DE2705407A1 - Radiation-insensitive ferroelectric component prodn. - by forming two electric contacts one on vapour deposited thin film of potassium nitrate - Google Patents
Radiation-insensitive ferroelectric component prodn. - by forming two electric contacts one on vapour deposited thin film of potassium nitrateInfo
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Abstract
Description
FrelllgrathstraBe 19 ΠΙ«»Ι Inn U M RaKr Elsenaeher SUaSe 17 Frelllgrathstrasse 19 ΠΙ «» Ι Inn UM RaKr Elsenaeher SUaSe 17
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""■■ M 05 855 B/h. "" ■■ M 05 855 B / h.
MünchenMunich
8. Februar 1977February 8, 1977
Technovation, Inc.Technovation, Inc.
711 Johnstone711 Johnstone
Sault Ste. Marie, Michigan 49783Sault Ste. Marie, Michigan 49783
USAUnited States
Verfahren zur Herstellung eines ferro-elektrischen Bauelementes und nach diesem Verfahren hergestelltes BauelementProcess for the production of a ferroelectric component and component produced according to this process
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines ferroelektrischen Bauelementes, gemäß dem ein erster elektrischer Kontakt und anschließend ein dauerhaufter,dünner Film aus Kaliumnitrat über wenigstens einem Teil des elektrischen Kontaktes durch Aufdampfen im Vakuum bei einem Druck nicht größer als 1 χ 10 Torr gebildet werden. Anschließend wird ein zwaiter elektrischer Kontakt über wenigstens einem Teil dieses Filmes hergestellt. Daran anschließend wird eine Schutzhülle aus Siliziummonoxid über den ersten Kontakt, den Film und den zweiten Kontakt aufgedampft. Die gesamte Anordnung mit der Schutzhülle wird anschließend eine gewisse Zeit bei einer vorbestimmten Temperatur erwärmt. The invention relates to a method for producing a ferroelectric component, according to which a first electrical contact and then a permanent, thin film of potassium nitrate are formed over at least part of the electrical contact by vapor deposition in a vacuum at a pressure not greater than 1 χ 10 Torr . A second electrical contact is then made over at least a portion of this film. A protective cover made of silicon monoxide is then applied by vapor deposition over the first contact, the film and the second contact. The entire arrangement with the protective cover is then heated for a certain time at a predetermined temperature.
Eine bevorzugte Ausführungsform ist ein Verfahren zur Herstellung eines ferro-elektrischen Bauelementes mit Einbeziehung der Reinigung des Substrates auf chemischen Weg mit anschließender Hochfrequenz-Ätzung. A preferred embodiment is a method for the production of a ferroelectric component including the cleaning of the substrate by chemical means with subsequent high-frequency etching.
Anschließend wird das Substrat vorgeheizt und eine erste Metallschicht Then the substrate is preheated and a first metal layer
709833/0659 _2_709833/0659 _ 2 _
-H.-H.
im Vakuum aufgedampft. Ks folgt die Aufdampfung eines dünnen Films von Kaliumnitrat. Im Anschluß daran wird auf das Kaliumnitrat eine zweite Metallschicht aufgedampft. Darauf erfolgt die Aufdampfung einer Siliziurrr monoxid-Schicht. Schließlich wird diese Anordnung in einem Ofen für etwa 24 Stunden und bei einer Temperatur von ungefähr 1600C getempert.evaporated in a vacuum. Ks is followed by vapor deposition of a thin film of potassium nitrate. A second metal layer is then evaporated onto the potassium nitrate. A silicon oxide layer is then applied by vapor deposition. Finally, this assembly is heated in an oven for about 24 hours and at a temperature of about 160 0 C.
Weiterhin sieht die Erfindung ein gemäß dem neuen Verfahren hergestelltes ferro-elektrisches Bauelement vor.Furthermore, the invention provides a manufactured according to the new method ferro-electrical component.
