetkarte enthaltenen Information in den nichtleitenden Zustand gesteuert, so daß eine einwandfreie Ablesung der Magnetkarte ohne so Beeinträchtigung der auf der Magnetkarte enthaltenen Information stattfinden kann.A light barrier can serve as a position sensor. A light-emitting diode phototransistor unit can act as a light barrier serve, the output signal of the phototransistor to the control terminal of a Switching element, preferably a switching transistor, is performed, the switching path of which the control terminal of the Semiconductor element connects to one terminal of the DC supply voltage. So that becomes Semiconductor element in a simple manner during the reading process of the contained on a magnetic card Information controlled in the non-conductive state, so that a proper reading of the magnetic card without so Impairment of the information contained on the magnetic card can take place.
In einer bevorzugten Ausführungsform sind die Widerstände der Wheatstone'schen Brückenschaltung so dimensioniert, daß sich die Brückenschaltung bei der Solltemperatur des Magnetkopfes im abgeglichenen Zustand befindet. Damit ist ohne weiteren Aufwand erreicht, daß bei der Solltemperatur des Magnetkopfes die Ausgangsspannung an den Klemmen der Brückendiagonale zu Null wird. feo In a preferred embodiment, the resistors are of the Wheatstone bridge circuit dimensioned so that the bridge circuit is calibrated at the target temperature of the magnetic head State. This achieves that at the setpoint temperature of the magnetic head without any further effort the output voltage at the terminals of the bridge diagonal becomes zero. feo
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert The invention is explained in more detail below with reference to an embodiment shown in the figure
Die Lesewicklung ist hierbei mit Rc11 bezeichnet. Sie wandelt auf Grund der Flußänderungen bei Vorbeifüh- b5 ren einer Magnetkarte die auf der Magnetkarte enthaltene Information in Spannungssignale Ui.. Solche Lesewicklungen sind im allgemeinen so dimensioniert, daß sie Verlustleistungen von über 1 Watt bei +200C aushalten.The reading winding is denoted by Rc 11 here. It converts due to the flux changes in Vorbeifüh- b5 ren a magnetic card, the information contained on the magnetic card into voltage signals Ui .. Such reading windings are dimensioned in general so that they can withstand power losses of more than 1 watt at +20 0 C.
Um den Magnetkopf bei einer Umgebungstemperatur von —300C auf einer Solltemperatur +50C zu halten, ist lediglich eine Leistung von etwa 0,5 W erforderlich. Daher ist es ohne Veränderung der Lesewicklung möglich, sie als Heizelement zu verwenden. In order to keep the magnetic head at an ambient temperature of -30 0 C to a set temperature +5 0 C, only a power of about 0.5 W is required. Therefore, without changing the reading winding, it is possible to use it as a heating element.
Übliche Lesewicklungen bestehen aus Kupferdraht, der einen Temperaturkoeffizienten von 0,0043 1/°K aufweist Da die Widerstandsänderung der Lesewicklung proportional zur Temperatur der Lesewicklung und damit des Magnetkopfes erfolgt stellt der aktuelle Wert des Widerstandes der Lesewicklung ein Maß für die Temperatur des Magnetkopfes dar. Von dieser Erkenntnis wird bei dem in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiel Gebrauch gemachtUsual read windings consist of copper wire, which has a temperature coefficient of 0.0043 1 / ° K Since the change in resistance of the reading winding is proportional to the temperature of the reading winding and thus the magnetic head takes place, the current value of the resistance of the read winding represents a measure for represents the temperature of the magnetic head. This knowledge is illustrated in the figure Embodiment made use
Die Lesewicklung Ra, ist hierbei mit den Widerständen Al, RI und R3 zu einer Wheatstone'schen Brückenschaltung W verbunden und über die Steuerstrecke des Transistors Vi an die Eingangsklemmen 1 und 2 angeschlossen, wobei die Eingangsklemme 1 das Bezugspotential LO und die Klemme 2 die positive Versorgungsgleichspannung Up führt. Hierbei ist es wichtig, daß die Widerstände R1, R 2 und R 3 einen gegenüber Kupfer kleinen Temperaturkoeffizienten aufweisen.The read winding Ra is here connected to the resistors Al, RI and R 3 to form a Wheatstone bridge circuit W and connected to the input terminals 1 and 2 via the control path of the transistor Vi , the input terminal 1 being the reference potential LO and the terminal 2 being the carries positive DC supply voltage Up. It is important here that the resistors R 1, R 2 and R 3 have a temperature coefficient that is smaller than that of copper.
Die Wheatstone'sche Brückenschaltung W ist so abgeglichen, daß bei der Solltemperatur des Magnetkopfes die Gleichung R VRCu = R 3/R 2 gilt.The Wheatstone bridge circuit W is balanced in such a way that the equation R VR Cu = R 3 / R 2 applies at the setpoint temperature of the magnetic head.
