DE2832269B1 - Monolithic integrated circuit for the horizontal deflection of television sets and their operating circuit - Google Patents

Monolithic integrated circuit for the horizontal deflection of television sets and their operating circuit

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Description

Die Erfindung betrifft eine monolithisch integrierte Schaltung für die Horizontalablenkung von Fernsehgeräten entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The invention relates to a monolithically integrated circuit for the horizontal deflection of television sets according to the preamble of claim 1.

Stand der TechnikState of the art

In der Zeitschrift »IEEE Transactions on Consumer Electronics«, August 1977, S. 311—325 ist eine monolithisch integrierte Schaltung für die Vertikalablenkung in Fernsehgeräten beschrieben, bei der der Vertikal-Kippimpuls nicht wie schon länger üblich aus dem im gesendeten Fernsehsignal enthaltenen Horizontal-Vertikal-Synchronimpuls-Gemisch gewonnen wird, sondern aus einem zeilenfrequenten Signal durch Frequenzverdopplung und nachfolgende Frequenzteilung erzeugt wird, wobei der Teiler gleich der Zeilenzahl eines Vollbildes ist (CCIR-Norm 625 Zeilen, amerikanische Norm: 525 Zeilen). Der Vorteil dieser Art von Vertikal-Kippimpuls-Erzeugung liegt insbesondere in der besseren Unempfindlichkeit gegen Rauschen bei schwach einfallenden Sendern und in der besseren zeitlichen gegenseitigen Fixierung der beiden Halbbilder eines Vollbildes, was auf die erwähnte Frequenzverdopplung zurückzuführen ist.In the journal "IEEE Transactions on Consumer Electronics", August 1977, pp. 311-325, one is monolithic integrated circuit for vertical deflection in televisions described, in which the vertical tilting pulse not, as has long been the case, from the mixture of horizontal and vertical synchronizing pulses contained in the broadcast television signal is obtained, but from a line-frequency signal by frequency doubling and subsequent frequency division is generated, the divider being equal to the number of lines of a full image (CCIR standard 625 lines, American standard: 525 lines). The advantage of this kind of Vertical tilting pulse generation is particularly due to the better insensitivity to noise weakly incident transmitters and in the better temporal mutual fixation of the two fields of a full picture, which is due to the frequency doubling mentioned.

Auch in der DE-OS 24 49 534 und in der DE-OS 26 57 940 sind derartige, auch als digitale Vertikal-Synchronisierungssysteme bezeichnete Anordnungen beschrieben. Aus einem vorläufigen Datenblatt der Firma Mullard vom Februar 1977 für die monolithisch integrierte Schaltung TDA 2571 mit der Bezeichnung »Horizontal Synchronisation and Vertical Divider« geht schließlich hervor, daß die Erzeugung des erwähnten Signals mit der doppelten Zeilenfrequenz auch bereits in eine integrierte Schaltung für die Horizontalablenkung von Fernsehsignalen einbezogen werden kann.Also in DE-OS 24 49 534 and DE-OS 26 57 940 such, also as digital vertical synchronization systems designated arrangements described. From a preliminary data sheet from the company Mullard dated February 1977 for the monolithic integrated circuit TDA 2571 with the designation "Horizontal Synchronization and Vertical Divider" finally emerges that the creation of the aforementioned Signal with twice the line frequency already in an integrated circuit for the horizontal deflection can be included by television signals.

In der Technik der Hörfunk-Empfänger ist es im übrigen schon länger bekannt, die sogenannte Stillabstimmung anzuwenden, d. h. während des Abstimmvorgangs den Tonkanal für die einfallenden mehr oder weniger stark rauschenden Signale zu sperren, wozu im allgemeinen eine dem Demodulator entnommene Gleichspannung dient, vgl. H. Pitsch »Lehrbuch der Funkempfangstechnik«, 3. Auflage, Band II, Leipzig 1960, S. 843-851.In the technology of radio receivers it has been known for a long time, the so-called silent voting to apply, d. H. during the tuning process the sound channel for the incoming more or to block less noisy signals, including generally one taken from the demodulator DC voltage is used, see H. Pitsch "Textbook of radio reception technology", 3rd edition, Volume II, Leipzig 1960, pp. 843-851.

Diese Art der Stillabstimmung soll nun nach einer Forderung der Deutschen Bundespost insbesondere bei für das Kabelfernsehen geeigneten Fernsehgeräten vorgesehen werden, damit stark rauschende Signale, aber vor allem solche empfangenen Signale, die keine Fernsehsignale sind, nicht zu einer Tonwiedergabe führen. Diese Forderung beruht darauf, daß in den für das Kabelfernsehen vorgesehenen Frequenzbereichen auch Kanäle liegen, die nicht von Kabelfernsehsendern, sondern von gegenseitiger Geheimhaltung unterliegen-According to a request by the German Federal Post Office, this type of breastfeeding coordination should now be used in particular TV sets suitable for cable television are provided so that noisy signals, but especially those received signals that are not television signals do not result in sound reproduction to lead. This requirement is based on the fact that in the frequency ranges intended for cable television there are also channels that are not subject to cable TV broadcasters, but to mutual secrecy-

eo den Funkdiensten belegt sind.eo the radio services are occupied.

Es sind auch schon übliche Fernsehgeräte im Handel, bei denen die erwähnte Stillabstimmung bereits eingebaut ist, wofür hier die Bezeichnung »Stummschaltung« üblich ist.There are also conventional televisions on the market that already have the mentioned breastfeeding adjustment is built in, for which the term »muting« is common.

