DE2842319A1 - MONOLITHICALLY INTEGRATED CIRCUIT WITH HIGH VOLTAGE RESISTANCE FOR COUPLING GALVANICALLY ISOLATED CIRCUITS - Google Patents

MONOLITHICALLY INTEGRATED CIRCUIT WITH HIGH VOLTAGE RESISTANCE FOR COUPLING GALVANICALLY ISOLATED CIRCUITS

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DE2842319A1 DE19782842319 DE2842319A DE2842319A1 DE 2842319 A1 DE2842319 A1 DE 2842319A1 DE 19782842319 DE19782842319 DE 19782842319 DE 2842319 A DE2842319 A DE 2842319A DE 2842319 A1 DE2842319 A1 DE 2842319A1
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    • Y10S331/03—Logic gate active element oscillator

Description

AKTIENGESELLSCHAFT Unser Zeichen Berlin und München VPAAKTIENGESELLSCHAFT Our mark Berlin and Munich VPA

73 P 7 t 4 5 BRD73 P 7 t 4 5 FRG

Monolithisch integrierte Schaltung mit hoher Spannungsfestigkeit zur Koppelung galvanisch getrennter Schaltkreise Monolithic integrated circuit with high dielectric strength for coupling galvanically separated circuits

Die Erfindung betrifft eine monolithisch integrierte Schaltung mit hoher Spannungsfestigkeit zur Koppelung galvanisch getrennter Schaltkreise.The invention relates to a monolithically integrated circuit with a high dielectric strength for coupling galvanically separated circuits.

Für direkt am Netz betriebene Schaltungen ist in den meisten Fällen eine galvanische Entkoppelung der betreffenden Eingangsseite von der Ausgangsseite mit hoher Spannungsfestigkeit, z.B. 1,5kV, zwischen den beiden Seiten vorgeschrieben. Solche Schaltungen sind bisher ausschließlich durch diskrete Bauelemente, wie beispielsweise Übertrager, Kondensatoren oder Optokoppler realisiert worden. Bekannte Halbleiterrelais sind beispielsweise mit hybrid-integrierten Bauelementen ausgeführt, wobei ein dort verwendeter Optokoppler aus einer Photodiode, einer Lichtleitstrecke und einem Phototransistor besteht. Die Verwendung eines Kondensators für denFor circuits operated directly on the mains, in most cases a galvanic decoupling of the relevant Input side from the output side with high dielectric strength, e.g. 1.5kV, between the two Pages prescribed. Such circuits are so far exclusively by discrete components, such as Transformers, capacitors or optocouplers implemented been. Well-known semiconductor relays are designed, for example, with hybrid-integrated components, an optocoupler used there consisting of a photodiode, a light guide and a phototransistor consists. The use of a capacitor for the

Pap 1 Kg/28.9.1978Pap 1 kg / 9/28/1978

030016/01 12030016/01 12

-X- VPA 78 P 7 Η5 ORD-X- VPA 78 P 7 Η5 ORD

•j• j

angegebenen Zweck ist ζ.Β bekannt aus der Zeitschrift "Elektor", Juli/August 1976, 7-48/49 "Kapazitiver Triac-Koppler". stated purpose is ζ.Β known from the magazine "Elektor", July / August 1976, 7-48 / 49 "Capacitive Triac Coupler".

Die bekannten Schaltungen haben u.a. den Nachteil, daß sie relativ umfangreich und darüber hinaus kostspielig sind.The known circuits have, inter alia, the disadvantage that they are relatively extensive and, moreover, expensive are.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltung anzugeben, die die Vorteile hoher Spannungsfestigkeit der Strecke zwischen Eingangsseite und Ausgangsseite, geringen Raumbedarfs und geringer Herstellungskosten verbindet.The present invention is based on the object to specify a circuit that takes advantage of the high dielectric strength of the path between the input side and Output side, low space requirements and low manufacturing costs.

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird durch eine monolithisch integrierte Schaltung mit hoher Spannungsfestigkeit zur Koppelung galvanisch getrennter Schaltkreise gelöst, die dadurch gekennzeichnet ist, daß ein Signalkoppler gemeinsam mit einer Primärschaltung und einer mit der Primärschaltung zu koppelnden Sekundärschaltung auf einem Chip integriert ist und daß für den Signalkoppler ein integrierter Koppelkondensator vorgesehen ist, der durch eine an sich bekannte, in eine Passivierungsschicht eingebettete koplanare Leiterbahnanordnung realisiert ist, die auf ein isolierendes Substrat, vorzugsweise aus Saphir bestehend,aufgebracht ist.The object on which the invention is based is achieved by a monolithically integrated circuit with high dielectric strength solved for the coupling of galvanically separated circuits, which is characterized by that a signal coupler is to be coupled together with a primary circuit and one with the primary circuit Secondary circuit is integrated on a chip and that an integrated coupling capacitor for the signal coupler is provided by a known per se, embedded in a passivation layer coplanar conductor track arrangement is realized, which is applied to an insulating substrate, preferably consisting of sapphire is.

Eine koplanare Leiterbahnanordnung der genannten Art ist aus denlfSiemens Forschungs- und Entwicklungsberichten11 bekannt, vgl. dort Bd. 5 (1976) Nr. 2, S. 72-75 , H. Fritzsche: "Capacitances of Coplanar Microstrip Lines in Integrated Circuits". A coplanar conductor track arrangement of the type mentioned is known from the Siemens research and development reports 11 , cf. there Vol. 5 (1976) No. 2, pp. 72-75, H. Fritzsche: "Capacitances of Coplanar Microstrip Lines in Integrated Circuits ".

030016/0112030016/0112

Die Erfindung bietet den Vorteil, daß eine relativ hohe Spannungsfestigkeit erreichbar ist, die ansonsten mit Massivsilizium-Techniken nur äußerst schwer reproduzierbar zu erreichen ist. Außerdem ist es vorteilhaft, daß die erfindungsgemäße monolithisch integrierte Schaltung nur einen geringen Rauminhalt hat und kostengünstig herstellbar ist.The invention offers the advantage that a relatively high Dielectric strength can be achieved, which is otherwise extremely difficult to reproduce with solid silicon techniques can be achieved. In addition, it is advantageous that the monolithically integrated circuit according to the invention has only a small volume and is inexpensive to manufacture.

Eine Weiterbildung der Erfindung ist dadurch gekennzeich net, daß mehrere durch koplanare Leiterbahnanordnungen realisierte Koppelkondensatoren auf dem Chip vorgesehen sind, daß die Koppelkondensatoren gemeinsam durch eine Reihenschaltung zu einem kapazitiven Spannungsteiler zusammengeschaltet sind und daß die Abstände der Leiterbahnen voneinander im Vergleich zu dem Abstand der Leiterbahnen bei Anordnung eines durch eine einzige koplanare Leiterbahnanordnung realisierten Koppelkondensators verringert sind.A further development of the invention is characterized in that several by coplanar conductor track arrangements realized coupling capacitors are provided on the chip that the coupling capacitors are shared by a Series connection are interconnected to form a capacitive voltage divider and that the distances between the conductor tracks from each other compared to the distance between the conductor tracks when arranging one through a single coplanar Conductor arrangement realized coupling capacitor are reduced.

Die Weiterbildung der Erfindung bietet den Vorteil, daß die Spannungsfestigkeit der Strecke zwischen dem Eingang und dem Ausgang der Gesamtschaltung erhöht werden kann.The development of the invention offers the advantage that the dielectric strength of the path between the input and the output of the overall circuit can be increased.

Im folgenden wird die Erfindung anhand mehrerer Ausführungsbeispiele für die Erfindung betreffender Figuren erläutert.In the following the invention is based on several exemplary embodiments Explained for the invention relevant figures.

Fig. 1 zeigt das Blockschaltbild eines gemäß der Erfindung ausgeführten integrierten Festkörperrelais, dessen einzelne. Schaltungsbereiche auf einem einzigen Chip CH integriert angeordnet sind,Fig. 1 shows the block diagram of an integrated solid-state relay designed according to the invention, its individual. Circuit areas arranged in an integrated manner on a single chip CH are,

030016/0112030016/0112

Fig. 2 zeigt das Blockschaltbild eines gemäß der Erfindung ausgeführten integrierten kapazitiven Kopplers für Signalübertragungen,Fig. 2 shows the block diagram of an integrated capacitive implemented according to the invention Coupler for signal transmission,

Fig. 3 zeigt auszugsweise den Querschnitt einer gemäßFig. 3 shows in excerpts the cross section of an according to

der Erfindung aufgebauten Schaltung, bei dem die Anordnung koplanarer Leiterbahnen 1, 2 in einer Passivierungsschicht PASS und auf einem Substrat ' SUB verdeutlicht ist,
10The circuit constructed according to the invention, in which the arrangement of coplanar conductor tracks 1, 2 in a passivation layer PASS and on a substrate 'SUB is illustrated,
10

Fig. 4 zeigt den Querschnitt einer erfindungsgemäßen Anordnung mehrerer koplanarer Leiterbahnen 1,2..n,Fig. 4 shows the cross section of an arrangement according to the invention of several coplanar conductor tracks 1,2..n,

Fig. 5 zeigt den qualitativen Verlauf der Durchbruchsfeldstärke Em in Abhängigkeit von einem Abstand d der Leiterbahnen 1,2 voneinander,Fig. 5 shows the qualitative course of the breakdown field strength E m as a function of a distance d of the conductor tracks 1, 2 from one another,

Fig. 6 zeigt ein Gatterschaltbild eines gemäß der Erfindung ausgeführten integrierten kapazitiven Kopplers,6 shows a gate circuit diagram of an integrated capacitive device implemented according to the invention Coupler,

Fig. 7 zeigt das zu dem in Fig. 6 gezeigten Gatterschaltbild gehörende ausführliche Schaltbild eines gemäß der Erfindung aufgebauten integrierten kapazitiven Kopplers,FIG. 7 shows the detailed circuit diagram associated with the gate circuit diagram shown in FIG an integrated capacitive coupler constructed according to the invention,

Fig. 8 zeigt ein Blockschaltbild für einen gemäß der Erfindung aufgebauten integrierten kapazitiven Koppler für eine Energieübertragung, 308 shows a block diagram for an integrated capacitive device constructed according to the invention Coupler for energy transmission, 30

Fig. 9 zeigt das detaillierte Schaltbild des in Fig. gezeigten Kopplers.FIG. 9 shows the detailed circuit diagram of the coupler shown in FIG.

0300 16/0 1120300 16/0 112

X VPA 78 P 7 14 5BRDX VPA 78 P 7 14 5BRD

Fig. 1 zeigt, wie bereits erwähnt, das vereinfachte Blockschaltbild eines auf einem Chip CH monolithisch integrierten Schalters, der einen Verbraucher V sekundärseitig schalten soll und eine galvanische Trennung GT beinhaltet (Festkörperrelais). Soll die Primärschaltung PS von der Sekundärseite aus versorgt werden, ist zusätzlich zu einem Signalkoppler SK, der auf die Sekundärschaltung SS wirkt, eine Schaltung zur Energieübertragung, nämlich ein Energiekoppler EK nötig. Mit SW ist der Signalweg, mit EW der Energieweg bezeichnet.As already mentioned, FIG. 1 shows the simplified block diagram of a monolithic on a chip CH integrated switch that is to switch a consumer V on the secondary side and a galvanic separation GT includes (solid state relay). If the primary circuit PS is to be supplied from the secondary side, is also to a signal coupler SK, which acts on the secondary circuit SS, a circuit for energy transmission, namely an energy coupler EK necessary. The signal path is designated with SW and the energy path with EW.