Die an den Klemmen 3 und 4 der Brückendiagonale der Brückenschaltung W auftretende Ausgangsspannung Ub ist an die Eingangsklemmen des Operationsverstärkers D\ geführt, der über die Leitungen /1 und /2 zur Spannungsversorgung an die Klemmen 1 und 2 der Versorgungsgleichspannung angeschlossen ist Der Operationsverstärker D1 ist ausgangsseitig über den ersten Widerstand R 5 mit der Basis des als Halbleiterelement eingesetzten Transistors Vl verbunden. Sinkt die Isttemperatur des Magnetkopfes und damit der Lesewicklung Reu unter die Solltemperatur, befindet sich die Brückenschaltung IV nicht mehr in abgeglichenen Zustand.The output voltage Ub appearing at terminals 3 and 4 of the bridge diagonal of the bridge circuit W is fed to the input terminals of the operational amplifier D \ , which is connected to terminals 1 and 2 of the DC supply voltage via the lines / 1 and / 2. The operational amplifier D 1 is connected on the output side via the first resistor R 5 to the base of the transistor Vl used as a semiconductor element. If the actual temperature of the magnetic head and thus the reading winding Reu falls below the target temperature, the bridge circuit IV is no longer in a balanced state.
Die dabei zwischen den Klemmen 3 und 4 auftretende Spannung Ub bewirkt über den Operationsverstärker Dl ein Aufsteuern des Transistors Vl, so daß die Lesewicklung Reu vom Heizstrom /1 durchflossen wird. Der in den Widerständen R 2 und R 3 fließende Strom /2 kann durch Dimensionierung dieser Widerstände wesentlich kleiner als der Heizstrom /1 gewählt werden, so daß keine unnötige Verlustleistung auftritt. The voltage U b occurring between the terminals 3 and 4 causes the transistor Vl to be turned on via the operational amplifier Dl, so that the heating current / 1 flows through the reading winding Reu. The current / 2 flowing in the resistors R 2 and R 3 can be selected to be significantly smaller than the heating current / 1 by dimensioning these resistors, so that no unnecessary power loss occurs.
Da auch dann, wenn die an der Reihenschaltung des Widerstandes R1 und der Lesewicklung RCu anstehende Spannung U3 den Wert Null annimmt, die Brückenausgangsspannung Ub zwischen den Klemmen 3 und 4 ebenfalls zu Null wird, ohne daß sich die Brücke im abgeglichenen Zustand befinden muß, ist durch Einfügen eines zweiten Widerstandes R 4 zwischen dem Basisanschluß des Transistors Vl und der Klemme 2 der Versorgungsgleichspannung ein aus den Widerständen /?4 und R 5 bestehender Spannungsteiler gebildet, der die minimale Spannung Ua nach unten hin begrenzt. Solange die Lesewicklung Reu vom Heizstrom /1 durchflossen ist, kann die auf einer Magnetkarte enthaltene Information nicht gelesen werden,daSince even when the voltage U 3 applied to the series circuit of the resistor R 1 and the read winding R Cu assumes the value zero, the bridge output voltage Ub between terminals 3 and 4 also becomes zero without the bridge being in the balanced state must, by inserting a second resistor R 4 between the base connection of the transistor Vl and the terminal 2 of the DC supply voltage, a voltage divider consisting of resistors /? 4 and R 5 is formed, which limits the minimum voltage U a downwards. As long as the reading winding Reu has heating current / 1 flowing through it, the information contained on a magnetic card cannot be read because
1. der Magnetkopf in Sättigung ist,1. the magnetic head is saturated,
2. die Lesewicklung sehr niederohmig belastet ist und2. the reading winding is loaded with a very low resistance and
3. durch die Gleichstrom-Magnetisierung der Lese-3. through the direct current magnetization of the reading
wicklung Reu die Information auf der Magnetkarte gelöscht werden würde.winding Reu the information on the magnetic card would be erased.
