DE3033457C2 - A method of manufacturing a PN junction infrared detector array - Google Patents

A method of manufacturing a PN junction infrared detector array

Info

Publication number
DE3033457C2
DE3033457C2 DE3033457A DE3033457A DE3033457C2 DE 3033457 C2 DE3033457 C2 DE 3033457C2 DE 3033457 A DE3033457 A DE 3033457A DE 3033457 A DE3033457 A DE 3033457A DE 3033457 C2 DE3033457 C2 DE 3033457C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
surface layer
properties
conductive
heating step
junction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3033457A
Other languages
German (de)
Other versions
DE3033457A1 (en
Inventor
Maurice Victor Woolston Southampton Blackman
Michael David Purlieu Southampton Hampshire Jenner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BAE Systems Electronics Ltd
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority to DE3033457A priority Critical patent/DE3033457C2/en
Publication of DE3033457A1 publication Critical patent/DE3033457A1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE3033457C2 publication Critical patent/DE3033457C2/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/103Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
    • H01L31/1032Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type the devices comprising active layers formed only by AIIBVI compounds, e.g. HgCdTe IR photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1828Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
    • H01L31/1832Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe comprising ternary compounds, e.g. Hg Cd Te

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

Verfahren zur Hersteilung einer einen PN-Übergang aufweisenden Infrarot-Detektoranordnung.Method for producing a PN junction having infrared detector array.

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer einen PN-Übergang aufweisenden Infrarot-Detektoranordnung entsprechend dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The invention relates to a method for producing an infrared detector arrangement having a PN junction according to the preamble of claim 1.

In der britischen Patentschrift 15 68 958 ist ein derartiges Verfahren zur Herstellung einer Infrarot-Detektoranordnung beschrieben, bei dem wenigstens ein Teil einer Oberfläche eines Körpers aus Quecksilbercadmiumtellurid einer Umwandlungsbehandlung unterworfen wird, um eine Oberflächenschicht auf dem Körper zu erzeugen, wonach ein Erhitzungsschritt durchgeführt wird. In den in der genannten GB-PS 15 68 958 beschriebenen Detektoranordnungen wird die Oberflächenschicht durch elektrolytische Anodisierung dss Quecksilbercadmiumtellurids erzeugt und dazu verwendet, auf der Oberfläche des Körpers der Anordnung eine schützende und passivierende Schicht anzubringen, die die Detektionsfähigkeit der Anordnung vergrößert Der Erhitzungsschritt ist eine beliebige Ausheizbehandlung für die Detektoranordnung bei einer Temperatur im Bereich von 60°C—700C, die dazu dienen kann, die Eigenschaften der Anordnung zu verbessern, z. B. dadurch, daß das Quecksilbercadmiumtelluridmaterial der Detektoranordnung ausgeglüht wird. Diese anodische passivierende Oberflächenschicht wird insbesondere, aber nicht ausschließlich auf photoleitenden Detektoren erzeugt, und zwar auf Detektoren, bei denen die Wirkung auf der Eigenphotoleitfähigkeit des Quecksilbercadmiumtellurids basiert. In der GB-PS 15 68 958 ist aber auch erwähnt, daß eine solche anodische passivierende Schicht auf der Oberfläche eines Körpers einer photovoltaischen Detektoranordnung erzeugt werden kann. In diesem Falle wird ein PN-Übergang zunächst auf eine bereits bekannte Weise in dem Quecksilbercadmiumtelluridkörper gebildet, wonach die passivierende Oberflächenschicht durch elektrolytische Anodisierung wenigstens eines Teiles der Hauptfläche des Detektorelements gebildet wird, über die die zu detektierende einfallende Strahlung zum PN-Übergang fließt. Die Wirkung eines photovoltaischen Detektors basiert auf der Erzeugung einer Photospannung durch den photoempfindlichen PN-Übergang und somit ist die Qualität für diesen Übergang von wesentlicher Bedeutung für die Erhaltung günstiger Detektoreigenschaften. Die in der GB-PS 15 68 958 beschriebene Erfindung einer Anodisierungsbehandlung bezieht sich nicht auf die Bildung eines photoempfindlichen PN-Übergangs und tatsächlich auch nicht auf irgend einen PN-Übergangstyp.In British patent specification 15 68 958 such a method for manufacturing an infrared detector arrangement is described in which at least part of a surface of a body of mercury cadmium telluride is subjected to a conversion treatment in order to produce a surface layer on the body, after which a heating step is carried out. In the detector arrangements described in the aforementioned GB-PS 15 68 958, the surface layer is produced by electrolytic anodization of the mercury cadmium telluride and used to apply a protective and passivating layer on the surface of the body of the arrangement, which increases the detection capability of the arrangement any baking treatment for the detector array at a temperature in the range of 60 ° C-70 0 C which can serve to improve the properties of the assemblage, such. B. in that the mercury cadmium telluride material of the detector arrangement is annealed. This anodic passivating surface layer is produced in particular, but not exclusively, on photoconductive detectors, specifically on detectors in which the effect is based on the intrinsic photoconductivity of the mercury cadmium telluride. However, GB-PS 15 68 958 also mentions that such an anodic passivating layer can be produced on the surface of a body of a photovoltaic detector arrangement. In this case, a PN junction is first formed in the mercury cadmium telluride body in a known manner, after which the passivating surface layer is formed by electrolytic anodization of at least part of the main surface of the detector element, over which the incident radiation to be detected flows to the PN junction. The effect of a photovoltaic detector is based on the generation of a photo voltage by the photosensitive PN junction and thus the quality of this junction is of essential importance for maintaining favorable detector properties. The anodizing treatment invention described in GB-PS 15 68 958 does not relate to the formation of a photosensitive PN junction, and in fact not to any type of PN junction.

Da in gewissen Hinsichten photovoltaische Detektoren potentiell als de" photoleitenden Detektoren überlegen betrachtet werden, was z. B. ihrer größeren Ansprechgeschwindigkeit, Jirer niedrigeren Verlustleistung und der Möglichkeit ihrer Wirkung ohne eine äußere Vorspannungsquelle zuzuschreiben ist, hat sich während längerer Zeit der Bedarf ergeben, photovoltaische Detektoren herzustellen, wobei das oder jedes Element des Detektors aus Quecksilbercadmiumtellurid besteht Dies erfordert die Erzeugung von PN-Übergängen hoher Güte im Material und die Bildung von Kontakten mit den Gebieten auf gegenüberliegenden Seiten der PN-Übergänge. PN-Übergänge hoher Güte eignen sich auch besonders gut für Isolierungszwecke in photoleitenden Detektoren.Since in certain respects photovoltaic detectors are potentially superior as de "photoconductive detectors be considered what z. B. their faster response speed, Jirer lower power dissipation and ascribed to the possibility of their action without an external source of bias voltage there has long been a need to manufacture photovoltaic detectors, the or each element of the detector consists of mercury cadmium telluride. This requires the creation of PN junctions high quality in the material and the formation of contacts with the areas on opposite sides Pages of the PN junctions. High quality PN junctions are also particularly well suited for isolation purposes in photoconductive detectors.

Es wurden mehrere verschiedene Verfahren zur Bildung von PN-Übergängen in Quecksilbercadmiumtellurid vorgeschlagen. Es wurde gefunden, daß die elektrischen Eigenschaften des Materials dadurch beeinflußt werden können, daß ein stöchiometrisches Ungleichgewicht der Bestandteile des Materials herbeigeführt wird oder eine Dotierung mit einem Fremdeiement stattfindet Im ersteren Falle können N-leitende Eigenschaften durch Zwischengittercadmium- oder Quecksilberatonie und können P-Ieitende Eigenschaften durch Quecksilber- und/oder Cadmiumieersleüen ud?r Zwischengitterstelluratome herbeigeführt werden.Several different methods have been used to form PN junctions in mercury cadmium telluride suggested. It has been found that this affects the electrical properties of the material can be that a stoichiometric imbalance of the constituents of the material is brought about or doping with a foreign element takes place In the former case, N-conductive properties can be caused by interstitial cadmium or mercury consultancy and can P-conductive properties through mercury and / or Cadmiumieersleüen and interstitial stellur atoms be brought about.

Bei der Bestimmung der Leitungseigenschaften von Quecksilbercadmiumtellurid muß Rücksicht auf die Temperatur genommen werden, bei der die genannten Eigenschaften wahrgenommen oder benutzt werden, weil derartige Eigenschaften temperaturabhängig sind, in dem Sinne, daß für Material einer besonderen Zusammensetzung eine Temperatur besteht, bei der eine Umkehr der Leitungseigenschaften stattfinden kann. So weisen z. B. gewisse Materialzusammensetzungen, die zur Bildung der Elemente von Detektoren für Betrieb bei 77° K benutzt werden, N-leitende Eigenschaften bei der Umgebungstemperatur auf, während sie dagegen bei der Betriebstemperatur P-Ieitende Eigenschaften aufweisen. Außerdem ist es für gewisse Materialzusammensetzungen, bei denen die Leitungseigenschaften eines besonderen Gebietes in dem Körper durcSr einen Überschuß oder ein Defizit an einem der Bestandteile herbeigeführt werden, möglich, daß das Vorhandensein vo.i PN-Übergangseigenschaften bei einer gewissen Temperatur, z. B. bei der Umgebungstemperatur, nicht wahrnehmbar ist, aber daß solche PN-Übergangseigenschaften natürlich bei einer anderen Temperatur, und zwar der beabsichtigten Betriebstemperatur, die z. B. 770K sein kann, wahrgenommen und benutzt werden können. Außerdem ist der Ausdruck »Eigenschaften eines gewissen Leitungstyps bei einer gewissen Temperatur« in weitem Sinne aufzufassen, derart, daß diese Eigenschaften in einem Temperaturbereich vorherrschen können, innberhalb dessen die genannte gewisse Temperatur liegt.When determining the conductivity properties of mercury cadmium telluride, consideration must be given to the temperature at which the properties mentioned are perceived or used, because such properties are temperature-dependent, in the sense that for material of a particular composition there is a temperature at which a reversal of the Conduction properties can take place. So show z. B. certain material compositions that are used to form the elements of detectors for operation at 77 ° K, N-conductive properties at the ambient temperature, while they have P-conductive properties at the operating temperature. In addition, for certain material compositions in which the conductive properties of a particular area in the body are brought about by an excess or deficit of one of the constituents, it is possible that the presence of PN junction properties at a certain temperature, e.g. B. at the ambient temperature, is not perceptible, but that such PN junction properties of course at a different temperature, namely the intended operating temperature, the z. B. 77 0 K can be perceived and used. In addition, the expression "properties of a certain conductivity type at a certain temperature" is to be interpreted in a broad sense, in such a way that these properties can prevail in a temperature range within which said certain temperature lies.

Un (inen an die Oberfläche grenzenden Teil eines Körpers aus einem Material, das bei der Betriebstemperatur des Detektois P-Ieitende Eigenschaf te α aufweist, in Material mit N-Ieitenden Eigenschaften bei dieser Temperatur umzuwandeln, kann bekanntlich Quecksilber in einen derartigen P-Ieitenden Körper dadurch eindiffundiert werden, daß der Körper und eine Menge Quecksilber in einer abgedichteten Kapsel erhitzt werden. Unter Verwendung dieses Vorgangs ist« möglich, ziemlich flache PN-Übergänge zu erzeugen und ein Detektorelement aus einem derartigen Körper dadurch herzustellen, daß eine Mesastruktur gebildet wird, aberIt is known that mercury can be converted into such a P-conductive body in a part of a body bordering the surface, made of a material that has P-conductive properties α at the operating temperature of the detector by heating the body and a quantity of mercury in a sealed capsule. Using this process it is possible to create fairly shallow PN junctions and to make a detector element from such a body by forming a mesa structure, but

dabei bleibt der PN-Übergang an den Seitenflächen des Elements ungeschützt Dies ist unerwünscht, es sei denn, daß besondere Maßnahmen getroffen werden, um die Seitenflächen zu schützen. Außerdem erfordert, wennthe PN junction on the side surfaces of the element remains unprotected.This is undesirable unless that special measures are taken to protect the side surfaces. Also requires if

ein aus einer Anzahl von Detektorelementen bestehender Detektor gebildet werden soll, die Erzeugung der Elemente in einem gemeinsamen Körper geregelte Ätztechniken, während die Anbringung von Kontakten bei den einzelnen Mesa-Elemenien Probleme ergibt, wenigstens sofern es nicht gut möglich ist, ein gedrucktes Kontaktmuster bei den Gebieten an den oberen Flächen der einzelnen Detektorelemente zu verwenden.a detector consisting of a number of detector elements is to be formed, the generation of the Elements in a common body are regulated etching techniques while making contacts gives problems to the individual mesa elements, at least if it is not well possible, a printed contact pattern in the areas on the upper surfaces of the individual detector elements to be used.

