DE2806492A1 - SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING IT - Google Patents
SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING ITInfo
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- DE2806492A1 DE2806492A1 DE19782806492 DE2806492A DE2806492A1 DE 2806492 A1 DE2806492 A1 DE 2806492A1 DE 19782806492 DE19782806492 DE 19782806492 DE 2806492 A DE2806492 A DE 2806492A DE 2806492 A1 DE2806492 A1 DE 2806492A1
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 30
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 20
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 18
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 17
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 97
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006388 chemical passivation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
-
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3171—Partial encapsulation or coating the coating being directly applied to the semiconductor body, e.g. passivation layer
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Description
Dr.-Ing. Reimar König ■ Dipl.-lng. Klaus Bergen Cscilienallee 76 A Düsseldorf 3O Telefon -452OO8 PatentanwälteDr.-Ing. Reimar König ■ Dipl.-Ing. Klaus Bergen Cscilienallee 76 A Düsseldorf 3O Telephone -452OO8 Patent Attorneys
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Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen HerstellungSemiconductor component and method for its manufacture
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement aus einem Halbleiterkörper mit mindestens zwei Zonen entgegengesetzten Leitungstyps und mindestens einem an einer Oberfläche des Halbleiterkörpers austretenden PN-Übergang zwischen den Zonen, sowie ein Verfahren zum Herstellen dieses Halbleiterbauelements.The invention relates to a semiconductor component made from a semiconductor body with at least two opposing zones Conduction type and at least one PN junction exiting on a surface of the semiconductor body between the zones, as well as a method for producing this semiconductor component.
Zum Passivieren, beispielsweise von an die Oberfläche tretenden PN-Übergängen an Halbleiterkörpern, wird häufig eine Schicht aus hochohmigem polykristallinem Silizium verwendet. Eine solche hochohmige Schicht kann durch Einlagern von Sauerstoff in aufwachsendes polykristallines Silizium gebildet werden. Diese Schicht weist ausgezeichnete dielektrische Eigenschaften, insbe«· sondere hinsichtlich des chemischen Passivierens einer Halbleiteroberfläche, auf. Im allgemeinen wird eine Oberfläche als "chemisch passiviert" bezeichnet, wenn die entsprechende Passivierschicht dem chemischen Erzeugen von Ladungsträgern an der passivierten Oberfläche entgegenwirkt. For passivating, for example, PN junctions on semiconductor bodies that come to the surface, a layer of high resistance polycrystalline silicon is used. Such a high-resistance layer can be formed by storing oxygen in growing polycrystalline silicon. This layer has excellent dielectric properties, especially «· special with regard to the chemical passivation of a semiconductor surface. In general, a Surface designated as "chemically passivated" when the corresponding passivation layer is chemically generated of charge carriers on the passivated surface counteracts.
Eine Passivierschicht aus hochohmigem polykristallinem Silizium kann jedoch - wegen der Schichtdicke - in derA passivation layer made of high-resistance polycrystalline silicon can, however - because of the layer thickness - in the
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Regel an der Oberflächendurchtrittslinie eines Hochspannungs-PH-IJberganges erzeugte innere elektrische Felder nicht allein aufgrund ihrer dielektrischen Eigenschaften aufnehmen« Dieser Machteil kann auch nicht durch den inneren elektrischen Feldern entsprechend übermäßig große Sehichtdicken beseitigt werden,, weil dann durch die Schicht führende Strompfade entstehen können und folglich die Spannungsfestigkeit der passivierten Durchstoßlinie des PH-tfbergangs sogar· vermindert wird. Eine einzige Schicht aus hochohmigem polykristallinem Silizium reicht daher zum Passivieren der Oberflächendurchtrittslinie eines PH-Überganges nicht immer aus.Usually do not take to the surface through line of a high voltage PH IJberganges generated internal electric fields simply because of their dielectric properties, "This Mach part can not be eliminated by the internal electric fields corresponding excessive Sehichtdicken ,, because then can be caused by the layer leading current paths and consequently the dielectric strength of the passivated breakthrough line of the PH transition is even reduced. A single layer of high-resistance polycrystalline silicon is therefore not always sufficient to passivate the surface passage line of a PH junction.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Passivierung zu schaffen, die sowohl die ausgezeichneten dielektrischen Eigenschaften des hochohmigen polykristallinen Siliziums hinsichtlich des chemischen Passivierens als auch eine hervorragende Fähigkeit zum Aufnehmen der fraglichen elektrischen Felder aufweist. Ferner soll ein bis zu möglichst hohen Temperaturen thermisch stabiler Aufbau geschaffen werden.The invention is based on the object of a passivation to create both the excellent dielectric properties of the high resistance polycrystalline Silicon in terms of chemical passivation as well as excellent absorbing ability the electric fields in question. Furthermore, a temperature should be thermally stable up to the highest possible temperature Structure to be created.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe gelöst durch einen Mehrschichtpassivieraufbau mit einer auf die Oberfläche liegenden, aus hochohmigem polykristallinem Silizium bestehenden, ersten Schicht und zwei darauf gebildeten weiteren Schichten r von denen die eine aus Teilchen hergestellt ist und die andere aus Siliziumdiaxid oder Siliziumnitrid besteht. Durch die Erfindung wird die Durchtrittslinie eines PM-Übergangs an einer Halbleiteroberfläche durch ein Mehrschichtsystem passiviert^ welches auch hohen inneren elektrischen· Spannungen am PM-TJbergang widerstehen kann. Ein äußerer Lichtbogen oder ein dielektrischer Durchschlag ist also; nicht mehr zu befürchten.According to the invention, this object is achieved by a multilayer passivation structure with a first layer lying on the surface and consisting of high-resistance polycrystalline silicon and two further layers r formed thereon, one of which is made of particles and the other of silicon dioxide or silicon nitride. With the invention, the line of passage of a PM junction on a semiconductor surface is passivated by a multilayer system which can also withstand high internal electrical voltages at the PM junction. An external arc or a dielectric breakdown is therefore; no longer to fear.
(ο(ο
Zum Herstellen des Halbleiterbaulements kann es von Vorteil sein, wenn die Siliziumdioxidschicht unmittelbar auf der Siliziumschicht und auf dieser die aus Passivierteilchen gebildete Schicht liegt.To produce the semiconductor component, it can be advantageous if the silicon dioxide layer is directly on the silicon layer and on this the layer formed from passivation particles lies.
Bei einem Verfahren zum Herstellen des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements bzw. Mehrschichtpassivieraufbaues ist es günstig, wenn die unmittelbar auf der zu passivierenden Oberfläche aufliegende erste Schicht vor dem Aufbringen der weiteren Schichten geglüht wird, um eine gute Verbindung zwischen der ersten Schicht und der darunter liegenden Oberfläche des Halbleiterkörpers zu schaffen. Wenn dann im Verlaufe des Verfahrens auf die erste Schicht zunächst eine Passivierteilchen enthaltende zweite Schicht und danach auf letztere eine dritte Passivierschicht aufgebracht wird, soll vorzugsweise die zweite Schicht vor dem Aufbringen der dritten Schicht mit der ersten Schicht verschmolzen bzw. verschweißt und daraufhin zweckmäßig noch geglüht werden.In a method for producing the semiconductor component or multilayer passivation structure according to the invention it is advantageous if the first one rests directly on the surface to be passivated Layer is annealed before applying the other layers to ensure a good bond between the first Layer and the underlying surface of the semiconductor body to create. If then in the course of the method on the first layer first a second layer containing passivation particles and then a third passivation layer is applied to the latter, the second layer should preferably be applied before the Application of the third layer fused or welded to the first layer and then expedient still to be annealed.
In allen Fällen kann die eine Schicht aus einer in einem Binder suspendierte Passivierteilchen enthaltenden Aufschlämmung hergestellt werden. Dieser Binder soll jeweils vor der weiteren Behandlung des Bauelements verdampft oder abgebrannt werden, um gute dielektrische Eigenschaften zu erhalten. Nach dem Entfernen des Binders wird die Passivierteilchen enthaltende Schicht zweckmäßig stets bis zur Schmelztemperatur erhitzt, damit die in ihr enthaltenen Teilchen miteinander verschmelzen bzw. verschweißen.In all cases, a layer of one layer may contain passivation particles suspended in a binder Slurry can be prepared. This binder should be used before the further treatment of the component evaporated or burned off to obtain good dielectric properties. After removing the tie the layer containing passivating particles is expediently always heated to the melting temperature, so that the particles contained in it fuse or weld together.
Einzelheiten der Erfindung werden im folgenden anhand der schematischen Darstellung eines Ausführungsbexspiels beschrieben. Es zeigen:Details of the invention are given below with reference to the schematic representation of an exemplary embodiment described. Show it:
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Fig. 1 einen nicht maßstabsgetreuen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement mit einem an die Oberfläche tretenden, passivierten PN-Übergang; und 1 shows a cross section, not true to scale, through a semiconductor component with a passivated PN junction rising to the surface; and
Fig. 2 einen Querschnitt eines anderen Halbleiterbauelementes. 2 shows a cross section of another semiconductor component.
Die Erfindung ist auf jede Art von Halbleiterbauelementen, z.B. solchen mit Mesa- oder Planarstruktur, anwendbar. In der nachfolgenden Beschreibung wird auf irgendein in Fig. 1 insgesamt mit 10 bezeichnetes Halbleiterbauelement Bezug genommen.The invention can be applied to any type of semiconductor component, for example those with a mesa or planar structure. In the following description, any Semiconductor component designated as a whole by 10 in FIG. 1 Referenced.