Eine bevorzugte Ausführungsform ist ein Verfahren zur Herstellung eines ferro-elektrischen Bauelerentes mit Verfahrensschritten zur Bildung eines ersten elektrischen Kontaktes aus einer geeigneten metallischen Substanz, wie etwa Aluminium, Silber, Gold usw.. Durch Aufdampfen im Vakuum bei einem Druck nicht größer als 1 χ 10 Torr wird dann ein dauerhafter dünner Film von Kaliumnitrat über wenigstens einen Teil des Kontaktes hergestellt. Im Anschluß daran wird über wenigstens einen Teil des Films ein zweiter elektrischer Kontakt aus einem der oben erwähnten metallischen Substanzen gebildet. Dann wird ein Überzug aus Siliziummanoxid über den ersten Kontakt, den Film und den zweiten Kontakt durch Aufdampfen niedergeschlagen. Das geschichtete Bauelement wird anschließend für eine bestimmte Zeit und bei einer bestimmten Temperatur erwärmt. Dieses Verfahren liefert ein allen bisherigen Produkten überlegenes Bauelement.A preferred embodiment is a method of making a ferro-electric components with process steps to form a first electrical contact made of a suitable metallic substance, such as aluminum, silver, gold, etc. By vapor deposition in a vacuum At a pressure no greater than 1 χ 10 Torr, a permanent thin film of potassium nitrate is then produced over at least part of the contact. This is followed by a second electrical contact made of one of the above-mentioned metallic substances over at least part of the film educated. Then a coating of silicon manoxide is applied over the first contact, deposited the film and the second contact by evaporation. The layered component is then for a certain time and at heated to a certain temperature. This process provides a component that is superior to all previous products.
Der dünne Film von Kaliumnitrat der Phase III zerfließt sehr schnell. Wird er normaler Zimmerumgebung ausgesetzt hat die Struktur der Phase III wegen dieses Zerfließens die Tendenz, in die Phase II überzugehen.The thin film of phase III potassium nitrate dissolves very quickly. Will When exposed to the normal room environment, the phase III structure has a tendency to move to phase II because of this dissolution.
Bei der Herstellung des Bauelementes wird eine Passivierungsschicht aus Siliziummonoxid zum Schutz des Kaliumnitrates gegen äußere Einflüsse aufgebracht. Bei der Verpackung des Bauelementes ist als zusätzlicher Schutz eine Einbettung in Silika-Gel wünschenswert.During the manufacture of the component, a passivation layer is made Silicon monoxide is applied to protect the potassium nitrate against external influences. The packaging of the component is used as additional protection embedding in silica gel is desirable.
Ale Beispiel eines funktionierenden, nach der oben erwähnten Technik hergestellten Bauelementes wurde ein verpacktes Speicherelement, bestehend aus einem glasbeschichteten, keramischen, ferro-elektrischen Bauelement mit 28 Anschlüssen in ein Glas Wasser gelegt und hierin für etwa 72 Stunden belassen. As an example of a functioning component manufactured according to the above-mentioned technique, a packaged memory element consisting of a glass-coated, ceramic, ferroelectric component with 28 connections was placed in a glass of water and left therein for about 72 hours .
709833/065«709833/065 «
/ S'/ S '
Das Bauelement wurde alle vier Stunden überprüft, und war am Ende der 72 Stunden noch voll funktionsfähig. Das Bauelement wurde dann in einem Regal aufbewahrt und eine Woche später wieder überprüft und war noch voll in Funktion. Dieser Test wurde dreimal mit übereinstimmenden Resultaten wiederholt. The component was checked every four hours, and at the end of the 72nd Hours still fully functional. The component was then stored on a shelf and checked again a week later and was still fully in Function. This test was repeated three times with consistent results.
In Übereinstimmung mit einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird das Substrat erst chemisch gereinigt und dann hochfrequenz-geätzt. Das Substrat wird dann etwa auf 1600C aufgeheizt. Danach wird im Vakuum zunächst eine erste Schicht eines elektrischen Kontaktes aufgedampft, beispielsweise Aluminium, Gold, Silber usw.. Diese Anordnung wird dann bei einer Temperatur von etwa 1600C etwa 15 Minuten erhitzt.In accordance with another embodiment of the invention, the substrate is first chemically cleaned and then high-frequency etched. The substrate is then approximately heated to 160 0 C. A first layer of an electrical contact, for example aluminum, gold, silver, etc., is then initially applied by vapor deposition in a vacuum. This arrangement is then heated at a temperature of about 160 ° C. for about 15 minutes.
Dann wird darauf ein dünner Film von Kaliumnitrat gedampft, und diese Anordnung etwa bei 1600C ungefähr 15 Minuten erhitzt.A thin film of potassium nitrate is then evaporated onto it, and this arrangement is heated at about 160 ° C. for about 15 minutes.
