DE2818374C2 - Frequency controllable crystal oscillator with a large pull range - Google Patents

Frequency controllable crystal oscillator with a large pull range

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DE2818374C2 DE2818374A DE2818374A DE2818374C2 DE 2818374 C2 DE2818374 C2 DE 2818374C2 DE 2818374 A DE2818374 A DE 2818374A DE 2818374 A DE2818374 A DE 2818374A DE 2818374 C2 DE2818374 C2 DE 2818374C2
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Description

der Erfindung ergibt sich dadurch, daß es sich bei den Transistoren um npn-Transistoren handeln, deren Emitteranschlüsse miteinander und Ober eine Stromquelle mit Bezugspotential verbunden sind.of the invention results from the fact that the transistors are npn transistors, the emitter connections of which are connected to each other and via a power source with reference potential.

Zur Vermeidung von Offset-Problemen ist eine Variante der Erfindung zweckmäßig, bei der die Emitteranschlösse der beiden Transistoren des Differenzverstärkers jeweils getrennt über einen Widerstand mit Bezugspotential und außerdem über einen vierten Kondensator miteinander verbunden sind.One variant is to avoid offset problems expedient of the invention in which the emitter connections of the two transistors of the differential amplifier each separately via a resistor with reference potential and also via a fourth capacitor are connected to each other.

Eine bevorzugte Ausführungsform des Quarzoszillators nach der Erfindung ergibt sich dadurch, daß mit dem Rollektoranschluß des zweiten Transistors eine Frequenzverdopplerstufe verbunden ist, die eingangsseitig einen Trennverstärker und außerdem eine mit diesem Kollektoranschluß verbundene Doppelweggleichrichterschaltung enthält und daß diese einen Pulsformer speist, dessen Kollektorkreis ein auf die von der Doppelweggleichrichterschaltung erzeugte Schwingung mit der doppelten Frequenz abgestimmter Schwingkreis angeordnet ist und die erzeugte Schwingung an wenigstens einen Eingang eines Schottky-TTL-Gaiters abgibt.A preferred embodiment of the crystal oscillator according to the invention results from the fact that with a frequency doubler stage is connected to the roller gate connection of the second transistor, the input side an isolation amplifier and also a full wave rectifier circuit connected to this collector connection contains and that this feeds a pulse shaper whose collector circuit is connected to that of the full wave rectifier circuit The oscillation generated is arranged at twice the frequency tuned resonant circuit and the oscillation generated at least outputs an input of a Schottky TTL gate.

Zur Vermeidung parametrischer Effekte beim Zusammenfallen eines Phasenmodulationsseitenbandes und einer Nebenresonanzstelie des Quarzes ist es vorteilhaft, wenn der verwendete Grundtonquarz in der Umgebung der Resonanzfrequenz nebenresonanzfrei ist.To avoid parametric effects when a phase modulation sideband coincides and a secondary resonance point of the quartz, it is advantageous if the fundamental quartz used in the Surrounding the resonance frequency is free of secondary resonance.

Da in dem Quarzoszillator nach der Erfindung das wesentliche Ziehelement die Serienschaltung der Varaktordiode und der Induktivität darstellt, ist es zweckmäßig, daß die verwendete Varaktordiode eine vergleichsweise kleine Endkapazität aufweist.Since in the quartz oscillator according to the invention the essential pulling element is the series connection of the varactor diode and the inductance, it is appropriate that the varactor diode used is a comparatively has small final capacity.

Die Erfindung soll im folgenden anhand der Zeichnung näher erläutert werden. In der Zeichnung zeigt F i g. 1 das Prinzipschaltbild einer Schwingstufe undThe invention is to be explained in more detail below with reference to the drawing. In the drawing shows F i g. 1 the basic circuit diagram of a vibration stage and

F i g. 2 ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Quarzoszillators.F i g. 2 an embodiment of the invention Crystal oscillator.

Die Schwingstufe nach der Fig. 1 enthält die beiden npn-Transistoren Π und T2, deren Emitteranschlüsse miteinander und über eine Stromquelle /o mit Masse verbunden sind, so daß sich insgesamt eine Differenzverstärkerwirkung ergibt. Der Kollektorarschluß des ersten Transistors Ti ist über einen Parallelkreis, bestehend aus der ersten Induktivität Li, dem parallelgeschalteten Widerstand R 1 und der Reihenschaltung aus der Varaktordiode D 1, dem Grundtunquarz Q und dein ersten Kondensator Cl mit der Betriebsspannung + UB verbunden. An den Verbindungspunkt zwischen dem Grundtonquarz Q und dem ersten Kondensator C 1 ist der Basisanschluß des zweiten Transistors T2 zur Erzeugung des gewünschten Rückkopplungseffektes angeschlossen. An den Verbindungspunkt zwischen dem Grundtonquarz Q und der Varaktordiode D 1 ist über einen zweiten Widerstand R 2 die Ziehspannung Uv für die Varaktordiode geführt. Die Basisanschlüsse der beiden Transistoren sind über einen dritten Widerstand R 3 miteinander verbunden, der Basisanschluß des ersten Transistors T\ ist zusätzlich über den dritten Kondensator CZ mit Bezugspotential verbunden. Zur Sicherheit gegen unerwünschte Überkopplungen ist ein zweiter Kondensator C2 zwischen Betriebsspannung + UB und Bezugspotential geschaltet. Die Serienschaltung der Induktivität L 1, der Kapazität des Kondensators Cl und der wirksamen Kapazität C1 der Varaktordiode stellt die Lf.streaktanz des Quarzes dar. Diese Lastreaktanz entspricht der Ziehkapazität, für die der Quarz ausgelegt ist. DU';e gemischt kapazitiv und induktiv wirksame Ziehschaltung ermöglicht es, die Varaktordiodenkapazität erheblich kleiner zu wählen als die Lastkapazität des verwendeten Quarzes. Dadui^h ergibt sich gegenüber Oszillatorschaltungen, in denen die Lastkapazität ausschließlich aus der Diodenkapazität der Varaktordiode besteht, eine um den Quotienten aus Lastkapazität und Varaktordiodenkapazität größere Abstimmsteilheit. Die im Kollektorkreis des Transistors Tl erzeugte und am Kondensator Ci anliegende Wechselspannung wird der Basis des Transistors 7~2 zugeführt und schaltet, wenn sie eine Amplitude von etwa 150 mV, überschreitet, annähernd rechteckig und exakt symmetrisch den von der Stromquelle /o eingeprägten Gleichstrom zwischen den beiden Transistoren Tl und Γ2 wechselseitig um.The oscillating stage according to FIG. 1 contains the two npn transistors Π and T2, the emitter connections of which are connected to one another and to ground via a current source / o , so that overall a differential amplifier effect results. The collector connection of the first transistor Ti is connected to the operating voltage + UB via a parallel circuit consisting of the first inductance Li, the parallel connected resistor R 1 and the series connection of the varactor diode D 1, the basic tuning crystal Q and the first capacitor Cl. The base terminal of the second transistor T2 is connected to the connection point between the fundamental crystal Q and the first capacitor C 1 in order to generate the desired feedback effect. At the connection point between the fundamental crystal Q and the varactor diode D 1, the pulling voltage Uv for the varactor diode is carried via a second resistor R 2. The base connections of the two transistors are connected to one another via a third resistor R 3, the base connection of the first transistor T \ is additionally connected to reference potential via the third capacitor CZ. To protect against undesired cross-coupling, a second capacitor C2 is connected between the operating voltage + UB and the reference potential. The series connection of the inductance L 1, the capacitance of the capacitor Cl and the effective capacitance C 1 of the varactor diode represents the Lf.streaktanz of the quartz. This load reactance corresponds to the pulling capacitance for which the quartz is designed. DU '; e mixed capacitive and inductive pull-up circuit enables the varactor diode capacitance to be selected to be considerably smaller than the load capacitance of the crystal used. Compared to oscillator circuits in which the load capacitance consists exclusively of the diode capacitance of the varactor diode, the tuning gradient is greater by the quotient of the load capacitance and the varactor diode capacitance. The alternating voltage generated in the collector circuit of the transistor Tl and applied to the capacitor Ci is fed to the base of the transistor 7-2 and, if it exceeds an amplitude of about 150 mV, switches between the direct current impressed by the current source / o in an approximately square-wave and exactly symmetrical manner the two transistors T1 and Γ2 alternately.

Die bei einer Frequenzmodulation des Oszillators zwangsläufig entstehende Amplitudenmodulation des Schwingstroms des Quarzes bzw. der Schwingkreisspannung entsteht durch den mit der Modulation sich ändernden transformierten Quarzresonanzwiderstand, wobei die Transformation über die Quarzparallelkapazitäi und die Läsikäpäziiäi erfolgt. Dorch die symmetrische Umschaltung des eingeprägten Gleichstromes wird jedoch bei Auskopplung des Oszillatorstroms aus dem Kollektorkreis des zweiten Transistors eine sehr exakte symmetrische Begrenzung und damit eine sehr wirksame Begrenzung der Amplitudenmodulation erzielt. Auf diese Weise kann eine Umwandlung von Amplitudenmodulation in Phasenmodulation vermieden werden.The amplitude modulation of the inevitably occurring with a frequency modulation of the oscillator The oscillating current of the quartz or the oscillating circuit voltage is created by the modulation itself changing transformed quartz resonance resistance, the transformation via the quartz parallel capacitance and the Läsikäpäziiäi takes place. Dorch the symmetrical However, switching of the impressed direct current is switched off when the oscillator current is decoupled the collector circuit of the second transistor a very exact symmetrical limitation and thus a very effective limitation of the amplitude modulation achieved. This allows a conversion of amplitude modulation be avoided in phase modulation.

Bei sehr hohen Modulationsfrequenzen ist es zweckmäßig, den Widerstand R 3 mittels einer geeigneten Drossel zu überbrücken und hierdurch eine Einkopplung der Modulationsspannung über die Quarzparallelkapazität auf den Basisanschluß des ersten Transistors zu verhindern. Der Dämpfungswiderstand R1 des Schwingkreises ist so groß zu wählen, daß er die Güte des Schwingkreises entscheidend bestimmt. Dadurch wird der wirksame Quarzresonanzwidersiand ;im den Faktor 2 bis 5 erhöht.At very high modulation frequencies it is advisable to bridge the resistor R 3 by means of a suitable choke and thereby prevent coupling of the modulation voltage via the quartz parallel capacitance to the base connection of the first transistor. The damping resistance R 1 of the resonant circuit is to be selected so large that it decisively determines the quality of the resonant circuit. This increases the effective quartz resonance resistance by a factor of 2 to 5.

Durch die Reihenschaltung der Diodenkapazität, der Qu arzparallelkapazität und der Kapazität des Kondensators C1 könnte sich der Schwingkreis auf einer zweite Resonanzfrequenz einstellen. Aus diesem Grunde ist die Umlaufverstärkung in der Rückkkopplungsschleife bei der Quarzfrequenz im vorliegenden Falle um den Faktor 10 höher gewählt, so daß die zweite Resonanzfrequenz des Schwingkreises nicht störend in Erscheinung treten kann. Die Serienschaltung der Kapazität der Varaktordiode und der im gezogenen Zustand induktiv wirkenden Reaktanz des Quarzes ergibt in erster Näherung eine kapazitive Reaktanz, deren Wert jedoch den Wert, der durch die Parallelkapazität des Quarzes gegeben i««„ erheblich unterschreitet.Through the series connection of the diode capacitance, the quartz parallel capacitance and the capacitance of the capacitor C1 the resonant circuit could adjust to a second resonance frequency. This is why the Circulation gain in the feedback loop at the crystal frequency in the present case by the factor 10 selected higher, so that the second resonance frequency of the resonant circuit does not appear disruptive can kick. The series connection of the capacitance of the varactor diode and that which acts inductively in the pulled state As a first approximation, the reactance of the quartz gives a capacitive reactance, but its value is the Value which, given by the parallel capacitance of the quartz i ««, is considerably below.

Im vorliegenden Falle wurde die erste Induktivität L 1 abgleichbar aufgeführt, so daß durch di>: Toleranzen des Quarzes und der Varaktordiode ausgeglichen wer den können.In the present case, the first inductance L 1 was listed as adjustable, so that by di>: tolerances of the quartz and the varactor diode who can compensate.

Die Schaltung nach Fig. 2 besteht aus der Reihenschaltung eines Oszillators, eines Frequenzverdopplers und eines Fulsformers. Der Oszillator entspricht dabei dem Oszillator nach der F i g. 1 weitgehend. Bemerkenswert ist lediglich, daß der Bedämpfungswiderstand des Schwingkreises nunmehr gleichzeitig einen Widerstand RM des Basisspannungsteilers des ersten Transistors Ti darstellt und dab die Er.iitteranschlüsse der zweiten Transistoren Ti und T2 über einen vierten Kondensator T4 miteinander und über die Widerstände R 4 undThe circuit according to FIG. 2 consists of the series connection of an oscillator, a frequency doubler and a pulse shaper. The oscillator corresponds to the oscillator according to FIG. 1 largely. It is only noteworthy that the damping resistance of the resonant circuit now simultaneously represents a resistance RM of the base voltage divider of the first transistor Ti and that the Er.iitteran connections of the second transistors Ti and T2 to each other via a fourth capacitor T4 and via the resistors R 4 and

ZO IOZO IO

RS getrennt mit Bezugspotential verbunden sind. Dadurch entfällt das Aussuchen der Transistoren 7" I und 7~2 auf kleinem Offset. RS are separately connected to the reference potential. This eliminates the need to choose transistors 7 "I and 7 ~ 2 on a small offset.

An den Oszillator ist über den Kondensator C5 der Frequenzverdoppler angeschlossen, der einen durch -, den dritten npn-Transistor 73 und die Widerstände R 7. R 8, R 9 und R 10 gebildeten Trennverstärker und eine Frequenzverdopplcrschaltung enthalt. Die Frequenzverdopplerschaltung enthält einen aus den Kondensatoren C8 und C9 und der zweiten Induktivita; L 2 gebilcteten Schwingkreis, der zwei gegenphasige Spannun gen erzeugt. Mit den beiden Anschlußpunkten des Schwingkreises sind die Schottky-Dioden D2 und /7 3 jeweils getrennt mit einem Anschluß verbunden, wahrend der andere Anschluß der Schottky-Dioden jeweils r. getrennt sowohl über die Widerstände R 12. R 13 mit Betriebsspannung B als auch über die Kondensatoren CS, Cl mit dem Ausgang des Frequen/.vcrdopplcrs verbunden ist.The frequency doubler is connected to the oscillator via the capacitor C 5 and contains an isolating amplifier formed by -, the third npn transistor 73 and the resistors R 7, R 8, R 9 and R 10 and a frequency doubler circuit. The frequency doubler circuit includes one of the capacitors C8 and C9 and the second inductor; L 2 bilcteten resonant circuit that generates two voltages in antiphase. The Schottky diodes D2 and / 7 3 are each connected separately to one connection at the two connection points of the resonant circuit, while the other connection of the Schottky diodes is r. is connected separately both via the resistors R 12. R 13 to operating voltage B and via the capacitors CS, Cl to the output of the Frequen / .vcrdopplcrs.