Das Halbleiterbauelement 10 besteht aus einem Halbleiterkörper 12 mit einer ersten Zone 1-4 und einer zweiten Zone 16 mit P- bzw. N-Leitung. An der gemeinsamen Grenzschicht der Zonen 14 und 16 ist ein PN-Übergang 18 gebildet. Dieser erstreckt sich bis zu einer Oberfläche 20 des Halbleiterkörpers 12 und endet dort.The semiconductor component 10 consists of a semiconductor body 12 with a first zone 1-4 and a second Zone 16 with P or N line. A PN junction 18 is formed at the common boundary layer of zones 14 and 16. This extends up to a surface 20 of the semiconductor body 12 and ends there.
Zum Passivieren der Oberflächendurchtrittslinie des PN-Übergangs 18 ist auf der Oberfläche 12 über der Durchtrittslinie eine aus hochohmigem polykristallinem Silizium bestehende erste Schicht 22 gebildet. Unter dem Ausdruck "hochohmig" werden im vorliegenden Zusammenhang spezifische Widerstände in der Größenordnung von mindestens etwa 1000 Ohm-cm verstanden.To passivate the surface penetration line of the PN junction 18 is on the surface 12 above the penetration line a first layer 22 consisting of high-resistance polycrystalline silicon is formed. Under the The term "high resistance" is used in the present context understood resistivities on the order of at least about 1000 ohm-cm.
Die erste Schicht 22 kann hergestellt werden, indem das polykristalline Silizium während des Aufwachsens der Schicht mit Sauerstoffatomen dotiert wird. Beispielsweise kann eine aus polykristallinem Silizium bestehende erste Schicht 22 mit einer Dicke zwischen etwa 300 nm und 1000 nm sowie nachweisbarem Sauerstoffgehalt gebildet werden, wenn eine Mischung von gasförmigem Distickstoffoxid (N2O) und Silan (SiH^) in einer ge-The first layer 22 can be produced by doping the polycrystalline silicon with oxygen atoms during the growth of the layer. For example, a first layer 22 consisting of polycrystalline silicon with a thickness between approximately 300 nm and 1000 nm and a detectable oxygen content can be formed when a mixture of gaseous nitrous oxide (N 2 O) and silane (SiH ^) is
schlossenen Kammer bei Temperaturen zwischen etwa 45O°C und 70O0C für etwa fünfzehn Minuten reagiert. Der Sauerstoffgehalt der ersten Schicht 22 hängt in erster Linie von dem Mengenverhältnis von Distickstoffoxid zu Silan (N2O / SiH^) ab. Dieses Verhältnis wird im allgemeinen mit dem griechischen Buchstaben Gamma ( ν) gekennzeichnet. Es können auch andere Dotiermittel anstelle oder zusammen mit Sauerstoff, z.B. Stickstoff oder ähnliches, zum Bilden der hochohmigen Schicht aus polykristallinem Silizium benutzt werden. Derzeit beim Herstellen der ersten Schicht 22 verwendete Gammawerte liegen zwischen etwa 0,2 und 0,3 und führen bei einer Reaktionstemperatur von etwa 6500Cclosed chamber at temperatures between about 450 ° C and 70O 0 C for about fifteen minutes. The oxygen content of the first layer 22 depends primarily on the quantitative ratio of nitrous oxide to silane (N 2 O / SiH ^). This ratio is generally identified with the Greek letter gamma (ν). It is also possible to use other dopants instead of or together with oxygen, for example nitrogen or the like, for forming the high-resistance layer of polycrystalline silicon. Currently, in the manufacture of the first layer 22 gamma values used are between about 0.2 and 0.3 and at a reaction temperature of about 650 0 C.
7 zu spezifischen Widerständen zwischen etwa 5.10 0hmcm und etwa 5.10 Ohm-cm.7 to resistivities between about 5.10 ohm cm and about 5.10 ohm cm.
Nach dem Aufwachsen der ersten Schicht 22 wird diese vorzugsweise geglüht, d.h. für etwa 30 Minuten auf eine Temperatur von etwa 9000C erhitzt. Durch diese Wärmebehandlung wird eine sichere Verbindung zwischen dem Silizium und den darin enthaltenen Sauerstoffatomen gewährleistet.After the first layer 22 has grown on, it is preferably annealed, ie heated to a temperature of about 900 ° C. for about 30 minutes. This heat treatment ensures a secure connection between the silicon and the oxygen atoms it contains.
Auf die aus Passiviermaterial bestehende erste Schicht 22 kann erfindungsgemäß eine aus Passivierteilchen gebildete zweite Schicht 24 aufgebracht werden. Um die Teilchenstruktur der zweiten Schicht 24 deutlich herauszustellen, ist diese Schicht in Fig. 1 punktiert dargestellt.On the first layer consisting of passivating material According to the invention, a second layer 24 formed from passivation particles can be applied. To the To clearly emphasize the particle structure of the second layer 24, this layer is dotted in FIG. 1 shown.
Vorzugsweise besteht das verwendete Passiviermaterial der zweiten Schicht 24 aus einem glasartigen Pulver. Dieses wird zum Bilden einer Aufschlämmung zunächst in einem Binder, wie Alkohol, chloriertes organisches Lösungsmittel oder ähnlichem, suspendiert. Es kann erfindungsgemäß jedes in Partikelform darstellbareThe passivating material used for the second layer 24 preferably consists of a glass-like powder. This is first used in a binder such as alcohol, chlorinated organic, to form a slurry Solvent or the like, suspended. According to the invention, it can be anything that can be represented in particle form
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Passiviermaterial benutzt werden. Ein bevorzugtes Passiviermaterial zum Herstellen der zweiten Schicht 24 enthält etwa 50 Gew.-% Blei- oder Zinkoxid, etwa 40 Gew.-% Siliziumdioxid und etwa 10 Gew.-% Aluminiumoxid. Die Aufschlämmung kann durch Rakeln, Sprühen oder auf ähnliche Weise auf die erste Schicht 22 aufgebracht werden. Vorzugsweise hat die aus Passiviermaterial bestehende zweite Schicht 24 eine Dicke zwischen wenigen Mikrometern und etwa 25 Mikrometern, z.B. etwa 4 Mikrometer. Passivating material can be used. A preferred passivating material for producing the second layer 24 contains about 50% by weight lead or zinc oxide, about 40% Wt% silica and about 10 wt% alumina. The slurry can be applied to the first layer 22 by knife coating, spraying, or the like will. The second layer 24 consisting of passivating material preferably has a thickness between a few Micrometers and about 25 micrometers, e.g. about 4 micrometers.
Nach dem Aufbringen der zweiten Schicht 22 wird das Bauelement erhitzt, um den in der zweiten Schicht 24 zunächst enthaltenen Binder zu verdampfen oder abzubrennen. Wenn als Binder Alkohol verwendet wurde, wird das Bauelement für etwa dreißig Minuten in Luft auf etwa 6400C erhitzt. Das Aufheizen ist ein wichtiger Schritt des erfindungsgemäßen Verfahrens, da unvollständig entfernter Binder im allgemeinen schlechte dielektrische Eigenschaften zur Folge hat.After the application of the second layer 22, the component is heated in order to evaporate or burn off the binder initially contained in the second layer 24. If alcohol was used as the binder, the component is heated to about 640 ° C. in air for about thirty minutes. The heating is an important step of the method according to the invention, since incompletely removed binder generally results in poor dielectric properties.
In einem nächsten Verfahrensschritt wird das Bauelement 10 auf eine Temperatur erhitzt, bei der die zweite Schicht 24 geschmolzen und fließfähig wird. Wenn die zweite Schicht 24 - wie oben beschrieben - ein Passiviermaterial mit Bleioxid enthält, wird das Bauelement 10 bei dem Schmelzvorgang zwischen etwa zehn und fünfzehn Minuten auf etwa 700 bis 10000C erhitzt. Beim anschließenden Abkühlen bildet sich zwischen der aus Passiviermaterial bestehenden zweiten Schicht 24 und dem Silizium der ersten Schicht 22 eine Schmelz- bzw. Schweißverbindung. Ein solches Passiviermaterial hat für sich betrachtet - bei Arbeitstemperaturen unterhalb etwa 125°C ausgezeichnete elektrische Eigenschaften.In a next method step, the component 10 is heated to a temperature at which the second layer 24 is melted and flowable. If the second layer 24 - as described above - contains a passivating material with lead oxide, the component 10 is heated to about 700 to 1000 ° C. for between about ten and fifteen minutes during the melting process. During the subsequent cooling, a fusion or weld connection is formed between the second layer 24, which consists of passivating material, and the silicon of the first layer 22. Such a passivating material has excellent electrical properties at working temperatures below approx. 125 ° C.
Wenn die erste Schicht 22 vor dem Bilden der zweitenIf the first layer 22 before forming the second
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Schicht 24 nicht geglüht wird, kann diese Wärmebehandlung anschließend durch Aufheizen des Bauelementes für etwa zehn Minuten auf eine Temperatur von etwa 925°C nachgeholt werden. Je nach der Schmelztemperatur des Materials der zweiten Schicht 24 kann das Glühen der ersten Schicht 22 gleichzeitig mit dem Schmelzen bzw. Verschweißen der zweiten Schicht 24 erfolgen. Nach dem Herstellen der zweiten Schicht 24 sollte diese ebenfalls geglüht werden. Hierbei kann das Bauelement 10 je nach Art der verwendeten Passivierteilchen für etwa 30 Minuten auf eine Temperatur zwischen etwa 450 bis 6500C erhitzt werden. Das Glühen dient hierbei dazu, etwa an der Grenzschicht zwischen der ersten und zweiten Schicht 22 und 24 sowie innerhalb dieser Schichten bestehende mechanische Spannungen zu beseitigen. Layer 24 is not annealed, this heat treatment can then be made up for by heating the component for about ten minutes to a temperature of about 925 ° C. Depending on the melting temperature of the material of the second layer 24, the annealing of the first layer 22 can take place simultaneously with the melting or welding of the second layer 24. After the second layer 24 has been produced, it should also be annealed. Here, the component 10 can be heated to a temperature between about 450 to 650 ° C. for about 30 minutes, depending on the type of passivation particles used. The annealing serves to eliminate mechanical stresses that exist, for example, at the boundary layer between the first and second layers 22 and 24 and within these layers.
Während die zweite Schicht 24 allein im allgemeinen nur bis zu Temperaturen von etwa 125°C zum Passivieren geeignet ist, hat sich unerwartet herausgestellt, daß das erfindungsgemäß fertiggestellte Halbleiterbauelement 10 eine beträchtlich höhere thermische Stabilität aufweist. Beispielsweise bei einem Bauelement 10 mit einer entsprechend Gammawerten von 0,2 hergestellten ersten Schicht 22 von etwa 0,5 Mikrometern Dicke und mit einer darauf gebildeten zweiten Schicht 24 von etwa 4 Mikrometern Dicke konnte ein PN-Übergang 18 mit einer Sperrdurchbruchspannung von etwa 1000 Volt ohne erkennbare Mängel bis zu Temperaturen von wenigstens 2000C betrieben werden.While the second layer 24 alone is generally only suitable for passivation up to temperatures of approximately 125 ° C., it has unexpectedly been found that the semiconductor component 10 produced according to the invention has a considerably higher thermal stability. For example, in the case of a component 10 with a first layer 22 produced corresponding to gamma values of 0.2 and approximately 0.5 micrometers thick and with a second layer 24 formed thereon with a thickness of approximately 4 micrometers, a PN junction 18 could have a reverse breakdown voltage of approximately 1000 volts can be operated up to temperatures of at least 200 ° C. without recognizable defects.
In der Praxis hat sich herausgestellt, daß eine aus Blei-Aluminium-Silikat-Glas bestehende zweite Schicht 24 - gemeinsam mit der ersten Schicht aus hochohmigem polykristallinem Silizium - in den meisten Fällen zum Passivieren ausreicht. Wenn jedoch andere Arten von inIn practice it has been found that a second layer consisting of lead-aluminum-silicate glass 24 - together with the first layer of high-resistance polycrystalline silicon - in most cases for Passivation is sufficient. However, when other types of in
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Teilchenform vorliegenden Passiviermitteln, wie z.B. Blei-Bor-Aluminium-Silikat, zum Herstellen der zweiten Schicht 24 benutzt werden, kann es für manche Anwendungszwecke vorteilhaft sein, entweder die aus Passiviermaterial bestehende erste Schicht 22 dicker zu machen oder eine weitere, dritte Schicht 26 aus Passiviermaterial - wie im folgenden beschrieben - vorzusehen. Eine solche erfindungsgemäße dritte Schicht 26 erhöht die dielektrische Aufnahmekapazität für starke elektrische Felder, beispielsweise an einem PN-Übergang; sie kann aber auch dazu ausgenutzt werden, Dickenschwankungen der zweiten Passivierschicht 24 auszugleichen. Ferner kann die erfindungsgemäße dritte Schicht 26 auch in Verbindung mit verschiedenen Arten von aus Teilchen hergestellten Passivierern Anwendung finden, deren Aufnahmefähigkeit für elektrische Felder bei normalen Schichtdicken gering oder unzuverlässig ist.Passivating agents present in particulate form, e.g. Lead-boron-aluminum-silicate, used to make the second layer 24, can be used for some purposes It may be advantageous to either make the first layer 22 made of passivating material thicker make or a further, third layer 26 of passivating material - as described below - to provide. Such a third layer 26 according to the invention increases the dielectric absorption capacity for strong electric fields, for example at a PN junction; but it can also be used to To compensate for fluctuations in the thickness of the second passivation layer 24. Furthermore, the third according to the invention Layer 26 also has application in conjunction with various types of particulate passivators find whose ability to absorb electric fields with normal layer thicknesses is low or unreliable is.
Wenn eine dritte Schicht 26 benutzt wird, sollte die aus Passivierteilchen hergestellte zweite Schicht 24 vorzugsweise vor ihrem Verschmelzen mit Hilfe bekannter Verfahren begrenzt werden, bevor die dritte Schicht 26 aufgebracht wird.If a third layer 26 is used, the second layer 24 made of passivation particles should be used preferably be limited before their fusing with the aid of known methods, before the third layer 26 is applied.
Die dritte Schicht 26 kann aus Siliziumdioxid, Siliziumnitrid oder ähnlichem bestehen. Es wird jedoch aus Gründen, die anhand eines zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels weiter unten erläutert werden, vorgezogen, die dritte Schicht 26 aus Siliziumdioxid herzustellen. Eine aus Siliziumdioxid bestehende dritte Schicht 26 kann auf herkömmliche Weise, z.B. durch Reaktion von Sauerstoff mit Silan bei einer Temperatur von etwa 5000C, gebildet werden. Günstige Dicken der dritten Schicht 26 liegen zwischen etwa 300 nm und etwa 1000 nm. Durch die vorgenannte Reaktion vonThe third layer 26 can consist of silicon dioxide, silicon nitride or the like. However, for reasons which will be explained further below with reference to a second exemplary embodiment according to the invention, it is preferred to produce the third layer 26 from silicon dioxide. A composition consisting of silicon dioxide third layer 26 can in a conventional manner, for example by reaction of oxygen with silane at a temperature of about 500 0 C, are formed. Favorable thicknesses of the third layer 26 are between approximately 300 nm and approximately 1000 nm. As a result of the aforementioned reaction of
80983^/062580983 ^ / 0625
Sauerstoff mit Silan kann in etwa 10 Minuten eine
dritte Schicht 26 mit einer Dicke von etwa 500 nm
aufgewachsen werden.Oxygen with silane can one in about 10 minutes
third layer 26 with a thickness of about 500 nm
to be grown up.
Die dritte Schicht 26 sollte nach ihrer Fertigstellung wärmebehandelt, insbesondere geglüht werden, indem das Bauelement 10 für etwa dreißig Minuten auf eine Temperatur zwischen etwa 900 und etwa 9500C erhitzt wird.After its completion, the third layer 26 should be heat-treated, in particular annealed, by heating the component 10 to a temperature between about 900 and about 950 ° C. for about thirty minutes.
Durch dieses erfindungsgemäße Verfahren können Bauelemente mit einem Mehrschichtpassivieraufbau hergestellt
werden, die auch bei Betriebstemperaturen von etwa
2000C zuverlässig arbeiten. Der entsprechende Mehrschichtpassivieraufbau
verträgt auch hohe innere elektrische Spannungen am PN-Übergang, ohne daß ein äußerer
Lichtbogen oder ein dielektrischer Durchschlag
auftritt.With this method according to the invention, components with a multilayer passivation structure can be produced which can also be used at operating temperatures of approximately
200 0 C work reliably. The corresponding multilayer passivation structure can also withstand high internal electrical voltages at the PN junction without an external arc or dielectric breakdown
occurs.
Eine dem bisher beschriebenen Mehrschichtpassivieraufbau ähnliche Struktur gemäß Fig. 2 ist mit weniger
Aufwand herstellbar. Es handelt sich bei diesem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel um ein Halbleiterbauelement
30 mit einem Halbleiterkörper 32. Dieser
enthält eine P-leitende erste Zone 34 und eine N-leitende
zweite Zone 36, an deren gemeinsamer Grenzfläche ein an der Oberfläche 40 des Halbleiterkörpers 32 austretender
PN-Übergang 38 gebildet ist.A structure according to FIG. 2 similar to the previously described multilayer passivation structure is less
Effort can be produced. This exemplary embodiment according to the invention is a semiconductor component 30 with a semiconductor body 32
contains a P-conducting first zone 34 and an N-conducting second zone 36, at the common interface of which a PN junction 38 exiting on the surface 40 of the semiconductor body 32 is formed.
Auf der Oberfläche 40 des Halbleiterkörpers 32 befindet sich eine aus hochohmigem polykristallinem Silizium
bestehende erste Schicht 32. Diese kann ähnlich wie vorher beschrieben hergestellt sein und eine Dicke
von vorzugsweise etwa 500 nm haben.A first layer 32 consisting of high-resistance polycrystalline silicon is located on the surface 40 of the semiconductor body 32. This layer can be produced in a manner similar to that described above and can have a thickness
of preferably about 500 nm.
Nachdem die polykristalline Siliziumschicht bei diesem Ausführungsbeispiel bis zu der gewünschten Dicke aufgewachsen ist, wird das Gamma des Gasverhältnisses bisAfter the polycrystalline silicon layer has grown to the desired thickness in this exemplary embodiment is, the gamma of the gas ratio becomes up to
809835/0625809835/0625
auf wenigstens etwa zehn erhöht. Bei diesem Mengenverhältnis ist ausreichend Stickstoffoxid in der Mischung vorhanden, um eine im wesentlichen aus reinem Siliziumdioxid bestehende zweite Schicht 44 zu bilden. Man läßt daher die Gasreaktion mit dem veränderten Gamma für etwa dreißig Minuten weiterlaufen, bis eine aus Siliziumdioxid bestehende zweite Schicht 44 mit einer Dicke von etwa 500 nm aufgewachsen ist.increased to at least about ten. At this ratio there is sufficient nitrogen oxide in the mixture is present to form a second layer 44 consisting essentially of pure silicon dioxide. Man therefore lets the gas reaction with the changed gamma continue for about thirty minutes until one stops Silicon dioxide existing second layer 44 is grown to a thickness of about 500 nm.
Nach Fertigstellung der zweiten Schicht 44 können die erste und zweite Schicht 42 und 44 gleichzeitig durch Erhitzen des Bauelementes 30 auf eine Temperatur zwischen etwa 900 und etwa 95O°C während einer Zeitdauer von etwa 30 Minuten wärmebehandelt, insbesondere geglüht werden.After the completion of the second layer 44, the first and second layers 42 and 44 can pass through at the same time Heating the component 30 to a temperature between about 900 and about 95O ° C. for a period of time heat-treated, in particular annealed, for about 30 minutes.
Nachdem die aus Siliziumdioxid bestehende zweite Schicht 44 gebildet ist, wird auf diese eine Passivierteilchen enthaltende dritte Schicht 46, z.B. auf ähnliche Weise wie zuvor beschrieben, aufgebracht. In Fig. 2 ist die dritte Schicht 46 gepunktet dargestellt, um die Teilchenstruktur deutlich herauszustellen.After the second layer 44 made of silicon dioxide is formed, a passivation particle is placed thereon containing third layer 46, e.g., in a manner similar to that previously described. In Fig. 2 is the third layer 46 shown dotted in order to clearly emphasize the particle structure.
Die Mehrschichtpassivierstruktur gemäß diesem Ausführungsbeispiel arbeitet ebenso zuverlässig wie die vorherbeschriebenen Strukturen. Das zweite Ausführungsbeispiel ist jedoch, sowohl was die Zahl der Herstellungsschritte als auch die erforderliche Zeit angeht, mit weniger Aufwand herstellbar. Die Siliziumdioxidschicht kann nämlich in derselben Kammer und unmittelbar anschließend an das Bilden der hochohmigen polykristallinen Siliziumschicht aufgewachsen werden. Demgegenüber erfordert das Verfahren zum Herstellen des Bauelements 10 gemäß Fig. 1 nach dem Herstellen der ersten Schicht 22 das Abkühlen und Herausnehmen aus der Reaktions-The multilayer passivation structure according to this embodiment works just as reliably as the previously described ones Structures. The second embodiment is, however, both in terms of the number of manufacturing steps and the time required, with less effort can be produced. The silicon dioxide layer can namely in the same chamber and immediately afterwards to be grown on the formation of the high-resistance polycrystalline silicon layer. In contrast requires the method for producing the component 10 according to FIG. 1 after producing the first layer 22 cooling down and removing from the reaction
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-rf-,* 2806A92 -rf -, * 2806A92
kammer, das Herstellen und Begrenzen der aus Passivierteilchen bestehenden zweiten Schicht 24 und dann das Wiederaufheizen des Bauelements 10, um die aus Siliziumdioxid bestehende dritte Schicht 26 aufzubringen. chamber, the production and delimitation of the second layer 24 consisting of passivation particles, and then the reheating of the component 10 in order to apply the third layer 26 consisting of silicon dioxide.
Das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2, bei dem die Siliziumdioxidschicht 44 vor dem Bilden der Passivierteilchen enthaltenden Schicht 46 hergestellt wird, hat den weiteren Vorteil, daß Zwischenbearbeitungen unter Verwendung der aus Siliziumdioxid bestehenden zweiten Schicht 44 als Maske ausgeführt werden können. Die ohnehin benötigte Siliziumdioxidschicht sorgt bei den Zwischenoperationen für die Unversehrtheit der aus hochohmigem polykristallinem Silizium bestehenden ersten Schicht 42.The embodiment according to FIG. 2, in which the silicon dioxide layer 44 before the formation of the passivation particles containing layer 46 is produced, has the further advantage that intermediate processing under Use of the second layer 44 made of silicon dioxide can be implemented as a mask. the Silicon dioxide layer, which is required anyway, ensures the integrity of the from during the intermediate operations first layer 42 consisting of high-resistance polycrystalline silicon.
Nach dem Vervollständigen der Mehrschichtpassivierstruktur wird das Bauelement 10 gemäß Fig. 1 bzw. 30 gemäß Fig. 2 in üblicher Weise vervollständigt.After completing the multilayer passivation structure the component 10 according to FIG. 1 or 30 according to FIG. 2 is completed in the usual way.