Um dies zu verhindern, ist eine Lichtschranke D 2, bestehend aus einer Leuchtdioden-Fototransistor-Einheit, vorgesehen, die so in der Bahn der Magnetkarte angeordnet ist, daß vor dem Vorbeilaufen der Magnetkarte am Magnetkopf über den Transistor Vl der Heizstrom / 1 abgeschaltet wird. Die Lichtschranke D 2 stellt keinen zusätzlichen Aufwand bei einem Magnetkartenleser dar, da sie in den Lesern ohnehin vorhanden ist und für die Auswertung der Karteninformation benutzt wird. Die Leuchtdiode der Lichtschranke Dl ist über den Strombegrenzungswiderstand R 6 an die Klemmen 1 und 2 der Versorgungsgleichspannung angeschlossen. Der Emitter des Fototransistors der Lichtschranke D2 ist direkt an die das Bezugspotential U0 führende Klemme 1 angeschlossen, wohingegen der Kollektor mit der Basis eines Schalttransistors V2 verbunden ist. Die Basis dieses Schalttransistors V2 ist über den Basiswiderstand R 7 an die Klemme 2 der Versorgungsgleichspannung angeschlossen, während der Emit- To prevent this, a light barrier D 2, consisting of a light-emitting diode phototransistor unit, is provided, which is arranged in the path of the magnetic card that the heating current / 1 is switched off via the transistor Vl before the magnetic card passes the magnetic head . The light barrier D 2 does not represent any additional expense with a magnetic card reader, since it is already present in the readers and is used for evaluating the card information. The light-emitting diode of the light barrier Dl is connected to the terminals 1 and 2 of the DC supply voltage via the current limiting resistor R 6. The emitter of the phototransistor of the light barrier D 2 is connected directly to the terminal 1 carrying the reference potential U 0 , whereas the collector is connected to the base of a switching transistor V2 . The base of this switching transistor V2 is connected to terminal 2 of the DC supply voltage via the base resistor R 7, while the emitting
■> ter ebenfalls mit der Klemme 1 verbunden ist. Der■> ter is also connected to terminal 1. Of the
Kollektor des Schalttransistors V2 ist mit dem Basisanschluß des Transistors Vl verbunden. Wird der Phototransistor der Lichtschranke D2 durch eine Magnetkarte abgeschattet, wird über denThe collector of the switching transistor V2 is connected to the base terminal of the transistor Vl. If the phototransistor of the light barrier D2 is shaded by a magnetic card, the
1(1 Schalttransistor V2 der Transistor Vl in den Sperrzustand geschaltet, so daß der Fluß des Heizstromes /1 durch die Lesewicklung Reu unterbrochen ist und eine einwandfreie Ablesung der auf der Magnetkarte gespeicherten magneti- 1 (1 switching transistor V2, the transistor Vl is switched to the blocking state, so that the flow of the heating current / 1 through the reading winding Reu is interrupted and a correct reading of the magnetic card stored on the magnetic card
ir> sehen Information ermöglicht ist, wobei an der Klemme 4 der Brückenschaltung W die der magnetischen Information entsprechende Impulsspannung Ui. zur Weiterverarbeitung abgenommen werden kann.i r > see information is enabled, with the pulse voltage Ui corresponding to the magnetic information at terminal 4 of the bridge circuit W. can be removed for further processing.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
Claims (10)
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß als Heizelement die Lesewicklung dient, daß das Halbleiterelement zur Lesewicklung in Reihe geschaltet ist und daß ein Lagesensor für Magnetkarten vorgesehen ist, der im Durchzugsweg der Magnetkarten vor dem Magnetkopf angeordnet ist, durch dessen Ausgangssignal beim Passieren einer Magnetkarte das Halbleiterelement ausgeschaltet wird. Durch die Nutzung der ohnehin bei einem Magnetkopf erforderlichen Lesewicklung als Heizelement kann auf den Einsatz und die Anbringung eines eigenen, masseerhöhenden Heizelementes verzichtet werden. Damit wird der Kosten-und Montageaufwand verringert. Durch den Lagesensor für Magnetkarten wird die Abschaltung des Heizstroms durch die Lesewicklung immer kurz vor dem eigentlichen Lesevorgang der auf der Magnetkarte enthaltenen Information ausgelöst, da ansonsten der Lesevorgang beeinträchtigt werden würde.
Als Temperatursensor kann die Lesewicklung dienen.The invention is based on the object of designing a magnetic card reader of the type mentioned at the outset so that it can be heated at low cost and without increasing its inertial mass.
The object is achieved according to the invention in that the reading winding serves as the heating element, that the semiconductor element is connected in series for the reading winding and that a position sensor for magnetic cards is provided, which is arranged in the passage of the magnetic cards in front of the magnetic head, through its output signal when passing a magnetic card the semiconductor element is turned off. By using the reading winding, which is required anyway in a magnetic head, as a heating element, the use and attachment of a separate, mass-increasing heating element can be dispensed with. This reduces the cost and installation effort. Due to the position sensor for magnetic cards, the heating current is always switched off by the reading winding shortly before the actual reading process of the information contained on the magnetic card, as otherwise the reading process would be impaired.
The reading winding can serve as a temperature sensor.
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1980
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Non-Patent Citations (1)
Title |
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NICHTS-ERMITTELT |
Also Published As
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DE3034552A1 (en) | 1982-04-01 |
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