DE2658972A1 - Treatment of semiconductor discs to be coated with epitaxial layer - involves removing edge material prior to epitaxial layer application - Google Patents

Treatment of semiconductor discs to be coated with epitaxial layer - involves removing edge material prior to epitaxial layer application

Info

Publication number
DE2658972A1
DE2658972A1 DE19762658972 DE2658972A DE2658972A1 DE 2658972 A1 DE2658972 A1 DE 2658972A1 DE 19762658972 DE19762658972 DE 19762658972 DE 2658972 A DE2658972 A DE 2658972A DE 2658972 A1 DE2658972 A1 DE 2658972A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
disc
epitaxial layer
grinding
edge
treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19762658972
Other languages
German (de)
Inventor
Edgar Eissing
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Original Assignee
Philips Patentverwaltung GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Patentverwaltung GmbH filed Critical Philips Patentverwaltung GmbH
Priority to DE19762658972 priority Critical patent/DE2658972A1/en
Publication of DE2658972A1 publication Critical patent/DE2658972A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02021—Edge treatment, chamfering

Abstract

In the semiconductor production a monocrystalline silicon disc is frequently provided with a thin epitactic silicon layer. In this process a bead of the epitactic layer may be formed at the edge of the disc, which then makes further processing of the disc, particularly using photomasks, difficult. In order to prevent this drawback material is removed from an edge zone of the disc surface prior to application of the epitaxial layer. Preferably this zone width equals 1/50 of the disc diameter. The material removal is carried out by grinding, or chamfering by a rotary grinding element of hollow sphere section. Several such grinding element may be mounted on planet wheels of an epicyclic gear.

Description

Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Method and device for treating

Halbleiterscheiben Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Behandeln von mit einer epitaktischen Schicht zu bedeckenden Halbleiterscheiben sowie eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens. Semiconductor wafers The invention relates to a method of treatment of semiconductor wafers to be covered with an epitaxial layer and one Apparatus for carrying out this process.

Bei der Herstellung bestimmter Halbleiterbauelemente wird eine Halbleiterscheibe, insbesondere eine einkristalline Siliciumscheibe epitaktisch mit einer dünnen Siliciumschicht bedeckt.In the manufacture of certain semiconductor components, a semiconductor wafer, in particular a monocrystalline silicon wafer epitaxially with a thin silicon layer covered.

Dabei kann sich am Rand der runden Scheibe eine ueberhöhung der epitaktisch aufgebrachten Schicht, eine sog. Krone bilden.At the edge of the round disc, there can be an epitaxial elevation applied layer, a so-called crown.

Die Höhe dieser Krone lrnnn bei einer Scheibe von etwa 50 mm bis zu 200/um betragen. Eine solche Überhöhung ist sehr störend und kann bei der weiteren Verarbeitung der Scheiben dazu führen, daß die Belichtungsmasken, über die eine auf der Oberfläche der Scheibe aufgebrachte Photolackschicht belichtet wird, nicht unmittelbar auf der Oberfläche der Scheibe aufliegen, so daß Belichtungsfehler durch Streulicht auftreten und durch die Überhöhung die Maske beschädigt wird.The height of this crown is up to about 50 mm for a disc 200 / µm. Such an increase is very annoying and can cause further problems Processing the slices lead to the exposure masks, over the one photoresist layer applied to the surface of the disc is not exposed lie directly on the surface of the disc, so that exposure errors through Scattered light occur and the mask is damaged by the elevation.

Es ist bereits vorgeschlagen worden diesem Problem dadurch zu begegnen, daß mg die Scheibe elektrolytisch abätzt. Ein solches Abätzen hat aber dazu geführt, daß die Scheibe anschließend nicht mehr eben war und dadurch später die Belichtungsmaske nicht an allen Stellen der Schesibe fest anlag ung so ebenfalls Fehler auftraten.It has already been suggested to counter this problem by that mg electrolytically etches the disc. However, such abrasion has led to that the pane was then no longer flat and thus the exposure mask later not fixed at all points of the washer, so errors also occurred.