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Claims (11)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US77174977A | 1977-02-24 | 1977-02-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2806492A1 true DE2806492A1 (en) | 1978-08-31 |
Family
ID=25092854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19782806492 Ceased DE2806492A1 (en) | 1977-02-24 | 1978-02-16 | SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING IT |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS53105979A (en) |
| BE (1) | BE864271A (en) |
| DE (1) | DE2806492A1 (en) |
| FR (1) | FR2382095B1 (en) |
| GB (1) | GB1552760A (en) |
| IN (1) | IN147578B (en) |
| IT (1) | IT1092729B (en) |
| PL (1) | PL117841B1 (en) |
| SE (1) | SE7801092L (en) |
| YU (1) | YU42276B (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3021175A1 (en) * | 1980-06-04 | 1981-12-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | METHOD FOR PASSIVATING SILICON COMPONENTS |
| FR2487576A1 (en) * | 1980-07-24 | 1982-01-29 | Thomson Csf | Glass passivated mesa diode mfr. - by forming semiconductor layers, forming furrows, depositing sipox, glass, and nickel then dicing |
| JPS60208886A (en) * | 1984-03-31 | 1985-10-21 | 株式会社東芝 | Method of producing electronic part |
| US4826733A (en) * | 1986-12-03 | 1989-05-02 | Dow Corning Corporation | Sin-containing coatings for electronic devices |
| FR2625839B1 (en) * | 1988-01-13 | 1991-04-26 | Sgs Thomson Microelectronics | PROCESS FOR PASSIVATING AN INTEGRATED CIRCUIT |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2513459A1 (en) * | 1974-03-30 | 1975-10-09 | Sony Corp | CONDUCTOR ARRANGEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING IT |
| DE2513945A1 (en) * | 1974-04-19 | 1975-10-30 | Rca Corp | PROCESS FOR PASSIVATING THE SURFACES OF SEMI-CONDUCTIVE COMPONENTS |
| DE2600321A1 (en) * | 1975-01-16 | 1976-07-22 | Philips Nv | METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ARRANGEMENTS IN WHICH A GLASS COATING IS APPLIED TO A SEMICONDUCTOR DISC, AND SEMICONDUCTOR ARRANGEMENTS PRODUCED BY THIS PROCESS |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1250099A (en) * | 1969-04-14 | 1971-10-20 | ||
| JPS6022497B2 (en) * | 1974-10-26 | 1985-06-03 | ソニー株式会社 | semiconductor equipment |
| JPS6041458B2 (en) * | 1975-04-21 | 1985-09-17 | ソニー株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
-
1978
- 1978-01-02 IN IN3/CAL/78A patent/IN147578B/en unknown
- 1978-01-11 IT IT19175/78A patent/IT1092729B/en active
- 1978-01-27 YU YU192/78A patent/YU42276B/en unknown
- 1978-01-30 SE SE7801092A patent/SE7801092L/en unknown
- 1978-02-16 GB GB6179/78A patent/GB1552760A/en not_active Expired
- 1978-02-16 DE DE19782806492 patent/DE2806492A1/en not_active Ceased
- 1978-02-17 FR FR7804587A patent/FR2382095B1/en not_active Expired
- 1978-02-21 JP JP1960178A patent/JPS53105979A/en active Granted
- 1978-02-22 PL PL1978204821A patent/PL117841B1/en unknown
- 1978-02-23 BE BE185439A patent/BE864271A/en unknown
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2513459A1 (en) * | 1974-03-30 | 1975-10-09 | Sony Corp | CONDUCTOR ARRANGEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING IT |
| DE2513945A1 (en) * | 1974-04-19 | 1975-10-30 | Rca Corp | PROCESS FOR PASSIVATING THE SURFACES OF SEMI-CONDUCTIVE COMPONENTS |
| DE2600321A1 (en) * | 1975-01-16 | 1976-07-22 | Philips Nv | METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ARRANGEMENTS IN WHICH A GLASS COATING IS APPLIED TO A SEMICONDUCTOR DISC, AND SEMICONDUCTOR ARRANGEMENTS PRODUCED BY THIS PROCESS |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE7801092L (en) | 1978-08-25 |
| FR2382095A1 (en) | 1978-09-22 |
| IT7819175A0 (en) | 1978-01-11 |
| IN147578B (en) | 1980-04-19 |
| BE864271A (en) | 1978-06-16 |
| JPS53105979A (en) | 1978-09-14 |
| PL117841B1 (en) | 1981-08-31 |
| FR2382095B1 (en) | 1985-10-18 |
| IT1092729B (en) | 1985-07-12 |
| YU42276B (en) | 1988-08-31 |
| GB1552760A (en) | 1979-09-19 |
| YU19278A (en) | 1982-06-30 |
| PL204821A1 (en) | 1978-11-06 |
| JPS5626981B2 (en) | 1981-06-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8131 | Rejection |