Aufgabetask

Die Aufgabe der im Anspruch 1 definierten Erfindung besteht darin, daß. aus dem erwähnten DatenblattThe object of the invention defined in claim 1 is that. from the mentioned data sheet

bekannte monolithisch integrierte Schaltung derart auszubilden, daß die beabsichtigte Einbeziehung der an sich bekannten Stummschaltung keinen zusätzlichen Ausgangsanschluß der monolithisch integrierten Schaltung erfordert, da die Anzahl derartiger Ausgangsan-Schlüsse bekanntlich aufgrund der vorgegebenen Kristallfläche und -randlänge sowie des vorgesehenen normierten Gehäusetyps begrenzt ist.to train known monolithic integrated circuit in such a way that the intended inclusion of the known muting circuit does not have an additional output connection of the monolithic integrated circuit requires, since the number of such output connections is known due to the predetermined Crystal surface and edge length as well as the intended standardized housing type is limited.

Darstellung der ErfindungPresentation of the invention

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Die Erfindung wird nun zusammen mit Ausführungsbeispielen und vorteilhaften Ausgestaltungen anhand der Figuren der Zeichnung näher erläutert.The invention will now be explained together with exemplary embodiments and advantageous configurations the figures of the drawing explained in more detail.

F i g. 1 zeigt das Blockschaltbild der monolithisch integrierten Schaltung nach der Erfindung,F i g. 1 shows the block diagram of the monolithic integrated circuit according to the invention,

Fig.2 zeigt die Betriebsschaltung für die monolithisch integrierte Schaltung nach F i g. 1 und deren weitere Zusammenschaltung mit den Schaltungsteilen des Tonkanals und der Vertikal-Ablenkschaltung eines Fernsehgeräts,Fig.2 shows the operating circuit for the monolithic integrated circuit according to FIG. 1 and their further interconnection with the circuit parts the audio channel and the vertical deflection circuit of a television set,

Fig.3 zeigt den Verlauf des Sperrsignals und des Signals mit der doppelten Zeilenfrequenz,Fig. 3 shows the course of the blocking signal and the signal with twice the line frequency,

F i g. 4 zeigt eine erste vorteilhafte Ausführungsform für die Überlagerungsschaltung,F i g. 4 shows a first advantageous embodiment for the superimposition circuit,

Fig.5 zeigt eine zweite vorteilhafte Ausführungsform für die Überlagerungsschaltung, und5 shows a second advantageous embodiment for the superimposition circuit, and

F i g. 6 zeigt eine dritte vorteilhafte Ausführungsform für die Überlagerungsschaltung.F i g. 6 shows a third advantageous embodiment for the superimposition circuit.

In F i g. 1 ist die monolithisch integrierte Schaltung 1 schematisch durch die doppelte Umrandung gekennzeichnet, und es sind die für die Erfindung wesentlichen Schaltungsteile innerhalb dieser Umrandung blockschaltbildmäßig angegeben. Es ist selbstverständlich, daß, ohne vom Grundgedanken der Erfindung abzuweichen, noch weitere, für Fernsehgeräte erforderliche Schaltungsteile in die monolithisch integrierte Schaltung 1 einbezogen werden können. Auf die Darstellung derartiger Schaltungsteile wird jedoch verzichtet, da sie jedem Fernsehgeräte-Fachmann geläufig sind.In Fig. 1 the monolithic integrated circuit 1 is schematically indicated by the double border, and the circuit parts essential for the invention within this border are in the form of a block diagram specified. It goes without saying that, without departing from the basic idea of the invention, still further circuit parts required for television sets in the monolithic integrated circuit 1 can be included. However, such circuit parts are not shown because they are familiar to every television specialist.

Über den Anschluß 11 wird der monolithisch integrierten Schaltung 1 das sogenannte Bild-Austast-Synchron-Signalgemisch, also das BAS-Signal zugeführt, das im Falle von Farbfernsehgeräten auch die Farbinformation enthält und dort als FBAS-Signal bezeichnet wird. Über den Anschluß 11 gelangt das BAS/FBAS-Signal an das Amplitudensieb 2, mittels dem daraus das Horizontal-Vertikal-Synchronimpuls-Gemisch gewonnen wird. Dieses wird einerseits dem Ausgang 12 und andererseits der Phasenvergleichsschaltung 3 zugeführt, die zusammen mit dem spannungsgesteuerten Oszillator 4 eine übliche phasenverriegelte Schleife (im englischen: phase-locked loop) bildet.The so-called image blanking synchronous signal mixture is supplied to the monolithically integrated circuit 1 via the terminal 11, So the BAS signal is fed in, which in the case of color televisions also has the Contains color information and is referred to there as a composite signal. This is done via connection 11 BAS / FBAS signal to the amplitude filter 2, by means of the from this the horizontal-vertical synchronous pulse mixture is won. This is on the one hand the output 12 and on the other hand the phase comparison circuit 3 supplied, which together with the voltage-controlled oscillator 4 is a conventional phase-locked Loop (in English: phase-locked loop) forms.

Das Ausgangssignal des spannungsgesteuerten Oszillators hat die erforderliche Zeilenfrequenz fz (CCIR-Norm: fz - 15,625 kHz) und ist einerseits dem Ausgangsanschluß 14 der monolithisch integrierten Schaltung 1 und andererseits der Frequen7 /erdopplerschaltung 6 zugeführt. Anstatt einer Frequenzverdopplerschaltung kann natürlich auch ein selbständiger eo Oszillator verwendet werden, die die erforderliche doppelte Zeilenfrequenz 2fz erzeugt. Der Verlauf des Ausgangssignals t/6 der Frequenzverdopplerschaltung 6 ist in F i g. 3b gezeigtThe output signal of the voltage-controlled oscillator has the required line frequency fz (CCIR standard: fz - 15.625 kHz) and is fed to the output terminal 14 of the monolithic integrated circuit 1 on the one hand and to the frequency doubler circuit 6 on the other. Instead of a frequency doubler circuit, an independent eo oscillator can of course also be used, which generates the required double line frequency 2fz. The course of the output signal t / 6 of the frequency doubler circuit 6 is shown in FIG. 3b shown