Dann wird auf diese Anordnung ein Siliziummonoxidüberzug aufgedampft. Wahlweise wird die Anordnung darauf auf eine Siliziumgallerte gesetzt und für etwa 24 Stunden bei 1600C erhitzt.A silicon monoxide coating is then evaporated onto this arrangement. Optionally, the arrangement is placed on top of a silicon jelly and heated at 160 ° C. for about 24 hours.
Es ist alternativ nicht nötig, nach jedem der vorher erwähnten Arbeitsschritte eine Aufheizstufe einzuschalten, sondern es kann auch nur eine letzte Aufheizstufe vorgesehen werden.Alternatively, it is not necessary after each of the previously mentioned work steps switch on a heat-up stage, but there can also only be one last heat-up stage are provided.
In weiterer Ausbildung der Erfindung wird der Kaliumnitratfilm auf einer Dicke nicht über 1500 Ä Einheiten gehalten.In a further embodiment of the invention, the potassium nitrate film is on a Thickness not held above 1500 Å units.
Die folgende Tabelle A zeigt einige Beispiele für die nach dem neuen verfahren hergestellten Bauelemente.The following table A shows some examples of those following the new procedure manufactured components.
709833/0650709833/0650
-4--4-
Tabelle -"Λ"Table - "Λ"
Schritt Mr. Step mr .
1. Material
Niederschlagszeit1. Material
Precipitation time
am Monitor gemessene
Dickemeasured on the monitor
thickness
2. Material2. Material
NiederschlagszeitPrecipitation time
am Monitor gemessene
Dickemeasured on the monitor
thickness
3. Material
Niederschlagszeit3. Material
Precipitation time
am Monitor gemessene
Dickemeasured on the monitor
thickness
4. Material
Niederschlagszeit4. Material
Precipitation time
am Monitor gemessene
Dickemeasured on the monitor
thickness
Λ-ΙΛ-Ι
Probenrehearse
Λ-ΙΙ ß-I B-II C-IΛ-ΙΙ ß-I B-II C-I
C-IIC-II
gold gold gold gold gold gold 2:40 2:00 1:20 1-15 1:10 1:00gold gold gold gold gold gold 2:40 2:00 1:20 1-15 1:10 1:00
150
KNO150
KNO
150 KNOn 150 KNO n
150150
KNOn KNO n
150 KNOn 150 KNO n
150150
150150
KNO3 KNO 3
15:00 15:00 18:00 15:00 15:00 10:0015:00 15:00 18:00 15:00 15:00 10:00
400400
400400
700700
1000 10001000 1000
gold gold gold gold gold gold 1:40 1:50 1:00 1:10 1:20 1:10gold gold gold gold gold gold 1:40 1:50 1:00 1:10 1:20 1:10
150 150 150 150150 150 150 150
150 150150 150
SiO SiO SiO SiO SiO SiO 2:00 3:00 2:00 2:20 3:00 2:00SiO SiO SiO SiO SiO SiO 2:00 3:00 2:00 2:20 3:00 2:00
800800
800 1000 1000 800800 1000 1000 800
In der Tabelle "A" sind die Einheiten für die Niederschlagszeiten Minuten, die am Monitor abgelesene Dicke gibt die Dicke und Dichte am Meßpunkt wieder, gemessen durch ein Kristalldicken/Mengen-Meßgerät.In table "A" the units for the precipitation times are minutes, the thickness read on the monitor indicates the thickness and density at the measuring point, measured by a crystal thickness / quantity measuring device.
1010
Man erhielt so Bauelemente, die in der Lage sind, 10 bis 10 Hz Zyklen anzusteuern. Dies wurde in erster Linie mit Goldelektroden erreicht, wobei der Kaliumnitratfilm eine Dicke von veniger als 1500 Ä , und vorzugsweise im Bereich von 600 bis 800 Ä hatte. Es ist nur eine Heiz- oder Temperzeit von 15 MinutenIn this way, components were obtained which are capable of driving 10 to 10 Hz cycles. This has primarily been achieved with gold electrodes, with the potassium nitrate film having a thickness of less than 1500 Å, and preferably in the range from 600 to 800 Å. There is only a heating or tempering time of 15 minutes
709833/0659709833/0659
Λ-Λ-
bei einer Temperatur von 180° bis 3800C, vorzugsweise von 180°C, nach dem Aufbringen des Siliziummonoxidüberzuges und vor dem Abbinden und der Anwendung des Gelmaterials erforderlich. Ibenso ist es enpfehlenswert, die Dicke der Goldelektroden bei etwa 150 Ä zu halten. required at a temperature of 180 ° to 380 0 C, preferably from 180 ° C, after applying the Siliziummonoxidüberzuges and prior to setting and application of the gel material. It is also advisable to keep the thickness of the gold electrodes at around 150 Å.
