DE2837394A1 - Semiconductor bridge rectifier - using two substrates, each contg. three rectifier elements, where the two direct current output leads are located on different substrates - Google Patents
Semiconductor bridge rectifier - using two substrates, each contg. three rectifier elements, where the two direct current output leads are located on different substratesInfo
- Publication number
- DE2837394A1 DE2837394A1 DE19782837394 DE2837394A DE2837394A1 DE 2837394 A1 DE2837394 A1 DE 2837394A1 DE 19782837394 DE19782837394 DE 19782837394 DE 2837394 A DE2837394 A DE 2837394A DE 2837394 A1 DE2837394 A1 DE 2837394A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor body
- junction
- bridge rectifier
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 4
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/764—Air gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0814—Diodes only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Abstract
Description
HALBLEITER-BRÜCKENGLEICHRICHTERANORDNUNG UND VERFAHRENSEMICONDUCTOR BRIDGE RECTIFIER ARRANGEMENT AND PROCEDURE
ZU IHRER HERSTELLUNG Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Brückengleichrichteranordnung, bei der die Halbleitergleichrichterelemente zwischen Abschnitten von aus bandförmigem Leitermaterial gebildeten Leiterteilstrukturen angeordnet und mit diesen kontaktiert und in eine Umhüllung eingeschlossen sind. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung derartiger Halbleiter-Brückengleichrichteranordnungen. FOR THEIR PRODUCTION The invention relates to a semiconductor bridge rectifier arrangement, in which the semiconductor rectifier elements are band-shaped between sections of Conductor material formed conductor part structures arranged and contacted with these and enclosed in an enclosure. The invention also relates to a Process for the production of such semiconductor bridge rectifier arrangements.
Aus der DE-AS 20 54 677 ist ein Verfahren zum Herstellen von Halbleitergleichrichteranordnungen in beliebiger Schaltung bekannt. Danach wird aus bandförmigem Leitermaterial eine Kette von ebenen, geometrischen Strukturen erzeugt, die aus durch eine gemeinsame Längsrandzone verbundenen Leiterteilen bestehen, und weiter wird zwischen entsprechend zugeordneten Abschnitten von Leiterteilen jeder Struktur, welche eine klammerförmige Halterung bilden, jeweils eine Halbleitertablette zwischengefügt und kontaktiert. Zur Herstellung der klammerförmigen Halterung wird jeweils einer der Leiterteilabschnitte aus der gemeinsamen Ebene heraus durch Kröpfen parallel versetzt und den anderen Leiterteilabschnitt überlappend angeordnet. Nach dem Einfügen und Kontaktieren der Halbleitertabletten werden diese in größerer Anzahl mit ihren Leiterteilen in der Strukturenkette gleichzeitig weiteren Verfahrensschritten unterworfen. Nach Herstellung der Gleichrichteranordnungen werden die Leiterteilstrukturen entlang von Marklerungslinien getrennt. Das Verfahren ist besonders dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterteilstrukturen aus besonders geformten und angeordneten Kontaktbügeln bestehen, und daß durch Köpfen eine Anzahl von Leiterteilen derart überlappend angeordnet werden, daß auch zwei oder mehr Halbleitertabletten kontaktiert werden können. Nachteilig ist bei diesem Verfahren, daß die Halbleitertabletten, deren Anzahl der durch die jeweilige Schaltung bestimmten Anzahl von Gleichrichterelementen entspricht, nicht in der für eine Großserienherstellung erforderlichen, rationellen Weise zwischen die entsprechenden Leiterteilabschnitte eingebracht werden können. So ist das Zwischenfügen sehr kleiner Tabletten zwischen die unter Federdruck gegenseitig anliegenden Leiterteilabschnitte sehr mühsam und bietet nicht die Gewähr einer einwandfreien und lagebestimmten Anordnung jeder Tablette. Außerdem besteht wegen übereinstimmendem Aussehen der beiden Kontaktflächen jeder Halbleitertablette beim Zwischenfügen derselben die Gefahr einer Anbringung in falscher elektrischer Orientierung. Das führt beim späteren elektrischen Prüfen zum Ausfall der Gleichrichteranordnung und damit zum Verlust auch noch brauchbarer Gleichrichterelemente. Eine zur Vermeidung dieser Schwierigkeiten jeweils zuvor durchgeführte Polaritätsmessung hemmt aber den gewünschten Verfahrens fluß erheblich.DE-AS 20 54 677 discloses a method for producing semiconductor rectifier arrangements known in any circuit. After that, a strip-shaped conductor material is made into a Chain of planar, geometric structures generated by a joint Longitudinal edge zone connected conductor parts exist, and further is between accordingly associated sections of ladder parts of each structure, which have a bracket-shaped Form holder, each a semiconductor tablet inserted and contacted. To produce the bracket-shaped holder, one of the ladder sections is used in each case offset from the common plane by crooks and the other parallel Conductor section arranged overlapping. After inserting and contacting the Semiconductor tablets are these in larger numbers with their conductor parts in the Structural chain simultaneously subjected to further process steps. After manufacture the rectifier arrangements are along the ladder sub-structures separated by marker lines. The process is particularly characterized by that the conductor part structures from specially shaped and arranged contact clips exist, and that a number of conductor parts are arranged in such an overlapping manner by heads be that two or more semiconductor tablets can be contacted. Disadvantageous is in this method that the semiconductor tablets, the number of which by the respective circuit corresponds to a certain number of rectifier elements, not in the rational manner required for mass production between the corresponding ladder sections can be introduced. Such is the interposition very small tablets between the sections of the ladder that rest against each other under spring pressure very troublesome and does not guarantee a perfect and location-specific arrangement each tablet. In addition, there is a matching appearance of the two contact surfaces each semiconductor tablet when interposed there is a risk of attachment in wrong electrical orientation. This leads to later electrical testing to failure of the rectifier arrangement and thus to loss even more useful Rectifier elements. One at a time to avoid these difficulties However, the polarity measurement carried out inhibits the desired process flow considerably.
Zwar ist aus der DE-AS 19 60 121 die Verwendung einer Halterungsplatte bekannt, die mit der vorgegebenen Anzahl von Halbleitertabletten bestückt und so zwischen die Leiterteilabschnitte eingebracht wird und dort verbleibt, daß die schaltungsbestimmte Anordnung der Halbleitertabletten sichergestellt ist. Mit einer solchen Vorrichtung wird jedoch der Verfahrensaufwand nicht verringert und die Gefahr einer Polaritötsverwechslung nicht beseitigt. Auch mit dieser Maßnahme können daher Halbleitertabletten nicht in gewünschter Weise elektrisch und råumlich einwandfrei und verfahrenstechnisch rationeller zwischen Üeiterteila bs chnitten angebracht werden Die aufgezeigten 5ch#ierigkeiten betreffen cusschließlich Kleingleich richteranordnungen, die üblicherweise als Brückenschaltungen verwendet werden.It is true that DE-AS 19 60 121 uses a mounting plate known to be equipped with the predetermined number of semiconductor tablets and so is introduced between the conductor sections and remains there that the circuit-specific Arrangement of the semiconductor tablets is ensured. With such a device However, the procedural complexity is not reduced and the risk of polarity confusion not eliminated. Semiconductor tablets cannot therefore be used with this measure either electrically in the desired manner and spatially flawless and procedurally The shown 5ch # ies exclusively concern minor equal judge orders, which are usually be used as bridge circuits.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiter-Bruckengleichrichteranordnung zu schaffen, deren Aufbau und Herstellung gegenüber dem Bekannten einen geringeren Fertigungsaufwand erfordert und das Anordnen aller Haibleitertabletten in richtiger elektrischer Orientierung gewährleistet.The invention is therefore based on the object of a semiconductor bridge rectifier arrangement to create, the structure and manufacture of which is less than what is known Requires manufacturing effort and arranging all of the semiconductor tablets in correct electrical orientation guaranteed.
Die Lösung der Aufgabe besteht darin, daß die jeweils einen der beiden als Gleichspannungspole vorgesehenen Verzweigungspunkte bildenden Gleichrichterelemente Bestandteile eines Halbleiterkörpers mit wenigstens einem pn-Übergang sind, der durch grabenförmige Vertiefungen von seiner einen Hauptfläche aus in die entsprechende Anzahl von als Gleichrichterelemente vorgesehenen Funktionsbereichen unterteilt ist, und daß die Kontaktschichten des einen Halbleiterkörpers durch Wahl des Kontaktmetalls gegenüber den Kontaktschichten des anderen Halbleiterkörpers äußerlich unterscheidbar ausgebildet sind.The solution to the problem is that each one of the two Rectifier elements forming branch points provided as DC voltage poles Components of a semiconductor body with at least one pn junction are through trench-shaped depressions from its one main surface into the corresponding one Number of functional areas provided as rectifier elements divided is, and that the contact layers of a semiconductor body by choice of the contact metal externally distinguishable from the contact layers of the other semiconductor body are trained.
Weiter besteht die Lösung der Aufgabe in einem Verfahren zur Herstellung einer derartigen Halbleitergleichrichteranordnung mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 6.The object is also achieved in a method for production such a semiconductor rectifier arrangement with the characterizing features of claim 6.
Halbleiter-Bruckengleichrichteranordnungen gemäß der Erfindung können zwei Halbleiterkörper mit jeweils einem pn-Übergang und mit gleicher Folge von Zonen unterschiedlichen Leitungstyps aufweisen.Semiconductor bridge rectifier arrangements according to the invention can two semiconductor bodies each with a pn junction and with the same sequence of zones have different line types.
Weiterhin sind Anordnungen herstellbar, welche zwei Halbleiterkörper mit jeweils einem pn-Ubergang und mit unterschiedlicher Folge von Zonen unterschiedlichen Leitföhigkeitstyps aufweisen.Furthermore, arrangements can be produced which have two semiconductor bodies each with a pn junction and with a different sequence of zones Have conductivity type.
Ferner können solche Ilalbleiter-Brückengleichrichteranordnungen auch als sogenannte haibgesteuerte Gleichrichteranordnungen ausgebildet sein, welche einen Halbleiterkörper mit einem pn-Ubergang und einen Halbleiterkörper mit vier Schichten abwechselnd unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps aufweisen.Furthermore, such semiconductor bridge rectifier arrangements can also be designed as so-called half-controlled rectifier arrangements, which a semiconductor body with a pn junction and a semiconductor body with four Layers alternately have different conductivity types.
Als Kontaktmetalle zur Unterscheidung der Kontaktschichten des einen Halbleiterkörpers von den Kontaktschichten des anderen Halbleiterkörpers sind die Metalle Nickel, Silber, Kupfer oder Gold vorgesehen.As contact metals to differentiate the contact layers of the one The semiconductor body from the contact layers of the other semiconductor body are the Metals nickel, silver, copper or gold are provided.
Anhand des in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiels werden Aufbau,Wirkungsweise und Herstellung des Gegenstandes der Erfindung aufgezeigt und erläutert.Based on the embodiment shown in the figure Structure, mode of operation and production of the subject matter of the invention shown and explained.
Die Darstellung zeigt eine ungekapselte Halbleitergleichrichteranordnung in Drehstrombruckenschaltung, bei welcher zwei Halbleiterkörper mit je drei Gleichrichterelementen zwischen Leiterteilen eingefügt und kontaktiert sind. Der Anschaulichkeit halber sind alle Bauteile unmaßstäblich vergrößert gezeichnet.The illustration shows an unencapsulated semiconductor rectifier arrangement in three-phase bridge circuit, in which two semiconductor bodies with three rectifier elements each are inserted and contacted between conductor parts. For the sake of clarity all components are drawn enlarged, not to scale.
Die dargestellte Anordnung besteht aus den beiden Halbleiterkörpern 1 und 2, aus welchen jeweils drei Gleichrichterelemente 10 bzw. 20 mit je einem pn-Übergang gebildet sind, aus den als Wechselstromanschlüssen vorgesehenen Leiterteilen 3, 4, 5, die je ein Gleichrichterelement der beiden Halbleiterkörper 1, 2 kontaktieren, und aus den als Gleichstromanschlüssen dienenden Leiterteilen 6 und 7, von welchen jeder jeweils mit der durchgehenden Kontaktfläche des zugeordneten Halbleiterkörpers fest verbunden ist.The arrangement shown consists of the two semiconductor bodies 1 and 2, each of which has three rectifier elements 10 and 20, each with one pn junction are formed from the conductor parts provided as AC connections 3, 4, 5, which each contact a rectifier element of the two semiconductor bodies 1, 2, and from the conductor parts 6 and 7 serving as direct current connections, of which each with the continuous contact area of the assigned semiconductor body is firmly connected.
Der Halbleiterkörper 1 aus n-leitendem Ausgangsmaterial besteht aus der p+-leitenden Zone 11, der n-leitenden Zone 12 und der n+-leitenden Zone 13. Er ist durch die beiden grabenförmigen Vertiefungen 15, die von der dem pn-Ubergang nächstliegenden Oberfläche aus die Zonenfolge senkrecht bis über den pn-Ubergang hinaus durchsetzen, in die drei räumlich und elektrisch parallel liegenden Gleichrichterelemente 10 unterteilt.The semiconductor body 1 made of n-conductive starting material consists of the p + -conductive zone 11, the n -conductive zone 12 and the n + -conductive zone 13. It is through the two trench-shaped depressions 15 that are separated from the pn junction nearest surface from the zone sequence perpendicular to the pn junction enforce in the three spatially and electrically parallel rectifier elements 10 divided.
Weiter ist der Halbleiterkörper 2 aus p-leitendem Ausgangsmaterial aus der n+-leitenden Zone 21, der p-leitenden Zone 22 und der p+-leitenden Zone 23 gebildet und durch die beiden Vertiefungen 25 in die Gleichrichterelemente 20 unterteilt. Werden zwei Halbleiterkörper mit gleichem Ausgangsmaterial verwendet, so durchsetzen die Vertiefungen bei dem einen Halbleiterkörper die beiden gleichnamigen Zonen und den anschließenden pn-Ubergang.The semiconductor body 2 is also made of p-conductive starting material from the n + -conductive zone 21, the p-conductive zone 22 and the p + -conductive zone 23 and formed by the two depressions 25 in the rectifier elements 20 divided. If two semiconductor bodies with the same starting material are used, so the depressions in the one semiconductor body penetrate the two of the same name Zones and the subsequent pn junction.
Die Halbleiterkörper 1, 2 sind an ihrer durch Unterteilen entstandenen einen Kontaktfläche jeweils mit einer Kontaktschicht 16 bzw.The semiconductor bodies 1, 2 are produced by dividing them a contact surface each with a contact layer 16 or
26 und an ihrer nicht unterteilten anderen Kontaktfläche mit einer Kontaktschicht 17 bzw. 27 versehen. Die Kontaktschichten 16, 26 dienen zur getrennten Kontaktierung der Gleichrichterelemente 10 bzw.26 and on its non-subdivided other contact surface with a Contact layer 17 or 27 provided. The contact layers 16, 26 are used to separate Contacting the rectifier elements 10 or
20, die Kontaktschichten 26, 27 dagegen stellen die den jeweiligen drei Gleichrichterelementen jedes Halbleiterkörpers gemeinsamen Kontaktelektroden dar und bilden für die entsprechenden Gleichrichterelemente jeweils einen gemeinsamen Verzweigungspunkt und damit einen Gleichspannungspol der vorgesehenen Gleichrichterschaltung.20, the contact layers 26, 27, however, represent the respective three rectifier elements of each semiconductor body common contact electrodes represent and each form a common rectifier element for the corresponding rectifier elements Junction point and thus a DC voltage pole of the rectifier circuit provided.
Die grabenförmigen Vertiefungen der einen Hauptfläche jedes Halbleiterkörpers stellen ein überraschend einfaches Kennzeichen zu seiner räumlich und elektrisch richtigen Anbringung in der Leiterteilstruktur dar. Um jedoch auch die schaltungsbedingt richtige Anordnung beider Halbleiterkörper gleicher oder unterschiedlicher Zonenfolge sicherzustellen, weisen gemäß der Erfindung sämtliche Kontaktschichten des einen Halbleiterkörpers gegenüber denjenigen des anderen Halbleiterkörpers ein äußerlich unterscheidbares Kontaktmetall auf. So können zum Beispiel die Kontaktschichten des Halbleiterkörpers 1 aus Gold und diejenigen des Halbleiterkörpers 2 aus Nickel bestehen.The trench-shaped depressions on one main surface of each semiconductor body put a surprisingly simple identifier to his spatial and electrically correct attachment in the conductor part structure. To, however, also the correct arrangement of the two semiconductor bodies due to the circuit, the same or different To ensure zone sequence, all contact layers have according to the invention of the one semiconductor body compared to that of the other semiconductor body externally distinguishable contact metal. For example, the contact layers of the semiconductor body 1 made of gold and those of the semiconductor body 2 made of nickel exist.
Das als Plus-Anschluß vorgesehene Leiterteil 7 ist mit einem großflächigen Abschnitt am Verschaltungspunkt 17 des Halbleiterkörpers 1 und das als Minus-Anschluß vorgesehene Leiterteil 6 ist mit einem großflächigen Abschnitt am Verschaltungspunkt 27 des Halbleiterkörpers 2 befestigt. Beide Leiterteile weisen ein freies Ende 71 bzw.The conductor part 7 provided as a plus connection has a large area Section at the interconnection point 17 of the semiconductor body 1 and that as a minus connection provided conductor part 6 is with a large area at the interconnection point 27 of the semiconductor body 2 attached. Both conductor parts have a free end 71 respectively.
61 für einen gehäuseäußeren Anschluß auf. Die Bemessung der Leiterteile und ihre geometrische Zuordnung zum jeweiligen Halbleiterkörper sind nicht Gegenstand der Erfindung.61 for a connection outside the housing. The dimensioning of the ladder parts and their geometric assignment to the respective semiconductor body are not the subject matter the invention.
Die beiden Halbleiterkörper 1 und 2 sind mit ihren durch die Vertiefungen 15 bzw. 25 unterteilten Flächen gegen die gemeinsame Symmetrieebene und gegenseitig versetzt angeordnet. Ein derartiger räumlicher Aufbau ermöglicht in besonders einfacher Weise die Verwendung bei Leiterteilstrukturen mit mehrere Leiterteile (3,4,5) überspannenden Kontaktbügeln (6,7), wie sie aus der DE-AS 20 54 677 bekannt sind.The two semiconductor bodies 1 and 2 are through the depressions 15 or 25 subdivided surfaces against the common plane of symmetry and against each other staggered. Such a spatial structure is particularly simple Way to use it for ladder structures with several ladder parts (3,4,5) spanning Contact clips (6,7), as they are known from DE-AS 20 54 677.
Die jeweils schaltungsbedingt einander zugeordneten, z.B. nach der Darstellung gemeinsame Symmetrieachse aufweisenden Gleichrichter~ elemente beider Halbleiterkörper sind jeweils mit ihrer Kontaktflache an einem gemeinsamen, beispielsweise plattenfbrmigen Leiterteil 3 bzw. 4 bzw. 5 befestigt. Die Leiterteile 3, 4, 5 bilden die Mechselstromanschlüsse der DrehstrombrUckenschaltung und enden in gehöusesauberen Ansc1>ivßabschnitten -31, 41, 51, Wie aus der Darstellung erkennbar, ist der Halbleiterkörper 1 zwischen das Leiterteil 7 einerseits und die L#iterteiie 3, 4i 5 andererseits und der Halbleiterkörper 2 zwischen die Leiterteile 3,4,5 einer seits und das teiterteil 6 andererseits eingefügt.The circuit-related assigned to each other, e.g. after the Representation of rectifier elements of both having a common axis of symmetry Semiconductor bodies are each with their contact surface on one common, for example plate-shaped conductor part 3 or 4 or 5 attached. The conductor parts 3, 4, 5 form the alternating current connections of the three-phase bridge circuit and end in housing-clean connector sections -31, 41, 51, as shown in the illustration can be seen, the semiconductor body 1 between the conductor part 7 on the one hand and the L # iterteiie 3, 4i 5 on the other hand and the semiconductor body 2 between the conductor parts 3,4,5 on the one hand and the tider part 6 on the other hand inserted.
Bei der Verwendung eines Halbleiterkörpers mit einer pnpn-Zonenfolge durchsetzen die Vertiefungen die p-leitende Emitterzone und den anschließenden pn-Übergang.When using a semiconductor body with a pnpn zone sequence the depressions penetrate the p-conducting emitter zone and the subsequent pn junction.
Zur Herstellung von Brückengleichrichteranordnungen nach der Erfindung werden zum Beispiel zwei Halbleiterkörper verwendet, deren Ausgangsleitfähigkeit der Polarität des Verzweigungspunktes der vorgesehenen Gruppe von Gleichrichterelementen entgegengesetzt ist. Sind demnach bei einer Drehstrombrückenschaltung drei Elemente an ihrer entsprechenden Kontaktelektrode zum positiven Anschluß der Anordnung verbunden, so ist das Ausgangsmaterial des Halbleiterkörpers n-leitend.For the production of bridge rectifier arrangements according to the invention For example, two semiconductor bodies are used, their output conductivity the polarity of the branch point of the intended group of rectifier elements is opposite. There are therefore three elements in a three-phase bridge circuit connected at their corresponding contact electrode to the positive connection of the arrangement, so the starting material of the semiconductor body is n-conductive.
Mit Rücksicht auf die Herstellung von Halbleiterkörpern mit unterschiedlichen Kontaktschichten werden vorzugsweise zwei großflächige Halbleiterausgangsscheiben jeweils mit einer dem Aufbau der Halbleiterkörper entsprechenden Folge von Leitfähigkeitszonen versehen, die wenigstens einen pn-Übergang einschließen. Anschließend werden auf beiden Flächen jeder Scheibe Kontaktmetallschichten aufgebracht, wobei zumindest die oberste Schicht aus einem der zur äußeren Unterscheidung geeigneten Metalle besteht. Danach werden zum Beispiel durch Ätzen, Sandstrahlen oder mittels Lasertechnik und erforderlichenfalls mit Hilfe vpn Maskierungsschickiten die Vertiefungen 15, 25 angebracht, und zwar lediglich von .der durch die Folge der Leitfbhiglceitszonen und die sdhaltungsbedingte elektrische Zuordnung der Halbleiterkörper bestimmten Oberflache aus, so daß jeweils die eine oder aber die in Sperrrichtung belastbare pn-Ubergangsfläche mit unterteilt wird.With regard to the manufacture of semiconductor bodies with different Contact layers are preferably two large-area semiconductor output wafers each with a sequence of conductivity zones corresponding to the structure of the semiconductor body which include at least one pn junction. Then be on contact metal layers are applied to both surfaces of each disc, with at least the top layer of one of the for external distinction suitable Metals. After that, for example, by etching, sandblasting or by means of Laser technology and, if necessary, the depressions with the help of masking materials 15, 25 attached, namely only from the series of conductive zones and determined the electrical assignment of the semiconductor bodies as a result of the posture Surface from, so that in each case one or the loadable in the blocking direction pn junction area is divided with.
Nun werden beide Scheiben gemaß einem durch die Anordnung der Vertiefungen bestimmten Muster zerteilt. Zum Beispiel sind dann für jede Brückengleichrichteranordnung je ein Halbleiterkörper mit p-Ausgangsleitfähigkeit und Nickel-Kontaktflächen auf beiden Seiten und ein solcher mit n-Ausgangsleitfähigkeit und Gold-Kontaktflächen auf beiden Seiten gegeben. Der Forderung nach einer unterschiedlichen Anzahl von Gleichrichterelementen in Abhängigkeit von einer Ein-oder Mehrphasen-Brückengleichrichteranordnung kann in einfacher Weise durch angepaßte Zerteilung der mit Vertiefungen versehenen Halbleiterausgangsscheiben entsprochen werden.Now both disks are measured by the arrangement of the depressions particular pattern. For example, then for each bridge rectifier arrangement one semiconductor body each with p-output conductivity and nickel contact areas both sides and one with n-output conductivity and gold contact areas given on both sides. The requirement for a different number of Rectifier elements as a function of a single- or multi-phase bridge rectifier arrangement can be made in a simple manner by adapted division of the depressions Semiconductor output slices are met.
Gemäß einer mit durch die äußere Kennzeichnung der Halbleiterkörper bestimmten Einbauvorschrift werden beide durch ihre unterschiedliche Metallisierung leicht unterscheidbaren Halbleiterkörper nun zum Beispiel an Kontaktstellen einer Leiterteilstruktur, wie sie in der DE-AS 20 54 677 beschrieben ist, zwischen Leiterteilabschnitten derart eingefügt, daß je ein durchgehender Kontaktbügel an der zugeordneten, als Verzweigungspunkt der Schaltung vorgesehenen einen Hauptfläche des einen Halbleiterkörpersanliegt und einen Gleichstromanschluß bildet, und daß die als Wechselstromanschlüsse vorgesehenen Leiterteile jeweils einen als Gleichrichterelement dienenden Funktionsbereich jedes Halbleiterkörpers gemeinsam kontaktieren. Das Zwischenfügen der Halbleiterkörper erfolgt unverwechselbar, ohne Verzögerung und ohne Polaritätsprüfung lediglich durch Aufnehmen einer der beiden unterschiedlichen Ausführungen und Einbringen an der entsprechenden Kontaktstelle.According to one with the external identification of the semiconductor body certain installation instructions are both due to their different metallization easily distinguishable semiconductor body now, for example, at contact points of a Partial ladder structure, as described in DE-AS 20 54 677, between partial ladder sections inserted in such a way that a continuous contact clip on the associated, as Branch point of the circuit provided a main surface of the one semiconductor body is applied and forms a direct current connection, and that the provided as alternating current connections Conductor parts each have a functional area serving as a rectifier element Contact semiconductor body together. The interposition of the Semiconductor body takes place unmistakably, without delay and without polarity check only through Pick up one of the two different designs and bring it to the appropriate contact point.
Danach werden die Halbleiterkörper mit den Leiterteilen beispielsweise durch Tauchlöten oder durch Ofenlötung kontaktiert. Anschliessend kann die Reinigung der freiliegenden pn-Übergangsabschnitte der Halbleiterkörper z.B. durch Ätzen und das Stabilisieren derselben durch Abdecken mit einem an sich bekannten Schutzlack erfolgen. Weiter werden die noch miteinander verbundenen Leiterteilstrukturen gegenseitig getrennt, dann verkapselt und anschließend vom gemeinsamen Transportstreifen getrennt.Thereafter, the semiconductor body with the conductor parts, for example contacted by dip soldering or by furnace soldering. Then the cleaning can be done the exposed pn junction sections of the semiconductor body, e.g. by etching and stabilizing them by covering them with a protective lacquer known per se take place. In addition, the conductor sub-structures that are still connected to one another become mutually exclusive separated, then encapsulated and then separated from the common transport strip.
Die Vorteile der Anordnung nach der Erfindung und des Verfahrens zu ihrer Herstellung bestehen in einem Aufbau mit geringerer Anzahl von leichter und schneller zu verarbeitenden Bauteilen sowie darin, daß durch Verwendung von Halbleiterkörpern mit äußerlichen Unterscheidungsmerkmalen eine erheblich rationellere Massenfertigung von Gleichrichteranordnungen mit beträchtlich verminderter Ausfallquote ermöglicht wird.The advantages of the arrangement according to the invention and the method too their manufacture consist in a structure with fewer numbers of lighter and faster to process components as well as that by using semiconductor bodies with external distinguishing features a considerably more rational mass production made possible by rectifier arrangements with a considerably reduced failure rate will.
LeerseiteBlank page
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19782837394 DE2837394A1 (en) | 1978-08-26 | 1978-08-26 | Semiconductor bridge rectifier - using two substrates, each contg. three rectifier elements, where the two direct current output leads are located on different substrates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19782837394 DE2837394A1 (en) | 1978-08-26 | 1978-08-26 | Semiconductor bridge rectifier - using two substrates, each contg. three rectifier elements, where the two direct current output leads are located on different substrates |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2837394A1 true DE2837394A1 (en) | 1980-03-20 |
Family
ID=6048027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19782837394 Ceased DE2837394A1 (en) | 1978-08-26 | 1978-08-26 | Semiconductor bridge rectifier - using two substrates, each contg. three rectifier elements, where the two direct current output leads are located on different substrates |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2837394A1 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0022203A1 (en) * | 1979-07-03 | 1981-01-14 | Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH | Magnetically controlled resistor |
| EP0022486A1 (en) * | 1979-07-03 | 1981-01-21 | Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH | Electroluminescent semiconductor device and process for its production |
| EP0022204B1 (en) * | 1979-07-03 | 1982-04-21 | Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH | Bipolar transistor and process for its production |
| EP0022483B1 (en) * | 1979-07-03 | 1983-03-23 | Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH | Field-effect transistor and process for its production |
| US4441115A (en) * | 1979-07-03 | 1984-04-03 | Higratherm Electric Gmbh | Thyristor having a center pn junction formed by plastic deformation of the crystal lattice |
-
1978
- 1978-08-26 DE DE19782837394 patent/DE2837394A1/en not_active Ceased
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0022203A1 (en) * | 1979-07-03 | 1981-01-14 | Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH | Magnetically controlled resistor |
| EP0022486A1 (en) * | 1979-07-03 | 1981-01-21 | Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH | Electroluminescent semiconductor device and process for its production |
| EP0022204B1 (en) * | 1979-07-03 | 1982-04-21 | Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH | Bipolar transistor and process for its production |
| EP0022483B1 (en) * | 1979-07-03 | 1983-03-23 | Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH | Field-effect transistor and process for its production |
| US4441115A (en) * | 1979-07-03 | 1984-04-03 | Higratherm Electric Gmbh | Thyristor having a center pn junction formed by plastic deformation of the crystal lattice |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1614872C3 (en) | Semiconductor device | |
| DE1933547B2 (en) | CARRIER FOR SEMI-CONDUCTOR COMPONENTS | |
| DE2554398A1 (en) | LIGHT EMISSION DIODE ELEMENT AND ARRANGEMENT | |
| EP0209767A1 (en) | Method of making semiconductor devices | |
| DE2118932B1 (en) | Process for the manufacture of a plastic housing containing an integrated circuit | |
| DE2837394A1 (en) | Semiconductor bridge rectifier - using two substrates, each contg. three rectifier elements, where the two direct current output leads are located on different substrates | |
| DE69105070T2 (en) | A method of manufacturing an insulating substrate for semiconductor devices and a patterned metal plate used therefor. | |
| DE2039027C3 (en) | Semiconductor arrangement with a carrier made of insulating material, a semiconductor component and a connection pad | |
| DE69609921T2 (en) | MANUFACTURING METHOD OF A SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT SUITABLE FOR SURFACE MOUNTING | |
| DE1978283U (en) | INTEGRATED RECTIFIER CIRCUIT ARRANGEMENT. | |
| DE1916554C3 (en) | ||
| DE2608813C3 (en) | Low blocking zener diode | |
| DE1916554B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor rectifier arrangements | |
| DE1916555A1 (en) | Semiconductor rectifier arrangement and method for its production | |
| DE1964481A1 (en) | Process for the production of semiconductor rectifier arrangements | |
| DE2718781C2 (en) | Method for manufacturing a plurality of semiconductor components | |
| DE2855972C2 (en) | Semiconductor arrangement with two integrated and anti-parallel connected diodes and process for their production | |
| DE1292755B (en) | Process for the serial socket and housing installation of semiconductor components | |
| DE7825488U1 (en) | Semiconductor bridge rectifier arrangement | |
| DE2606885B2 (en) | Semiconductor component | |
| DE1439717C3 (en) | Method for manufacturing a semiconductor component | |
| DE2030597C3 (en) | Process for manufacturing high-voltage semiconductor rectifiers | |
| DE1614133B2 (en) | SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT ENCLOSED IN RESIN | |
| DE1639306C (en) | Method for producing a common contact on at least two adjacent zones of opposite line types of a controllable semiconductor component and semiconductor component produced thereafter, separated from 1273699 | |
| WO1980000512A1 (en) | Semi-conductor rectifier bridge |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OAR | Request for search filed | ||
| OB | Request for examination as to novelty | ||
| OC | Search report available | ||
| OD | Request for examination | ||
| 8131 | Rejection |