Zur Herstellung sogenannter »planarer« Detektorelemente ist es bekannt, in einem anfänglichen homogenen Körper von einem bestimmten Leitungstyp lokalisierte Gebiete vom entgegengesetzten Leitungstyp dadurch zu erzeugen, daß ein Fremdelement, z. B. Aluminium, selektiv in das Kristallgitter durch Diffusion oder Ionenimplantation eingeführt wird, v.'obei eine Schicht auf der Oberfläche selektiv gegen eine solche Einführung einer Dotierung maskiert. Die Erzeugung geeigneter Maskierungsschichten und die Durchführung von DouCrungsiechnikeri haben »ich jcrfüch als zeitraubend und, sofern es die letzteren Techniken anbelangt, als aufwendig erwiesen.For the production of so-called »planar« detector elements it is known to be localized in an initial homogeneous body of a certain conductivity type To generate areas of the opposite conductivity type in that a foreign element, e.g. B. aluminum, is selectively introduced into the crystal lattice by diffusion or ion implantation, v. with a layer selectively masked on the surface against such introduction of a doping. The generation of more suitable Masking layers and performing doubling techniques have "I found it time consuming and, as far as the latter techniques are concerned, have proven to be laborious.

Es sind andere Verfahren bekannt, um PN-Übergänge in Quecksilbercadmiumtellurid zu bilden. Diese umfassen die Anbringung von Schichten verschiedener Leitungstypen durch Epitaxie aus der Dampfphase, die Implantation von Quecksilber unter Verwendung einer Photoresistmaskierung, die Zerstäubung von Gold oder Aluminium in durch Zerstäubung abgelagertes Quecksilbercadmiumtellurid, sowie die Diffusion von Gold aus einer abgelagerten goldhaltigen Schicht.Other methods are known for forming PN junctions in mercury cadmium telluride. These include the application of layers of different conduction types by epitaxy from the vapor phase, the Implantation of mercury using a photoresist mask, the sputtering of gold or Aluminum in sputter deposited mercury cadmium telluride, as well as the diffusion of gold out a deposited gold-bearing layer.

Aus der US-PS 41 32 999 ist es bekannt, durch eine auf einem Quecksilbercadmiumtellurid-Körper abgeschiedene CdTe-Schicht Quecksilber eindiffundiert, um einen PN-Übergang zu erzeugen.From US-PS 41 32 999 it is known by a CdTe layer deposited on a mercury cadmium telluride body diffused in to mercury create a PN junction.

Weiter ist es aus der US-PS 41 37 544 bekannt, auf einem Quecksilbercadmiumtellurid-Körper eine Oberflächenschicht durch anodische Oxidation zu erzeugen.It is also known from US-PS 41 37 544, a surface layer on a mercury cadmium telluride body by anodic oxidation.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten An so auszugestalten, daß mit verhältnismäßig geringem Aufwand und ohne Verwendung einer zusätzlichen äußeren Quelle in einem Quecksilbercadmiumtellurid-Körper einen PN-Übergang erzeugt wird, wobei dieser PN-Übergang erwünschtenfalls auf einem Oberflächenteii lokalisiert v/erden kann.The invention is based on the object of a method of the type mentioned in such a way that with relatively little effort and without Using an additional external source in a mercury cadmium telluride body creates a PN junction is generated, this PN junction if desired can be localized on a surface part.

Diese Aufgabe wird beim gattungsgemäßen Verfahren durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.This object is achieved in the generic method by the characterizing features of the claim 1 solved.

Dieses Verfahren basiert auf der überraschenden Entdeckung, daß es möglich ist, auf reproduzierbare Weise einen PN-Übergang genügend hoher Güte für einen Detektor (z. B. zur Anwendung als der photoempfindliche Übergang einer photovoltaischen Detektoranordnung) zu bilden, und zwar durch das einfache Verfahren einer Entnahme eines Elementbestandteiles des genannten Körpers von dem Körpermaterial selbst (ΐ- B. durch eine elektrolytische Anodisierungsbehandlung) als Quelle zum Erhalten η-leitender Eigenschaften und durch anschließende Erhitzung auf eine Temperatur über 100"'C, um den genannten Elementbestandteil wieder in das darunterliegende Gebiet einzuführen und den genannten PN-Übergang zu bilden. Außerdem kann diese Quelle leicht auf einer Körperoberfläche lokalisiert werden, so daß sogar planare Detektorelemente auf diese einfache Weise gebildet werden können.This method is based on the surprising discovery that it is possible to reproducibly form a PN junction of sufficiently high quality for a detector (e.g. for use as the photosensitive junction of a photovoltaic detector array) by the simple method a removal of an element component of the said body from the body material itself (e.g. by an electrolytic anodizing treatment) as a source for obtaining η-conductive properties and by subsequent heating to a temperature above 100 "C to bring the said element component back into the underlying one In addition, this source can easily be localized on a body surface, so that even planar detector elements can be formed in this simple manner.

So liegt bei einer wichtigen Ausführungsform des Verfahrens nach der Erfindung während des Erhitzungsschriues die genannte Oberflächenschicht örtlich auf einem Teil einer Hauptfliiche des Körpers, während das darunterliegende Gebiei mit N-Ieitenden Eigenschaften, das durch die genannte Einführung des Elements erzeugt wird, nur örtlich an die genannte Hauptfläche grenzt, so daß sich der gebildete PN-Übergang bis zu der Hauptfläche erstreckt, derart, daß er wenigstens teilweise an der genannten llauptfläche endet. Vorteile einer derartigen planaren Struktur, /.. B. in bezug auf die Anbringung von Kontakten, wurden bereits früher beschrieben, aber wie nachstehend beschrieben werden wird, kann diese Ausführungsform des Verfahrens nach der Erfindung für die Herstellung vieler verschiedener Detektoranordnungen, einschließlich monolithischer Kofigurationen, verwendet werden.
Vorzugsweise wird die die Elementquelle enthaltende Oberflächenschicht auf Quecksilbercadmiumtellurid erzeugt, das bei der Betriebstemperatur der Anordnung die eigenschaften P-Ieitenden Materials aufweist, so daß der Erhitzungsschritt bewirkt, daß das genannte darunterliegende Gebiet die Eigenschaften N-Ieitenden Materials bei der Betriebstemperatur der Anordnung erhält, während der nächstliegende Teil des Körpers die P-Ieitenden Eigenschaften beibehält, um den PN-Übergang in dem Körper zu bilden. Dieser Vorgang geht besonders einfach vor sich. Ein komplexerer Vorgang kann jedoch verwendet werden, bei dem die Oberflächenschicht auf Quecksilbercadmiumtellurid erzeugt wird, dia bei der Betriebstemperatur der Anordnung die Eigenschaften N-Ieitenden Materials aufweist, und bei dem der Erhitzungsschritt bewirkt, daß das darunterliegende Gebiet die N-Ieitenden Eigenschaften infolge der Einführung des Elements von der Oberflächenschicht beibehält, während der nächstliegende Teil des Körpers durch den Erhitzungsschritt in Material umgewandelt wird, das bei der Betriebstemperatur der Anordnung P-Ieitende Eigenschaften aufweist, wodurch der PN-Übergang in dem Körper gebildet wird. Dieser komplexere Vorgang kann schwieriger auf reproduzierbare Weise durchgeführt und gesteuert werden, insbesondere wenn von einem N-leitenden Körper ausgegangen wird und eine hohe Temperatur im Erhitzungsschritl für die Umwandlung des Leitungstyps erforderlich ist. Bei einer abgewandelten Ausführungsform dieses komplexeren Vorgangs, die jedoch mehr Verfahrensschritte erfordert, wird von einem Körper aus Quecksilbercadmiumtellurid ausgegangen, der bei der Betriebstemperatur der Anordnung die Eigenschaften P-leitenden Materials aufweist, wobei vor der Erzeugung der Oberflächenschicht Quecksilber in mindestens eine Oberfläche des Körpers eindiffundiert wird, um einen an die überwache grenzenden Teil des Körpers zu bilden, der bei der Betriebstemperatur der Anordnung die Eigenschaften N-leitenden Materials aufweist; danach wird die Oberflächenschicht auf dem an die Oberfläche grenzenden Teil erzeugt, während der Erhitzungsschritt bewirkt, daß N-leitende Eigenschaften im darunterliegenden Gebiet beibehalten werden und Ausdiffusion von Quecksilber aus einem freigelegten Teil des an die Oberfläche grenzenden Teiles stattfindet, um den genannten Teil in Material umzuwandeln, das bei der Betriebstemperatur der Anordnung die P-leitenden Eigenschaften aufweist.
Thus, in an important embodiment of the method according to the invention, during the heating step, the said surface layer lies locally on a part of a main area of the body, while the underlying area with N-conductive properties, which is produced by the said introduction of the element, is only locally on the said main surface, so that the PN junction formed extends up to the main surface, in such a way that it ends at least partially at said main surface. Advantages of such a planar structure, for example in relation to the attachment of contacts, have already been described earlier, but as will be described below, this embodiment of the method according to the invention can be used for the production of many different detector arrangements, including monolithic configurations, be used.
Preferably, the surface layer containing the element source is produced on mercury cadmium telluride, which has the properties of P-conductive material at the operating temperature of the device, so that the heating step causes the said underlying region to receive the properties of N-conductive material at the operating temperature of the device, while the closest part of the body maintains the P conductivity properties to form the PN junction in the body. This process is particularly easy to do. However, a more complex process can be used in which the surface layer is formed on mercury cadmium telluride, which has the properties of N-type material at the operating temperature of the device, and in which the heating step causes the underlying region to have the N-type properties as a result of the introduction of the element from the surface layer while the closest part of the body is converted by the heating step into material which has P-type properties at the operating temperature of the device, thereby forming the PN junction in the body. This more complex process can be carried out and controlled more difficult in a reproducible manner, in particular if an N-conductive body is assumed and a high temperature is required in the heating step for the conversion of the conductivity type. A modified embodiment of this more complex process, which, however, requires more process steps, is based on a body made of mercury cadmium telluride, which has the properties of P-conductive material at the operating temperature of the arrangement, with mercury diffusing into at least one surface of the body before the surface layer is produced is in order to form a part of the body adjoining the monitor which has the properties of an N-conductive material at the operating temperature of the arrangement; thereafter the surface layer is generated on the part adjoining the surface, while the heating step causes N-type properties to be maintained in the underlying area and outdiffusion of mercury from an exposed part of the part adjoining the surface takes place around said part in material to convert, which has the P-conductive properties at the operating temperature of the arrangement.