Der zweite für die Lebensdauer bestimmende Parameter ist die Anzahl, die angibt, wie oft eine Information in das Bauelement eingeschrieben und unter Löschung dieser Information wieder gelesen werden kann und dieser Vorgang wiederholt werden kann, oder anders ausgedrückt, die Gesamtzahl der Lese/Schreibzyklen. Durch die Erfindung wurde die The second parameter determining the service life is the number, which indicates how often information can be written into the component and read again with deletion of this information and this process can be repeated, or in other words, the total number of read / write cycles. The invention was the
Anzahl der Lese/Schreibzyklen auf mindestens 10 verbessert. Im versuch ergaben sich Pauelemente, die bei 850 kH mit 10 Schreib/ Lesezyklen angesteuert wurden und alle ihre ursprüngliche Information mit einer Schwankung von +_ 5 % hielten. Demgegenüber garantieren die Hersteller von Speicherelementen auf Nitritbasis nur eine Lebens dauer von 10 bis 10 Lese/Schreibzyklen. Erfindungsgemäße Bauelemente wurden mit einer Wiederholungsfrequenz von 833,333 Hz für 12,025 sek. geschaltet. Das bedeutet eine Lese/Schreibfrequenz von 1,002 χ 10 .Number of read / write cycles improved to at least 10. In the experiment there were pauelements that were activated at 850 kH with 10 write / read cycles and all of them retained their original information with a fluctuation of + _ 5%. In contrast , the manufacturers of memory elements based on nitrite only guarantee a service life of 10 to 10 read / write cycles. Components according to the invention were at a repetition frequency of 833.333 Hz for 12.025 sec. switched. That means a read / write frequency of 1.002 χ 10 .
Im Unterschied zu den Bauelementen auf Nitritbasis ist die Speicher zeit der erfindungsgemäßen Bauelemente keine Funktion der Schreibzeit. Lese- und Schreibzeiten sind für die erfindungsgemäßen Bauelemente symmetrisch.In contrast to the nitrite-based components, the storage time of the components according to the invention is not a function of the write time. Read and write times are symmetrical for the components according to the invention.
Die erfindungsgemäßen Bauelemente sind strahlungsunempfindlich. Sie wurden einer Strahlung von 10 gamma ausgesetzt, arbeiteten normal und hielten die Informationen. Dabei lag das Bauelement direkt neben der Gamma-<)uelle. Im Vergleich dazu werden bipolare Baueleinente beo 10 gamma zerstört, während andere auf dem Markt befindliche Speicherelemente schon bei 10 gamma oder weniger zerstört werden. The components according to the invention are insensitive to radiation. They were exposed to radiation of gamma 10, were working normally and maintained the information. The component was right next to the gamma source. In comparison, bipolar components are destroyed at 10 gamma, while other memory elements on the market are destroyed at 10 gamma or less.
i - Patentansprüche: - i - Claims: -
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DE19772705407 Withdrawn DE2705407A1 (en) | 1970-09-28 | 1977-02-09 | Radiation-insensitive ferroelectric component prodn. - by forming two electric contacts one on vapour deposited thin film of potassium nitrate |
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WO2006009462A1 (en) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Thin Film Electronics Asa | An organic ferroelectric or electret device with via connections and a method for its manufacture |
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1977
- 1977-02-09 DE DE19772705407 patent/DE2705407A1/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006009462A1 (en) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Thin Film Electronics Asa | An organic ferroelectric or electret device with via connections and a method for its manufacture |
US7291859B2 (en) | 2004-07-22 | 2007-11-06 | Thin Film Electronics Asa | Organic electronic circuit and method for making the same |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OI | Miscellaneous see part 1 | ||
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |