DE2701612A1 - Rectangular pulse forming circuit - uses programmed unijunction transistor with its control electrode connected via resistor to reference voltage - Google Patents
Rectangular pulse forming circuit - uses programmed unijunction transistor with its control electrode connected via resistor to reference voltageInfo
- Publication number
- DE2701612A1 DE2701612A1 DE19772701612 DE2701612A DE2701612A1 DE 2701612 A1 DE2701612 A1 DE 2701612A1 DE 19772701612 DE19772701612 DE 19772701612 DE 2701612 A DE2701612 A DE 2701612A DE 2701612 A1 DE2701612 A1 DE 2701612A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- voltage
- unijunction transistor
- control electrode
- put1
- anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/35—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar semiconductor devices with more than two PN junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K3/352—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar semiconductor devices with more than two PN junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region the devices being thyristors
- H03K3/3525—Anode gate thyristors or programmable unijunction transistors
Landscapes
- Manipulation Of Pulses (AREA)
Abstract
Description
Impulsformer Pulse shaper
Die Erfindung betrifft einen Impulsformer zur Bildung einer rechteckförmigen Ausgangsspannung aus einer angelegten Eingangsspannung.The invention relates to a pulse shaper for forming a rectangular shape Output voltage from an applied input voltage.
.In vielen elektronischen Systemen sind Taktsignale erforderlich, um die einzelnen Komponenten des Systems zeitlich zu steuern und zu synchronisieren. Diese Taktimpulse können beispielsweise aus einem Stromversorgungssystem gewonnen werden, das eine sinusförmige Wechselspannung liefert. Hierbei sollen jedoch die Taktimpulse möglichst Rechteckform aufweisen, um die angesteuerten Komponenten des Systems in definierten Zeitpunkten zu schalten.. In many electronic systems clock signals are required, to time control and synchronize the individual components of the system. These clock pulses can, for example, be obtained from a power supply system which supplies a sinusoidal alternating voltage. Here, however, the Clock pulses have a rectangular shape as far as possible to the controlled components of the To switch the system at defined times.
Eine bekannte Schaltungsanordnung benutzt zum Zwecke der Umwandlung einer sinusförmigen Eingangs spannung in eine rechteckförmige Ausgangsspannung einen CMOS-lnverter. Ein solcher CMOS-Inverter besitzt jedoch eine relativ geringe Hysterese und daher auch eine gewisse Empfindlichkeit hinsichtlich höherfrequenter Störungen.A known circuit arrangement is used for the purpose of conversion a sinusoidal input voltage into a square-wave output voltage CMOS inverter. However, such a CMOS inverter has a relatively low hysteresis and therefore a certain sensitivity to higher-frequency interference.
Weiterhin können momentane Spannungsspitzen von mehreren 100 V, die der Sinusspannung überlagert sind, den CMOS-Inverter zerstören. Um dies zu verhindern, muß im bekannten Fall eine aufwendige Schutzschaltung verwendet werden.Furthermore, instantaneous voltage peaks of several 100 V, the the sinusoidal voltage are superimposed, destroy the CMOS inverter. To prevent this, In the known case, a complex protective circuit must be used.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Impulsformer anzugeben, der einen einfachen Aufbau aufweist und aufgrund einer ausgeprägten Hysterese eine ausreichende Störsicherheit besitzt. Die Lösung dieser Aufgabe gelingt gemäß der im Anspruch 1 gekennzeichneten Erfindung. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen entnehmbar. It is the object of the present invention to provide a pulse shaper indicate, which has a simple structure and due to a pronounced hysteresis has sufficient immunity to interference. The solution to this problem succeeds according to the invention characterized in claim 1. Further advantageous refinements the invention can be inferred from the subclaims.
Anhand eines in den Figuren der beiliegenden Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielse sei die Erfindung im folgenden näher erläutert. Es zeigen: Figur 1. die Schaltungsanordnung des erfindungsgemäßen Impulsformers und Figur 2 eine Darstellung des Spannungsverlaufs an verschiedenen Punkten der Schaltungsanordnung gemäß Figur 1. Based on one shown in the figures of the accompanying drawing Exemplary embodiments of the invention are explained in more detail below. Show it: FIG. 1 shows the circuit arrangement of the pulse shaper according to the invention and FIG. 2 a representation of the voltage curve at different points of the circuit arrangement according to Figure 1.
Gemäß Figur 1 besteht der Impulsformer aus einem programmierbaren Unijunction-Transistor PUT 1, aus Widerständen R1 und R2, einem Kondensator C1 und einem Puffer 10.Ein Wechselspannungssignal wird an einer Eingangsklemme 12 angelegt und eine Referenzspannung Vcc ist an eine weitere Schaltungsklemme 14 angeschlossen.According to Figure 1, the pulse shaper consists of a programmable Unijunction transistor PUT 1, made up of resistors R1 and R2, a capacitor C1 and a buffer 10. An AC voltage signal is applied to an input terminal 12 and a reference voltage Vcc is connected to another circuit terminal 14.
Das rechteckförmige Ausgangssignal wird an einer Ausgangsklemme 16 abgenommen.The square-wave output signal is applied to an output terminal 16 removed.
Der Widerstand R1 liegt zwischen der Eingangsklemme 12 und der Anode A des Unijunction-Transistors PUT 1 und dient der Begrenzung des Stromes auf einen maximal zulässigen Wert. Der Kondensator C1 ist der Anoden-Kathoden-Strecke des Unijunction-Transistors PUT1. parallelgeschaltet. Der Widerstand R1 und der Kondensator C1 bilden zusammen ein RC-Filter, welches Spannungsspitzen aus der Sinusspannung herausfiltert. Die durch R1 und C1 gebildete Zeitkonstante des Filters ist so bemessen, daß,höherfrequente Spannungsspitzen ausgefiltert werden können, ohne daß eine nennenswerte Phasenverschiebung der Sinusspannung auftritt.The resistor R1 lies between the input terminal 12 and the anode A of the unijunction transistor PUT 1 and is used to limit the current to one maximum permissible value. The capacitor C1 is the anode-cathode path of the Unijunction transistor PUT1. connected in parallel. The resistor R1 and the capacitor C1 together form an RC filter, which reduces voltage peaks from the sinusoidal voltage filters out. The time constant of the filter formed by R1 and C1 is dimensioned in such a way that that, higher-frequency voltage peaks can be filtered out without any significant Phase shift of the sinusoidal voltage occurs.
Der Widerstand R2 ist zwischen die Anschlußklemme 14 und die Steuerelektrode G geschaltet. Die an die Anschlußklemme 14 angelegte Referenzspannung Vcc ist so zu bemessen, daß sie höchstens zwei Drittel der Scheitelamplitude der sinusförmigen Wechselspannung erreicht.The resistor R2 is between the connection terminal 14 and the control electrode G switched. The reference voltage Vcc applied to the terminal 14 is like this to be dimensioned so that they are at most two thirds of the apex amplitude of the sinusoidal AC voltage reached.
Die Puffereinrichtung 10 ist zwischen der Steuerelektrode G und der Ausgangsklemme 16 angeordnet. Die PIfereinrichtung 10 kann durch jeden Schaltkreis gebildet werden, der in der Lage ist, die rechteckförmige Ausgangsspannung an der Steuercektrode G in einer Form abzugeben, die für nachgeschaltete, durch Taktimpulse beaufschlagte,Schaltkreise geeignet ist. Bei geeigneter Auswahl der Referenzspannung Vcc ist es in einigen Fällen möglich, auf die Puffereinrichtung 10 zu verzichten, insbesondere wenn es sich bei den nachgeschalteten Schaltkreisen um CMOS-Schaltkreise handelt. Im Falle von nachgeschalteten TTL-Logikschaltkreisen ist die Rffereinrichtung 10 erforderlich und kann aus einem CMOS-Inverter, einem Komparator, einem Schmitt-Trigger oder irgendeiner anderen geeigneten Einrichtung zur Ansteuerung von TTL-Logikschaltkreisen bestehen.The buffer device 10 is between the control electrode G and the Output terminal 16 arranged. The pager 10 can be made by any circuit which is able to output the square-wave output voltage to the Control electrode G to be delivered in a form that is used for downstream, through clock pulses applied, circuits is suitable. With a suitable selection of the reference voltage Vcc it is possible in some cases to dispense with the buffer device 10, especially if the downstream circuits are CMOS circuits acts. In the case of downstream TTL logic circuits, the referring device is 10 required and can consist of a CMOS inverter, a comparator, a Schmitt trigger or any other suitable device for driving TTL logic circuits exist.
Der programmierbare Unijunction-Transistor PUT besitzt die folgenden Eigenschaften: Solange die Anodenspannung kleiner als die Spannung an der Steuerelektrode ist und einen positiven Wert in Bezug auf die Kathodenspannung aufweist, istder fließende Anodenstrom sehr gering. Wenn die Anodenspannung die an der Steuerelek-.The programmable unijunction transistor PUT has the following Properties: As long as the anode voltage is lower than the voltage at the control electrode and has a positive value with respect to the cathode voltage, is the flowing anode current very low. If the anode voltage exceeds the control elec-.
trode liegende Spannung überschreitet und diese um eine gewisse Schwellwertspannung von typischerteise: 0,7 V überschreitet, so zündet der Unijunction-Transistor PUT 1. Der Unijunction-Transistor PUT1 zieht sodann soviel Anodenstrom wie erforderlich ist, um die Anodenspannung auf ungefähr 1 V über der Kathodenspannung zu halten. Aus diesem Grund ist es daher erforderlich, daß der Anodenstrom durch eine geeignete Begrenzungseinrichtung auf einen Wert begrenzt wird, der hinsichtlich des Unijunction-Transistors PUT1 keine Zerstörung bewirken kann. Wenn der Unijunction-Transistor PUT1 gezündet wird, steigt ebenfalls der Steuerelektrodenstrom momentan von einigen wenigen A auf etlich mn.trode voltage and this by a certain threshold voltage typically: exceeds 0.7 V, the unijunction transistor PUT ignites 1. The unijunction transistor PUT1 then draws as much anode current as required is to keep the anode voltage at about 1 V above the cathode voltage. For this reason, it is therefore necessary that the anode current through a suitable Limiting device is limited to a value in terms of the unijunction transistor PUT1 cannot cause any destruction. If the Unijunction transistor PUT1 is triggered, the control electrode current also increases momentarily by a few a few A to a number of mn.
Im gezündZustand bleibt der Unijunction-Transistor PUTl leitend,bis der Anodenstrom unter einen Haltestrom abfällt, 50 der typischerweise ungefäh s pA beträgt. Bei Unterschreitung dieses Wertes geht der Unijuction-Trallsistor PUTl in den gesperrten Zustand über. Die Anodenspannung kann dann auf einen Wert zwischen Null und der Steuerelektrodenspannung springen.In the ignited state, the unijunction transistor PUT1 remains conductive until the anode current drops below a holding current, which is typically about s pA is. If this value is not reached, the unijuction Trallsistor PUTl into the locked state. The anode voltage can then be set to a value between Zero and the control electrode voltage jump.
Wenn die Anodenspannung einen negativen Wert in Bezug auf die Kathode einnimmt, so bleibt der Unijunction-Transistor PUT:1 so.When the anode voltage has a negative value with respect to the cathode occupies, the unijunction transistor PUT: 1 remains like this.
lange im gesperrten Zustand, wie die negative Spannung nicht die Durchbruchspannung des Elalbleiterelementes überschreitet.long in the locked state, as the negative voltage is not the breakdown voltage of the conductor element exceeds.
Diese negative Durchbruchsspannung, bezogen auf die Kathodenspannung, beträgt typischerweise ungefähr 30 V.This negative breakdown voltage, based on the cathode voltage, is typically around 30 V.
In Figur 2 ist die sinusförmige Eingangsspannung an der Eingangsklemme 12, die Spannung an der Anode A und die Spannung an der Steuerelektrode G dargestellt. Zu Beginn der Sinusschwingung ist die Anodenspannung niedriger als die Steuerelektrodenspannung. Der Anodenstrom und der Steuerelektrodenstrom sind daher sehr klein. Da der Steuereleketrodenstrom sehr gering ist, ergibt sich ein vernachlässigbarer Spannungsabfall über dem Widerstand R2 und die Spannung an der Steuerelektrode G ist im wesentlichen durch die Referenzspannung Vcc vorgegeben.In Figure 2, the sinusoidal input voltage is at the input terminal 12, the voltage at the anode A and the voltage at the control electrode G are shown. At the beginning of the sinusoidal oscillation, the anode voltage is lower than the control electrode voltage. The anode current and the control electrode current are therefore very small. As the control electrode current is very low, there is a negligible voltage drop across the resistor R2 and the voltage on the control electrode G is essentially equal to the reference voltage Vcc specified.
Wenn die Anodenspannung die Referenzspannung Vcc plus die Schwellwertspannung Vth von ungefähr 0,7 V erreicht, so zündet der Unijunction-Transistor PUTi. Der Anodenstrom vergrößert sich hierbei solange, bis der Spannungsabfall über dem Widerstand R1 ausreichend ist, um die Anodenspannung auf ungefähr 1 T zu reduzieren. Der Steuerelektrodenstrom steigt ebenfalls an und verursacht einen Spannungsabfall über dem Widerstand R2, wodurch die Spannung an der Steuerelektrode G auf ungefähr 1 v reduziert wird.When the anode voltage is the reference voltage Vcc plus the threshold voltage Vth of approximately 0.7 V reaches the unijunction transistor PUTi. Of the The anode current increases until the voltage drop across the resistor R1 is sufficient to reduce the anode voltage to approximately 1T. The control electrode current also increases and causes a voltage drop across resistor R2, whereby the voltage on the control electrode G is reduced to approximately 1V.
Wenn die Eingangsspannung auf einen Wert abfällt, durch den der Anodenstrom auf einen Wert geringer als der Haltestrom reduziert wird, so gelangt der Unijunction-Transistor PUT 1 in den nicht-leitenden Zustand. Für typische programmierbare Unijunction-Transistoren beträgt der Haltestrom ungefähr 50 tlA.When the input voltage drops to a value through which the anode current is reduced to a value less than the holding current, the unijunction transistor arrives PUT 1 in the non-conductive state. For typical programmable unijunction transistors the holding current is approximately 50 tlA.
Die diesem Haltestrom zugeordnete Eingangs spannung liegt beträchtlich unter der Referenzspannung Vcc. Aus diesem Grund weist der Schaltkreis gemäß Figur 1 eine gewisse Hystereuound Störunempfindlichkeit auf.The input voltage assigned to this holding current is considerable below the reference voltage Vcc. For this reason, the circuit according to FIG 1 shows a certain insensitivity to hysteresis and interference.
Wenn die Eingangsspannung unter den für die Erzeugung des Haltestromes erforderlichen Wert fällt, so sperrt der Unijunction-Transistor PUT 1 und der Steuerelektrodenstrom fällt auf einen sehr geringen Wert ab. Die Steuerelektrödenspannung schaltet hierbei momentan auf die Referenzspannung Vcc um. Dieser Zustand herrscht während der gesamten negativen Halbwelle der sinusförmigen Wechselspannung vor und wird erst beendet, wenn die Anodenspannung erneut die Referenzspannung Vcc plus die Schwellwertspannung Vth erreicht.When the input voltage is below that required for generating the holding current If the required value falls, the unijunction transistor PUT 1 and the control electrode current are blocked drops to a very low value. The control electrode voltage switches here momentarily to the reference voltage Vcc. This state prevails throughout negative half-wave of the sinusoidal alternating voltage and is only ended when when the anode voltage is again the reference voltage Vcc plus the threshold voltage Vth reached.
In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beträgt die Referenzspannung Vcc 5 V. Die am Eingang anliegende Wechselspannung besitzt einen Effektivwert von 8V und einen Scheitelwert von 12 V bei einer Frequenz von 60 llz.In a preferred embodiment of the present invention the reference voltage Vcc is 5 V. The alternating voltage applied to the input has an RMS value of 8V and a peak value of 12 V at one frequency from 60 llz.
Der Widerstand von R1 weist einen Wert von 4,7K 2. auf, wodurch der maximal im Anodenkreis des Unijunction-Transistors PUT1.The resistance of R1 has a value of 4.7K 2. which makes the maximum in the anode circuit of the unijunction transistor PUT1.
fließende Strom auf einen sicheren Wert begrenzt wird. Der Kondensator C1 wird so ausgewählt, daß sich zusammen mit dem Widerstand R1 für das RC-Glied eine Zeitkonstante von ungefähr 500 ps ergibt. Hierdurch werden momentane Spitzen innerhalb der sinusförmigen Wechselspannung herausgefiltert, ohne daß eine nennenswerte Phasenverschiebung hinsichtlich der 60 Hz-Sinusspannung verursacht wird.flowing current is limited to a safe value. The condenser C1 is selected so that, together with the resistor R1 for the RC element gives a time constant of approximately 500 ps. This creates momentary peaks filtered out within the sinusoidal alternating voltage without any significant Phase shift is caused in terms of the 60 Hz sinusoidal voltage.
Im vorliegenden Ausführungsbeispiel, in welchem die Referenzspannung Vcc einen Wert von 5 V aufweist, besitzt die rechteckförmige Ausgangsspallnung an der Steuerelektrode des Transistors PUT1 die geeigneten Spannungspegel, um CMOS-Logikschaltkreise direkt anzusteuern. Eine Puffereinrichtung 10 kann deswegen entfallen, sofern es sich bei den von den Impulsformer angesteuerten Schaltkreisa um CMOS-Schaltkreise handelt. Im Falle von TTL-Logikschaltkreisen liegt jcdoch die minimale Steuerelektrodenspannung von 1 V über dem Schwellwert für den Wert "o" bei TTL-Logikschaltkreisen. Eine Puffereinrichtung 10 ist deswegen erforderlich und kann vorzugsweise in Form einer CMOS-Schaltungsanordnung,wie beispielsweise einem CMOS-Inverter verwirklicht werden.In the present embodiment, in which the reference voltage Vcc has a value of 5 V, has the rectangular one Output voltage at the control electrode of the transistor PUT1 the appropriate voltage levels to CMOS logic circuits to be controlled directly. A buffer device 10 can therefore be omitted if it The circuits controlled by the pulse shaper are CMOS circuits acts. In the case of TTL logic circuits, however, the minimum control electrode voltage is of 1 V above the threshold value for the value "o" in TTL logic circuits. A buffer facility 10 is therefore required and can preferably be in the form of a CMOS circuit arrangement, such as for example a CMOS inverter.
Im vorliegenden Ausführungsbeispiel beträgt die einem Haltestrom von ungefähr 50 pA zugeordnete Eingangsspannung ungefähr 1 V.In the present exemplary embodiment, this amounts to a holding current of approx. 50 pA assigned input voltage approx. 1 V.
Hierbei ergibt sich eine Hysteree.oder Störunempfindlichkeit von ungefähr 4 V.This results in a hysteresis or insensitivity to interference of approximately 4 V.
Zusammenfassend läßt sich feststellen, daß sich der erfindungsgemäße Impulsformer durch einfachen Aufbau, geringe Kosten, Störunempfindlichkeit und relative Unempfindlichkeit bezüglich Spannungsschwankungen oder Spitzen in der sinusförmigen Einangsgpannung auszeichnet. Eine momentane Spannungsspitze von mehreren 100 V, die der sinusförmigen Eingangsspannung überlagert ist, kann schlimmstenfalls den Unijunction-Transistor PUT1 vorzeitig zünden. Eine Zerstörung des Schaltelements wird dadurch jedoch nicht hervorgerufen.In summary, it can be stated that the inventive Pulse shaper due to simple construction, low cost, immunity to interference and relative Insensitivity to voltage fluctuations or peaks in the sinusoidal Input voltage. An instantaneous voltage spike of several 100 V, which is superimposed on the sinusoidal input voltage, can in the worst case Ignite unijunction transistor PUT1 prematurely. Destruction of the switching element however, it is not caused by this.
Für den Fachmann liegt es auf der Hand, daß gewisse Abwandlungen der Schaltung möglich sind, ohne daß der Rahmen der Erfindung verlassen wird. Obwohl die Schaltungsanordnung mit einem programmierbaren Unijunction-Transistor beschrieben wird, sei vermerkt, daß andere Schalteinrichtungen, die die gleichen Eigenschaften wie ein programmierbarer Unijunction-Transistor aufweisen,vewendet werden können. So kann beispielsweise das aus zwei Transistoren aufgebaute Analogon für den Unijunction-Transistor Verwendung finden, wobei ein solches analoges Schaltglied durch die Bezeichnung "programmierbarer Unijunctiontransistor" umfaßt sein soll.For those skilled in the art it is obvious that certain modifications of the Circuit are possible without departing from the scope of the invention. Even though the circuit arrangement with a programmable unijunction transistor is described it should be noted that other switching devices that have the same properties such as a programmable unijunction transistor can be used. For example, the analogue made up of two transistors for the unijunction transistor Find use, where such an analog switching element by the designation "programmable unijunction transistor" is intended to be included.
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19772701612 DE2701612A1 (en) | 1977-01-17 | 1977-01-17 | Rectangular pulse forming circuit - uses programmed unijunction transistor with its control electrode connected via resistor to reference voltage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19772701612 DE2701612A1 (en) | 1977-01-17 | 1977-01-17 | Rectangular pulse forming circuit - uses programmed unijunction transistor with its control electrode connected via resistor to reference voltage |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2701612A1 true DE2701612A1 (en) | 1978-07-20 |
Family
ID=5998811
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19772701612 Withdrawn DE2701612A1 (en) | 1977-01-17 | 1977-01-17 | Rectangular pulse forming circuit - uses programmed unijunction transistor with its control electrode connected via resistor to reference voltage |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2701612A1 (en) |
-
1977
- 1977-01-17 DE DE19772701612 patent/DE2701612A1/en not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1148623A2 (en) | Power supply device | |
EP0131146B1 (en) | Electronic switching device, preferably operating without making contact | |
CH619818A5 (en) | ||
EP0149277B1 (en) | Monolithic integrated rc oscillator | |
EP0227966A1 (en) | Inductive proximity switch | |
DE69500119T2 (en) | Arrangement for controlling a low pressure fluorescent lamp | |
DE3445538C2 (en) | ||
DE2647569C3 (en) | Pulse generator with switchable output frequency | |
DE3722335A1 (en) | ELECTRONIC, PREFERABLY CONTACTLESS SWITCHGEAR | |
DE3131490C2 (en) | ||
DE2701612A1 (en) | Rectangular pulse forming circuit - uses programmed unijunction transistor with its control electrode connected via resistor to reference voltage | |
DE2624252B2 (en) | Overload protection circuit for a loudspeaker arrangement | |
DE3527619C1 (en) | Self-testing proximity switch | |
DE3717591A1 (en) | CIRCUIT ARRANGEMENT FOR POTENTIAL-FREE DETECTION OF BINARY SIGNALS | |
DE3012263C2 (en) | Flasher circuit | |
DE2530350C3 (en) | Feed circuit for televisions | |
DE2360392C2 (en) | Device for controlling a thyristor | |
DE69736273T2 (en) | CIRCUIT | |
EP0361353B1 (en) | Direct current-energised control circuit for a solenoid valve | |
DE3335322C2 (en) | ||
DE3511207A1 (en) | Proximity switch having an electronic load-switching device | |
DE1763928A1 (en) | Method for contactless control of a thyristor and circuit arrangement for executing the method | |
DE3347484C2 (en) | ||
DE2100929A1 (en) | Control circuit for supplying an inductive consumer | |
DE1588465C (en) | Delay switching stage |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8141 | Disposal/no request for examination |