Fig. 2 zeigt, wie bereits erwähnt, das Blockschaltbild einer Schaltung für einen kapazitiven Signalkoppler. Auf der Primärseite P wird ein durch einen vom Signaleingang E gesteuerten Oszillator OSZ hochfrequentes Signal erzeugt, über den Koppelkondensator CK auf die Sekundärseite S übertragen, dort verstärkt und vorzugsweise gleichgerichtet (Ausgangssignal A).As already mentioned, FIG. 2 shows the block diagram of a circuit for a capacitive signal coupler. A high-frequency signal is generated on the primary side P by an oscillator OSZ controlled by the signal input E, transmitted via the coupling capacitor C K to the secondary side S, where it is amplified and preferably rectified (output signal A).

Fig. 3 zeigt die Anordnung eines integrierten Koppelkondensators, der,in eine Passivierungsschicht PASS eingebettet, auf einem isolierenden Substrat SUB liegt (z.B. ESFI-SOS-Technik). Die Kapazität wird durch die koplanare Leiterbahnanordnung 1-a-2 erzielt. Durch eine solehe Anordnung werden sehr hohe Spannungsfestigkeiten erreicht, die sonst mit Massivsilizium-Techniken nur äußerst schwer zu realisieren sind. Die Spannungsfestigkeit liegt bei passivierten Oberflächen im Bereich von mehreren kV und die Kapazitätswerte im 100 fF-Bereich.Fig. 3 shows the arrangement of an integrated coupling capacitor, which, embedded in a passivation layer PASS, is on an insulating substrate SUB (e.g. ESFI-SOS technology). The capacitance is determined by the coplanar Conductor arrangement 1-a-2 achieved. By a solehe Arrangement, very high dielectric strengths are achieved, which otherwise only with solid silicon techniques are extremely difficult to achieve. The dielectric strength of passivated surfaces is in the range of several kV and the capacitance values in the 100 fF range.

Die ESFI-SOS-Technik ist in der Broschüre "Siemens Halbleiterbauelemente für die Elektronik83 s B 10/1431, S. 60 u. 61 beschrieben.The ESFI-SOS technology is described in the brochure "Siemens Semiconductor Components for Electronics 83 s B 10/1431, pp. 60 and 61.

030016/01030016/01

Da die Durchbruchfeldstärke Em bei kleinen Abständen d einen starken Anstieg verzeichnet, vgl. Fig. 5, kann es vorteilhaft sein, mehrere koplanare Kondensatoren (Leiterbahnen) bei gleichzeitiger Verringerung des Abstandes in Serie zu schalten und dadurch hohe Spannungsfestigkeiten und größere Kopplungskapazitäten zu erzielen, vgl. Fig. 4. In diesem Fall liegen die inneren Leiterbahnen (2...n-1) auf keinem festen Potential. Die Voraussetzung für eine erhöhte Spannungsfestigkeit der Mehrleiteranordnung ist eine genaue Symmetrierung der Leiterbahnen, die mit den heutigen Technologien verhältnismäßig leicht zu realisieren ist.Since the breakdown field strength E m shows a strong increase at small distances d, cf. see Fig. 4. In this case, the inner conductor tracks (2 ... n-1) are not at a fixed potential. The prerequisite for an increased dielectric strength of the multi-conductor arrangement is an exact balancing of the conductor tracks, which is relatively easy to implement with today's technologies.

Nach Fig. 3, 4 und 5 gilt für die Durchbruchspannung (U1J3) für 2 bzw. η LeiterAccording to FIGS. 3, 4 and 5, the breakdown voltage (U 1 J 3 ) for 2 or η conductors applies

UDB 12 * E12 · a (1) U DB 12 * E 12 a (1)

ÜDB 1n ** n E12 * a (2) Ü DB 1n ** n E 12 * a (2)

Um mit η Leiterbahnen gleiche Spannungsfestigkeit zu erreichen, muß gelten „ > - a (3)In order to achieve the same dielectric strength with η conductor tracks, the following must apply: "> - a (3)

12 12 η a Falls12 12 η a if

CK1n> CK 12
und C K1n > C K 12
and

a*< aa * <a

kann in bezug auf die Güte (UDB und Cg.) und Fläche des Koppelkondensators ein echter Gewinn erzielt werden.a real gain can be achieved with regard to the quality (U DB and Cg.) and area of the coupling capacitor.

Zur weiteren Erhöhung der Koppelkapazität sollte die Passivierungsschicht eine möglichst hohe relative Dielektrizitätskonstante haben.To further increase the coupling capacity, the Passivation layer have the highest possible relative dielectric constant.

Fig. 6 und Fig. 7 s@ig@E, ein Beismal einer s^s Fig. 6 and Fig. 7 s @ ig @ E, an occasional one s ^ s

inin

-- VPA 78 P 7145 BRDVPA 78 P 7145 BRD

ΛΟΛΟ

ESFI-SOS-Technik. Die Schaltelemente sind konventionelle Transistoren, Dioden, Widerstände und Kapazitäten (mit Ausnähme von C^), wie sie in der ESFI-Technik verwendet werden. Da eine solche Übertragungsstrecke Bandpasscharakteristik zeigt, ist es sinnvoll, die Oszillatorfrequenz auf die Mittenfrequenz abzustimmen. Dies kann durch Wahl der Stufenanzahl des Ringoszillators oder durch Änderung der Inverterlaufzeit erfolgen. Mit STE bzw. ■ STA ist in dieser Anordnung die Eingangs- bzw. Ausgangs- ; stufe, mit VS der Verstärker und mit GL der Gleichrichter bezeichnet.ESFI-SOS technology. The switching elements are conventional Transistors, diodes, resistors and capacitances (with the exception of C ^) as used in ESFI technology will. Because such a transmission path is bandpass characteristic shows, it makes sense to adjust the oscillator frequency to the center frequency. This can by selecting the number of stages of the ring oscillator or by changing the inverter running time. With STE resp. ■ STA is the input or output in this arrangement; stage, with VS the amplifier and with GL the rectifier designated.

Das Beispiel einer ausgeführten Schaltung zur Energieversorgung durch einen kapazitiven Koppler zeigen Fig. und 9. Ein Oszillatorsignal mit hoher Frequenz (f_„)The example of an implemented circuit for power supply by a capacitive coupler is shown in Fig. and 9. A high frequency oscillator signal (f_ ")

OSCOSC

wird in seiner Spannung verstärkt (UH) und über CK auf die Primärseite übertragen. Dabei fließt ein Strom mit dem Wert Ug . 2 fQSC · Cg · Der Strom wird gleichgerichtet und der Speicherkondensator Cg geladen. Die gespeicherte Energie ist ausreichend, die Primärschaltung kurzzeitig mit Strom zu versorgen.is amplified in its voltage (U H ) and transmitted to the primary side via C K. A current flows with the value Ug. 2 f QSC · Cg · The current is rectified and the storage capacitor Cg is charged. The stored energy is sufficient to supply the primary circuit with power for a short time.

9 Patentansprüche
9 Figuren9 claims
9 figures

Claims (9)