Die monolithisch integrierte Schaltung 1 enthält ferner die an sich bekannte Schaltung 5, die sogenannte Stummschaltung, die das Sperrsignal t/5 für den Tonkanal erzeugt. Das Sperrsignal US wird zusammen mit dem Signal U6 mit der doppelten Zeilenfrequenz 2fz der Überlagerungsschaltung 7 zugeführt, deren Ausgangssignal als Gesamtsignal t/7 dem Ausgangsanschluß 17 zugeführt ist. Als Stummschaltung 5 kann beispielsweise ein Koinzidenzdetektor dienen, der den Synchronismus zwischen dem spannungsgesteuerten Oszillator 4 und den am Ausgang des Amplitudensiebs 2 auftretenden Impulsen feststellt und das die beiden Gleichspannungspegel t/51 (Pegel für Wiedergabebetrieb des Tonkanals) und t/52 (Pegel für Stummschaltung des Tonkanals) aufweisende Sperrsignal t/5 erzeugt, vgl. F i g. 3a.The monolithically integrated circuit 1 also contains the circuit 5 known per se, the so-called muting circuit, which generates the blocking signal t / 5 for the audio channel. The blocking signal US is fed together with the signal U 6 at twice the line frequency 2f z to the superimposition circuit 7, the output signal of which is fed to the output terminal 17 as a total signal t / 7. A coincidence detector can serve as the muting circuit 5, for example, which determines the synchronism between the voltage-controlled oscillator 4 and the pulses occurring at the output of the amplitude filter 2 and which determines the two DC voltage levels t / 51 (level for playback mode of the audio channel) and t / 52 (level for muting of the audio channel) having blocking signal t / 5 is generated, see FIG. 3a.

Die Fig.2 zeigt die im Anspruch2 angegebene Betriebsschaltung für die monolithisch integrierte Schaltung 1 und schematisch die weitere Zusammenschaltung mit den Schaltungsteilen des Tonkanals 9 und der Vertikal-Ablenkschaltung 8. Der Ausgangsanschluß 17 für das Gesamtsignal t/7 ist einerseits über die Diode D mit dem der Sperrung dienenden Eingang 912 des Tonkanal-ZF-Verstärkers 91 verbunden und andererseits mit dem Eingang 82 der Vertikal-Ablenkschaltung 8 gekoppelt. Ferner ist der Ausgangsanschluß 12 mit deren Bildimpuls-Triggereingang 81 verbunden, und an deren Ausgang 89 können die Bildablenkspulen oder der diesen vorgeschaltete Endverstärker angeschlossen werden.2 shows the operating circuit specified in claim 2 for the monolithic integrated circuit 1 and schematically the further interconnection with the circuit parts of the sound channel 9 and the vertical deflection circuit 8. The output terminal 17 for the total signal t / 7 is on the one hand via the diode D with connected to the input 912 of the audio channel IF amplifier 91 serving for blocking and, on the other hand, coupled to the input 82 of the vertical deflection circuit 8. In addition, the output connection 12 is connected to its image pulse trigger input 81, and the image deflection coils or the output amplifier connected upstream thereof can be connected to its output 89.

An der Diode D fällt, wenn sie in Durchlaßrichtung betrieben ist, die Flußspannung t/3 ab. In Fig.2 ist vorausgesetzt, daß die monolithisch integrierte Schaltung 1, die Vertikal-Ablenkschaltung 8 und der Tonkanal 9 mit mindestens einer positiven Betriebsspannung arbeiten. Daher liegt die Anode der Diode D am Ausgangsanschluß 17 und deren Kathode ist mit dem der Sperrung dienenden Eingang 912 des Tonkanal-ZF-Verstärkers 91 gekoppelt, während dessen Signaleingang 911 über das übliche Keramikfilter 10 zur Ausfilterung der Ton-Trägerfrequenz (CCIR-Norm: 5,5 MHz) aus dem BAS/FBAS-Signal mit dem Anschluß 11 der monolithisch integrierten Schaltung 1 verbunden ist. Der der Sperrung dienende Eingang 912, an dem sich über den Gegenkopplungswiderstand 915 im ungesperrten Zustand das Arbeitspunktpotential t/0 einstellt und der über den Kondensator 102 wechselspannungsmäßig abgeblockt ist, liegt schließlich über den Widerstand 101 am Keramikfilter 10 und über den Kondensator 102 am Schaltungsnullpunkt.When the diode D is operated in the forward direction, the forward voltage t / 3 drops. In FIG. 2 it is assumed that the monolithic integrated circuit 1, the vertical deflection circuit 8 and the sound channel 9 operate with at least one positive operating voltage. Therefore, the anode of the diode D is connected to the output terminal 17 and its cathode is coupled to the blocking input 912 of the audio channel IF amplifier 91, while its signal input 911 is via the conventional ceramic filter 10 to filter out the audio carrier frequency (CCIR standard: 5.5 MHz) from the BAS / FBAS signal is connected to the terminal 11 of the monolithic integrated circuit 1. The input 912 used for blocking, at which the operating point potential t / 0 is set via the negative feedback resistor 915 in the unblocked state and which is blocked in terms of AC voltage via the capacitor 102, is finally connected to the ceramic filter 10 via the resistor 101 and to the circuit zero point via the capacitor 102.