Bei einer besonderen bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens nach der Erfindung umfaßt die Behandlung zum Erzeugen der Oberflächenschicht die elektrolyrische Anodisierung des Qiiccksilbercadmiumtcilund.s. Es wurde gefunden, daß es durch elektrolytische Anodisierung und anschließende Erhitzung auf eine Temperatur über 1000C scheibenförmiger Körper aus Queck-In a particularly preferred embodiment of the method according to the invention, the treatment for producing the surface layer comprises the electrolytic anodization of the silver cadmium metal oxide. It has been found that by electrolytic anodization and subsequent heating to a temperature above 100 0 C, disk-shaped bodies made of mercury

7 87 8

silbercadmiumtellurid (Hg(i.,)Cd;rTe) u. a. möglich ist, (a) PN-Übergänge in Material in einem großen Zusam-PN-Übergänge gewünschter Güte und mit photoemp- mensetzungsbereich zu erzeugen,
findlichen Eigenschaften bei der Umgebungstemperatur Die Erhitzung kann bei einer Temperatur im Bereich
in Material zu bilden, das einen Wert von χ im Bereich von 125°C—2700C und während einer Periode im Bevon 0,30—0,35 aufweist, wobei das genannte Material 5 reich von 100 Sekunden bis zu 40 Stunden stattfinden. Je
und die so gebildeten Übergänge z. B. für die Anwen- höher die Temperatur ist, je kürzer ist im allgemeinen
dung in photovoltaischen Detektoren geeignet sind, die die Zeitdauer, die erforderlich ist, um eine geeignete
für de" Betrieb im Wellenlängenbereich von 3—5 μΐπ Umwandlung des Leitungstyps zu bewirken. Außerdem
bei der Umgebungstemperatur bestimmt sind, und (b) hängt die Erhitzungsdauer in großem Maße von der
PN-Übergänge gewünschter Güte und mit photoemp- 10 Dicke der anodisch erzeugten Oberflächenschicht ab,
findlichen Eigenschaften bei 77° K in Material zu bilden, während der Umfang der Quelle der Leitungstypumdas einen Wert von χ im ganzen Bereich von 0,15—0,35 kehr nicht unendlich ist und von der Dicke der Schicht
aufweist, wobei dieses Material und die so gebildeten abhängt. Auch kann es für gewisse Anwendungen, z. B.
Übergänge, abhängig von dem Wert von x, z. B. für die für photovoltaische Infrarotdetektoranordnungen, er- i\ Anwendung in photovoltaischen Detektoren, die für 15 wünscht sein, den PN-Übergang in unmittelbarer Nähe ;': den Betrieb im Wellenlängenbereich von 8—14 μηι bei der Oberfläche zu bilden; daher können unnötig lange ; 77° K bestimmt sind, und für Anwendung in photovoltai- Erhitzungszeiten eine unerwünschte Diffusion des gesehen Detektoren geeignet sind, die für den Betrieb im nannten Materials in den Körper herbeiführen, was zu
Wellenlängenbereich von 3—5μηι bei 77°K bestimmt einem tiefen PN-Übergang führen kann, der schlechte
sind. Der exakte physikalische Mechanismus, durch den 20 Eigenschaften aufweist Unter gewissen Bedingungen g die Umwandlung des Leitungstyps erhalten wird, läßt kann es notwendig sein, Material von der Oberfläche ;V sich nicht völlig erklären, aber angenommen wird, daß nach dem Erhitzungsschritt zu entfernen, um einen fla- ;: im besonderen Falle einer elektrolytischen Anodisie- chen Übergang zu erhalten. | rung von Quecksilbercadmiumtellurid eine Oberflä- Was die Lokalisierung der Oberflächenschicht anbe- ;ä chenschicht erzeugt wird, die reich an Quecksilber ist, 25 langt, kann eine derartige anodisch erzeugte Oberflä- ;i wobei dieses Quecksilber möglicherweise in Form von chenschicht, die sich örtlich auf einem Teil einer großen :·: Quecksilber^I)-oxid eingebaut wird. Der anschließend Fläche erstreckt, dadurch gebildet werden, daß entwe- ■'· durchgeführte Erhitzungsschritt auf eine Temperatur der der genannte Teil der Oberfläche lokal anodisiert ! über 1000C ergibt möglicherweise freies Quecksilber, oder die ganze Oberfläche anodisiert und dann ein Teil ;' das in das darunterliegende Körpermaterial eindiffun- 30 der so gebildeten Oberflächenschicht entfernt wird. ■) diert Zu gleicher Zeit dient die anodisch erzeugte Ober- Durch die Möglichkeit, planare PN-Übergänge nach ; flächenschicht als eine Ausdiffusionsmaske freien der Erfindung auf einfache Weise zu bilden, können
Quecksilbers von dem unterliegenden Material. Auf die- mehrere verschiedenartige Detektoranordnungen ge- ;i se Weise wird Quecksilber wahrscheinlich in das Kri- bildet werden, die einen PN-Übergang oder mehrere an Ii Stallgitter eingelagert, wodurch N-leitende Eigenschaf- 35 einer Hauptfläche des Körpers der Anordnung endende ;)j ten in dem unterliegenden Gebiet erhalten werden. PN-Übergänge aufweisen. So kann während des Erhit- S Es sei bemerkt, daß dieser Effekt nicht durch Durch- zungsschrittes die Ausdehnung der auf der Hauptfläche | führung der Verfahrensschritte erhalten wird, die in der erzeugten Oberflächenschicht derart sein, daß der groß· ^ genannten GB-PS 15 68 958 im Namen der Anmelderin te Teil des gebildeten PN-Übergangs sich nahezu paral- η beschrieben sind. In den photoleitenden Detektoren 40 IeI zu der genannten Hauptfläche erstreckt und den ; nach der G B-PS 15 68 958 hätte eine solche Einführung photoempfindlichen PN-Übergang eines photovoltai- ,; von Quecksilber in das N-leitende Detektorgebiet die sehen Infrarotdetektorelements der Detektoranord- \; Oberflächendotierungskonzentration auf N+ vergrö- nung bildet. In diesem Falle kann die genannte Oberflä- -5 Bert, wodurch die Oberflächenrekombinationsge- chenschicht in Form getrennter Teile auf der genannten
schwindigkeit vergrößert und die passivierende Wir- 45 Hauptfläche aufgebracht sein, so daß eine Konfigurakung der anodischen Oberflächenschicht herabgesetzt tion inselförmiger Gebiete, die bei der Betriebstemperawerden würde. Dies steht im Widerspruch zu den ge- tür der Anordnung die Eigenschaften N-Ieitenden Mastellten Anforderungen. Auch hätte eine solche Einfüh- terials aufweisen, in einem gemeinsamen Körperteil gerung von Quecksilber in die photovoltaischen Detekto- bildet wird, der die Eigenschaften P-Ieitenden Materials ·.,, ren nach der GB-PS 15 68 958 die erhaltenen Eigen- 50 aufweist, wonach nach dem Erhitzungsschritt jedes N- '] schäften des photoempfindlichen vorher im Detektor- leitende Gebiet mit einem leitenden Anschluß und der 1! körper gebildeten PN-Übergangs beeinträchtigt und P-!eitende Körperteil mit mindestens einem gemeinsa- 1% könnte sogar z. B. zur Zerstörung oder zum Kurzschluß men leitenden Anschluß versehen wird. Auf diese Weise % des genannten PN-Übergangs führen. Da die anodisch kann leicht eine monolithische Konfiguration, z. B. eine ί erzeugte Oberflächenschicht nicht eine unendliche 55 lineare Konfiguration oder eine Matrix photovoltai- ψ. Quecksilberquelle bildet, werden die erhaltenen Eigen- scher Detektorelemente in einem gemeinsamen Körper vä schäften des unterliegenden Materials, insbesondere die gebildet werden. j& Eigenschaften und die Tiefe des gebildeten PN-Über- Ein Verfahren nach der Erfindung kann auch zur BiI- φ gangs, in großem Maße von den Erhitzungsbedingun- dung einer Konfiguration an die Oberfläche grenzender v| gen, und zwar der Zeit und der Temperatur, und von der 60 inselförmiger Gebiete mit den Eigenschaften N-leiten- |J anfänglichen Dicke der anodisch erzeugten Oberflä- den Materials in einem gemeinsamen Körper mit den §5 chenschicht abhängig sein. Eigenschaften P-leitenden Materials verwendet werden, §j Die aus der elektrolytischen Anodisierung des Queck- wobei jedes N-leitende Gebiet nach dem Erhitzungs- % silbercadmiumtellurid bestehende Behandlung kann schritt mit voneinander entfernt liegenden ersten und s| derart durchgeführt werden, daß eine Oberflächen- 65 zweiten leitenden Anschlüssen versehen wird, um ein ίί schient mit einer Dicke von 10—300 nm, z. B. einer Dik- photoleitendes Infraroidetektorelement der Anordnung j| ke von nahezu 200 nm, erzeugt wird. Mit einer Schicht zu bilden. Auf diese Weise ist es möglich, eine monolithi- 2| mit einer Dicke im genannten Bereich ist es möglich, sehe Konfiguration (z. B. eine lineare Konfiguration Jy
silver cadmium telluride (Hg (i.,) Cd; rTe), among other things, it is possible to (a) generate PN transitions in material in a large PN transitions of the desired quality and with a photo-exposure range,
Sensitive properties at ambient temperature Heating can take place at a temperature in the range
to form in material having a value of χ in the range of 125 ° C-270 0 C and during a period in Bevon 0.30-0.35, said material 5 rich take place of 100 seconds up to 40 hours. Ever
and the transitions thus formed z. For example, the higher the temperature, the shorter it is in general
tion in photovoltaic detectors are suitable that the length of time it is required to make a suitable
for de "operation in the wavelength range of 3–5 μΐπ to effect conversion of the conductivity type. In addition
are determined at the ambient temperature, and (b) the heating time depends largely on the
PN transitions of the desired quality and with photoemp- 10 thickness of the anodically generated surface layer,
sensitive properties at 77 ° K in material, while the extent of the source of the conductivity type around a value of χ in the whole range of 0.15-0.35 is not infinite and depends on the thickness of the layer
this material and those so formed depends. It can also be used for certain applications, e.g. B.
Transitions, depending on the value of x, e.g. B. for photovoltaic infrared detector arrangements, he i \ application in photovoltaic detectors, which are desired for 15, the PN junction in the immediate vicinity; therefore it can take an unnecessarily long time; 77 ° K are intended, and for use in photovoltai- heating times an undesired diffusion of the seen detectors are suitable, which lead to the operation in the named material in the body, what to
Wavelength range of 3—5μηι at 77 ° K can lead to a deep PN transition, which is bad
are. The exact physical mechanism by which the conductivity type conversion is obtained, under certain conditions, makes it necessary to remove material from the surface; V cannot be fully explained, but is believed to be removed after the heating step a fla- ; : to be obtained in the special case of an electrolytic anodic transition. | The formation of the surface layer which is rich in mercury, 25 such anodically generated surface, can produce this mercury possibly in the form of a layer of surface which is locally produced part of a large : ·: Mercury ^ I) oxide is incorporated. The surface then extends, are formed by either ■ '· performed heating step anodized locally to a temperature of said part of the surface! above 100 0 C possibly results in free mercury, or the entire surface is anodized and then a part; the diffusion into the underlying body material is removed from the surface layer thus formed. ■) dated At the same time, the anodically generated top- Through the possibility of planar PN junctions according to; surface layer as an outdiffusion mask free of the invention in a simple manner, can
Mercury from the underlying material. In this way, several different detector arrangements will probably form mercury into the structure, which will deposit a PN junction or several on Ii barn grids, whereby N-conductive properties of one main surface of the body of the arrangement will end;) j th can be obtained in the underlying area. Have PN junctions. It should be noted that this effect cannot be reduced by the penetration step, the expansion of the on the main surface | Execution of the process steps is obtained, which in the surface layer produced are such that the large · ^ mentioned GB-PS 15 68 958 in the name of the applicant te part of the PN junction formed are described almost parallel η . In the photoconductive detectors 40 IeI extends to said main surface and the; according to G B-PS 15 68 958, such an introduction would have photosensitive PN junction of a photovoltai-,; of mercury in the N-conductive detector area see the infrared detector element of the detector array \; Forms surface doping concentration on N + enlargement. In this case, the mentioned surface can be used, whereby the surface recombination counter layer in the form of separate parts on the mentioned
speed increased and the passivating main surface must be applied, so that a configuration of the anodic surface layer reduced tation of island-shaped areas, which would be at the operating temperature. This is in contradiction to the requirements for the arrangement of the properties N-conducting mastelles. Such an introductory material should also have, in a common part of the body, mercury is formed in the photovoltaic detector, which has the properties of P-conductive material according to GB-PS 15 68 958 , according to which after the heating step each N- '] shaft of the photosensitive previously in the detector conductive area with a conductive connection and the 1! body-formed PN transition impaired and P-! leading body part with at least one common 1% could even z. B. for destruction or short circuit men conductive connection is provided. In this way, lead % of the named PN junction. Since the anodic can easily have a monolithic configuration, e.g. B. a ί generated surface layer does not have an infinite 55 linear configuration or a matrix photovoltai- ψ. Forms mercury source, the Eigen detector elements obtained are in a common body vä shafts of the underlying material, in particular that are formed. j & characteristics and the depth of formed PN-over- A method according to the invention may also to BiI- φ gear, to a large extent by the Erhitzungsbedingun- a configuration on the surface bordering dung v | conditions, namely the time and the temperature, and on the 60 island-shaped areas with the properties N-conduct- | J initial thickness of the anodically generated surfaces of material in a common body with the layer. Properties of P-conductive material used, §j The treatment consisting of the electrolytic anodization of the mercury- whereby each N-conductive area after the heating-% silver cadmium telluride can step with spaced apart first and s | be carried out in such a way that a surface 65 second conductive connection is provided to form a rail with a thickness of 10-300 nm, e.g. B. a di-photoconductive infrared detector element of the arrangement j | ke of nearly 200 nm. With one layer to form. In this way it is possible to create a monolithic 2 | with a thickness in the stated range it is possible to see configuration (e.g. a linear configuration Jy

oder eine Matrix photoleitender Detektorelemente) in einem gemeinsamen Körper zu bilden, wobei selbstverständlich angenommen wird, daß eine geeignete Isolierung zwischen den Elementen angebracht werden kann. Dies kann im Vergleich zu bekannten Konfigurationen mit einer Anzahl von Quecksilbercadmiumtelluridkörpern, die einzeln auf einem Trägersubstrat angebracht sein können, vorteilhaft sein. Die Bildung der Elemente in einem gemeinsamen Körper erleichtert erheblich die Anbringung von Kontakten bei den Elementen und ermöglicht außerdem eine genaue Regelung des Abstandes zwischen benachbarten Elementen.or a matrix of photoconductive detector elements) in a common body, of course it is believed that suitable insulation can be placed between the elements. This can be compared to known configurations with a number of mercury cadmium telluride bodies, which can be attached individually to a carrier substrate, be advantageous. The formation of the elements in a common body considerably facilitates the attachment of contacts to the elements and enables in addition, precise regulation of the distance between adjacent elements.

Bei einem Verfahren, bei dem die Oberflächenschicht mit der Elementquelle an einer Hauptfläche des Körpers lokalisiert wird, kann nach dem Erhitzungsschritt mindestens ein Randteil der Oberflächenschicht, der sich in der Nähe der Stelle erstreckt, an der der genannte PN-Übergang an der Oberfläche endet, entfernt werden. Dies kann besonders günstig sein, wenn die Oberflächenschicht durch elektrolytische Anodisierung erhalten wird, weil das Vorhandensein einer anodischen Oberflächenschicht auf dem Endteil des PN-Übergangs die Kennlinie des Übergangs gegebenenfalls infolge einer Anreicherung unter der anodisierten Schicht beeinträchtigen kann.In a method in which the surface layer with the element source is on a major surface of the body is localized, after the heating step, at least an edge part of the surface layer, the extends in the vicinity of the point at which said PN junction ends on the surface. This can be particularly favorable if the surface layer is obtained by electrolytic anodization becomes because of the presence of an anodic surface layer on the end part of the PN junction possibly affect the characteristic curve of the transition as a result of an accumulation under the anodized layer can.

Nach dem Erhitzungsschritt kann die Oberflächenschicht entfernt und eine Ätzbehandlung durchgeführt werden, um Material von der einen Oberfläche zu entfernen, während eine weitere elektrolytische Anodisierung wenigstens eines Teiles der Hauptfläche, der von dem Endteil des PN-Übergangs in der genannten Oberfläche begrenzt wird, durchgeführt werden kann, um die genannte Oberfläche zu passivieren.After the heating step, the surface layer can be removed and an etching treatment can be carried out to remove material from one surface during another electrolytic anodization at least a portion of the major surface that extends from the end portion of the PN junction in said surface is limited, can be carried out in order to passivate said surface.

Einige Ausführungsformen der Erfindung werden nun beispielsweise beschrieben. Zunächst werden einige Beispiele der Bildung von PN-Übergängen in Körpern aus Quecksilbertellurid mehrerer verschiedenartiger Zusammensetzungen zusammen mit Einzelheiten in bezug auf die Kennlinie der erhaltenen Übergänge beschrieben, wonach einige Ausführungsformen, in denen Infrarotdetektorelemente hergestellt werden, an Hand der beiliegenden Zeichnungen beschrieben werden. Es zeigenSome embodiments of the invention will now be described, for example. First of all, some Examples of the formation of PN junctions in bodies made of mercury telluride of several different types Compositions described together with details relating to the characteristics of the transitions obtained, thereafter some embodiments in which infrared detector elements are made on hand of the accompanying drawings. Show it

F i g. 1 und 2 die gemessenen Spannungs-Strom-Kennlinien zweier verschiedener PN-Übergänge, die in einem Quecksilbercadmiumtelluridkörper gebildet werden; F i g. 1 and 2 the measured voltage-current characteristics of two different PN junctions, which are shown in a mercury cadmium telluride body are formed;

F i g. 3 bis 8 mehrere Stufen in der Herstellung einer aus einer Konfiguration von zehn Elementen bestehenden photovoltaischen Infrarotdetektoranordnung, wobei die F i g. 3,4,6 und 7 schematische Draufsichten sind und jeweils den aus Quecksilbercadmiumtellurid bestehenden Elementkörper der Anordnung und einen Teil eines Trägersubstrats darstellen, auf dem der genannte Körper angebracht ist, während F i g. 3 und 8 schematische Querschnitte durch einen Teil des genannten Körpers in zwei verschiedenen Herstellungsstufen sind, undF i g. 3 to 8 several stages in the manufacture of a photovoltaic infrared detector array consisting of a configuration of ten elements, wherein the F i g. 3, 4, 6 and 7 are schematic plan views and each of the element body of the assembly made of mercury cadmium telluride and a part represent a carrier substrate on which said body is attached, while F i g. 3 and 8 schematic Are cross-sections through part of said body in two different stages of manufacture, and

Fig.9 eine schematische Draufsicht auf einen Teil einer aus einer Konfiguration von zehn Elementen bestehenden photoleitenden Infrarotdetektoranordnung.9 is a schematic plan view of a part a photoconductive infrared detector array composed of a configuration of ten elements.

Es sei bemerkt, daß die F i g. 3 bis 9 nicht maßstäblich gezeichnet sind. Die relativen Abmessungen und Verhältnisse einiger Teile dieser Figuren (insbesondere im Querschnitt) sind der Deutlichkeit und Einfachheit halber vergrößert oder verkleinert dargestelltIt should be noted that FIG. 3 to 9 not to scale are drawn. The relative dimensions and proportions of some parts of these figures (especially in Cross-section) are shown enlarged or reduced for the sake of clarity and simplicity

Nun werden einige experimentelle Details der Herstellung von PN-Übergängen in Quecksilbercadmiumtellurid angegebea Proben polierter Scheiben mit einer Dicke von nahezu 200 μηι, die aus mehreren Quecksilbercadmiumteiiuridblöcken im Zusammensetzungsbereich von χ zwischen 0,15 und 0,35 gebildet wurden, wurden dadurch hergestellt, daß zunächst definierteNow some experimental details of the production of PN junctions in mercury cadmium telluride are given. Samples of polished disks with a thickness of almost 200 μm, which were formed from several mercury cadmium teiiuridblocks in the composition range of χ between 0.15 and 0.35, were produced by initially defined

5 Oberflächengebiete in einer Lösung von Natriumbicarbonat unter Verwendung einer Maskierung aus einem Photoresist anodisiert wurden. Die anodisierten Scheiben wurden dann auf 180°C während einer Stunde entweder im Vakuum oder in einer Stickstoffatmosphäre erhitzt. Nach Erhitzung wurden die Scheiben während 10 Minuten in einer 5% Lösung von Brom in Äthylenglycol geätzt und Goldkontakte durch Zerstäubung auf den anodisierten sowie den nicht-anodisierten Gebieten über eine geeignete Photoresistmaske angebracht. Die I — V-Kennlinien wurden dann gemessen.5 surface areas in a solution of sodium bicarbonate using a mask of one Photoresist have been anodized. The anodized disks were then kept at 180 ° C for one hour either heated in vacuo or in a nitrogen atmosphere. After heating, the disks were during Etched for 10 minutes in a 5% solution of bromine in ethylene glycol, and gold contacts are made by sputtering the anodized as well as the non-anodized areas are attached via a suitable photoresist mask. the I - V characteristics were then measured.

F i g. 1 zeigt die gemessenen Strom-Spannung·- Kennlinien eines derartigen durch das genannte Experiment gebildeten PN-Übergangs. Dieser Übergang wurde unter einem anoHisi.erten Oberflächengebiete ir.it eäner Kreisform mit einem Durchmesser von 280 μπι gebildet. Die Kennlinien wurden mit einer vollständigen Umgebungsbeleuchtung unter einem Raumwinkel von 2 verhalten.
F i g. 2 zeigt die Kennlinien einer anderen Probe, wobei in diesem Falle der unter denselben Bedingungen gebildete PN-Übergang eine rechteckige Oberfläche von 125 μπι χ 185 μπι aufweist. Die Kennlinien wurden mit einem Gesichtsfeld von 60% erhalten und zeigen eine geringere Offsetspannung als die Probe, deren Kennlinien in F i g. 1 dargestellt sind.
F i g. 1 shows the measured current-voltage · characteristics of such a PN junction formed by the experiment mentioned. This transition was formed under an ano-hosed surface area with a circular shape with a diameter of 280 μm. The characteristics were performed with complete ambient lighting at a solid angle of 2.
F i g. 2 shows the characteristics of another sample, in which case the PN junction formed under the same conditions has a rectangular surface of 125 μm 185 μm. The characteristics were obtained with a field of view of 60% and show a lower offset voltage than the sample, the characteristics of which are shown in FIG. 1 are shown.

Eine Ausführungsform des Verfahrens wird nun beschrieben, bei der eine lineare Konfiguration photovoltaischer Infrarotdetektorelemente in einem gemeinsamen Körper gebildet wird, wobei die Konfiguration in einer photovoltaischen Infrarotdetektoranordnung verwendet wird, die für Betrieb im Bereich von 8—14 μιτι bei 77° K geeignet ist.An embodiment of the method will now be described in which a linear configuration of photovoltaic Infrared detector elements is formed in a common body, the configuration in a photovoltaic infrared detector arrangement is used, which μιτι for operation in the range of 8-14 at 77 ° K is suitable.

Es wird von einer Scheibe aus Quecksilbercadmiumtellurid mit einem Durchmesser von 11 mm und einer Dicke von 450 μπι mit der Zusammensetzung HgOiCd0^Te ausgegangen. Sie hat die Eigenschaften N-leitenden Materials bei Umgebungstemperatur und die Eigenschaften P-leitenden Materials bei 77° K. Die Ladungsträgerkonzentration bei 77° K ist typisch 2.1017Cm-3; die Beweglichkeit ist 1,5-1O2 cm2 V-'see-1 und der spezifische Widerstand ist 0,2 Ohm ■ cm. Zur Vereinfachung der Erläuterung wird dieses Material nachstehend als P-leitendes Material bezeichnet Die Scheibe wird auf einem keramischen Polierblock mit einer Wachsschicht angeordnet Die Polierung der Oberfläche der Scheibe wird mit Hilfe einer Drehmaschine unter Verwendung eines Basisläppmittels und eines Schmirgelbreis durchgeführt. Die Polierung ist ein aus mehreren Schritten bestehender Vorgang, wobei allmählich weniger Beschädigungen in der Kristallstruktur auftreten, wenn die Dicke auf 400 μιη herabgesetzt wird, was durch die Anwendung allmählich feinerer Schmirgelteilchen und Basisläppmittel erhalten wird. Wenn die Dicke auf 400 μπι herabgesetzt worden ist, was durch auf dem Umfang des Polierblocks angebrachte Ansätze festgestellt wird, wird eine Ätzbehandlung auf der freigelegten Oberfläche der noch auf dem Polierblock angeordneten Scheibe durchgeführt Dadurch werden weitere 50 μπι von der Oberfläche abjetragen. Die Scheibe wird nun von dem Polierblock entfernt und wird über die behandelte Hauptfläche auf einem weiteren Polierblock befestigt Die Polierung wird unter denselben Bedingungen in bezug auf die An-A disk made of mercury cadmium telluride with a diameter of 11 mm and a thickness of 450 μm with the composition HgOiCd 0 ^ Te is assumed. It has the properties of N-conducting material at ambient temperature and the properties of P-conducting material at 77 ° K. The charge carrier concentration at 77 ° K is typically 2.10 17 cm -3 ; the mobility is 1.5-1O 2 cm 2 V-'see- 1 and the specific resistance is 0.2 ohm · cm. For convenience of explanation, this material is hereinafter referred to as P-type material. The disc is placed on a ceramic polishing block with a wax layer. The surface of the disc is polished by means of a lathe using a base lapping agent and an emery paste. Polishing is a multi-step process, with gradually less damage to the crystal structure as the thickness is reduced to 400 μm, which is achieved through the use of gradually finer abrasive particles and base lapping agents. When the thickness has been reduced to 400 μm, which is determined by attachments attached to the circumference of the polishing block, an etching treatment is carried out on the exposed surface of the disc still arranged on the polishing block. This removes a further 50 μm from the surface. The disc is now removed from the polishing block and is attached to a further polishing block over the treated main surface. The polishing is carried out under the same conditions with regard to the

Wendung allmählich feinerer Schmirgelteilchen und Basisläppmittel durchgeführt, bis die Dicke auf 250 μΐη herabgesetzt ist. Dann wird eine Ätzbehandlung durchgeführt, i.m nochmals 50 (im von der freigelegten Oberfläche abzutragen.Turning gradually finer emery particles and base lapping agents carried out until the thickness is reduced to 250 μm. Then an etching treatment is carried out, i.m again 50 (im from the exposed surface to be removed.

Während die Scheibe mit einer Dicke von nahezu 200 μΐη noch immer über eine Wachsschicht auf dem Polierblock befestigt ist, wird eine Photoresistschicht auf der oberen Fläche angebracht. Ein Photomaskierungs- und Entwicklungsvorgang wird dann durchgeführt, um eine Anzahl nahezu paralleler streifenförmiger öffnungen in der Photoresistschicht zu definieren. Eine Ätzbehandlung wird dann durchgeführt, um in der Scheibe eine erste Anzahl nahezu parallel verlaufender Kanäle zu bilden, die auf dem Polierblock eine Anzahl nahezu parallel verlaufender streifenförmiger Teile aus Quecksilbercadmiumtellurid definieren. Beim Verfahren zur Bildung entweder aus einem einzigen Element bestehender Detektoren oder aus einer linearen Konfiguration bestehender Detektoren beüägi die Breite der streifenförmigen Teile typischerweise 1 μπι. Die verbleibende Photoresistschicht wird entfernt und eine weitere Ätzbehandlung wird derart durchgeführt, daß die oberen Ränder der streifenförmigen Teile abgerundet werden. While the disc with a thickness of almost 200 μΐη still has a wax layer on the Once the polishing block is attached, a layer of photoresist is applied to the top surface. A photo masking and developing process is then carried out to form a number of nearly parallel stripes to define openings in the photoresist layer. An etching treatment is then carried out to in the Disk to form a first number of almost parallel channels, which on the polishing block a number Define almost parallel strip-shaped parts made of mercury cadmium telluride. In the process to form detectors either from a single element or from a linear configuration existing detectors beüägi the width of the strip-shaped parts typically 1 μm. The remaining The photoresist layer is removed and a further etching treatment is carried out so that the upper Edges of the strip-shaped parts are rounded.

Die folgende Stufe in der Herstellung ist die Anbringung einer Photoresistschicht auf den oberen Flächen der streifenförmigen Teile. Unter Verwendung eines üblichen Photomaskierungs- und Entwicklungsvorgangs werden eine Anzahl nahezu parallel verlaufender Streifen, die sich in etwa senkrecht zu der Längsrichtung der streifenförmigen Teile erstrecken, von der Photoresistschicht entfernt. Der gegenseitige Abstand dieser Streifen wird durch die erforderliche Form des Detektorelements bestimmt. Für aus einem einzigen Element bestehende Detektoren kann der Abstand typischerweise nahezu 1 mm betragen, damit Elemente von 1 mm χ 1 mm erhalten werden. Für lineare Konfigurationen entspricht der Abstand der Länge der Elemente und im vorliegenden Beispiel ist der Abstand 3 mm. Unter Verwendung der definierten Photoresistschicht als Ätzmaske wird eine Ätzbehandlung durchgeführt, dadurch, daß völlig durch die Scheibe hindurch geätzt wird, um eine Anzahl parallel verlaufender Kanäle zu erhalten und dadurch auf dem Polierblock eine Konfiguration nahezu rechteckiger Elementkörperteile, im vorliegenden Beispiel von je 3 mm χ 1 mm. zu definieren, bei denen die Längsränder auf zwei gegenüberliegenden Seiten etwas abgerundet sind.The next stage in manufacture is the application of a layer of photoresist to the top surfaces of the strip-shaped parts. Using a standard photo masking and developing process are a number of almost parallel stripes, which extend approximately perpendicular to the longitudinal direction of the strip-shaped parts, from the photoresist layer removed. The mutual spacing of these strips is determined by the required shape of the detector element certainly. For single element detectors, the distance can typically be close to 1 mm so that elements of 1 mm χ 1 mm are obtained. For linear configurations the distance of the length of the elements and in the present example the distance is 3 mm. Under use the defined photoresist layer as an etching mask, an etching treatment is carried out in that is etched completely through the disc to obtain a number of parallel channels and thereby a configuration of almost rectangular element body parts on the polishing block, in the present example of 3 mm χ 1 mm each. to define where the longitudinal margins are slightly on two opposite sides are rounded.

Abhängig von der besonderen gewünschten Form des Detektors, insbesondere in bezug auf das gewünschte Verfahren zum Montieren des Elementkörperteiles und zum Anbringen elektrischer Kontakte bei den einzelnen Detektorelementen, kann von dieser Stufe her auf verschiedene Weise verfahren werden. Bei einigen Ausführungsformen, insbesondere zur Bildung aus einem einzigen Element bestehender Detektoren, wird wenigstens ein Teil der Behandlung, die erforderlich ist, um die PN-Übergänge in einer Anzahl von Elementkörperteilen zu bilden, durchgeführt, während die genannten Körperteile noch auf dem Polierblock vorhanden sind. Zum Beispie! kann eine Photoresistschicht angebracht und können die empfindlichen Gebiete in den Elementkörperteilen definiert werden, bevor eine elektrolytische Anodisierungsbehandlung auf den freigelegten Gebieten durchgeführt wird, die in bezug auf ihre Größe den gewünschten empfindlichen Gebieten entsprechen sollen. In einer derartigen Ausführungsform werden die Elementkörperteile erst von dem Polierblock entfernt, nachdem die elektrolytische Anodisierungsbehandlung stattgefunden hat. Eine anschließende Wärmebehandlung zur Bildung der PN-Übergünge unter der anodisch erzeugten Oberflächenschicht kann dann auf den Körpern durchgeführt wercen, die entweder frei liegen oder bereits auf einem geeigneten Substrat montiert sind. Im vorliegenden Beispiel werden aber die Elementkörperteile von 3 mm χ 1 mm auf demDepending on the particular shape of the detector desired, particularly with respect to the desired one Method for assembling the element body part and for attaching electrical contacts to the individual Detector elements can be moved in different ways from this stage. With some Embodiments, in particular for the formation of detectors consisting of a single element, is at least some of the treatment required to repair the PN junctions in a number of member body parts to form, performed while said body parts are still in place on the polishing block are. For example! a layer of photoresist can be applied and can target the sensitive areas in the Element body parts are defined before an electrolytic anodizing treatment on the exposed Areas that correspond in size to the desired sensitive areas in terms of size should. In such an embodiment, the element body parts are first removed from the polishing block removed after the electrolytic anodizing treatment has taken place. A subsequent Heat treatment to form the PN junctions under the anodically generated surface layer can then performed on the bodies that either are exposed or are already mounted on a suitable substrate. In this example, but the element body parts of 3mm 1mm on the

ίο Polierblock, nachdem sie definiert worden sind, einzeln entfernt und gesondert auf einem keramischen Substrat angebracht, das auf einer Hauptfläche ein gedrucktes Durchführungskontaktmuster aufweist.ίο Polishing blocks after they have been defined, one at a time removed and separately mounted on a ceramic substrate having a printed on one major surface Having feedthrough contact pattern.

Fig. 3 zeigt eine Draufsicht auf einen Teil eines sol-Fig. 3 shows a plan view of part of a sol-

Ii" chen Substrats, auf dem einer der Elementkörperteile aus P-leitendem (bei 77° K) Quecksilbercadmiumtellurid von 3 mm χ 1 mm montiert ist und das durch das beschriebene Verfahren erhalten ist, wobei nur ein Teil der genannten Elementkörperteile in der Figur dargestellt ist. Das Substrat 1 besteht aus Aluminiumoxid hoher Dichte mit einer Dicke von 0,5 mm. Auf der oberen Fläche liegt ein gedrucktes Durchführungskontaktmuster aus vergoldetem Nichrom mit einer Dicke von 0,5 μπι. Das Kontaktmuster enthält einen gemeinsamen Durchführungsleiter 2 mit einer Breite von 1,9 mm und zehn weitere Durchführungsleiter 3 mit je einer Breite von 100 μπι und einem Teilungsabstand von 200 μπι. Der Elementkörperteil 4 aus P-leitendem Material wird auf dem Substrat 1 mittels einer Epoxydharzschicht befestigt. Der Abstand zwischen den einander zugekehrten Endflächen der Leiter 2 und 3 beträgt 1,4 mm.Ii "chen substrate on which one of the element body parts made of P-conductive (at 77 ° K) mercury cadmium telluride of 3 mm 1 mm is mounted and which is obtained by the method described, with only part of the named element body parts is shown in the figure. The substrate 1 is made of high alumina Density with a thickness of 0.5mm. There is a printed feedthrough contact pattern on the top surface made of gold-plated nichrome with a thickness of 0.5 μm. The contact pattern contains a common one Bushing conductor 2 with a width of 1.9 mm and ten further bushing conductors 3 each with a width of 100 μπι and a pitch of 200 μπι. The element body part 4 made of P-type material is attached to the substrate 1 by means of an epoxy resin layer. The distance between the facing end faces of the conductors 2 and 3 is 1.4 mm.

Eine Photoresistschicht wird nun auf der oberen Fläche des Gebildes aus dem keramischen Substrat 1 und dem darauf montierten P-leitenden Körper 4 angebracht. Ein Photomaskierungs- und Entwicklungsvorgang wird durchgeführt, um in der Photoresistschicht zehn Gebiete von je 150 μπι χ 100 μηη mit einem gegenseitigen Abstand von 100 μΐη zu definieren. F i g. 4 zeigt eine Draufsicht auf das Element 4, mit darauf der Photoresistschicht 5 mit zehn Oi Tnungen 6 darin.A photoresist layer is now on the upper surface of the structure from the ceramic substrate 1 and attached to the P-type body 4 mounted thereon. A photo masking and developing process is carried out to ten areas of 150 μπι χ 100 μηη each with a mutual in the photoresist layer To define a distance of 100 μΐη. F i g. 4 shows a plan view of the element 4, with the photoresist layer 5 thereon with ten Oi slots 6 therein.

Eine elektrolytische Anodisierungsbehandlung wird nun durchgeführt. Diese erfolgt dadurch, daß das Gebilde aus dem Elemen(körper 4 und dem Trägersubstrat in ein Bad mit einer Natriumbicarbonatlösung eir. getaucht wird. Die elektrische Verbindung des Körpers 4 mit der positiven Klemme der Speisequelle wird über einen Wolframdraht hergestellt und eine in der Lösung vorhandene Goldelektrode wird mit der negativen Klemme der Speisequelle verbunden. Die Anodisierung erfolgt mit einer konstanten angelegten Spannung von 15 V bei einem anfänglichen Strom von 7,5 mA während einer Gesamtperiode von 1 Minute. Diese Behandlung kann mehrere Male wiederholt werden, wobei in jedem Schritt die anodisch erzeugte Oberflächenschicht entfernt wird. Diese anodische Behandlung oder, wenn eine wiederholte Behandlung durchgeführt wird, deren letzter Behandlungsschritt erzeugt auf jedem der Gebiete, die während dieser Behandlung nicht mit Photoresist bedeckt sind, eine Oberflächenschicht mit einer Dicke von nahezu 200 nm. Obgleich es nicht möglich gewesen ist, die genaue Zusammensetzung dieser Schicht festzustellen, zeigen mehrere experimentell durchgeführte Versuche und Vorgänge, die auf gleichen Oberflächenschichten durchgeführt werden, die auf anderen Quecksilbercadmiumtelluridkörpern unter Verwendung derselben und anderer Elektrolyten im Anodisierungsbad erzeugt werden, daß ein Bestandteil der Schicht Quecksilber(II)-oxid ist.Electrolytic anodizing treatment is now carried out. This takes place in that the structure from the element (body 4 and the carrier substrate in a bath with a sodium bicarbonate solution. is dived. The electrical connection of the body 4 with the positive terminal of the supply source is established via a tungsten wire and one present in the solution The gold electrode is connected to the negative terminal of the supply source. The anodization takes place with a constant applied voltage of 15 V with an initial current of 7.5 mA during a Total period of 1 minute. This treatment can be repeated several times, with each Step the anodically generated surface layer is removed. This anodic treatment or if any repeated treatment is carried out, the last treatment step of which is generated on each of the areas, which are not covered with photoresist during this treatment, a surface layer with a thickness of nearly 200 nm. Although it has not been possible to determine the exact composition of this layer, show several experimental tests and processes that take place on the same surface layers performed on other mercury cadmium telluride bodies using the same and different electrolytes in the anodizing bath that a component of the layer mercury (II) oxide is.

Der folgende Verfahrensschritt ist die Entfernung des verbleibenden Teiles der Photoresistschicht 5. Dann wird das Gebilde einer Wärmebehandlung entweder im Vakuum oder in Stickstoff bei atmosphärischem Druck in einem Diffusionsofen bei einer Temperatur von 1800C während e*ner Zeitdauer von 1 Stunde unterworfen. Die Wärmebehandlung führt zu der Umwandlung eines an die Oberfläche grenzenden Gebietes des Körpers. Die Unmwandiung ist derart, daß bei der gewünschten Betriebstemperatur (77° K) das genannte Gebiet die Eigenschaften N-leitenden Materials aufweist, während ein PN-Übergang zwischen dem genannten Gebiet und dem verbleibenden Teil des Körpers vorhanden ist, der bei der genannten Temperatur P-Ieitende Eigenschaften aufweist Der Deutlichkeit der Zeichnung halber ist dieses Gebiet im Schnitt der F i g. 5 längs der linie V-Vin Fig.4 entsprechenden linie als ein N-leitendes Gebiet 9 dargestellt und bildet einen PN-Übergang 10 mit dem P-leitenden Körper 4. Der PN-Übergang 10 endet nach der Figur an der Oberfläche gerade außerhalb des Umfangs der anodisch erzeugten Oberflächenschicht 7. Der Übergang erstreckt sich größtenteils nahezu parallel zu der oberen Fläche des Körpers und auf einer Tiefe desselben von nahezu 6μπι.The following process step is the removal of the remaining part of the photoresist layer 5. The structure is then subjected to a heat treatment either in vacuo or in nitrogen at atmospheric pressure in a diffusion furnace at a temperature of 180 ° C. for a period of 1 hour. The heat treatment leads to the transformation of a surface area of the body. The constraint is such that at the desired operating temperature (77 ° K) said area has the properties of an N-conductive material, while a PN junction is present between said area and the remaining part of the body, which at said temperature P - Has conductive properties For the sake of clarity of the drawing, this area is in the section of FIG. 5 along the line V-Vin Fig. 4 corresponding line as an N-conductive region 9 and forms a PN junction 10 with the P-conductive body 4. The PN junction 10 ends according to the figure on the surface just outside of the The circumference of the anodically produced surface layer 7. The transition extends for the most part almost parallel to the upper surface of the body and to a depth of the same of almost 6μπι.

Die anodisch erzeugte Oberflächenschicht 7 wird dann durch Ätzen entfernt und eine weitere Ätzbehandlung wird durchgeführt, um nahezu 0,5 μπι von der Oberfläche des Quecksilbercadmiumtelluridkörpers zu entfernen.The anodically generated surface layer 7 is then removed by etching and a further etching treatment is carried out to almost 0.5 μm from the Surface of the mercury cadmium telluride body.

Eine weitere Photoresistschicht wird nun Ober die ganze Oberfläche des Quecksilbercadmiumtelluridkörpers angebracht und mit Hilfe einer Maske teilweise freigelegt und dann teilweise entfernt, so daß ein Längsstreifen mit einer Breite von 375 μπι unbedeckt bleibt, der sich über eine Seite des Elements erstreckt Der unbedeckte Teil des Körpers enthält einen kleinen Teil jedes anodisierten Gebietes der Elementteile. Eine dielektrische Schicht, z. B. eine Epoxydharzschicht, wird nun derart angebracht, daß sie den freigelegten Oberflächenteil bedeckt, wobei das Harz dazu geeignet ist, eine Schicht mit einer Dicke von 3 bis 4 μσι zu erhalten.Another layer of photoresist is now applied over the entire surface of the mercury cadmium telluride body and partially with the help of a mask exposed and then partially removed, so that a longitudinal strip with a width of 375 μπι remains uncovered, which extends over one side of the element The uncovered part of the body contains a small part each anodized area of the element parts. A dielectric layer, e.g. B. an epoxy resin layer is now attached so that it covers the exposed surface portion, the resin is suitable for a Get a layer with a thickness of 3 to 4 μσι.

F i g. 6 zeigt eine Draufsicht auf den Körper nach dem Anbringen des Epoxydharzstreifens 12 und dem Ablösen des Photoresiststreifens.F i g. 6 shows a top view of the body according to FIG Attach the epoxy resin strip 12 and remove the photoresist strip.

Eine weitere Photoresistschicht wird dann über die ganze Oberfläche des Körpers 4 und des Substrats 1, einschließlich des gedruckten DiTChführungskontaktmusters, angebracht. Die Photoresistschicht wird unter Verwendung einer Maske freigelegt und wenn danach der freigelegte Teil als gelöst wird, werden öffnungen in der Photoresistschicht gebildet. Diese öffnungen enthalten Löcher von 40 μπι χ 25 μπι, die sich über die P-leitenden Gebiete 9 erstrecken, und Streifen mit einer Breite von 40 μπι, die sich von diesen Gebieten her über die Epoxydharzschicht und die Leiter 3 erstrecken. In der Nähe des anderen Längsrandes des Elements 4 ist eine streifenförmige öffnung mit einer Breite von 1 mm in der Photoresistschicht vorhanden und erstreckt sich auch über den benachbarten Rand des gemeinsamen Durchführungsleiters 2 über 0,55 mm. Eine Goldschicht mit einer Dicke von 0,5 μπι wird nun durch Zerstäubung über die ganze Oberfläche abgelagert. Das abgelagerte Gold erstreckt sich in die öffnungen in der Photoresistschicht in Berührung mit den unterschiedlichen freigelegten Gebieten und Schichten. Das auf dem Photoresist abgelagerte Gold wird durch eine Abtragungstechnik (»Lift-off«) entfernt und zwar dadurch, daß der verbleibende Photoresist abgelöst wird. Fig.7 zeigt eine Draufsicht auf das Gebilde nach der Entfernung des Goldüberschusses. Zehn Goldbänder 15 erstrecken sich je an einem Ende in Berührung mit einem N-leitenden 5 Oberflächengebiet 9 und am anderen Ende in Berührung mit einem Durchführungsleiter 3. Ein einziges Goldband 16 erstreckt sich in Berührung mit der oberen Fläche des P-leitenden Körpers 4 und in Berührung mit dem gemeinsamen Durchführungsleiters 2. Die BänderAnother layer of photoresist is then applied over the entire surface of the body 4 and the substrate 1, including the printed DiTCh lead contact pattern. The photoresist layer is under Using a mask, and if afterwards the exposed part is considered to be released, openings are made in the photoresist layer is formed. These openings contain holes of 40 μπι χ 25 μπι, which extend over the P-conductive areas 9, and strips with a Width of 40 μπι, extending from these areas over the epoxy resin layer and the conductors 3 extend. In the vicinity of the other longitudinal edge of the element 4 is a strip-shaped opening with a width of 1 mm is present in the photoresist layer and extends also over the adjacent edge of the common lead-through conductor 2 over 0.55 mm. A layer of gold with a thickness of 0.5 μπι is now by atomization deposited over the entire surface. The deposited gold extends into the openings in the photoresist layer in contact with the various exposed areas and layers. That on the photoresist Deposited gold is removed by a removal technique ("lift-off"), namely by removing the remaining photoresist. Fig.7 shows a Top view of the structure after the removal of the excess gold. Ten gold bands 15 extend each at one end in contact with an N-conductive 5 surface area 9 and at the other end in contact with a feed-through conductor 3. A single one Gold ribbon 16 extends into contact with the top surface of the P-type body 4 and into contact with the joint implementation manager 2. The tapes

to 15 sind je gegen einen darunterliegenden Teil des P-leitenden Körperteils durch das Vorhandensein der Epoxydharzschicht 12 isoliertto 15 are each insulated from an underlying part of the P-conductive body part by the presence of the epoxy resin layer 12

So wird auf einfache Weise ein aus einer linearen Konfiguration von zehn Elementen bestehender photoIn this way, a photo consisting of a linear configuration of ten elements is easily created voltaischer Detektor gebildet Als Endstufe in der Her stellung vor der Einkapselung der Konfiguration kann es erwünscht sein, die ganze Struktur leicht zu ätzen, um die Eigenschaften nach Entfernung einer dünnen Schicht von einigen Zehn nm von der Oberfläche dervoltaic detector formed as a final stage in the Her Before encapsulating the configuration, it may be desirable to lightly etch the entire structure in order the properties after removing a thin layer of a few tens of nm from the surface of the

Anordnung zu verbessern.Improve arrangement.

Es ist einleuchtend, daß viele Abwandlungen in bezug auf die Bearbeitung, insbesondere in bezug auf das Verfahren zur Kontaktierung nach der Bildung der PN-Übergänge, möglich sind. So wird bei einer derartigenIt is evident that many variations in relation to on the processing, in particular with regard to the method of contacting after the formation of the PN junctions, are possible. So is the case with such a Abwandlung nach der Bildung des Übergangs und der Entfernung der anodischen Oberflächenschicht eine neue anodische Oberflächenschicht örtlich auf jedem empfindlichen Gebiet angebracht, die jedoch innerhalb der Grenze jedes PN-Übergangs liegt, wo der genannteModification after the formation of the junction and the removal of the anodic surface layer one new anodic surface layer locally applied to each sensitive area, but within the limit of each PN junction is where the said

Übergang an der Oberfläche endet Auf diese Weise wird eine Schutzschicht gebildet, die, wie gefunden wurde, die Eigenschaften des Detektors wenigstens insofern verbessert, als die etwaige Beeinträchtigung der Eigenschaften, wenn die Anordnung Temperaturen bis 700CJunction at the surface ends in this way, a protective layer is formed, which, as has been found, the properties of the detector at least improved in that the eventual deterioration of the characteristics, if the arrangement temperatures up to 70 0 C. unterworfen wird, nicht wahrgenommen wird. Bei Anwendung dieser Abwandlung erfolgt die weitere Kontaktierung der N-leitenden Gebiete über in der zuletzt angebrachten anodischen Schicht gebildete Öffnungen. Eine weitere Abwandlung wird nun an Hand deris subjected, is not perceived. When this modification is used, further contact is made with the N-conductive areas via the last one Attached anodic layer formed openings. A further modification will now be made on the basis of the F i g. 9 beschrieben, in der die vorher beschriebene Ausführungsform derart abgewandelt wird, daß eine lineare Konfiguration photoleitender Detektorelemente in einem gemeinsamen Körper gebildet wird Die Anordnung enthält ein keramisches Substrat 21 mit einemF i g. 9 described, in which the previously described embodiment is modified in such a way that a linear Configuration of photoconductive detector elements is formed in a common body. The arrangement includes a ceramic substrate 21 with a entsprechend angeordneten Muster gedruckter Durchführungskontakte 22, 23. Das Element weist dieselben äußeren Abmessungen wie die N-Ieitenden Gebiete 29 von 200 μπι χ 100 μπι auf. Jedes N-Ieitende Gebiet 29 wird auf gegenüberliegenden Seiten durch Streifen 35correspondingly arranged pattern of printed feedthrough contacts 22, 23. The element has the same external dimensions like the N-conductive areas 29 of 200 μπι χ 100 μπι. Each NE region 29 is on opposite sides by strip 35 und 36 kontaktiert, die sich je über den P-leitenden Körperteil erstrecken und gegen diesen Teil durch eine Epoxydschicht 32 isoliert sind. Die Streifen 35 erstrecken sich in Berührung mit dem Zufuhrleiter 23 und die Streifen 36 kontaktieren den gemeinsamen Durchführungs-and 36, which each extend over the P-conductive body part and are insulated from this part by an epoxy layer 32. The strips 35 extend come into contact with the feed conductor 23 and the strips 36 contact the common feed-through leiter 22.head 22.

Es leuchtet ein, daß viele weitere Abwandlungen im Rahmen der Erfindung möglich sind. Zum Beispiel können, wenn die Oberflächenschicht mit den den Leitungstyp umkehrenden Mitteln durch Anodisierung erzeugtIt will be understood that many other modifications are possible within the scope of the invention. For example, if the surface layer with the conductivity type reversing means can be formed by anodizing wird, andere Lösungen, z. B. Natriumcarbonat, sowie die Carbonate und Bicarbonate von Lithium und Kalium, verwendet werden. Statt die genannte Schicht durch Anodisierung zu erzeugen, kann eine Art natürliches Oxid mit einem Überschuß am Dotierungsmaterialother solutions, e.g. B. sodium carbonate, as well as the carbonates and bicarbonates of lithium and potassium, can be used. Instead of the said layer Producing by anodization can be a kind of natural oxide with an excess of the doping material durch chemische Umwandlung erzeugt werden, wobei z. B. eine oxidierende Lösung, wie Wasserstoffperoxid, verwendet wird. Es wurde gefunden, daß bei Behandlung von Quecksilbercadmiumtelluridkörpern mit einerare generated by chemical conversion, e.g. B. an oxidizing solution, such as hydrogen peroxide, is used. It has been found that when mercury cadmium telluride bodies are treated with a

1515th

derartigen Lösung und anschließender Erhitzung PN-Obergänge gebildet werden, die sich unter der erzeugten Oberflächenoxidschicht erstrecken.such a solution and subsequent heating of PN transitions are formed, which extend under the generated surface oxide layer.

In den beschriebenen Ausführungsformen erfolgt die Umwandlung des Leitungstyps in einem an die Oberfläehe grenzenden Gebiet. Im Rahmen der Erfindung kann aber das Verfahren dazu benutzt werden, vergrabenen Gebiete zu erzeugen, deren Leitungstyp dem des umgebenden Materials entgegengesetzt istIn the described embodiments, the conduction type is converted into one on the surface bordering area. In the context of the invention, however, the method can be used to bury To generate areas whose conductivity type is opposite to that of the surrounding material

Eine Weiterbildung des Verfahrens wird nun an Hand einer anderen Ausführungsform beschrieben; die eine Abwandlung des an Hand der Fig.3 bis 8 beschriebenen Verfahren ist In dieser Ausführungsform sind die Ausgangsmaterialzusammensetzung und die Scheibenherstellung genau dieselben bis einschließlich des Po-Her- und Ätzschrittes, um eine Scheibe mit einer Dicke von 200 μπι zu erzeugen. Das Verfahren unterscheidet sich dann insofern, als diese Scheibe danach in einer abgedichteten Kapsel erhitzt wird, die weiter einen Überschuß an Quecksilber enthält Die Erhitzung erfolgt bei 2500C während einer Stunde. Dadurch wird durch Eindiffusion von Quecksilber eine Oberflächenschicht mit einer Tiefe von 10 μπι mit N-leitenden Eigenschaften bei 77°K erzeugt Die N-leitende Schicht wird völlig von einer Hauptfläche durch Polierung entfernt, während nahezu 2 μπι durch Ätzung von der gegenüberliegenden Oberfläche entfernt wird. Der Körper in Form einer P-leitenden (77° K) Scheibe mit einer N-leitenden Oberflächenschicht (77° K) wird dann auf die in der vorhergehenden Ausführungsform beschriebene Weise behandelt, um Elementkörperteile gewünschter Größen, z. B. 3 mm χ 1 mm, wie in der obenbeschriebenen Ausführungsform, zu erzeugen, die aber je eine N-Ieitende Oberflächenschicht mit eienr Dicke von nahezu 8 μπι, enthalten. Das Verfahren ist weiter völlig gleich, insofern, als die elektrolytische Anodisierungsbehandlung auf gleiche Weise und auf Gebieten durchgeführt wird, die größer als die endgültig gewünschten empfindlichen Gebiete sind, um Raum für die Bildung einer später angebrachten Isolierschicht, z. B. einer Epoxyharzschicht, über eine Seite des zu bildenden Übergangs und auch eines Kontaktgebietes zu erhalten.A further development of the method will now be described using another embodiment; which is a modification of the method described with reference to FIGS. 3 to 8. In this embodiment, the starting material composition and the wafer production are exactly the same up to and including the Po-Her- and etching step in order to produce a wafer with a thickness of 200 μm. The method differs in that this disk is then heated in a sealed capsule which also contains an excess of mercury. The heating takes place at 250 ° C. for one hour. As a result, a surface layer with a depth of 10 μm with N-conductive properties at 77 ° K is generated by diffusion of mercury. The N-conductive layer is completely removed from one main surface by polishing, while almost 2 μm is removed from the opposite surface by etching . The body in the form of a P-conductive (77 ° K) disc with an N-conductive surface layer (77 ° K) is then treated in the manner described in the previous embodiment in order to produce element body parts of desired sizes, e.g. B. 3 mm χ 1 mm, as in the embodiment described above to produce, but each contain an N-conductive surface layer with a thickness of almost 8 μm. The process is further identical in that the electrolytic anodizing treatment is carried out in the same way and on areas larger than the ultimately desired sensitive areas in order to leave room for the formation of a later applied insulating layer, e.g. B. an epoxy resin layer over one side of the transition to be formed and also a contact area.

Nach der elektrolytischen Anodisierung wird die während der Anodisierung verwendete Photoresistmaskierung entfernt und eine Erhitzung bei 1800C während 1 Stunde durchgeführt. Dies hat zur Folge, daß der unbedeckte Teil der N-leitenden Oberfläche in Material mit P-leitenden Eigenschaften rückgewandelt wird. Vorher an diesen Gebieten eindiffundiertes Quecksilber wird in diesem Erhitzungsschritt ausdiffundiert. Da jedoch die Teile der N-leitenden Oberflächenschicht unter der anodisch erzeugten Oberflächenschicht 7 N-leitend bleiben und ihre Tiefe nahezu erhalten bleibt, stellt sich heraus, daß die Oberflächenschicht 7 erstens als eine Ausdiffusionsmaske gegen Quecksilberausdiffusion und weiter als eine örtliche Quecksilberquelle für die weitere Eindiffusion von Quecksilber dient. Die letztere Eigenschaft basiert auf der Tatsache, daß ohne eine solche lokalisierte Quecksiiberquelle die vorher eindiffundierte Quecksilberkonzentration in dem Körper sich bei Erhitzung auf 1800C während einer Stunde aufgelöst hätte.After the electrolytic anodization, the photoresist masking used during the anodization is removed and heating is carried out at 180 ° C. for 1 hour. This has the consequence that the uncovered part of the N-conductive surface is converted back into material with P-conductive properties. Mercury previously diffused in these areas is diffused out in this heating step. However, since the parts of the N-conductive surface layer under the anodically generated surface layer 7 remain N-conductive and their depth is almost retained, it turns out that the surface layer 7 firstly as an outdiffusion mask against mercury outdiffusion and further as a local mercury source for further inward diffusion of mercury is used. The latter property is based on the fact that the previously diffused mercury concentration would have dissolved in the body when heated to 180 0 C for one hour without such localized Quecksiiberquelle.

Hierzu 4 Blatt ZeichnungenFor this purpose 4 sheets of drawings

Claims (11)

Patentansprüche:Patent claims: _ 1. Verfahren zur Herstellung einer einen PN-Übergang aufweisenden Infrarot-Detektoranordnung, bei dem wenigstens ein Teil einer Oberfläche eines Körpers aus Quecksilbercadmiumtellurid einer Umwandlungsbehandlung unterworfen wird, um eine Oberflächenschicht auf dem Körper zu erzeugen. Si wobei diese Oberflächenschicht ein Element enthält_ 1. A method for producing an infrared detector arrangement having a PN junction, at least part of a surface of a body made of mercury cadmium telluride Conversion treatment is subjected to produce a surface layer on the body. Si, this surface layer containing an element das ein Bestandteil des Körpers aus Quecksilbercadmiumtellurid ist, und, wenn es in einer überschüssigen Konzentration im Material des Körpers vorhanden ist bei der Betiebstemperatur der Detektoranordnung die Eigenschaften N-leitenden Materials hervorruft und bei dem anschließend ein Erhitzungsschritt durchgeführt wird, dadurch gekennzeichnet, which is a component of the body made of mercury cadmium telluride, and when it is in an excess Concentration in the material of the body is present at the operating temperature of the detector assembly the properties of N-conductive material and in which a heating step is then carried out is carried out, characterized in that — daß aie Oberflächenschicht (7) eine genügende Menge des Elements enthält, um als Queüe zur Wiedereinführung des Elements in den Körper (4) zu dienen und- That aie surface layer (7) is sufficient Amount of the element contains to be used as a queue Reintroduction of the element into the body (4) to serve and — daß die Oberflächenschicht (7) während des Erhitzungsschrittes auf eine Temperatur über 1000C erhitzt wird, um eine Menge des Elements von der Oberflächenschicht her in ein darunterliegendes Gebiet (9) einzuführen, damit der PN-Übergang (10) in dem Körper gebildet wird.- That the surface layer (7) is heated to a temperature above 100 ° C. during the heating step in order to introduce a quantity of the element from the surface layer into an underlying region (9) so that the PN junction (10) is formed in the body will. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß die Oberflächenschicht (7) auf Quecksilbercadmiumteliurid erzeugt v,ird, das bei der Betriebstemperatur der Anordnung die Eigenschaften P-Ieitenden Materials aufweist, und daß der Erhitzungsschritt bewirkt daß das darunterliegende Gebiet (9) des Körpers (4) die Eigenschaften N-leitenden Materials bei der Betriebstemperatur der Anordnung erhält während der benachbarte Teil des genannten Körpers die P-Ieitenden Eigenschaften beibehält um den PN-Übergang (10) in dem Körper (4) zu bilden.2. The method according to claim 1, characterized in that the surface layer (7) on mercury cadmium teliuride produces v, ird, which has the properties of P-conductive material at the operating temperature of the arrangement, and that the heating step causes the underlying area (9) of the body (4) to have the properties N-conductive Material at the operating temperature of the arrangement receives during the adjacent part of the said body maintains the P-conductive properties around the PN junction (10) in the body (4) to form. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenschicht (7) auf Quecksilbercadmiumtellurid erzeugt wird, das bei der Betriebstemperatur der Anordnung die Eigenschaften N-leitenden Materials aufweist, und daß der Erhitzungsschritt bewirkt, daß das darunterliegende Gebiet (9) des Körpers (4) die N-leitenden Eigenschaften beibehält, dadurch, daß das Element von der Oberflächenschicht (7) eingeführt wird, während der benachbarte Teil des Körpers (4) durch den Erhitzungsschritt in Material mit bei der Betriebstemperatur der Anordnung P-Ieitenden Eigenschaften umgewandelt wird, wodurch der PN-Übergang (10) in dem Körper (4) gebildet wird.3. The method according to claim 1, characterized in that that the surface layer (7) is generated on mercury cadmium telluride, which is at the operating temperature the arrangement has the properties of an N-conductive material, and that the heating step causes the underlying area (9) of the body (4) to have the N-conductive properties maintains, in that the element is introduced from the surface layer (7) during the adjacent part of the body (4) by the heating step in material with at the operating temperature of the arrangement P-conductive properties is converted, whereby the PN-junction (10) in the body (4) is formed. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet daß, bevor die Oberflächenschicht (7) erzeugt wird, Quecksilber in mindestens eine Oberfläehe des Körpers (4) aus Quecksilbercadmiumtellurid eindiffundiert wird, die bei der Betriebstemperatur der Anordnung die Eigenschaften P-Ieitenden Materials aufweist, wodurch ein an die Oberfläche grenzender Teil des Körpers (4) gebildet wird, der bei der Betriebstemperatur der Anordnung die Eigenschaften N-leitenden Materials aufweist; daß die Oberflächenschicht (7) auf dem an die Oberfläche grenzenden Teil erzeugt wird, und daß der Erhitzungsschritt eine Ausdiffusion vom Quecksilber von einem freigelegten Teil des an die Oberfläche grenzenden Teils bewirkt um den freigelegten Teil in Material mit den P-leitenden Eigenschaften bei der Betriebstemperatur der Anordnung umzuwandeln.4. The method according to claim 3, characterized in that generated before the surface layer (7) mercury in at least one surface of the body (4) made of mercury cadmium telluride is diffused in at the operating temperature the arrangement has the properties of P-conductive material, whereby a surface adjoining Part of the body (4) is formed, the properties at the operating temperature of the arrangement Comprises N-type material; that the surface layer (7) on the adjacent to the surface Part is generated, and that the heating step is an out-diffusion of the mercury from an exposed one Part of the part bordering the surface causes around the exposed part in material to convert with the P-conductive properties at the operating temperature of the arrangement. 5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet daß wäbrend des Erhitzungsschrittes die Oberflächenschicht (7) lokal auf einem Teil einer Hauptfläche des Körpers (4) vorhanden ist und das unterliegende Gebiet (9) mit N-leitenden Eigenschaften, die durch die Einführung des Elements herbeigeführt werden, nur lokal an die Hauptfläche grenzt so daß der gebildete PN-Übergang (10) sich bis zu der Hauptfläche erstreckt derart daß er wenigstens teilweise an der Hauptfläche endet5. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the wäbrend Heating step the surface layer (7) locally on part of a main surface of the body (4) is present and the underlying area (9) with N-conductive properties caused by the introduction of the element are only locally adjacent to the main surface so that the PN junction formed (10) extends up to the main surface such that it is at least partially on the main surface ends 6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche zur Herstellung einer photovoltaischen Infrarot-Detektoranordnung, dadurch gekennzeichnet daß während des Erhitzungsschrittes die Ausdehnung der Oberflächenschicht (7) auf einer Hauptfläche des Körpers (4) derart ist daß wenigstens der größte Teil des gebildeten PN-Übergangs (10) sich nahezu parallel zu der Hauptfläche erstreckt und den photoempfindlichen PN-Übergang eines photovoltaischen Infrarotdetektorelements der Detektoranordnung bildet6. The method according to any one of the preceding claims for producing a photovoltaic infrared detector arrangement, characterized in that during the heating step the expansion of the surface layer (7) on a major surface of the body (4) is such that at least the largest part of the PN junction (10) formed extends almost parallel to the main surface and the photosensitive PN junction of a photovoltaic Forms infrared detector element of the detector arrangement 7. Verfahren nach den Ansprüchen 5 und 6, dadurch gekennzeichnet daß während des Erhitzungsschrittes die Oberflächenschicht (7) in Form gesonderter Teile auf der Hauptfläche aufgebracht ist, so daß eine Konfiguration inselförmiger Gebiete (9) mit den Eigenschaften N-leitenden Materials in einem gemeinsamen Körperteil (4) mit den Eigenschaften P-leitenden Materials gebildet wird, und nach dem Erhitzungsschritt jedes N-leitende Gebiet (9) mit einem leitenden Anschluß (15) versehen und der P-leitende Körperteil mit mindestens einem gemeinsamen leitenden Anschluß (16) versehen wird.7. The method according to claims 5 and 6, characterized in that during the heating step the surface layer (7) is applied in the form of separate parts on the main surface, so that a configuration of island-shaped areas (9) with the properties of N-conductive material in one common body part (4) is formed with the properties of P-conductive material, and after the heating step, each N-conductive region (9) is provided with a conductive terminal (15) and the P-type body part is provided with at least one common conductive connection (16). 8. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß während des Erhitzungsschrittes die Oberflächenschicht (7) in Form gesonderter Teile auf der Hauptfläche aufgebracht ist, so daß eine Konfiguration an die Oberfläche grenzender inselförmiger N-Ieitenden Gebiete (9) in einem gemeinsamen P-Ieitenden Körperteil (4) gebildet wird, und nach dem Erhitzungsschritt jedes N-Ieitende Gebiet (9) mit voneinander entfernt liegenden ersten und zweiten leitenden Anschlüssen (35 bzw. 36) versehen ist, um ein photoleitendes Infrarotdetektorelement der Detektoranordnung zu bilden.8. The method according to claim 5, characterized in that during the heating step Surface layer (7) is applied in the form of separate parts on the main surface, so that a Configuration of island-shaped N-conductive areas (9) bordering the surface in a common P-type body part (4) is formed, and after the heating step, each N-type region (9) provided with spaced apart first and second conductive terminals (35 and 36, respectively) to form a photoconductive infrared detector element of the detector array. 9. Verfahren nach Anspruch 5 und einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Erhitzungsschritt wenigstens ein Randteil der Oberflächenschicht (7), der sich in der Nähe der Stelle erstreckt an der der PN-Übergang (10) an der Hauptfläche endet, entfernt w ird.9. The method according to claim 5 and one of claims 6 to 8, characterized in that according to the heating step at least a peripheral part of the surface layer (7) located in the vicinity of the site extends at which the PN junction (10) ends at the main surface, is removed. 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Erhitzungsschritt die Oberflächenschicht (7) entfernt wird, eine Ätzbehandlung durchgeführt wird, um Material von der Hauptfläche zu entfernen, und wenigstens ein Teil der Hauptfläche der innerhalb der in der Hauptfläche endenden Begrenzungen des PN-Übergangs (10) liegt, elektrolytisch anodisiert wird.10. The method according to claim 9, characterized in that after the heating step, the surface layer (7) is removed, an etching treatment is performed to remove material from the main surface to remove, and at least part of the major surface of which ends in the major surface Limits of the PN junction (10) is electrolytically anodized. 11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Umwandlungsbehandlung11. The method according to any one of the preceding claims, wherein the conversion treatment zum Erzeugen der Oberflächenschicht mit dem Element aus der elektrolytischen Anodisierung des Quecksilbercadmiumtellurids besteht, dadurch gekennzeichnet daß der Erhitzungsschritt nach der elektrolytischen Anodisierung bei einer Temperatur im Bereich von 125°C- 2700C während einer Zeitdauer im Bereich von 100 Sekunden bis zu 40 Stunden durchgeführt wird, um den PN-Übergang (10) zu bilden.is to generate the surface layer of the element from the electrolytic anodization of Quecksilbercadmiumtellurids, characterized in that the heating step after the electrolytic anodization at a temperature in the range of 125 ° C carried out 270 0 C for a period in the range of 100 seconds up to 40 hours to form the PN junction (10).
DE3033457A 1980-09-05 1980-09-05 A method of manufacturing a PN junction infrared detector array Expired DE3033457C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3033457A DE3033457C2 (en) 1980-09-05 1980-09-05 A method of manufacturing a PN junction infrared detector array

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3033457A DE3033457C2 (en) 1980-09-05 1980-09-05 A method of manufacturing a PN junction infrared detector array

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3033457A1 DE3033457A1 (en) 1982-04-22
DE3033457C2 true DE3033457C2 (en) 1986-05-15

Family

ID=6111209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3033457A Expired DE3033457C2 (en) 1980-09-05 1980-09-05 A method of manufacturing a PN junction infrared detector array

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3033457C2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2582446B1 (en) * 1985-05-24 1987-07-17 Thomson Csf PHOTOSENSITIVE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A METHOD
US5880510A (en) * 1988-05-11 1999-03-09 Raytheon Company Graded layer passivation of group II-VI infrared photodetectors

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2336804A1 (en) * 1975-12-23 1977-07-22 Telecommunications Sa IMPROVEMENTS MADE TO SEMICONDUCTOR DEVICES, ESPECIALLY TO PHOTOVOLTAIC DETECTORS INCLUDING A SUBSTRATE BASED ON A CDXHG1-XTE ALLOY, AND PROCESS FOR MANUFACTURING SUCH A PERFECTED DEVICE
GB1568958A (en) * 1976-10-22 1980-06-11 Mullard Ltd Methods of manufacturing infra-red sensitive devices
US4137544A (en) * 1977-07-05 1979-01-30 Honeywell Inc. Mercury cadmium telluride photodiode

Also Published As

Publication number Publication date
DE3033457A1 (en) 1982-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2160427C3 (en)
DE4126955C2 (en) Process for the production of electroluminescent silicon structures
DE2246115A1 (en) PHOTOVOLTA CELL WITH FINE METAL CONTACT AND METHOD OF MANUFACTURING
DE2727557A1 (en) METHOD FOR FORMATION OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE
DE1614283B2 (en) Method for manufacturing a semiconductor device
WO1993019492A1 (en) Solar cell with combined metallization and process for producing the same
DE2544736A1 (en) METHOD OF REMOVING POLLUTION FROM MONOCRISTALLINE SILICON
DE2749607C3 (en) Semiconductor device and method for the production thereof
DE1764565C3 (en) Radiation-sensitive semiconductor component
DE2429705B2 (en) Schottky diode and process for its manufacture
DE1614356A1 (en) Integrated semiconductor assembly with complementary field effect transistors
DE1959889A1 (en) Device working with charge storage
DE1810447A1 (en) Semiconductor chips and processes for their manufacture
DE2160462C2 (en) Semiconductor device and method for its manufacture
DE2436449B2 (en) SCHOTTKY DIODE AND THE METHOD OF MANUFACTURING IT
DE1803024C3 (en) Method for producing field effect transistor components
DE1764847B2 (en) Method for manufacturing a semiconductor device
DE2718449A1 (en) METHOD OF MANUFACTURING A SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT AND ARRANGEMENT PRODUCED BY THIS METHOD
DE2550346A1 (en) PROCESS FOR PRODUCING AN ELECTRICALLY INSULATING AREA IN THE SEMICONDUCTOR BODY OF A SEMICONDUCTOR COMPONENT
DE2133979B2 (en) Method for manufacturing a semiconductor device
DE2328194B2 (en) PHOTOELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING IT
DE2162445B2 (en) Method for manufacturing a semiconductor device
DE3003391C2 (en) Radiation detector with a passivated pn semiconductor junction
DE2628406A1 (en) METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
DE3033457C2 (en) A method of manufacturing a PN junction infrared detector array

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: GEC-MARCONI LTD., STANMORE, GB

8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: MANITZ, G., DIPL.-PHYS. DR.RER.NAT. FINSTERWALD, M., DIPL.-ING. DIPL.-WIRTSCH.-ING., 80538 MUENCHENROTERMUND, H., DIPL.-PHYS., 70372 STUTTGART HEYN, H., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANWAELTE, 80538 MUENCHEN