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Behandeln von Kalbleiterscheiben der eingamgs genannten Art anzugeben, bei dem das Auftreten von Überböhungen beim epitaktischen 3edecken vermieden wird, Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß vor dem epitaktischen Bedecken der Scheibe am Rand der zu bedeckenden Fläche Material der Scheibe abgetragen wird. Dabei hat die Randzons, in der Material abgetragen wird, vorzugsweise eine Breite, die etwa 1/50 des größten Durchmessers der Scheibe beträgt. Gemäß enier weiteren Ausbildung der Erfindung wird das Material durch Schleifen abgetragen. Eine Vorrichtung, die zur Durchführung eines solchen Verfwens geeignet ist, ist gekennzeichnet durch mindestens einen hohlkugelabschnittförmigen, rotierenden Schlaifköper, auf den je eine an der Unterseite eines sie an den Schleiförpers andrückenden Körpers befestigte Halbleiterscheibe aufgelegt ist.The invention is now based on the object of a method for treatment of calble conductor disks of the type mentioned above, in which the occurrence of excessive bumps in epitaxial 3-ceilings is avoided, this task is according to the invention achieved in that before the epitaxial covering of the disc on Edge of the surface to be covered material of the disc is removed. The Edge zones in which material is removed, preferably a width that is about 1/50 of the largest diameter of the disc. According to a further training of the Invention, the material is removed by grinding. A device used to Implementation of such a method is suitable is characterized by at least a hollow spherical segment-shaped, rotating slack body, on each of which one on the Underside of a semiconductor wafer attached to it pressing against the grinding body is hung up.

Dadurch kann das Material am Rand der Scheibe sehr schnell und einfach abgetragen werden.This allows the material on the edge of the disc to be removed very quickly and easily be removed.

Werden gleichzeitig mehrere Schleifkörper in der Vorrichtung benutzt, so sind die Schleifkörper vorzugsweise auf den Planetenrädern eines offenen Planetengetriebes befestigt.If several grinding tools are used in the device at the same time, so the grinding wheels are preferably on the planetary gears of an open planetary gear attached.

Beim Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden an Hand der beigefügten Zeichnungen an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.In the embodiment of the invention, the following is based on the accompanying drawings explained in more detail using an exemplary embodiment.

Es zeigen: Fig. 1 einen Querschnitt durch eine Halbleiterscheibe mit einer beim epitaktischen Bedecken aufgetretenen Überhöhung, Fig. 2 einen Querschnitt durch eine nach dem Verfahren gemäß der Erfindung behandelte Scheibe vor dem epitaktischen Bedecken, Fig. 3 einen Querschnitt durch einen Schleifkörper mit dem die Scheibe nach Fig. 2 behandelt worden ist, und Fig. 4 eine Draufsicht auf eine Schleifvorrichtung mit mehreren Schleifkörpern.1 shows a cross section through a semiconductor wafer an elevation that occurred during epitaxial covering, FIG. 2 shows a cross section by a wafer treated according to the method according to the invention before the epitaxial one Cover, Fig. 3 shows a cross section through an abrasive body with which the disc has been treated according to Fig. 2, and Fig. 4 is a plan view of a grinding device with several grinding tools.

Die Fig. 1 zeigt eine Halbleiterscheibe 1 aus Silicium, die mit einer epitaktischen Schicht 2 bedeckt worden ist.Fig. 1 shows a semiconductor wafer 1 made of silicon with a epitaxial layer 2 has been covered.

Dabei ist während des Bedeckens am Rande der Scheibe eine Uberhöhung 3 der epitaktischen Schicht 2 aufgetreten, die sehr störend ist und vermieden werden soll.There is an elevation on the edge of the pane while it is being covered 3 of the epitaxial layer 2 occurred, which is very disturbing and should be avoided target.

Dazu wird,wie in Fig. 2 dargestellt, die Scheibe 1 an ihrem Rand 4 abgeschrägt. DiesAbschrägen kann dadurch geschehen, daß, wie in Fig. 3 dargestellt, die Halbleiterscheibe 1 mit einem Körper 6, vorzugsweise gleichen Durchmessers, beschwert in einen hohlkugelabschnittförmigen, rotierenden Schleifkörper 5 eingesetzt wird. Der Radius des hohlkugelförmigen Teiles dieses Schleifkörpers beträgt für eine Halbleiterscheibe mit etwa 38 mm Durchmesser,vorzugsweise 80 mm.For this purpose, as shown in FIG. 2, the disk 1 is attached to its edge 4 beveled. This chamfering can be done in that, as shown in Fig. 3, the semiconductor wafer 1 with a body 6, preferably of the same diameter, weighted into a hollow spherical segment-shaped, rotating grinding body 5 will. The radius of the hollow spherical part of this grinding wheel is for a semiconductor wafer with a diameter of about 38 mm, preferably 80 mm.

Die Scheibe wird dann in einer Randzone abgeschrägt, deren Breite etwa 1/50 des Durchmessers der Halbleiterscheibe beträgt. Um das Abschrägen möglichst rationell durchzuführen, können, wie in Fig. 4 dargestellt, drei oder mehr der in Fig. 3 gezeigten Schleifkörper derart in eine Planetengetriebeanordnung eingesetzt werden, daß sich die mit einer Außen'rerzahnung versehenen Schleifkörper 5 um sich selbst und gleichzeitig auch um das mit einer Innenverzahnung versehene Sonnenrad 7 der Anordnung drehen, In einer solchen Anordnung befinden sich die mit den Körpern 6 beschwerten Halbleiterscheiben immer am äußeren Umfang der Anordnung und das Abtragen des Materials am Rande der Halbleiterscheibe erfolgt schnell und gleichmäßig.The disc is then beveled in an edge zone, whose broad is about 1/50 of the diameter of the semiconductor wafer. To make the bevel as possible To be carried out efficiently, as shown in FIG. 4, three or more of the in Fig. 3 shown grinding body inserted in such a way in a planetary gear arrangement be that the grinding bodies 5 provided with an external toothing move around themselves itself and at the same time also around the sun gear provided with internal teeth 7 Rotate the arrangement, in such an arrangement are those with the bodies 6 weighted semiconductor wafers always on the outer circumference of the arrangement and the removal of the material on the edge of the semiconductor wafer takes place quickly and evenly.

Der Grad der Abschrägung, bzw. der Abtragung von Material am Scheibenrand ist nicht kritisch; er sollte jedoch am äußeren Rand der Scheibe mindestens 0,2 mm betragen.The degree of bevel or the removal of material on the edge of the pane is not critical; however, it should be at least 0.2 at the outer edge of the disc mm.

Da die Randteile der Scheibe nicht zu Bauelementen bearbetet werden, ist ein durch die Abschrägung hervorgerufenes Abweichen der Oberfläche der epitaktischen Schicht am Rand der Scheibe von der Ebene, in der die Hauptoberfläche liegt, nicht störend.Since the edge parts of the pane are not machined into components, is a deviation of the surface of the epitaxial one caused by the bevel Layer on the edge of the disc from the plane in which the main surface lies, not disturbing.

Patentansprüche: Leerseite Patent claims: Blank page

Claims (6)

Patentansnrüche: 1. Verfahren zum Behandeln von mit einer epitaktischen Schicht zu bedeckenden Halbleiterscheiben dadurch ekennzeichnet, daß vor dem epitaktischen Bedecken der Scheibe in einer Randzone der zu bedeckenden Fläche Material abgetragen wird.Claims: 1. Method for treating with an epitaxial Layer to be covered semiconductor wafers characterized in that before the epitaxial Covering the disc in an edge zone of the surface to be covered material is removed will. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Randzone, in der Material abgetragen wird, eine Breite hat, die etwa 1/50 des Durchmessers der Haibleiterscheibe beträgt.2. The method according to claim 1, characterized in that the edge zone, in which material is removed, has a width that is about 1/50 of the diameter the semiconductor disk is. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Material durch Schleifen abgetragen wird.3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the Material is removed by grinding. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Rand der Scheibe durch Schleifen abgeschrägt wird.4. The method according to claim 3, characterized in that the edge the disc is beveled by grinding. 5. Vorrichtung zur Durchfiihrung des Verfahrens nach Anspruch 3 oder 4, gekennzeichnet durch mindestens einen hohlkugelabschnittförmigen, rotierenden Schleifkörper, auf den je eine, an der Unterseite eines sie an den Schleifkörper andrückenden Körpers befestigte Halbleiterscheibe aufgelegt ist.5. Device for performing the method according to claim 3 or 4, characterized by at least one hollow spherical segment-shaped, rotating Grinding wheel, on each one, on the underside of one of them to the grinding wheel pressing body attached semiconductor wafer is placed. 6. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schleifkörper auf den Planetenrädern eines offenen Planetengetriebes befestigt sind.6. Apparatus according to claim 4, characterized in that the grinding body are attached to the planet gears of an open planetary gear.
DE19762658972 1976-12-24 1976-12-24 Treatment of semiconductor discs to be coated with epitaxial layer - involves removing edge material prior to epitaxial layer application Pending DE2658972A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19762658972 DE2658972A1 (en) 1976-12-24 1976-12-24 Treatment of semiconductor discs to be coated with epitaxial layer - involves removing edge material prior to epitaxial layer application

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19762658972 DE2658972A1 (en) 1976-12-24 1976-12-24 Treatment of semiconductor discs to be coated with epitaxial layer - involves removing edge material prior to epitaxial layer application

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2658972A1 true DE2658972A1 (en) 1978-07-06

Family

ID=5996724

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19762658972 Pending DE2658972A1 (en) 1976-12-24 1976-12-24 Treatment of semiconductor discs to be coated with epitaxial layer - involves removing edge material prior to epitaxial layer application

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2658972A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7740078B2 (en) 1997-09-02 2010-06-22 Weatherford/Lamb, Inc. Method and device to clamp control lines to tubulars

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7740078B2 (en) 1997-09-02 2010-06-22 Weatherford/Lamb, Inc. Method and device to clamp control lines to tubulars

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0328482B1 (en) Disc-shaped rotating tool for shaping cylindrical grinding worms for grinding gears
DE3335116A1 (en) SEMICONDUCTOR BOARDS AND METHOD AND DEVICE FOR THEIR PRODUCTION
EP0264700B1 (en) Method of making a rotary groove at the border of a semiconductor wafer of a power semiconductor device
DE3026272A1 (en) PRECISION MOLDING METHOD FOR WAFER MATERIAL AND DEVICE FOR IMPLEMENTING IT
DE19958227A1 (en) Production of semiconductor wafers comprises turning the wheel of a grinding machine to remove the resin coating from the wafer exposing the wafer up to its bumps
DE19649216A1 (en) Surface treatment method esp. for brittle materials e.g. semiconductor materials or ceramic or glass
DE102016200023A1 (en) Wafer processing method
DE102015216193A1 (en) Wafer processing method
DE102017215047A1 (en) WAFER AND METHOD FOR EDITING A WAFER
DE112016004787T5 (en) Semiconductor wafer processing method
DE10195157B4 (en) Cleaning device for cleaning polishing cloths used for polishing semiconductor wafers
EP1129823B1 (en) Method for reworking semiconductor wafers
DE102015222535A1 (en) Grinding process for workpieces
DE19720623C1 (en) Polishing device for semiconductor substrate
DE2658972A1 (en) Treatment of semiconductor discs to be coated with epitaxial layer - involves removing edge material prior to epitaxial layer application
DE3442830C2 (en)
DE2643750A1 (en) METHOD FOR ETCHING SEMICONDUCTOR DISCS, IN PARTICULAR FOR SOLAR CELLS, AND DEVICE FOR CARRYING OUT THIS PROCESS
DE2152318A1 (en) Method and device for polishing thin-film elements
DE10302611A1 (en) Polished semiconductor wafer used in the production of an electronic component has a front side and a rear side with a maximum deviation of planarity of the rear side from the ideal plane lies in the region
DE112016005348T5 (en) Method for double-sided polishing of wafers
DE3925364C2 (en)
EP3666459A1 (en) Method of dressing a rotating groove
DE112019005268T5 (en) METHOD OF MANUFACTURING A LASER MARKED SILICON WAFER AND LASER MARKED SILICON WAFER
DE1008066B (en) Rubber V-belts
DE4010436C2 (en)

Legal Events

Date Code Title Description
OHJ Non-payment of the annual fee