Der durch den Transistor Ii und die angeschlossc- >(> nen Widerstände gebildete Trennverstärker wurde mit kleinem Eingangswiderstand ausgeführt, so daß der Spannungshub am Kollektoranschluß des Transistors 72 des Oszillators und damit auch die Rückw irkung auf dessen Basis klein bleibt. jiThe isolating amplifier formed by the transistor Ii and the connected resistors was designed with a small input resistance, so that the voltage swing at the collector connection of the transistor 72 of the oscillator and thus also the effect on its base remains small

Die Widerstände R 12, R 13 sind so gewählt, daß sich ein geringer Durchlaßstrom durch die Dioden D 2 bzw. D 3 ergibt und dadurch ein Diodenoffset vermieden wird. Der an den Ausgang des Frequenzverdopplers angeschlossene Pulsformer enthält eine durch den Tran- m sistor 74 und die Widerstände R 14. R 15, R 16. R 18 gebildete weitere Verstärkerstufe, an deren Kollektoranschluß über den Kondensator CIl ein weiterer, aus dem Kondensator C 12 und der Induktivität L 3 gebildeter Schwingkreis auf die vom Frequenzverdoppler er- ii zeugte Frequenz abgestimmt ist. Zur Impulsformung dient weiterhin ein Schottky-TTL-Gatter G, dessen einer E:ngar;gS3nsch!t;ß mit der SchwiMgkre;sinduki;viiäi und dessen restliche Eingangsanschlüsse mit der Betriebssspannung + UB verbunden sind. Dieses Schott- -to ky-TTI.-Gatter wird im aktiven Gebiet der Übertragungskennlinie betrieben. Zur Einstellung auf dieses Gebiet dient eine Vorspannung, die durch die mit dem anderen Anschluß der Schwingkreisinduktivität /. 3 verbundenen, in Reihe geschalteten und in Durchlaßrich- 4j tung beaufschlagten Dioden D 4. O 5 erzeugt wird. Zur Feineinstellung der erzeugten Vorspannung dienen dabei die Widerstände R 19 und R 20. die in Reihe zu den Dioden D 4 und DS geschaltet sind. Die Dioden D4. DS und die Widerstände R 19. R 20 sind durch den An- so blockkondensator C13 kapazitiv überbrückt. Parallel zum Schwingkreis ist eine weitere Schottky-Diode D6 geschaltet, die zur Stabilisierung der Ausgangsamplitude auf einen Wert von etwa 2 VSs als Begrenzer ausgebildet ist.The resistors R 12, R 13 are chosen so that there is a low forward current through the diodes D 2 and D 3 and thus a diode offset is avoided. The connected to the output of the frequency pulse shaper contains a R through the transit m sistor 74 and the resistors R 14 15, R 16, R 18 formed further amplifier stage, to the collector terminal via the capacitor Cll another, from the capacitor C 12 and the resonant circuit formed by the inductance L 3 is matched to the frequency generated by the frequency doubler. A Schottky TTL gate G is also used for pulse shaping, one of which is connected to the oscillating circuit; sinduki; viiäi and the remaining input terminals of which are connected to the operating voltage + UB. This Schott-toky-TTI. Gate is operated in the active area of the transfer characteristic. To adjust to this area, a bias voltage is used, which by the other terminal of the resonant circuit inductance /. 3 connected, series-connected and applied in the transmission direction 4j diodes D 4 O 5 is generated. The resistors R 19 and R 20, which are connected in series with the diodes D 4 and DS , are used to fine-tune the bias voltage generated. The diodes D4. DS and the resistors R 19. R 20 are capacitively bridged by the blocking capacitor C13. A further Schottky diode D 6 is connected in parallel to the resonant circuit and is designed as a limiter to stabilize the output amplitude to a value of approximately 2 V S s.

Auf die eigentliche Oszillatorschaltung folgen also zwei weitere Schwingkreise, die eine einem Tiefpaß entsprechende Phasennacheiiung bei Frequenz- bzw. Phasenmodulation verursachen. Damit wirken diese Schwingkreise gleichzeitig als Teil des Tiefpaßfilters des Phase-Iocked-Ioop-Kreises.The actual oscillator circuit is followed by two further oscillating circuits, one of which corresponds to a low-pass filter Cause phase adjustment in frequency or phase modulation. This is how they work Resonant circuits at the same time as part of the low-pass filter of the phase-locked loop circuit.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims (7)

Patentansprüche:Patent claims: J. Quarzoszillator mit einem Differenzverstärker aus zwei emittergekoppelten Transistoren, bei dem mit dem Kollektoranschluß wenigstens eines der Transistoren ein der. Quarz und andere frequenzbestimmende Elemente enthaltendes Rückkopplungsnetzwerk verbunden ist und bei dem der Differenzverstärker als geschaltete Stromquelle ausgebildet ist dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektoranschluß des ersten Transistors (Ti) über eine Reihenschaltung aus einer Varaktordiode (D X), einem Grundtonquarz (Q) und einem ersten Kondensator (Ci) mit Betriebsspannung {+ Ub) verbunden ist und daß dieser Reihenschaltung eine erste Induktivität (L 1) als Teil des die frequenzbestimmenden Elemente enthaltenden Rückkopplungsnetzwerkes, die durch einen ersten Widerstand (Rl, RU) bedämpft ist, parallel geschaltet ist, daß an die Verbindungsstelle ^wischen der Varaktordiode (Di) und dem Grundtonquarz (Q) Ober einen zweiten Widerstand (R 2) die Ziehspannung zugeführt ist, daß der Basisanschluß des zweiten Transistors (T2) über einen dritten Widerstand (R 3) an den Basisanschluß des ersten Transistors (Ti) und außerdem an die Verbindungsstelle zwischen dem Grundtonquarz (Q) und dem ersten Kondensator (C 1) angeschlossen ist, daß der Basisanschluß des ersten Transistors über einen dritten Kondensator (C3) mit Bezugspotential verbunden ist.J. Quartz oscillator with a differential amplifier composed of two emitter-coupled transistors, in which at least one of the transistors is connected to the collector terminal. Quartz and other frequency-determining elements containing feedback network is connected and in which the differential amplifier is designed as a switched current source, characterized in that the collector connection of the first transistor (Ti) via a series connection of a varactor diode (DX), a fundamental crystal (Q) and a first capacitor (Ci) is connected to operating voltage {+ Ub) and that this series circuit has a first inductance (L 1) as part of the feedback network containing the frequency-determining elements, which is attenuated by a first resistor (Rl, RU) , connected in parallel that on the connection point ^ between the varactor diode (Di) and the fundamental crystal (Q) via a second resistor (R 2) the drawing voltage is supplied that the base terminal of the second transistor (T2) via a third resistor (R 3) to the base terminal of the first Transistor (Ti) and also to the junction between the fundamental crystal (Q) and the first capacitor (C 1) is connected, that the base terminal of the first transistor is connected to reference potential via a third capacitor (C3). 2. Quarzoszillator nach Patentanspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei ΐ4η Transistoren um npn-Transistoren handelt, deren Emitteranschlüsse miteinander und über eine Sironvuelle mit Bezugspotential verbunden sind. 2. Quartz oscillator according to claim 1, characterized in that it is ΐ4η transistors npn transistors, the emitter connections of which are connected to one another and to reference potential via a Sironvuelle. 3. Quarzoszillator nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitteranschlüsse der beiden Transistoren des Differenzverstärkers jeweils getrennt über einen Widerstand (R 4, R 5) mit Bezugspotential und außerdem über einen vierten Kondensator (C4) miteinander verbunden sind.3. Quartz oscillator according to claim 1 or 2, characterized in that the emitter connections of the two transistors of the differential amplifier are connected to each other separately via a resistor (R 4, R 5) with reference potential and also via a fourth capacitor (C 4). 4. Quarzoszillator nach einem der Ansprüche 1 bis4. Quartz oscillator according to one of claims 1 to 3, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Kollektoranschluß des zweiten Transistors (T2, 74) eine Frequenzverdopplerstufe verbunden ist, die eingangsseitig einen Trennverstärker und ausgangsseitig eine Doppelweggleichrichterschaltung enthält und daß diese einen Pulsformer speist, in dessen Kollektorkreis ein auf die von der Doppelweggleichrichterschaltung erzeugte Schwingung mit der doppelten Frequenz abgestimmter Schwingkreis angeordnet ist und die erzeugte Schwingung an wenigstens einen Eingang eines Schottky-TTL-Gatters abgibt.3, characterized in that a frequency doubler stage is connected to the collector connection of the second transistor (T2, 74), which contains an isolating amplifier on the input side and a full-wave rectifier circuit on the output side and that this feeds a pulse shaper in whose collector circuit an oscillation generated by the full-wave rectifier circuit is included the double frequency tuned resonant circuit is arranged and emits the generated oscillation to at least one input of a Schottky TTL gate. 5. Quarzoszillator nach einem der Ansprüche 1 bis5. Quartz oscillator according to one of claims 1 to 4, dadurch gekennzeichnet, daß der verwendete Grundtonquarz in der Umgebung der Resonanzfrequenz nebenresonanzfrei ist.4, characterized in that the fundamental quartz used is in the vicinity of the resonance frequency is free of secondary resonance. 6. Quarzoszillator nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete Varaktordiode eine vergleichsweise kleine Endkapazität aufweist.6. Crystal oscillator according to one of claims 1 to 4, characterized in that the varactor diode used has a comparatively small final capacity. 7. Quarzoszillator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der mit Betriebsspannung verbundene Widerstand des Basisspannungsteilers gleichzeitig die erste Induktivität bedämpft.7. Quartz oscillator according to claim 2, characterized in that the connected to the operating voltage Resistance of the base voltage divider at the same time damps the first inductance. Die Erfindung betrifft einen Quarzoszillator mit einem Differenzverstärker aus zwei emittergekoppelten Transistoren, bei dem mit dem Kollektoranschluß wenigstens eines der Transistoren ein den Quarz und andere frequenzbestimmende Elemente enthaltendes Rückkopplungsnetzwerk verbunden ist und bei dem der Differenzverstärker als geschaltete Stromquelle ausgebildet ist.The invention relates to a quartz oscillator with a differential amplifier made up of two emitter-coupled devices Transistors, in which at least one of the transistors is connected to the collector terminal and the quartz and others Frequency-determining elements containing feedback network is connected and in which the differential amplifier is designed as a switched power source. Derartige Anordnungen sind aus der »Funkschau«Such arrangements are from the "Funkschau" ίο 1971, H. 15, S. 465 und 466 bekannt. Zur Erzielung höherer Frequenzen werden in den dort gezeigten Fällen Obertonquarze verwendet. Für die Einführung einer Frequenzsteuerung können Quarzoszillatoren in bekannter Weise eine Varaktordiode enthalten, deren Kais {.-azität in Abhängigkeit von der angelegten Spannung veränderbar ist. Zu diesem Zweck wird die Varaktordiode in Reihe mit dem zu ziehenden Quarz geschaltet, wobei auf die Beibehaltung eines Gleichstromwegs zu achten ist.ίο 1971, no. 15, pp. 465 and 466 known. To achieve higher Overtone crystals are used in the cases shown there. For the introduction of a Frequency control, crystal oscillators can contain a varactor diode in a known manner, the quays of which {.-acity as a function of the applied voltage is changeable. For this purpose, the varactor diode is connected in series with the crystal to be drawn, care must be taken to maintain a direct current path. Aus »DL QTC«, Heft 9, 1970, Seiten 510 bis 519, ist insbesondere aus Abbildung 5 eine Oszillatorschaltung für Grundweiienquarze für den Frequenzbereich von 800 bis 20 000 kHz bekannt, die mittels eines einzigen Transistors in kapazitiver Dreipunktschaltung aufgebaut ist. Zu dem Grundwellenquarz ist in Reihe als Ziehkondensator ein Trimmer geschaltet, zu dieser Reihenschaltung ist die Serienschaltung zweier weiterer Kondensatoren in der Ruckkopplungsschleife parallel geschaltet, so daß sich ein vergleichsweise geringer Ziehbereich ergibt.From "DL QTC", Issue 9, 1970, pages 510 to 519, in particular from Figure 5 is an oscillator circuit known for Grundweiienquzzze for the frequency range from 800 to 20,000 kHz, which by means of a single Transistor is constructed in a capacitive three-point circuit. The fundamental wave crystal is in series as a draw capacitor a trimmer is connected; two additional capacitors are connected in series with this series connection connected in parallel in the feedback loop, so that there is a comparatively small pull area results. Für die Verwendung von Phase-locked-loop-Schaltungen ist eine bei Frequenzmodulation des Quarzoszillators von diesem abgegebene Amplitudenmodulation besonders störend. Bei den Quarzoszillatorschaltungen nach dem Stande der Technik ist es ohne sehr großen Aufwand nicht möglich, gleichzeitig zur Verhinderung der störenden Amplitudenmodulation eine gute symmetrische Begrenzerwirkung und außerdem eine gioße Frequenzziehbarkeit zu erreichen.For the use of phase-locked-loop circuits is an amplitude modulation emitted by the quartz oscillator when it is frequency modulated particularly annoying. In the prior art crystal oscillator circuits, it is not very large No effort possible, at the same time a good symmetrical one to prevent the disruptive amplitude modulation Limiting effect and also to achieve a great frequency drawability. Die Aufgabe der Erfindung besteht o.'io darin, Quarzoszillatoren mit großer Ziehbarkeit und sehr guter symmetrischer Begrenzerwirkung zu schaffen, die in Phaselocked-loop-Schaltungen auch bei Frequenzen oberhalb 10 MHz einsetzbar sind.The object of the invention is o.'io to make crystal oscillators to create with great drawability and very good symmetrical limiter effect in phase-locked loop circuits can also be used at frequencies above 10 MHz. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß der Kollektoranschluß des ersten Transistors über eine Reihenschaltung aus einer Varakterdiode, einem Grundtonquarz und einem ersten Kondensator mit Betriebsspannung verbunden ist und daß dieser Reihenschaltung eine erste Induktivität als Teil des die frequenzbestimmenden Elemente enthaltenen Rückkopplungsnetzwerkes, die durch einen ersten Widerstand bedäTi.pft ist, parallel geschaltet ist, daß an die Verbindungsstelle zwischen der Varaktordiode und dem Grundtonquarz über einen zweiten Widerstand die Ziehspannung zugeführt ist, daß der Basisanschluß des zweiten Transistors über einen dritten Widerstand an den Basisanschluß des ersten Transistors und außerdem an die Verbindungsstelle zwischen dem Grundtonquarz und dem ersten Kondensator angeschlossen ist, daß der Basisanschluß des ersten Transistors über einen dritten Kondensator mit Bezugspotential verbunden ist.According to the invention the object is achieved in that the collector connection of the first transistor has a series connection of a varactor diode, a fundamental crystal and a first capacitor with operating voltage is connected and that this series circuit has a first inductance as part of the frequency-determining Elements contained feedback network, which are required by a first resistor is connected in parallel that at the junction between the varactor diode and the The fundamental tone quartz is supplied with the drawing voltage via a second resistor that the base terminal of the second transistor via a third resistor to the base terminal of the first transistor and also is connected to the junction between the fundamental crystal and the first capacitor that the The base terminal of the first transistor is connected to reference potential via a third capacitor. Bei der Erfindung ergibt sich in vorteilhafter Weise die Möglichkeit, den Quarzstrom ohne Amplitudenregelung konstant zu halten und dadurch eine unzulässige Verschiebung der dynamischen Kapazität der verwendeten Varakterdiode zu verhindern.In the invention there is advantageously the possibility of controlling the quartz current without amplitude control to keep constant and thereby an impermissible shift in the dynamic capacity of the used To prevent varactor diode. Eine bevorzugte Variante des Quarzoszillators nachA preferred variant of the crystal oscillator according to
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