Der in F i g. 2 gezeigte Aufbau des Tonkanals 9 ist üblicher Art und ist lediglich der Vollständigkeit halber gezeigt. Dem bereits erwähnten Tonkanal-ZF-Verstärker 91, der, insbesondere wenn der Tonkanal 9 aus einer monolithisch integrierten Schaltung besteht, ein Differenzverstärker oder Operationsverstärker ist, speist mit seinem Ausgang den Demodulator 92, dessen Ausgangssignal mittels des NF-Verstärkers 93 verstärkt und dem Lautsprecher 94 zugeführt ist. Das am der Sperrung dienenden Eingang 912 im ungesperrten Zustand vorhandene Arbeitspunktpotential t/0 wird durch das Gesamtsignal t/7 so verschoben, daß er nicht mehr verstärkt, also gesperrt ist.The in F i g. The structure of the audio channel 9 shown in FIG. 2 is conventional and is only for the sake of completeness shown. The aforementioned audio channel IF amplifier 91, which, especially when the audio channel 9 consists of a monolithic integrated circuit, is a differential amplifier or operational amplifier, its output feeds the demodulator 92, its output signal is amplified by means of the LF amplifier 93 and fed to the loudspeaker 94. That at the lock The operating point potential t / 0 which is used for input 912 in the unlocked state is determined by the Total signal t / 7 shifted so that it is no longer amplified, ie blocked.

In F i g. 4a ist ein erstes bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Überlagerungsschaltung 7 gezeigt Sie enthält die Referenzspannungsquelle 70 zur Nachbildung des im ungesperrten Zustand vorhandenen Arbeitspunktpotentials t/0 des Tonkanal-ZF-Verstärkers 91, den vom Sperrsignal t/5 gesteuerten ersten Transistor 71, den vom Signal t/6 mit der doppelten Zeilenfrequenz 2fz gesteuerten zweiten Transistor 72, den Emitterfolgertransistor 73, die mit der Betriebsspannung U In Fig. 4a shows a first preferred embodiment of the superimposing circuit 7. It contains the reference voltage source 70 for simulating the operating point potential t / 0 of the audio channel IF amplifier 91, which is present in the unlocked state, the first transistor 71 controlled by the blocking signal t / 5, which is controlled by the signal t / 6 with twice the line frequency 2fz controlled second transistor 72, the emitter follower transistor 73, which with the operating voltage U

verbundene erste Konstantstromquelle 75 und die als Emitterwiderstand des Emitterfolgers dienende zweite Konstantstromquelle 76.connected first constant current source 75 and serving as the emitter resistor of the emitter follower second Constant current source 76.

Der Emitter des ersten Transistors 71 liegt am Schaltungsnullpunkt, und der Kollektor ist mit der aus der Serienschaltung zweier Dioden gebildeten Referenzspannungsquelle 70 verbunden, deren kollektorabgewandter Anschluß über die erste Konstantstromquelle 75 an der Betriebsspannungsquelle LJ sowie direkt am Kollektor des zweiten Transistors 72 und an der Basis des Emitterfolgertransistors 73 liegt. Der Emitter des zweiten Transistors 72 ist mit dem Schaltungsnullpunkt verbunden.The emitter of the first transistor 71 is connected to the circuit zero point, and the collector is connected to the reference voltage source 70 formed from the series connection of two diodes, the terminal of which is remote from the collector via the first constant current source 75 to the operating voltage source LJ and directly to the collector of the second transistor 72 and to the base of the emitter follower transistor 73 is located. The emitter of the second transistor 72 is connected to the circuit zero point.

Der Transistor 71 wird vom Sperrsignal L)5 ein- und ausgeschaltet, d.h., der Pegel t/51 nach Fig.3a sperrt den Transistor, und der Pegel i/52 macht ihn leitend. Somit fließt in der Referenzspannungsquelle 70 und deren Dioden im gesperrten Zustand des ersten Transistors 71 kein Strom, so daß sich am kollektorabgewandten Ende der Referenzspannungsquelle 70 das Referenzpotential LJO nicht ausbilden kann. In diesem Fall wirkt somit die erste Konstantstromquelle 75 als Arbeitswiderstand des zweiten Transistors 72, und dessen Kollektorpotential, das, um den Basis-Emitter-Spannungsabfall des Emitterfolgertransistors 73 vermindert, auch am Ausgangsanschluß 17 als Gesamtsignal LJl erscheint, springt in Abhängigkeit vom Signal i/6 mit der doppelten Zeilenfrequenz 2/z zwischen der Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung des zweiten Transistors 72 und dem um den Spannungsabfall an der ersten Konstantstromquelle 75 verminderten Wert der Betriebsspannung i/hin und her. In F i g. 4b entsprechen diese beiden Werte den Pegeln t/70 bzw. i/72.The transistor 71 is switched on and off by the blocking signal L) 5 , ie the level t / 51 according to FIG. 3a blocks the transistor, and the level i / 52 makes it conductive. Thus, no current flows in the reference voltage source 70 and its diodes when the first transistor 71 is blocked, so that the reference potential LJO cannot develop at the end of the reference voltage source 70 remote from the collector. In this case, the first constant current source 75 thus acts as a working resistance of the second transistor 72, and its collector potential, which, reduced by the base-emitter voltage drop of the emitter follower transistor 73, also appears at the output terminal 17 as a total signal LJl , jumps as a function of the signal i / 6 with twice the line frequency 2 / z between the collector-emitter saturation voltage of the second transistor 72 and the value of the operating voltage i / back and forth reduced by the voltage drop at the first constant current source 75. In Fig. 4b, these two values correspond to the levels t / 70 and i / 72, respectively.

Liegt nun aber an der Basis des ersten Transistors 71 der Pegel i/52 des Sperrsignals i/5, so ist dieser Transistor leitend, und es kann sich die Referenzspannung i/0 ausbilden, auf der nun der Kollektor des zweiten Transistors 72 und die Basis des Emitterfolgertransistors 73 festgehalten, also geklemmt werden. In Abhängigkeit vom Signal i/6 springt also die Kollektorspannung des zweiten Transistors 72 lediglich zwischen dessen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und der Referenzspannung i/0 hin und her, welchen beiden Spannungen in Fig.4b die Pegel i/70 und i/71 entsprechen.If, however, the level i / 52 of the blocking signal i / 5 is at the base of the first transistor 71, then this is The transistor conducts, and the reference voltage i / 0 can develop, on which the collector of the second transistor 72 and the base of the emitter follower transistor 73 are held, so clamped. In The collector voltage of the second transistor 72 only jumps as a function of the signal i / 6 back and forth between its collector-emitter saturation voltage and the reference voltage i / 0, which two voltages in Fig. 4b the level i / 70 and i / 71.

1st somit der Pegel i/71 (»Nichtstummpegel«) am Ausgangsanschluß 17 der monolithisch integrierten Schaltung 1 vorhanden, so ist in der Betriebsschaltung nach F i g. 2 die Diode D gesperrt und der Tonkanal 9 in seinem ungesperrten Zustand. Liegt dagegen am Ausgangsanschluß 17 der Pegel i/72 (»Stummpegel«), so ist die Diode D in F i g. 2 leitend, und es fließt der zum Verschieben des Arbeitspunktpotentials des Tonkanal-ZF-Verstärkers 91 in den Sperrbereich erforderliche Strom.If the level i / 71 ("non-mute level") is thus present at the output terminal 17 of the monolithic integrated circuit 1, then in the operating circuit according to FIG. 2 the diode D blocked and the audio channel 9 in its unblocked state. If, on the other hand, the level i / 72 ("mute level") is present at the output terminal 17, the diode D in FIG. 2 conductive, and the current required to shift the operating point potential of the audio channel IF amplifier 91 into the stop range flows.

In Fig.5 ist eine andere bevorzugte Ausführungsform für die Überlagerungsschaltung 7 gezeigt. Wie bei der Anordnung nach F i g. 4a sind der erste TransistorAnother preferred embodiment for the superimposition circuit 7 is shown in FIG. As in the arrangement according to FIG. 4a are the first transistor

71, der zweite Transistor 72, der Emitterfolgertransistor71, the second transistor 72, the emitter follower transistor

72, die Referenzspannungsquelle 70 und die zweite Konstantstromqueile 76 vorgesehen. Die erste Konstantstromquelle 75 nach Fig.4a fehlt jedoch. Der Kollektor des zweiten Transistors 72 ist nicht mit der Basis des Emitterfolgertransistors 73 verbunden, sondern er liegt über den Widerstand 77 am Eingang der Stromübersetzerschaltung 78, die vorzugsweise eine übliche Stromspiegelschaltung ist, deren Ausgang mit dem Emitter des zu den Transistoren 71, 72, 73 komplementären Transistors 79 verbunden ist. Die Basis dieses komplementären Transistors liegt an der Referenzspannung t/0 und über die weitere Konstantstromquelle 80 am Schaltungsnullpunkt, während dessen Kollektor mit der Basis des Emitterfolgertransistors 73 verbunden ist.72, the reference voltage source 70 and the second constant current source 76 are provided. The first constant current source 75 according to FIG. 4a is missing, however. The collector of the second transistor 72 is inconsistent with the Base of the emitter follower transistor 73 connected, but it is connected to the input of the resistor 77 Current translator circuit 78, which is preferably a conventional current mirror circuit, the output with the emitter of the transistor 79 complementary to the transistors 71, 72, 73 is connected. The base this complementary transistor is connected to the reference voltage t / 0 and via the further constant current source 80 at circuit zero, while its collector with the base of the emitter follower transistor 73 is connected.

Die Stromübersetzerschaltung 78 besteht aus dem Transistor 781, dessen Kollektor mit seiner Basis verbunden ist, und dem Transistor 782, dessenThe current translator circuit 78 consists of the transistor 781, whose collector with its base is connected, and the transistor 782, whose

ίο Basis-Emitter-Strecke der des Transistors 781 parallelgeschaltet ist, wobei die beiden Emitter an der Betriebsspannung LJ liegen. Das Verhältnis von Eingangs- zu Ausgangsstrom läßt sich bei derartigen Stromübersetzerschaltungen durch entsprechende Be-ίο The base-emitter path of the transistor 781 is connected in parallel, the two emitters being connected to the operating voltage LJ . The ratio of input to output current can be determined in such current converter circuits by appropriate

messung der Basis-Emitter-PN-Übergangsfläche der beiden Transistoren einstellen; im Falle der Stromspiegelschaltung mit einem Übersetzungsverhältnis von 1 :1 sind demnach diese Flächen einander gleich. Die Transistoren 781,782 sind ebenfalls zu den Transistoren 71,72,73 komplementär.set measurement of the base-emitter-PN-junction of the two transistors; in the case of the current mirror circuit with a transmission ratio of 1: 1, these areas are therefore equal to one another. the Transistors 781,782 are also among the transistors 71,72,73 complementary.

Bei gesperrtem ersten Transistor 71 kann sich wiederum keine Referenzspannung t/0 an der Basis des komplementären Transistors 79 ausbilden. In diesem Falle fließt bei vom Signal i/6 mit der doppelten Zeilenfrequenz 2/z gesperrtem zweiten Transistor 72 in der Stromübersetzerschaltung 78 kein Strom und somit auch nicht im komplementären Transistor 79 und zur Basis des Emitterfolgertransistors 73, so daß das Gesamtsignal i/7 am Ausgangsanschluß 17 durch die zweite Konstantstromquelle 76 praktisch auf dem Potential des Schaltungsnullpunkts gehalten wird. Wird andererseits der zweite Transistor 72 leitend gesteuert, so fließt in der Stromübersetzerschaltung 78 Strom, und der komplementäre Transistor 79 wird in die Sättigung gesteuert, wodurch sein Kollektorpotential praktisch gleich der Betriebsspannung t/(lediglich vermindert um die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung) ist. Dieser Spannung folgt wiederum das Gesamtsignal t/7 am Ausgangsanschluß 17, das gegenüber dieser Spannung um die Basis-Emitter-Flußspannung des Emitterfolgertransistors 73 vermindert ist. Somit nimmt die Ausgangsspannung t/7 bei gesperrtem ersten Transistor 71 wie bei der Anordnung nach F i g. 4a die beiden Pegel U 70, U 72 an.When the first transistor 71 is blocked, again no reference voltage t / 0 can develop at the base of the complementary transistor 79. In this case, when the second transistor 72 is blocked by the signal i / 6 at twice the line frequency 2 / z, no current flows in the current translator circuit 78 and thus also not in the complementary transistor 79 and to the base of the emitter follower transistor 73, so that the total signal i / 7 am Output terminal 17 is kept practically at the potential of the circuit zero point by the second constant current source 76. On the other hand, if the second transistor 72 is turned on, current flows in the current translator circuit 78 and the complementary transistor 79 is controlled to saturation, whereby its collector potential is practically equal to the operating voltage t / (only reduced by the collector-emitter saturation voltage). This voltage is in turn followed by the total signal t / 7 at the output terminal 17, which is reduced by the base-emitter forward voltage of the emitter follower transistor 73 compared to this voltage. Thus, when the first transistor 71 is blocked, the output voltage t / 7 increases as in the arrangement according to FIG. 4a the two levels U 70, U 72.

Ist dagegen der erste Transistor 71 durch den Pegel t/52 des Sperrsignals Lf5 leitend gesteuert, so bildet sich an der Basis des komplementären Transistors 79 die Referenzspannung i/0 aus, so daß bei leitendem zweiten Transistor 72 die Kollektorspannung des komplementären Transistors 79 nicht mehr bis fast zur Betriebsspannung t/hin sich verschieben kann, sondern nur noch bis zur Referenzspannung t/0 plus Basis-Emitter-Spannung des komplementären Transistors 79 minus Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung dieses Transistors. Die Ausgangsspannung t/7 nimmt somit wiederum den Pegel i/71 nach Fig.4b an. Die weitere Konstantstromquelle 80 gewährleistet, daß der komplementäre Transistor 79 bei nichtvorhandener Referenzspannung t/0 in seinem leitenden Zustand mit Basisstrom versorgt wird.If, on the other hand, the first transistor 71 is made conductive by the level t / 52 of the blocking signal Lf5 , the reference voltage i / 0 is formed at the base of the complementary transistor 79, so that when the second transistor 72 is conductive, the collector voltage of the complementary transistor 79 is no longer up to almost the operating voltage t / can shift, but only up to the reference voltage t / 0 plus the base-emitter voltage of the complementary transistor 79 minus the collector-emitter saturation voltage of this transistor. The output voltage t / 7 thus again assumes the level i / 71 according to FIG. 4b. The further constant current source 80 ensures that the complementary transistor 79 is supplied with base current in its conductive state when the reference voltage t / 0 is not present.

In F i g. 6 ist eine dritte bevorzugte Ausführungsform der Überlagerungsschaltung 7 gezeigt, wobei spezielle Teile auch bei den Ausführungsformen nach den F i g. 4a und 5 eingesetzt werden können. So besteht die Referenzspannungsquelle 70 nicht aus einer Kette von in Reihe geschalteten Dioden (die in den F i g. 4a und 5 gezeigte Zahl von zwei Dioden ist nicht zwingend), sondern aus einer an sich bekannten Schaltung, mit derIn Fig. 6 is a third preferred embodiment of the superimposing circuit 7, with special parts also in the embodiments according to FIGS. 4a and 5 can be used. Thus, the reference voltage source 70 does not consist of a chain of diodes connected in series (the number of two diodes shown in FIGS. 4a and 5 is not mandatory), but from a circuit known per se with which

die Basis-Emitter-Spannung eines Transistors sozusagen multipliziert werden kann. Dazu sind dem Transistor 701 die beiden Widerstände 702, 703 derart zugeordnet, daß sie einerseits einen Spannungsteiler bilden und andererseits jeweils der Basis-Kollektor-Strecke bzw. der Basis-Emitter-Strecke parallelgeschaltet sind. Die Spannung am Kollektor dieses Transistors ist somit gleich dem Produkt aus der Basis-Emitter-Spannung und dem Quotienten aus dem Spannungsteilergesamtwiderstand und dem Basis-Emitter-Parallelwiderstand 703. Diese Referenzspannungsquelle kann somit auch bei den Anordnungen nach den F i g. 4a und 5 anstatt der dort gezeigten Dioden eingesetzt werden.the base-emitter voltage of a transistor can be multiplied, so to speak. For this purpose, the two resistors 702, 703 are assigned to the transistor 701 in such a way that, on the one hand, they form a voltage divider and, on the other hand, are connected in parallel to the base-collector path and the base-emitter path. The voltage at the collector of this transistor is thus equal to the product of the base-emitter voltage and the quotient of the total voltage divider resistance and the base-emitter parallel resistance 703. This reference voltage source can therefore also be used in the arrangements according to FIGS. 4a and 5 can be used instead of the diodes shown there.

In Fig.6 ist ferner gezeigt, daß anstatt des Emitterfolgers 73 auch ein dem komplementären Transistor 79 nach F i g. 5 vergleichbarer komplementärer Transistor als Emitterfolgertransistor 73 in Verbindung mit der Stromübersetzerschaltung 78 eingesetzt werden kann. Der Emitter dieses Transistors ist wiederum mit dem Ausgang der Stromübersetzerschaltung 78, also dem Kollektor von deren Transistor 782, verbunden, während der Kollektor des komplementären Transistors 73 mit dem Schaltungsnullpunkt verbunden ist.In Figure 6 it is also shown that instead of the emitter follower 73 also a complementary transistor 79 according to FIG. 5 comparable complementary transistor can be used as emitter follower transistor 73 in connection with the current translator circuit 78. The emitter of this transistor is in turn connected to the output of the current translator circuit 78, that is to say the collector of its transistor 782 , while the collector of the complementary transistor 73 is connected to the circuit zero point.