VPA 78 ρ 7 t 4 5 BRDVPA 78 ρ 7 t 4 5 Germany PatentansprücheClaims \1y Monolithisch integrierte Schaltung mit hoher Spanntangsfestigkeit zur Koppelung galvanisch getrennter Schaltkreise., dadurch gekennzeichnet, daß ein Signalkoppler (SK) gemeinsam mit einer Primärschaltung (PS) und einer mit der Primärschaltung (PS) zu koppelnden Sekundärschaltung (SS) auf einem Chip (CH) integriert ist und daß für den Signalkoppler (SK) ein integrierter Koppelkondensator (CR) vorgesehen ist, der durch eine an sich bekannte, in eine Passivierungsschicht (PASS) eingebettete koplanare Leiterbahnanordnung (i-a-2) realisiert ist, die auf ein isolierendes Substrat (SUB), vorzugsweise aus Saphir bestehend, aufgebracht ist.\ 1y Monolithic integrated circuit with high voltage stability for coupling galvanically separated circuits., Characterized in that a signal coupler (SK) together with a primary circuit (PS) and a secondary circuit (SS) to be coupled to the primary circuit (PS) on a chip (CH ) is integrated and that an integrated coupling capacitor (C R ) is provided for the signal coupler (SK), which is implemented by a known coplanar conductor path arrangement (ia-2) embedded in a passivation layer (PASS), which is implemented on an insulating substrate (SUB), preferably consisting of sapphire, is applied. 2. Monolithisch integrierte Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere durch koplanare Leiterbahnanordnungen realisierte Koppelkondensatoren auf dem Chip(CH) vorgesehen sind, daß die Koppelkondensatoren gemeinsam durch eine Reihenschaltung zu einem kapazitiven Spannungsteiler zusammengeschaltet sind und daß die Abstände der Leiterbahnen voneinander im Vergleich zu dem Abstand der Leiterbahnen bei Anordnung eines durch eine einzige koplanare Leiterbahnanordnung (1-a-2) realisierten Koppelkondensators (C^) verringert sind.2. Monolithic integrated circuit according to claim 1, characterized in that several Coupling capacitors realized by coplanar conductor track arrangements are provided on the chip (CH) that the coupling capacitors are connected together by a series circuit to form a capacitive voltage divider and that the distances between the conductor tracks are compared to the distance between the conductor tracks with the arrangement of a coupling capacitor implemented by a single coplanar conductor track arrangement (1-a-2) (C ^) are decreased. 3. Monolithisch integrierte Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Passivierungsschicht (PASS) eine hohe relative Dielektrizitätskonstante hat.3. Monolithic integrated circuit according to claim 2, characterized in that the Passivation layer (PASS) has a high relative dielectric constant. 030016/01 12030016/01 12 - 2 - VPA 78 P 7 1 4 5 BRD- 2 - VPA 78 P 7 1 4 5 BRD 4. Monolithisch integrierte Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein von außerhalb des Chip (CH) beeinflußbarer Signaleingang (E) und ein nach außerhalb des Chip (CH) wirkender Signalausgang (A) vorgesehen sind, daß die Primärschaltung (PS) durch einen Oszillator (OSZ) realisiert ist, der bei Empfang eines relevanten Signals über den Signaleingang (E) ein Wechselstromsignal abgibt, daß die Sekundärschaltung (SS) durch einen Verstärker (VS) und einen zwischen den Ausgang des Verstärkers (VS) und den Signalausgang (A) eingefügten Gleichrichter (GL) realisiert ist und daß ein jeweils von dem Oszillator (OSZ) abgegebenes Wechselstromsignal über den Koppelkondensator (Cg) in den Eingang des Ver-4. Monolithic integrated circuit according to one of the preceding claims, characterized in that that a signal input (E) that can be influenced from outside the chip (CH) and one to the outside of the chip (CH) acting signal output (A) are provided that the primary circuit (PS) by an oscillator (OSZ) is realized which, when a relevant signal is received via the signal input (E), an alternating current signal emits that the secondary circuit (SS) through an amplifier (VS) and one inserted between the output of the amplifier (VS) and the signal output (A) Rectifier (GL) is realized and that one each AC signal emitted by the oscillator (OSZ) via the coupling capacitor (Cg) into the input of the stärkers (VS) eingekoppelt wird, so daß an dem Signalausgang (A) ein dem dem Signaleingang (E) zugeführten Signal entsprechendes Signal entnehmbar ist.amplifier (VS) is coupled, so that at the signal output (A) one is fed to the signal input (E) Signal corresponding signal can be taken. 5. Monolithisch integrierte Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Oszillator (OSZ) mit einer vorgegebenen Frequenz, vorzugsweise der Mittenfrequenz der in aller Regel mit einer Bandpaßcharakteristik behafteten Gesamtschaltung,schwingt.5. Monolithic integrated circuit according to claim 4, characterized in that the Oscillator (OSZ) with a predetermined frequency, preferably the center frequency, which is usually with a Bandpass characteristic affected overall circuit, oscillates. 6. Monolithisch integrierte Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Oszillator (OSZ) als aus einem Verknüpfungsglied und mindestens einem an den Ausgang dieses Verknüpfungsgliedes angeschlossenen Inverter bestehender, an sich bekannter Ringoszillator ausgeführt ist und daß die Schwingfrequenz des Oszillators (OSZ) durch Wahl der Anzahl der Inverter bestimmbar ist.6. Monolithic integrated circuit according to claim 5, characterized in that the Oscillator (OSZ) as consisting of a logic element and at least one inverter connected to the output of this logic element, per se known ring oscillator is executed and that the oscillation frequency of the oscillator (OSZ) by choosing the Number of inverters can be determined. 030016/01 12030016/01 12 78 P 7 H 5 BRD78 P 7 H 5 FRG 7. Monolithisch integerierte Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Oszillator (OSZ) als aus einem Verknüpfungsglied und min*- destens einem an den Ausgang dieses Verknüpfungsgliedes angeschlossenen Inverter bestehender, an sich bekannter Ringoszillator ausgeführt ist und daß die Schwingfrequenz des Oszillators (OSZ) durch Wahl der Inverterlaufzeit bzw. der Inverterlaufzeiten bestimmbar ist.7. Monolithically integrated circuit according to claim 5, characterized in that the Oscillator (OSZ) as from a logic element and min * - at least one existing inverter connected to the output of this logic element, which is known per se Ring oscillator is executed and that the oscillation frequency of the oscillator (OSZ) by choosing the inverter run time or the inverter runtimes can be determined. 8. Monolithisch integrierte Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennz e i c hn e t, daß zu einer Energieversorgung der Primärschaltung (PS) ein Energiekoppler (EK) auf dem Chip (CH) angeordnet ist, der wie der Signalkoppler (SK) ausgeführt ist und zusätzlich zum Zwecke der Energieübertragung von einer Sekundärspannungsquelle (US) zu der Primärschaltung (PS) eingangsseitig zumindest einen Oszillator (OSZ) und ausgangsseitig zumindest einen Gleichrichter (GL) hat.8. Monolithic integrated circuit according to one of the preceding claims, characterized e i c hn e t that for a power supply of the primary circuit (PS) an energy coupler (EK) on the Chip (CH) is arranged, which is designed like the signal coupler (SK) and in addition for the purpose of energy transmission from a secondary voltage source (US) to the primary circuit (PS) on the input side at least one Oscillator (OSZ) and at least one rectifier (GL) on the output side. 9. Monolithisch integrierte Schaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Ausgangssignal des Oszillators (OSZ) durch einen dem Oszillator (OSZ) zugeordneten Verstärker (VS) verstärkt wird und daß dem Gleichrichter (GL) ein Energiespeicher (ESP), vorzugsweise ein Speicherkondensator (Cg), nachgeschaltet ist, dem jeweils kurzzeitige Impulse zur Energieversorgung der Primärschaltung (PS) entnehmbar sind.9. Monolithic integrated circuit according to claim 8, characterized in that the The output signal of the oscillator (OSZ) is amplified by an amplifier (VS) assigned to the oscillator (OSZ) and that the rectifier (GL) is followed by an energy store (ESP), preferably a storage capacitor (Cg) is, from which short-term pulses for supplying energy to the primary circuit (PS) can be taken are. 030016/0112030016/0112
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