DE2845610C2 - Surface acoustic wave filter with minimal crosstalk - Google Patents

Surface acoustic wave filter with minimal crosstalk

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DE2845610C2 DE19782845610 DE2845610A DE2845610C2 DE 2845610 C2 DE2845610 C2 DE 2845610C2 DE 19782845610 DE19782845610 DE 19782845610 DE 2845610 A DE2845610 A DE 2845610A DE 2845610 C2 DE2845610 C2 DE 2845610C2
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Description

angegeben ist Weitere Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung lassen sich den Unteransprüchen entnehmen.is specified. Further refinements and developments of the invention can be found in the subclaims remove.

Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß einerseits zwischen dem Metallträger und dem An-Schluß mit tatsächlichem Massepotentiil unvermeidlich ein induktiver Widerstand auftritt und daß andererseits nicht zu vermeidende Übersprechkapazitäten zwischen Eingangswandler und Ausgangswandler vorhanden sind. Mit dem erfindungsgemäßen Lösungsweg hat man den Umstand ausgenutzt, daß sich zusammen mit der auftretenden induktiven Phasendrehung einer dem Eingangssignal proportionalen, auf dem Metallträger auftretenden Übersprech-Signalspannung eine Kompensation der kapazitiven Übersprechspannung zwisehen Eingangswandler und Ausgangswandler dann erreichen läßt, wenn für eine geeignet bemessene Gesamt-Übersprechkapazität zwischen dem Eingangswandler und dem Metallträger gesorgt ist Nachdem bis auf diese letztgenannte Übersprechkapazität der induktive Widerstand zwischen Metallträger und tatsächlicher Masse und die Übersprechkapazität zwischen den Wandlern weitgehend festliegen, wird erfindungsgemäß diese Überspr»-hkapazität zwischen Eingangswandler und Metallträger — abgesehen von der in relativ engen Grenzen möglichen Wahl der Dielektrizitätskonstante des Materials der Schicht — durch Einstellung der Dicke dieser Schicht vorgenommen, die an sich für einen völlig anderen Zweck, nämlich für die Dämpfung von Volumenwellen, vorgesehen ist Für die Dämpfung der Volumenwellen ist das Maß cer Dicke dieser Dämpfungsschicht zwischen Substratkörper und Metallträger nicht kritisch, solange nicht Mindestwerte für diese Schichtdicke unterschritten werden.The invention is based on the knowledge that on the one hand between the metal support and the connection with actual ground potential an inductive resistance inevitably occurs and that on the other hand unavoidable crosstalk capacitances between input transducer and output transducer present are. The inventive approach has taken advantage of the fact that together with the Occurring inductive phase shift proportional to the input signal on the metal support Occurring crosstalk signal voltage between a compensation of the capacitive crosstalk voltage Input transducers and output transducers can then be achieved if for a suitably dimensioned After up to the total crosstalk capacitance between the input transducer and the metal support is taken care of on this last-mentioned crosstalk capacitance the inductive resistance between the metal support and actual mass and the crosstalk capacitance between the transducers are largely fixed according to the invention, this overspray capacity between input transducer and metal carrier - apart from the choice of the dielectric constant of the material of the layer, which is possible within relatively narrow limits - made by adjusting the thickness of this layer, in itself for a completely different purpose, viz for the attenuation of bulk waves, is provided. For the attenuation of bulk waves, the dimension cer is Thickness of this damping layer between substrate body and metal carrier is not critical, as long as it is not Minimum values for this layer thickness are not reached.

Mit dieser Schicht die bisher mit dem Einzelfall angepaßter Dickenabmessung mit praktisch beliebiger Dicke allein zur Dämpfung von Volumenwellen verwendet worden ist, wird somit nunmehr auch eine wesentliche elektrische Wirkung auf das Filter eingeführt Das Material der Schicht hat dazu dielektrisches Verhalten, eingeschlossen elektrische Isolationseigenschaft wie dies für Materialien, die lediglich für Dämpfungszwecke verwendet werden, ohnehin die Regel istWith this layer, the thickness dimension previously adapted to the individual case with practically any Thickness has been used solely for damping bulk waves, is now also a Substantial electrical effect on the filter introduced. For this purpose, the material of the layer has a dielectric Behavior, including electrical insulation property like this for materials that are only for Damping purposes are used anyway is the rule