Da die Ausgangsleistung derartiger komplementärer Transistoren, die bei positiver Betriebsspannung in bipolaren integrierten Schaltungen laterale PNP-Transistoren sind, begrenzt ist, ist in Fig.6 der weitere Emitterfolgertransistor 74 vorgesehen, dessen Stromverstärkung dadurch auf einen bestimmten Wert vorgegeben ist, daß er zwei Kollektoren aufweist, von denen der eine mit seiner Basis verbunden ist. Dabei ist der weitere Emitterfolgertransistor 74 wieder vom gleichen Leitungstyp wie die Transistoren 71, 72 und 701. Auch dieser weitere Emitterfolgertransistor 74 kann bei den Ausführungsformen nach den F i g. 4a und 5 im Bedarfsfall entweder anstatt des Emitterfolgertransistors 73 oder zusätzlich zu diesem vorgesehen werden.Since the output power of such complementary transistors, which are lateral PNP transistors when the operating voltage is positive in bipolar integrated circuits, is limited, the further emitter follower transistor 74 is provided in FIG , one of which is connected to its base. The further emitter follower transistor 74 is again of the same conductivity type as the transistors 71, 72 and 701. This further emitter follower transistor 74 can also be used in the embodiments according to FIGS. 4a and 5 can be provided either instead of the emitter follower transistor 73 or in addition to it, if necessary.

Schließlich ist bei der Ausführungsform nach F i g. 6 wiederum die erste Konstantstromquelle 75 nach F i g. 4a vorgesehen. Die Wirkungsweise der Schaltung nach Fig.6 entspricht im wesentlichen der der Anordnung nach F i g. 5 mit dem einzigen Unterschied, daß die Basis des zusätzlichen Emitterfolgers 74 nun am Emitter des komplementären Transistors 73 angeschlossen ist und somit dem dort auftretenden Potential folgt, während bei der Anordnung nach F i g. 5 die Basis des Emitterfolgertransistors 73 am Kollektor des komplementären Transistors 79 angeschlossen ist.Finally, in the embodiment according to FIG. 6 in turn shows the first constant current source 75 F i g. 4a provided. The mode of operation of the circuit according to FIG. 6 essentially corresponds to that of Arrangement according to FIG. 5 with the only difference that the base of the additional emitter follower 74 is now on Emitter of the complementary transistor 73 is connected and thus follows the potential occurring there, while in the arrangement according to FIG. 5 the base of the emitter follower transistor 73 at the collector of the complementary Transistor 79 is connected.

Den drei bevorzugten Ausführungsbeispielen nach den F i g. 4a, 5 und 6 für die Überlagerungsschaltung 7 ist gemeinsam, daß die Überlagerungsschaltung 7 eine Referenzspannungsquelle 70 für die Nachbildung des im ungesperrten Zustand vorhandenen Arbeitspunktpotentials t/0 des Tonkanal-ZF-Verstärkers 91 enthält, die über die Kollektor-Emitter-Strecke eines vom Sperrsignal t/5 gesteuerten ersten Transistors 71 mit dem Schaltungsnullpunkt verbunden ist, daß die Überlagerungsschaltung 7 ferner einen vom Signal t/6 mit der doppelten Zeilenfrequenz 2fz gesteuerten zweiten Transistor 72 enthält, dessen Emitter mit dem Schaltungsnullpunkt verbunden ist und dessen Kollektor mit der mit dem Ausgang der Referenzspannungsquelle 70 gekoppelten Basis eines Emitterfolgertransistors 73 derart verkoppelt ist, daß diese Basis in Abhängigkeit von den Pegeln t/51, t/52; t/61, t/62 des Sperrsignals t/5 und des Signals t/6 mit der doppelten Zeilenfrequenz 2fz auf das Potential des Schaltungsnullpunkts oder auf die Referenzspannung t/0 oder annähernd auf die Betriebsspannung t/gelegt ist.The three preferred exemplary embodiments according to FIGS. 4a, 5 and 6 for the superposition circuit 7 has in common that the superposition circuit 7 contains a reference voltage source 70 for the simulation of the existing in the unlocked state operating point potential t / 0 of the audio channel IF amplifier 91, which is via the collector-emitter path of a Blocking signal t / 5 controlled first transistor 71 is connected to the circuit zero point, that the superimposition circuit 7 also contains a second transistor 72 controlled by the signal t / 6 with twice the line frequency 2f z , the emitter of which is connected to the circuit zero point and whose collector is connected to the with the base of an emitter follower transistor 73 coupled to the output of the reference voltage source 70 is coupled in such a way that this base is dependent on the levels t / 51, t / 52; t / 61, t / 62 of the blocking signal t / 5 and the signal t / 6 with twice the line frequency 2f z is applied to the potential of the circuit zero point or to the reference voltage t / 0 or approximately to the operating voltage t /.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen 909 849/475 For this purpose 3 sheets of drawings 909 849/475

Claims (4)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Monolithisch integrierte Schaltung für die Horizontalablenkung von Fernsehgeräten, die eine Stufe für die Erzeugung eines der Schaltung für die Vertikalablenkung zugeführten Signals mit der doppelten Zeilenfrequenz enthält, dadurch gekennzeichnet, daß eine an sich bekannte Schaltung (5) (»Stummschaltung«), die ein Sperrsignal (US) für den Tonkanal (9) bei stark rauschenden Fernsehsignalen oder bei solchen empfangenen Signalen, die keine Fernsehsignale sind, erzeugt, in die monolithisch integrierte Schaltung (1) einbezogen ist, daß das Sperrsignal (US) und das Signal (UG) mit der doppelten Zeilenfrequenz (2fz) einer Überlagerungsschaltung (7) zugeführt sind und daß deren Ausgangssignal als Gesamtsignal (U7) zu einem Ausgangsanschluß (17) der monolithisch integrierten Schaltung (1) zugeführt ist.1. Monolithic integrated circuit for the horizontal deflection of television sets, which contains a stage for the generation of a circuit for the vertical deflection supplied signal with twice the line frequency, characterized in that a known circuit (5) ("muting"), the a blocking signal (US) for the audio channel (9) for highly noisy television signals or for those received signals that are not television signals, generated in the monolithic integrated circuit (1) that the blocking signal (US) and the signal (UG ) at twice the line frequency (2fz) are fed to a superimposing circuit (7) and that the output signal thereof is fed as a total signal (U7) to an output terminal (17) of the monolithic integrated circuit (1). 2. Betriebsschaltung für eine monolithisch integrierte Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgangsanschluß (17) für das Gesamtsignal (U7) über eine Diode (D) mit dem der Sperrung dienenden Eingang (912) des Tonkanal-ZF-Verstärkers (91) verbunden und mit einem Eingang (82) der Vertikalablenkschaltung (8) gekoppelt ist.2. Operating circuit for a monolithically integrated circuit according to claim 1, characterized in that the output connection (17) for the overall signal ( U7) via a diode (D) to the input (912) of the audio channel IF amplifier (91) serving for blocking ) and is coupled to an input (82) of the vertical deflection circuit (8). 3. Monolithisch integrierte Schaltung nach Anspruch 1 für eine Betriebsschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Pegel (U72) des Gesamtsignals (U 7) bei ungesperrtem Tonkanal (9) derart gewählt ist, daß die Diode (D) in Richtung zum der Sperrung dienenden Eingang (912) des Tonkanal-ZF-Verstärkers (91) gesperrt ist, daß der Pegel (U71) des Gesamtsignals (U7) bei gesperrtem Tonkanal größer als die Summe aus dem im ungesperrten Zustand vorhandenen Arbeitspunktpotential (UO) des Tonkanal-ZF-Verstärkers (91) und der Flußspannung (U3) der Diode (D) ist und daß der zum der Sperrung dienenden Eingang (912) fließende mittlere Strom größer oder gleich demjenigen Gleichstrom ist, der das Arbeitspunktpotential (UO) des Tonkanal-ZF-Verstärker (91) in dessen Sperrbereich verschiebt.3. Monolithic integrated circuit according to claim 1 for an operating circuit according to claim 2, characterized in that the level (U72) of the total signal (U 7) is selected in the unlocked audio channel (9) such that the diode (D) in the direction of the Blocking input (912) of the audio channel IF amplifier (91) is blocked so that the level (U71) of the total signal (U7) when the audio channel is blocked is greater than the sum of the operating point potential (UO) of the audio channel IF in the unlocked state Amplifier (91) and the forward voltage (U3) of the diode (D) and that the mean current flowing to the input (912) serving for blocking is greater than or equal to that direct current which is the operating point potential (UO) of the audio channel IF amplifier (91) moves into its restricted area. 4. Monolithisch integrierte Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Überlagerungsschaltung (7) eine Referenzspannungsquelle (70) für die Nachbildung des im ungesperrten Zustand vorhandenen Arbeitspunktpotentials (UO) des Tonkanal-ZF-Verstärkers (91) enthält, die über die Kollektor-Emitter-Strecke eines vom Sperrsignal (US) gesteuerten ersten Transistors (71) mit dem Schaltungs'Aullpunkt verbunden ist, daß die Überlagerungsschaltung (7) ferner einen vom Signal (U6) mit der .doppelten Zeilenfrequenz (2fz) gesteuerten zweiten Transistor (72) enthält, dessen Emitter mit dem Schaltungsnullpunkt verbunden ist und dessen Kollektor mit der mit dem Ausgang der Referenzspannungsquelle (70) gekoppelten Basis eines Emitterfolgertransistors (73) derart verkoppelt ist, daß diese Basis in Abhängigkeit von den Pegeln (USi, t/52; t/61, t/62) des Sperrsignals (US) und des Signals (U6) mit der doppelten Zeilenfrequenz (2/z) auf das Potential des Schaltungsnullpunkts oder auf die Referenzspannung (UO) oder annähernd auf die Betriebsspannung ft^gelegt ist.4. Monolithic integrated circuit according to claim 3, characterized in that the superimposition circuit (7) contains a reference voltage source (70) for the simulation of the operating point potential (UO) of the audio channel IF amplifier (91) present in the unlocked state, which is via the collector Emitter path of a first transistor (71) controlled by the blocking signal (US) is connected to the circuit zero point, so that the superimposition circuit (7) also has a second transistor (72 ) controlled by the signal (U6) at twice the line frequency (2fz) ), the emitter of which is connected to the circuit zero point and the collector of which is coupled to the base of an emitter follower transistor (73) coupled to the output of the reference voltage source (70) in such a way that this base depends on the levels (USi, t / 52; t / 61, t / 62) of the blocking signal (US) and the signal (U6) with double the line frequency (2 / z) to the potential of the circuit zero point or to the reference nzvoltage (UO) or approximately to the operating voltage ft ^ is applied. 2. Monolithisch integrierte Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß dem Emitter-2. Monolithic integrated circuit according to claim 4, characterized in that the emitter folgertransistor (73) ein weiterer Emitterfolgertransistor (74) mit zwei Kollektoren nachgeschaltet ist, deren einer mit der Basis verbunden ist.follower transistor (73) is followed by a further emitter follower transistor (74) with two collectors, one of which is connected to the base.
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