Für die Einhaltung der Schichtdicke hat sich nicht nur die Verwendung einer Folie vorgegebener Dicke zwischen Substratkörper und Metallträger a!s vorteilhaft erwiesen. Für Schichten, wie z. B. Epoxid-Harze (mit einer Dielektrizitätskonstanten zwischen 5 und 10), die aus einem Material bestehen, das man aufträgt und sich anschließend mehr oder weniger verfestigen läßt, ist diejenige Ausführungsform der Erfindung von besonderem Vorteil, bei der als Abstandshalter zwischen Substratkörper und Metallträger höckerartige Vorsprünge bzw. Ausbeulungen des Metallträgers dienen. Als Abstandshalter kann gemäß einer anderen entsprechenden Ausführungsform der Erfindung auch ein in das Material der Schicht eingelegtes netzartiges Gewebe verwendet sein, dessen Oberk.-euzungsstellen der Gewebefäden als Abstar. '■ !laiicr wirken.In order to maintain the layer thickness, not only has the use of a film of predetermined thickness between the substrate body and the metal carrier a! S been found to be advantageous. For layers such as B. epoxy resins (with a dielectric constant between 5 and 10), which consist of a material that is applied and then more or less solidified, that embodiment of the invention is particularly advantageous in which as a spacer between the substrate body and metal carrier Bump-like projections or bulges of the metal support are used. According to another corresponding embodiment of the invention, a net-like fabric inserted into the material of the layer can also be used as the spacer, the upper edge of which is the fabric threads as a spacer. '■ ! Laiicr work.

Weitere Erläuterungen der Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung zu den Figuren hervor.Further explanations of the invention emerge from the following description of the figures.

F i g. I zeigt das Ersatzschaltbild für ein erfindungsgemäßes Oberflächenwellenfilter,F i g. I shows the equivalent circuit diagram for an inventive one Surface acoustic wave filter,

F i g. 2 und 3 zeigen eine erfindungsgemäße Ausführungsform mit Höckern auf dem Metallträger,F i g. 2 and 3 show an embodiment of the invention with humps on the metal support,

Fig. 4 zeigt eine Ausführungsform mit einem Gewebe innerhalb der Schicht zwischen Substratkörper und Metallträger und4 shows an embodiment with a fabric within the layer between the substrate body and metal support and

Fig.5 zeigt eine erfindungsgemäße Ausführungsform mit Folie als Schicht 5 shows an embodiment according to the invention with a film as a layer

Das in F i g. 1 dargestellte Ersatzschaltbild gilt unmittelbar für ein solches Oberflächenwellenfilter, dessen Eingangswandler unsymmetrisch und dessen Ausgangswandier symmetrisch betrieben ist Mit 2 ist auf den Eingangswandler hingewiesen, der im wesentlichen eine Kapazität Cz darstellt Der Ausgangswandler ist mit 3 bezeichnet Dieser stellt im wesentlichen eine Kapazität C3 dar. Mit 12 und 112 sind die Eingangsanschlüsse des Eingangswandlers 2 und mit 13 und 113 die Anschlüsse des Ausgangswandlers 3 angegeben. 5 stellt den Metallträger dar, der an das tatsächliche Massepotenijal 7 anzuschließen ist Unvermeidlich tritt aber zwischen diesem Metallträger 5 und dem Masseanschluß 7 ein induktiver Widerstand 8 auf. Mit Cn und C'u sind die beiden Kapazitätswerte angedeutet die zwischen der nicht auf Masse liegenden (an 12 angeschlossen) Elektrode des Eingangswandlers 2 und der einen und der anderen Elektrode der Interdigitalstruktur des symmetrisch betriebenen Ausgangswandlers 3 auftreten. Mit C23 und C'23 sind die beiden Übersprechkapazitätswerte zwischen den beiden Elektroden des Wandlers 3 bezeichnet, wobei jedoch bei wie angegeben symmetrischem Anschluß des Wandlers 3 nur noch die Differenzkapazität C23 = C23—C23 in die weiteren Betrachtungen eingeht Die für die Erfindung wichtige Übersprechkapazität C22 liegt zwischen der nicht auf Massepotential und am Anschluß 12 angeschlossenen Elektrode des Eingangswandlers 2 und dem Metallträger 5. Bei wie vorausgesetztem unsymmetrischem Betrieb des Eingangswandlers kann eine Kapazität der auf Masse liegenden Elektrode des Eingangswandlers 2 gegenüber dem Metallträger 5 vernachlässigt werden.The in Fig. Equivalent circuit diagram shown 1 applies directly to such a surface acoustic wave filter, the input transducer is operated asymmetrically and its Ausgangswandier symmetrically with 2 is drawn to the input transducer, which substantially represents a capacitance Cz The output transducer is designated 3. This essentially represents a capacitance C. 3 The input connections of the input transducer 2 are indicated by 12 and 112 and the connections of the output transducer 3 are indicated by 13 and 113. 5 shows the metal support which is to be connected to the actual ground potential 7, but inevitably an inductive resistance 8 occurs between this metal support 5 and the ground connection 7. Cn and C'u indicate the two capacitance values that occur between the non-grounded (connected to 12) electrode of the input transducer 2 and the one and the other electrode of the interdigital structure of the symmetrically operated output transducer 3. C23 and C'23 denote the two crosstalk capacitance values between the two electrodes of the transducer 3, but with the symmetrical connection of the transducer 3 as indicated, only the differential capacitance C 23 = C23-C23 is included in the further considerations. The crosstalk capacitance important for the invention C 22 lies between the electrode of the input transducer 2, which is not connected to ground potential and connected to terminal 12, and the metal carrier 5. If the input transducer is operated asymmetrically, as is assumed, a capacitance of the ground electrode of the input transducer 2 compared to the metal carrier 5 can be neglected.

Die Kapazität C22 und der induktive Widerstand 8 bilden nun eine Spannungsteilung für einen Übersprechstrom zwischen der am Anschluß 12 liegenden Elektrode des Eingangswandlers 2 und dem tatsächlichen Massepotential 7. Auf dem Metallträger 5 tritt eine bei vorgegebenem induktiven Widerstand 8 phasengedrehte, dem Eingangssignal proportionale Spannung auf. Diese Spannung wird über die Kapazität C'23 hochohmig, d. h. nicht weiter phasenverschoben in den Ausgangswandler 3 eingekoppelt.The capacitance C 22 and the inductive resistor 8 now form a voltage division for a crosstalk current between the electrode of the input transducer 2 located at the terminal 12 and the actual ground potential 7. A voltage proportional to the input signal and phase-rotated with a given inductive resistor 8 occurs on the metal carrier 5 . This voltage is coupled into the output transducer 3 via the capacitance C'23 at a high resistance, that is to say not further out of phase.

Die Kapazität C22 wird nun erfindungsgemäß so groß gemacht, daß aufgrund des Überwiegens des induktiven Widerstandes 8 diese in den Ausgangswandler über die Kapazität C'23 eingekoppelte Spannung praktisch vollständig induktive Phasendrehung hat. Durch zusätzliche Größenbemessung der Kapazität C22 und/oder durch konstruktive Variation der Größe der Kapazität Cn, C'n zwischen Eingangswandler und Ausgangswandler läßt sich diese eingekoppelte Spannung auch noch in ihrer Größe derart wählen, daß sie die rein kapazitiv über diese Kapazitäten Cu, Cn in den Ausgangswandler 3 eingekoppelte resultierende Übersprechspannung kompensiertAccording to the invention, the capacitance C 22 is made so large that, due to the predominance of the inductive resistor 8, this voltage coupled into the output transducer via the capacitance C'23 has practically completely inductive phase rotation. By additional dimensioning of the capacitance C 22 and / or by constructive variation of the size of the capacitance Cn, C'n between the input transducer and the output transducer, this coupled-in voltage can also be selected in terms of its size in such a way that it provides the purely capacitive over these capacities Cu, Cn The resulting crosstalk voltage coupled into the output transducer 3 is compensated

Für den Fall, daß der Ausgangswandler ebenfalls unsymmetrisch betrieben wird, fällt die Kapazität C'n weg und die Kapazität Cu ist allein als Übersprechkapazität zwischen Eingangswandler und Ausgangswandler zu berücksichtigen.In the event that the output transducer is also operated asymmetrically, the capacitance C'n is omitted and the capacitance Cu is to be considered solely as the crosstalk capacitance between the input transducer and the output transducer.

Für den Fall symmetrischen Betriebs für beide Wandler sind noch die Kapazitäten zwischen der Elektrode des Anschlusses 112 des Eingangswandlers 2In the case of symmetrical operation for both converters, the capacities are still between the Electrode of connector 112 of input transducer 2

einerseits und den Elektroden der Anschlüsse 113 und 13 des Ausgangswandlers andererseits für die Bildung der maßgeblichen Differenzfrequenz C"\\ vorhanden.on the one hand and the electrodes of the connections 113 and 13 of the output transducer on the other hand for the formation of the relevant difference frequency C "\\ .

In den nachfolgend zu beschreibenden Figuren für praktische Ausführungsformen eines erfindungsgemäßen Oberflächenwellenfilters sind jeweils dieselben Bezugszeichen benutzt, wie sie im Schaltbild der F i g. 1 verwendet worden sind.In the figures to be described below for practical embodiments of an inventive Surface acoustic wave filters are each used the same reference numerals as in the circuit diagram of FIG. 1 have been used.

F i g. 2 zeigt eine Aufsicht und F i g. 3 die zugehörige, in Schnittdarstellung wiedergegebene Seitenansicht einer Ausführungsform der Erfindung. Mit 1 ist das gesamte Oberflächenwellenfilter bezeichnet, bei dem Eingangs- und Ausgangswandler mit Interdigitalstruktur Verwendung finden. Diese Wandler 2 und 3 befinden sich auf einem Substratkörper 4 aus piezoelektrischem Material wie Lithiumniobat, Lithiumtantaiat oder gegebenenfalls auch Piezokeramik wie Bleizirkonattitanat. Bei der Erfindung handelt es sich dabei prinzipiell um solche Stoffe, die relativ hohe Dielektrizitätskonstante haben. Solche piezoelektrischen Materialien haben Werte der Dielektrizitätskonstanten von mehr als 30 bis zu Werte über 1000. Aus mechanischen Gründen und auch zur elektrischen Abschirmung der Wandler ist eine metallisch leitende Unterlage 5 vorgesehen, auf der der Substratkörper 4 mittels einer dazwischen befindlichen, z. B. aushärtbaren adhäsiven Schicht 6 befestigt ist. Diese Schicht 6 besteht im Regelfall aus einem bei der Verarbeitung streichfähigen Klebstoff. Es ist aber auch möglich, hierfür als Klebfolie verwendetes thermoplastisches Material vorzusehen. Es empfiehlt sich, das Material der Schicht im Hinblick auf mechanische Dämpfungseigenschaft auszuwählen, wozu das Material der Schicht 6 dann auf der Fläche des Substratkörpers 4 gut haften muß, nämlich damit an dieser Verbindungsfläche kein Sprung für mechanische Wellenfortpflanzung auftritt In die Klebschicht 6 eindringende mechanische, vom Eingangswandler ausgegangene Volumenwellen — das sind durch das Volumen des Substratkörpers hindurch (anstatt an seiner Oberfläche) verlaufende Wellen, die im Regelfall mehrfache Reflexionen an den Oberflächen des Substratkörpers erfahren — werden absorbiert. Ein wie oben erwähnter Sprung dagegen würde Reflexion einer mechanischen Volumenwelle bewirken.F i g. 2 shows a plan view and FIG. 3 the associated side view shown in sectional illustration an embodiment of the invention. With 1 the entire surface acoustic wave filter is referred to, in which Find input and output transducers with interdigital structure use. These converters 2 and 3 are located on a substrate body 4 made of piezoelectric material such as lithium niobate, lithium tantalum or possibly also piezoceramics such as lead zirconate titanate. In principle, this is the case with the invention to those substances that have a relatively high dielectric constant. Such piezoelectric materials have dielectric constant values of more than 30 up to values over 1000. From mechanical A metallically conductive base 5 is necessary for the reasons and also for the electrical shielding of the transducers provided on which the substrate body 4 by means of an intermediate, z. B. curable adhesives Layer 6 is attached. This layer 6 usually consists of one that can be spread during processing Adhesive. However, it is also possible to provide thermoplastic material used as an adhesive film for this purpose. It it is advisable to select the material of the layer with regard to mechanical damping properties, for which the material of the layer 6 must then adhere well to the surface of the substrate body 4, namely to it There is no jump for mechanical wave propagation on this connection surface. In the adhesive layer 6 penetrating mechanical volume waves emanating from the input transducer - these are due to the Volume of the substrate body through (instead of on its surface) running waves, which as a rule experience multiple reflections on the surfaces of the substrate body - are absorbed. A like The jump mentioned above, on the other hand, would cause a reflection of a mechanical volume wave.

Mit 41 ist in der Fig.2 die Fortpflanzung einer Oberflächenwelle auf dem Substratkörper 4 mit den schlangenförmigen Pfeilen 41 angedeutet. Die Fortpflanzung erfolgt mit praktisch ebener Wellenfront in Richtung vom Eingangswandler 2 zum Ausgangswandler 3. Im Substratkörper 4 auftretende Volumenwellen haben dieselbe Richtung und deren am Ausgangsende des Oberflächenwellenfilters reflektierte Anteile die entgegengesetzte Richtung.With 41 is the propagation of a in Figure 2 Surface wave on the substrate body 4 indicated by the serpentine arrows 41. The reproduction takes place with a practically flat wave front in the direction from the input transducer 2 to the output transducer 3. Bulky waves occurring in the substrate body 4 have the same direction as those at the output end of the surface acoustic wave filter reflected components in the opposite direction.

Mit 30 sind die in Fig.3 sichtbaren Hocker bezeichnet, die beispielsweise in den Metallträger 5 eingeprägt sind. Diese Hocker 30 bestimmen die Dicke ίο der Schicht 6, d.h. den Abstand zwischen dem Substratkörper 4 und diesem Metallträger. Vorzugsweise sind diese Hocker 30 ungleichmäßig über die Oberfläche des Metallträgers 5 verteilt, womit sie für solche Volumenwellen, die an diesem Metallträger 5 reflektiert werden, keine periodische Struktur bilden.At 30 are the stools visible in Figure 3 denotes, which are embossed in the metal carrier 5, for example. These stools 30 determine the thickness ίο the layer 6, i.e. the distance between the substrate body 4 and this metal carrier. Preferably these stools 30 are unevenly distributed over the surface of the metal support 5, which they for those bulk waves that are reflected on this metal carrier 5 do not form a periodic structure.

F i g. 4 zeigt eine der F i g. 3 entsprechende Schnilt-F i g. 4 shows one of the FIGS. 3 corresponding cut

darstellung für eine Ausführungsform mit einer Folie 60, die die Schicht 6 der Fig.3 bildet Die übrigen Einzelheiten stimmen mit denjenigen der vorangehenden Figuren überein.illustration for an embodiment with a film 60, which forms the layer 6 of FIG. 3 The other details agree with those of the preceding Figures match.

F i g. 5 zeigt eine ebenfalls der F i g. 3 entsprechende Schnittdarstellung einer Ausführungsform, bei der innerhalb der Schicht 6 ein Gewebe 61 als Abstandshalter vorhanden ist Die sich einander überkreuzenden Gewebefäden bilden dabei das Maß des Abstands. Vorzugsweise sind die Laufrichtungen dieser Fäden schräg zur möglichen Laufrichtung von Volumenwellen zwischen Eingangs- und Ausgangswandler und zurück ausgerichtet, damit eventuell reflektierte Volumenwellen zusätzlich noch eine Ablenkung nach der Seite erfahren.F i g. 5 shows one of FIGS. 3 corresponding sectional view of an embodiment in which Within the layer 6 there is a fabric 61 as a spacer which intersect one another Fabric threads form the measure of the distance. The running directions of these threads are preferred oblique to the possible direction of movement of bulk waves between the input and output transducers and back aligned so that any reflected bulk waves additionally experienced a distraction to the side.

Für ein erfindungsgemäßes Filter ergeben sich beiFor a filter according to the invention, there are

einer Substratgröße von z. B. 5 χ 10 mm und 0,5 mm Dicke Abmessungen für die Schichtdicke, z. B. für die Hocker, eine Höhe von 50—300 μπι, insbesondere von 100 μίτι.a substrate size of e.g. B. 5 χ 10 mm and 0.5 mm thickness Dimensions for the layer thickness, z. B. for the Stool, a height of 50-300 μm, in particular of 100 μίτι.

Zusammenfassung
Oberflächenwellenfilter mit minimalem Übersprechensummary
Surface acoustic wave filter with minimal crosstalk

Oberflächenwellenfilter, dessen elektrisches Übersprechen durch Einstellung der Kapazität (Ci) des Eingangswandlers (2) im Zusammenwirken mit dem Abieitwiderstand (8) des Metallträgers (5) minimalisiert wird, wozu ein definierter Abstand (Schicht 6) zwischen Substratkörper (4) und Metallträger (5) eingehalten wird.Surface acoustic wave filter, the electrical crosstalk of which is minimized by setting the capacitance (Ci) of the input transducer (2) in cooperation with the discharge resistance (8) of the metal carrier (5), including a defined distance (layer 6) between the substrate body (4) and the metal carrier (5) ) is adhered to.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (9)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Oberflächenwellenfilter mit Eingangs- und mit Ausgangswandler auf einem piezoelektrischen Substratkörper, der mit seiner Rückseite auf einem elektrisch an Masse anzuschließenden Metallträger angebracht ist, wobei zwischen Substratkörper und Metallträger eine Schicht mit endlicher Dicke zur Dämpfung von Volumenwellen vorhanden ist, gekennzeichnet dadurch, daß zur Verminderung auch des elektrischen Übersprechens die Dicke dieser Schicht (6, 60) so bemessen ist, daß die am Metallträger (5) im Betrieb auftretende elektrische Spannung gegen Masse, die auf der Kapazität zwischen dem Eingangswandler (2) und diesem Metallträger (5) einerseits und dem tatsächlich vorhandenen induktiven Widerstand (8) zwischen dein Metallträger (5) und dem tatsächlichen Massepotential (7) andererseits beruht, gleich groß und phasenentgegengesetzt der Spannung ist, die auf der Kapazität zwischen Eingangswandler (2) und Ausgangswandler (3) beruht.1. Surface acoustic wave filter with input and output transducers on a piezoelectric substrate body, the back of which is on a Metal carrier to be electrically connected to ground is attached, between the substrate body and Metal carrier a layer with finite thickness for damping bulk waves is present, characterized in that the electrical crosstalk is also reduced Thickness of this layer (6, 60) is such that the electrical occurring on the metal support (5) during operation Voltage to ground, which is on the capacitance between the input transducer (2) and this Metal support (5) on the one hand and the inductive resistor (8) actually present between your metal support (5) and the actual ground potential (7) on the other hand, are the same size and is opposite in phase to the voltage on the capacitance between input transducer (2) and Output converter (3) is based. 2. Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß der Ausgangswandler (3) ein symmetrisch betriebener Wandler ist, wobei die wirksame Kapazität (ICn- C\ \ [) zwischen Eingangswandler (2) und Ausgangswandler (3) die sich ergebende Diffei cnzkapazität ist.2. Surface acoustic wave filter according to claim 1, characterized in that the output transducer (3) is a symmetrically operated transducer, the effective capacitance (ICn- C \ \ [) between the input transducer (2) and the output transducer (3) is the resulting differential capacity . 3. Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet dadurch, daß der Eingangswandler (2) ein symmetrisch betriebener Wandler ist, wobei die wirksame Kapazität zwischen Eingangswandler (2) und Ausgangswandler (3) die sich ergebende Differenzkapazität ist.3. Surface acoustic wave filter according to claim 1 or 2, characterized in that the input transducer (2) is a symmetrically operated converter, the effective capacitance between input converter (2) and output converter (3) being the resulting differential capacitance is. 4. Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 1, 2 oder 3, gekennzeichnet dadurch, daß der Abstand zwischen Substratkörper (4) und Metallträger (5) entsprechend der vorgegebenen Dicke der Schicht durch Verwendung einer Folie (60) aus dielektrischem Material entsprechender Dicke bewirkt ist.4. Surface acoustic wave filter according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the distance between substrate body (4) and metal carrier (5) according to the predetermined thickness of the layer is effected by using a film (60) of dielectric material of appropriate thickness. 5. Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 1, 2 oder 3, gekennzeichnet dadurch, daß zur Einhaltung des Abstands zwischen Substratkörper (4) und Metallträger (5) der Metallträger mit einer Anzahl Höcker (30) versehen ist, die dem Substratkörper (4) entgegengerichtet gewölbt sind.5. Surface acoustic wave filter according to claim 1, 2 or 3, characterized in that compliance the distance between the substrate body (4) and the metal carrier (5) of the metal carrier with a number Bump (30) is provided, which are curved in the opposite direction to the substrate body (4). 6. Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 5, gekennzeichnet dadurch, daß die Hocker (30) in unregelmäßiger Weise über die Fläche des Metallträgers (5) verteilt angeordnet sind.6. Surface acoustic wave filter according to claim 5, characterized in that the stool (30) in are arranged distributed irregularly over the surface of the metal support (5). 7. Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 6, gekennzeichnet dadurch, daß für die Abstände der Hocker (30) voneinander Werte im Bereich von 50 bis 300 μηι vorgesehen sind.7. Surface acoustic wave filter according to claim 6, characterized in that for the distances of the Stool (30) from each other values in the range from 50 to 300 μm are provided. 8. Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 1, 2 oder 3, gekennzeichnet dadurch, daß zur Einhaltung des Abstands zwischen Substratkörper (4) und Metallträger (5) in das Material der Schicht (6) ein Gewebe (61) eingebettet ist.8. Surface acoustic wave filter according to claim 1, 2 or 3, characterized in that compliance of the distance between the substrate body (4) and the metal carrier (5) in the material of the layer (6) Fabric (61) is embedded. 9. Oberflächenwellenfilter nach vorhergehendem Anspruch, gekennzeichnet dadurch, daß die Fadenrichtung des Gewebes (61) zur Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwellen zwischen Eingangswandler (2) und Ausgangswandler (3) schräg gerichtet verlaufen.9. Surface acoustic wave filter according to the preceding claim, characterized in that the thread direction of the fabric (61) to the direction of propagation of the surface waves between the input transducers (2) and output transducer (3) run obliquely. Die Erfindung bezieht sich auf ein Oberflächenwellenfilter, wie es im Oberbegriff des Patentanspruches 1 angegeben istThe invention relates to a surface acoustic wave filter as described in the preamble of claim 1 is specified Oberflächenwellenfilter sind aus dem Stand der Technik, so z.B. aus »Physics Today«, Nov. 1972, S. 32—39, dem einschlägigen Fachmann bekannt Es handelt sich dabei, kurz gesagt, um elektrische Bauelemente mit Filtereigenschaften, bei denen ein in einen Eingangswandler eingegebenes Signal in eine ίο mechanische Oberflächenwelle umgewandelt wird, die auf bzw. in der Oberfläche eines piezoelektrischen Substratkörpers, wie z. B. Lithium-Niobat oder Piezokeramik, zu einem Ausgangswandler läuft Vom Ausgangswandler wird die Oberflächenwelle wieder in ein elektrisches Signal zurückumgewandelt Die üblicherweise verwendeten Wandler sind Interdigitalstrukturen mit Laufzeiteffekt die mit einer Struktur zur Abschirmung versehen sein können. Sie haben stark frequenzabhängige Eigenschaften, so daß auf Grund der Ausbildung der Strukturen eine Filterwirkung für elektrische Signale erreichbar ist Bezüglich weiterer Einzelheiten sei insbesondere auf den obengenannten Stand der Technik hingewiesen.Surface acoustic wave filters are from the state of the art, for example from "Physics Today", Nov. 1972, Pp. 32-39, known to those skilled in the art. In short, they are electrical Components with filter properties in which a signal input to an input transducer is converted into a ίο mechanical surface wave is converted on or in the surface of a piezoelectric Substrate body, such as. B. lithium niobate or piezoceramic, runs to an output transducer The surface wave is returned to an output transducer electrical signal converted back The commonly used converters are interdigital structures with runtime effect which can be provided with a structure for shielding. They have highly frequency dependent Properties, so that due to the formation of the structures a filter effect for electrical signals can be achieved. For further details, refer in particular to the above State of the art pointed out. Im Prinzip sehr gute Filtereigenschaften derartiger Oberflächenwellenfilter werden aber durch sogenanntes Übersprechen verschlechtert Dabei handelt es sich um einen Signalübergang vom Eingang zum Ausgang, der den Alternden Eigenschaften des Filters nicht unterliegtIn principle, surface acoustic wave filters of this type have very good filter properties Crosstalk deteriorated This is a signal transition from input to output, which is not subject to the aging properties of the filter Es sind bereits vielfältige Anstrengungen unternommen worden, das Übersprechen bei Oberflächenwellenfiltern zu vermeiden. Hierzu sind die verschiedensten elektrischen Abschirmungen und/oder mechanische Entkopplungen versucht worden. So sind z. B. auf bzw. am Substratkörper Abschirmelektroden angebracht worden.Various efforts have already been made to reduce crosstalk in surface acoustic wave filters to avoid. A wide variety of electrical and / or mechanical shields are used for this purpose Decoupling has been attempted. So are z. B. mounted on or on the substrate body shielding electrodes been. Eine weitere Maßnahme zur Verminderung des Übersprechens vom Eingangswandler zum Ausgangswandler ist, den Ausgangswandler symmetrisch zu betreiben, so daß nur noch ungleiche Kapazitäten zwischen dem Eingangswandler einerseits und der jeweiligen Elektrode des Ausgangswandlers andererseits sowie ungleiche Kapazitäten zwischen der jeweiligen Elektrode des Ausgangswandlers und der der Abschirmelektrode des Substratkörpers als Differenzkapazitäten für Übersprechen wirksam bleiben.Another measure to reduce crosstalk from the input transducer to the output transducer is to operate the output converter symmetrically, so that only unequal capacities between the input transducer on the one hand and the respective electrode of the output transducer on the other hand as well as unequal capacitances between the respective electrode of the output transducer and that of the The shielding electrode of the substrate body remains effective as differential capacitances for crosstalk. Mechanische Entkopplung ist z. B. dadurch erreicht worden, daß ein Signalübergang über Volumenwellen vermindert worden ist nämlich durch Anbringung von mechanische Schwingungen dämpfenden Schichten auf der Rückseite des Substratkörpers.Mechanical decoupling is z. B. has been achieved in that a signal transition via bulk waves it has been reduced by applying layers to dampen mechanical vibrations the back of the substrate body. Im Zusammenhang mit Übersprechen ist hier also nicht nur unerwünschter Signalübergang vom Eingang zum Ausgang aufgrund rein elektrischen Nebenschlusses, sondern auch aufgrund mechanischer Übertragung mit vorzugsweise Volumenwellen zu berücksichtigen. Diese Volumenwellen werden nämlich in unkontrollierter Weise auch an der Oberfläche des Substratkörpers reflektiert, die der die Wandler tragenden Oberfläche gegenüberliegt.In connection with crosstalk, this is not just an undesired signal transition from the input to the output due to a purely electrical shunt, but also due to mechanical transmission with preferably bulk waves to be considered. These volume waves are namely in uncontrolled Way also reflected on the surface of the substrate body, that of the surface carrying the transducers opposite. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Maßnahme zur Verringerung des elektrischen Übersprechens bei wie oben umrissenen Oberflächenwellenfiltern zu finden.It is the object of the present invention to provide a measure for reducing electrical crosstalk found in surface acoustic wave filters as outlined above. Diese Aufgabe wird durch ein wie im Oberbegriff des Patentanspruches 1 angegebenes Oberflächenwellenfilter erreicht, das erfindungsgemäß gekennzeichnet ist, wie dies im Kennzeichen des Patentanspruches 1 näherThis object is achieved by a surface acoustic wave filter as specified in the preamble of patent claim 1 achieved, which is characterized according to the invention, as detailed in the characterizing part of claim 1
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